KR20020026954A - 화학 기계적 연마 시스템 및 그의 사용 방법 - Google Patents

화학 기계적 연마 시스템 및 그의 사용 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020026954A
KR20020026954A KR1020027001012A KR20027001012A KR20020026954A KR 20020026954 A KR20020026954 A KR 20020026954A KR 1020027001012 A KR1020027001012 A KR 1020027001012A KR 20027001012 A KR20027001012 A KR 20027001012A KR 20020026954 A KR20020026954 A KR 20020026954A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical mechanical
mechanical polishing
weight percent
polishing
alpha
Prior art date
Application number
KR1020027001012A
Other languages
English (en)
Inventor
슈민 왕
블라스타 브루식카우프만
Original Assignee
에이취. 캐롤 번스타인
캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22527822&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20020026954(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 에이취. 캐롤 번스타인, 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 filed Critical 에이취. 캐롤 번스타인
Publication of KR20020026954A publication Critical patent/KR20020026954A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

다층의 금속 또는 금속과 유전체를 포함하는 기판을 연마하기 위해 유용한 알파-아미노산 함유 화학 기계적 연마 조성물 및 슬러리를 제공한다.

Description

화학 기계적 연마 시스템 및 그의 사용 방법 {Chemical Mechanical Polishing Systems and Methods for Their Use}
집적 회로는 규소 반도체 웨이퍼와 같은 반도체 기판 내에 또는 상에 형성된 수많은 활동 장치로 이루어진다. 최초에 서로 단속되어 있는 활동 장치들은 멀티레벨 상호접속을 이용하여 상호접속되어 기능적 회로 및 성분을 형성한다. 상호접속 구조는 보통 제1 금속화 레벨, 인터레벨 유전층, 제2 금속화 레벨, 및 때때로 제3 및 후속 금속화 레벨을 포함한다. 인터레벨 유전체, 예를 들어 도핑된 및 도핑되지 않은 이산화규소 (SiO2) 및 저-κ 유전체는 반도체 기판 또는 웰 (well)에서 상이한 금속화 레벨들을 전기적으로 단속시키기 위해 사용된다. 상이한 상호접속 레벨들 사이의 전기 접속은 금속화 바이어(via)의 사용을 통해 이루어진다. 본원에 참고로 포함시킨 미국 특허 제5,741,626호에서는 유전성 질화탄탈층을 제조하기 위한 방법을 기술하였다.
유사한 방식으로, 웰 내에 형성된 장치와 상호접속 레벨들 사이에 전기 접속을 형성하기 위해 금속 접촉이 사용된다. 금속 바이어 및 접촉은 티탄 (Ti), 질화티탄 (TiN), 탄탈 (Ta), 질화탄탈 (TaN), 알루미늄 구리 (Al-Cu), 알루미늄 규소 (Al-Si), 구리 (Cu), 텅스텐 (W), 질화텅스텐 (WN) 및 이들의 조합과 같은 각종 금속 및 합금으로 충전될 수 있다. 금속 바이어 및 접촉은 일반적으로 금속층을 유전층에 접착시키기 위해 질화티탄 (TiN), 티탄 (Ti), 탄탈 (Ta), 질화탄탈 (TaN), 텅스텐, 질화텅스텐 또는 이들의 조합과 같은 접착층을 사용한다. 접촉 레벨에서, 접착층은 충전된 금속과 유전층이 반응하는 것을 방지하기 위한 확산 배리어로서 작용한다. 바이어의 제작 공정 및(또는) CMP 공정은 미국 특허 제4,671,851호, 동 제4,910,155호 및 동 제4,944,836호에 개시되어 있다.
전형적인 화학 기계적 연마 공정에서, 반도체 웨이퍼를 연마 패드와 접촉시켜 놓는다. 반도체 웨이퍼의 후면에 하방력을 가하면서 패드와 테이블을 회전시킨다. 연마하는 동안 흔히 "슬러리"로 불리는 연마제 함유 화학 반응성 용액을 패드에 도포한다. 연마 공정은 웨이퍼/패드 계면에 슬러리를 공급할 때 기판에 상대적인 패드의 회전 운동에 의해 촉진된다. 절연체 상에 원하는 필름 두께가 제거될 때까지 이러한 방식으로 계속 연마한다. 슬러리 조성물은 CMP 단계에서 중요한 인자이다. 산화제, 연마제 및 다른 유용한 첨가제의 선택에 따라, 연마 슬러리는 표면 결함, 손상, 부식 및 침식을 최소화시키면서 원하는 연마 속도로 금속층을 효과적으로 연마시키도록 맞추어질 수 있다. 또한, 연마 슬러리는 티탄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 텅스텐 및 질화텅스텐 등과 같은 현재의 집적 회로 기술에서 사용되는 다른 박막 물질에 제어된 연마 선택도를 제공하도록 사용될 수 있다.
전형적으로, CMP 연마 슬러리는 산화성 수성 매질 중에 현탁된 실리카 또는 알루미나와 같은 연마제 물질을 함유한다. 예를 들어 미국 특허 제5,244,534호 (Yu 등)에서는 아래에 놓인 절연층을 거의 제거시키지 않으면서 텅스텐을 예측가능한 속도로 제거하기 위해 유용한, 알루미나, 과산화수소, 및 수산화칼륨 또는 수산화암모늄을 함유하는 슬러리를 보고하였다. 미국 특허 제5,209,816호 (Yu 등)에서는 알루미늄을 연마하기 위해 유용한, 수성 매질 중의 과염소산, 과산화수소 및 고체 연마제 물질을 포함하는 슬러리를 개시하였다. 미국 특허 제5,340,370호 (Cadien 등)에서는 약 0.1 M 페리시안화칼륨, 약 5 중량% 실리카 및 아세트산칼륨을 포함하는 텅스텐 연마 슬러리를 개시하였다. pH를 약 3.5로 완충시키기 위해 아세트산을 첨가한다.
미국 특허 제4,789,648호 (Beyer 등)에서는 알루미나 연마제를 황산, 질산 및 아세트산 및 탈이온수와 함께 사용하는 슬러리 제제를 개시하였다. 미국 특허 제5,391,258호와 동 제5,476,606호에서는 수성 매질, 연마제 입자 및 실리카 제거 속도를 제어하는 음이온을 포함하는, 금속과 실리카의 복합재를 연마하기 위한 슬러리를 개시하였다. 미국 특허 제5,770,095호에서는 산화제와 함께 아미노아세트산과 아미도황산 중에서 선택된 에칭제 및 화학제를 포함하는 연마 슬러리를 개시하였다. CMP 용도에 사용하기 위한 다른 연마 슬러리는 미국 특허 제5,527,423호 (Neville 등), 동 제5,354,490호 (Yu 등), 동 제5,157,876호 (Medellin), 동 제5,137,544호 (Medellin) 및 동 제4,956,313호 (Cote 등)에 기재되어 있다.
슬러리를 사용하여 금속 표면을 연마할 수 있는 각종 메카니즘이 선행 기술에 개시되어 있다. 금속 표면은 표면 필름이 형성되지 않는 슬러리를 사용하여 연마될 수 있으며, 이 경우 공정은 금속 입자의 기계적 제거 및 그의 슬러리 중에의 용해에 의해 진행한다. 그러한 메카니즘에서, 습식 에칭을 피하기 위해 화학적 용해 속도는 느려야 한다. 그러나, 보다 바람직한 메카니즘은 금속 표면과 착화제, 산화제 및(또는) 막 형성제와 같은 슬러리 중의 하나 이상의 성분들 사이의 반응에 의해 얇은 마모성 층이 연속적으로 형성되는 것이다. 이어서 얇은 마모성 층은 기계적 작용에 의해 제어된 방식으로 제거된다. 일단 기계적 연마 공정이 중지되면, 얇은 비활동성 (passive) 필름이 표면 상에 남아 습식 에칭 공정을 제어한다. 그러나 대부분의 경우, 화학 기계적 연마는 이들 2가지 메카니즘의 일부 조합에 의해 진행한다. 기계적 작용은 표면 필름 뿐만 아니라 아래의 금속도 또한 제거할 수 있으며, 금속 용해 및 패시베이션 (passivation)은 전체 공정에 필요한 제어를 제공하고 (작은 금속 입자들은 슬러리 중에 우선적으로 용해된다), 한편 남아있는 표면의 일부 패시베이션은 과도한 디싱 (dishing)에 대해 패턴화된 금속을 보호한다.
Ta 및 TaN은 화학적으로 매우 비활동성이고 기계적으로 매우 단단하여 연마에 의해 제거하기 어렵다. 높은 Cu:Ta 선택도로 수행되는 단일 슬러리를 사용하는 것은 Ta에 대해 연장된 연마 시간, 즉, 구리에 대한 연마 시간보다 상당히 초과한 연마 시간을 필요로 할 수 있으며, 이 동안 심각한 디싱과 침식이 일어난다. 그 결과, 다층 기판을 고속으로 및 높은 선택도로 연마하기 위해 성공적으로 사용할 수 있는 CMP 조성물 및 슬러리가 필요하다. 또한 평탄화를 개선시키기 위해 다중 기판층을 유사한 또는 유사하지 않은 속도 및 선택도로 연마할 수 있는 CMP 조성물및 슬러리가 필요하다.
<발명의 개요>
본 발명은 전기 기판과 결합된 하나 이상의 금속층 및 유전층을 낮은 결함율로 고속으로 연마하기 위한 화학 기계적 연마 조성물, 슬러리 및 방법을 포함하는 알파-아미노산 함유 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것이다. 알파-아미노산은 화학식 H2N-CR1R2COOH {여기서 R1및 R2는 둘다가 수소는 아니며, R1및 R2는 각각 개별적으로 수소, 및 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체, 황 함유 치환체 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상의 치환체로 치환되거나 비치환된 탄소 원자수 1 내지 8의 분지쇄형, 환형 및 직쇄형 잔기의 군 중에서 선택된다}로 표시된다. 또한, 화학 기계적 연마 시스템은 기판을 연마하기 위해 화학 기계적 연마 조성물과 협력하는 연마 패드를 포함할 수 있다. 한 실시태양에서, 연마 패드는 내부에 매립된 연마제 입자를 포함하지 않는다. 다른 실시태양에서, 연마 패드는 내부에 매립된 연마제 입자를 포함한다.
본 발명은 또한 약 0.1 내지 약 30.0 중량%의 알루미나를 갖거나 갖지 않는, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 과산화수소 및 약 0.1 내지 약 10.0 중량%의 알라닌을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 1종 이상의 산화제, 약 0.1 내지 약 10.0 중량%의 알라닌 및 약 0.01 내지 약 5.0 중량%의, 기판과 결합된 하나 이상의 층을 연마하는 화학 기계적 연마 조성물의 능력을 억제하는 1종 이상의질소 함유 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물에 관한 것이다. 1종 이상의 질소 함유 화합물은 기판층을 연마하는 화학 기계적 연마 조성물의 능력을 억제하기 때문에 중단 화합물로서 불린다. 중단 화합물은 양이온으로 하전된 것으로 나타나지만 이는 본 발명의 제한점은 아니다. 화학 기계적 연마 조성물은 연마제를 함유할 수 있거나 또는 함유하지 않을 수 있다.
본 발명은 또한 제1 금속층과 제1 금속층 아래에 위치하는 제2층을 포함하는 기판을 연마하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 기판의 제1 금속층에 화학 기계적 연마 조성물을 도포하는 것을 포함하며, 여기서 상기 화학 기계적 연마 조성물은 산화제 및 화학식 H2N-CR1R2COOH {여기서 R1및 R2는 둘다가 수소는 아니며, R1및 R2는 각각 개별적으로 수소, 및 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체, 황 함유 치환체 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상의 치환체로 치환되거나 비치환된 탄소 원자수 1 내지 8의 환형, 분지쇄형 및 직쇄형 잔기의 군 중에서 선택된다}의 1종 이상의 알파-아미노산을 포함한다. 일단 도포되면, 제1 금속층의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되어 제2층을 노출시켜 부분적으로 연마된 기판을 형성할 때까지 상기 화학 기계적 연마 조성물을 사용하여 제1 금속층을 연마한다. 후속 기판층을 연마하기 위해 본 발명의 조성물을 사용할 수 있거나, 또는 후속 기판 물질층을 연마하기 위해 제2 연마 조성물을 사용할 수 있다.
본 발명은 다층의 금속 또는 금속과 유전체를 포함하는 기판을 연마하기 위해 유용한 알파-아미노산 함유 화학 기계적 연마 조성물 및 슬러리에 관한 것이다.
본 발명은 화학 기계적 연마 조성물 및 슬러리를 포함하는 알파-아미노산 함유 화학 기계적 연마 시스템, 및 하나 이상의 금속층 및 임의로 하나 이상의 유전층을 포함하는 기판을 연마하기 위해 본 발명의 조성물 및 슬러리를 사용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 각종 바람직한 실시태양의 상세한 내용을 설명하기 전에, 본원에서 사용되는 몇몇 용어를 정의할 것이다. 화학 기계적 연마 ("CMP") 조성물은 산화제, 알파-아미노산의 연마 첨가제 및 다른 성분들 (이들 다른 성분은 선택적이다)을 포함하는 본 발명의 유용한 제품이다. CMP 조성물은 반도체 박막, 집적 회로 박막, 및 CMP 공정이 유용한 임의의 다른 필름 및 표면을 포함하지만 이에 제한되지 않는, 본원에서 "전기 기판"으로서 불리는 다층 금속이 그 위에 침적되어 있는 기판을 연마하기 위해서 유용하다.
용어 "구리" 및 "구리 함유 합금"은 순수 구리, 구리 알루미늄 합금의 층을 포함하는 기판과 Cu/TiN/Ti 및 Cu/TaN/Ta 다층 기판을 포함하지만 이에 제한되지 않는 것으로 당업계의 숙련인의 지식 내에 있는 것으로서 본원에서 상호교환가능하게 사용된다.
용어 "탄탈" 및 "탄탈 함유 합금"은 전도성 구리층과 같은 전도층 아래의 탄탈 및(또는) 질화탄탈 접착층을 칭하는 것으로 본원에서 상호교환가능하게 사용된다.
본 발명의 연마 조성물은 기판을 연마하기 위해 유용한 화학 기계적 연마 슬러리를 제공하기 위해 1종 이상의 연마제와 혼합될 수 있다. 별법으로, 본원에 개시된 연마 조성물은 연마제 함유 패드 또는 연마제 비함유 패드와 함께 기판과 결합된 금속층, 접착층 및 유전층을 연마하기 위해 또한 유용하다. 본 발명의 연마 조성물과 함께 사용할 수 있는 연마제 패드의 예는 명세서를 본원에 참고로 포함시킨 미국 특허 제5,849,051호와 동 제5,849,052호에 개시되어 있다. 문맥에서 그와 같이 지시되면, 용어 CMP 조성물과 CMP 슬러리는 본 발명의 취지 내에서 상호교환가능하게 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물 및 슬러리를 포함한 연마 시스템은 각각 1종 이상의 산화제를 포함한다. 산화제는 기판 금속층(들)을 그들의 상응하는 산화물, 수산화물 또는 이온으로 산화시키는 것을 돕는다. 예를 들어, 산화제는 티탄을 산화티탄으로, 텅스텐을 산화텅스텐으로, 구리를 산화구리로, 및 알루미늄을 산화알루미늄으로 산화시키기 위해 사용될 수 있다. 산화제는 CMP 시스템 내로 포함시키는 경우 기계적 연마법에 의해 티탄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 구리, 텅스텐, 질화텅스텐, 알루미늄, 알루미늄/구리 합금과 같은 알루미늄 합금, 금, 은, 백금, 루테늄 및 이들의 각종 혼합물 및 조합물을 포함하는 금속 및 금속에 기초한 성분들을 연마하기 위해 유용하다.
광범한 산화제가 본 발명의 CMP 시스템에서 사용될 수 있다. 적합한 산화제는 하나 이상의 무기 및 유기 과화합물 (per-compounds) 뿐만 아니라 보다 높은 또는 가장 높은 산화 상태의 원소를 함유하는 화합물을 포함한다.
과화합물은 적어도 하나의 과산화기 (-O-O-)를 함유하는 화합물이다. 적어도 하나의 과산화기를 함유하는 화합물의 예로는 과산화수소 및 우레아-과산화수소와 같은 그의 부가물, 및 과탄산염, 유기 과산화물, 예를 들어 벤질 퍼옥시드, 과아세트산 및 디-t-부틸 퍼옥시드, 모노과황산염 (SO5 =), 디과황산염 (S2O8 =), 과산화나트륨 및 이들의 혼합물을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다.
보다 높은 산화 상태의 원소를 함유하는 산화제의 예로는 브롬산, 브롬산염, 염소산, 염소산염, 크롬산염, 요오드산, 요오드산염, 과요오드산, 과요오드산염, 과브롬산, 과브롬산염, 과염소산, 과염소산염, 과붕산, 과붕산염, 과망간산염, 세륨(IV) 화합물, 예를 들어 질산세륨암모늄, 철염, 예를 들어 질산염, 황산염, EDTA 및 시트르산염, 시안화철칼륨, 삼산화바나듐 등과 알루미늄염을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다.
바람직한 산화제는 과아세트산, 우레아-과산화수소, 과산화수소, 모노과황산, 디과황산, 이들의 염 및 이들의 혼합물이다. 가장 바람직한 산화제는 과산화수소이다.
산화제는 화학 기계적 연마 시스템 내에 약 0.01 내지 약 30.0 중량% 범위의 양으로 존재할 수 있다. 산화제가 본 발명의 CMP 시스템 내에 약 0.1 내지 약 17.0 중량% 및 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 10.0 중량% 범위의 양으로 존재하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물 및 슬러리를 포함한 CMP 시스템은 전기 기판층의 표면 상에 패시베이션층을 형성하는 성분들을 포함할 수 있다. 일단 패시베이션층이 형성되면, 원하는 연마 속도를 얻기 위해 패시베이션층을 교란시킬 수 있는 것이 중요해진다. 본 발명의 화학 기계적 연마 시스템은 금속 연마 속도를 증가시키기 위해알파-아미노산의 연마 첨가제를 포함한다. 알파-아미노산은 화학식 H2N-CR1R2COOH {여기서 R1및 R2는 둘 모두 수소가 아니며, R1및 R2는 각각 개별적으로 수소, 및 -COOH, -CONH2, -NH2, -S-, -OH, -SH 및 이들의 혼합물을 포함하지만 이에 제한되지 않는 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체 및 황 함유 치환체 중에서 선택된 하나 이상의 치환체로 치환되거나 비치환된 탄소 원자수 1 내지 8의 환식, 분지형 및 직쇄형 잔기의 군 중에서 선택된다}로 표시된다. 더 바람직하게는 알파-아미노산은 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 시스틴, 시스테인, 글루타민, 글루탐산, 히스티딘, 이소류신, 류신, 라이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 세린, 트레오닌, 트립토판, 타이로신, 발린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된다. 가장 바람직하게는 연마 첨가제는 알라닌이다.
알파-아미노산의 연마 첨가제는 본 발명의 조성물 및 슬러리 중에 약 0.05 내지 약 10.0 중량% 범위의 양으로 포함된다. 연마 첨가제가 본 발명의 조성물 중에 약 0.3 내지 약 5.0 중량% 범위의 양으로 존재하는 것이 더 바람직하다.
본 발명의 조성물 또는 슬러리를 포함한 화학 기계적 연마 시스템은 본 발명의 조성물 및 슬러리의 성능을 개선시키거나 증강시키는 하나 이상의 선택적인 성분들을 포함할 수 있다. 유용한 선택적인 성분의 몇가지 예는 패시베이션 막 형성제, 분산제, 계면활성제, 연마 중단 화합물, 안정화제, 연마제, 및 CMP 연마를 촉진시키고 제어하기 위해 당업계의 숙련인에게 알려져 있는 임의의 다른 선택적인 성분들을 포함한다.
본 발명의 시스템은 하나 이상의 중단 화합물을 포함할 수 있다. 중단 화합물은 금속층, 접착층 및(또는) 유전층과 상호작용하여 화학 기계적 연마 조성물 또는 슬러리의 연마 작용을 본질적으로 중단시킨다. 그 결과는 화학 기계적 연마 조성물 또는 슬러리가 기판과 결합된 층을 연마하며, 연마된 층, 예를 들면, 제1층 아래에 놓인 제2층을 연마하는 것이 본질적으로 중단된다. 중단 화합물은 제2층 상에 흡착되어 그의 제거를 억제할 수 있는 임의의 화합물일 수 있다. 본원에서 사용된 용어 "본질적으로 중단되는"은 연마 조성물 또는 슬러리의 제1층:제2층 연마 선택도가 약 30:1, 바람직하게는 50:1 이상 및 가장 바람직하게는 100:1 이상인 것을 의미한다.
바람직한 중단 화합물은 연마가 억제되는 층의 표면 전화와 반대로 하전된다. 바람직한 종류의 중단 화합물은 양이온으로 하전된 질소 함유 화합물을 포함한다. 용어 "양이온으로 하전된"은 중단 화합물이 CMP 조성물 또는 슬러리의 작동 pH에서 양이온 형태로 존재하는 것을 의미한다. 바람직하게는 연마되는 층이 금속층, 예를 들어 탄탈층이고, 연마되는 층 아래의 층은 다른 금속층, 접착층 또는 유전층이다.
바람직한 종류의 중단 화합물로는 1급, 2급, 3급 및 4급 아민, 올리고머성 및 중합성 아민, 이민, 아미드, 이미드, 아미노산, 아미노 알코올 및 에테르아민과 같은 질소 함유 중단 화합물을 포함한다. 더 바람직한 종류의 질소 함유 중단 화합물로는 분자량이 약 200 내지 백만 이상인 폴리에틸렌이민; N4-아민(N,N'-비스[3-아미노프로필]에틸렌 디아민); 4,7,10-트리옥사트리데칸-1,13-디아민; 3,3-디메틸-4,4-디아미노디시클로헥실메탄; 2-페닐에틸아민; 폴리에테르아민; 에테르아민; N,N-디메틸디프로필렌트리아민; 3-[2-메톡시에톡시] 프로필아민; 디메틸아미노프로필아민; 1,4-비스(3-아미노 프로필)피페라진; 라이신; 이소포론 디아민; 헥사메틸렌디아민; N-시클로헥실-1,3-프로판디아민; N-(3-아미노프로필)-1,3-프로판디아민; 테트라에틸렌펜타아민; N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부탄디아민; 프로필아민; 2-(2-아미노에톡시)에탄올; 1,3-디아미노-2-프로판올; 티오믹아민; 2-아미노-1-부탄올; 폴리[비스(2-클로로에테르)-알트-1,3-비스(3-디메틸아미노)프로필]; 및 이들의 혼합물을 포함한다.
일반적으로, 본 발명의 CMP 조성물 및 슬러리 중에 사용된 중단 화합물의 양은 약 0.001 내지 약 5.0 중량%, 및 바람직하게는 약 0.05 내지 약 3.0 중량% 범위일 것이다. 또한, 중단 화합물은 조성물에 직접 첨가되거나 또는 공지의 기술을 이용하여 금속 산화물 연마제의 표면 상으로 처리될 수 있다. 두 경우 모두에서, 첨가제의 양은 연마 조성물 중에 원하는 농도를 성취하도록 조정된다. 바람직한 중단 화합물의 최종 선택은 또한 그의 화학적 안정성, 슬러리의 다른 성분과의 상호작용 (또는 그의 결핍), 및 사용된 임의의 연마제 입자의 콜로이드 안정성에 대한 그의 영향에 의존한다.
본 발명의 CMP 시스템은 선택적인 패시베이션 막 형성제를 추가로 포함할 수 있다. 막 형성제는 금속층의 표면 상에 금속의 패시베이션층 및 용해-억제층의 형성을 촉진할 수 있는 임의의 화합물 또는 화합물들의 조합일 수 있다. 기판 금속표면층의 패시베이션은 금속 표면의 습식 에칭을 방지하기 위해 중요하다. 유용한 패시베이션 막 형성제는 질소 함유 복소환이 화합물의 일부 내지 전부를 구성하는 질소 함유 복소환식 화합물이다. 바람직한 복소환식 패시베이션 막 형성제로는 고리의 일부인 질소를 갖는 5원 및 6원 복소환 고리를 함유하는 조성물을 포함한다. 그러한 질소 함유 5원 및 6원 고리 화합물의 예로는 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸 및 벤조티아졸과 히드록시, 아미노, 이미노, 카르복시, 머캅토, 니트로 및 알킬 치환된 기 뿐만 아니라 우레아, 티오우레아 및 다른 것들를 갖는 이들의 유도체를 포함한다. 바람직한 에치 억제제는 벤조트리아졸 ("BTA"), 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸 및 이들의 혼합물이다.
선택적인 패시베이션 막 형성제는 본 발명의 CMP 조성물 내에 약 0.005 내지 약 1.0 중량% 범위의 양으로 존재해야 한다. 패시베이션 막 형성제가 CMP 조성물 및 슬러리 중에 약 0.01 내지 약 0.2 중량% 범위의 양으로 존재하는 것이 바람직하다. 패시베이션 막 형성제가 또한 에치 억제제로서 불린다는 것을 알아야 한다.
CMP 공정 동안의 기계적 연마는 연마제 함유 슬러리를 연마 패드와 조합하여 사용하여, 또는 연마제가 없는 슬러리를 내부에 매립된 연마제를 갖는 연마 패드와 조합하여 사용하여, 또는 연마제가 없는 슬러리를 내부에 매립된 연마제를 갖지 않는 연마 패드와 조합하여 사용하여 성취할 수 있다. 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물 및 슬러리는 연마제를 포함할 수 있다. 연마제는 대개 금속 산화물 연마제이다. 금속 산화물 연마제는 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 및 이들의 혼합물을 포함하는 군 중에서 선택할 수 있다. 본 발명의CMP 슬러리는 바람직하게는 각각 약 0.1 내지 약 30.0 중량% 또는 그 이상의 연마제를 포함한다. 그러나, 본 발명의 슬러리가 약 0.5 내지 약 10.0 중량%의 연마제를 포함하는 것이 더 바람직하다.
바람직하게는, 금속 산화물 연마제는 약 3% 내지 약 45% 고형분 및 더 바람직하게는 10% 내지 20%의 고형분을 포함하는 금속 산화물의 농축 수성 분산액으로서 연마 슬러리의 수성 매질 내로 포함된다. 금속 산화물의 수성 분산액은 금속 산화물 연마제를 적절한 매질, 예를 들어 탈이온수에 서서히 첨가하여 콜로이드성 분산액을 형성시키는 것과 같은 통상적인 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 분산은 대개 그를 당업계의 숙련인에게 공지되어 있는 고전단 혼합 조건에 놓음으로써 완료된다. 콜로이드 안정성을 최대화시키기 위해 슬러리의 pH는 등전점으로부터 멀리 조정될 수 있다.
본 발명의 CMP 조성물 및 슬러리는 당업계의 숙련인에게 공지된 통상적인 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 전형적으로, 산화제 및 다른 비-연마제 성분들은 상기 성분들이 매질 중에 완전히 용해될 때까지 전단 조건 하에 탈이온수 또는 증류수와 같은 수성 매질 내로 예정된 농도로 혼합한다. 임의로, 발연 알루미나와 같은 금속 산화물 연마제의 농축 분산액을 매질에 첨가하여 최종 CMP 슬러리 중의 연마제 및 다른 모든 성분들의 원하는 로딩 레벨로 희석시킬 수 있다.
본 발명의 CMP 조성물 및 슬러리는 모든 슬러리 첨가제를 포함하는 하나의 포장 (package) 시스템으로서 공급될 수 있다. 산화제 및 특히 과산화수소를 함유하는 CMP 슬러리를 선적하는 것에 관한 근심 때문에, 본 발명의 CMP 조성물 및 슬러리는 산화제(들)을 제외한 모든 성분들을 함유하는 CMP 전구체로서 제조하여 포장하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물의 제1 금속층, 즉, 전도층:아래에 놓인 접착층의 연마 속도비가 30 미만인 경우, 본 발명의 연마 조성물은 전도층 및 접착층 둘 모두를 연마하기 위해 단일 단계에서 사용할 수 있다. 예를 들면, 전도층이 구리이고 아래에 놓인 접착층이 탄탈 함유 물질이며 연마 속도비가 30 미만인 경우, 구리 및 탄탈 함유 물질은 둘 모두 동일한 화학 기계적 연마 조성물을 사용하여 연마할 수 있으며, 즉, 연마를 수행하기 위해 단일 단계를 이용할 수 있다. 한편, 연마 속도비가 30보다 큰 경우, 다층을 연마하기 위해 본 발명의 조성물 또는 슬러리를 사용하는데에는 접착층에 대해 연장된 연마 시간이 요구될 수 있으며, 따라서, 제1 금속층에 대해 상당한 과도연마 시간이 요구될 수 있으며, 이 동안 심각한 디싱 및 침식이 일어나며, 즉, 디싱 및 침식 성능의 퇴보가 있게 된다. 그러한 경우 다층 기판 및 특히 구리와 탄탈을 포함하는 기판을 연마하기 위해 성공적으로 사용될 수 있는 2가지 이상의 CMP 조성물, 슬러리 또는 이들의 조합이 필요하다.
본 발명의 조성물 및 슬러리에 의해 연마되는 기판은 전형적으로 하나 이상의 접착층 (이는 다시 산화물층을 덮는다)을 덮고 있는 금속층을 포함한다. 산화물층은 제2 금속층 등의 위에 놓여서 빌트 업 (built up) 기판을 제공할 수 있다. 본 발명의 조성물 및 슬러리는 기판을 이루는 하나의 층 또는 층들의 조합을 연마하기 위해 유용하다. 예를 들어 본 발명의 연마 조성물은 금속층을 연마하기 위해 사용될 수 있으며, 이후 연마 조성물 또는 슬러리를 기판으로부터 제거하고, 제2및 임의의 후속 기판층들을 연마하기 위해 본 발명의 또는 본 발명의 것이 아닌 제2 연마 조성물 또는 슬러리를 기판의 접착층 및(또는) 유전층에 도포한다. 별법으로, 제1 연마 조성물 또는 슬러리를 사용하여 전도층 또는 금속층을 연마할 수 있고, 제2 연마 조성물 또는 슬러리를 사용하여 접착층을 연마할 수 있으며, 제3 조성물 또는 슬러리를 사용하여 유전층을 연마할 수 있다. 다른 별도의 실시태양에서, 본 발명의 연마 조성물 또는 슬러리는 기판으로부터 연마 조성물 또는 슬러리를 제거할 필요 없이 2층 이상을 연마하기 위해 선택할 수 있다.
2가지 이상의 연마 조성물 또는 슬러리를 사용하여 기판을 연마하는 경우, 본 발명의 조성물 또는 슬러리는 일반적으로 제1 연마 조성물 또는 슬러리일 것이며 높은 금속층:접착/유전층 선택도를 가져야 하는 한편, 제2 연마 조성물 또는 슬러리는 낮은 금속층:접착/유전층 선택도를 가져야 한다. 예를 들어 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물 또는 슬러리는 연마 첨가제, 및 연마 조성물 또는 슬러리가 탄탈 및 다른 접착층, 유전층 또는 금속층에 대해서는 느린 연마 속도를 나타내면서 구리를 고속으로 연마하도록 하는 다른 성분들을 포함할 수 있다. 연마 조성물 또는 슬러리는 일단 구리층의 연마가 완료되면 기판으로부터 제거된다. 이어서, 연마 조성물이 탄탈 또는 다른 접착층, 유전층 또는 금속층에 대해서는 보다 빠른 연마 속도를 나타내면서 구리를 보다 느린 속도로 연마하도록 하는 연마 첨가제를 포함하는 제2 화학 기계적 연마 조성물 또는 슬러리를 부분적으로 연마된 기판에 도포할 수 있다. 본 발명은 금속층, 접착층 또는 산화물층을 원하는 고속 또는 저속으로 연마하는 생성된 화학 기계적 연마 조성물 또는 슬러리의 능력을 맞추기 위해 하나 이상의 연마 첨가제의 선택을 고려한다.
기판을 연마하기 위해 사용되는 경우, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 기판에 도포하고, 기판을 연마기와 연마 패드를 사용하여 통상적인 수단에 의해 연마한다. 상기한 바와 같이, 연마제는 연마 조성물 내로 포함되어 연마 슬러리를 형성할 수 있거나, 또는 연마 패드 내로 포함되거나 그 위에 매립될 수 있거나, 또는 둘 모두일 수 있다. 본 발명의 조성물 또는 슬러리를 사용하는 기판 연마가 완료되면, 기판을 탈이온수 또는 다른 용매로 세척하여 부분적으로 연마된 기판으로부터 연마 조성물 또는 슬러리를 제거할 수 있다. 이어서, 제2 연마 조성물 또는 슬러리를 기판에 도포할 수 있고, 부분적으로 연마된 기판의 구리 부분에 비해 탄탈 또는 질화탄탈 부분을 우선적으로 연마하기 위해 통상적인 기술을 이용하여 기판을 연마한다. 일단 제2 연마 단계가 완료되면, 제2 연마 조성물 또는 슬러리를 탈이온수 또는 다른 용매를 사용하여 기판으로부터 세척하고, 기판을 추가의 가공을 위해 준비한다.
두 연마 단계 모두에서, 연마 조성물 또는 슬러리는 기판 연마 동안 제어된 방식으로 기판에 직접, 또는 연마 패드에 또는 둘 모두에 도포될 수 있다. 그러나, 연마 조성물이 패드에 도포되는 것이 바람직하며, 상기 패드는 그 후 기판에 대하여 놓이고, 이후 패드가 기판에 상대적인 관계로 움직여 기판 연마를 성취한다.
본 발명의 연마 조성물은 구리, 티탄, 질화티탄, 탄탈, 질화탄탈, 텅스텐 및 질화텅스텐층을 포함하는 기판을 제어가능한 조건 하에 우수한 속도로 연마하기 위해 특히 유용하다. 본 발명의 연마 슬러리는 표면 결함 또는 손상을 최소화하면서 원하는 연마 속도로 효과적으로 연마하기 위해 반도체 집적 회로 제작의 각종 단계 동안 사용될 수 있다.
<실시예 1>
본 실시예에서는 글라이신을 포함하는 연마 슬러리의 성능을 알파-아미노산으로서 알라닌을 포함하는 본 발명에 따른 연마 슬러리와 비교한다. 연마 슬러리는 3.0 중량%의 알루미나, 2.0 중량%의 과산화수소를 하기 표 1에 기록된 성분들과 함께 포함하였다. 알루미나는 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코오퍼레이션 (Cabot Microelectronics Corporation, Aurora, IL)에 의해 제조된 Semi-Sperse(등록상표) W-A355 연마 슬러리의 형태였다. 조성물 연마 결과를 또한 하기 표 1에 기록하였다.
모든 연마는 Suba IV 패드 상에 적층시킨 천공된 로델(Rodel)(등록상표) IC-1000 패드를 사용하여 IPEC 472 연마기 상에서 수행하였다. 연마 도구 파라미터는 하방력 3 psi, 압반 속도 55 rpm 및 담체 속도 30 rpm이었다.
연마 조성물 Cu 속도Å/분 Ta 속도Å/분 산화물 속도Å/분 Cu 디싱Å 산화물 침식 선 홈Å Cu상의 거칠기, Å
10㎛ 50㎛ 0.5×1.0㎛ 어레이 2.0×4.0㎛ 어레이 0.5×1.0㎛ 어레이
0.15 몰 알라닌, 0.06% Lupasol SKA*, 0.04% 트리아졸, pH 4.8 2501 11 2 1588 3094 251 303 480 19
0.15 몰 글라이신, 0.06% Lupasol SKA*, 0.04% 트리아졸, pH 4.8 5442 8 2 2153 4360 383 607 910 30
*Lupasol SKA: 폴리에틸렌이민 (평균 분자량 2백만), 바스프(BASF) 제조
상기 표는 슬러리 중의 다른 모든 것은 동일한, 알라닌 및 글라이신에 기초한 슬러리의 디싱, 침식 및 Cu 선 홈의 성능 비교를 보여준다. 결과는 디싱, 침식, 선 홈 뿐만 아니라 Cu CMP 공정에서 Cu 표면 거칠기를 유의하게 최소화시키는데 있어서 알라닌의 독특한 성질과 능력을 증명한다. 성능 차이는 알라닌과 글라이신의 분자 구조에서의 차이 때문인 것으로 생각된다. 잉여 메틸기를 갖는 알라닌은 글라이신보다 더 느린 속도로 구리를 착화시키는 것으로 생각된다. 알라닌 및 다른 치환된 아미노산의 독특한 특색으로 연마 공정은 제어하기 더 용이해진다.
<실시예 2>
구리 제거 속도에 대한 알파-아미노산 함유 연마 화합물들의 효과를 증명하기 위해 많은 연마 시험을 수행하였다. 연마에 사용된 연마제는 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코오퍼레이션의 연마 슬러리인 Semi-Sperse(등록상표) W-A355로부터 제조된 3% 고형분 수준의 알루미나였다. 연마는 실시예 1에 기재된 것과 동일한 재료, 장비 및 조건을 이용하여 수행하였다.
3% 알루미나 및 2.5% 과산화수소를 갖는 슬러리 중에서 구리의 연마 속도에 대한 α-아미노산 함유 첨가제의 효과
화학 Cu 속도 (Å/분) Ta 속도 (Å/분)
1 0.5% α-알라닌, pH 7.7 2961 288
2 0.6% D,L-아스파르트산, pH 7.7 3807 448
3 1% D,L-메티오닌, pH 7.7CH3SCH2CH2CH(NH2)COOH 3161 149
조성물 1 및 2는 Cu 및(또는) Ta를 제거하며, 단일 단계 연마 조성물로서 사용될 수 있다. 조성물 3은 Cu를 Ta보다 훨씬 더 빠른 속도로 제거하며, 제1 단계 연마 조성물로서 유용할 수 있다.
<실시예 3>
구리 제거 속도에 대한 알파-아미노산 함유 연마 화합물의 효과를 증명하는 연마 시험 외에, 구리 제거 속도에 대한 베타-아미노산의 효과를 평가하였다. 연마에 사용된 연마제는 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코오퍼레이션 (Aurora, IL)의 연마 슬러리인 Semi-Sperse(등록상표) W-A355로부터 제조된 3% 고형분 수준의 알루미나였다. 연마는 실시예 1 및 2에 기재된 것과 동일한 재료, 장비 및 조건을 이용하여 수행하였다.
3% 알루미나, 0.03% 트리아졸, 0.06% Lupasol SKA, 1.0% 과산화수소 및 pH 7.5를 갖는 슬러리 중에서 구리의 연마 속도에 대한 α-아미노산 및 β-아미노산 함유 첨가제의 비교
화학 Cu 속도 (Å/분) Ta 속도 (Å/분)
1 1.0% α-알라닌 2784 11
2 1.0% β-알라닌 986 13
α-알라닌을 함유하는 조성물은 β-알라닌을 함유하는 조성물보다 대략 2.8배 더 빠른 속도로 구리를 제거한다.
<실시예 4>
본 실시예에서는 단일 슬러리를 미라(Mirra) 연마 도구 (어플라이드 머티리얼즈(Applied Materials))와, 제1상은 MP (담체 막 압력) 4 psi (제곱인치당 파운드), IP (담체 인터튜브 압력) 4 psi, RRP (담체 유지 고리 압력) 5 psi, PS (압반 속도) 43 rpm 및 CS (담체 속도) 37 rpm이고 제2상은 MP/IP/RRP/PS 및 CS가 각각 2/2/3/103/97인 2상 연마 공정을 이용하여 시험하였다. 슬러리는 0.6 중량% 알라닌, 0.06 중량% Lupasol SKA, 0.04 중량% 1,2,4-트리아졸, 1 중량% H2O2및 3 중량% 알루미나를 포함하였다. 슬러리의 pH는 7.7이었다. 연마 슬러리는 Cu/Ta 웨이퍼로부터 구리를 4101 Å/분의 속도로 제거할 수 있었다. 10 ㎛ 모양(feature) 크기에서 웨이퍼 디싱은 613 Å이고 50 ㎛ 모양 크기에서는 913이었다. 0.5 ㎛ 선과 1 ㎛ 피치를 갖는 어레이, 즉 0.05/1.0 ㎛ 어레이에 대한 침식은 190 Å이었다.

Claims (40)

1종 이상의 산화제; 및
화학식 H2N-CR1R2COOH {여기서 R1및 R2는 둘다가 수소는 아니며, R1및 R2는 각각 개별적으로 수소, 및 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체, 황 함유 치환체 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상의 치환체로 치환되거나 비치환된 탄소 원자수 1 내지 8의 환형, 분지쇄형 및 직쇄형 잔기의 군 중에서 선택된다}의 1종 이상의 알파-아미노산
을 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 상기 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체 및 황 함유 치환체가 -COOH, -CONH2, -NH2, -S-, -OH, -SH 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 상기 알파-아미노산이 알파-알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 시스틴, 시스테인, 글루타민, 글루탐산, 히스티딘, 이소류신, 류신, 라이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 세린, 트레오닌, 트립토판, 타이로신, 발린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 상기 알파-아미노산을 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 상기 알파-아미노산이 알파-알라닌인 화학 기계적 연마 시스템.
제5항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 알파-알라닌을 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 약 0.1 내지 약 17.0 중량%의 1종 이상의 산화제를 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제7항에 있어서, 약 0.5 내지 약 10.0 중량%의 1종 이상의 산화제를 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 상기 1종 이상의 산화제가 과산화수소인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 기판과 결합된 하나 이상의 층을 연마하는 화학 기계적 연마 조성물의 능력을 억제하는 1종 이상의 중단 화합물을 포함하며, 상기 1종 이상의 중단 화합물은 양이온으로 하전된 질소 함유 화합물인 화학 기계적 연마 시스템.
제10항에 있어서, 상기 1종 이상의 중단 화합물이 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민, 4급 아민, 올리고머성 아민, 올리고머성 이민, 올리고머성 아미드, 올리고머성 이미드, 중합성 아민, 중합성 이민, 중합성 아미드, 중합성 이미드, 아미노산, 아미노 알코올, 에테르아민 및 이들의 혼합물을 포함하는 화합물 중에서 선택된 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제10항에 있어서, 상기 1종 이상의 중단 화합물이 분자량이 약 200 내지 백만 이상인 폴리에틸렌이민; N4-아민 (N,N'-비스[3-아미노프로필]에틸렌 디아민); 4,7,10-트리옥사데칸-1,13-디아민; 3,3-디메틸-4,4-디아미노디시클로헥실메탄; 2-페닐에틸아민; 폴리에테르아민; 에테르아민; N,N-디메틸디프로필렌트리아민; 3-[2-메톡시에톡시] 프로필아민; 디메틸아미노프로필아민; 1,4-비스(3-아미노 프로필)피페라진; 라이신; 이소포론 디아민; 헥사메틸렌디아민; N-시클로헥실-1,3-프로판 디아민; N-(3-아미노프로필)-1,3-프로판디아민; 테트라에틸렌펜타아민; N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부탄디아민; 프로필아민; 2-(2-아미노에톡시)에탄올; 1,3-디아미노-2-프로판올; 티오믹아민; 2-아미노-1-부탄올; 폴리[비스(2-클로로에테르)-알트-1,3-비스(3-디메틸아미노)프로필]; 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 활성 관능기로서 5원 내지 6원 복소환 고리를 갖는 하나 이상의 유기 복소환을 포함하는 1종 이상의 패시베이션(passivation) 막 형성제를 추가로 포함하며, 상기 하나 이상의 고리는 질소 원자를 포함하는 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제13항에 있어서, 상기 1종 이상의 패시베이션 막 형성제가 벤조트리아졸, 트리아졸, 벤즈이미다졸 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 1종 이상의 금속 산화물 연마제를 추가로 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제15항에 있어서, 상기 금속 산화물 연마제가 약 0.1 내지 약 30 중량%의, 알루미나, 세리아, 게르마니아, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 이들의 복합재 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 금속 산화물 연마제인 화학 기계적 연마 시스템.
제1항에 있어서, 연마 패드를 추가로 포함하는 화학 기계적 연마 시스템.
제17항에 있어서, 상기 연마 패드가 그 위에 또는 그 내부에 매립된 연마제를 포함하는 것인 화학 기계적 연마 시스템.
약 0.5 내지 약 10.0 중량%의 과산화수소; 및
약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 알라닌
을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물.
제19항에 있어서, 약 0.1 내지 약 30.0 중량%의 알루미나를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물.
약 0.5 내지 약 10.0 중량%의 1종 이상의 산화제;
약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 알라닌; 및
약 0.01 내지 약 5.0 중량%의, 기판과 결합된 하나 이상의 층을 연마하는 화학 기계적 연마 조성물의 능력을 억제하는, 양이온으로 하전된 1종 이상의 질소 함유 화합물
을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물.
제21항에 있어서, 약 0.1 내지 약 30.0 중량%의 1종 이상의 연마제를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물.
a. 산화제 및 화학식 H2N-CR1R2COOH {여기서 R1및 R2는 둘다가 수소는 아니며, R1및 R2는 각각 개별적으로 수소, 및 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체, 황 함유 치환체 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 하나 이상의 치환체로 치환되거나 비치환된 탄소 원자수 1 내지 8의 환형, 분지쇄형 및 직쇄형 잔기의 군 중에서 선택된다}의 1종 이상의 알파-아미노산을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 연마 패드와 함께 기판에 도포하고;
b. 제1 금속층의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되어 부분적으로 연마된 기판을 형성할 때까지 상기 화학 기계적 연마 조성물 및 연마 패드를 사용하여 제1 금속층을 연마하는 것
을 포함하는, 제1 금속층과 제1 금속층 아래에 위치하는 제2층을 포함하는 기판을 연마하기 위한 방법.
제23항에 있어서, 상기 질소 함유 치환체, 산소 함유 치환체 및 황 함유 치환체가 -COOH, -CONH2, -NH2, -S-, -OH, -SH 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 방법.
제23항에 있어서, 상기 알파-아미노산이 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 시스틴, 시스테인, 글루타민, 글루탐산, 히스티딘, 이소류신, 류신, 라이신, 메티오닌, 페닐알라닌, 세린, 트레오닌, 트립토판, 타이로신, 발린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.
제23항에 있어서, 상기 알파-아미노산이 상기 조성물의 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 양으로 존재하는 것인 방법.
제23항에 있어서, 상기 알파-아미노산이 알파-알라닌인 방법.
제27항에 있어서, 약 0.05 내지 약 10.0 중량%의 알파-알라닌을 포함하는 방법.
제23항에 있어서, 약 0.1 내지 약 17.0 중량%의 산화제를 포함하는 방법.
제29항에 있어서, 약 0.5 내지 약 10.0 중량%의 산화제를 포함하는 방법.
제23항에 있어서, 상기 산화제가 과산화수소인 방법.
제23항에 있어서, 상기 화학 기계적 연마 조성물이 활성 관능기로서 5원 내지 6원 복소환 고리를 갖는 하나 이상의 유기 복소환을 포함하는 1종 이상의 패시베이션 막 형성제를 포함하며, 상기 하나 이상의 고리는 질소 원자를 포함하는 것인 방법.
제32항에 있어서, 상기 1종 이상의 패시베이션 막 형성제가 벤조트리아졸, 트리아졸, 벤즈이미다졸 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 방법.
제23항에 있어서, 상기 화학 기계적 연마 조성물이 1종 이상의 금속 산화물 연마제를 포함하는 것인 방법.
제34항에 있어서, 상기 금속 산화물 연마제가 약 0.1 내지 약 30 중량%의, 알루미나, 세리아, 게르마니아, 실리카, 티타니아, 지르코니아 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 금속 산화물 연마제인 방법.
제23항에 있어서, 상기 화학 기계적 연마 조성물이 기판과 결합된 하나 이상의 층을 연마하는 화학 기계적 연마 조성물의 능력을 억제하는, 양이온으로 하전된 질소 함유 화합물인 1종 이상의 중단 화합물을 포함하는 방법.
제36항에 있어서, 상기 1종 이상의 중단 화합물이 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민, 4급 아민, 올리고머성 아민, 올리고머성 이민, 올리고머성 아미드, 올리고머성 이미드, 중합성 아민, 중합성 이민, 중합성 아미드, 중합성 이미드, 아미노산, 아미노 알코올, 에테르아민 및 이들의 혼합물을 포함하는 화합물 중에서 선택된 것인 방법.
제36항에 있어서, 상기 1종 이상의 중단 화합물이 분자량이 약 200 내지 백만 이상인 폴리에틸렌이민; N4-아민 (N,N'-비스[3-아미노프로필]에틸렌 디아민); 4,7,10-트리옥사데칸-1,13-디아민; 3,3-디메틸-4,4-디아미노디시클로헥실메탄; 2-페닐에틸아민; 폴리에테르아민; 에테르아민; N,N-디메틸디프로필렌트리아민; 3-[2-메톡시에톡시] 프로필아민; 디메틸아미노프로필아민; 1,4-비스(3-아미노 프로필)피페라진; 라이신; 이소포론 디아민; 헥사메틸렌디아민; N-시클로헥실-1,3-프로판 디아민; N-(3-아미노프로필)-1,3-프로판디아민; 테트라에틸렌펜타아민; N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부탄디아민; 프로필아민; 2-(2-아미노에톡시)에탄올; 1,3-디아미노-2-프로판올; 티오믹아민; 2-아미노-1-부탄올; 폴리[비스(2-클로로에테르)-알트-1,3-비스(3-디메틸아미노)프로필]; 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것인 방법.
제36항에 있어서, 상기 제2층이 산화물층을 덮고 있는 접착층이며, 상기 1종 이상의 중단 화합물은 접착층 및 산화물층의 연마를 억제하는 것인 방법.
제23항에 있어서, 상기 연마 패드가 그 위에 또는 그 내부에 매립된 연마제를 포함하는 것인 방법.
KR1020027001012A 1999-08-13 2000-07-26 화학 기계적 연마 시스템 및 그의 사용 방법 KR20020026954A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14887899P 1999-08-13 1999-08-13
US60/148,878 1999-08-13
PCT/US2000/020368 WO2001012739A1 (en) 1999-08-13 2000-07-26 Chemical mechanical polishing systems and methods for their use

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020026954A true KR20020026954A (ko) 2002-04-12

Family

ID=22527822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027001012A KR20020026954A (ko) 1999-08-13 2000-07-26 화학 기계적 연마 시스템 및 그의 사용 방법

Country Status (13)

Country Link
US (2) US6840971B2 (ko)
EP (1) EP1218464B1 (ko)
JP (2) JP2003507894A (ko)
KR (1) KR20020026954A (ko)
CN (1) CN1209430C (ko)
AT (1) ATE405618T1 (ko)
AU (1) AU6379500A (ko)
CA (1) CA2378771A1 (ko)
DE (1) DE60039996D1 (ko)
HK (1) HK1046424A1 (ko)
IL (1) IL147235A0 (ko)
TW (1) TW483805B (ko)
WO (1) WO2001012739A1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060059216A (ko) * 2004-11-26 2006-06-01 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 금속 연마 조성물 및 이를 사용한 연마방법
KR100738842B1 (ko) * 2000-05-30 2007-07-12 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마 조성물 및 그를 이용한 연마 방법
KR100891612B1 (ko) * 2002-12-20 2009-04-08 주식회사 동진쎄미켐 구리 배선 공정에 대한 연마 효율 및 선택비가 우수한화학-기계적 연마 슬러리 조성물
KR101032504B1 (ko) * 2006-06-30 2011-05-04 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리
KR101053712B1 (ko) * 2008-12-23 2011-08-02 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머티어리얼즈 엘엘씨 텅스텐-함유 기판의 화학 기계적 평탄화를 위한 콤비네이션, 방법 및 조성물
KR101117439B1 (ko) * 2003-06-30 2012-02-29 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 귀금속의 화학적-기계적 연마(ｃｍｐ)
KR101366879B1 (ko) * 2003-01-03 2014-02-24 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속의 화학적, 기계적 평탄화용 조성물 및 방법
KR20180039709A (ko) * 2015-08-12 2018-04-18 바스프 에스이 코발트 함유 기판의 연마를 위한 화학 기계 연마 (cmp) 조성물의 용도
KR20180122326A (ko) * 2016-03-04 2018-11-12 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 반도체 기판을 화학 기계적 연마하는 방법

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4053165B2 (ja) * 1998-12-01 2008-02-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6435944B1 (en) 1999-10-27 2002-08-20 Applied Materials, Inc. CMP slurry for planarizing metals
US6451697B1 (en) 2000-04-06 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Method for abrasive-free metal CMP in passivation domain
US6872329B2 (en) 2000-07-28 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US6524167B1 (en) 2000-10-27 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization
JP3768402B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
US6740589B2 (en) 2000-11-30 2004-05-25 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composition for polishing semiconductor wafer, semiconductor circuit wafer, and method for producing the same
US20030003747A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Jae Hong Kim Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same
JP2003041385A (ja) * 2001-07-27 2003-02-13 Ajinomoto Co Inc 金属表面保護膜形成剤及びその使用
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
US6730592B2 (en) * 2001-12-21 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of metal-containing surfaces using halogens and halide salts
US7121926B2 (en) * 2001-12-21 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using a fixed abrasive article
US20030119316A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using oxidizing agents
US7049237B2 (en) * 2001-12-21 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of Group VIII metal-containing surfaces using oxidizing gases
US6884723B2 (en) * 2001-12-21 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents
KR100451986B1 (ko) * 2001-12-31 2004-10-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 저장전극 콘택 플러그 형성방법
US7004819B2 (en) * 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
TW200401358A (en) * 2002-06-07 2004-01-16 Showa Denko Kk Metal polish composition, polishing method using the composition and method for producing wafer using the polishing method
JP2004071674A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2004071673A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Nec Electronics Corp 銅系金属研磨スラリー
US7241725B2 (en) * 2003-09-25 2007-07-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Barrier polishing fluid
JP2005116987A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fujimi Inc 研磨用組成物
TW200526768A (en) * 2003-09-30 2005-08-16 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method
US7022255B2 (en) 2003-10-10 2006-04-04 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use
US20050090106A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-28 Jinru Bian Method of second step polishing in copper CMP with a polishing fluid containing no oxidizing agent
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
US7087564B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-08 Air Liquide America, L.P. Acidic chemistry for post-CMP cleaning
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005268666A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4316406B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4644434B2 (ja) * 2004-03-24 2011-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2006086462A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法
JP2006135072A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Fujimi Inc 研磨方法
US20060278614A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for defect improvement by reduced particle stiction on copper surface
US7998335B2 (en) * 2005-06-13 2011-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Controlled electrochemical polishing method
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI397577B (zh) * 2005-09-02 2013-06-01 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2007095713A (ja) * 2005-09-26 2007-04-12 Fujifilm Corp バリア層用研磨液
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates
JP2007266075A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Fujifilm Corp 金属用研磨液
US7585340B2 (en) * 2006-04-27 2009-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing polyether amine
SG136886A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-29 Asahi Glass Co Ltd Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk
SG139699A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-29 Fujimi Inc Polishing composition and polishing process
JP2008277723A (ja) 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
US7976723B2 (en) * 2007-05-17 2011-07-12 International Business Machines Corporation Method for kinetically controlled etching of copper
US20090032006A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Chul Woo Nam Wire saw process
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2009164188A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
US9202709B2 (en) 2008-03-19 2015-12-01 Fujifilm Corporation Polishing liquid for metal and polishing method using the same
KR101084676B1 (ko) * 2008-12-03 2011-11-22 주식회사 엘지화학 1차 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법
CN102101982A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
JP5587620B2 (ja) * 2010-01-25 2014-09-10 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
KR101836548B1 (ko) * 2010-09-16 2018-03-08 스펙맷, 인코포레이티드 고 효율 저 비용의 결정질 실리콘 태양 전지를 위한 방법, 공정 및 제조 기술
CN102304327A (zh) * 2011-07-05 2012-01-04 复旦大学 一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液
TWI572711B (zh) * 2012-10-16 2017-03-01 盟智科技股份有限公司 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法
CN103831706B (zh) * 2012-11-27 2018-02-09 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光工艺
CN103894918A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光方法
CN103898512B (zh) * 2012-12-28 2018-10-26 安集微电子（上海）有限公司 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺
US20140273458A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical Mechanical Planarization for Tungsten-Containing Substrates
CN104131298A (zh) * 2014-07-01 2014-11-05 蚌埠天光传感器有限公司 一种用于不锈钢材料的抛光液及其制备方法
JP6817186B6 (ja) * 2014-07-15 2021-02-10 ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ 化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物
US9528030B1 (en) * 2015-10-21 2016-12-27 Cabot Microelectronics Corporation Cobalt inhibitor combination for improved dishing
US10600655B2 (en) 2017-08-10 2020-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
EP3714012B1 (en) 2017-11-22 2023-01-11 Basf Se Chemical mechanical polishing composition
JP7396868B2 (ja) * 2018-11-15 2023-12-12 花王株式会社 研磨液組成物
US10676647B1 (en) 2018-12-31 2020-06-09 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
TWI761921B (zh) * 2019-10-30 2022-04-21 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 研磨墊、製造該研磨墊之方法及使用該研磨墊以製造半導體裝置之方法
CN112920716A (zh) * 2021-01-26 2021-06-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4930330A (ko) * 1973-03-23 1974-03-18
US5532191A (en) * 1993-03-26 1996-07-02 Kawasaki Steel Corporation Method of chemical mechanical polishing planarization of an insulating film using an etching stop
US5575885A (en) * 1993-12-14 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device
US6309560B1 (en) * 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
JP3371775B2 (ja) * 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
WO1999053532A1 (en) * 1998-04-10 1999-10-21 Ferro Corporation Slurry for chemical-mechanical polishing metal surfaces
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
CN1126152C (zh) * 1998-08-31 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体制程用的化学机械研磨组合物
JP4053165B2 (ja) * 1998-12-01 2008-02-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6136714A (en) * 1998-12-17 2000-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Methods for enhancing the metal removal rate during the chemical-mechanical polishing process of a semiconductor

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738842B1 (ko) * 2000-05-30 2007-07-12 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마 조성물 및 그를 이용한 연마 방법
KR100891612B1 (ko) * 2002-12-20 2009-04-08 주식회사 동진쎄미켐 구리 배선 공정에 대한 연마 효율 및 선택비가 우수한화학-기계적 연마 슬러리 조성물
KR101366879B1 (ko) * 2003-01-03 2014-02-24 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속의 화학적, 기계적 평탄화용 조성물 및 방법
KR101117439B1 (ko) * 2003-06-30 2012-02-29 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 귀금속의 화학적-기계적 연마(ｃｍｐ)
KR20060059216A (ko) * 2004-11-26 2006-06-01 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 금속 연마 조성물 및 이를 사용한 연마방법
KR101032504B1 (ko) * 2006-06-30 2011-05-04 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리
KR101053712B1 (ko) * 2008-12-23 2011-08-02 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머티어리얼즈 엘엘씨 텅스텐-함유 기판의 화학 기계적 평탄화를 위한 콤비네이션, 방법 및 조성물
KR20180039709A (ko) * 2015-08-12 2018-04-18 바스프 에스이 코발트 함유 기판의 연마를 위한 화학 기계 연마 (cmp) 조성물의 용도
KR20180122326A (ko) * 2016-03-04 2018-11-12 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 반도체 기판을 화학 기계적 연마하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW483805B (en) 2002-04-21
EP1218464B1 (en) 2008-08-20
EP1218464A1 (en) 2002-07-03
JP2003507894A (ja) 2003-02-25
JP2006287244A (ja) 2006-10-19
DE60039996D1 (de) 2008-10-02
US6840971B2 (en) 2005-01-11
ATE405618T1 (de) 2008-09-15
CA2378771A1 (en) 2001-02-22
JP5073961B2 (ja) 2012-11-14
US20030166337A1 (en) 2003-09-04
CN1209430C (zh) 2005-07-06
HK1046424A1 (zh) 2003-01-10
AU6379500A (en) 2001-03-13
WO2001012739A1 (en) 2001-02-22
IL147235A0 (en) 2002-08-14
CN1370208A (zh) 2002-09-18
US20050148187A1 (en) 2005-07-07
US7354530B2 (en) 2008-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7354530B2 (en) Chemical mechanical polishing systems and methods for their use
JP4851174B2 (ja) 研磨系
KR101192742B1 (ko) 텅스텐 함유 기판의 화학 기계적 평탄화 방법
EP1098948B1 (en) Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
TWI452099B (zh) 含金屬基材的化學機械平坦化的方法及組合物
US20040077295A1 (en) Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
EP1090083A1 (en) Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US8841216B2 (en) Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal
US8697577B2 (en) Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal or a metal alloy

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid