CN102101982A - 一种化学机械抛光液 - Google Patents

一种化学机械抛光液 Download PDF

Info

Publication number
CN102101982A
CN102101982A CN 200910201386 CN200910201386A CN102101982A CN 102101982 A CN102101982 A CN 102101982A CN 200910201386 CN200910201386 CN 200910201386 CN 200910201386 A CN200910201386 A CN 200910201386A CN 102101982 A CN102101982 A CN 102101982A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
fluid according
polishing fluid
amino
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 200910201386
Other languages
English (en)
Inventor
荆建芬
蔡鑫元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN 200910201386 priority Critical patent/CN102101982A/zh
Priority to PCT/CN2010/002065 priority patent/WO2011072494A1/zh
Publication of CN102101982A publication Critical patent/CN102101982A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒，腐蚀抑制剂，氧化剂，水和至少两种络合剂。本发明的化学机械抛光液可在使用抛光垫清洗液后也能保持较高的铜去除速率。

Description

一种化学机械抛光液
技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光液。
背景技术
随着微电子技术的发展，甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元器件，特征尺寸已经进入纳米级，这就要求微电子工艺中的几百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械平坦化。甚大规模集成布线正由传统的Al向Cu转化。与Al相比，Cu布线具有电阻率低，抗电迁移能率高，RC延迟时间短，Cu布线的优势已使其替代Al成为半导体制作中的互联金属。
但是目前还没有对铜材进行有效地等离子蚀刻或湿法蚀刻，以使铜互连在集成电路中充分形成的公知技术，因此铜的化学机械抛光方法被认为是最有效的工艺方法。铜的化学机械抛光方法的工作原理一般是先用快且高效的去除速率除去衬底表面上大量的铜，当快要接近阻挡层时即软着陆，降低去除速率抛光剩余的金属铜并停在阻挡层。目前，出现了一系列的适合于抛光Cu的化学机械抛光浆料，如：专利号为US 6,616,717公开了一种用于金属CMP的组合物和方法；专利号为US 5,527,423公开了一种用于金属层的化学机械抛光浆料；专利号为US 6,821,897公开了一种使用聚合体络合剂的铜CMP的方法；专利号为CN 02114147.9公开了一种铜化学-机械抛光工艺用抛光液；专利号为CN 01818940.7公开了铜的化学机械抛光所用的浆料；专利号为CN 98120987.4公开了一种用于铜的CMP浆液制造以及用于集成电路的制造方法。但是使用铜的抛光过程中由于铜的去除较多，常常会残留在抛光垫上，影响抛光性能，因此需要在抛光后使用酸性的抛光垫清洗液来去除铜的残留。但抛光浆料，特别是pH值较高的抛光浆料往往与抛光垫清洗液不相容，导致使用清洗液后铜的去除速率降低。因此有必要开发出新的用于铜的化学机械抛光浆料。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是用于抛光铜的化学机械抛光液与抛光垫清洗液不相容，导致铜的去除速率降低，从而提供一种在使用抛光垫清洗液后也能保持较高的铜去除速率的化学机械抛光液。
本发明的化学机械抛光液，含有研磨颗粒，腐蚀抑制剂，氧化剂，水和至少两种络合剂。
本发明中，所述的两种络合剂为含氨基的化合物及其盐和有机酸及其盐。所述的盐选自钾盐、钠盐和/或铵盐中的一种或多种。
本发明中，所述的含氨基的化合物为氨基酸和/或多胺。
本发明中，所述的氨基酸选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、蛋氨酸、苏氨酸、酪氨酸、色氨酸、赖氨酸、精氨酸、组氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺和/或谷氨酰胺中的一种或多种。
本发明中，所述的多胺选自乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺和/或多乙烯多胺中的一种或多种。
本发明中，所述的有机酸为有机羧酸和/或有机膦酸。
本发明中，所述的有机羧酸选自醋酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸、马来酸、没食子酸和/或磺基水杨酸中的一种或多种。
本发明中，所述的有机膦酸选自2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酸基乙酸和/或多氨基多醚基甲叉膦酸中的一种或多种。
本发明中，所述的含氨基的化合物及其盐的质量百分含量为0.01～10％。
本发明中，所述的有机酸及其盐的质量百分含量为0.01～3％。
本发明中，所述的氧化剂选自过氧化氢、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸盐、高碘酸、高氯酸、高硼酸、高锰酸钾和/或硝酸铁中的一种或多种。所述的氧化剂的质量百分含量为0.01～10％。
本发明中，所述的研磨颗粒选自二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛和/或高分子研磨颗粒中的一种或多种。所述的研磨颗粒的质量百分含量为0.1～5％。所述的研磨颗粒的粒径为20～150nm。
本发明中，所述的腐蚀抑制剂选自氮唑、咪唑、噻唑、吡啶和/或嘧啶类化合物中的一种或多种。
本发明中，所述的氮唑类化合物选自苯并三氮唑、5-甲基-1，2，3-苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑、1，2，4-三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和/或1-苯基-5-巯基-四氮唑中的一种或多种。
本发明中，所述的咪唑类化合物为苯并咪唑和/或2-巯基苯并咪唑。
本发明中，所述的噻唑类化合物选自2-巯基-苯并噻唑、2-巯基噻二唑和/或5-氨基-2-巯基-1，3，4-噻二唑中的一种或多种。
本发明中，所述的吡啶选自2，3-二氨基吡啶、2-氨基吡啶和/或2-吡啶甲酸中的一种或多种。
本发明中，所述的嘧啶为2-氨基嘧啶。
本发明中，所述的腐蚀抑制的质量百分含量为0.001～5％。
发明的抛光液，pH为4～11，较佳地为5～8。
本发明的抛光液中，还可以含有本领域其他常规添加剂，如pH调节剂、粘度调节剂、消泡剂和/或杀菌剂中的一种或多种。
本发明的抛光液可根据需要浓缩制备，使用前用去离子水稀释并加入氧化剂混合均匀。本发明所用试剂及原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：可在使用抛光垫清洗液后仍保持较高的抛光速率。
具体实施方式
制备实施例1
下面用实施例来进一步说明本发明，但本发明并不受其限制。
表1给出了本发明的化学机械抛光液的实施例1～24，按表中所给配方，将除氧化剂以外的其他组分混合均匀，用水补足质量百分比至100％。用KOH或HNO3调节到所需要的pH值。使用前加氧化剂，混合均匀即可。
表1本发明的化学机械抛光液实施例1～24
Figure G2009102013861D00041
Figure G2009102013861D00051
Figure G2009102013861D00061
制备实施例2
表2给出了对比抛光液1～2和本发明的抛光液25～28的制备实施例，按表2中所给配方，用水补足质量百分比至100％，将除氧化剂以外的其他组分混合均匀，用KOH或HNO3调节到所需要的pH值。使用前加氧化剂，混合均匀即可。
表2本发明的化学机械抛光液实施例25～28以及对比例1～2
Figure G2009102013861D00062
效果实施例
采用对比例1～2的抛光液和本发明实施例25～28的抛光液对空片铜(Cu)晶片进行抛光，去除速率见表3。
抛光材料：空片铜晶片；抛光条件：下压力3Psi，抛光盘及抛光头转速70/80rpm，抛光垫PPG MX710，抛光液流速100ml/min，抛光机台为LogitechPM5Polisher。；
抛光垫清洗：25毫升抛光垫清洗液(1％柠檬酸)清洗后，再用1升去离子水清洗抛光垫。
表3对比例1～2和实施例25～28抛光液对金属铜的去除速率
Figure G2009102013861D00072
由表3可见，与未添加第二络合剂的对比例1～2相比，在使用抛光垫清洗液后，铜的去除速率大幅度降低。而本发明的实施例25～28的抛光液中添加了不同浓度的第二络合剂后，铜的去除速率基本不变，而且在使用抛光垫清洗液后也能保持铜的去除速率不变。

Claims (25)

1.一种化学机械抛光液，含有研磨颗粒，腐蚀抑制剂，氧化剂，水和至少两种络合剂。
2.根据权利要求1所述的抛光液，所述的两种络合剂为含氨基的化合物及其盐和有机酸及其盐。
3.根据权利要求2所述的抛光液，所述的含氨基的化合物为氨基酸和/或多胺。
4.根据权利要求3所述的抛光液，所述的氨基酸选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、蛋氨酸、苏氨酸、酪氨酸、色氨酸、赖氨酸、精氨酸、组氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺和/或谷氨酰胺中的一种或多种。
5.根据权利要求3所述的抛光液，所述的多胺选自乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺和/或多乙烯多胺中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述的抛光液，所述的有机酸为有机羧酸和/或有机膦酸。
7.根据权利要求6所述的抛光液，所述的有机羧酸选自醋酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸、马来酸、没食子酸和/或磺基水杨酸中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的抛光液，所述的有机膦酸选自2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酸基乙酸和/或多氨基多醚基甲叉膦酸中 的一种或多种。
9.根据权利要求2所述的抛光液，所述的盐选自钾盐、钠盐和/或铵盐中的一种或多种。
10.根据权利要求2所述的抛光液，所述的含氨基的化合物及其盐的质量百分含量为0.01～10％。
11.根据权利要求2所述的抛光液，所述的有机酸及其盐的质量百分含量为0.01～3％。
12.根据权利要求1所述的抛光液，所述的氧化剂选自过氧化氢、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸盐、高碘酸、高氯酸、高硼酸、高锰酸钾和/或硝酸铁中的一种或多种。
13.根据权利要求1所述的抛光液，所述的氧化剂的质量百分含量为0.01～10％。
14.根据权利要求1所述的抛光液，所述的研磨颗粒选自二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛和/或高分子研磨颗粒中的一种或多种。
15.根据权利要求1所述的抛光液，所述的研磨颗粒的质量百分含量为0.1～5％。
16.根据权利要求1所述的抛光液，所述的研磨颗粒的粒径为20～150nm。
17.根据权利要求1所述的抛光液，所述的腐蚀抑制剂选自氮唑、咪唑、噻唑、吡啶和/或嘧啶类化合物中的一种或多种。
18.根据权利要求17所述的抛光液，所述的氮唑类化合物选自苯并三氮唑、5-甲基-1，2，3-苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑、 1，2，4-三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和/或1-苯基-5-巯基-四氮唑中的一种或多种。
19.根据权利要求17所述的抛光液，所述的咪唑类化合物为苯并咪唑和/或2-巯基苯并咪唑。
20.根据权利要求17所述的抛光液，所述的噻唑类化合物选自2-巯基-苯并噻唑、2-巯基噻二唑和/或5-氨基-2-巯基-1，3，4-噻二唑中的一种或多种。
21.根据权利要求17所述的抛光液，所述的吡啶选自2，3-二氨基吡啶、2-氨基吡啶和/或2-吡啶甲酸中的一种或多种。
22.根据权利要求17所述的抛光液，所述的嘧啶为2-氨基嘧啶。
23.根据权利要求1所述的抛光液，所述的腐蚀抑制的质量百分含量为0.001～5％。
24.根据权利要求1所述的抛光液，pH为4～11。
25.根据权利要求1所述的抛光液，含有pH调节剂、粘度调节剂、消泡剂和/或杀菌剂中的一种或多种。 
CN 200910201386 2009-12-18 2009-12-18 一种化学机械抛光液 Pending CN102101982A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910201386 CN102101982A (zh) 2009-12-18 2009-12-18 一种化学机械抛光液
PCT/CN2010/002065 WO2011072494A1 (zh) 2009-12-18 2010-12-17 一种化学机械抛光液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910201386 CN102101982A (zh) 2009-12-18 2009-12-18 一种化学机械抛光液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102101982A true CN102101982A (zh) 2011-06-22

Family

ID=44155058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910201386 Pending CN102101982A (zh) 2009-12-18 2009-12-18 一种化学机械抛光液

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102101982A (zh)
WO (1) WO2011072494A1 (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013003991A1 (zh) * 2011-07-05 2013-01-10 复旦大学 一种基于金属co的抛光工艺的抛光液及其应用
CN103773244A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 安集微电子（上海）有限公司 一种碱性化学机械抛光液
CN103865402A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN103897602A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN104293206A (zh) * 2014-09-23 2015-01-21 清华大学 用于加工超光滑轴承钢表面的抛光液及其应用
CN104342705A (zh) * 2014-10-23 2015-02-11 深圳市科玺化工有限公司 一种化学抛光剂及其应用
CN104388956A (zh) * 2014-10-14 2015-03-04 东莞市四辉表面处理科技有限公司 一种平面研磨清洗剂
CN104745091A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及使用方法
CN104745094A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN105502700A (zh) * 2015-12-31 2016-04-20 上海丰信环保科技有限公司 一种可高效杀菌、阻二氧化硅、有机物反渗透阻垢剂
CN105729065A (zh) * 2016-03-16 2016-07-06 芜湖东光大华机械制造有限公司 一种飞轮生产表面处理工艺
CN104342705B (zh) * 2014-10-23 2017-01-04 深圳市科玺化工有限公司 一种化学抛光剂及其应用
CN106661382A (zh) * 2014-07-15 2017-05-10 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物
CN103897601B (zh) * 2012-12-24 2017-12-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN108251844A (zh) * 2018-03-29 2018-07-06 山西银光华盛镁业股份有限公司 一种镁合金压铸件光亮处理液
CN109153907A (zh) * 2015-11-26 2019-01-04 三星Sdi株式会社 Cmp研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法
CN109971359A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971356A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN111378377A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN113748179A (zh) * 2020-03-31 2021-12-03 富士胶片电子材料美国有限公司 抛光组合物及其使用方法
CN115505932A (zh) * 2022-09-07 2022-12-23 万华化学集团电子材料有限公司 一种钨化学机械抛光液及其应用
CN115821268A (zh) * 2021-12-29 2023-03-21 浙江瑞特良微电子材料有限公司 一种铝合金化抛添加剂及其化抛方法
CN115945450A (zh) * 2023-01-06 2023-04-11 胡文花 一种发动机气缸盖表面处理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1125861C (zh) * 1999-07-16 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
WO2001012739A1 (en) * 1999-08-13 2001-02-22 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing systems and methods for their use
JP2002231666A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
SG144688A1 (en) * 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101439797B1 (ko) * 2011-07-05 2014-09-11 푸단 유니버시티 코발트(Ｃｏ)의 화학적 기계적 연마용 슬러리
EP2592122A1 (en) * 2011-07-05 2013-05-15 Fudan University Polishing liquid for polishing process based on metal co and use thereof
EP2592122A4 (en) * 2011-07-05 2014-01-22 Univ Fudan CLEANING LIQUID FOR METAL-CO-BASED CLEANING PROCESSES AND USE THEREOF
WO2013003991A1 (zh) * 2011-07-05 2013-01-10 复旦大学 一种基于金属co的抛光工艺的抛光液及其应用
CN103773244A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 安集微电子（上海）有限公司 一种碱性化学机械抛光液
CN103773244B (zh) * 2012-10-17 2017-08-11 安集微电子（上海）有限公司 一种碱性化学机械抛光液
CN103865402A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN103897602A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN103897601B (zh) * 2012-12-24 2017-12-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN103897602B (zh) * 2012-12-24 2017-10-13 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN104745091A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及使用方法
CN104745094A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN104745094B (zh) * 2013-12-26 2018-09-14 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN106661382B (zh) * 2014-07-15 2020-03-24 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物
CN106661382A (zh) * 2014-07-15 2017-05-10 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物
CN104293206A (zh) * 2014-09-23 2015-01-21 清华大学 用于加工超光滑轴承钢表面的抛光液及其应用
CN104293206B (zh) * 2014-09-23 2016-04-20 清华大学 用于加工超光滑轴承钢表面的抛光液及其应用
CN104388956A (zh) * 2014-10-14 2015-03-04 东莞市四辉表面处理科技有限公司 一种平面研磨清洗剂
CN104342705A (zh) * 2014-10-23 2015-02-11 深圳市科玺化工有限公司 一种化学抛光剂及其应用
CN104342705B (zh) * 2014-10-23 2017-01-04 深圳市科玺化工有限公司 一种化学抛光剂及其应用
CN109153907B (zh) * 2015-11-26 2021-10-15 三星Sdi株式会社 Cmp研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法
CN109153907A (zh) * 2015-11-26 2019-01-04 三星Sdi株式会社 Cmp研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法
CN105502700A (zh) * 2015-12-31 2016-04-20 上海丰信环保科技有限公司 一种可高效杀菌、阻二氧化硅、有机物反渗透阻垢剂
CN105729065A (zh) * 2016-03-16 2016-07-06 芜湖东光大华机械制造有限公司 一种飞轮生产表面处理工艺
CN109971359A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971356A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971359B (zh) * 2017-12-27 2021-12-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN108251844A (zh) * 2018-03-29 2018-07-06 山西银光华盛镁业股份有限公司 一种镁合金压铸件光亮处理液
CN111378377A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN113748179A (zh) * 2020-03-31 2021-12-03 富士胶片电子材料美国有限公司 抛光组合物及其使用方法
EP4127088A4 (en) * 2020-03-31 2023-11-08 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS OF USE
CN115821268A (zh) * 2021-12-29 2023-03-21 浙江瑞特良微电子材料有限公司 一种铝合金化抛添加剂及其化抛方法
CN115505932A (zh) * 2022-09-07 2022-12-23 万华化学集团电子材料有限公司 一种钨化学机械抛光液及其应用
CN115505932B (zh) * 2022-09-07 2024-02-27 万华化学集团电子材料有限公司 一种钨化学机械抛光液及其应用
CN115945450A (zh) * 2023-01-06 2023-04-11 胡文花 一种发动机气缸盖表面处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011072494A1 (zh) 2011-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102101982A (zh) 一种化学机械抛光液
CN101747843A (zh) 一种化学机械抛光液
CN101747844B (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
JP4510374B2 (ja) 金属ｃｍｐのための研磨組成物
CN103160207A (zh) 一种金属化学机械抛光浆料及其应用
CN101463225A (zh) 一种阻挡层化学机械抛光液
CN102477262B (zh) 一种化学机械抛光浆料
CN102533118B (zh) 一种化学机械抛光浆料
CN102093818A (zh) 一种化学机械抛光浆料及其应用
KR20080016934A (ko) 단일 플래튼 처리를 위한 방법 및 일체형 화학적 기계적연마 조성물
CN103898510A (zh) 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺
KR101565361B1 (ko) 연마액 및 연마방법
CN101665664B (zh) 季铵盐型阳离子表面活性剂和一种化学机械抛光液的应用
CN103866326A (zh) 一种金属化学机械抛光浆料及其应用
KR20080088397A (ko) 금속용 연마액 및 연마 방법
CN103898512A (zh) 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺
TWI787329B (zh) 用於鈷的化學機械拋光方法
CN101457122B (zh) 一种用于铜制程的化学机械抛光液
CN105803461A (zh) 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺
CN103897600A (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
CN103897602B (zh) 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN103450810B (zh) 一种化学机械平坦化浆料及其应用
CN105273636A (zh) 一种化学机械抛光液
CN104745088B (zh) 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法
CN104263248A (zh) 一种适用于低下压力的弱酸性铜抛光液

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110622