KR20020023484A - 메모리카드용 반도체패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메모리카드용 반도체 패키지와 그 제조방법을 개시한다.

본 발명의 반도체패키지는 식각법을 사용하여 각각이 회로단자가 되도록 복수 개로 분리된 금속판으로 이루어진 회로기판을 제조하는 단계와, 회로기판의 금속판을 고정하기 위하여 제 1접착테이프를 부착하는 단계와, 제 1접착테이프의 윗면에 댐링역할을 하는 제 2접착테이프를 부착하는 단계와, 회로기판상에 메모리 칩을 부착하고, 와이어를 사용하여 회로기판의 금속판과 메모리칩을 와이어본딩하는 단계, 그리고 메모리 칩과 와이어의 본딩부를 보호하기 위해 몰딩컴파운드로 몰딩하는 단계를 통하여 제조된다.

Description

메모리카드용 반도체패키지 및 그 제조방법{Semiconductor package for memory card and method for manufacturing the same}

본 발명은 반도체패키지에 관한 것으로서, 상세하게는 메모리카드에 장착되는 반도체패키지의 회로기판과 몰딩부의 구조와 이에 따른 방법이 개선된 메모리카드용 반도체패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

도 1은 통상적인 메모리카드를 도시한 것이고, 도 2는 종래의 기술에 따른 도 1의 카드에 장착되는 반도체패키지를 도시한 것이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 메모리카드(100)는 플라스틱 카드 본체부(110)와 상기 본체부(110)에 형성된 캐비티(130)에 장착되는 반도체패키지(120)를 포함한다.

종래의 반도체패키지(120)는 합성수지로 된 적층판(21)의 상하면에 구리회로단자(22)가 형성된 회로기판(20)과, 상기 회로기판(20)에 형성된 캐비티(23)에 부착된 메모리칩(25)과, 상기 메모리칩(25)과 구리회로단자(22)를 와이어본딩하는 와이어(27)와, 와이어본딩부를 보호하기 위해 몰딩되는 몰딩컴파운드(28)와, 상기 몰딩컴파운드(28)의 흐름을 막고 상기 기판(20)을 보강하기 위해 구리회로단자(22)의 윗면에 형성되는 댐링(26)을 포함한다.

이 때, 상기 캐비티(23)는 패키지의 전체높이를 낮추기 위해 필요한 것으로 메모리칩(25)이 캐비티(23) 상부에 부착될 수 있도록 기판(20)에 음각형상이 되도록 가공을 하여 형성된다.

상기 댐링(26)은 강성한 소재가 사용되어 상기 기판(20)의 윗면에 부착됨으로써 형성되거나, 상기 구리회로단자(22)의 윗면에 액상 절연물질을 도포시켜 형성된다.

그런데, 종래의 반도체패키지(120)는 다음과 같은 문제점이 있다.

합성수지로 된 적층판(21)을 사용한 회로기판(20)은 열 또는 압력에 의한 변형에 취약하다. 그리고, 반도체패키지(120)의 제조에 있어서, 음각형상의 캐비티(23)를 형성하기 위해서 회로기판(20)을 가공해야하고, 회로기판(20)의 상하면에 형성된 회로단자를 서로 연결하기 위해 회로기판(20)상에 스루홀을 가공하여야 한다. 또한 댐링(26)을 강성한 소재로서 상기 회로기판(20)의 윗면에 부착함으로써 형성하거나, 구리회로단자(22)의 윗면에 액상 절연물질을 도포시켜 형성함으로써 그 제조과정이 복잡하다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 회로기판의 강성을 높이고, 반도체패키지의 제조과정을 단순화할 수 있는 구조와 방법이 개선된 메모리카드용 반도체패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 통상적인 메모리카드를 도시한 분리사시도,

도 2는 종래의 기술에 따른 반도체패키지의 단면도,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체패키지의 단면도,

도 4a 내지 도 4l은 도 3의 반도체패키지가 순차적으로 제조된 이후의 상태를 나타낸 것으로서,

도 4a는 회로기판에 사용되는 금속판을 나타낸 단면도,

도 4b는 도 4a의 금속판에 포토레지스트가 코팅된 것을 나타낸 단면도,

도 4c는 도 4b의 금속판이 노광된 것을 나타낸 단면도,

도 4d는 도 4c의 금속판이 현상된 것을 나타낸 단면도,

도 4e는 도 4d의 금속판이 에칭된 것을 나타낸 단면도,

도 4f는 도 4e의 금속판이 박리된 것을 나타낸 단면도,

도 4g는 도 4f의 금속판이 도금된 것을 나타낸 단면도,

도 4h는 도 4g의 회로기판의 윗면에 제 1접착테이프가 부착된 것을 나타낸 단면도,

도 4i는 도 4h의 제 1접착테이프의 윗면에 제 2접착테이프가 부착된 것을 나타낸 단면도,

도 4j는 도 4i의 회로기판의 상부에 메모리칩이 부착된 것을 나타낸 단면도,

도 4k는 도 4j의 회로기판의 금속판과 메모리칩이 와이어본딩된 것을 나타낸 단면도,

도 4l은 도 4k의 몰딩부가 몰딩된 것을 나타낸 단면도이다.

< 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 >

21..적층판 22..구리회로단자

23..캐비티 25..메모리칩

26..댐링 27..와이어

28..몰딩컴파운드 31..금속판

32..도금층 33..제 1접착테이프

35..제 2접착테이프

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 메모리카드용 반도체패키지는, 상호 접촉되지 않게 분리되어 회로단자를 형성하는 복수개의 금속판으로 이루어진 회로기판과, 상기 회로기판의 금속판을 고정하기 위하여 적어도 한겹이상 부착된 제 1접착테이프와, 상기 회로기판의 상부에 부착된 메모리칩과, 상기 회로기판의 금속판과 상기 메모리칩을 와이어본딩하는 와이어와, 댐링역할을 하도록 상기 제 1접착테이프의 윗면에 적어도 한겹이상 부착된 제 2접착테이프와, 상기 메모리칩과 상기 와이어가 본딩되는 부분에 몰딩되는 몰딩컴파운드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에서는, 금속판에 포토레지스트 코팅, 노광, 현상, 에칭, 및 박리한 후 도금을 실시하여 각각이 회로단자가 되도록 복수 개로 분리된 금속판으로 이루어진 회로기판을 제조하는 단계와, 상기 회로기판의 금속판을 고정하기 위하여 적어도 한겹이상의 제 1접착테이프를 부착하는 단계와, 상기 제 1접착테이프의 윗면에 댐링역할을 하는 제 2접착테이프를 부착하는 단계와, 상기 회로기판상에 메모리 칩을 부착하고, 와이어를 사용하여 상기 회로기판의 금속판과 상기 메모리칩을 와이어본딩하는 단계, 그리고 상기 메모리 칩과 상기 와이어의 본딩부를 보호하기 위해 몰딩컴파운드로 몰딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리카드용 반도체패키지의 제조방법을 제공한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 3에는 본 발명에 따른 반도체패키지(300)의 단면도가 도시되어 있다.

도면을 참조하면, 반도체패키지(300)는, 복수 개로 분리된 금속판(31)의 상하면에 도금층(32)이 형성되어 이루어진 회로기판(30)과, 상기 회로기판(30)의 금속판(31)을 고정시키기 위하여 상기 회로기판(30)의 윗면에 부착되는 제 1접착테이프(33)와, 상기 회로기판(30)상에 부착되는 메모리칩(25)과, 상기 회로기판(30)의 금속판(31)과 상기 메모리칩(25)을 와이어본딩하는 와이어(27)와, 댐링역할을 하는 제 2접착테이프(35)와, 상기 메모리칩(25)과 상기 와이어(27)를 보호하기 위한 몰딩컴파운드(28)를 가지는 구조로 되어있다.

여기서, 상기 금속판(31)은 각각이 회로단자를 형성하도록 식각법을 통하여 복수 개로 분리되어 있다. 그리고, 상기 금속판(31)은 전도성이 우수한 구리소재를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 도금층(32)은 상기 금속판(31)의 산화를 방지하고, 본딩성을 향상시키기 위하여 다중 도금층, 예컨대, 니켈 도금층과 팔라듐(Palladium) 도금층이 순차적으로 도금되어 있다.

상기 제 1접착테이프(33)는 복수 개로 분리되어 도금층(32)이 형성된 금속판(31)을 고정시키기 위하여 상기 회로기판(30)의 상부에 한겹내지 여러겹으로 부착되어 있다.

상기 제 2접착테이프(35)는 제 1접착테이프(33)의 윗면에 몰딩컴파운드(38)가 다른 부위로 흘러 넘치지 않을 정도의 높이를 가지도록 한겹 내지 여러겹으로 접착되어있다. 그리고, 그 높이는 100∼200㎛되는 것이 바람직하다.

도 4a 내지 도 4l은 본 발명에 따른 반도체패키지(300)의 제조과정을 순차적으로 나타낸 것이다.

이하 도면을 참조하여, 상기 반도체패키지(300)의 제조과정을 순차적으로 상세히 설명한다.

먼저, 도 3의 회로기판(30)의 베이스가 되는 금속판(31)을 준비한다(4a). 상기 준비된 금속판(31)의 윗면에 포토레지스트(41)를 전면 코팅시킨다(4b). 상기 포토레지스트(41)가 코팅된 금속판(31)은 소정간격으로 이격되게 그 상부에 패턴 마스크(42)를 정렬하고 그 정렬이 끝나면 상기 패턴 마스크(42) 상이 상기 포토레지스트(41) 상으로 옮겨지도록 자외선에 노광시킨다(4c). 상기 노광과정이 끝난 후 포토레지스트(41)가 코팅된 금속판(31)은 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요없는 부분을 구분하여 상이 형성되도록 현상을 한다(4d). 상기 현상된 금속판(31)을 에칭시킨다. 에칭이 완료되면, 상기 금속판(31)은 복수 개로 분리되어 각각이 회로단자가 된다(4e). 상기 에칭된 금속판(31)으로부터 잔류하는 포토레지스트(41)를 제거시킨다(4f). 상기 포토레지스트(41)가 제거된 금속판(31)에 니켈과 팔라듐으로순차적으로 도금한다(4g). 도금층(32)이 형성된 금속판(31)으로 된 상기 회로기판(30)의 윗면에는 상기 복수 개로 분리된 금속판(31)을 고정시키기 위하여 제 1접착테이프(33)를 접착한다(4h). 상기 제 1접착테이프(33)가 부착된 곳의 윗면에 몰딩시 몰딩컴파운드(28)의 흐름을 방지하는 댐링역할을 하도록 제 2접착테이프(35)를 부착한다(4i). 상기 회로기판(30)상에 메모리칩(25)을 부착한다(4j). 상기 메모리칩(25)은 와이어(27)를 이용하여 상기 회로기판(30)의 금속판(31)과 와이어본딩을 한다(4k). 상기 와이어본딩 후, 와이어본딩부를 보호하기 위하여 몰딩컴파운드(28)로 몰딩을 시킨다(4l).

상기 도 4a에서부터 도 4g에 나타낸 과정들은 식각법에 의한 금속 소재의 가공방법을 설명하고 있다. 상기 식각법 이외에 금형에 의해 금속판을 가공하여 회로기판을 제조하는 것도 가능하다.

상술한 제조과정을 통하여 반도체패키지(300)는 완성되고, 이 패키지(300)는 메모리카드에 장착된다.

이상의 설명과 같이 본 발명의 메모리카드용 반도체패키지와 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.

먼저, 합성수지로 된 적층판 대신 금속판이 회로기판에 사용됨으로써 열 또는 압력에 의한 변형이 감소될 수 있다.

또한, 반도체패키지의 제조과정에서, 몰딩부의 댐링을 접착테이프로서 형성함으로써 제조과정을 단순화시킬 수 있고, 상하면이 통전되는 금속판을 회로단자로사용함으로써 기판상에 별도로 스루홀을 가공할 필요가 없으며, 박판의 금속소재를 사용함으로써 반도체패키지의 전체높이를 낮출 수 있으므로 메모리칩이 개재되도록 회로기판상에 캐비티를 형성하지 않아도 된다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (2)

1. 상호 접촉되지 않게 분리되어 회로단자를 형성하는 복수 개의 금속판으로 이루어진 회로기판;

   상기 회로기판의 금속판을 고정하기 위하여 적어도 한겹이상 부착된 제 1접착테이프;

   상기 회로기판의 상부에 부착된 메모리칩;

   상기 회로기판의 금속판과 상기 메모리칩을 와이어본딩하는 와이어;

   댐링역할을 하도록 상기 제 1접착테이프의 윗면에 적어도 한겹이상 부착된 제 2접착테이프; 및

   상기 메모리칩과 상기 와이어가 본딩되는 부분에 몰딩되는 몰딩컴파운드;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리카드용 반도체패키지.
2. 금속판에 포토레지스트 코팅, 노광, 현상, 에칭, 및 박리한 후 도금을 실시하여 각각이 회로단자가 되도록 복수 개로 분리된 금속판으로 이루어진 회로기판을 제조하는 단계;

   상기 회로기판의 금속판을 고정하기 위하여 적어도 한겹이상의 제 1접착테이프를 부착하는 단계;

   상기 제 1접착테이프의 윗면에 댐링역할을 하는 제 2접착테이프를 부착하는 단계;

   상기 회로기판상에 메모리 칩을 부착하고, 와이어를 사용하여 상기 회로기판의 금속판과 상기 메모리칩을 와이어본딩하는 단계; 및

   상기 메모리 칩과 상기 와이어의 본딩부를 보호하기 위해 몰딩컴파운드로 몰딩하는 단계;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리카드용 반도체패키지의 제조방법.