JPH1056122A - 表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置、およびそれに用いられるリードフレーム部材 - Google Patents
表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置、およびそれに用いられるリードフレーム部材Info
- Publication number
- JPH1056122A JPH1056122A JP22465696A JP22465696A JPH1056122A JP H1056122 A JPH1056122 A JP H1056122A JP 22465696 A JP22465696 A JP 22465696A JP 22465696 A JP22465696 A JP 22465696A JP H1056122 A JPH1056122 A JP H1056122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- semiconductor element
- inner lead
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一層の多端子化、高密度配線に対応でき、高
放熱性のリードフレーム部材を用いたＢＧＡタイプの表
面実装型導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームを用いたＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、（Ａ）薄肉
のインナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定
する工程と、（Ｂ）リードフレームの、放熱板側全体を
保持基板に接着材を介して貼り付ける工程と、（Ｃ）イ
ンナーリードのリードフレーム素材面側のダイパッド面
上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子（パッ
ド）とインナーリード先端とをボンディングワイヤにて
電気的に接続する工程と、（Ｄ）リードフレームの外枠
部より内側の領域全体を、半導体素子側から、半導体素
子全体とリードフレームとを封止用樹脂と保持基板にて
密封するように、封止用樹脂にて封止する工程と、
（Ｅ）封止用樹脂による封止後、保持基板を剥離する工
程と、（Ｆ）リードフレームの外枠部を除去する工程
と、（Ｇ）露出した外部端子の面上に半田ボールからな
る外部電極を設ける工程とを有する。
放熱性のリードフレーム部材を用いたＢＧＡタイプの表
面実装型導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームを用いたＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、（Ａ）薄肉
のインナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定
する工程と、（Ｂ）リードフレームの、放熱板側全体を
保持基板に接着材を介して貼り付ける工程と、（Ｃ）イ
ンナーリードのリードフレーム素材面側のダイパッド面
上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子（パッ
ド）とインナーリード先端とをボンディングワイヤにて
電気的に接続する工程と、（Ｄ）リードフレームの外枠
部より内側の領域全体を、半導体素子側から、半導体素
子全体とリードフレームとを封止用樹脂と保持基板にて
密封するように、封止用樹脂にて封止する工程と、
（Ｅ）封止用樹脂による封止後、保持基板を剥離する工
程と、（Ｆ）リードフレームの外枠部を除去する工程
と、（Ｇ）露出した外部端子の面上に半田ボールからな
る外部電極を設ける工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置の技術
分野に属し、特に、リードフレームを用いたＢＧＡタイ
プの樹脂封止型半導体装置の製造方法と該製造により作
製された表面実装型半導体装置に関する。
分野に属し、特に、リードフレームを用いたＢＧＡタイ
プの樹脂封止型半導体装置の製造方法と該製造により作
製された表面実装型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩはＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集積化、高機能化の一途をたどって
きている。これに伴い、信号の高速処理には、パッケー
ジ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になっ
てきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッ
ケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与
える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに
対応してきた。この結果、半導体装置の高集積化、高機
能化は外部端子（ピン）総数の増加を招き、半導体装置
の多端子化が求められるようになってきた。多端子Ｉ
Ｃ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表される
ＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ
Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパー
フォーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリ
ードフレームを用いたプラスチックＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３
００ピンを超えるものまで実用化に至ってきている。
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩはＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集積化、高機能化の一途をたどって
きている。これに伴い、信号の高速処理には、パッケー
ジ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になっ
てきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッ
ケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与
える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに
対応してきた。この結果、半導体装置の高集積化、高機
能化は外部端子（ピン）総数の増加を招き、半導体装置
の多端子化が求められるようになってきた。多端子Ｉ
Ｃ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表される
ＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ
Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパー
フォーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリ
ードフレームを用いたプラスチックＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３
００ピンを超えるものまで実用化に至ってきている。
【０００３】ＱＦＰは、図１０（ｂ）に示す単層リード
フレーム１０１０を用いたもので、図１０（ａ）に示す
ように、ダイパッド１０１１上に半導体素子１０２０を
搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリー
ド１０１２先端部と半導体素子１０２０の端子１０２１
とをワイヤ１０３０にて結線し、封止用樹脂１０４０で
封止を行い、この後、ダムバー部１０１４をカットし、
アウターリード１０１３をガルウイング状に成形したも
のである。このように、ＱＦＰは、パッケージの４方向
に外部回路と電気的に接続するためのアウターリード１
０１３を設けた構造で多端子化に対応できるものとして
開発されてきた。ここで用いられる単層リードフレーム
１０１０は、通常、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く，且つ機械
的強度が大きい金属材を素材とし、フォトエッチング法
かあるいはスタンピング法により、図１０（ｂ）に示す
ような形状に作製されていた。尚、図１０（ｂ）（ロ）
は、図１０（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２における断面を示
したものである。
フレーム１０１０を用いたもので、図１０（ａ）に示す
ように、ダイパッド１０１１上に半導体素子１０２０を
搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリー
ド１０１２先端部と半導体素子１０２０の端子１０２１
とをワイヤ１０３０にて結線し、封止用樹脂１０４０で
封止を行い、この後、ダムバー部１０１４をカットし、
アウターリード１０１３をガルウイング状に成形したも
のである。このように、ＱＦＰは、パッケージの４方向
に外部回路と電気的に接続するためのアウターリード１
０１３を設けた構造で多端子化に対応できるものとして
開発されてきた。ここで用いられる単層リードフレーム
１０１０は、通常、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く，且つ機械
的強度が大きい金属材を素材とし、フォトエッチング法
かあるいはスタンピング法により、図１０（ｂ）に示す
ような形状に作製されていた。尚、図１０（ｂ）（ロ）
は、図１０（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２における断面を示
したものである。
【０００４】しかし、半導体素子の信号処理の高速化、
高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになっ
てきた。ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることによ
り、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に
対応してきたが、外部端子の狭いピッチ化に伴い、外部
端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するた
め、フォーミング等の後工程におけるアウターリードの
スキュー対応やプラナリイティー（平坦性）維持が難し
くなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難
しくなるという実装面での問題を抱えていた。
高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになっ
てきた。ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることによ
り、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に
対応してきたが、外部端子の狭いピッチ化に伴い、外部
端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するた
め、フォーミング等の後工程におけるアウターリードの
スキュー対応やプラナリイティー（平坦性）維持が難し
くなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難
しくなるという実装面での問題を抱えていた。
【０００５】このようなＱＦＰの実装面での問題に対応
するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
と呼ばれるプラスチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭
載し、もう一方の面に球状の半田ボールをパッケージの
外部端子として二次元的に配列し、スルーホールを通じ
て半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとっ
たもので、実装性の対応を図ったパッケージである。Ｂ
ＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比
べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大き
くとれるという利点があり、半導体装置の実装工程を難
しくせず、入出力端子の増加に対応できた。ＢＧＡは、
一般に図７に示すような構造である。図７（ｂ）は図７
（ａ）の裏面（基板）側からみた図で、図７（ｃ）はス
ルーホール７５０部を示したものである。このＢＧＡは
ＢＴレジン（ビスマレイミド樹脂）を代表とする耐熱性
を有する平板（樹脂板）の基材７０２の片面に半導体素
子７０１を搭載するダイパッド７０５と半導体素子７０
１からボンディングワイヤ７０８により電気的に接続さ
れるボンディングパッド７１０を持ち、もう一方の面
に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行
う格子状あるいは千鳥状に配列された半ボールにより形
成した外部接続端子７０６をもち、外部接続端子７０６
とボンディングパッド７１０の間を配線７０４とスルー
ホール７５０、配線７０４Ａにより電気的に接続してい
る構造である。しかしながら、このＢＧＡは、搭載する
半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半導体装置化
した後にプリント基板に実装するための外部端子（半田
ボール）とを基板７０２の両面に設け、これらをスルー
ホール７５０を介して電気的に接続していた複雑な構造
であり、信号が通過する回路長が長くなり、その回路デ
ザインも複雑化している。また、耐熱及び絶縁樹脂基材
を用いて構成される従来型プラスチックＢＧＡ用の基板
を製造するプロセスは、樹脂基材の孔開けや表裏回路の
導通めっき処理及びソルダーレジスト印刷といった従来
のプリント基板と同様の工程が必要であり、全体として
長い工程にならざるをえない。これに加えて、高密度化
を実現するための回路プロセスにおいての制約が多く存
在し、低コストに製造することは難しい。そしてまた、
樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール５５０が断線を
生じることもあり、作製上、信頼性の点で問題が多かっ
た。
するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）
と呼ばれるプラスチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭
載し、もう一方の面に球状の半田ボールをパッケージの
外部端子として二次元的に配列し、スルーホールを通じ
て半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとっ
たもので、実装性の対応を図ったパッケージである。Ｂ
ＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比
べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大き
くとれるという利点があり、半導体装置の実装工程を難
しくせず、入出力端子の増加に対応できた。ＢＧＡは、
一般に図７に示すような構造である。図７（ｂ）は図７
（ａ）の裏面（基板）側からみた図で、図７（ｃ）はス
ルーホール７５０部を示したものである。このＢＧＡは
ＢＴレジン（ビスマレイミド樹脂）を代表とする耐熱性
を有する平板（樹脂板）の基材７０２の片面に半導体素
子７０１を搭載するダイパッド７０５と半導体素子７０
１からボンディングワイヤ７０８により電気的に接続さ
れるボンディングパッド７１０を持ち、もう一方の面
に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行
う格子状あるいは千鳥状に配列された半ボールにより形
成した外部接続端子７０６をもち、外部接続端子７０６
とボンディングパッド７１０の間を配線７０４とスルー
ホール７５０、配線７０４Ａにより電気的に接続してい
る構造である。しかしながら、このＢＧＡは、搭載する
半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半導体装置化
した後にプリント基板に実装するための外部端子（半田
ボール）とを基板７０２の両面に設け、これらをスルー
ホール７５０を介して電気的に接続していた複雑な構造
であり、信号が通過する回路長が長くなり、その回路デ
ザインも複雑化している。また、耐熱及び絶縁樹脂基材
を用いて構成される従来型プラスチックＢＧＡ用の基板
を製造するプロセスは、樹脂基材の孔開けや表裏回路の
導通めっき処理及びソルダーレジスト印刷といった従来
のプリント基板と同様の工程が必要であり、全体として
長い工程にならざるをえない。これに加えて、高密度化
を実現するための回路プロセスにおいての制約が多く存
在し、低コストに製造することは難しい。そしてまた、
樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール５５０が断線を
生じることもあり、作製上、信頼性の点で問題が多かっ
た。
【０００６】この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の
低下を回避するため、上記図７に示す構造のものの他
に、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａも、近年、種々提案されてきた。これらのリードフレ
ームを使用するＢＧＡパッケージは、一般には、リード
フレーム８１０の外部端子部８１４に対応する箇所に所
定の孔をあけた、絶縁フィルム８６０上にリードフレー
ム８１０を固定して、樹脂封止した図８（ａ）に示すよ
うな構造、ないし図８（ｂ）に示すような構造をとって
いた。上記リードフレームを用いるＢＧＡパッケージに
使われるリードフレーム８１０は、従来、図９に示すよ
うなエッチング加工方法により作製されており、外部端
子部８１４とインナーリード８１２ともリードフレーム
素材の厚さに作製されていた。尚、図８中、８２０は半
導体素子、８２１は半導体素子の端子、８４０は封止用
樹脂、８５０は外部端子電極（半田ボール）、８１１は
ダイパッドである。ここで、図９に示すエッチング加工
方法を簡単に説明しておく。先ず、銅合金もしくは４２
％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄
板（リードフレーム素材８１０）を十分洗浄（図８
（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光剤とした水
溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト８２０を該薄
板の両表面に均一に塗布する。（（図８（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図８（ｃ））、レジストパ
ターン８３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に
応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッ
チング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素
材８１０）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、
貫通させる。（図８（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図８（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング液による腐蝕
は被加工板の板厚方向の他に板幅（面）方向にも進むた
め、図８に示すようなエッチング加工方法においては、
微細化加工に関して、加工される素材の板厚からくる限
界があった。
低下を回避するため、上記図７に示す構造のものの他
に、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａも、近年、種々提案されてきた。これらのリードフレ
ームを使用するＢＧＡパッケージは、一般には、リード
フレーム８１０の外部端子部８１４に対応する箇所に所
定の孔をあけた、絶縁フィルム８６０上にリードフレー
ム８１０を固定して、樹脂封止した図８（ａ）に示すよ
うな構造、ないし図８（ｂ）に示すような構造をとって
いた。上記リードフレームを用いるＢＧＡパッケージに
使われるリードフレーム８１０は、従来、図９に示すよ
うなエッチング加工方法により作製されており、外部端
子部８１４とインナーリード８１２ともリードフレーム
素材の厚さに作製されていた。尚、図８中、８２０は半
導体素子、８２１は半導体素子の端子、８４０は封止用
樹脂、８５０は外部端子電極（半田ボール）、８１１は
ダイパッドである。ここで、図９に示すエッチング加工
方法を簡単に説明しておく。先ず、銅合金もしくは４２
％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄
板（リードフレーム素材８１０）を十分洗浄（図８
（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光剤とした水
溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト８２０を該薄
板の両表面に均一に塗布する。（（図８（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図８（ｃ））、レジストパ
ターン８３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に
応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッ
チング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素
材８１０）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、
貫通させる。（図８（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図８（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング液による腐蝕
は被加工板の板厚方向の他に板幅（面）方向にも進むた
め、図８に示すようなエッチング加工方法においては、
微細化加工に関して、加工される素材の板厚からくる限
界があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、リード
フレームをコア材として用いたＢＧＡタイプの樹脂封止
型半導体装置においては、図１０（ｂ）に示す単層リー
ドフレームを用いた半導体装置に比べ、同じ端子数で外
部回路と接続するための外部端子ピッチを広くでき、半
導体装置の実装工程を難しくしないで、入出力端子の増
加に対応できたが、一層の多端子化、高密度化に対して
は、インナーリードの狭ピッチ化、高密度配線が必須で
その対応が求められていた。また、一層の多端子化、高
密度化に伴う高放熱性が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するためのもので、一層の多端子
化、高密度配線に対応でき、高放熱性を持ち、且つ、信
頼性の高い、リードフレームをコア材としたＢＧＡタイ
プの樹脂封止型半導体装置の製造方法と、該製造方法に
より作製された表面実装型半導体装置を提供しようとす
るものである。
フレームをコア材として用いたＢＧＡタイプの樹脂封止
型半導体装置においては、図１０（ｂ）に示す単層リー
ドフレームを用いた半導体装置に比べ、同じ端子数で外
部回路と接続するための外部端子ピッチを広くでき、半
導体装置の実装工程を難しくしないで、入出力端子の増
加に対応できたが、一層の多端子化、高密度化に対して
は、インナーリードの狭ピッチ化、高密度配線が必須で
その対応が求められていた。また、一層の多端子化、高
密度化に伴う高放熱性が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するためのもので、一層の多端子
化、高密度配線に対応でき、高放熱性を持ち、且つ、信
頼性の高い、リードフレームをコア材としたＢＧＡタイ
プの樹脂封止型半導体装置の製造方法と、該製造方法に
より作製された表面実装型半導体装置を提供しようとす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型半導
体装置の製造方法は、リードフレームを用いたＢＧＡタ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、少な
くとも、（Ａ）半導体素子の端子（パッド）にボンデイ
ングワイヤにて電気的に接続するためのインナーリード
と、該インナーリードに一体的に連結して外部回路と電
気的接続を行うための外部端子と、外部端子に配線部
（リード）により一体的に接続されてリードフレーム全
体を固定する、樹脂封止の際のダムバーとなる外周部に
設けた外枠とを略平面的に設け、且つ、半導体素子を搭
載するためのダイパッドを持たないリードフレームで、
外部端子をリードフレーム素材の厚さで、二次元的に配
列し、インナーリードの先端を含むインナーリードをそ
の一方の面をリードフレーム素材面としてリードフレー
ム素材の厚さよりも薄肉に形成し、外枠部をリードフレ
ーム素材の厚さで形成しているリードフレームを用い
て、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定する工
程と、（Ｂ）リードフレームの、放熱板側全体を保持基
板に接着材を介して貼り付ける工程と、（Ｃ）インナー
リードのリードフレーム素材面側のダイパッド面上に半
導体素子を搭載し、該半導体素子の端子（パッド）とイ
ンナーリード先端とをボンディングワイヤにて電気的に
接続する工程と、（Ｄ）リードフレームの外枠部より内
側の領域全体を、半導体素子側から、半導体素子全体と
リードフレームとを封止用樹脂と保持基板にて密封する
ように、封止用樹脂にて封止する工程と、（Ｅ）封止用
樹脂による封止後、保持基板を剥離する工程と、（Ｆ）
リードフレームの外枠部を除去する工程と、（Ｇ）露出
した外部端子の面上に半田ボールからなる外部電極を設
ける工程とを有することを特徴とするものである。そし
て、上記において、リードフレームの半導体素子搭載側
のインナーリード先端のワイヤボンディング面、封止用
樹脂より露出した外部端子の表面には、めっき処理がな
されていることを特徴とするものである。そしてまた、
上記において、保持基板は、基材がポリイミドで、接着
剤がエポキシ系接着剤であり、加熱圧着されリードフレ
ームおよび放熱板に貼り付けられることを特徴とするも
のである。尚、基材としては、他にフッ素樹脂、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、金属、セラミック等の無機材
料が挙げられ、接着材としては、他にポリイミド系、ア
クリル系、フッ素系、シリコーン系、ポリアミド系のも
のが挙げられる。
体装置の製造方法は、リードフレームを用いたＢＧＡタ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、少な
くとも、（Ａ）半導体素子の端子（パッド）にボンデイ
ングワイヤにて電気的に接続するためのインナーリード
と、該インナーリードに一体的に連結して外部回路と電
気的接続を行うための外部端子と、外部端子に配線部
（リード）により一体的に接続されてリードフレーム全
体を固定する、樹脂封止の際のダムバーとなる外周部に
設けた外枠とを略平面的に設け、且つ、半導体素子を搭
載するためのダイパッドを持たないリードフレームで、
外部端子をリードフレーム素材の厚さで、二次元的に配
列し、インナーリードの先端を含むインナーリードをそ
の一方の面をリードフレーム素材面としてリードフレー
ム素材の厚さよりも薄肉に形成し、外枠部をリードフレ
ーム素材の厚さで形成しているリードフレームを用い
て、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定する工
程と、（Ｂ）リードフレームの、放熱板側全体を保持基
板に接着材を介して貼り付ける工程と、（Ｃ）インナー
リードのリードフレーム素材面側のダイパッド面上に半
導体素子を搭載し、該半導体素子の端子（パッド）とイ
ンナーリード先端とをボンディングワイヤにて電気的に
接続する工程と、（Ｄ）リードフレームの外枠部より内
側の領域全体を、半導体素子側から、半導体素子全体と
リードフレームとを封止用樹脂と保持基板にて密封する
ように、封止用樹脂にて封止する工程と、（Ｅ）封止用
樹脂による封止後、保持基板を剥離する工程と、（Ｆ）
リードフレームの外枠部を除去する工程と、（Ｇ）露出
した外部端子の面上に半田ボールからなる外部電極を設
ける工程とを有することを特徴とするものである。そし
て、上記において、リードフレームの半導体素子搭載側
のインナーリード先端のワイヤボンディング面、封止用
樹脂より露出した外部端子の表面には、めっき処理がな
されていることを特徴とするものである。そしてまた、
上記において、保持基板は、基材がポリイミドで、接着
剤がエポキシ系接着剤であり、加熱圧着されリードフレ
ームおよび放熱板に貼り付けられることを特徴とするも
のである。尚、基材としては、他にフッ素樹脂、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、金属、セラミック等の無機材
料が挙げられ、接着材としては、他にポリイミド系、ア
クリル系、フッ素系、シリコーン系、ポリアミド系のも
のが挙げられる。
【０００９】本発明の表面実装型半導体装置は、リード
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
であって、リードフレームは、少なくとも、放熱板と、
半導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて
電気的に接続するためのインナーリードと、該インナー
リードに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行う
ための外部端子とを略平面的に設けたもので、外部端子
をリードフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、イ
ンナーリードをその一方の面をリードフレーム素材面と
してリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成してお
り、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を接着材を介して放熱板に固定してお
り、半導体素子は、インナーリードのリードフレーム素
材面側の放熱板上に搭載され、インナーリードのリード
フレーム素材面とボンディングワイヤにて電気的に接続
されており、且つ、該外部端子の外側面上に設けた半田
ボールからなる外部電極を外部に突出させるようにし
て、リードフレームの両側から、半導体素子全体とリー
ドフレーム部を樹脂封止していることを特徴とするもの
である。
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
であって、リードフレームは、少なくとも、放熱板と、
半導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて
電気的に接続するためのインナーリードと、該インナー
リードに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行う
ための外部端子とを略平面的に設けたもので、外部端子
をリードフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、イ
ンナーリードをその一方の面をリードフレーム素材面と
してリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成してお
り、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を接着材を介して放熱板に固定してお
り、半導体素子は、インナーリードのリードフレーム素
材面側の放熱板上に搭載され、インナーリードのリード
フレーム素材面とボンディングワイヤにて電気的に接続
されており、且つ、該外部端子の外側面上に設けた半田
ボールからなる外部電極を外部に突出させるようにし
て、リードフレームの両側から、半導体素子全体とリー
ドフレーム部を樹脂封止していることを特徴とするもの
である。
【００１０】本発明のリードフレーム部材は、少なくと
も、外形加工されたダイパッドを持たないリードフレー
ムと、リードフレームとは別体で、半導体素子をその一
面上に接着材（接合材）を介して搭載し、且つ半導体装
置を作製した際に放熱機能を呈する放熱板と、前記リー
ドフレームおよび放熱板を保持する保持基板とを備えた
リードフレーム部材であって、リードフレームは、半導
体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて電気
的に接続するためのインナーリードと、該インナーリー
ドに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子と、外部端子に配線部（リード）により一体
的に接続されてリードフレーム全体を固定する、樹脂封
止の際のダムバーとなる外周部に設けた外枠とを略平面
的に設け、且つ、半導体素子を搭載するためのダイパッ
ドを持たないもので、外部端子をリードフレーム素材の
厚さで、二次元的に配列し、インナーリードの先端を含
むインナーリードをその一方の面をリードフレーム素材
面としてリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成
し、外枠部をリードフレーム素材の厚さで形成してお
り、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定され、
リードフレームの放熱板側において、リードフレームと
放熱板を接着材を介して保持基板の一面に貼りつけてあ
ることを特徴とするものである。
も、外形加工されたダイパッドを持たないリードフレー
ムと、リードフレームとは別体で、半導体素子をその一
面上に接着材（接合材）を介して搭載し、且つ半導体装
置を作製した際に放熱機能を呈する放熱板と、前記リー
ドフレームおよび放熱板を保持する保持基板とを備えた
リードフレーム部材であって、リードフレームは、半導
体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて電気
的に接続するためのインナーリードと、該インナーリー
ドに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子と、外部端子に配線部（リード）により一体
的に接続されてリードフレーム全体を固定する、樹脂封
止の際のダムバーとなる外周部に設けた外枠とを略平面
的に設け、且つ、半導体素子を搭載するためのダイパッ
ドを持たないもので、外部端子をリードフレーム素材の
厚さで、二次元的に配列し、インナーリードの先端を含
むインナーリードをその一方の面をリードフレーム素材
面としてリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成
し、外枠部をリードフレーム素材の厚さで形成してお
り、インナーリードの素材面側でない面において、イン
ナーリード先端部を放熱板に接着材を介して固定され、
リードフレームの放熱板側において、リードフレームと
放熱板を接着材を介して保持基板の一面に貼りつけてあ
ることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明の表面実装型半導体装置の製造方法は、
上記のように構成することにより、一層の多端子化、高
密度配線が可能なＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の作製を可能とするものであり、その作製方法は比較的
簡単なもので、且つ量産性に適している。詳しくは、半
導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて電
気的に接続するためのインナーリードと、該インナーリ
ードに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うた
めの外部端子と、外部端子に配線部（リード）により一
体的に接続されてリードフレーム全体を固定する、樹脂
封止の際のダムバーとなる外周部に設けた外枠とを略平
面的に設け、且つ、半導体素子を搭載するためのダイパ
ッドを持たないリードフレームで、外部端子をリードフ
レーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナーリー
ドの先端を含むインナーリードをその一方の面をリード
フレーム素材面としてリードフレーム素材の厚さよりも
薄肉に形成し、外枠部をリードフレーム素材の厚さで形
成しているリードフレームを用いていることより、図７
に示す従来のプリント基板を用いたＢＧＡに比べ、構造
が簡単で、一層の多端子化、高密度配線が可能なＢＧＡ
タイプの樹脂封止型半導体装置の作製を可能としてい
る。即ち、インナーリードをリードフレーム素材の厚さ
より薄肉とすることにより、微細加工を可能とし、多端
子化に対応できるものとしており、且つ、高密度配線を
可能としている。また、外部端子をリードフレーム素材
の厚さとし、インナーリード部を薄肉としていることに
より、樹脂封止の際には、インナーリードの両面から樹
脂封止されることを可能としている。そしてまた、外枠
部をリードフレーム素材の厚さにしていることより、樹
脂封止の際には、保持基板を貼り合わせた状態でダムバ
ーとして機能できるものとしており、樹脂封止の作業全
体を簡単なものとしている。そして、上記において、リ
ードフレームの半導体素子搭載側のダイパッド表面、イ
ンナーリード先端のワイヤボンディング面、封止用樹脂
より露出した外部端子の表面には、めっき処理がなされ
ていることにより、半導体素子の搭載、ワイヤボンディ
ング、半田ボールを外部端子に一体的に作製することを
それぞれ可能としている。そしてまた、上記において、
保持基板は、基材がポリイミドで、接着剤がエポキシ系
接着剤であり、加熱圧着されリードフレームないし固定
用テープに貼り付けられることにより、その作製を簡単
なものとしている。
上記のように構成することにより、一層の多端子化、高
密度配線が可能なＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の作製を可能とするものであり、その作製方法は比較的
簡単なもので、且つ量産性に適している。詳しくは、半
導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤにて電
気的に接続するためのインナーリードと、該インナーリ
ードに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うた
めの外部端子と、外部端子に配線部（リード）により一
体的に接続されてリードフレーム全体を固定する、樹脂
封止の際のダムバーとなる外周部に設けた外枠とを略平
面的に設け、且つ、半導体素子を搭載するためのダイパ
ッドを持たないリードフレームで、外部端子をリードフ
レーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナーリー
ドの先端を含むインナーリードをその一方の面をリード
フレーム素材面としてリードフレーム素材の厚さよりも
薄肉に形成し、外枠部をリードフレーム素材の厚さで形
成しているリードフレームを用いていることより、図７
に示す従来のプリント基板を用いたＢＧＡに比べ、構造
が簡単で、一層の多端子化、高密度配線が可能なＢＧＡ
タイプの樹脂封止型半導体装置の作製を可能としてい
る。即ち、インナーリードをリードフレーム素材の厚さ
より薄肉とすることにより、微細加工を可能とし、多端
子化に対応できるものとしており、且つ、高密度配線を
可能としている。また、外部端子をリードフレーム素材
の厚さとし、インナーリード部を薄肉としていることに
より、樹脂封止の際には、インナーリードの両面から樹
脂封止されることを可能としている。そしてまた、外枠
部をリードフレーム素材の厚さにしていることより、樹
脂封止の際には、保持基板を貼り合わせた状態でダムバ
ーとして機能できるものとしており、樹脂封止の作業全
体を簡単なものとしている。そして、上記において、リ
ードフレームの半導体素子搭載側のダイパッド表面、イ
ンナーリード先端のワイヤボンディング面、封止用樹脂
より露出した外部端子の表面には、めっき処理がなされ
ていることにより、半導体素子の搭載、ワイヤボンディ
ング、半田ボールを外部端子に一体的に作製することを
それぞれ可能としている。そしてまた、上記において、
保持基板は、基材がポリイミドで、接着剤がエポキシ系
接着剤であり、加熱圧着されリードフレームないし固定
用テープに貼り付けられることにより、その作製を簡単
なものとしている。
【００１２】本発明の表面実装型半導体装置は、本発明
の表面実装型半導体装置方法により作製することができ
るもので、インナーリード先端を薄肉状にし、且つ、外
部端子を二次元的に配列させたリードフレームを用いて
いることにより、構造を簡単として、且つ一層の多端子
化、高密度配線を可能としている。そして、放熱板上に
半導体素子を搭載し、且つインナーリード先端部をも固
定した構造であり、放熱性の良いものとしており、特
に、放熱板を外部に露出する構造とした場合には、高い
熱放散性を有するものとしている。また、リードフレー
ムの両面より封止用樹脂にて封止した構造で、図７に示
す従来のプリント基板を用いたＢＧＡや、片面モールド
の図８（ａ）に示す従来のリードフレームを用いたＢＧ
Ａタイプのものに比べ、信頼性の面で優れる。信頼性の
面でもＱＦＰに相当するものである。
の表面実装型半導体装置方法により作製することができ
るもので、インナーリード先端を薄肉状にし、且つ、外
部端子を二次元的に配列させたリードフレームを用いて
いることにより、構造を簡単として、且つ一層の多端子
化、高密度配線を可能としている。そして、放熱板上に
半導体素子を搭載し、且つインナーリード先端部をも固
定した構造であり、放熱性の良いものとしており、特
に、放熱板を外部に露出する構造とした場合には、高い
熱放散性を有するものとしている。また、リードフレー
ムの両面より封止用樹脂にて封止した構造で、図７に示
す従来のプリント基板を用いたＢＧＡや、片面モールド
の図８（ａ）に示す従来のリードフレームを用いたＢＧ
Ａタイプのものに比べ、信頼性の面で優れる。信頼性の
面でもＱＦＰに相当するものである。
【００１３】尚、放熱板の形状は、図３（ｂ）に示すよ
うなベタ状、もしくは、図５（ａ）に示すようなインナ
ーリード先端部と近傍に貫通孔を設けた形状、図５
（ｂ）、図５（ｃ）に示すように、ハーフエッチング加
工をしたものも使用できる。図５（ａ）に示すものは、
リードフレームが先端カット仕様の時にも適用でき、図
５（ｂ）、図５（ｃ）に示すものは、半導体装置作製の
樹脂封止の際、モールド樹脂を放熱板裏面側に回りこま
せることができる。図５（ｂ）（ロ）、図５（ｃ）
（ロ）は、それぞれ図５（ｂ）（イ）のＤ１−Ｄ２にお
ける断面、図５（ｃ）（イ）のＤ３−Ｄ４における断面
を示している。また、少なくとも放熱板裏面は必要に応
じ、Ｎｉめっき、パラジウムめっき、等の周知の表面処
理を施す。
うなベタ状、もしくは、図５（ａ）に示すようなインナ
ーリード先端部と近傍に貫通孔を設けた形状、図５
（ｂ）、図５（ｃ）に示すように、ハーフエッチング加
工をしたものも使用できる。図５（ａ）に示すものは、
リードフレームが先端カット仕様の時にも適用でき、図
５（ｂ）、図５（ｃ）に示すものは、半導体装置作製の
樹脂封止の際、モールド樹脂を放熱板裏面側に回りこま
せることができる。図５（ｂ）（ロ）、図５（ｃ）
（ロ）は、それぞれ図５（ｂ）（イ）のＤ１−Ｄ２にお
ける断面、図５（ｃ）（イ）のＤ３−Ｄ４における断面
を示している。また、少なくとも放熱板裏面は必要に応
じ、Ｎｉめっき、パラジウムめっき、等の周知の表面処
理を施す。
【００１４】
【実施例】本発明の表面実装型半導体装置の製造方法の
実施例を図にもとづいて説明する。図１は実施例の表面
実装型半導体装置の製造方法の工程を示した断面図であ
り、図２は本発明の表面実装型半導体装置の実施例の断
面図で、リードに沿った１断面を示している。図４
（ａ）は、図１、図２に使用されたリードフレームの概
略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の約１／４部
分の拡大図である。尚、図４（ａ）は概略図で、全体を
分かり易くするために図４（ｂ）に比べ、インナーリー
ドの数、外部端子部の数は少なくして示してある。図
１、図２、図４中、１００は表面実装型半導体装置、１
１０はリードフレーム、１１２インナーリード、１１２
Ａはインナーリード先端部、１１２Ｓはリードフレーム
素材面、１１３は外部端子、１１４は外枠部（ダムバー
部）、１１５は配線部、１１６は吊りバー、１１７は第
二の枠部（フレーム部）、１２０は放熱板、１３０は保
持基板、１４０は半導体素子、１４１は端子（パッ
ド）、１５０はボンディングワイヤ、１６０は金型、１
６１はキヤビティー、１７０は封止用樹脂、１８０は外
部電極、１９０、１９１は接着材である。
実施例を図にもとづいて説明する。図１は実施例の表面
実装型半導体装置の製造方法の工程を示した断面図であ
り、図２は本発明の表面実装型半導体装置の実施例の断
面図で、リードに沿った１断面を示している。図４
（ａ）は、図１、図２に使用されたリードフレームの概
略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の約１／４部
分の拡大図である。尚、図４（ａ）は概略図で、全体を
分かり易くするために図４（ｂ）に比べ、インナーリー
ドの数、外部端子部の数は少なくして示してある。図
１、図２、図４中、１００は表面実装型半導体装置、１
１０はリードフレーム、１１２インナーリード、１１２
Ａはインナーリード先端部、１１２Ｓはリードフレーム
素材面、１１３は外部端子、１１４は外枠部（ダムバー
部）、１１５は配線部、１１６は吊りバー、１１７は第
二の枠部（フレーム部）、１２０は放熱板、１３０は保
持基板、１４０は半導体素子、１４１は端子（パッ
ド）、１５０はボンディングワイヤ、１６０は金型、１
６１はキヤビティー、１７０は封止用樹脂、１８０は外
部電極、１９０、１９１は接着材である。
【００１５】本実施例の表面実装型半導体装置の製造方
法は、一層の多端子化、高密度配線を達成できるリード
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法であり、以下、図１をもとにその工程を説明
する。先ず、一方をリードフレーム素材面とし、素材の
厚さよりインナーリード１１２が薄肉に形成されている
リードフレーム１１０（図１（ａ））を用いて、インナ
ーリード１１２の素材面側でない面において、インナー
リード先端部１１２Ａを放熱板１２０に接着材（接合
層）１９０を介して固定し、その部分の厚さをほぼリー
ドフレーム素材の厚さとした。（図１（ｂ）） リードフレーム１１０は、図４（ａ）に示すように、少
なくとも、半導体素子の端子と電気的に接続をその先端
で行うためのインナーリード１１２と、該インナーリー
ド１１２と一体的に連結して外部回路と電気的接続を行
うための外部端子１１３とを略平面的に設け、且つ、図
１（ａ）に示すように、外部端子１１３をリードフレー
ム素材の厚さで、すなわちその両面（上面、下面）をリ
ードフレーム素材面１１３Ｓとして、二次元的に配列
し、インナーリード１１２は、その一方の面をリードフ
レーム素材面１１２Ｓとしてリードフレーム素材の厚さ
ｔ0よりも薄肉にしている。尚、リードフレーム１１０
は、リードフレーム素材として、厚さ０．１５ｍｍの銅
合金（古河電工株式会社製、型番ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を用い、エッチングにて作製した。エッチング
にて外形加工した後、インナーリード１１２先端のワイ
ヤボンディング面（リードフレーム素材面）、半田ボー
ルを作製するための外部端子１１３の面に、それぞれ所
望のめっきを施しておいた。インナーリード１１２は薄
肉でその厚さｔ1 は４０μｍ、外部端子はリードフレー
ム素材と同じ厚さｔ0 で０．１５ｍとなっている。ま
た、インナーリードピッチは０．１８ｍｍである。尚、
ここでは、図４に示すように、リードの半導体素子の端
子とワイヤボンディングにて接続する側の先端部分から
外部端子までの一体的に連結した部分までをインナーリ
ード１１２と言い、外部端子１１３と外枠１１４とを一
体的に連結する部分を配線部１１５としている。ここで
は、インナーリード１１２と配線部１１５を併せて、単
にリードと言う。一般には、インナーリード１１２と
は、樹脂封止（モールド）して半導体装置を作製した際
に、樹脂の内部の配線全体を総称して言っている。放熱
板１２０の素材はＣｕ系金属を用いたが、これに限るも
のではない。接着材１９０はエポキシ系の材料を用いた
が、エポキシ系に限るものでなく、ポリイミド系、アク
リル系等、耐熱絶縁性が高いものが使用できる。
法は、一層の多端子化、高密度配線を達成できるリード
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法であり、以下、図１をもとにその工程を説明
する。先ず、一方をリードフレーム素材面とし、素材の
厚さよりインナーリード１１２が薄肉に形成されている
リードフレーム１１０（図１（ａ））を用いて、インナ
ーリード１１２の素材面側でない面において、インナー
リード先端部１１２Ａを放熱板１２０に接着材（接合
層）１９０を介して固定し、その部分の厚さをほぼリー
ドフレーム素材の厚さとした。（図１（ｂ）） リードフレーム１１０は、図４（ａ）に示すように、少
なくとも、半導体素子の端子と電気的に接続をその先端
で行うためのインナーリード１１２と、該インナーリー
ド１１２と一体的に連結して外部回路と電気的接続を行
うための外部端子１１３とを略平面的に設け、且つ、図
１（ａ）に示すように、外部端子１１３をリードフレー
ム素材の厚さで、すなわちその両面（上面、下面）をリ
ードフレーム素材面１１３Ｓとして、二次元的に配列
し、インナーリード１１２は、その一方の面をリードフ
レーム素材面１１２Ｓとしてリードフレーム素材の厚さ
ｔ0よりも薄肉にしている。尚、リードフレーム１１０
は、リードフレーム素材として、厚さ０．１５ｍｍの銅
合金（古河電工株式会社製、型番ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を用い、エッチングにて作製した。エッチング
にて外形加工した後、インナーリード１１２先端のワイ
ヤボンディング面（リードフレーム素材面）、半田ボー
ルを作製するための外部端子１１３の面に、それぞれ所
望のめっきを施しておいた。インナーリード１１２は薄
肉でその厚さｔ1 は４０μｍ、外部端子はリードフレー
ム素材と同じ厚さｔ0 で０．１５ｍとなっている。ま
た、インナーリードピッチは０．１８ｍｍである。尚、
ここでは、図４に示すように、リードの半導体素子の端
子とワイヤボンディングにて接続する側の先端部分から
外部端子までの一体的に連結した部分までをインナーリ
ード１１２と言い、外部端子１１３と外枠１１４とを一
体的に連結する部分を配線部１１５としている。ここで
は、インナーリード１１２と配線部１１５を併せて、単
にリードと言う。一般には、インナーリード１１２と
は、樹脂封止（モールド）して半導体装置を作製した際
に、樹脂の内部の配線全体を総称して言っている。放熱
板１２０の素材はＣｕ系金属を用いたが、これに限るも
のではない。接着材１９０はエポキシ系の材料を用いた
が、エポキシ系に限るものでなく、ポリイミド系、アク
リル系等、耐熱絶縁性が高いものが使用できる。
【００１６】次いで、リードフレーム１１０の、放熱板
１２０を貼り付けた側全体を保持基板１３０に接着材１
９１を介して貼り付けた。（図１（ｃ）） 保持基板１３０の構成は基材が厚さ５０μｍのポリイミ
ドフィルムで、接着剤層が厚さ２０μｍのエポキシ系接
着のものを用いた。保持基板１３０の貼り付けの範囲
は、リードフレーム１１０の外枠１１４の全ての辺にか
かっているようにして、樹脂封止の際に、封止用樹脂が
保持基板１３０とリードフレーム１１０の隙間から漏れ
出さないようにする。保持基板１３０の圧着条件は圧力
３０ｋｇ／ｃｍ2 で１５０°Ｃにおいて４５分保持し、
熱プレス装置にて行った。この条件は、保持基板１３０
の接着剤の種類により選び、適当な条件にて行う。保持
基板１３０を貼り付ける目的は、リードフレーム１１０
の外部端子の、インナーリードの素材面側でない外部面
に封止用樹脂が漏れるのを防ぎ、この面に半田ボールか
らなる外部電極を設け易くするためである。
１２０を貼り付けた側全体を保持基板１３０に接着材１
９１を介して貼り付けた。（図１（ｃ）） 保持基板１３０の構成は基材が厚さ５０μｍのポリイミ
ドフィルムで、接着剤層が厚さ２０μｍのエポキシ系接
着のものを用いた。保持基板１３０の貼り付けの範囲
は、リードフレーム１１０の外枠１１４の全ての辺にか
かっているようにして、樹脂封止の際に、封止用樹脂が
保持基板１３０とリードフレーム１１０の隙間から漏れ
出さないようにする。保持基板１３０の圧着条件は圧力
３０ｋｇ／ｃｍ2 で１５０°Ｃにおいて４５分保持し、
熱プレス装置にて行った。この条件は、保持基板１３０
の接着剤の種類により選び、適当な条件にて行う。保持
基板１３０を貼り付ける目的は、リードフレーム１１０
の外部端子の、インナーリードの素材面側でない外部面
に封止用樹脂が漏れるのを防ぎ、この面に半田ボールか
らなる外部電極を設け易くするためである。
【００１７】次に、インナーリードのリードフレーム素
材面側のダイパッド面上に半導体素子を搭載し、該半導
体素子１４０の端子（パッド）１４１とインナーリード
先端１１２Ａとをボンディングワイヤ１５０にて電気的
に接続した。（図１（ｄ）） 尚、ワイヤボンディング技術は周知ではあるが、条件は
適当に選ぶ必要がある。
材面側のダイパッド面上に半導体素子を搭載し、該半導
体素子１４０の端子（パッド）１４１とインナーリード
先端１１２Ａとをボンディングワイヤ１５０にて電気的
に接続した。（図１（ｄ）） 尚、ワイヤボンディング技術は周知ではあるが、条件は
適当に選ぶ必要がある。
【００１８】次いで、半導体素子１４０を保持している
リードフレーム１１０全体を、樹脂封止用（モールド成
形用）の金型１６０にて所定の形状に形成されているキ
ヤビティー１６１にセットし、樹脂封止を行い、所定形
状にパッケージボディーを作成し（図１（ｅ））、リー
ドフレーム１１０の外枠部１１４より内側の領域全体
を、半導体素子側から、半導体素子全体とリードフレー
ムとを封止用樹脂１７０と保持板にて密封するように、
封止用樹脂１７０にて封止した。（図１（ｆ）） 樹脂封止用の金型を用いた装置としては、従来のトラン
スファーモールドプレスで、封止用樹脂としてはビフェ
ニールタイプエポキシ樹脂を採用した。尚、半導体装置
のパッケージは、通常、エポキシ樹脂成形等の樹脂にて
成形されるがこれに限定されるものではない。また、成
形方法もトランスファーモールド方法に限定されること
はなく、射出成形、ポッティング封止も採用可能であ
る。モールド加工時には、モールド樹脂は保持基板１３
０と、インナーリード１１２、配線部１１５等リードと
の空間に流れ込み、封止用樹脂１７０で全体を包み込
む。全体的に包み込む事により、図７に示す従来のプリ
ント基板を用いたＢＧＡのようにプリント基板と封止樹
脂（モールドレジン）７０３との大きな界面が存在せ
ず、また、片面モールドの図８（ａ）に示す従来のリー
ドフレームを用いたＢＧＡタイプのもののように、封止
用樹脂８４０と絶縁フィルム８６０との大きな界面は存
在せず、加熱時や加湿時に界面から生じ易い剥離や膨れ
を低減させる効果がある。また、外部端子１１３の保持
基板１３０側の面には、封止用樹脂１７０が流れ込むこ
とはなく、半田ボールからなる外部電極を作成する際の
作業を楽なものとしている。
リードフレーム１１０全体を、樹脂封止用（モールド成
形用）の金型１６０にて所定の形状に形成されているキ
ヤビティー１６１にセットし、樹脂封止を行い、所定形
状にパッケージボディーを作成し（図１（ｅ））、リー
ドフレーム１１０の外枠部１１４より内側の領域全体
を、半導体素子側から、半導体素子全体とリードフレー
ムとを封止用樹脂１７０と保持板にて密封するように、
封止用樹脂１７０にて封止した。（図１（ｆ）） 樹脂封止用の金型を用いた装置としては、従来のトラン
スファーモールドプレスで、封止用樹脂としてはビフェ
ニールタイプエポキシ樹脂を採用した。尚、半導体装置
のパッケージは、通常、エポキシ樹脂成形等の樹脂にて
成形されるがこれに限定されるものではない。また、成
形方法もトランスファーモールド方法に限定されること
はなく、射出成形、ポッティング封止も採用可能であ
る。モールド加工時には、モールド樹脂は保持基板１３
０と、インナーリード１１２、配線部１１５等リードと
の空間に流れ込み、封止用樹脂１７０で全体を包み込
む。全体的に包み込む事により、図７に示す従来のプリ
ント基板を用いたＢＧＡのようにプリント基板と封止樹
脂（モールドレジン）７０３との大きな界面が存在せ
ず、また、片面モールドの図８（ａ）に示す従来のリー
ドフレームを用いたＢＧＡタイプのもののように、封止
用樹脂８４０と絶縁フィルム８６０との大きな界面は存
在せず、加熱時や加湿時に界面から生じ易い剥離や膨れ
を低減させる効果がある。また、外部端子１１３の保持
基板１３０側の面には、封止用樹脂１７０が流れ込むこ
とはなく、半田ボールからなる外部電極を作成する際の
作業を楽なものとしている。
【００１９】樹脂封止後、保持基板１３０を剥がし、除
去する。（図１（ｇ）） 本実施例では、樹脂封止された半導体装置をホットプレ
ート上にて２３０°Ｃにて加熱し、保持基板１３０の密
着力を弱めた状態で剥離した。この工程の条件は、保持
基板１３０に使用されている接着剤によって、好ましい
条件を選ぶ。前にも述べたように、保持基板１３０は外
部電極１８０を形成するための外部端子１１４の面を、
外部に露出するように形成し、外部電極１８０の形成を
楽にするものであり、モールド加工時に封止用樹脂１７
０が、外部端子１１４の外部電極１８０を形成する面に
漏れ込むのを、保持基板１３０が防ぐ。
去する。（図１（ｇ）） 本実施例では、樹脂封止された半導体装置をホットプレ
ート上にて２３０°Ｃにて加熱し、保持基板１３０の密
着力を弱めた状態で剥離した。この工程の条件は、保持
基板１３０に使用されている接着剤によって、好ましい
条件を選ぶ。前にも述べたように、保持基板１３０は外
部電極１８０を形成するための外部端子１１４の面を、
外部に露出するように形成し、外部電極１８０の形成を
楽にするものであり、モールド加工時に封止用樹脂１７
０が、外部端子１１４の外部電極１８０を形成する面に
漏れ込むのを、保持基板１３０が防ぐ。
【００２０】次いで、封止用樹脂１８０に覆われず外部
へ露出した、リードフレーム１１０の外枠部１１４を金
型により切断除去した。（図１（ｈ）） 外枠部１１４の除去する方法としては、金型による方法
に限定はされない、他にはレーザ等を用いる方法も可能
である。
へ露出した、リードフレーム１１０の外枠部１１４を金
型により切断除去した。（図１（ｈ）） 外枠部１１４の除去する方法としては、金型による方法
に限定はされない、他にはレーザ等を用いる方法も可能
である。
【００２１】封止用樹脂１８０に覆われず外部へ露出し
た、外部端子１１４の面に半田ボールからなる外部電極
１８０を形成した。（図１（ｉ）） 外部電極１８０を形成する半田ボールは、錫、鉛を主体
とした導電性金属で構成される。本実施例では直径０．
６ｍｍの共晶半田を用いた。
た、外部端子１１４の面に半田ボールからなる外部電極
１８０を形成した。（図１（ｉ）） 外部電極１８０を形成する半田ボールは、錫、鉛を主体
とした導電性金属で構成される。本実施例では直径０．
６ｍｍの共晶半田を用いた。
【００２２】尚、上記工程に代え、リードフレームの半
導体素子とワイヤボンディングする側のインナーリード
先端部を、本来不要である連結部にて連結した状態でエ
ッチング加工して、めっき処理等を施し、固定用テープ
を貼り付けた後に、連結部分を除去しても良い。
導体素子とワイヤボンディングする側のインナーリード
先端部を、本来不要である連結部にて連結した状態でエ
ッチング加工して、めっき処理等を施し、固定用テープ
を貼り付けた後に、連結部分を除去しても良い。
【００２３】次に、本発明の表面実装型半導体装置の実
施例を図２にもとづいて説明する。図２（ａ）は実施例
の表面実装型半導体装置断面図で、図２（ｂ）は、図２
（ａ）におけるＡ１側からみた下面図である。本実施例
の表面実装型半導体装置は、上記実施例の表面実装型半
導体装置の製造方法にて作製された、リードフレームを
用いたＢＧＡタイプのものであり、図２（ａ）に示すよ
うに、特に、モールド樹脂（封止用樹脂）１７０は、リ
ードフレーム１１０の両側から、半導体素子全体とリー
ドフレーム１１０部を封止しているため、図７に示す従
来のプリント基板を用いたＢＧＡのようにプリント基板
と封止樹脂（モールドレジン）７０３との大きな界面が
存在せず、また、片面モールドの図８（ａ）に示す従来
のリードフレームを用いたＢＧＡタイプのもののよう
に、封止用樹脂８４０と絶縁フィルム８６０との大きな
界面は存在せず、加熱時や加湿時に界面から生じ易い剥
離や膨れが発生しにくい構造である。即ち、信頼性の面
で優れた構造である。リードフレーム１１０の外部端子
１１３の面上に、半田ボールからなる外部電極１８０が
形成されており、且つ、図２（ｂ）に示すように、格子
状に配列されている。半導体素子１４０は、ダイパッド
の、インナーリードのリードフレーム素材面側に搭載さ
れ、端子（パッド）１４１にて、リードフレーム素材面
側のインナーリード１１２とワイヤ１５０と電気的に接
続されている。
施例を図２にもとづいて説明する。図２（ａ）は実施例
の表面実装型半導体装置断面図で、図２（ｂ）は、図２
（ａ）におけるＡ１側からみた下面図である。本実施例
の表面実装型半導体装置は、上記実施例の表面実装型半
導体装置の製造方法にて作製された、リードフレームを
用いたＢＧＡタイプのものであり、図２（ａ）に示すよ
うに、特に、モールド樹脂（封止用樹脂）１７０は、リ
ードフレーム１１０の両側から、半導体素子全体とリー
ドフレーム１１０部を封止しているため、図７に示す従
来のプリント基板を用いたＢＧＡのようにプリント基板
と封止樹脂（モールドレジン）７０３との大きな界面が
存在せず、また、片面モールドの図８（ａ）に示す従来
のリードフレームを用いたＢＧＡタイプのもののよう
に、封止用樹脂８４０と絶縁フィルム８６０との大きな
界面は存在せず、加熱時や加湿時に界面から生じ易い剥
離や膨れが発生しにくい構造である。即ち、信頼性の面
で優れた構造である。リードフレーム１１０の外部端子
１１３の面上に、半田ボールからなる外部電極１８０が
形成されており、且つ、図２（ｂ）に示すように、格子
状に配列されている。半導体素子１４０は、ダイパッド
の、インナーリードのリードフレーム素材面側に搭載さ
れ、端子（パッド）１４１にて、リードフレーム素材面
側のインナーリード１１２とワイヤ１５０と電気的に接
続されている。
【００２４】リードフレーム１１０としては、少なくと
も、半導体素子を搭載するためのダイパッドをもたない
もので、半導体素子１４０の端子（パッド）１４１にボ
ンデイングワイヤ１５０にて電気的に接続するためのイ
ンナーリード１１２と、該インナーリードに一体的に連
結して外部回路と電気的接続を行うための外部端子１１
３とを略平面的に設けたもので、外部端子１１３をリー
ドフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナー
リード１１２をその一方の面をリードフレーム素材面と
してリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成したも
のを用いている。尚、インナーリード１１２をードフレ
ーム素材の厚さより薄肉としていることにより、エッチ
ング加工により微細化でき、一層の多端子化に対応でき
るものとしている。また、インナーリード１１２全体を
リードフレーム素材の厚さより薄肉としているのは、前
述の面実装型半導体装置の製造方法において、インナー
リードの両面から樹脂封止できるようにするためであ
る。そしてまた、インナーリードの素材面側でない面に
おいて、インナーリード先端部をその部分の厚さが略リ
ードフレーム素材の厚さ以下となるように、放熱板１２
０に接着材１９０を介して接着固定されているが、これ
は、作製中におけるインナーリードの位置ずれを防止す
るとともに、前述の実施例製造方法において保持基板１
３０がリードフレーム全体に貼り付き易くするためで、
樹脂封止の際に漏れがでないようにするためである。半
導体素子を搭載するための放熱板１２０は、リードフレ
ームとは別体のものである。本実施例の場合は、放熱板
１２０の接着材１９０を含めた厚さとインナーリード薄
肉部の厚さとの総和がリードフレームの素材の厚さにほ
ぼ等しく、放熱板１２０が外部に露出する構造となって
いる。
も、半導体素子を搭載するためのダイパッドをもたない
もので、半導体素子１４０の端子（パッド）１４１にボ
ンデイングワイヤ１５０にて電気的に接続するためのイ
ンナーリード１１２と、該インナーリードに一体的に連
結して外部回路と電気的接続を行うための外部端子１１
３とを略平面的に設けたもので、外部端子１１３をリー
ドフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナー
リード１１２をその一方の面をリードフレーム素材面と
してリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成したも
のを用いている。尚、インナーリード１１２をードフレ
ーム素材の厚さより薄肉としていることにより、エッチ
ング加工により微細化でき、一層の多端子化に対応でき
るものとしている。また、インナーリード１１２全体を
リードフレーム素材の厚さより薄肉としているのは、前
述の面実装型半導体装置の製造方法において、インナー
リードの両面から樹脂封止できるようにするためであ
る。そしてまた、インナーリードの素材面側でない面に
おいて、インナーリード先端部をその部分の厚さが略リ
ードフレーム素材の厚さ以下となるように、放熱板１２
０に接着材１９０を介して接着固定されているが、これ
は、作製中におけるインナーリードの位置ずれを防止す
るとともに、前述の実施例製造方法において保持基板１
３０がリードフレーム全体に貼り付き易くするためで、
樹脂封止の際に漏れがでないようにするためである。半
導体素子を搭載するための放熱板１２０は、リードフレ
ームとは別体のものである。本実施例の場合は、放熱板
１２０の接着材１９０を含めた厚さとインナーリード薄
肉部の厚さとの総和がリードフレームの素材の厚さにほ
ぼ等しく、放熱板１２０が外部に露出する構造となって
いる。
【００２５】変形例としては、放熱板１２０の接着材１
９０を含めた厚さとインナーリード薄肉部の厚さとの総
和がリードフレームの素材の厚さより小として、放熱板
１２０全体を封止用樹脂１７０に覆う構造のものも挙げ
られる。本実施例および前記変形例は、上記実施例の表
面実装型半導体装置の製造方法により樹脂封止を行う
際、封止用樹脂を不必要部分に漏らさないための構造で
ある。しかしながら、必ずしもインナーリード先端部が
略リードフレームの素材の厚さ以下にする必要はない。
９０を含めた厚さとインナーリード薄肉部の厚さとの総
和がリードフレームの素材の厚さより小として、放熱板
１２０全体を封止用樹脂１７０に覆う構造のものも挙げ
られる。本実施例および前記変形例は、上記実施例の表
面実装型半導体装置の製造方法により樹脂封止を行う
際、封止用樹脂を不必要部分に漏らさないための構造で
ある。しかしながら、必ずしもインナーリード先端部が
略リードフレームの素材の厚さ以下にする必要はない。
【００２６】次に、本発明のリードフレーム部材につい
て、実施例を挙げ、図３に基づいて簡単に説明する。本
実施例のリードフレーム部材１０５は、前記実施例の半
導体装置に用いられたもので、外形加工されたリードフ
レーム１１０と、放熱板１２０と、これらを保持する絶
縁性の樹脂からなる保持基板１３０とで形成されてお
り、これらは互いに接着材を介して固定されている。図
３（ａ）は、本実施例のリードフレーム部材の断面図
で、図３（ｂ）はその展開図である。尚、全体を分かり
易くするため、インナーリード１１２、外部端子部１１
３、配線部１１５は形状のみ分かるように、簡略して図
示してあり、接着材も省略してある。リードフレーム１
１０は、リードフレーム素材として、厚さ０．１５ｍｍ
の銅合金（古河電工株式会社製、型番ＥＦＴＥＣ６４Ｔ
−１／２Ｈ）を用い、図９に示すような形状にエッチン
グにて作製したが、形状、材質、板厚はこれに限定はさ
れない。本実施例においては、リードフレーム１１０
は、半導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤ
にて電気的に接続するためのインナーリード１１２と、
該インナーリード１１２に一体的に連結して外部回路と
電気的接続を行うための外部端子１１３と、外部端子１
１３に配線部（リード）１１５により一体的に接続され
てリードフレーム全体を固定する、樹脂封止の際のダム
バーとなる外周部に設けた外枠部（ダムバー）１１４と
を略平面的に設けており、半導体素子を搭載するための
ダイパッドを持たないものであり、外部端子１１３をリ
ードフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナ
ーリード１１２をその一方の面をリードフレーム素材面
としてリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成し、
外枠部１１４をリードフレーム素材の厚さで形成してお
り、インナーリード１１２の素材面側でない面におい
て、インナーリード先端部を放熱板１２０に接着材を介
して固定され、且つ、固定部での厚さをほぼリードフレ
ーム素材の厚さとしてある。そして、リードフレーム１
１０の放熱板１２０側において、リードフレーム１１０
と放熱板１２０を接着材を介して保持基板１３０の一面
に貼りつけてある。放熱板１２０の素材はＣｕ系金属を
用いたが、これに限るものではない。インナーリード先
端部を放熱に固定する接着材はエポキシ系の材料を用い
たが、エポキシ系に限るものでなく、ポリイミド系、ア
クリル系等、耐熱絶縁性が高いものが使用できる。保持
基板１３０の構成は基材が厚さ５０μｍのポリイミドフ
ィルムで、接着剤層が厚さ２０μｍのエポキシ系接着の
ものを用いた。
て、実施例を挙げ、図３に基づいて簡単に説明する。本
実施例のリードフレーム部材１０５は、前記実施例の半
導体装置に用いられたもので、外形加工されたリードフ
レーム１１０と、放熱板１２０と、これらを保持する絶
縁性の樹脂からなる保持基板１３０とで形成されてお
り、これらは互いに接着材を介して固定されている。図
３（ａ）は、本実施例のリードフレーム部材の断面図
で、図３（ｂ）はその展開図である。尚、全体を分かり
易くするため、インナーリード１１２、外部端子部１１
３、配線部１１５は形状のみ分かるように、簡略して図
示してあり、接着材も省略してある。リードフレーム１
１０は、リードフレーム素材として、厚さ０．１５ｍｍ
の銅合金（古河電工株式会社製、型番ＥＦＴＥＣ６４Ｔ
−１／２Ｈ）を用い、図９に示すような形状にエッチン
グにて作製したが、形状、材質、板厚はこれに限定はさ
れない。本実施例においては、リードフレーム１１０
は、半導体素子の端子（パッド）にボンデイングワイヤ
にて電気的に接続するためのインナーリード１１２と、
該インナーリード１１２に一体的に連結して外部回路と
電気的接続を行うための外部端子１１３と、外部端子１
１３に配線部（リード）１１５により一体的に接続され
てリードフレーム全体を固定する、樹脂封止の際のダム
バーとなる外周部に設けた外枠部（ダムバー）１１４と
を略平面的に設けており、半導体素子を搭載するための
ダイパッドを持たないものであり、外部端子１１３をリ
ードフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、インナ
ーリード１１２をその一方の面をリードフレーム素材面
としてリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成し、
外枠部１１４をリードフレーム素材の厚さで形成してお
り、インナーリード１１２の素材面側でない面におい
て、インナーリード先端部を放熱板１２０に接着材を介
して固定され、且つ、固定部での厚さをほぼリードフレ
ーム素材の厚さとしてある。そして、リードフレーム１
１０の放熱板１２０側において、リードフレーム１１０
と放熱板１２０を接着材を介して保持基板１３０の一面
に貼りつけてある。放熱板１２０の素材はＣｕ系金属を
用いたが、これに限るものではない。インナーリード先
端部を放熱に固定する接着材はエポキシ系の材料を用い
たが、エポキシ系に限るものでなく、ポリイミド系、ア
クリル系等、耐熱絶縁性が高いものが使用できる。保持
基板１３０の構成は基材が厚さ５０μｍのポリイミドフ
ィルムで、接着剤層が厚さ２０μｍのエポキシ系接着の
ものを用いた。
【００２７】本実施例のリードフレーム部材の製造は、
上記実施例の半導体装置の製造方法における工程図１
（ａ）、図１（ｂ）により作製される。
上記実施例の半導体装置の製造方法における工程図１
（ａ）、図１（ｂ）により作製される。
【００２８】次に、上記図２に示す実施例の半導体装置
１００、および図３に示すリードフレーム部材１０５に
用いられたリードフレーム１１０の製造方法の１例を図
６に基づいて説明する。図６は、リードフレーム１１０
のエッチング加工方法を説明するための工程断面図であ
り、図４（ｂ）のＢ１−Ｂ２部の断面部における製造工
程図である。図６中、６１０はリードフレーム素材、６
２０Ａ、６２０Ｂはレジストパターン、６３０は第一の
開口部、６４０は第二の開口部、６５０は第一の凹部、
６６０は第二の凹部、６７０は平坦状面、６８０はエッ
チング抵抗層を示す。また、、１１２はインナーリー
ド、１１３は外部端子部である。先ず、銅合金からな
り、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素材６１０の
両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶性カゼ
インレジストを塗布した後、所定のパターン版を用い
て、所定形状の第一の開口部６３０、第二の開口部６４
０をもつレジストパターン６２０Ａ、６２０Ｂを形成す
る。（図６（ａ）） 第一の開口部６３０は、後のエッチング加工において外
部端子部の形状を形成するとともに、インナーリード形
成領域におけるリードフレーム素材６１０をこの開口部
からベタ状にリードフレーム素材よりも薄肉に腐蝕する
ためのもので、レジストの第二の開口部６４０は、イン
ナーリード部および外部端子部の形状を形成するための
ものである。次いで、液温５０°Ｃ、濃度４６ボーメの
塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ
2 にて、レジストパターンが形成されたリードフレーム
素材６１０の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に
腐蝕された第一の凹部６５０の深さｈがリードフレーム
部材の１／２に達した時点でエッチングを止める。（図
６（ｂ）） 上記第１回目のエッチングにおいては、リードフレーム
素材６１０の両面から同時にエッチングを行ったが、必
ずしも両面から同時にエッチングする必要はない。少な
くとも、インナーリード部形状を形成するための、所定
形状の開口部をもつレジストパターン６２０Ｂが形成さ
れた面側から腐蝕液によるエッチング加工を行い、腐蝕
されたインナーリード部形成領域において、所定量エッ
チング加工し止めることができれば良い。次いで、第一
の開口部６３０側の腐蝕された第一の凹部６５０にエッ
チング抵抗層６８０としての耐エッチング性のあるホッ
トメルト型ワックスを、ダイコータを用いて、塗布し、
ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部６５０に埋め
込んだ。レジストパターン６２０Ａ上も該エッチング抵
抗層６８０に塗布された状態とする。（図６（ｃ）） エッチング抵抗層６８０を、レジストパターン６２０Ａ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部６５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図６（ｃ）に
示すように、第一の凹部６５０とともに、第一の開口部
６３０側全面にエッチング抵抗層６８０を塗布する。使
用するエッチング抵抗層６８０は、アルカリ溶解型のワ
ックスであるが、基本的にエッチング液に耐性があり、
エッチング時にある程度の柔軟性のあるものが、好まし
く、特に、上記ワックスに限定されず、ＵＶ硬化型のも
のでも良い。このようにエッチング抵抗層６８０をイン
ナーリード先端部の形状を形成するためのパターンが形
成された面側の腐蝕された第一の凹部６５０に埋め込む
ことにより、後工程でのエッチング時に第一の凹部６５
０が腐蝕されて大きくならないようにしているととも
に、高精細なエッチング加工に対しての機械的な強度補
強をしており、スプレー圧を高く（２．５ｋｇ／ｃｍ2
以上）することができ、これによりエッチングが深さ方
向に進行し易くなる。この後、第２回目のエッチングを
行い、凹状に腐蝕された第二の凹部６６０形成面側から
リードフレーム素材６１０をエッチングし、貫通させ、
インナーリード１１２および外部端子部１１３を形成す
る。（図６（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、エッチング
形成面６７０は平坦であるが、この面を挟む２面はイン
ナーリード側にへこんだ凹状である。次いで、洗浄、エ
ッチング抵抗層６８０の除去、レジスト膜（レジストパ
ターン６２０Ａ、６２０Ｂ）の除去を行い、インナーリ
ード１１２および外部端子部１１３が加工された図１
（ａ）や図４に示すリードフレーム１１０を得る。エッ
チング抵抗層６８０とレジスト膜（レジストパターン６
２０Ａ、６２０Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液に
より溶解除去する。上記図６に示すエッチング加工方法
は、エッチングを２段階に分けて行うため、一般には２
段エッチング方法と呼ばれており、加工精度上では有利
な加工方法であるが、図６に示す方法の場合は、リード
フレーム素材を薄くしながら外形加工をする方法が採ら
れ、更に、微細加工を可能にしている。また、図６
（ｅ）に示すｔ0 に対するｔの割合を変えることによ
り、平坦性の良い所望のインナーリード幅Ｗ１、インナ
ーリードピッチｐを得ることができる。尚、図６に示す
加工方法は、本実施例に用いられるリードフレームの製
造方法の１例であり、これに限定されない。
１００、および図３に示すリードフレーム部材１０５に
用いられたリードフレーム１１０の製造方法の１例を図
６に基づいて説明する。図６は、リードフレーム１１０
のエッチング加工方法を説明するための工程断面図であ
り、図４（ｂ）のＢ１−Ｂ２部の断面部における製造工
程図である。図６中、６１０はリードフレーム素材、６
２０Ａ、６２０Ｂはレジストパターン、６３０は第一の
開口部、６４０は第二の開口部、６５０は第一の凹部、
６６０は第二の凹部、６７０は平坦状面、６８０はエッ
チング抵抗層を示す。また、、１１２はインナーリー
ド、１１３は外部端子部である。先ず、銅合金からな
り、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素材６１０の
両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶性カゼ
インレジストを塗布した後、所定のパターン版を用い
て、所定形状の第一の開口部６３０、第二の開口部６４
０をもつレジストパターン６２０Ａ、６２０Ｂを形成す
る。（図６（ａ）） 第一の開口部６３０は、後のエッチング加工において外
部端子部の形状を形成するとともに、インナーリード形
成領域におけるリードフレーム素材６１０をこの開口部
からベタ状にリードフレーム素材よりも薄肉に腐蝕する
ためのもので、レジストの第二の開口部６４０は、イン
ナーリード部および外部端子部の形状を形成するための
ものである。次いで、液温５０°Ｃ、濃度４６ボーメの
塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ
2 にて、レジストパターンが形成されたリードフレーム
素材６１０の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に
腐蝕された第一の凹部６５０の深さｈがリードフレーム
部材の１／２に達した時点でエッチングを止める。（図
６（ｂ）） 上記第１回目のエッチングにおいては、リードフレーム
素材６１０の両面から同時にエッチングを行ったが、必
ずしも両面から同時にエッチングする必要はない。少な
くとも、インナーリード部形状を形成するための、所定
形状の開口部をもつレジストパターン６２０Ｂが形成さ
れた面側から腐蝕液によるエッチング加工を行い、腐蝕
されたインナーリード部形成領域において、所定量エッ
チング加工し止めることができれば良い。次いで、第一
の開口部６３０側の腐蝕された第一の凹部６５０にエッ
チング抵抗層６８０としての耐エッチング性のあるホッ
トメルト型ワックスを、ダイコータを用いて、塗布し、
ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部６５０に埋め
込んだ。レジストパターン６２０Ａ上も該エッチング抵
抗層６８０に塗布された状態とする。（図６（ｃ）） エッチング抵抗層６８０を、レジストパターン６２０Ａ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部６５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図６（ｃ）に
示すように、第一の凹部６５０とともに、第一の開口部
６３０側全面にエッチング抵抗層６８０を塗布する。使
用するエッチング抵抗層６８０は、アルカリ溶解型のワ
ックスであるが、基本的にエッチング液に耐性があり、
エッチング時にある程度の柔軟性のあるものが、好まし
く、特に、上記ワックスに限定されず、ＵＶ硬化型のも
のでも良い。このようにエッチング抵抗層６８０をイン
ナーリード先端部の形状を形成するためのパターンが形
成された面側の腐蝕された第一の凹部６５０に埋め込む
ことにより、後工程でのエッチング時に第一の凹部６５
０が腐蝕されて大きくならないようにしているととも
に、高精細なエッチング加工に対しての機械的な強度補
強をしており、スプレー圧を高く（２．５ｋｇ／ｃｍ2
以上）することができ、これによりエッチングが深さ方
向に進行し易くなる。この後、第２回目のエッチングを
行い、凹状に腐蝕された第二の凹部６６０形成面側から
リードフレーム素材６１０をエッチングし、貫通させ、
インナーリード１１２および外部端子部１１３を形成す
る。（図６（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、エッチング
形成面６７０は平坦であるが、この面を挟む２面はイン
ナーリード側にへこんだ凹状である。次いで、洗浄、エ
ッチング抵抗層６８０の除去、レジスト膜（レジストパ
ターン６２０Ａ、６２０Ｂ）の除去を行い、インナーリ
ード１１２および外部端子部１１３が加工された図１
（ａ）や図４に示すリードフレーム１１０を得る。エッ
チング抵抗層６８０とレジスト膜（レジストパターン６
２０Ａ、６２０Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液に
より溶解除去する。上記図６に示すエッチング加工方法
は、エッチングを２段階に分けて行うため、一般には２
段エッチング方法と呼ばれており、加工精度上では有利
な加工方法であるが、図６に示す方法の場合は、リード
フレーム素材を薄くしながら外形加工をする方法が採ら
れ、更に、微細加工を可能にしている。また、図６
（ｅ）に示すｔ0 に対するｔの割合を変えることによ
り、平坦性の良い所望のインナーリード幅Ｗ１、インナ
ーリードピッチｐを得ることができる。尚、図６に示す
加工方法は、本実施例に用いられるリードフレームの製
造方法の１例であり、これに限定されない。
【００２９】
【効果】本発明の上記のように、一層の多端子化、高密
度化、高放熱性に対応でき、且つ、簡単な構造のリード
フレームをコア材としたＢＧＡタイプの表面実装型半導
体装置の製造方法と該製造方法により作製された表面実
装型半導体装置の提供を可能としている。
度化、高放熱性に対応でき、且つ、簡単な構造のリード
フレームをコア材としたＢＧＡタイプの表面実装型半導
体装置の製造方法と該製造方法により作製された表面実
装型半導体装置の提供を可能としている。
【図１】実施例の表面実装型半導体装置の製造方法の工
程図
程図
【図２】実施例の表面実装型半導体装置の断面図および
平面図
平面図
【図３】実施例のリードフレーム部材を示した図
【図４】実施例の表面実装型半導体装置の製造方法にて
使用されたリードフレームの概略図
使用されたリードフレームの概略図
【図５】放熱板の形状を説明するための図
【図６】リードフレームの作製方法を説明するための図
【図７】従来のＢＧＡを説明するための図
【図８】従来のリードフレームをコア材としたＢＧＡを
説明するための図
説明するための図
【図９】従来のリードフレームの製造方法
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置と単層リードフ
レームを説明するための図
レームを説明するための図
１００ 表面実装型半導体装置 １０５ リードフレーム部材 １１０ リードフレーム １１２ インナーリード １１２Ａ インナーリード先端 １１２Ｓ リードフレーム素材面 １１３ 外部端子 １１３Ｓ リードフレーム素材面 １１４ 外枠部（ダムバー） １１５ 配線部 １１６ 吊りバー １１７ 第二の枠部（フレー
ム） １２０ 放熱板 １３０ 保持基板 １４０ 半導体素子 １４１ 端子（バンプ） １５０ ボンディングワイヤ １６０ 金型 １６１ キヤビティー １７０ 封止用樹脂 １８０ 外部電極 １９０、１９１ 接着材 ６１０ リードフレーム素材 ６２０Ａ、６２０Ｂ レジストパターン ６３０ 第一の開口部 ６４０ 第二の開口部 ６５０ 第一の凹部 ６６０ 第二の凹部 ６７０ 平坦状面 ６８０ エッチング抵抗層 ７０１ 半導体素子 ７０２ 基材 ７０３ モールドレジン ７０４、７０４Ａ 配線 ７０５ ダイパッド ７０８ ボンデイングワイヤ ７０６ 外部接続端子 ７１８ めっき部 ７５０ スルーホール ７５１ 熱伝導ビア ８００、８００Ａ 半導体装置 ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１４ 外部端子部 ８２０ 半導体素子 ８２１ 半導体素子の端子 ８４０ 封止用樹脂 ８５０ 外部端子電極（半田ボ
ール） ８６０ 絶縁フィルム ９１０ リードフレーム素材 ９２０ フオトレジスト ９３０ レジストパターン ９４０ インナーリード １０００ 半導体装置 １０１０ （単層）リードフレーム １０１１ ダイパッド １０１２ インナーリード １０１３ アウターリード １０１４ ダムバー １０１５ フレーム（枠）部 １０２０ 半導体素子 １０２１ 電極部（パッド） １０３０ ワイヤ １０４０ 封止樹脂
ム） １２０ 放熱板 １３０ 保持基板 １４０ 半導体素子 １４１ 端子（バンプ） １５０ ボンディングワイヤ １６０ 金型 １６１ キヤビティー １７０ 封止用樹脂 １８０ 外部電極 １９０、１９１ 接着材 ６１０ リードフレーム素材 ６２０Ａ、６２０Ｂ レジストパターン ６３０ 第一の開口部 ６４０ 第二の開口部 ６５０ 第一の凹部 ６６０ 第二の凹部 ６７０ 平坦状面 ６８０ エッチング抵抗層 ７０１ 半導体素子 ７０２ 基材 ７０３ モールドレジン ７０４、７０４Ａ 配線 ７０５ ダイパッド ７０８ ボンデイングワイヤ ７０６ 外部接続端子 ７１８ めっき部 ７５０ スルーホール ７５１ 熱伝導ビア ８００、８００Ａ 半導体装置 ８１０ リードフレーム ８１１ ダイパッド ８１２ インナーリード ８１４ 外部端子部 ８２０ 半導体素子 ８２１ 半導体素子の端子 ８４０ 封止用樹脂 ８５０ 外部端子電極（半田ボ
ール） ８６０ 絶縁フィルム ９１０ リードフレーム素材 ９２０ フオトレジスト ９３０ レジストパターン ９４０ インナーリード １０００ 半導体装置 １０１０ （単層）リードフレーム １０１１ ダイパッド １０１２ インナーリード １０１３ アウターリード １０１４ ダムバー １０１５ フレーム（枠）部 １０２０ 半導体素子 １０２１ 電極部（パッド） １０３０ ワイヤ １０４０ 封止樹脂
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ａ
Claims (5)
- 【請求項１】 リードフレームを用いたＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、少なくと
も、（Ａ）半導体素子の端子にボンデイングワイヤにて
電気的に接続するためのインナーリードと、該インナー
リードに一体的に連結して外部回路と電気的接続を行う
ための外部端子と、外部端子に配線部により一体的に接
続されてリードフレーム全体を固定する、樹脂封止の際
のダムバーとなる外周部に設けた外枠とを略平面的に設
け、且つ、半導体素子を搭載するためのダイパッドを持
たないリードフレームで、外部端子をリードフレーム素
材の厚さで、二次元的に配列し、インナーリードの先端
を含むインナーリードをその一方の面をリードフレーム
素材面としてリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形
成し、外枠部をリードフレーム素材の厚さで形成してい
るリードフレームを用いて、インナーリードの素材面側
でない面において、インナーリード先端部を放熱板に接
着材を介して固定する工程と、（Ｂ）リードフレーム
の、放熱板側全体を保持基板に接着材を介して貼り付け
る工程と、（Ｃ）インナーリードのリードフレーム素材
面側のダイパッド面上に半導体素子を搭載し、該半導体
素子の端子とインナーリード先端とをボンディングワイ
ヤにて電気的に接続する工程と、（Ｄ）リードフレーム
の外枠部より内側の領域全体を、半導体素子側から、半
導体素子全体とリードフレームとを封止用樹脂と保持基
板にて密封するように、封止用樹脂にて封止する工程
と、（Ｅ）封止用樹脂による封止後、保持基板を剥離す
る工程と、（Ｆ）リードフレームの外枠部を除去する工
程と、（Ｇ）露出した外部端子の面上に半田ボールから
なる外部電極を設ける工程とを有することを特徴とする
表面実装型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、リードフレームの半
導体素子搭載側のインナーリード先端のワイヤボンディ
ング面、封止用樹脂より露出した外部端子の表面には、
めっき処理がなされていることを特徴とする表面実装型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、保持基板
は、基材がポリイミドで、接着剤がエポキシ系接着剤で
あり、加熱圧着されリードフレームおよび放熱板に貼り
付けられることを特徴とする表面実装型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 リードフレームを用いたＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置であって、リードフレームは、少
なくとも、放熱板と、半導体素子の端子（パッド）にボ
ンデイングワイヤにて電気的に接続するためのインナー
リードと、該インナーリードに一体的に連結して外部回
路と電気的接続を行うための外部端子とを略平面的に設
けたもので、外部端子をリードフレーム素材の厚さで、
二次元的に配列し、インナーリードをその一方の面をリ
ードフレーム素材面としてリードフレーム素材の厚さよ
りも薄肉に形成しており、インナーリードの素材面側で
ない面において、インナーリード先端部を接着材を介し
て放熱板に固定しており、半導体素子は、インナーリー
ドのリードフレーム素材面側の放熱板上に搭載され、イ
ンナーリードのリードフレーム素材面とボンディングワ
イヤにて電気的に接続されており、且つ、該外部端子の
外側面上に設けた半田ボールからなる外部電極を外部に
突出させるようにして、リードフレームの両側から、半
導体素子全体とリードフレーム部を樹脂封止しているこ
とを特徴とする表面実装型半導体装置。 - 【請求項５】 少なくとも、外形加工されたダイパッド
を持たないリードフレームと、リードフレームとは別体
で、半導体素子をその一面上に接着材（接合材）を介し
て搭載し、且つ半導体装置を作製した際に放熱機能を呈
する放熱板と、前記リードフレームおよび放熱板を保持
する保持基板とを備えたリードフレーム部材であって、
リードフレームは、半導体素子の端子（パッド）にボン
デイングワイヤにて電気的に接続するためのインナーリ
ードと、該インナーリードに一体的に連結して外部回路
と電気的接続を行うための外部端子と、外部端子に配線
部（リード）により一体的に接続されてリードフレーム
全体を固定する、樹脂封止の際のダムバーとなる外周部
に設けた外枠とを略平面的に設け、且つ、半導体素子を
搭載するためのダイパッドを持たないもので、外部端子
をリードフレーム素材の厚さで、二次元的に配列し、イ
ンナーリードの先端を含むインナーリードをその一方の
面をリードフレーム素材面としてリードフレーム素材の
厚さよりも薄肉に形成し、外枠部をリードフレーム素材
の厚さで形成しており、インナーリードの素材面側でな
い面において、インナーリード先端部を放熱板に接着材
を介して固定され、リードフレームの放熱板側におい
て、リードフレームと放熱板を接着材を介して保持基板
の一面に貼りつけてあることを特徴とするリードフレー
ム部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22465696A JP3585660B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 表面実装型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22465696A JP3585660B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 表面実装型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056122A true JPH1056122A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3585660B2 JP3585660B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=16817151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22465696A Expired - Fee Related JP3585660B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 表面実装型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3585660B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563209B1 (en) | 1999-09-06 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
| US7378722B2 (en) | 1999-11-10 | 2008-05-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device |
| JP2012165029A (ja) * | 2000-03-13 | 2012-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 回路部材の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP22465696A patent/JP3585660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563209B1 (en) | 1999-09-06 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
| US7378722B2 (en) | 1999-11-10 | 2008-05-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device |
| US7479412B2 (en) | 1999-11-10 | 2009-01-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device |
| JP2012165029A (ja) * | 2000-03-13 | 2012-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 回路部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3585660B2 (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4549491B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3947750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH098206A (ja) | リードフレームおよびｂｇａタイプの樹脂封止型半導体装置 | |
| KR101604154B1 (ko) | 리드 프레임 기판과 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| KR19980081036A (ko) | 수지봉지형 반도체 장치와 그것에 사용되는 회로부재 및 수지봉지형 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH098207A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001024135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09307043A (ja) | リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 | |
| JPH09246427A (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置 | |
| JP3529915B2 (ja) | リードフレーム部材及びその製造方法 | |
| JP2000332162A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11163024A (ja) | 半導体装置とこれを組み立てるためのリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000114426A (ja) | 片面樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| JP3585660B2 (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JPH1041432A (ja) | リードフレーム部材および表面実装型半導体装置 | |
| JPH09116045A (ja) | リードフレームを用いたｂｇａタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2009283948A (ja) | 回路部材および回路部材の製造方法 | |
| JP5092424B2 (ja) | リードフレーム、およびその製造方法 | |
| JP4137981B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI387080B (zh) | 四方扁平無引腳之半導體封裝結構及封裝方法 | |
| JP3992877B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3576228B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH10200010A (ja) | 表面実装型半導体装置用のリードフレーム部材および該リードフレーム部材を用いた表面実装型半導体装置 | |
| JP4351327B2 (ja) | リードフレーム部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム部材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040707 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040804 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110813 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110813 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120813 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120813 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |