KR20020017817A - 비피에스지의 리플로우에 따른 패턴의 이동을 방지할 수있는 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 미세 소자 제조 방법에 있어서,하부구조 형성이 완료된 기판 상에 BPSG 리플로우 온도에서 유동하지 않는 물질로 층간절연을 위한 절연막을 형성하는 제1 단계;상기 절연막 상에 평탄화를 위한 제1 BPSG막을 증착 및 리플로우하는 제2 단계;상기 제1 BPSG막을 선택적으로 식각하여 전도막 패턴과 접할 상기 절연막 부분을 노출시키는 개구부를 형성하는 제3 단계; 및상기 개구부 내에 전도막 패턴을 형성하는 제4 단계를 포함하는 미세 소자 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 BPSG막의 리플로우 온도는 700 ℃ 내지 1000 ℃ 온도인 것을 특징으로 하는 미세 소자 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제4 단계 후,상기 제4 단계가 완료된 전체 구조 상에 제2 BPSG막을 증착 및 리플로우하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 소자 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연막은 TEOS막 또는 O3계 TEOS막인 것을 특징으로 하는 미세 소자 제조 방법.
- 셀 영역과 주변회로 영역을 구비하는 반도체 소자 제조 방법에 있어서,하부구조 형성이 완료된 반도체 기판 상에 BPSG 리플로우 온도에서 유동하지 않는 물질로 층간절연을 위한 절연막을 형성하는 제1 단계;상기 절연막 상에 평탄화를 위한 제1 BPSG막을 증착 및 리플로우하는 제2 단계;상기 제1 BPSG막을 선택적으로 식각하여 전도막 패턴과 접할 상기 절연막 부분을 노출시키는 개구부를 형성하는 제3 단계; 및상기 개구부 내에 전도막 패턴을 형성하는 제4 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 BPSG막의 리플로우 온도는 700 ℃ 내지 1000 ℃ 온도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 개구부는 주변회로 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제4 단계 후,상기 제4 단계가 완료된 전체 구조 상에 제2 BPSG막을 증착 및 리플로우하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 절연막은 TEOS막 또는 O3계 TEOS막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
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