KR20020013701A - 실리콘 제어 정류를 이용한 정전 방전 보호 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 반도체 장치에 있어서,제1도전형의 기판과,상기 기판에 형성된 제2도전형의 반도체 영역과,상기 기판에 형성된 상기 제1도전형의 제1영역과,상기 기판에 형성된 상기 제2도전형의 제2영역과,상기 상기 기판과 상기 반도체 영역사이의 경계면으로부터 소정거리 이격되어 상기 반도체 영역에 형성된 상기 제1도전형의 제3영역과,상기 반도체 영역에 형성된 상기 제1도전형의 제4영역과,상기 반도체 영역에 형성된 상기 제2도전형의 제5영역을 구비하며,상기 제1영역 및 상기 제2영역이 제1터미널에 공통으로 연결되고, 상기 제4영역 및 상기 제5영역이 제2터미널에 공통으로 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2영역과 상기 제3영역사이의 표면의 상부에 형성되며 상기 제1터미널에 연결된 게이트 층을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치 .
- 제1항에 있어서,상기 반도체 영역과는 이격되어 상기 기판에 형성된 상기 제2도전형의 제6영역을 더 구비하며, 상기 제1영역 및 제3영역이 도전성 물질을 통하여 상기 제3영역과 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서,상기 제2영역과 상기 제6영역사이의 표면의 상부에 형성되며 상기 제1터미널에 연결된 게이트 층을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서,상기 제6영역에 인접하여 상기 기판에 형성된 상기 제1도전형의 제7영역을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 반도체 영역과 상기 제1 및 제2영역으로부터 이격되어 상기 기판에 형성된 상기 제1도전형의 제6영역을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,제1도전형의 반도체 기판과,상기 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 반도체 영역과,상기 기판에 형성된 상기 제1도전형의 제1영역과,상기 기판에 형성된 상기 제2도전형의 제2영역과,상기 기판과 상기 반도체 영역 사이의 경계면으로부터 소정 거리 이격되너 상기 기판에 형성된 제1도전형의 제3영역과,상기 반도체 영역에 형성된 상기 제1도전형의 제4영역과,상기 반도체 영역에 형성된 제2도전형의 제5영역을 구비하여,상기 제1영역이 제1터미널에 연결되고, 상기 제2영역이 제2터미널에 연결되고, 상기 제4영역 및 상기 제5영역이 제3터미널에 공통으로 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제1터미널이 상기 제2터미널에 연결됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제3영역과 상기 제4영역사이의 표면 상부에 형성되어 도전성 물질을 통하여 상기 제3터미널에 연결된 게이트 층을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서,상기 반도체 영역과 상기 기판사이의 경계면과 상기 제4 및 제5영역으로부터 이격되어 상기 반도체 영역에 형성되고 상기 제3영역에 연결된 상기 제1도전형의제6영역을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제10항에 있어서,상기 제4영역과 상기 제6영역 사이의 표면 상부에 형성되고 도전성 물질을 통하여 상기 제3터미널에 연결된 게이트 층을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제10항에 있어서,상기 제6영역에 인접하여 상기 반도체 영역에 형성된 제2도전형의 제7영역을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,제1도전형의 반도체 기판과,상기 기판에 형성된 제2도전형의 제1웰과,상기 제1웰에 형성된 제1도전형의 제1영역과,상기 제1영역과 함께 제1터미널에 연결되어 상기 제1웰에 형성된 제2도전형의 제2영역과,상기 제1웰과는 이격되어 상기 기판에 형성된 제2도전형의 제2웰과,상기 제2웰에 형성된 상기 제2도전형의 제3영역과,상기 제3영역과 함께 제2터미널에 연결되어 상기 제2웰에 형성된 상기 제1도전형의 제4영역을 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제1터미널이 전원전압터미널이고 상기 제2터미널이 입출력 신호 터미널임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제1터미널이 접지전압 터미널이고 상기 제2터미널이 입출력 신호 터미널임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제13항에 있어서,상기 기판과 상기 제1웰에 걸쳐 형성된 제5영역과,상기 제5영영과 동일한 도전형을 가지며 상기 기판과 상기 제2웰에 걸쳐 형성된 제6영역을 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제16항에 있어서,상기 제5영역 및 상기 제6영역이 제1도전형임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제16항에 있어서,상기 제5영역 및 상기 제6영역이 제2도전형임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,제1도전형의 반도체 기판과,상기 기판에 형성된 제2도전형의 제1웰과,상기 제1웰에 형성된 제1도전형의 제1영역과,상기 제1영역과 함께 제1터미널에 연결되어 상기 제1웰에 형성된 제2도전형의 제2영역과,상기 제1웰과는 이격되어 상기 기판에 형성된 제2도전형의 제2웰과,상기 제2웰에 형성된 상기 제2도전형의 제3영역과,상기 제3영역과 함께 제2터미널에 연결되어 상기 제2웰에 형성된 상기 제2도전형의 제4영역과,상기 기판과 상기 제1웰사이의 제1경계면로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제1웰에 형성된 제2도전형의 제5영역과,상기 상기 기판과 상기 제2웰사이의 제2경계면으로부터 소정 거리만큼 이격되어 상기 제2웰에 형성된 제2도전형의 제6영역을 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제19항에 있어서,상기 제1터미널이 전원전압 터미널이고 상기 제2터미널이 입출력 신호 터미널임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제19항에 있어서,상기 제1터미널이 접지전압 터미널이고 상기 제2터미널이 입출력 신호 터미널임을 특징으로 하는 반도체 장치.
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