KR20020005601A - 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020005601A
KR20020005601A KR1020017010928A KR20017010928A KR20020005601A KR 20020005601 A KR20020005601 A KR 20020005601A KR 1020017010928 A KR1020017010928 A KR 1020017010928A KR 20017010928 A KR20017010928 A KR 20017010928A KR 20020005601 A KR20020005601 A KR 20020005601A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
sealing
resin
wiring circuit
circuit board
Prior art date
Application number
KR1020017010928A
Other languages
English (en)
Inventor
하라다다다아키
다키히데아키
호소카와도시츠구
Original Assignee
가마이 고로
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP11212070A external-priority patent/JP2000309683A/ja
Priority claimed from JP11212068A external-priority patent/JP2000309681A/ja
Priority claimed from JP11212069A external-priority patent/JP2000309682A/ja
Priority claimed from JP24051199A external-priority patent/JP4286399B2/ja
Application filed by 가마이 고로, 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 가마이 고로
Publication of KR20020005601A publication Critical patent/KR20020005601A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, (C) 잠재성 경화 촉진제 및 (D) 무기질 충전제를 함유하고, 그 점도가 25℃에서 7000poise 이상이고 80℃에서 5000poise 이하인 반도체 밀봉용 수지 조성물에 관한 것이다. 이는 내습 신뢰성 및 저장 안정성이 뛰어남과 동시에 토출 안정성 및 도포 작업성도 탁월하다.

Description

반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법{RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
종래부터, TAB(Tape Automated Bonding), COB(Chip On Board) 등에 있어서의 반도체 밀봉에는 액상 밀봉제가 사용되고 있다. 또한, 상기 액상 밀봉제는 실온(25℃)에서 사용되어 디스펜서, 인쇄 등에 의해 반도체 소자를 수지 밀봉함으로써 반도체가 제조된다. 이러한 액상 밀봉제로는 일반적으로 액상의 에폭시 수지, 산 무수물계 경화제, 보통의 경화 촉진제 및 실리카 분말을 함유하는 에폭시 수지 조성물이 알려져 있다.
그러나, 상기 액상 밀봉제는 경화제로서 산 무수물계 경화제를 사용하기 때문에, 밀봉제의 액상화가 용이하고 토출 및 도포 작업성이 양호하지만, 내습하에서의 흡습율이 높아져서 내습 신뢰성이 뒤떨어진다는 문제가 생긴다. 또한, 상기 액상 밀봉제는 실온에서 액상이기 때문에 저장 안정성이 나쁘고, 실온 저장시 점도가 크게 상승하거나 실리카 분말이 침강하기 때문에 수지를 동결 고형화하는 등의 특별한 저장 수단을 고려할 필요가 있다.
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 볼 수 있는 바와 같이, 내습 신뢰성 및 저장 안정성이 뛰어남과 동시에 토출 및 도포 작업성도 뛰어난 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명의 개시
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, (C) 잠재성 경화 촉진제 및 (D) 무기질 충전제를 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물로서, 점도가 25℃에서 7000poise 이상이고, 80℃에서 5000poise 이하인 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제 1 의 요지로 한다.
또한, 본 발명은 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재되고, 상기 배선 회로 기판과 상기 반도체 소자 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉하는 반도체 장치로서, 상기 밀봉 수지층이 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성되는 반도체 장치를 제 2 의 요지로 한다.
또한, 본 발명은, 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재되고, 상기 배선 회로 기판과 상기 반도체 소자 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉되는 반도체 장치의 제조방법으로서, 상기 배선 회로 기판과 상기 반도체 소자 사이의 공극에 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 충전한 후 경화시킴으로써 상기 밀봉 수지층을 형성하는 반도체 장치의 제조방법을 제 3 의 요지로 한다.
또한, 배선 회로 기판면상에 반도체 소자가 탑재되고, 배선 회로 기판과 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 반도체 소자를 내장하도록 반도체 소자의 주위를 밀봉 수지층에 의해 밀봉하는 반도체 장치로서, 상기 밀봉층이 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성되는 반도체 장치를 제 4 의 요지로 한다.
그리고, 배선 회로 기판면상에 반도체 소자가 탑재되고, 배선 회로 기판과 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 반도체 소자를 내장하도록 반도체 소자의 주위를 밀봉 수지층에 의해 밀봉하는 반도체 장치의 제조방법으로서, 상기 배선 회로 기판면상에 반도체 소자를 탑재하여 배선 회로 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속한 후, 상기 반도체 소자 탑재면측의 배선 회로 기판상에 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 경화시킴으로써 상기 밀봉 수지층을 형성하는 반도체 장치의 제조방법을 제 5 의 요지로 한다.
또한, 설치용 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 수지 밀봉층이 형성된 반도체가, 그 자체의 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로 탑재되고, 상기 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉되는 반도체 제품으로서, 상기 밀봉 수지층이 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성되는 반도체 제품을 제 6 의 요지로 한다.
그리고, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을, 상기 돌기상 전극부의 적어도 선단부를 상기 수지층으로부터 노출하도록 형성하는 공정, 및 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 소자로 절단하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법을 제 7 의 요지로 한다.
또한, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 복수개의 반도체 소자 전체상에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 반도체 소자를 내장하도록 수지층을 형성하는 공정, 및 상기 반도체 소자를 내장하도록 수지층이 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판을 수지층과 동시에 개개의 반도체 소자마다 절단하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법을 제 8 의 요지로 한다.
또한, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을 형성하는 공정; 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 소자로 절단하는 공정; 및 상기 절단된 반도체 소자의 수지층 형성면과 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 배선 회로 기판과 반도체 소자를 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법을 제 9 의 요지로 한다.
그리고, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판면에 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정; 상기 수지층이 형성된 배선 회로 기판을 개개의 배선 회로 기판으로 절단하는 공정; 및 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과 절단된 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 반도체 소자와 배선 회로 기판을 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법을 제 10 의 요지로 한다.
즉, 본 발명자는 내습 신뢰성 및 저장 안정성이 뛰어남과 동시에, 토출 및 도포 작업성도 뛰어난 밀봉 재료를 수득하기 위해서 일련의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 에폭시 수지, 페놀 수지, 잠재성 경화 촉진제 및 무기질 충전제를 함유하면서 25℃ 및 80℃의 각 온도에 있어서 특정한 점도를 갖는 수지 조성물을 사용하면, 소기의 목적을 달성할 수 있음을 발견하여 표제 본 발명에 도달하였다.
그리고, 상기 잠재성 경화 촉진제로서, 특정한 쉘부(shell portion)에서 경화 촉진제로 이루어진 코어부가 피복된 코어/쉘 구조를 갖는 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하는 경우, 그것을 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물은 사용가능한 시간이 매우 길어지고 저장 안정성이 특히 뛰어나다는 이점이 있다.
또한, 무기질 충전제로서 구상 용융 실리카 분말을 사용하고, 이것이 반도체밀봉용 수지 조성물 전체중에 특정한 비율로 함유되어 있는 경우에는, 유동성이 뛰어나고, 토출 및 도포 작업성이 특히 뛰어나다는 이점이 있다.
본 발명은 에폭시 수지계의 밀봉제로서, 80℃ 이하의 비교적 저온하에서 저점도를 나타내며, 특히 토출 및 도포 작업성이 뛰어날 뿐만 아니라, 저장 안정성이 뛰어난 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
하기에서 본 발명의 실시 형태에 관해 자세히 설명한다.
본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물은, 에폭시 수지(A 성분), 페놀 수지(B 성분), 잠재성 경화 촉진제(C 성분) 및 무기질 충전제(D 성분)를 사용하여 수득되는 것으로서, 25℃ 및 80℃의 각 온도에서 각각의 특정한 점도를 갖는 것이다.
그리고, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물에 있어서는, 그 필수 구성성분인 에폭시 수지(A 성분)와 페놀 수지(B 성분)의 성질에 의해 3가지의 태양으로 크게 구별할 수 있다. 제 1 태양은 에폭시 수지(A 성분)로서 액상 에폭시 수지(A1) 및 페놀 수지(B 성분)로서 고형 페놀 수지(Bl)를 사용하는 태양이고, 제 2 태양은 에폭시 수지(A 성분)로서 고형 에폭시 수지(A2) 및 페놀 수지(B 성분)로서 액상 페놀 수지(B2)를 사용하는 태양이고, 제 3 태양은 에폭시 수지(A 성분)로서 고형 에폭시 수지(A3) 및 페놀 수지(B 성분)로서 고형 페놀 수지(B3)를 사용하는 태양이다. 나머지의 잠재성 경화 촉진제(C 성분), 무기질 충전제(D 성분) 및 이들 이외의 다른 첨가제에 관해서는 상기 3가지 태양과 공통인 것이 사용된다.
우선, 제 1 태양은 에폭시 수지(A 성분)로서 액상 에폭시 수지(A1) 및 페놀 수지(B 성분)로서 고형 페놀 수지(B1)를 사용하는 반도체 밀봉용 수지 조성물에 관한 것이다.
상기 액상 에폭시 수지(Al)로서는 25℃에서 액상을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예컨대, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 알릴화 비스페놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상과 함께 사용된다. 또한, 상기 액상 에폭시 수지(A1 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 액상을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 에폭시 수지 성분으로서 25℃에서 액상을 나타내는 것들도 포함하는 의미이다.
그리고, 상기 액상 에폭시 수지로서는, 에폭시 당량이 110 내지 220 g/eq인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 에폭시 당량이 140 내지 200 g/eq인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고형 페놀 수지(B1 성분)로서는, 상기 액상 에폭시 수지(A1 성분)의 경화제로서 작용하는 것으로, 25℃에서 고형을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 페놀 수지를 사용할 수 있지만, 초기의 목적을 손상하지 않는 범위내에 속한다면, 테트라하이드로무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 메틸헥사하이드로무수프탈산, 무수프탈산 등의 산 무수물계 경화제, 또는 아민류, 프탈산류를 병용할 수 있다. 상기 고형 페놀 수지(B1 성분)로서는 예를 들면 다작용성 고형 페놀 수지, 비스페놀 수지, 나프탈렌형 페놀 수지, 페놀노볼락 수지, 트리페닐메탄형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 여기에서, 다작용성 고형 페놀 수지라는 것은, 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 방향족환을 하나 이상 갖고, 또한 1분자중의 페놀성 수산기의 총수가 3개 이상이며, 더구나 방향족환을 적어도 1분자중에 2개 이상 갖는 고형 페놀 수지를 말한다. 이러한 다작용성 고형 페놀 수지로서는 예를 들면 3작용성 고형 페놀 수지, 4작용성 고형 페놀 수지, 5작용성 고형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또, 다작용성 고형 페놀 수지를 사용하는 경우는, 수평균 분자량 450 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 상기 고형 페놀 수지(B1 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 고형을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 페놀 수지 성분으로서 25℃에서 고형을 나타내는 것도 포함하는 의미이다.
상기 고형 페놀 수지(B1 성분)중 3작용성 고형 페놀 수지로서는 예를 들면 하기 화학식 2로 표시되는 구조의 페놀 수지, 하기 화학식 3으로 표시되는 구조의 페놀 수지 등을 들 수 있다:
상기 식에서,
R3내지 R7은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 식에서,
R3내지 R7은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 상기 고형 페놀 수지(B1 성분)중 4작용성 고형 페놀 수지로서는 예를 들면 하기 화학식 4로 표시되는 구조의 페놀 수지, 하기 화학식 5로 표시되는 구조의 페놀 수지 등을 들 수 있다:
상기 식에서,
R3내지 R7은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 식에서,
R3내지 R10은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 상기 고형 페놀 수지(B1 성분)중 5작용성 고형 페놀 수지로서는 예컨대 하기 화학식 6으로 표시되는 구조의 페놀 수지 등을 들 수 있다:
상기 식에서,
R3내지 R10은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
그리고, 상기 고형 페놀 수지로서는, 수산기 당량이 30 내지 260 g/eq이고 연화점이 40 내지 100℃ 또는 융점이 50 내지 210℃인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 수산기 당량이 50 내지 110 g/eq이고 연화점이 60 내지 90℃ 또는 융점이 70 내지 190℃인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 연화점은 JIS K7243에따라 측정할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지(A1 성분)와 고형 페놀 수지(B1 성분)의 배합 비율은 상기 에폭시 수지중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지중의 수산기가 0.6 내지 1.4당량이도록 배합하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 0.7 내지 1.1당량이다.
제 1 태양에 있어서, 상기 액상 에폭시 수지(A1 성분)와 고형 페놀 수지(B1 성분)의 조합에 있어서는, 예를 들면 비스페놀 F형 에폭시 수지와 다작용성 페놀 수지를 조합하여 사용하는 것이, 유동성, 내열성 또는 경화성의 점에서 바람직하다.
또한, 제 2 태양은, 에폭시 수지(A 성분)로서 고형 에폭시 수지(A2 성분) 및 페놀 수지(B 성분)로서 액상 페놀 수지(B2 성분)를 사용하는 반도체 밀봉용 수지 조성물에 관한 것이다.
상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)로서는, 25℃에서 고형을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예컨대, 다작용성 고형 에폭시 수지, 결정성 에폭시 수지, 2작용성 고형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 여기에서, 다작용성 고형 에폭시 수지라는 것은, 1분자중의 에폭시기의 총수가 3개 이상인 고형 에폭시 수지를 말한다. 이러한 다작용성 에폭시 수지로서는 예컨대 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 결정성 에폭시 수지라는 것은, X선 회절에 의해 다수의 결정의 피크가 나타나는 고형 에폭시 수지이고, 물리적으로는 날카로운 융점을 나타내며, 또한용융시에는 분자간 상호작용이 거의 없어지기 때문에 극단적으로 점도가 저하하는 성질을 갖는 것을 말한다. 이러한 결정성 에폭시 수지로서는 예를 들면 비스페놀형, 비페닐형, 스틸벤형 등을 들 수 있다. 또한, 상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 고형을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 에폭시 수지 성분으로서 25℃에서 고형을 나타내는 것도 또한 포함하는 의미이다.
상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)중 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지로서는, 예를 들면 시판중인 상품명 EXA-4701(다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 등이 있다. 또한, 상기 EXA-4701은 하기 화학식 7로 표시된다:
또한, 상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)중 트리페닐메탄형 에폭시 수지로서는 예컨대 시판중인 상품명 EPPN-501HY(니폰 가야쿠 캄파니 리미티드, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 등이 있다. 또한 상기 EPPN-501HY는 하기 화학식 8로 표시된다:
상기 식에서,
n은 0 또는 양의 정수를 나타낸다.
그리고, 상기 고형 에폭시 수지로서는, 에폭시 당량이 140 내지 250 g/eq이고 연화점이 50 내지 100℃ 또는 융점이 45 내지 150℃인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 에폭시 당량이 150 내지 220 g/eq이고 연화점이 60 내지 80℃ 또는 융점이 50 내지 130℃인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)와도 사용되는 액상 페놀 수지(B2 성분)로서는, 상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)의 경화제로서 작용하는 것으로, 25℃에서 액상을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 페놀 수지를 사용할 수 있다. 예컨대, 알릴화 페놀노볼락, 디아릴화 비스페놀 A, 아세틸화 페놀, 디아릴비스페놀 F 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 또, 상기 액상 페놀 수지(B2 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 액상을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 페놀 수지 성분으로서 25℃에서 액상을 나타내는 것도 포함하는 의미이다.
그리고, 상기 액상 페놀 수지로서는 수산기 당량이 80 내지 200 g/eq인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 수산기 당량이 100 내지 170 g/eq인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)와 액상 페놀 수지(B2 성분)의 배합 비율은 상기 에폭시 수지중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지중의 수산기가 0.7 내지 1.4당량이도록 배합하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 0.9 내지 1.1당량이다.
제 2 태양에서, 상기 고형 에폭시 수지(A2 성분)와 액상 페놀 수지(B2 성분)의 조합에 있어서는, 예를 들면 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지와 알릴화페놀노볼락을 조합하여 사용하는 것이 내열성과 유동성의 점에서 바람직하다.
또한, 제 3 태양에서, 에폭시 수지(A 성분)로서 고형 에폭시 수지(A3 성분) 및 페놀 수지(B 성분)로서 고형 페놀 수지(B3 성분)를 사용하는 반도체 밀봉용 수지 조성물에 관해 기술한다.
상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)로서는 25℃에서 고형을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예컨대, 다작용성 에폭시 수지, 결정성 에폭시 수지, 2작용성 고형 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 여기에서, 다작용성 에폭시 수지라는 것은, l분자중의 에폭시기의 총수가 3개 이상인 고형 에폭시 수지를 말한다. 이러한 다작용성 에폭시 수지로서는 예컨대 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형, 디사이클로펜타디온형, 미츠이 케미칼 코포레이션(MitsuiChemical Corporation)의 텍모어(Techmore) VG3101L, 오르토크레솔 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 결정성 에폭시 수지라는 것은, X선 회절에 의해 다수의 결정의 피크가 나타나는 고형 에폭시 수지로서, 물리적으로는 날카로운 융점을 나타내고, 또한 용융시에는 분자간 상호작용이 거의 없어지기 때문에 극단적으로 점도가 저하하는 성질을 갖는 것을 말한다. 이러한 결정성 에폭시 수지로서는 예컨대 비스페놀형, 비페닐형, 스틸벤형 등이 있다. 그리고, 결정성 에폭시 수지중에서도 특히 융점이 90℃ 이상인 것을 사용하는 경우는, 80℃ 이하에서의 유동성이 우수하다는 이유 때문에, 2종 이상의 것을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 고형을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 에폭시 수지 성분으로서 25℃에서 고형을 나타내는 것도 포함하는 의미이다.
상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)중 결정성 에폭시 수지로서는, 예를 들면 시판중인 상품명 GK-4137(니폰 스틸 코포레이션, Nippon Steel Corp.), 상품명 GK-5079(니폰 스틸 코포레이션), 상품명 YDC-1312(토토 가세이 코포레이션, Tohto Kasei Corp.) 등을 들 수 있다. 또, 상기 GK-4137는 하기 화학식 9로 표시된다. 또한, 상기 GK-5079는 하기 화학식 10으로 표시된다. 또한, 상기 YDC-1312는 하기 화학식 11로 표시된다.
또한, 상기 결정성 에폭시 수지중에서 비페닐형 에폭시 수지는 하기 화학식 12로 표시된다.
상기 식에서,
R3내지 R6은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 12에서 R3내지 R6으로 표시되는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등의 직쇄상 또는 분지상의 저급 알킬기가 있으며, 상기 R3내지 R6은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
그리고, 상기 비페닐형 에폭시 수지로서, 상기 R3내지 R6이 모두 메틸기인 하기 화학식 13으로 표시되는 구조의 비페닐형 에폭시 수지와, 상기 R3내지 R6이 모두 수소인 하기 화학식 14로 표시되는 구조의 비페닐형 에폭시 수지가 거의 동일량으로 함유되어 있는 혼합물을 사용할 수 있다.
그리고, A3 성분인 고형 에폭시 수지로서는 에폭시 당량이 140 내지 270g/eq이고 연화점이 50 내지 100℃ 또는 융점이 40 내지 150℃인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 에폭시 당량이 150 내지 220 g/eq이고 연화점이 60 내지 80℃ 또는 융점이 60 내지 130℃인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)와 동시에 사용하는 고형 페놀 수지(B3 성분)로서는, 25℃에서 고형을 나타내는 것이면 특별히 한정하지 않고 각종의 페놀 수지를 사용할 수 있지만, 초기의 목적을 손상하지 않는 범위이면, 테트라하이드로무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 메틸헥사하이드로무수프탈산, 무수프탈산 등의 산 무수물계 경화제, 또는 아민류, 프탈산류를 병용할 수 있다. 상기 고형 페놀 수지(B3 성분)로서는 예컨대 다작용성 페놀 수지, 비스페놀류, 테르펜페놀류, 테르펜디페놀류, 디하이드록시나프탈렌류, 노보락페놀, 알릴화페놀, 아세틸화페놀, 트리페닐메탄형 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 여기에서, 다작용성 페놀 수지라는 것은, 페놀성 수산기가 2개 이상을 갖는 방향족환을 1개 이상을 갖고, 또한 1분자중의 페놀성 수산기의 총수가 3개 이상이며, 더구나 방향족환을 1분자 이상중에 2개 이상 갖는 고형 페놀 수지를 말한다. 이러한 다작용성 페놀 수지로서는 예컨대 3작용성 고형 페놀 수지, 4작용성 고형 페놀 수지, 5작용성 고형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또, 다작용성 페놀 수지를 사용하는 경우는, 수평균 분자량이 450 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 상기 고형 페놀 수지(B3 성분)라는 것은, 단독으로 사용하는 경우 25℃에서 고형을 나타내는 것은 물론, 2종 이상 병용한 경우에 있어서 최종적으로 페놀 수지 성분으로서 25℃에서 고형을 나타내는 것도 포함하는 의미이다.
상기 고형 페놀 수지(B3 성분)중 3작용성 고형 페놀 수지로서는, 예컨대 하기 화학식 15로 표시되는 구조의 페놀 수지, 하기 화학식 16으로 표시되는 구조의 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상기 식에서
R7내지 R11은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 식에서,
R7내지 R11은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 상기 고형 페놀 수지(B3 성분)중 4작용성 고형 페놀 수지로서는 예를 들면 하기 화학식 17로 표시되는 구조의 페놀 수지, 하기 화학식 18로 표시되는 구조의 페놀 수지 등을 들 수 있다:
상기 식에서,
R7내지 R11은 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 식에서,
R7내지 R14는 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 상기 고형 페놀 수지(B3 성분)중 5작용성 고형 페놀 수지로서는 예컨대 하기 화학식 19로 표시되는 구조의 페놀 수지 등이 있다:
상기 식에서,
R7내지 R14는 수소원자 또는 메틸기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
그리고, B3 성분인 고형 페놀 수지로서는, 수산기 당량이 30 내지 260 g/eq이고 연화점이 40 내지 100℃ 또는 융점이 50 내지 210℃인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 수산기 당량이 50 내지 110 g/eq이고 연화점이 60 내지 90℃ 또는 융점이 70 내지 190℃인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)와 고형 페놀 수지(B3 성분)의 배합 비율은, 상기 에폭시 수지중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지중의 수산기가 0.6 내지 1.4당량이도록 배합하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 0.7 내지 1.1당량이다.
상기 고형 에폭시 수지(A3 성분)와 고형 페놀 수지(B3 성분)의 조합에 있어서는, 예를 들면 결정성 에폭시 수지[특히 상품명 GK-4137(니폰 스틸 코포레이션)]를 다작용성 페놀 수지와 조합시키거나, 또는 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지 또는 트리페닐메탄형 에폭시 수지를 2작용성 비스페놀 수지와 조합하여 사용하는 것이, 경화성, 내열성, 유동성의 점에서 바람직하다.
그리고, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물에 있어서는, 상기 제 1 내지 제 3 태양에 있어서의 각 에폭시 수지 및 각 페놀 수지와 동시에, 잠재성 경화 촉진제(C 성분)와 무기질 충전제(D 성분)가 필수 성분으로서 사용된다.
상기 잠재성 경화 촉진제(C 성분)는, 이것을 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물의 50℃ 분위기하에서 72시간 방치 후의 점도(측정온도: 80℃)가 방치 전의점도의 10배 이하가 되는 것으로, 예를 들면 각종의 경화 촉진제로 이루어진 코어부가 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 갖는 중합체를 주성분으로 하는 쉘부로 피복된 코어/쉘 구조를 갖고, 그 쉘부에 존재하는 반응성 아미노기가 블록화되는 마이크로캡슐형 경화 촉진제가 있다. 이러한 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용함으로써, 이것을 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물은 사용가능한 시간이 매우 길어지고, 저장 안정성이 특히 뛰어나게 된다. 또, 보통의 경화 촉진제를 소량으로 사용하는 경우이더라도, 방치 전의 점도에 대하여 10배 이하, 보통 1 내지 3배로 되는 것이면 잠재성 경화 촉진제로서 간주한다.
상기 식에서,
R은 2가 또는 3가의 유기기이고, R1및 R2는 각각 수소원자 또는 1가 유기기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 마이크로캡슐형 경화 촉진제에 있어서, 코어부로서 내포되는 경화 촉진제로서는 경화반응을 촉진하는 작용을 갖는 것이면 특별히 한정하지 않고 종래 공지된 것이 사용된다. 그리고, 이 경우, 마이크로캡슐의 조정시 작업성, 또는 수득되는 마이크로캡슐의 특성의 점에서, 실온에서 액상을 나타내는 것이 바람직하다. 또, 실온에서 액상이라는 것은, 경화 촉진제 자체의 상태가 실온(25℃)에서 액상을나타내는 경우 이외에, 실온에서 고체이더라도 임의의 유기 용제 등에 용해시키거나 분산시켜 액상으로 한 것도 포함하는 것이다.
그리고, 상기 내포되는 경화 촉진제로서는 예를 들면 아민계, 이미다졸계, 인계, 붕소계, 인-붕소계 등의 경화 촉진제가 있다. 구체적으로는, 에틸 구아니딘, 트리메틸 구아니딘, 페닐구아니딘, 디페닐 구아니딘 등의 알킬-치환 구아니딘류, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소 등의 3-치환 페닐-1,1-디메틸요소류, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린, 2-운데실이미다졸린, 2-헵타데실이미다졸린 등의 이미다졸린류, 2-아미노피리딘 등의 모노아미노피리딘류, N,N-디메틸-N-(2-하이드록시-3-아릴옥시프로필)아민-N'-락트이미드 등의 아민이미드계류, 에틸포스핀, 프로필포스핀, 부틸포스핀, 페닐포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀/트리페닐보란 착체, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레트 등의 유기 인계 화합물, 1,8-디아자비사이클로[5,4,0]운데센-7,1,4-디아자비사이클로[2,2,2]옥탄 등의 디아자비사이클로알켄계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다. 특히, 경화 촉진제-함유 마이크로캡슐 제조의 용이함 및 취급의 용이함이라는 점에서, 상기 이미다졸계 화합물 또는 유기 인계 화합물이 바람직하게 사용된다.
상기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 갖는 중합체를 주성분으로 하는 중합체는, 예컨대 다가 이소시아네이트류와 다가 아민류의 중부가 반응에 의해 수득된다. 또는, 다가 이소시아네이트류와 물의 반응에 의해 수득된다.
상기 다가 이소시아네이트류로서는, 분자내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물이면 바람직하며, 구체적으로는, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌이소시아네이트, 나프탈렌-1,4-디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐디이소시아네트, 3,3'-디메틸디페닐메탄-4,4'디이소시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐프로판디이소시아네이트, 트리메틸렌디이소시아네트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 프로필렌-1,2-디이소시아네이트, 부틸렌-1,2-디이소시아네이트, 사이클로헥실렌-1,2-디이소시아네이트, 사이클로헥실렌-1,4-디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트류, p-페닐렌디이소티오시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소티오시아네이트, 에틸리딘디이소티오시아네이트의 트리이소시아네이트류, 4,4'-디메틸디페닐메탄-2,2',5,5'-테트라이소시아네이트 등의 테트라이소시아네이트류, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥산트리올의 부가물, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트와 브렌즈카테콜(Brenzcatechol)의 부가물, 톨릴렌디이소시아네이트와 헥산트리올의 부가물, 톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸프로판의 부가물, 크실릴렌디이소시아네이트와 트리메틸프로판의 부가물, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 트리메틸프로판의 부가물, 트리페닐디메틸렌트리이소시아네이트, 테트라페닐트리메틸렌테트라이소시아네이트, 펜타페닐테트라메틸렌펜타이소시아네이트, 리딘이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 다가 이소시아네이트의 3량체와 같은 이소시아네이트 예비중합체 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
상기 다가 이소시아네이트류중에서도 마이크로캡슐을 조제할 때의 조막성(micro-encapsulization) 또는 기계적 강도의 점에서, 톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸프로판의 부가물, 크실릴렌디이소시아네이트와 트리메틸올프로판의 부가물, 트리페닐디메틸렌트리이소시아네이트 등의 폴리메틸렌폴리페닐이소시아네이트류로 대표되는 이소시아네이트 예비중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 다가 이소시아네이트류와 반응시키는 다가 아민류로서는, 분자내에 2개 이상의 아미노기를 갖는 화합물이면 바람직하며, 구체적으로는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 1,6-헥사메틸렌디아민, 1,8-옥타메틸렌디아민, 1,12-도데카메틸렌디아민, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, o-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, 멘탄디아민, 비스(4-아미노-3-메틸사이클로헥실)메탄, 이소프론디아민, 1,3-디아미노사이클로헥산, 스피로아세탈계 디아민 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
또한, 상기 다가 이소시아네이트류와 물의 반응으로서는, 우선 다가 이소시아네이트류의 가수분해에 의해 아민이 형성되고, 이 아민이 미반응의 이소시아네이트기와 반응(즉, 자가 중부가 반응)함으로써, 상기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 갖는 중합체를 주성분으로 하는 중합체가 형성된다.
또한, 상기 쉘부(벽막)를 형성하는 중합체로서 예를 들면 상기 다가 이소시아네이트와 동시에 다가 알콜을 병용하고, 우레탄 결합을 함께 갖는 폴리우레탄-폴리우레아를 들 수 있다.
상기 다가 알콜로서는 지방족, 방향족 또는 지환족이라면 바람직하며, 예를 들면 카테콜, 레조르시놀, 1,2-디하이드록시-4-메틸벤젠, 1,3-디하이드록시-5-메틸벤젠, 3,4-디하이드록시-1-메틸벤젠, 3,5-디하이드록시-1-메틸벤젠, 2,4-디하이드록시에칠벤젠, 1,3-나프탈렌디올, 1,5-나프탈렌디올, 2,7-나프탈렌디올, 2,3-나프탈렌디올, o,o'-비페놀, p,p'-비페놀, 비스페놀 A, 비스(2-하이드록시페닐)메탄, 크실릴렌디올, 에틸렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 1,4-부틸렌글리콜, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,1,1-트리메틸프로판, 헥산트리올, 펜타에리트리톨, 글리세린, 소르비톨 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
상기 마이크로캡슐형 경화 촉진제는 예컨대 하기에 나타낸 3 단계의 공정을 경유함으로써 제조될 수 있다.
[제 1 공정]
코어 성분인 경화 촉진제를 벽막(쉘) 원료인 다가 이소시아네이트중에 용해시키거나 미분 분산시켜 유상을 형성한다. 또한, 분산 안정제를 함유하는 수계 매체(수상)중에, 상기 유상을 유적상으로 분산시켜 O/W 형(유상/수상형)의 에멀젼을 제조한다. 또한, 상기 O/W 형 에멀젼의 수상에 다가 아민을 첨가하여 용해시킴으로써, 유상중의 다가 이소시아네이트 사이에서 계면 중합시켜 중부가 반응을 일으킨다. 또는, 상기 O/W 형 에멀젼을 가온함으로써, 유상중의 다가 이소시아네이트가 수상과의 계면에서 물과 반응하여 아민을 생성하고, 계속해서 자가 중부가 반응한다. 이렇게하여, 폴리우레아계의 중합체, 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 갖는 폴리우레아를 쉘부(벽막)로 하는 마이크로캡슐을 제조함으로써, 마이크로캡슐 분산액이 수득된다.
한편, 고체상의 경화 촉진제를 유기 용제에 용해시켜 코어 성분으로 하는 경우에는, S/O/W(고상/유상/수상) 유형의 에멀젼이 된다. 또한, 이 에멀젼 유형은 경화 촉진제가 친유성의 경우이며, 경화 촉진제가 친수성을 갖는 경우에는 상기 에멀젼 유형으로 형성되기 어렵지만, 이 경우에는 용해도를 조정함으로써 O/O(유상/유상)형의 에멀젼 유형 또는 S/O/O(고상/유상/유상)형의 에멀젼 유형으로서 계면 중합을 하는 것이 바람직하다.
이 경우의 유기 용제로서는, 실온에서 액상이면 특별히 한정하지 않지만 적어도 쉘부(벽막)을 용해시키지 않는 것을 선택해야 한다. 구체적으로는, 에틸 아세테이트, 메틸에틸케톤, 아세톤, 염화 메틸렌, 크실렌, 톨루엔, 테트라하이드로푸란 등의 유기 용제 이외에, 페닐크실릴에탄, 디알킬나프탈렌 등의 오일류를 사용할 수 있다.
[제 2 공정]
상기 제 1 공정에서 수득된 마이크로캡슐 분산액에 대하여, 블록화제를 첨가하여 용해 또는 분산시킨다. 이때, 원심분리 등에 의해 어느 정도로 수상중의 분산 안정제 또는 미반응 아민을 제거한 후에, 상기 블록화제를 첨가하는 것이 효과적이다.
[제 3 공정]
상기 제 2 공정에서 블록화제로 아미노기를 블록화된 마이크로캡슐 분산액을, 원심분리 또는 여과 등에 의해 과잉의 블록화제를 제거한 후, 건조시킴으로써 분말상의 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 제조할 수 있다.
우선, 상기 제 1 공정에서, 수계 매체(수상)에 첨가하는 분산 안정제로서는, 폴리비닐알콜, 하이드록시메틸셀룰로오스 등의 수용성 고분자류, 음이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제 등의 계면활성제류 등이 있다. 또한, 콜로이드성 실리카, 점도 광물 등의 친수성 무기 콜로이드 물질류 등을 사용할 수 있다. 이들 분산 안정제의 첨가량은 수상중 0.1 내지 10 중량%가 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2 공정에서 사용하는 블록화제로서는, 아미노기와 반응성을 갖는 화합물이다면 특별히 한정하지 않지만 예컨대 에폭시 화합물, 알데히드 화합물, 산 무수물, 에스테르 화합물, 이소시아네이트 화합물 등의 아미노기와 반응하여 공유 결합을 형성하는 화합물을 들 수 있다. 또한, 아세트산, 포름산, 락트산, 옥살산, 숙신산 등의 유기 카복실산류, p-톨루엔설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 도데실벤젠설폰산 등의 유기 설폰산류, 페놀 화합물, 붕산, 인산, 질산, 아질산, 염산 등의 무기산류, 실리카, 에어로길(aerogil) 등의 산성 표면을 갖는 고체 물질 등의 아미노기와 중화 반응하여 염을 형성하는 산성 화합물을 들 수 있다. 그리고, 이들 화합물, 특히 상기 산성 화합물은 벽막 표면 및 벽막 내부에 존재하는 아미노기를 효과적으로 블록화하는 화합물로서 바람직하게 사용되고, 특히 포름산, 유기 설폰산류가 바람직하게 사용된다.
상기 블록화제의 첨가량은, 벽막 표면 및 벽막 내부에 존재하는 아미노기와등량 몰수의 블록화제가 첨가된다. 실용적으로는, 예컨대 블록화제로서 산성 화합물을 사용하는 경우, 마이크로캡슐 조제(계면중합) 직후의 분산액에 산성 물질(산성 화합물)을 첨가하고, 분산액의 pH를 염기성으로부터 산성, 바람직하게는 pH 2 내지 5로 조정한다. 그 후, 원심분리 또는 여과 등의 수단에 의해 과잉의 산성 화합물을 제거하는 방법을 들 수 있다.
또한, 상기 제 1 내지 제 3 공정으로 이루어진 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 제조방법에 있어서, 제 2 공정으로서 마이크로캡슐 분산액을 산성 양이온 교환 수지 칼럼을 통과시킴으로써, 미반응의 유리 아민을 제거하거나, 잔존 아미노기를 중화시키는 수법도 사용된다.
수득된 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 균일한 분산성의 관점에서, 0.05 내지 500μm의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 30μm이다. 상기 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 형상으로서는 구상이 바람직하지만, 타원상일 수 있다. 그리고, 이 마이크로캡슐의 형상이 진구상이 아니라 타원상 또는 편평상 등과 같이 일률적으로 입경이 정해지지 않는 경우에는, 그 최장 직경과 최단 직경의 단순 평균치를 평균 입경으로 한다.
또한, 상기 마이크로캡슐형 경화 촉진제에 있어서, 내포되는 경화 촉진제의 양은, 마이크로캡슐 전량의 10 내지 95중량%로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 30 내지 80중량%이다. 즉, 경화 촉진제의 내포량이 10중량% 미만에서는, 경화 반응 시간이 지나치게 길게 되어서 반응성이 모자라게 되며, 반대로 경화촉진제의 내포량이 95중량%를 넘으면, 벽막의 두께가 얇게 되어서 코어부(경화제)의 격리성 또는 기계적 강도에 모자라게 되는 우려 때문이다.
또한, 상기 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 입경에 대한 쉘부(벽막)의 두께의 비율은 3 내지 25%로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 5 내지 25%로 설정된다. 즉, 상기 비율이 3% 미만으로서는 에폭시 수지 조성물 제조때의 혼련 공정에서 가해진 전단력에 대하여 충분한 기계적 강도가 얻어지지 않고, 또한 25%를 넘으면 내포되는 경화 촉진제의 방출이 불충분해지는 경향이 나타날 수 있기 때문이다.
그리고, 상기 잠재성 경화 촉진제(C 성분)의 배합량은, 상기 각 태양의 페놀 수지(B1 내지 B3 성분) 100중량부(이하에서,「부」라고 약칭한다)에 대하여 0.1 내지 40부로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 5 내지 20부이다. 즉, 상기 잠재성 경화 촉진제의 배합량이, 0.1부 미만에서는 경화 속도가 감소되어 강도를 저하시키고, 40부를 넘으면, 경화 속도가 과속화되어 유동성을 손상시키는 우려가 있기때문이다. 상기 잠재성 경화 촉진제를 사용하면, 반도체 밀봉용 수지 조성물의 50℃ 분위기하에서 72시간 방치 후의 점도(측정 온도 80℃)가 방치 전 점도의 약 10배 이하가 되는 것이 일반적이다.
또, 본 발명에 있어서, C 성분인 잠재성 경화 촉진제로서, 상기한 경화 촉진제-함유 마이크로캡슐 이외에, 소기의 목적을 손상시키지 않는다면, 시판중인 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용할 수 있다. 시판품으로서는 예컨대 상품명 MCE-9957(니폰 가야쿠 캄파니 리미티드, 메틸메타아크릴레이트를 벽막으로서 사용하고있음), 아사히 시바 캄파니 리미티드(Asahi Ciba Co., Ltd.)의 노바큐어(Novacure)(상품명 HX-3748, 3741, 3742, HX-3921 HR, HX-3941 HP) 등을 들 수 있다. 또한, 마이크로캡슐형 경화 촉진제 이외의 경화 촉진제이더라도 디시안디아미드, 또는 후지 케미칼 인더스트리 코포레이션(Fuji Chemical Industry Corp.)의 프지큐어(Fujicure)-FXR-1030, FXE-1000 등의 촉매 활성이 약한 것이나, 또는 보통의 경화 촉진제를 소량 첨가하여 촉매 활성을 약화시킨 것일 수 있다.
또한, 상기 C 성분과 동시에 사용하는 무기질 충전제(D 성분)로서는, 특별히 한정하지 않고 각종의 무기질 충전제를 사용할 수 있다. 예컨대, 실리카, 점토, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미늄, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 에어로길 등이 있지만, 니켈, 금, 동, 은, 주석, 납, 비스무쓰 등의 전도성 입자를 가할 수 있다. 특히, 구상 실리카 분말, 구체적으로는 구상 용융 실리카 분말이 특히 바람직하게 사용된다. 또한, 평균 입경 0.01 내지 60μm의 범위인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 15μm의 범위이다. 또, 본 발명에 있어서, 구상이라는 것은, 유동형 입자상 분석 장치(SYSMEX Inc.의 FPIA-100형)를 사용하여 측정시 진구도가 평균적으로 0.85 이상인 것을 말한다.
또한, 상기 무기질 충전제(D 성분)의 함유 비율은, 반도체 밀봉용 수지 조성물 전체중의 15 내지 85중량%가 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 50 내지 80중량%이다. 즉, 무기질 충전제의 함유 비율이 15중량% 미만에서는, 25℃에서의 점도가 낮게 되어, 저장시 무기질 충전제의 침강이 생기거나, 흡습율이 높아져서 내습 신뢰성이 나빠지는 경향이 나타날 수 있고, 85중량%를 넘으면,유동성이 저하되어, 토출 및 도포 작업성이 나빠지는 경향이 나타날 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물에는 상기 각 필수 성분 이외에 필요에 따라 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다.
상기 다른 첨가제로서는 예컨대 난연제, 왁스, 레벨링제(leveling agent), 소포제, 안료, 염료, 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등이 있다. 상기 실란 커플링제로서는 예컨대 γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 아미노기-함유 실란 등이 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
상기 난연제로서는, 노볼락형 브롬화 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 3산화 안티몬, 5산화 안티몬, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 등의 금속 화합물, 적인, 인산 에스테르 등의 인계 화합물 등이 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
상기 왁스로서는, 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 칼슘, 아미드계 등의 화합물이 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용된다.
또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물에는 상기 다른 첨가제 이외에, 실리콘 오일 및 실리콘 고무, 합성 고무, 반응성 희석제 등의 성분을 배합하여 응력을 저하시키거나, 내습 신뢰성 시험에 있어서의 신뢰성 향상을 목적으로서 하이드로탈사이트류, 수산화비스무쓰 등의 이온 트랩제(ion trap agent)를 배합할 수있다.
본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물은 예컨대 상기와 같이 제조할 수 있다. 즉, 상기 A 내지 D 성분 및 필요에 따라 다른 첨가제를 혼합한 후, 만능 교반기 등의 혼련기를 사용하여 가열 상태로 혼련시켜 용융 혼합한다. 또한, 이것을 실온(25℃ 정도)으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조할 수 있다. 또, 반도체 밀봉용 수지 조성물의 유동성을 조정하기 위해서, 유기 용제를 첨가할 수도 있다. 상기 유기 용제로서는 예컨대 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤, 디아세톤알콜 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 함께 사용하며, 이렇게 수득된 반도체 밀봉용 수지 조성물은 그 점도가 25℃에서 7000poise 이상으로, 또한 80℃에서 5000poise 이하로 설정되어 있어야 한다. 특히 바람직하게는, 25℃에서 7000poise 이상으로, 또한 80℃에서 3000poise 이하이다. 또, 반도체 밀봉용 수지 조성물의 점도에 있어서, 80℃에서의 하한은 보통 1.0poise이다. 즉, 25℃에서 7000poise 미만이며, 또한 80℃에서 5000poise를 넘는 경우, 저장 안정성, 또는 토출 및 도포 작업성이 나빠져서 초기의 특성을 만족시킬 수 없기 때문이다.
또, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물의 25℃ 및 80℃에서의 각 점도는, 상기 각 온도에 있어서 E형 점도계를 사용하여 측정된다. 구체적으로는, 이하에 나타내는 바와 같다.
[25℃에서의 점도]
도키 산교 캄파니 리미티드(Toki Sangyo Co., Ltd) RE80U형으로,로터(rotor)는 3°× R 7.7을 사용하고, 25℃에서, 콘로터(cone rotor) 회전수 1rpm에서 1분간 전처리 후, 0.lrpm에서 l0분간 방치 후의 값을 측정한다.
[80℃에서의 점도]
도키 산교 캄파니 리미티드 RE80R형으로, 점도 1000poise 미만으로 되는 것은 로터 3°× R 14, 점도 1000poise 이상으로 되는 것은 로터 3°× R 7.7를 사용하고, 80℃에서 콘로터 회전수 1 rpm에서 1 분간 전처리 후, 0.5 rpm에서 10 분간 방치 후의 값을 측정한다.
본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하는 반도체 장치의 제조는, 종래 공지의 각종의 방법에 의해 할 수 있다. 예를 들면, 플립 칩(flip chip), COB, 그래프 톱(graph top), 캐버티-필(cavity-fill) 등에 의한 설치에 있어서는, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅시킨(pot) 후, 가열하여 경화시켜 밀봉 수지층을 형성시킴으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 미리 가온하지 않고서, 고형 또는 반고형의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 소자상 등에 대하여 직접 접합시키거나 도포한 후, 가열하여 경화시켜 밀봉 수지층을 형성시킴으로써 반도체 장치를 제조할 수도 있다. 또, 상기 설치는 진공하에서 수행할 수 있다.
상기 반도체 장치의 제조방법중의 플립 칩 설치에서, 사이드-필(side-fill) 밀봉방법, 프레스 범프(press bump) 밀봉방법, 인쇄 밀봉방법을 예로서 구체적으로 설명한다.
[사이드-필 밀봉방법]
우선, 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비한다. 그리고, 미리 가온(40 내지 130℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 100℃ 정도)된 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 주입하여 충전한 후, 가열하여 경화시켜 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조할 수 있다.
또, 미리 가온하지 않고서, 고형 또는 반고형의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 소자상 또는 그 근방에 대하여 직접 접합시키거나 도포시킨 후, 가열하여 경화시켜 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판의 공극에 밀봉 수지층을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 사이드-필 밀봉방법에 의한 반도체 장치의 제조는 진공하에서 수행할 수 있다. 진공하에서 수행하는 장치로서는, 예를 들면 무사시 엔지니어링 캄파니 리미티드(Musashi Engineering Co., Ltd.)의 형식 MBC-V 시리즈 등을 들 수 있다. 또한, 상기 진공하에서 반도체 장치를 제조할 때, 진공하에서 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 주입하여 충전한 후, 대기압으로 되돌려 다시 반도체 밀봉용 수지 조성물을 충전하는 차압 충전을 수행할 수 있다.
[프레스 범프 밀봉방법]
우선, 배선 회로 기판상에서 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅한다.그 후, 플립 칩 결합제 등에 의한 프레스 범프 접속 방식에 의해, 반도체 소자와 배선 회로 기판의 전기적 접속과 동시에 밀봉 수지층을 형성함으로써, 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조할 수가 있다.
또, 미리 가온하지 않고서, 고형 또는 반고형의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 소자 또는 배선 회로 기판에 대하여 직접 접합시키거나 도포한 후, 프레스 범프 접속 방식에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판의 접속과 동시에 밀봉 수지층을 형성하는 것도 가능하다.
상기 프레스 범프 밀봉방법에 의한 반도체 장치의 제조는 필요에 따라 진공하에서 수행할 수 있다.
또한, 디스펜서를 사용하여 폿팅하는 대신에, 가능하면 인쇄에 의해 도포한 후, 플립 칩 결합제 등에 의한 프레스 범프 접속 방식에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판의 전기적 접속과 동시에 밀봉 수지층을 형성할 수 있다. 또, 인쇄에 의한 도포는 인쇄 분위기 전체를 가온하거나, 마스크, 스퀴지(squeegee) 등을 부분적으로 가온 시킬 수도 있다(40 내지 100℃).
[인쇄 밀봉방법]
우선, 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비한다. 그리고, 미리 가온(40 내지 130℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 100℃ 정도)된 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 적하하고, 인쇄 밀봉에 의한 밀봉 수지층을 형성함으로써, 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조할 수 있다.
상기 인쇄 밀봉에서는, 진공 차압을 이용한 도레이 엔지니어링 캄파니 리미티드(Toray Engineering Co., Ltd.)의 진공 인쇄 밀봉장치(형식 VPE-100시리즈)를 사용하지만, 밀봉 수지층에 기포가 들어가지 않도록 하는 점에서 바람직하다.
또, 미리 가온하지 않고서, 고형 또는 반고형의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 스테이지, 스퀴지 등에 대하여 직접 접합, 도포, 인쇄 밀봉하는 것도 가능하다.
한편, 상기 반도체 장치의 제조방법중의 캐버티-필 형태의 반도체 장치의 제조방법에서 구체적으로 설명한다.
우선, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어 등으로 전기적으로 접속된 것을 준비한다. 그리고, 미리 가온(40 내지 130℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 100℃ 정도)된 배선 회로 기판과 반도체 소자에, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅하여 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
또, 미리 가온하지 않고서, 고형 또는 반고형의 반도체 밀봉용 수지 조성물를, 직접 접합시키거나 도포한 후, 가열하여 경화시켜 상기 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 밀봉방법에 의한 반도체 장치의 제조는 진공하에서 수행할 수 있다. 진공하에서 수행하는 장치로서는 예컨대 무사시 엔지니어링 캄파니 리미티드의 형식 MBC-V 시리즈 등을 들 수 있다.
하기에서는 다른 제조방법에서 서술한다. 즉, 우선, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어 등으로 전기적으로 접속된 것을 준비한다. 그리고, 미리 가온(40 내지 130℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 100℃ 정도)된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 인쇄 등에 의해 공급하고, 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
상기 인쇄 밀봉에 의한 반도체 장치의 제조는 진공하에서 수행할 수 있다. 또한, 진공하에서 반도체 장치를 제조할 때, 진공하에서 인쇄 밀봉한 후, 분위기의 기압을 상승시켜서 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 상태 그대로 다시 마무리처리하여 인쇄를 할 수 있다.
이렇게 수득된 반도체 장치는 예를 들면 설치용 기판(머더 보드)의 탑재에 사용되고 반도체 제품의 제조에 병용된다. 즉, 설치용 기판(머더 보드)상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜, 그 자체의 배선 회로 기판을 대면된 상태로 반도체 장치를 탑재함과 동시에, 상기 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극을, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 충전하고, 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하여 반도체 제품을 제조한다.
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 가열 경화시키는 방법으로서는, 특별히 한정하지 않지만 예컨대 대류식 건조기, IR 리플로 화로(reflow furnace), 열판 등을 사용하는 가열방법 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하는, 상기 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극의 충전방법으로서는, 예컨대 종래의 반도체 장치의 제조방법중의 플립 칩 설치에서 언급한 바와 같은 방법, 사이드-필 밀봉방법, 프레스 범프 밀봉방법, 인쇄 밀봉방법 등이 있다. 또, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물에, 니켈, 금, 은, 동, 주석, 납, 비스무쓰 등의 전도성 입자를 분산시켜, ACF(Anisotropic Conductive Film), ACP(Anisotropic Conductive Paste)로서 플립 칩 설치에 사용할 수 있다. 그 밖의 사용방법으로서, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 배선 회로 기판상에 댐재(damming material)로서 사용하거나, 배선 회로 기판과 방열판의 접착제 및 다이 결합제로서 사용할 수 있다.
본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 웨이퍼 또는 매트릭스상의 배선 회로 기판에 대하여 사용하는 반도체 장치의 제조는, 종래 공지의 각종의 방법에 의해 가능하다.
돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여 사용하는 경우에서 기술한다. 즉, 상기 돌기상 전극부 배설면에, 가온(40 내지 90℃ 정도, 바람직하게는 60 내지 80℃ 정도)된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 도포함으로써 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을 형성한다. 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을 형성하는 때는, 상기 돌기상 전극부의 적어도 선단부를 상기 수지층보다 노출시키도록 설정한다. 또한, 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하여 반도체 장치를 제조한다.
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 수지층의 형성방법으로서는, 마스크의 개구부를 통해서 인쇄에 의해 수행하는 방법을 들 수 있다.
상기 형성된 수지층은 최종적으로 가열 경화되어 있으면 바람직하며, 가열 경화 공정은 반도체 웨이퍼의 절단 전이거나 절단 후이더라도 바람직하다.
한편, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 복수개의 반도체 소자 전체 상에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 상기 반도체 소자를 내장하도록 수지층을 형성한다. 이어, 상기 수지층을 가열 경화하여 복수개의 반도체 소자를 수지 밀봉한 후, 수지 밀봉된 복수개의 반도체 소자를 개개의 반도체 소자마다 절단시킴으로써 반도체 장치를 제조한다.
상기 형성된 수지층은, 최종적으로 가열 경화되면 바람직하며, 가열 경화 공정은 반도체 소자의 절단 전이거나 절단 후이더라도 바람직하다.
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 수지층의 형성방법으로서는, 앞서 언급한 방법과 같이 디스펜서를 사용하는 방법, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의한 수행하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 소정의 두께의 수지층을 형성한 후, 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 소자로 절단한다. 이어, 상기 절단된 반도체 소자의 수지층 형성면과 복수개의 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 배선 회로 기판과 반도체 소자를 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉한다. 이렇게하여 반도체 장치를 제조한다.
또한, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 수지층을 형성한 후, 상기 수지층이 형성된 배선 회로 기판을 개개의 배선 회로 기판으로 절단한다. 이어, 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과 상기 절단된 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 반도체 소자와 배선 회로 기판을 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융하여 경화시킴으로써, 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉한다. 이렇게하여 반도체 장치를 제조한다.
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 수지층의 형성방법으로서는, 앞서 언급한 방법과 같이 디스펜서를 사용하는 방법, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의한 방법 등을 들 수 있다.
다음에, 실시예에 대하여 비교예와 더불어 설명한다.
(1) 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물의 제 1 태양(액상 에폭시 수지와 고형 페놀 수지의 조합)에 있어서의 실시예 및 비교예에 대하여 언급한다.
우선, 실시예에 앞서 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.
[에폭시 수지 aa1]
비스페놀 F형 에폭시 수지(25℃에서 액상: 에폭시 당량 158 g/eq, 토토 가세이 코포레이션의 에포트트 YDF-8170).
[에폭시 수지 aa2]
비스페놀 A형 에폭시 수지(25℃에서 액상: 에폭시 당량 170 g/eq, 다우 케미컬 캄파니(Dow Chemical Company)의 DER-332).
[에폭시 수지 aa3]
지환식 에폭시 수지(25℃에서 액상: 에폭시 당량 135 g/eq, 다이셀 케미칼 인더스트리즈 리미티드(Daisel Chemical Industries, Ltd.)의 셀록사이드 2021P).
[페놀 수지 ba1]
하기 화학식 ba1로 표시되는 4작용성 페놀 수지(25℃에서 고형: 융점 187℃, 순도 94%, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드(Honshu Chemical Industries, Ltd.)의 THD-2344).
[페놀 수지 ba2]
하기 화학식 ba2로 표시되는 5작용성 페놀 수지(25℃에서 고형: 융점 182℃, 순도 97.5%, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 BisPG-26 X).
[페놀 수지 ba3]
하기 화학식 ba3으로 표시되는 4작용성 페놀 수지(25℃에서 고형: 융점 156℃, 순도 93.6%, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 MHD-2344).
[페놀 수지 ba4]
하기 화학식 ba4로 표시되는 3작용성 페놀 수지(25℃에서 고형: 융점 94℃, 순도 98%, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 HDM-234).
[페놀 수지 ba5]
하기 화학식 ba5로 표시되는 고형 페놀 수지(25℃에서 고형: 융점 95℃, 순도 89%, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 TrisP-RK).
[페놀 수지 ba6]
트리페닐메탄형 페놀 수지[25℃에서 고형: 수산기 당량 1019/eq, 융점 110℃, 150℃ 점도 3 내지 4poise, 메이와 가세이 캄파니 리미티드(Meiwa Kasei Co., Ltd.)의 MEH-7500(3,4 P)].
[페놀 수지 ba7]
하기 화학식 ba7로 표시되는 p-에틸페놀 수지(25℃에서 고형 수산기 당량 129 g/eq, 융점 98℃, 메이와 가세이 캄파니 리미티드).
[페놀 수지 ba8]
알릴화페놀노볼락(25℃에서 액상: 수산기 당량 135 g/eq, 메이와 가세이 캄파니 리미티드의 MEH-8005 H).
[산 무수물계 경화제]
메틸헥사하이드로무수프탈산(메틸화 HHPA, 뉴 제팬 케미칼 캄파니 리미티드(New Japan Chemical Co., Ltd.)의 리카시드(Rikacid) MH-700).
[경화 촉진제 c1]
전술한 방법에 준하여 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 제조하였다. 즉, 우선, 크실릴렌디이소시아네이트 3몰과 트리메틸프로판 1몰의 부가물 11부, 및 톨릴렌디이소시아네이트 3몰과 트리메틸프로판 1몰의 부가물 4.6부를, 경화 촉진제로서의 트리페닐포스핀 7부와 에틸아세테이트 3.9부의 혼합액중에 균일하게 용해시켜 유상을 조제하였다. 또한, 증류수 100부와 폴리비닐알코올 5부로 이루어진 수상을 별도 조제하고, 이 안에 상기 조제한 유상을 첨가하여 호모믹서(homomixer)로써 유화하여 에멀젼 상태로 만들고, 이것을 환류관, 교반기, 적하 로터를 구비한 중합 반응기에 투입하였다.
한편, 트리에틸렌테트라민 3부를 포함하는 수용액 10부를 조제하고, 이것을 상기 중합 반응기중에 구비된 적하 로터 안에 넣어, 반응기중의 에멀젼에 적하하여 70℃에서 3시간 계면중합하고, 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 수성 현탁액을 수득하였다. 계속해서, 원심분리에 의해 수상중의 폴리비닐알코올 등을 제거한 후, 증류수 100부를 가하여 다시 분산을 하여 현탁액을 수득하였다.
이 현탁액에 대하여, 포름산을 적하하여 계의 pH를 3으로 조정하였다. 이것에 의해 벽막 표면 및 내부의 아미노기가 포름산에 의해 블록화된 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 제조하였다. 이렇게 수득된 마이크로캡슐형 경화 촉진제는 원심분리로써 분별 수세를 반복한 후, 건조함으로써 자유 유동성을 갖는 분말상 입자로서단리하였다. 이 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 평균 입경은 2μm이었다. 또한, 마이크로캡슐의 입경에 대한 쉘 두께 비율은 15%이며, 트리페닐포스핀의 내포량은 전체의 30중량%이었다.
[경화 촉진제 c2]
니폰 가야쿠 캄파니 리미티드의 MCE-9957.
[경화 촉진제 c3]
2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠 케미칼즈 코포레이션(Shikoku Chemicals Corp.)의 큐레졸(Curezol) 2E 4MZ).
[무기질 충전제 d1]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 5.0μm, 도넨 케미칼 코포레이션(Tonen Chemical Corporation)의 SP-4 B).
[무기질 충전제 d2]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 15μm, 덴키 가가쿠 고교 케이케이(Denki Kagaku Kogyo K.K.)의 FB-48 X)
[무기질 충전제 d3]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 0.56μm, 애드마테크스 캄파니 리미티드(Admatechs Co., Ltd.)의 SE-2100)
실시예 a1 내지 a12, 비교예 a1 내지 a4, 종래예
상기 각 성분을 하기 표 1 내지 표 3에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기에서 혼련시켜 용융 혼합하였다. 또한, 이것을 실온에서 냉각함으로써목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련 조건에서는 하기에 나타내는 같다.
실시예 a1 내지 a8, 비교예 a4
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 150℃에서 2분간 혼합하여 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 75℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예 a9 내지 a12, 비교예 a2, a3
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 110℃에서 5분간 혼합하여 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 65℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
[비교예 a1, 종래예]
우선, 에폭시 수지, 페놀 수지 또는 산 무수물을 위치시키고, 80℃에서 10분간 혼합하였다. 그 후, 동일한 온도에서 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 50℃까지 온도를 저하시키고, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예
a1 a2 a3 a4 a5 a6
에폭시수지 aa1 404 404 341 358 414 207
aa2 - - - - - -
aa3 - - - - - -
페놀 수지 ba1 93.9 93.9 - - - -
ba2 93.9 93.9 77 80.7 93 46.5
ba3 - - 77 80.7 93 46.5
ba4 - - - - - -
ba5 - - - - - -
ba6 - - - - - -
ba7 - - - - - -
ba8 - - - - - -
산 무수물계 경화제 - - - - - -
경화 촉진제 c1 21.8 - 18.0 18.7 21.6 10.9
c2 - 32.9 - - - -
c3 - - - - - -
무기질 충전제 d1 140 140 1005 962 900 190
d2 746 746 - - - 1010
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59 59 66 64 59 79
실시예
a7 a8 a9 a10 a11 a12
에폭시 수지 aa1 311 825 - 366 - 285
aa2 - - 420 - - -
aa3 - - - - 300 -
페놀 수지 ba1 - - - - - -
ba2 69.8 186 - - - -
ba3 69.8 186 - - - -
ba4 - - 173 - - -
ba5 - - - - - 301
ba6 - - - 234 - -
ba7 - - - - 287 -
ba8 - - - - - -
산 무수물계 경화제 - - - - - -
경화 촉진제 c1 16.4 43.5 20.0 27.4 33.5 35.2
c2 - - - - - -
c3 - - - - - -
무기질 충전제 d1 167 47.3 140 900 139 139
d2 884 253 747 - 741 740
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 69 19 59 59 59 59
비교예 종래예
a1 a2 a3 a4
에폭시 수지 aa1 239 206 - 186 290
aa2 - 213 420 - -
aa3 - - - - -
페놀 수지 ba1 - - - - -
ba2 - - - 41.9 -
ba3 - - - 41.9 -
ba4 - 181 173 - -
ba5 - - - - -
ba6 - - - - -
ba7 - - - - -
ba8 204 - - - -
산 무수물계 경화제 - - - - 308
경화 촉진제 c1 23.8 21.2 - 9.8 -
c2 - - - - -
c3 - - 3.5 - 6.1
무기질 충전제 d1 164 142 140 195 142
d2 869 757 747 1035 754
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 69 59 60 81 60
이렇게 수득된 실시예 및 비교예의 반도체 밀봉용 수지 조성물에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 4 내지 표 7에 나타냈다.
[유리 전이 온도(Tg)]
미리 탈포 처리한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 150℃에서 3시간 경화시킨시험 조각을, 리가쿠 코포레이션(Rigaku Corp.)의 TMA 장치(형식 번호 MG800GM)를 사용하여 측정하였다. 또, 측정 조건은, 승온 5℃/min에서 하중 30g에서 수행하였다. 그리고, 횡축을 온도, 세로축을 신장으로 하는 그래프를 작성하고, 50 내지 70℃ 사이의 접선과 200 내지 230℃ 사이의 접선과의 교점을 Tg로서 측정하였다.
[저장 안정성]
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도
내경 16mmψ, 높이 180mm의 시험관에 반도체 밀봉용 수지 조성물을 넣어 밀봉하여(시료 높이: 120mm), 25℃에서 30일간 방치 후, 무기질 충전제의 침강 정도를 확인하였다. 침강 유무의 판단으로서는, 무기질 충전제가 침강하면 그 부분의 반도체 밀봉용 수지 조성물의 탁도 레벨이 변하기 때문에, 육안으로 관찰함으로써 탁도 변화를 확인하였다. 탁도가 감소(투명도가 증가함)한 것을 침강 있음으로 간주하였다. 침강 부분의 높이 1mm 이상의 것을 침강 있음으로 ×를 표시하고, 침강 부분이 전혀 없는 것을 침강 없음으로 ◎를 표시하였다.
* 2 : 점도 변화의 정도
25℃의 분위기에 방치하여(30일), 방치 전후의 점도를 E형 점도계를 사용하여 측정한 (측정온도: 80℃, 종래예에서는 측정온도: 25℃). 그리고, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 1.5배 이하의 것에 ◎, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 1.5배를 넘고 3.0배 이하의 것에 ○, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 3.0배를 넘고 10배 이하의 것에 △, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 l0배를 넘는 것에 ×를 표시했다. 또, E형 점도계를 사용하는 점도의 측정은, 상기 25℃ 또는 80℃에서의 점도의 측정방법과 같이 수행하였다.
[토출성, 도포 작업성]
80℃로 가온한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 시간과 압력의 일정 조건에서 토출했을 때의 토출량으로 평가하였다. 즉, 무사시 엔지니어링 캄파니 리미티드의 주사기 10cc, 금속 침 SN-17G(내경 2.4mm)을 사용하고, 압력 5kg/cm2로 10초 후의 토출량을 측정하였다. 그 결과, 토출량이 1000mg 이상인 것을 ◎, 200mg 이상이고 1000mg 미만인 것을 ○, 50mg 이상이고 200mg 미만인 것을 △, 50mg 미만인 것을 ×로 하였다. 또, 상기 조건에서 50mg 미만이면, 반도체의 수지 밀봉이 불가하다는 레벨이 붙는다.
[사용가능한 시간(점도 변화)]
각 반도체 밀봉용 수지 조성물에서, 50℃ × 72시간 방치 전후의 점도를 E형 점도계를 사용하여 측정한다(측정온도: 80℃, 종래예에서는 측정온도: 25℃). 그리고, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 1.5배 이하인 것에 ◎, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 1.5배를 넘고 3.0배 이하인 것에 ○, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 3.0배를 넘고 10배 이하인 것에 △, 방치 후의 점도가 방치 전의 점도의 10배를 넘는 것에 ×를 하였다. 또, E형 점도계를 사용하는 점도의 측정은, 상기 25℃ 또는 80℃에서의 점도의 측정방법과 같이 수행하였다.
[내습 신뢰성]
상기 각 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 우선, 반도체 칩을 설치한 DIP(dual-in-line-package) 프레임을 DIP 금형에 세팅하고, 금형을 140℃로 가온시켰다(종래예에서는 110℃). 그리고, 미리 탈포 처리를 수행하고, 60 내지 120℃에 가열한 용융상의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 적하하고, 150℃에서 3시간의 조건에서 경화하여(종래예에서는 110℃에서 20시간의 조건에서 경화함), 반도체 장치를 제조하였다. 그리고, 내습하에서 130℃ × 85% RH × 2.3atm(인가 바이어스 30 V)에 투입하고, 각 패턴의 콘티뉴어티(continuity, 導通) 체크를 행동, 비-콘티뉴어티가 되면 불량품으로 한다. 또, 콘티뉴어티 체크는 실온에서 취입시킨 후에 수행하였다. 패키지의 불량율[(불량 패턴수/전 패턴수) × 100]이 50% 이상으로 된 시간을 확인하였다. 또, 그 밖의 조건은 하기와 같다:
·평가 패키지 : DIP16
·리드(lead) 프레임 : 4.2 합금, 두께 0.25mm
·칩 : 신코 케이케이(Shinko K.K.)의 전면 A1모델 소자 3 × 6mm(A1 패턴 두께 5μm, 폭 5μm)
·와이어 : 99.99% Gold SR 25μmψ
·Ag 페이스트(paste) : 히타치 케미칼 캄파니 리미티드(Hitachi Chemical Co., Ltd.)의 EN-4000
·평가 n 수 : 10 패키지/시료(1 패키지에 +극 2패턴, -극 2패턴이 배선되어 있기 때문에 계 40패턴 측정할 수 있다)
·PCT 조건 : 130℃ × 85% RH × 2.3atm(인가 바이어스 30V)
실시예
a1 a2 a3 a4
25℃에서의 상태 반고형 반고형 반고형 반고형
점도(poise) 25℃ 105000 104000 30만 초과 30만 초과
80℃ 25 24 4600 2500
유리 전이 온도(℃) 137 136 134 134
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ○ ◎ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ ○ ◎
사용가능한 시간 ◎ ○ ◎ ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상 200 이상 200 이상 200 이상
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예
a5 a6 a7 a8
25℃에서의 상태 반고형 고형 반고형 반고형
점도(poise) 25℃ 17400 고체 161000 13200
80℃ 1300 3070 68 16
유리 전이 온도(℃) 135 134 135 136
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ◎ ◎ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ○ ◎ ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ ◎ ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상 200 이상 200 이상 100
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예
a9 a10 a11 a12
25℃에서의 상태 반고형 고형 반고형 고형
점도(poise) 25℃ 9600 고체 11400 고체
80℃ 10 160 25 328
유리 전이 온도(℃) 120 129 112 107
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ◎ ○ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ ◎ ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ ○ ◎
내습 신뢰성(PCT) 180 200 이상 90 180
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
비교예 종래예
a1 a2 a3 a4
25℃에서의 상태 액상 액상 반고형 고형 액상
점도(poise) 25℃ 5700 6500 11000 고체 850
80℃ 15 33 15 5600 15
유리 전이 온도(℃) 59 126 130 133 140
저장 안정성 * 1 × × ◎ ◎ ×
* 2 ◎ ◎ × ◎ ×
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ ◎ × ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ × ◎ △
내습 신뢰성(PCT) 70 190 60 190 20
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
상기 표 4 내지 표 7의 결과로부터, 모든 실시예 제품은 종래예 제품과 비교하면, 무기질 충전제의 침강이 없고, 또한 사용가능한 시간이 길고, 저장 안정성이 우수한 것으로 밝혀졌다. 그리고, 토출 및 도포 작업성도 뛰어 나고, 수득되는 반도체 장치의 내습 신뢰성도 양호한 것으로 밝혀졌다. 특히, 실시예 a1 제품 내지 a9 제품은 고형 페놀 수지로서 다작용성 페놀 수지를 사용할 수 있기 때문에, 다작용성 페놀 수지가 아닌 고형 페놀 수지를 사용하는 것과 비교하면, 유리 전이 온도가 높다. 또한, 실시예 a1 제품, a3 제품 내지 a12 제품은 잠재성 경화 촉진제로서 특정한 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 시판중인 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하는 것과 비교하면, 사용가능한 시간이 대단히 길고, 저장 안정성이 특히 우수하다.
이것에 대하여, 비교예 a1 제품은 액상 에폭시 수지와 액상 페놀 수지를 사용할 수 있기 때문에, 저장 안정성이 나빠지고, 무기질 충전제의 침강이 생기는 것으로 밝혀졌다. 또한, 비교예 a2 제품도 25℃의 점도에서 7000poise 미만이기 때문에, 무기질 충전제의 침강이 생기는 것으로 생각된다. 또한, 비교예 a3 제품은 잠재성 경화 촉진제가 아닌 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 사용가능한 시간이 짧게 되고, 저장때의 점도 변화가 커지는 것으로 생각된다. 그리고, 비교예 a4 제품은 반도체 밀봉용 수지 조성물의 점도가 80℃에서 5000poise를 넘고 있기 때문에, 토출 및 도포 작업성이 나빠지는 것으로 생각된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조방법에 관하는 실시예에서 설명한다.
실시예 a13
상기 실시예 a4에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하면서 동시에 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성시킴으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a14
상기 실시예 a5에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하였다. 그 이외는 상기 실시예 a13와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a15
상기 실시예 a9에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 150토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 150토르의 상태를 유지한 채로 상기 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간의 조건에서 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성시킴으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a16
상기 실시예 al0에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하였다. 그 이외는 상기 실시예 a13와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다.
[반도체 밀봉용 수지 조성물 α1의 제조]
상기 각 성분을 하기 표 8에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기에서 혼련시키고 용융 혼합한 후, 70℃에서 진공 탈포하였다. 또한, 이것을 실온으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련조건에서는 하기에 나타내는 것과 같다. 즉, 우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 150℃에서 2분간 혼합하고, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 75℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
수득된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 8에 더불어 나타냈다.
반도체 밀봉용 수지 조성물 α1
에폭시 수지 aa1 414
페놀 수지 ba1 93
ba2 93
경화 촉진제 c1 21.6
무기질 충전제 d3 900
전체중의 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59
25℃에서의 상태 반고형
점도(poise) 25℃ 51000
80℃ 17
유리 전이 온도(℃) 133
저장 안정성 * 1 ◎
* 2 ◎
토출 및 도포 작업성 ◎
사용가능한 시간 ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예 a17
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a18
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a19
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 다시 대기압으로 되돌리고, 상기 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α를 충전(차압 충전)한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a20
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a21
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a22
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a23
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a24
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a25
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a26
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a27
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a28
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 100℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a29
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a30
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체장치를 제조하였다.
실시예 a31
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a32
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 150토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1중의 공극을 제거하고, 그 150토르의 상태를 유지한 채로 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 a33
설치용 기판(머더 보드)상에, 상기 실시예 a20에서 제조한 반도체 장치를 배치하고, 전기적으로 접속하여 100℃로 가온한 것을 준비하였다. 그 후, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α1을, 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극에 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그리고, 150℃ × 3시간으로 경화시킴으로써 반도체 장치와 설치용 기판의 공극에 밀봉 수지층을 형성하여 반도체 제품을 제조하였다.
상기한 바와 같이 수행하여 수득된 각 반도체 장치 및 설치용 기판상에 반도체가 탑재된 장치의 밀봉 수지층에서, 기포의 유무를 육안으로 확인하였다. 그 결과를 하기 표 9 내지 표 11에 나타낸다.
실시예
a13 a14 a15 a16 a17 a18 a19 a20 a21
기포의 유무 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 없음 없음 소량 존재 소량 존재
실시예
a22 a23 a24 a25 a26 a27 a28 a29 a30
기포의 유무 없음 없음 소량 존재 소량 존재 없음 없음 존재 소량 존재 존재
실시예
a31 a32 a33
기포의 유무 소량 존재 없음 소량 존재
상기 표 9 내지 표 11의 결과로부터, 실시예 a28 및 a30를 제외하여 대부분의 반도체 장치의 밀봉 수지층에는 기포가 없거나, 또는 소량의 기포가 확인되는 정도였다.
(2) 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물의, 제 2 태양(고형 에폭시 수지와 액상 페놀 수지의 조합)에 있어서의 실시예 및 비교예에서 언급한다.
우선, 실시예에 앞서 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.
[에폭시 수지 ab1]
하기 화학식 ab1로 표시되는 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 167 g/eq, 연화점 68℃, 다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드의 EXA-4701).
[에폭시 수지 ab2]
하기 화학식 ab2로 표시되는 트리페닐메탄형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 170 g/eq, 연화점 62℃, 니폰 가야쿠 캄파니 리미티드의 EPPN-50 lHY).
상기 식에서,
n은 약 1.8이다.
[에폭시 수지 ab3]
하기 화학식 ab3로 표시되는 고형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 247 g/eq, 융점 121℃, 니폰 스틸 케미칼 캄파니 리미티드(Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)의 GK-4292).
[에폭시 수지 ab4]
하기 화학식 ab4로 표시되는 고형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 174 g/eq, 융점 79℃, 니폰 스틸 케미칼 캄파니 리미티드의 GK-4137).
[에폭시 수지 ab5]
비스페놀 F형 에폭시 수지[25℃에서 액상(13poise): 에폭시 당량 158 g/eq, 토토 가세이 코포레이션의 에포트트 YDF-8170).
[에폭시 수지 ab6]
하기 화학식 ab6으로 표시되는 고형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 190 g/eq, 니폰 스틸 케미칼 캄파니 리미티드의 GK-5079).
[에폭시 수지 ab7]
트리글리시딜이소시아누레이트(25℃에서 고형: 에폭시 당량 100 g/eq, 니산 케미칼 이더스트리즈 리미티드(Nissan Chemical Industries, Ltd.)의 TEPIC-S).
[페놀 수지 bb1]
알릴화페놀노볼락(25℃에서 액상: 수산기 당량 135 g/eq, 소와 가세이 캄파니 리미티드(Showa Kasei Co., Ltd.)의 MEH-8005 H).
[페놀 수지 bb2]
디아릴화 비스페놀 A(25℃에서 액상: 수산기 당량 154 g/eq, 구네이 케미칼 인더스트리즈 캄파니 리미티드(Gunei Chemical Industries Co., Ltd.)).
[경화 촉진제 c1]
상기 제 1 태양에 있어서, 실시예 및 비교예에서 사용하는 경화 촉진제 c1와 같은 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하였다. 이 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 평균 입경은 2μm이었다. 또한, 마이크로캡슐의 입경에 대한 쉘 두께 비율은 15%이며, 트리페닐포스핀의 내포량은 전체의 30중량%이었다.
[경화 촉진제 c2]
니폰 가야쿠 캄파니 리미티드의 MCE-9957.
[경화 촉진제 c3]
2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠 케미칼즈 코포레이션의 큐레졸 2E 4MZ).
[무기질 충전제 d1]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 5.0μm, 도넨 케미칼 코포레이션의 SP-4 B).
[무기질 충전제 d2]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 15μm, 덴키 가가쿠 고교 케이케이의 FB-48 X)
[무기질 충전제 d3]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 0.56μm, 애드마테크스 캄파니 리미티드의 SE-2100)
실시예 b1 내지 b10, 비교예 b1 내지 b4
상기 각 성분을 하기 표 12 내지 표 14에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기로 혼련시키고 용융 혼합하였다. 또한, 이것을 실온으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련 조건에서는 하기에 나타내는 같다.
실시예 b1 내지 b4, 비교예 b3, b4
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 110℃에서 5분간 혼합하여, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 65℃의 온도로 조정한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예 b5 내지 b7, 비교예 b2
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 130℃에서 10분간 혼합하여, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 75℃의 온도로 조정한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예 b8 내지 bl0
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 150℃에서 10분간 혼합하였다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 65℃의 온도로 조정한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
비교예 b1
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 80℃에서 10 분간 혼합하였다. 그 후, 동일한 온도에서 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 50℃까지 온도를 저하시키고, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예
b1 b2 b3 b4 b5
에폭시 수지 ab1 325 325 332 - -
ab2 - - - 328 -
ab3 - - - - 380
ab4 - - - - -
ab5 - - - - -
ab6 - - - - -
ab7 - - - - -
페놀 수지 bb1 263 263 268 260 210
bb2 - - - - -
경화 촉진제 c1 30.5 - 31.4 30.2 24.6
c2 - 46 - - -
c3 - - - - -
무기질 충전제 d1 140 140 900 140 140
d2 742 742 - 742 742
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59 58 59 59 59
실시예
b6 b7 b8 b9 b10
에폭시 수지 ab1 - - - - -
ab2 - - - - -
ab3 333 319 - - -
ab4 - - 120 649 649
ab5 - - - - -
ab6 - - 131 - -
ab7 - - - - -
페놀 수지 bb1 184 176 94 504 504
bb2 - - 106 - -
경화 촉진제 c1 21.5 20.6 23.4 58.9 -
c2 - - - - 88.2
c3 - - - - -
무기질 충전제 d1 152 159 166 45.4 45.4
d2 809 846 884 243 243
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 64 66 69 19 19
비교예
b1 b2 b3 b4
에폭시 수지 ab1 - - - -
ab2 - - 328 -
ab3 - 290 - -
ab4 - - - -
ab5 239 - - -
ab6 - - - -
ab7 - - - 569
페놀 수지 bb1 204 160 260 569
bb2 - - - -
경화 촉진제 c1 23.8 18.7 - 66.6
c2 - - - -
c3 - - 5.2 -
무기질 충전제 d1 164 166 140 45
d2 869 884 742 240
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 69 69 60 19
이렇게 수득된 실시예 및 비교예의 반도체 밀봉용 수지 조성물에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 15 내지 표 17에 나타냈다.
[유리 전이 온도(Tg)]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[저장 안정성]
* 1: 무기질 충전제의 침강 정도
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
* 2: 점도 변화의 정도
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[토출성, 도포 작업성]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[사용가능한 시간(점도 변화)]
증기제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[내습 신뢰성]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
실시예
b1 b2 b3 b4 b5
25℃에서의 상태 반고형 반고형 반고형 반고형 고형
점도(poise) 25℃ 267000 250000 30만 초과 30만 초과 고체
80℃ 128 120 235 143 3000
유리 전이 온도(℃) 118 119 118 119 88
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ ◎ ◎ ○
사용가능한 시간 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상 200 이상 200 이상 200 이상 140
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예
b6 b7 b8 b9 b10
25℃에서의 상태 고형 고형 반고형 고형 고형
점도(poise) 25℃ 고체 고체 7500 고체 고체
80℃ 3510 4500 20 15 16
유리 전이 온도(℃) 87 88 71 65 66
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○
토출성, 도포 작업성 ○ △ ◎ ◎ ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ ◎ ◎ ○
내습 신뢰성(PCT) 140 150 150 60 60
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
비교예
b1 b2 b3 b4
25℃에서의 상태 액상 고형 반고형 액상
점도(poise) 25℃ 5700 고체 30만 초과 6500
80℃ 15 5600 250 15
유리 전이 온도(℃) 59 87 137 * 3
저장 안정성 * 1 × ◎ ◎ ×
* 2 ◎ ◎ × ○
토출성, 도포 작업성 ◎ × ◎ ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ × ○
내습 신뢰성(PCT) 70 100 80 * 3
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도* 3 : 미경화 때문에 측정 불가
상기 표 15 내지 표 17의 결과로부터, 모든 실시예 제품에서는, 무기질 충전제의 침강이 없고, 또한 사용가능한 시간이 길고, 저장 안정성이 우수한 것으로 생각된다. 그리고, 토출 및 도포 작업성도 뛰어나고, 수득되는 반도체 장치의 내습 신뢰성도 양호한 것으로 생각된다. 특히, 실시예 b1 제품 내지 b4 제품은 고형 에폭시 수지로서 다작용성 에폭시 수지를 사용할 수 있기 때문에, 다작용성 에폭시 수지가 아닌 고형 에폭시 수지를 사용하는 것과 비교하면, 유리 전이 온도가 특히 높다. 또한, 실시예 b1 제품, b3 제품 내지 b9 제품은 잠재성 경화 촉진제로서 특정한 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 시판중인 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하는 것과 비교하고, 사용가능한 시간이 대단히 길고, 저장 안정성이 우수하다.
이에 비해, 비교예 b1 제품 및 b4 제품은, 25℃에서 7000poise 미만의 점도의 액상이기 때문에, 저장 안정성이 나빠지고, 무기질 충전제의 침강이 생기는 것으로 생각된다. 또한, 비교예 b2 제품은, 80℃의 점도가 5000poise를 넘기 때문에, 유동성이 나빠지고, 토출 및 도포 작업성이 나쁜 것으로 생각된다. 또한, 비교예 b3 제품은 잠재성 경화 촉진제가 아닌 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 사용가능한 시간이 짧게 되어, 저장때의 점도가 크게 변화되는 것으로 생각된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조방법에 대해 실시예에서 설명한다.
실시예 b11
상기 실시예 b1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의해 도포하였다. 또한, 분위기압을 50토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 50토르의 상태를 유지한 채로 상기 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간의 조건에서 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b12
상기 실시예 b3에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b13
상기 실시예 b4에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 50토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 50토르의 상태를 유지한 채로 상기 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간의 조건에서 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b14
상기 실시예 b8에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하였다. 그 이외는 상기 실시예 b13와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다.
[반도체 밀봉용 수지 조성물 α2의 제조]
상기 각 성분을 하기 표 18에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기로써 혼련시켜 용융 혼합하였다. 또한, 이것을 실온으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련 조건에서는, 하기에 나타내는 같다. 즉, 우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 110℃에서 5분간 혼합하여, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 65℃의 온도로 조정한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
수득된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 18에 더불어 나타낸다.
반도체 밀봉용 수지 조성물 α2
에폭시 수지 ab1 325
페놀 수지 bb1 263
경화 촉진제 c1 30.5
무기질 충전제 d3 882
전체중의 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59
25℃에서의 상태 반고형
점도(poise) 25℃ 150000
80℃ 60
유리 전이 온도(℃) 121
저장 안정성 * 1 ◎
* 2 ◎
토출 및 도포 작업성 ◎
사용가능한 시간 ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예 b15
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b16
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b17
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 다시 대기압으로 되돌리고, 상기 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 충전(차압 충전)한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b18
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b19
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 90℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b20
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하면서 동시에 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b21
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 90℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b22
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 90℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b23
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b24
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 90℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b25
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b26
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b27
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b28
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b29
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b30
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 50토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2중의 공극을 제거하고, 그 50토르의 상태를 유지한 채로 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 b31
설치용 기판(머더 보드)상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α2를 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그리고, 이 설치용 기판상에, 상기 실시예 b20에서 제조한 반도체 장치를 배치하고, IR 리플로 화로(조건: 240℃ × 10초 사이)를 사용하고, 반도체 장치와 설치용 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 반도체 장치와 설치용 기판의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 반도체 제품을 제조하였다.
상기한 바와 같이 수행하여 수득된 각 반도체 장치 및 설치용 기판상에 반도체가 탑재된 반도체 제품의 밀봉 수지층에서, 기포의 유무를 육안으로 확인하였다. 그 결과를 하기 표 19 내지 표 21에 나타낸다.
실시예
b11 b12 b13 b14 b15 b16 b17 b18 b19
기포의 유무 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 없음 없음 소량 존재 소량 존재
실시예
b20 b21 b22 b23 b24 b25 b26 b27 b28
기포의 유무 없음 없음 소량 존재 소량 존재 없음 없음 존재 소량 존재 존재
실시예
b29 b30 b31
기포의 유무 소량 존재 없음 소량 존재
상기 표 19 내지 표 21의 결과로부터, 실시예 b26 및 b28을 제외하여 대부분의 반도체 장치 및 반도체 제품의 밀봉 수지층에는 기포가 없거나, 또는 소량의 기포가 확인되는 정도였다.
(3) 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물의, 제 3 태양(고형 에폭시 수지와 고형 페놀 수지의 조합)에 있어서 실시예 및 비교예에서 언급한다.
우선, 실시예에 앞서 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.
[에폭시 수지 ac1]
하기 화학식 ac1로 표시되는 결정성 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 174 g/eq, 융점 79℃, 니폰 스틸 코포레이션의 GK-4137).
[에폭시 수지 ac2]
하기 화학식 ac2로 표시되는 결정성 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 173 g/eq, 융점 145℃, 토토 가세이 코포레이션의 YDC-1312).
[에폭시 수지 ac3]
하기 화학식 ac3로 표시되는 결정성 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 195 g/eq, 융점 105℃, 유카 쉘 캄파니 리미티드(Yuka Shell Co., Ltd.)의 YX-4000 H).
[에폭시 수지 ac4]
하기 화학식 ac4로 표시되는 결정성 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 190 g/eq, 융점 78℃, 니폰 스틸 코포레이션의 GK-5079).
[에폭시 수지 ac5]
하기 화학식 ac5로 표시되는 트리페닐메탄형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 170 g/eq, 연화점 62℃, 니폰 가야쿠 캄파니 리미티드의 EPPN-50 lHY).
상기 식에서,
n은 약 1.8이다.
[에폭시 수지 ac6]
비스페놀 F형 에폭시 수지(25℃에서 액상: 에폭시 당량 158 g/eq, 토토 가세이 코포레이션의 에포트트 YDF-8170).
[에폭시 수지 ac7]
비스페놀 A형 에폭시 수지(25℃에서 액상: 에폭시 당량 170 g/eq, 다우 케미컬 캄파니의 DER-332).
[에폭시 수지 ac8]
하기 화학식 ac8로 표시되는 4작용성 나프탈렌형 에폭시 수지(25℃에서 고형: 에폭시 당량 167 g/eq, 연화점 68℃, 다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드의 EXA-4701).
[페놀 수지 bc1]
하기 화학식 bc1로 표시되는 p-에틸페놀 수지(25℃에서 고형 수산기 당량129 g/eq, 융점 98℃, 메이와 가세이 캄파니 리미티드).
[페놀 수지 bc2]
하기 화학식 bc2'로 표시되는 3작용성 페놀 수지와, 하기 화학식 bc2"로 표시되는 4작용성 페놀 수지의 혼합물[융점 140℃, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 MHD-244 HG]. 또, 액체 크로마토그래피 분석에 의한 피크 면적 비율(전 피크 면적에 대한 면적비)은, 화학식 bc2'가 약 84%이고, 화학식 bc2"가 약 15% 이다.
[페놀 수지 bc3]
상기 화학식 bc2"로 표시되는 4작용성 페놀 수지와, 상기 화학식 bc2'로 표시되는 3작용성 페놀 수지의 혼합물[융점 182℃, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 Bis26X-RS]. 또, 액체 크로마토그래피 분석에 의한 피크 면적 비율(전 피크 면적 에 대한 면적비)은, 화학식 bc2"가 약 90%이고, 화학식 bc2'가 약 8%이다.
[페놀 수지 bc4]
하기 화학식 bc4로 표시되는 3작용성 페놀 수지(25℃에서 고형: 순도98%, 융점 94℃, 혼슈 케미칼 인더스트리즈 리미티드의 HDM-234).
[페놀 수지 bc5]
하기 화학식 bc5로 표시되는 페놀 수지(25℃에서 고형: 미츠이 케미칼 인코포레이티드의 BPF-ST).
[페놀 수지 bc6]
알릴화페놀노볼락(25℃에서 액상: 수산기 당량 135 g/eq, 메이와 가세이 캄파니 리미티드의 MEH-8005 H).
[경화 촉진제 c1]
선행의 제 1 태양에 있어서의 실시예 및 비교예에서 사용하는 경화 촉진제 c1와 같은 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하였다. 이 마이크로캡슐형 경화 촉진제의 평균 입경은 2μm이었다. 또한, 마이크로캡슐의 입경에 대한 쉘 두께 비율은 15%이며, 트리페닐포스핀의 내포량은 전체의 30중량%이었다.
[경화 촉진제 c2]
니폰 가야쿠 캄파니 리미티드의 MCE-9957.
[경화 촉진제 c3]
2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠 케미칼즈 코포레이션의 큐레졸 2E 4MZ)
[무기질 충전제 d1]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 5.0μm, 도넨 케미칼 코포레이션의 SP-4 B).
[무기질 충전제 d2]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 15μm, 덴키 가가쿠 고교 케이케이의 FB-48 X)
[무기질 충전제 d3]
구상 용융 실리카 분말(평균 입경 0.56μm, 애드마테크스 캄파니 리미티드의 SE-2100)
실시예 c1 내지 c11, 비교예 c1 내지 c4
상기 각 성분을 하기 표 22 내지 표 24에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기로 사용하여 혼련시켜 용융 혼합하였다. 또한, 이것을 실온으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련 조건에서는, 하기에 나타내는 같다.
실시예 c1 내지 c11, 비교예 c2 내지 c4
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 150℃에서 10분간 혼합하여, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 75℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다. 또, 비교예 4에서는, 65℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하였다.
[비교예 c1]
우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 80℃에서 l 0분간 혼합하였다. 그 후, 동일한 온도에서 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 50℃까지 온도를 저하시키고, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
실시예
c1 c2 c3 c4 c5
에폭시 수지 ac1 391 391 309 376 -
ac2 - - - - -
ac3 - - - - 133
ac4 - - - - 150
ac5 - - - - 145
ac6 - - - - -
ac7 - - - - -
ac8 - - - - -
페놀 수지 bc1 - - - - -
bc2 99.7 99.7 150 182 -
bc3 99.7 99.7 141 171 -
bc4 - - - - 164
bc5 - - - - -
bc6 - - - - -
경화 촉진제 c1 23.1 - 34 41.2 19.1
c2 - 34.9 - - -
c3 - - - - -
무기질 충전제 d1 140 140 900 729 141
d2 746 746 - - 748
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59 59 59 49 59
실시예
c6 c7 c8 c9 c10 c11
에폭시수지 ac1 - - 663 663 210 -
ac2 134 - - - - -
ac3 151 - - - - -
ac4 147 - - - 229 -
ac5 - 379 - - - -
ac6 - - - - - -
ac7 - - - - - 210
ac8 - - - - - 163
페놀 수지 bc1 - - 491 491 311 -
bc2 - - - - - -
bc3 - - - - - -
bc4 167 - - - - 86.5
bc5 - 221 - - - -
bc6 - - - - - 131
경화 촉진제 c1 19.5 25.9 57.5 - 36.4 25.3
c2 - - - 85.9 - -
c3 - - - - - -
무기질 충전제 d1 900 900 45.4 45.4 119 140
d2 - - 243 243 631 747
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59 59 19 19 49 59
비교예
c1 c2 c3 c4
에폭시 수지 ac1 - 231 294 -
ac2 - - - -
ac3 - - - -
ac4 - 252 - -
ac5 - - - 379
ac6 239 - - -
페놀 수지 bc1 - 342 - -
bc2 - - 142 -
bc3 - - 134 -
bc4 - - - -
bc5 - - - 221
bc6 204 - - -
경화 촉진제 c1 23.8 40 32.3 -
c2 - - - -
c3 - - - 4.4
무기질 충전제 d1 164 107 147 900
d2 869 568 783 -
전체중 무기질 충전제의 함유율(중량%) 69 44 61 60
이렇게 수득된 실시예 및 비교예의 반도체 밀봉용 수지 조성물에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 하기 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 25 내지 표 27에 나타냈다.
[유리 전이 온도(Tg)]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[저장 안정성]
* 1: 무기질 충전제의 침강 정도
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
* 2: 점도 변화의 정도
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[토출성, 도포 작업성]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[사용가능한 시간(점도 변화)]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
[내습 신뢰성]
상기 제 1 태양과 같은 방법으로 측정하였다.
실시예
c1 c2 c3 c4 c5
25℃에서의 상태 고형 고형 고형 고형 반고형
점도(poise) 25℃ 고체 고체 고체 고체 255000
80℃ 22.5 24 4500 3000 82.5
유리 전이 온도(℃) 126 124 125 125 133
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ △ ○ ◎
사용가능한 시간 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상 200 이상 170 150 200 이상
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예
c6 c7 c8 c9 c10
25℃에서의 상태 반고형 고형 고형 고형 반고형
점도(poise) 25℃ 50000 고체 고체 고체 7200
80℃ 90 610 22.5 23 60
유리 전이 온도(℃) 134 136 88 86 94
저장 안정성 * 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
* 2 ◎ ◎ ◎ ○ ◎
토출성, 도포 작업성 ◎ ○ ◎ ◎ ◎
사용가능한 시간 ◎ ◎ ◎ ○ ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상 200 이상 100 100 180
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예 비교예
c11 c1 c2 c3 c4
25℃에서의 상태 반고형 액상 액상 고형 고형
점도(poise) 25℃ 50000 5700 6100 고체 고체
80℃ 36 15 55 5560 1500
유리 전이 온도(℃) 118 59 93 124 145
저장 안정성 * 1 ◎ × × ◎ ◎
* 2 ◎ ◎ ◎ ◎ ×
토출성, 도포 작업성 ◎ ◎ ◎ × △
사용가능한 시간 ◎ ◎ ◎ ◎ ×
내습 신뢰성(PCT) 200 70 90 170 80
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
상기 표 25 내지 표 27의 결과로부터, 모든 실시예 제품은, 무기질 충전제의 침강이 없고, 또한 사용가능한 시간이 길고, 저장 안정성이 우수한 것으로 생각된다. 그리고, 토출 및 도포 작업성도 뛰어 나고, 수득되는 반도체 장치의 내습 신뢰성도 양호한 것으로 생각된다. 특히, 실시예 c1 제품 내지 c7 제품은, 고형 페놀 수지로서 다작용성 페놀 수지 또는 다작용성 에폭시 수지를 사용할 수 있기 때문에, 다작용성 수지계가 아닌 고형 수지를 사용하는 것과 비교하면, 유리 전이 온도가 특히 높다. 또한, 실시예 c1 제품, c3 제품 내지 c8 제품, c10 제품 및 c11 제품은, 잠재성 경화 촉진제로서 특정한 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 시판중인 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하는 것과 비교하면, 사용가능한 시간이 대단히 길고, 저장 안정성이 특히 우수하다.
이것에 대하여, 비교예 c1 제품은, 액상 에폭시 수지와 액상 페놀 수지를 사용할 수 있기 때문에, 저장 안정성이 나빠지고, 무기질 충전제의 침강이 생기는 것으로 생각된다. 또한, 비교예 c2 제품도, 25℃의 점도가 7000poise 미만이기 때문에, 저장 안정성이 나빠지고, 무기질 충전제의 침강이 생기는 것으로 생각된다. 또한, 비교예 c3 제품은, 80℃의 점도가 5000poise를 넘어 있기 때문에, 토출 및 도포 작업성이 나빠지는 것으로 생각된다. 그리고, 비교예 c4 제품은 잠재성 경화 촉진제가 아닌 경화 촉진제를 사용할 수 있기 때문에, 사용가능한 시간이 짧고, 저장 안정성이 나빠지는 것으로 생각된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조방법에 대해 실시예에서 설명한다.
실시예 c12
상기 실시예 c1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 150토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 150토르의 상태를 유지한 채로 상기 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간의 조건에서 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c13
상기 실시예 c4에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c14
상기 실시예 c6에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하였다. 그 이외는 상기 실시예 c12와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c15
상기 실시예 c7에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하였다. 그 이외는 상기 실시예 c12와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c16(병용 에폭시 수지 + 병용 페놀 수지)
상기 실시예 c11에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 150토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물중의 공극을 제거하고, 그 150토르의 상태를 유지한 채로 상기 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간의 조건에서 가열 경화하여 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써, 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
[반도체 밀봉용 수지 조성물 α3의 제조]
상기 각 성분을 하기 표 28에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 만능 교반기에서 혼련시키고 용융 혼합한 후, 70℃에서 진공 탈포하였다. 또한, 이것을 실온으로 냉각시킴으로써 목적하는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제조하였다. 또, 혼련 조건에서는, 하기에 나타내는 바와 같다. 즉, 우선, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 위치시키고, 150℃에서 10분간 혼합하여, 고형분을 모두 용해시켰다. 또한, 90 내지 100℃까지 온도를 저하시키고, 무기질 충전제를 가하여 10분간 혼합하였다. 그리고, 75℃로 조절한 후, 경화 촉진제를 가하여 2분간 혼합하였다.
수득된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3에서, 25℃ 및 80℃에서의 각 점도를 E형 점도계를 사용하여 상술한 방법에 따라 측정하였다. 또한, 유리 전이 온도(Tg), 저장 안정성(무기질 충전제의 침강 정도, 점도 변화의 정도), 토출 및 도포 작업성, 사용가능한 시간에 대해서, 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 또한, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하여 제조한 반도체 장치의 내습 신뢰성을 상기와 같은 방법에 따라 측정·평가하였다. 그리고, 이것들의 결과를 하기 표 28에 더불어 나타냈다.
반도체 밀봉용 수지 조성물 α3
에폭시 수지 ac1 391
페놀 수지 bc1 99.7
bc2 99.7
경화 촉진제 c1 23.1
무기질 충전제 d3 886
전체중의 무기질 충전제의 함유율(중량%) 59
25℃에서의 상태 고형
점도(poise) 25℃ 고체
80℃ 25
유리 전이 온도(℃) 125
저장 안정성 * 1 ◎
* 2 ◎
토출 및 도포 작업성 ◎
사용가능한 시간 ◎
내습 신뢰성(PCT) 200 이상
* 1 : 무기질 충전제의 침강 정도* 2 : 점도 변화의 정도
실시예 c17
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c18
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판 및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c19
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판및 반도체 소자의 공극에, 5토르의 진공하에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그 후, 다시 대기압으로 되돌리고, 상기 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 충전(차압 충전)한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c20
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c21
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 100℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c22
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c23
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c24
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c25
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합 를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c26
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 반도체 소자상에 70℃로 가온된 배선 회로 기판을 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다. 실시예 c27상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판상에서 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 플립 칩 결합제를 사용하고, 상기 배선 회로 기판상에 반도체 소자를 탑재하고, 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)에 의해 반도체 소자와 배선 회로 기판을 접속용 전극부에 의해 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c28
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 100℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c29
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 디스펜서를 사용하여 폿팅하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c30
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c31
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c32
상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 배선 회로 기판상에 반도체 소자가 탑재되고, 양자가 결합 와이어로 전기적으로 접속된 것을 준비하였다. 그리고, 미리 70℃로 가온된 반도체 소자상에, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄함으로써 도포하였다. 또한, 분위기압을 150토르로 설정하고, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3중의 공극을 제거하고, 그 150토르의 상태를 유지한 채로 70℃로 가온된 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을 사용하여 마무리하고 인쇄하였다. 그 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시켜 반도체 소자를 내장하도록 밀봉 수지층을 형성함으로써 캐버티-필 형태의 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 c33
설치용 기판(머더 보드)상에, 상기 실시예 c20에서 제조한 반도체 장치를 배치하고, 전기적으로 접속하여 100℃로 가온한 것을 준비하였다. 그 후, 70℃로 가온된 반도체 밀봉용 수지 조성물 α3을, 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극에 디스펜서를 사용하여 충전하였다. 그리고, 150℃ × 3시간으로 경화시킴으로써 반도체 장치와 설치용 기판의 공극에 밀봉 수지층을 형성하여 반도체 제품을 제조하였다.
상기한 바와 같이 수행하여 수득된 각 반도체 장치 및 반도체 제품의 밀봉 수지층에서, 기포의 유무를 육안으로 확인하였다. 그 결과를 하기 표 29 내지 표 31에 나타낸다.
실시예
c12 c13 c14 c15 c16 c17 c18 c19 c20
기포의 유무 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 소량 존재 없음 없음 소량 존재 소량 존재
실시예
c21 c22 c23 c24 c25 c26 c27 c28 c29
기포의 유무 없음 없음 소량 존재 소량 존재 없음 없음 존재 소량 존재 존재
실시예
c30 c31 c32 c33
기포의 유무 소량 존재 없음 소량 존재 소량 존재
상기 표 29 내지 표 31의 결과로부터, 실시예 c27 및 c29를 제외하여 대부분의 반도체 장치 및 반도체 제품의 밀봉 수지층에는 기포가 없거나, 또는 소량의 기포가 확인되는 정도였다.
(4) 또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 웨이퍼 및 매트릭스상의 배선 회로 기판에 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 대해 실시예에서 언급한다.
실시예 d1
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하고, 두께 150μm가 되도록 도포시킴으로써 수지층을 형성하였다. 도포 후, 5토르의 진공하에서 탈포하고, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 상기 돌기상 전극부의 선단부가 상기 수지층보다 노출하도록 수지부를 연마하고, 다이서(dicer)에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다.
실시예 d2
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 두께 150μm가 되도록 인쇄 밀봉하였다. 인쇄 밀봉한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 상기 돌기상 전극부의 선단부가 상기 수지층보다 노출하도록 수지부를 연마하고, 다이서에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다.
실시예 d3
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 두께 150μm가 되도록 인쇄 밀봉하였다. 인쇄 밀봉한 후, 150토르로 되돌려 탈포하고, 다시 150토르의 진공하에서 마무리하여 인쇄를 하였다. 마무리하여 인쇄한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 상기 돌기상 전극부의 선단부가 상기 수지층보다 노출하도록 수지부를 연마하고, 다이서에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(웨이퍼 레벨 CSP)를 제조하였다.
실시예 d4
개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에, 결합용 와이어를 개재시켜 복수개의 반도체 소자를 탑재하였다. 그리고, 상기 실시예 a1에서제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 반도체 소자 전면에, 디스펜서를 사용하여 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 도포하고, 반도체 소자를 내장하도록 수지층을 형성하였다. 수지층을 형성한 후, 5토르의 진공하에서 탈포하고, 그 후 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다.
실시예 d5
개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 직접 복수개의 반도체 소자를 탑재하였다. 그리고, 상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 반도체 소자 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄 밀봉하였다. 그 후 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다.
실시예 d6
개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에, 직접 복수개의 반도체 소자를 탑재하였다. 그리고, 상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이수행하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 반도체 소자 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 5토르의 진공하에서 마스크의 개구부를 통해 인쇄 밀봉하였다. 인쇄 밀봉한 후, 150토르로 되돌려 발포하고, 다시 150토르의 진공하에서 마무리하여 인쇄를 하였다. 마무리하여 인쇄한 후, 150℃ × 3시간으로 가열 경화시킴으로써 밀봉 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하여 반도체 장치(MAP-BGA 법)를 제조하였다.
실시예 d7
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하고, 두께 50μm가 되도록 도포시킴으로써 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과, 상기 단편으로 절단한 반도체 소자의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d8
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물를, 마스크의 개구부를 통해 두께 50μm가 되도록 인쇄 밀봉하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과 상기 단편으로 절단한 반도체 소자의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하여 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d9
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물를, 마스크의 개구부를 통해 두께 50μm가 되도록 인쇄 밀봉하였다. 인쇄 밀봉한 후, 5토르의 진공하에서 기포를 제거하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과, 상기 단편으로 절단한 반도체 소자의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합을 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d10
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물를, 마스크의 개구부를 통해, 5토르의 진공하에서 두께 50μm가 되도록 인쇄 밀봉하였다. 인쇄 밀봉한 후, 150토르의 진공하에서 되돌려 기포를 제거하였다. 또한, 150토르의 조건에서 마무리하여 인쇄를 하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된 배선 회로 기판과, 상기 단편으로 절단한 반도체 소자의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d11
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 디스펜서를 사용하여 5토르의 진공하에서 도포시킴으로써 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된, 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과, 상기 단편으로 절단한 배선 회로 기판의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d12
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 마스크의 개구부를 통해 인쇄시킴으로써 수지층을 형성하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된, 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과, 상기 단편으로 절단한 배선 회로 기판의수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d13
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 마스크의 개구부를 통해 인쇄하여 수지층을 형성한 후, 5토르의 진공하에서 기포를 제거하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된, 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과, 상기 단편으로 절단한 배선 회로 기판의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하고 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 d14
상기 실시예 a1에서 제조한 반도체 밀봉용 수지 조성물을 미리 70℃의 진공하에서 감압 탈포한 것을 사용하고, 하기와 같이 수행하여 플립 칩 설치에 의해 반도체 장치를 제조하였다. 즉, 미리 70℃로 가온된, 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판 전면에, 상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 마스크의 개구부를 통해 5토르의 진공하에서 인쇄하여 수지층을 형성한 후, 150토르의 진공하에서 되돌려 기포를 제거하였다. 또한, 150토르의 조건에서 마무리하여 인쇄를 하였다. 그 후, 다이서에서 단편으로 절단하였다. 또한, 미리 70℃로 가온된 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과, 상기 단편으로 절단한 배선 회로 기판의 수지층 형성면을 대치시키고, 플립 칩 결합제를 사용하여 열 압착 접속(조건: 150℃ × 2kg × 20분 + 220℃ × 0.5kg × 2분)시킴으로써 반도체 소자와 배선 회로 기판을 상기 돌기상 전극부를 개재시켜 전기적으로 접속하는 동시에, 배선 회로 기판과 반도체 소자의 공극에 밀봉 수지층을 형성함으로써 플립 칩 설치에 의한 반도체 장치를 제조하였다.
상기한 바와 같이 수행하여 수득된 각 반도체 장치의 밀봉 수지층에서, 기포의 유무를 육안으로 확인하였다. 그 결과를 하기 표 32 및 표 33에 나타낸다.
실시예
d1 d2 d3 d4 d5 d6 d7 d8 d9
기포의 유무 소량 존재 소량 존재 없음 없음 없음 없음 소량 존재 소량 존재 없음
실시예
d10 d11 d12 d13 d14
기포의 유무 없음 없음 소량 존재 없음 없음
상기 표 32 및 표 33의 결과, 수득된 반도체 장치의 밀봉 수지층에는 기포가 없거나, 또는 소량의 기포가 확인되는 정도였다.
산업상의 이용가능성
이상과 같이, 본 발명은 에폭시 수지(A 성분), 페놀 수지(B 성분), 잠재성 경화 촉진제(C 성분) 및 무기질 충전제(D 성분)를 함유한 반도체 밀봉용 수지 조성물로서, 25℃ 및 80℃의 각 온도에 있어서의 반도체 밀봉용 수지 조성물의 점도가 특정한 범위로 설정되어 있다. 이 때문에, 종래의 액상 밀봉제와 비교하여 사용가능한 시간이 길고, 저장 안정성이 우수하다. 더구나, 실온에서 고형 또는 반고형이더라도, 40 내지 80℃ 정도의 낮은 온도에서 급격히 점도가 저하하여 액상화될 수 있기 때문에, 토출 및 도포 작업성이 우수하다. 특히, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물은, 상온에서 고형 또는 반고형이기 때문에, 반도체 소자 또는 배선 회로 기판에 있어서 밀봉 후 경화되지 않은 상태일지라도, 상온에서 자유롭게 취급할 수 있게 하기 위해, 이 반도체 밀봉용 수지 조성물을 반도체 웨이퍼 또는 매트릭스상의 배선 회로 기판 등에 도포한 후, 개개의 소자 및 배선 회로 기판에서 절단되고, 플립 칩 결합제 등으로 배선 회로 기판과 반도체 소자를 열 압착 등에 의해 접속이 가능해진다. 또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물은 실온에서 고형 또는 반고형의 상태에서 저장할 수 있기 때문에, 무기질 충전제(D 성분)가 침강되는 경우는 없다. 초기에, 고형 또는 반고형의 상태로 저장하고, 그 후 필요에 따라 낮은 온도하에서 액상화하여 사용할 수 있기 때문에, 양호한 밀봉이 가능하므로, 결과, 신뢰성, 특히 내습 신뢰성이 높은 반도체가 수득된다.
그리고, 상기 잠재성 경화 촉진제(C 성분)로서, 특정한 쉘부에서 경화 촉진제로 이루어진 코어부가 피복된 코어/쉘 구조를 갖는 마이크로캡슐형 경화 촉진제를 사용하는 경우에는, 그것을 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물은 사용가능한 시간이 대단히 길어지고, 저장 안정성이 특히 뛰어나다는 이점이 있다.
또한, 상기 무기질 충전제(D 성분)로서 구상 용융 실리카를 사용하고, 이것이 반도체 밀봉용 수지 조성물 전체중에 특정한 비율로 함유되는 경우에는, 그것을 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물은 유동성이 뛰어나게 되고, 토출 및 도포 작업성이 특히 뛰어나다는 이점이 있다.

Claims (21)

  1. (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, (C) 잠재성 경화 촉진제 및 (D) 무기질 충전제를 함유하는 반도체 밀봉용 수지 조성물로서,
    점도가 25℃에서 7000poise 이상이고, 80℃에서 5000poise 이하임을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 액상 에폭시 수지이고, 상기 (B) 성분이 고형 페놀 수지인 반도체 밀봉용 수지 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 고형 에폭시 수지이고, 상기 (B) 성분이 액상 페놀 수지인 반도체 밀봉용 수지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 고형 에폭시 수지이고, 상기 (B) 성분이 고형 페놀 수지인 반도체 밀봉용 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 성분인 잠재성 경화 촉진제가, 경화 촉진제로 이루어진 코어부가, 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 갖는 중합체를 주성분으로 하는 쉘부(shell portion)로 피복된 코어/쉘 구조를 갖는 마이크로캡슐형 경화 촉진제인 반도체 밀봉용 수지 조성물:
    화학식 1
    상기 식에서,
    R은 2가 또는 3가의 유기기이고, R1및 R2는 각각 수소원자 또는 1가 유기기이고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (D) 성분인 무기질 충전제가 구상 용융 실리카 분말이고, 상기 구상 용융 실리카 분말이 반도체 밀봉용 수지 조성물 전체중에 15 내지 85중량%의 비율로 함유되는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
  7. 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재되고, 상기 배선 회로 기판과 반도체 소자 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉되는 반도체 장치로서,
    상기 밀봉 수지층이 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 배선 회로 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 반도체 소자가 탑재되고, 상기 배선 회로 기판과 반도체 소자 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉되는 반도체 장치의 제조방법으로서,
    상기 배선 회로 기판과 반도체 소자 사이의 공극에 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물을 충전한 후, 경화시킴으로써 상기 밀봉 수지층을 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 배선 회로 기판면상에 반도체 소자가 탑재되고, 배선 회로 기판과 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 반도체 소자를 내장하도록 반도체 소자의 주위를 밀봉 수지층에 의해 밀봉하는 반도체 장치로서,
    상기 밀봉 수지층이 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 배선 회로 기판면상에 반도체 소자가 탑재되고, 배선 회로 기판과 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 반도체 소자를 내장하도록 반도체 소자의 주위를 밀봉 수지층에 의해 밀봉하는 반도체 장치의 제조방법으로서,
    상기 배선 회로 기판면상에 반도체 소자를 탑재하여 배선 회로 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속한 후, 상기 반도체 소자 탑재면측의 배선 회로 기판상에 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 경화시킴으로써 상기 밀봉 수지층을 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 설치용 기판상에 복수개의 접속용 전극부를 개재시켜 수지 밀봉층이 형성된 반도체가, 그 자체의 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로 탑재되고, 상기 설치용 기판과 반도체 장치 사이의 공극이 밀봉 수지층에 의해 밀봉되는 반도체 제품으로서,
    상기 밀봉 수지층이 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제품.
  12. 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을, 상기 돌기상 전극부의 적어도 선단부를 상기 수지층으로부터 노출하도록 형성하는 공정, 및 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 소자로 절단하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 수지층을 형성하는 공정이, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의해 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  14. 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판상에 탑재된 복수개의 반도체 소자 전체상에, 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물을 공급하여 반도체 소자를 내장하도록 수지층을 형성하는 공정, 및 상기 반도체 소자를 내장하도록 수지층이 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판을, 수지층과 동시에 개개의 반도체 소자마다 절단하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지층을 형성하는 공정이, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의해 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  16. 돌기상 전극부가 배설된 반도체 소자가 복수 형성된 반도체 웨이퍼의 상기 돌기상 전극부 배설면에, 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 소정의 두께의 수지층을 형성하는 공정; 상기 수지층이 형성된 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 소자로 절단하는 공정; 상기 절단된 반도체 소자의 수지층 형성면과 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 배선 회로 기판과 반도체 소자를 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 수지층을 형성하는 공정이, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의해 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 수지 조성물로 이루어진 수지층을 형성하는 공정이, 디스펜서를 사용하여 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  19. 개개의 배선 회로가 형성된 매트릭스상의 배선 회로 기판면에, 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 따른 반도체 밀봉용 수지 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정; 상기 수지층이 형성된 배선 회로 기판을 개개의 배선 회로 기판으로 절단하는 공정; 복수개의 접속용 전극부가 각각에 배설된 반도체 소자의 접속용 전극부 배설면과 절단된 배선 회로 기판을 대면시킨 상태로, 반도체 소자와 배선 회로 기판을 가열 압착시킴으로써 양자를 전기적으로 접속시킴과 동시에, 상기 수지층을 용융하여 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자와 배선 회로 기판 사이에 밀봉 수지층을 형성하여 수지 밀봉하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정이, 마스크의 개구부를 통한 인쇄에 의해 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 수지 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 공정이, 디스펜서를 사용하여 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
KR1020017010928A 1999-02-25 2000-02-21 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법 KR20020005601A (ko)

Applications Claiming Priority (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-1999-00048905 1999-02-25
JPJP-P-1999-00048906 1999-02-25
JP4890599 1999-02-25
JP4890799 1999-02-25
JPJP-P-1999-00048907 1999-02-25
JP4890699 1999-02-25
JP11212070A JP2000309683A (ja) 1999-02-25 1999-07-27 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP11212068A JP2000309681A (ja) 1999-02-25 1999-07-27 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JPJP-P-1999-00212068 1999-07-27
JPJP-P-1999-00212069 1999-07-27
JP11212069A JP2000309682A (ja) 1999-02-25 1999-07-27 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JPJP-P-1999-00212070 1999-07-27
JP24051199A JP4286399B2 (ja) 1999-02-25 1999-08-26 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JPJP-P-1999-00240511 1999-08-26
PCT/JP2000/000951 WO2000050512A1 (en) 1999-02-25 2000-02-21 Resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device obtained with the same, and process for producing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020005601A true KR20020005601A (ko) 2002-01-17

Family

ID=27564709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017010928A KR20020005601A (ko) 1999-02-25 2000-02-21 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7034404B1 (ko)
EP (1) EP1203792A4 (ko)
KR (1) KR20020005601A (ko)
CN (1) CN1262598C (ko)
HK (1) HK1046012A1 (ko)
WO (1) WO2000050512A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048862A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Ueno Seiyaku Oyo Kenkyusho:Kk アルキレンビスナフトール誘導体およびそれからなる電荷制御剤
TW200517436A (en) * 2003-10-09 2005-06-01 Nippon Kayaku Kk Resin composition for protective film
JP4421939B2 (ja) * 2004-05-13 2010-02-24 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR101134168B1 (ko) * 2005-08-24 2012-04-09 삼성전자주식회사 반도체 칩 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 표시 패널 및그 제조 방법
JP4396746B2 (ja) * 2007-08-13 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス
JPWO2011043058A1 (ja) * 2009-10-09 2013-03-04 住友ベークライト株式会社 半導体装置
JP2012017422A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Nitto Denko Corp 熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法およびそれにより得られた硬化物
TWI586749B (zh) * 2010-11-19 2017-06-11 漢高日本股份有限公司 單組分環氧樹脂組成物
CN102167886B (zh) * 2011-01-14 2012-09-26 黄文迎 环氧树脂组合物及其制备方法
JP2013014709A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Nitto Denko Corp 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置
US8986578B2 (en) 2011-12-28 2015-03-24 King Fahd University Of Petroleum And Minerals High impact strength conductive adhesives
TWI548005B (zh) * 2014-01-24 2016-09-01 環旭電子股份有限公司 選擇性電子封裝模組的製造方法
US10850512B2 (en) * 2018-02-23 2020-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording head and method of manufacturing same
CN110041507A (zh) * 2019-05-07 2019-07-23 安徽美佳新材料股份有限公司 一种环保防紫外线型环氧树脂的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02147618A (ja) * 1988-11-29 1990-06-06 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接着方法
JP3454437B2 (ja) * 1992-10-02 2003-10-06 ナショナル スターチ アンド ケミカル インベストメント ホールディング コーポレイション 低粘度無溶媒の一液型エポキシ樹脂接着性組成物
US5585421A (en) 1994-03-31 1996-12-17 Somar Corporation Composition dispensable at high speed for bonding electric parts to printed wiring boards
MY111779A (en) 1994-11-10 2000-12-30 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JPH08157561A (ja) * 1994-12-01 1996-06-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3611066B2 (ja) 1996-08-29 2005-01-19 株式会社ルネサステクノロジ 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法
JP2982713B2 (ja) 1996-10-23 1999-11-29 日本電気株式会社 半導体素子の放熱構造
JPH10168161A (ja) * 1996-12-13 1998-06-23 Nitto Denko Corp 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH10189832A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP3911088B2 (ja) * 1997-04-28 2007-05-09 日東電工株式会社 半導体装置
JP3351996B2 (ja) 1997-07-18 2002-12-03 松下電工株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100563352B1 (ko) 1998-06-09 2006-03-22 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하는반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1348481A (zh) 2002-05-08
EP1203792A4 (en) 2002-05-29
HK1046012A1 (zh) 2002-12-20
EP1203792A1 (en) 2002-05-08
US7034404B1 (en) 2006-04-25
WO2000050512A1 (en) 2000-08-31
CN1262598C (zh) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100550705B1 (ko) 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조 방법
KR100776959B1 (ko) 반도체 봉지용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치,반도체 웨이퍼, 및 반도체 장치의 실장 구조체
TW574739B (en) Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same
KR100702566B1 (ko) 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료 및 반도체 장치
CN101321799B (zh) 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置
US6916538B2 (en) Thermosetting resin composition and semiconductor device obtained with the same
JP3957239B2 (ja) エポキシ樹脂用マイクロカプセル型硬化剤、エポキシ樹脂用マイクロカプセル型硬化促進剤およびそれらの製法、ならびにエポキシ樹脂組成物、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
KR102408026B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20020005601A (ko) 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 이를 사용한 반도체 장치및 반도체 장치의 제조방법
JP2024026589A (ja) 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
KR101373791B1 (ko) Ｃｏｆ 실장용 봉지제 및 이것을 사용하여 봉지한 반도체 부품
JP4286399B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
TW202108655A (zh) 密封用樹脂組成物、電子零件裝置及電子零件裝置的製造方法
JP2002121260A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP2003105168A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2000309682A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP4417494B2 (ja) エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP3955234B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH10120753A (ja) 封止用成形材料及び電子部品
JP2000103838A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2000309681A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP2000309683A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP2002097253A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP2001220428A (ja) 半導体装置および半導体装置実装体ならびに修復方法
JP2003002955A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20061121

Effective date: 20071123