WO2000050512A1

WO2000050512A1 - Resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device obtained with the same, and process for producing semiconductor device

Info

Publication number: WO2000050512A1
Application number: PCT/JP2000/000951
Authority: WO
Inventors: Tadaaki Harada; Hideaki Taki; Toshitsugu Hosokawa
Original assignee: Nitto Denko Corporation
Priority date: 1999-02-25
Filing date: 2000-02-21
Publication date: 2000-08-31
Also published as: CN1262598C; KR20020005601A; EP1203792A1; EP1203792A4; HK1046012A1; US7034404B1; CN1348481A

Description

明細書半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法技術分野

本発明は、エポキシ樹脂系の封止剤であり、 8 0て以下の比較的低温下で低粘度を示し、特に吐出，塗布作業性に優れ、しかも貯蔵安定性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法に関するものである。背景技術

従来から、 T A B ( Tape Automated Bonding, テ一ブォ一トメィテイドポンデイング）， C O B ( Chip On Board , チップオンポ一ド）等における半導体封止には、液状封止剤が用いられている。そして、上記液状封止剤は、室温（ 2 5 °C ) で使用され、ディスペンサー、印刷等によって半導体素子を樹脂封止することにより、半導体装置が製造される。このような液状封止剤としては、一般に、液状のエポキシ樹脂と、酸無水物系硬化剤と、通常の硬化促進剤と、シリカ粉末とを含有してなるエポキシ樹脂組成物が知られている。

しかしながら、上記液状封止剤は、硬化剤として酸無水物系硬化剤を用いるため、封止剤の液状化は容易であり、吐出および塗布作業性は良好であるが、耐湿下での吸湿率が高くなり、耐湿信頼性に劣るという問.題が生じる。また、上記液状封止剤は、室温で液状であるため貯蔵安定性が悪く、室温貯蔵時に粘度が大きく上昇したり、シリカ粉末が沈降したりするため、樹脂を凍らせて固形化する等の、特別の貯蔵手段を講じる必要がある。

本発明は、このような事倩に鑑みなされたもので、耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れるとともに、吐出および塗布作業性にも優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置、ならびにその半導体装置の製法を提供することを目的とする。発明の開示

上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（A) 〜（D) 成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が 2 5 'C で 7 0 0 0 p o i s e以上で、かつ 8 0°Cで 5 0 0 0 p o i s e以下に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第 1の要旨とする。

(A) エポキシ樹脂。

(B) フヱノール樹脂。

(C) 潜在性硬化促進剤。

(D) 無機質充填剤。

また、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体装置を第 2の要旨とする。

さらに、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によつて封止されてなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記半導体封止用樹脂組成物を充填した後、硬化させることにより上記封止樹脂層を形成する半導体装置の製法を第 3の要旨とする。

また、配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体装置を第 4の要旨とする。そして、配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記半導体素子搭載面側の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組成物を供給して硬化させることにより上記封止樹脂層を形成する半導体装置の製法を第 5の要旨とする。さらに、実装用基板上に、複数の接続用電極部を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体製品を第 6の要旨とする。

そして、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層から露出するよう形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを、個々の半導体素子に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第 7の要旨とする。

また、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する工程と、上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層が形成されたマトリックス状の配線回路基板を樹脂層とともに個々の半導体素子毎に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第 8の要旨とする。

さらに、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの _樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する工程と、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の製法を第 9の要旨とする。

そして、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板面に、上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する工程と、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の製法を第 1 0の要旨とする。

すなわち、本発明者は、耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れるとともに、吐出および塗布作業性にも優れた封止材料を得るため一連の研究を重ねた。その結果、エポキシ樹脂とフエノール樹脂と潜在性硬化促進剤と無機質充填剤とを含有し、しかも 2 5 °Cおよび 8 0ての各温度において特定の粘度を有する樹脂組成物を用いると、所期の目的を達成できることを見出し本発明に到達した。

そして、上記潜在性硬化促進剤として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が被覆されたコア/シヱル構造を有するマイク口カプセル型硬化促進剤を用いた場合、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。

さらに、無機質充填剤として球状溶融シリカ粉末を用い、これが半導体封止用樹脂組成物全体中に特定の割合で含有されている場合には、流動性に優れるようになり、吐出および塗布作業性に特に優れるという利点がある。発明を実施するための最良の形態

つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（A成分）と、フエノール樹脂（B成分）と、潜在性硬化促進剤（ C成分）と、無機質充填剤（D成分）とを用いて得られるものであり、 2 5 および 8 0 °Cの各温度でそれそれ特定の粘度を有するものである。

そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、その必須構成成分であるエポキシ樹脂（A成分）とフエノール樹脂（B成分）の性質によって三つの態様に大別することができる。第 1の態様はエポキシ樹脂（A成分）として液状ェポキシ樹脂（A 1 ) を、フエノール樹脂（B成分）として固形フヱノール樹脂（ B 1 ) を用いた態様であり、第 2の態様はエポキシ樹脂（ A成分）として固形ェポキシ樹脂（A 2 ) を、フエノール樹脂（B成分）として液状フヱノール樹脂（ B 2 ) を用いた態様であり、第 3の態様はエポキシ樹脂（A成分）として固形ェポキシ樹脂（A 3 ) を、フヱノール樹脂（B成分）として固形フヱノール樹脂（ B 3 ) を用いた態様である。残りの潜在性硬化促進剤（ C成分）、無機質充填剤 ( D成分）およびこれら以外の他の添加剤に関しては上記 3態様とも共通のものが用いられる。

まず、第 1の態様である、エポキシ樹脂（A成分）として液状エポキシ樹脂（ A 1 ) を、フエノール樹脂（B成分）として固形フヱノール樹脂（B 1 ) を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。

上記液状エポキシ樹脂（A 1 ) としては、 2 5 Cで液状を示すものであれば特に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、ビスフエノ一ル F型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、脂環式ェポキシ樹脂、ァリル化ビスフエノール型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。なお、上記液状エポキシ樹脂（A 1成分）とは、単独で用いた場合 2 5。Cで液状を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として 2 5。Cで液状を示すものをも含む趣旨である。

そして、上記液状エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が 1 1 0〜 2 2 0 g / e qのものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が 1 4 0〜 2 0 0 g / e qのものを用いることが好適である。

±記固形フエノ一ル樹脂（B 1成分）としては、上記液状エポキシ樹脂（A 1 成分）の硬化剤として作用するものであって、 2 5 °Cで固形を示すものであれば特に限定するものではなく各種のフエノール樹脂を用いることができるが、初期の目的を損なわない範囲であれば、テトラヒドロ無水フタル酸、へキサヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤やアミン類、フタル酸類を併用してもよい。上記固形フエノール樹脂（B 1 成分）としては、例えば、多官能固形フヱノール樹脂、ビスフヱノール樹脂、ナフタレン型フエノール樹脂、フエノールノポラック樹脂、トリフエニルメタン型フエノール樹脂等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形フエノール樹脂とは、フエノール性水酸基が 2個以上ついた芳香族環を少なくとも 1個有し、かつ 1分子中のフエノール性水酸基の総数が 3個以上であり、しかも芳香族環を少なくとも 1分子中に 2個以上有する固形フエノール樹脂をいう。このような多官能固形フエノール樹脂としては、例えば、三官能固形フエノール樹脂、四官能固形フヱノール樹脂、五官能固形フエノール樹脂等があげられる。なお、多官能固形フエノール樹脂を用いる場合は、数平均分子量が 4 5 0以下のものを用いることが好適である。なお、上記固形フエノール樹脂（B 1成分）とは、単独で用いた場合 2 5 で固形を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にフヱノール樹脂成分として 2 5 °C で固形を示すものをも含む趣旨である。

上記固形フエノール樹脂（B 1成分）のうち三官能固形フエノール樹脂としては、例えば下記の一般式（ 2 ) で表される構造のフヱノール樹脂、下記の一般式 ( 3 ) で表される構造のフエノール樹脂等があげられる。

C±f¾ ( 2 ) において、 R₃ 〜R ₇ は水 ¾ 子またはメチル基であつて、互いに同じであっても異なっていてもよいつ〕

ΟιΙΞϊζ ( 3 ) において、 R₃ 〜R₇ は水、子またはメチル基であ- て、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕また、上記固形フヱノール樹脂（B 1成分）のうち四官能固形フヱノール樹脂としては、例えば下記の一般式（4 ) で表される構造のフエノール樹脂、下記の一般式（ 5 ) で表される構造のフヱノール樹脂等があげられる。 … （4) .

Lh!K (4) において、 R₃ 〜R₇ は水 ¾ ^子またはメチノ USであ- て、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕

… （5)

Lhf (5) において、 R₃ 〜R!。は水麵子またはメチル基であつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕また、上記固形フエノール樹脂（B 1成分）のうち五官能固形フヱノール樹脂としては、例えば下記の一般式（ 6 ) で表される構造のフエノール樹脂等があげられる。

LilK (6) において、 R₃ 〜R_!0は水素原子またはメチノレ基であつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。 j そして、上記固形フエノ一ル樹脂としては、水酸基当量が 3 0〜 2 6 0 g/e qで、軟化点が 4 0 ~ 1 0 0 °Cまたは融点が 5 0〜 2 1 0 °Cのものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が 5 0〜 1 1 0 g/e qで、軟化点が 6 0〜 9 0 °Cまたは融点が 7 0〜 1 9 0 °Cのものを用いることが好適である。なお、軟化点は J I S K 7 2 4 3に従い測定できる。

上記液状エポキシ樹脂（A 1成分）と固形フエノール樹脂（B 1成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基 1当量当たりフエノール樹脂中の水酸基が 0 . 6〜 1 . 4当量となるように配合することが好適である。より好適には、 0 . 7〜 1 . 1当量である。

第 1の態様において、上記液状エポキシ樹脂（A 1成分）と固形フヱノ一ル樹脂（B 1成分）との組み合わせにおいては、例えば、ビスフヱノール F型ェポキシ樹脂と多官能固形フヱノール樹脂とを組み合わせて用いることが、流動性、耐熱性、硬化性の点から好ましい。

つぎに、第 2の態様である、エポキシ樹脂（A成分）として固形エポキシ樹脂 ( A 2成分）を、フヱノール樹脂（B成分）として液状フヱノール樹脂（B 2成分）を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。

上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）としては、 2 5 °Cで固形を示すものであれば特に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、多官能固形エポキシ樹脂、結晶性エポキシ樹脂、二官能固形エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシァヌレート等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形エポキシ樹脂とは、 1分子中のェポキシ基の総数が 3個以上である固形エポキシ樹脂をいう。このような多官能固形ェポキシ樹脂としては、例えば、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフエニルメタン型エポキシ樹脂等があげられる。また、結晶性エポキシ樹脂とは、 X線回折により多数の結晶のピークが表れる固形エポキシ樹脂であって、物理的にはシャ一プな融点を示し、かつ溶融時には分子間相互作用が殆どなくなるため極端に粘度が低下する性質を有するものをいう。このような結晶性エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフエノール型、ビフヱニル型、スチルベン型等があげられる。なお、上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）とは、単独で用いた場合 2 5 °Cで固形を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として 2 5 °Cで固形を示すものをも含む趣旨である。

上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）のうち四官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば市販されている商品名 E X A— 4 7 0 1 (大日本ィンキ社製）等があげられる。なお、上記 E X A— 47 0 1は、下記の構造式（ 7 ) で表される

また、上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）のうちトリフヱニルメタン型ェポキシ樹脂としては、例えば市販されている商品名 E P P N— 5 0 1 H Y (日本化薬社製）等があげられる。なお、上記 E P PN— 5 0 1 H Yは、下記の化学式（ 8 ) で表される。

Lhl¾ (8) において、 nは、 0または正数を表す。〕

そして、上記固形エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が 1 40~ 2 5 0 g/ e qで、軟化点が 5 0 ~ 1 0 0 または融点が 4 5〜 1 5 0°Cのものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が 1 5 0〜 2 2 0 g/ e qで、軟化点が 6 0〜 80 °Cまたは融点が 5 0~ 1 3 0°Cのものを用いることが好適である。

上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）とともに用いられる液状フヱノール樹脂（ B 2成分）としては、上記固形エポキシ樹脂（ A 2成分）の硬化剤として作用するものであって、 2 5 °Cで液状を示すものであれば特に限定するものではなく各種のフエノール樹脂を用いることができる。例えば、ァリル化フエノールノポラック、ジァリル化ビスフエノール A、ァセチル化フエノール、ジァリルビスフエノール F等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。なお、上記液状フエノール樹脂（B 2成分）とは、単独で用いた場合 2 5てで液状を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にフエノ一ル樹脂成分として 2 5てで液状を示すものをも含む趣旨である。

そして、上記液状フヱノール樹脂としては、水酸基当量が 8 0 ~ 2 0 0 g / e qのものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が 1 0 0〜 1 7 0 g / e qのものを用いることが好適である。

上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）と液状フヱノール樹脂（B 2成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基 1当量当たりフエノ一ル樹脂中の水酸基が 0 . 7〜 1 . 4当量となるように配合することが好適である。より好適には、 0 . 9〜 1 . 1当量である。

第 2の態様において、上記固形エポキシ樹脂（A 2成分）と液状フヱノ一ル樹脂（B 2成分）との組み合わせにおいては、例えば、四官能ナフタレン型ェポキシ樹脂とァリル化フエノールノポラックとを組み合わせて用いることが、耐熱性と流動性の点から好ましい。

つきに、第 3の態様である、エポキシ樹脂（A成分）として固形エポキシ樹脂 ( A 3成分）を、フヱノール樹脂（B成分）として固形フヱノール樹脂（B 3成分）を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。

上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）としては、 2 5 °Cで固形を示すものであれば特に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、多官能固形エポキシ樹脂、結晶性エポキシ樹脂、二官能固形エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシァヌレート、ビスフエノール F型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形エポキシ樹脂とは、 1分子中のエポキシ基の総数が 3個以上である固形エポキシ樹脂をいう。このような多官能固形エポキシ樹脂としては、例えば、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフエニルメタン型、ジシクロペンタジェン型、三井化学社製のテクモア VG 3 1 0 1 L、オルソクレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂等があげられる。また、結晶性エポキシ樹脂とは、 X線回折により多数の結晶のピークが表れる固形エポキシ樹脂であって、物理的にはシャープな融点を示し、かつ溶融時には分子間相互作用が殆どなくなるため極端に粘度が低下する性質を有するものをいう。このような結晶性ェポキシ樹脂としては、例えば、ビスフエノール型、ビフエニル型、スチルベン型等があげられる。そして、結晶性エポキシ樹脂のなかでも融点が 9 0 °C以上のものを用いる場合は、 8 0°C以下での流動性が良くなるという理由から、 2種以上のものを組み合わせて用いることが好ましい。なお、上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）とは、単独で用いた場合 2 5 で固形を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として 2 5 °Cで固形を示すものをも含む趣旨である。

上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）のうち結晶性エポキシ樹脂としては、例えば市販されている商品名 GK— 4 1 3 7 (新曰鉄化学社製）、商品名 GK— 5 0 7 9 (新日鉄化学社製）、商品名 YD C— 1 3 1 2 (東都化成社製）等があげられる。なお、上記 GK— 4 1 3 7は、下記の化学式（ 9 ) で表される。また、上記 GK— 5 0 7 9は、下記の化学式（ 1 0 ) で表される。また、上記 YD C— 1 3 1 2は、下記の化学式（ 1 1 ) で表される。

(1 0)

さらに、上記結晶性エポキシ樹脂のうちビフル型エポキシ樹脂は、下記の '般式（ 1 2 ) で表される。

… （12)

[± 5ζ (12) において、 R₃ 〜R₃ は水^!子または難数丄〜 5 のアルキノ [^であって互いに同じであっても異なっていてもよい。〕上記一般式（ 1 2 ) 中の R₃ 〜R_f で表される炭素数 1 ~ 5のアルキル基としては、メチル基、ェチル基、 n—プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、イソブチル基、 s e c —ブチル基、 t e r t —ブチル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、上記 R! 〜R_f は互いに同一であっても異なっていてもよい。

そして、上記ビフエ二ル型エポキシ樹脂として、上記 R₃ 〜Ri が全てメチル基である下記の式（ 1 3 ) で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂と、上記 R₃ 〜R, が全て水素である下記の式（ 1 4) で表される構造のビフヱ二ル型ェポキシ樹脂とが略同量で含有されている混合物を用いてもよい。

そして、 A 3成分である固形エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が 1 4 0〜 2 7 0 g / e qで、軟化点が 5 0〜 1 0 0てまたは融点が 4 0〜 1 5 0てのものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が 1 5 0〜 2 2 0 g / e qで、軟化点が 6 0 ~ 8 0。(：または融点が 6 0〜 1 3 0 °Cのものを用いることが好適である。

上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）とともに用いられる固形フエノール樹脂（ B 3成分）としては、 2 5 °Cで固形を示すものであれば特に限定するものではなく各種のフエノール樹脂を用いることができるが、初期の目的を損なわない範囲であれば、テトラヒドロ無水フタル酸、へキサヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤ゃァミン類、フタル酸類を併用してもよい。上記固形フエノール樹脂（B 3成分）としては、例えば、多官能固形フエノール樹脂、ビスフヱノール類、テルペンフエノール類、テルペンジフエノール類、ジヒドロキシナフタレン類、ノポラックフエノール、ァリル化フヱノール、ァセチル化フヱノール、トリフエニルメタン型等があげられる。これらは単独であるいは 2種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形フエノール樹脂とは、フエノール性水酸基が 2個以上ついた芳香族環を少なくとも 1 個有し、かつ 1分子中のフヱノール性水酸基の総数が 3個以上であり、しかも芳香族環を少なくとも 1分子中に 2個以上有する固形フヱノ一ル樹脂をいう。このような多官能固形フエノール樹脂としては、例えば、三官能固形フエノール樹脂、四官能固形フヱノール樹脂、五官能固形フヱノール樹脂等があげられる。なお、多官能固形フエノール樹脂を用いる場合は、数平均分子量が 4 5 0以下のものを用いることが好適である。なお、上記固形フエノール樹脂（B 3成分）とは、単独で用いた場合 2 5 °Cで固形を示すことはもちろん、 2種以上併用した場合において最終的にフエノ一ル樹脂成分として 2 5 で固形を示すものをも含む趣旨である。

上記固形フヱノール樹脂（B 3成分）のうち三官能固形フヱノール樹脂としては、例えば下記の一般式（ 1 5 ) で表される構造のフヱノ一ル樹脂、下記の一般式（ 1 6 ) で表される構造のフェノール樹脂等があげられる。 … （1 5)

UJS¾ (15) において、 R₇ 〜Ruは水子またはメチノ L¾であつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕

. Ltia¾ (1 6) において、 R₇ 〜RHは水素原子またはメチノであ

つて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕また、上記固形フエノ一ル樹脂（B 3成分）のうち四官能固形フエノ一ル樹脂としては、例えば下記の一般式（ 1 7 ) で表される構造のフヱノール樹脂、下記の一般式（ 1 8 ) で表される構造のフヱノール樹脂等があげられる。

… （1 7)

Lt (1 7) におレ、て、 R ₇ 〜R！ tは水素原子またはメチノ b¾であつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕 P TJP00/00951

15

… （18)

LhlH; (18) において、 R₇ 〜R₁₄は水親子またはメチノであつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕また、上記固形フヱノール樹脂（B 3成分）のうち五官能固形フヱノール樹脂としては、例えば下記の一般式（ 1 9 ) で表される構造のフヱノール樹脂等があげられる。

… （19)

LhfK (19) において、 R₇ 〜R₁₄は水素原子またはメチノであつて、互いに同じであっても異なっていてもよい。〕そして、 B 3成分である固形フヱノール樹脂としては、水酸基当量が 3 0〜 2 6 0 g/e qで、軟化点が 4 0 - 1 0 0てまたは融点が 5 0〜 2 1 0 °Cのものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が 5 0〜 1 1 0 g/e qで、軟化点が 6 0〜 9 0 または融点が 7 0〜 1 9 0てのものを用いることが好適である。上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）と固形フエノール樹脂（B 3成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基 1 当量当たりフヱノール樹脂中の水酸基が 0 . 6〜 1 . 4当量となるように配合することが好適である。より好適には、 0. 7 ~ 1 . 1当量である。

上記固形エポキシ樹脂（A 3成分）と固形フヱノール樹脂（B 3成分）との組み合わせにおいては、例えば、結晶性エポキシ樹脂〔特に商品名 G K— 4 1 3 7 (新日鉄化学社製）と多官能固形フエノール樹脂との組合せ、あるいは四官能ナフタレン型エポキシ樹脂またはトリフエニルメタン型エポキシ樹脂と二官能のビスフヱノール樹脂との組合せで用いることが、硬化性、耐熱性、流動性の点から好ましい。

そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、上記第 1〜第 3の態様における各エポキシ樹脂および各フエノール樹脂とともに、潜在性硬化促進剤（ C成分）と、無機質充填剤（D成分）が必須成分として用いられる。

上記潜在性硬化促進剤（ C成分）は、これを含有してなる半導体封止用樹脂組成物の 5 0 °C雰囲気下 7 2時間放置後における粘度（測定温度： 8 0て）が、放置前における粘度の 1 0倍以下になるものであり、例えば、各種の硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（ 1 ) で表される構造単位を有する重合体を主成分とするシェル部で被覆されたコア/シェル構造を有し、そのシェル部に存在する反応性ァミノ基がブロック化されているマイクロ力プセル型硬化促進剤があげられる。このようなマイクロカプセル型硬化促進剤を用いることにより、これを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるようになる。なお、通常の硬化促進剤を少量にした場合であっても、放置前の粘度に対し 1 0倍以下、通常、 1 ~ 3倍となるのであれば潜在性硬化促進剤として考える。

- R , 0 R , つ

i II ！

— - C - - R -

Ltfgs; ( 1 ) において、 Rは 2価または 3 の有、 R i , R ₂ はいずれも水 ¾ 子または l iSの有 ¾Sであって、相互に同じであっても異なっていてもよい。〕

上記マイク口カプセル型硬化促進剤において、コア部として内包される硬化促進剤としては、硬化反応を促進する作用を有するものであれば特に限定するものではなく、従来公知のものが用いられる。そして、この場合、マイクロカプセルを調整する際の作業性や得られるマイク口カプセルの特性の点から、室温で液状を示すものが好ましい。なお、室温で液状とは、硬化促進剤自身の性状が室温（ 2 5 °C ) で液状を示す場合のほか、室温で固体であっても任意の有機溶剤等に溶解もしくは分散させて液状にしたものをも含むものである。

そして、上記内包される硬化促進剤としては、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ素系、リン一ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具体的には、ェチルグァニジン、トリメチルグァニジン、フエ二ルグァ二ジン、ジフエ二ルグァ二ジン等のアルキル置換グァニジン類、 3— ( 3 , 4—ジクロロフエ二ル）一 1， 1 ージメチル尿素、 3—フエ二ルー 1 , 1 —ジメチル尿素、 3— （ 4 —クロ口フエニル）一 1 , 1 —ジメチル尿素等の 3—置換フエ二ルー 1 , 1 —ジメチル尿素類、 2 —メチルイミダゾリン、 2 —フエ二ルイミダゾリン、 2 —ゥンデシルイミダゾリン、 2 —ヘプ夕デシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、 2— アミノビリジン等のモノアミノビリジン類、 N， N—ジメチル一 N— ( 2 —ヒド口キシ一 3 —ァリロキシプロピル）ァミン一N ' —ラクトイミド等のアミンイミド系類、ェチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、フエニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリェチルホスフィン、トリプチルホスフイン、トリオクチルホスフィン、トリフエニルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリフエニルホスフィン/トリフエニルボラン錯体、テトラフエ二ルホスホニゥムテトラフエ二ルポレート等の有機リン系化合物、 1 , 8 —ジァザビシクロ〔 5 , 4 , 0〕ゥンデセン一 7、 1， 4 ージァザビシクロ〔 2 , 2 , 2 〕オクタン等のジァザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。なかでも、硬化促進剤含有マイクロカブセルの作製の容易さ、また取扱い性の容易さという点から、上記イミダゾール系化合物や有機リン系化合物が好適に用いられる。

前記式（ 1 ) で表される構造単位を有する重合体を主成分とする重合体は、例えば、多価イソシァネート類と多価アミン類との重付加反応によって得られる。あるいは、多価イソシァネート類と水との反応によって得られる。

上記多価イソシァネート類としては、分子内に 2個以上のイソシァネート基を有する化合物であればよく、具体的には、 m—フエ二レンジイソシァネート、 p 一フエ二レンジイソシァネート、 2 , 4— トリレンジイソシァネート、 2 , 6— トリレンジイソシァネート、ナフタレン一 1 , 4 ージイソシァネート、ジフエ二ルメタン一 4 , 4 ' ージイソシァネート、 3 , 3 ' ージメトキシ一 4 , 4 ' ービフエニルジイソシァネート、 3 , 3 ' —ジメチルジフエニルメタン一 4 , 4 ' - ジイソシァネート、キシリレン一 1， 4ージイソシァネート、 4， 4 ' —ジフエニルプロパンジイソシァネート、トリメチレンジイソシァネート、へキサメチレンジイソシァネート、プロピレン一 1 , 2 —ジイソシァネート、ブチレン一 1 , 2—ジイソシァネート、シクロへキシレン一 1， 2—ジイソシァネート、シクロへキシレン一 1 , 4—ジイソシァネート等のジイソシァネート類、 p—フエニレンジイソチオシァネート、キシリレン一 1 , 4—ジイソチオシァネート、ェチリジンジイソチオシァネート等のトリイソシァネート類、 4 , 4 ' 一ジメチルジフェニルメタン一 2 , 2 ' ， 5， 5 ' ーテトライソシァネート等のテトライソシァネート類、へキサメチレンジイソシァネートとへキサントリオ一ルとの付加物、 2 , 4一トリレンジイソシァネートとブレンツカテコールとの付加物、トリレンジイソシァネートとへキサントリオールとの付加物、トリレンジイソシァネートとトリメチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソシァネートとトリメチロールプロパンの付加物、へキサメチレンジイソシァネートとトリメチロールプロパンの付加物、トリフエ二ルジメチレントリイソシァネート、テトラフエニルトリメチレンテトライソシァネート、ペンタフェニルテトラメチレンペンタイソシァネート、リジンイソシァネート、へキサメチレンジイソシァネート等の脂肪族多価イソシァネー卜の三量体のようなィソシァネートプレポリマ一等があげられる。これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。

上記多価イソシァネート類のなかでもマイク口カプセルを調製する際の造膜性や機械的強度の点から、トリレンジイソシァネートとトリメチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソシァネートと卜リメチロールプロパンの付加物、トリフエ二ルジメチレントリイソシァネート等のポリメチレンポリフヱニルイソシァネ一ト類に代表されるィソシァネートプレポリマ一を用いることが好ましい。一方、上記多価イソシァネート類と反応させる多価アミン類としては、分子内に 2個以上のアミノ基を有する化合物であればよく、具体的にはジエチレントリァミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、 1 , 6—へキサメチレンジァミン、 1 , 8—ォクタメチレンジァミン、 1 , 1 2— ドデカメチレンジァミン、 o—フエ二レンジァミン、 m—フエ二レンジァミン、 p—フエニレンジァミン、 o —キシリレンジァミン、 m—キシリレンジァミン、 p —キシリレンジァミン、メンタンジァミン、ビス（ 4—アミノー 3 —メチルシクロへキシル ) メタン、イソホロンジアミン、 1 ， 3 —ジアミノシクロへキサン、スピロアセタール系ジァミン等があげられる。これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。

また、上記多価イソシァネート類と水との反応では、まず、多価イソシァネ一ト類の加水分解によってァミンが形成され、このアミンが未反応のィソシァネ一ト基と反応（いわゆる自己重付加反応）することによって、前記一般式（ 1 ) で表される構造単位を有する重合体を主成分とする重合体が形成される。

さらに、上記シヱル部（壁膜）を形成する重合体として、例えば、上記多価ィソシァネートとともに多価アルコールを併用して、ウレタン結合を併有したポリウレタン一ポリウレァをあげることもできる。

上記多価アルコールとしては、脂肪族、芳香族または脂環族のいずれであってもよく、例えば、カテコール、レゾルシノール、 1 , 2 —ジヒドロキシー 4ーメチルベンゼン、 1 ， 3—ジヒドロキシー 5 —メチルベンゼン、 3 , 4—ジヒドロキシー 1 一メチルベンゼン、 3 , 5 —ジヒドロキシ一 1 一メチルベンゼン、 2 , 4 ージヒドロキシェチルベンゼン、 1 , 3 —ナフタレンジオール、 1 , 5 —ナフ夕 I ンジオール、 2 , 7 —ナフタレンジオール、 2 , 3 —ナフタレンジオール、 o , o ' —ビフエノール、 p， p ' —ビフエノ一ル、ビスフエノ一ル八、ビス一 ( 2 —ヒドロキシフエニル）メタン、キシリレンジオール、エチレングリコ一ル、 1 , 3 —プロピレングリコ一ル、 1 , 4ーブチレングリコール、 1 , 5 —ペン夕ンジオール、 1 , 6 —へキサンジオール、 1 , 7 —ヘプ夕ンジオール、 1 , 8 一オクタンジオール、 1 , 1 , 1— トリメチ口一ルプロノン、へキサントリオ一ル、ペン夕エリスリトール、グリセリン、ソルビトール等があげられる。これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。

上記マイクロカプセル型硬化促進剤は、例えば、下記に示す 3段階の工程を経由することにより作製することができる。

〔第 1工程〕

コア成分である硬化促進剤を、壁膜（シェル）の原料である多価イソシァネート中に溶解もしくは微分散して油相を形成する。ついで、分散安定剤を含有する水系媒体（水相）中に、上記油相を油滴状に分散させて 0 / W型（油相/水相型 ) のェマルジヨンを作製する。つぎに、上記 0 /W型ェマルジヨンの水相に、多価アミンを添加して溶解することにより、油相中の多価イソシァネートとの間で界面重合させて重付加反応を生起する。あるいは、上記 0 /W型ェマルジヨンを加温することによって、油相中の多価イソシァネートが水相との界面で水と反応してアミンを生成し、引き続き自己重付加反応を生起する。このようにして、ポリウレア系の重合体、好ましくは前記一般式（ 1 ) で表される構造単位を有するポリウレァをシェル部（壁膜）とするマイクロカプセルを作製することにより、マイクロカプセル分散液が得られる。

一方、固体状の硬化促進剤を有機溶剤に溶解してコア成分とする場合には、 S / 0 /W (固相/油相/水相）タイプのェマルジヨンとなる。また、このエマルジョンタイプは硬化促進剤が親油性の場合であり、硬化促進剤が親水性を有する場合には上記エマルジョンタイブに形成され難いが、この場合には溶解度の調整を行うことにより 0 / 0 (油相/油相）型のェマルジヨンタイプや、 S / 0 / 0 (固相/油相/油相）型のェマルジヨンタイプとして界面重合を行えばよい。この場合の有機溶剤としては、室温で液状であれば特に限定するものではないが少なくともシヱル部（壁膜）を溶解しないものを選択する必要がある。具体的には、酢酸ェチル、メチルェチルケトン、アセトン、塩化メチレン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤のほか、フエ二ルキシリルエタン、ジアルキルナフタレン等のオイル類を用いることができる。

〔第 2工程〕

上記第 1工程で得られたマイクロカプセル分散液に対して、プロック化剤を添加し溶解もしくは分散させる。このとき、遠心分離等により一度水相中の分散安定剤ゃ未反応アミンを取り除いた後に、上記ブロック化剤を添加することが効果的である。

〔第 3工程〕

上記第 2工程でァミノ基をプロック化剤でプロックしたマイクロ力プセル分散液を、遠心分離や濾過等により、過剰のブロック化剤を取り除いた後、乾燥することにより、粉末状のマイク口カプセル型硬化促進剤を作製することができる。まず、上記第 1工程において、水系媒体（水相）に添加する分散安定剤としては、ポリビニルアルコール、ヒドロキシメチルセルロース等の水溶性高分子類、ァニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等の界面活性剤類等があげられる。また、コロイダルシリカ、粘度鉱物等の親水性無機コロイド物質類等を使用することもできる。これら分散安定剤の添加量は、水相中、 0 . 1 ~ 1 0重量％となるよう設定することが好ましい。

また、上記第 2工程において使用するブロック化剤としては、ァミノ基と反応性を有する化合物であれば特に限定するものではないが、例えば、エポキシ化合物、アルデヒド化合物、酸無水物、エステル化合物、イソシァネート化合物等のァミノ基と反応し共有結合を形成する化合物があげられる。さらに、酢酸、蟻酸、乳酸、蓚酸、琥珀酸等の有機カルポン酸類、 p—トルエンスルホン酸、 2—ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸類、フエノール化合物、ホウ酸、リン酸、硝酸、亜硝酸、塩酸等の無機酸類、シリカ、ァエロジル等の酸性表面を有する固体物質等のァミノ基と中和反応し塩を形成する酸性化合物があげられる。そして、これら化合物のなかでも、上記酸性化合物は壁膜表面および壁膜内部に存在するァミノ基を効果的にブロックする化合物としてましく用いられ、特に蟻酸、有機スルホン酸類が好ましく用いられる。上記プロック化剤の添加量は、壁膜表面および壁膜内部に存在するァミノ基と等量モル数のブロック化剤が添加される。実用的には、例えば、ブロック化剤として酸性化合物を用いる場合、マイクロカブセル調製（界面重合）直後の分散液に酸性物質（酸性化合物）を添加し、分散液の p Hを塩基性から酸性、好ましくは p H 2〜 5に調整し、しかる後、遠心分離や濾過等の手段により過剰の酸性化合物を除去する方法があげられる。

また、上記第 1〜第 3工程からなるマイクロカプセル型硬化促進剤の製法において、第 2工程として、マイクロカプセル分散液を酸性陽イオン交換樹脂カラムを通すことにより、未反応の遊離アミンを除去したり、残存アミノ基を中和させる手法も用いられる。

得られたマイクロ力プセル型硬化促進剤の平均粒径は、特に限定されるものではないが、例えば、均一な分散性の観点から、 0 . 0 5〜 5 0 0 ^ mの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは 0 . 1 〜 3 0 ^ 01である。上記マイクロカプセル型硬化促進剤の形状としては球状が好ましいが楕円状であってもよい。そして、このマイク口カプセルの形状が真球状ではなく楕円状や偏平状等のように一律に粒径が定まらない場合には、その最長径と最短径との単純平均値を平均粒径とする。

さらに、上記マイクロカプセル型硬化促進剤において、内包される硬化促進剤の量は、マイクロカプセル全量の 1 0〜 9 5重量％に設定することが好ましく、特に好ましくは 3 0 ~ 8 0重量％である。すなわち、硬化促進剤の内包量が 1 0 重量％未満では、硬化反応の時間が長くなりすぎて反応性に乏しくなり、逆に硬化促進剤の内包量が 9 5重量％を超えると、壁膜の厚みが薄すぎてコア部（硬化剤）の隔離性や機械的強度に乏しくなる恐れがあるからである。

また、上記マイクロカプセル型硬化促進剤の粒径に対するシヱル部（壁膜）の厚みの比率は 3〜 2 5 %に設定することが好ましく、特に好ましくは 5 ~ 2 5 % に設定される。すなわち、上記比率が 3 %未満ではエポキシ樹脂組成物製造時の混練工程において加わる剪断力（シェア）に対して充分な機械的強度が得られず、また、 2 5 %を超えると内包される硬化促進剤の放出が不充分となる傾向がみられるからである。

そして、上記潜在性硬化促進剤（ C成分）の配合量は、前記各態様のフヱノール樹脂（B 1 〜B 3成分） 1 0 0重量部（以下「部」と略す）に対して 0 . 1 〜 4 0部に設定することが好ましい。特に好ましくは 5 ~ 2 0部である。すなわち、上記潜在性硬化促進剤の配合量が、 0 . 1部未満では、硬化速度が遅すぎて強度の低下を引き起こし、 4 0部を超えると、硬化速度が速過ぎて流動性が損なわれるおそれがあるからである。上記潜在性硬化促進剤を用いると、半導体封止用樹脂組成物の 5 0 °C雰囲気下 Ί 2時間放置後における粘度（測定温度 8 0 °C )が、放置前における粘度の約 1 0倍以下になるのが一般的である。

なお、本発明において、 C成分である潜在性硬化促進剤として、上記した硬化促進剤含有マイクロカプセル以外に、所期の目的を損なわなければ、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いることができる。市販品としては、例えば商品名 MCE— 9 9 5 7 (日本化薬社製、メチルメタァクリレートを壁膜として使用しているもの）、旭チパ社製のノバキユア一（商品名 HX— 3 748 , 3 74 1 , 3 742 , HX- 3 9 2 1 HR, HX- 394 1 HP) 等があげられる。また、マイクロカプセル型硬化促進剤以外の硬化促進剤であってもジシアンジアミド、または、富士化成工業社製のフジキュア一 FXR— 1 0 3 0、 FXE— 1 0 0 0等の触媒活性が弱いものや、通常の硬化促進剤を少量添加し触媒活性を弱くしたものでもよい。

さらに、上記 C成分とともに用いられる無機質充填剤（D成分）としては、特に限定するものではなく各種の無機質充填剤を用いることができる。例えば、シリカ、クレー、石奮、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化ケィ素、窒化ケィ素、ァエロジル等があげられるが、ニッケル、金、銅、銀、錫、鉛、ビスマス等の導電性粒子を加えてもよい。なかでも、球状シリカ粉末、具体的には、球状溶融シリカ粉末が特に好ましく用いられる。さらに、平均粒径 0. 0 1〜6 0〃mの範囲のものが好ましく、より好ましくは 0. 1 〜 1 の範囲のものである。なお、本発明において、球状とは、フロー式粒子像分析装置（S YSMEX社製の F P I A— 1 0 0型）を用いて測定される真球度が平均で 0. 85以上であることをいう。

そして、上記無機質充填剤（D成分）の含有割合は、半導体封止用樹脂組成物全体中の 1 5〜 8 5重量％となるように設定することが好ましく、特に好ましくは 5 0〜 8 0重量％である。すなわち、無機質充填剤の含有割合が 1 5重量％未満では、 2 5 での粘度が低くなり、貯蔵時に無機質充填剤の沈降が生じたり、吸湿率が高くなって耐湿信頼性が悪くなる傾向がみられ、 8 5重量％を超えると、流動性が低下し、吐出および塗布作業性が悪くなる傾向がみられるからであるさらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、上記各必須成分以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜配合することができる。

上記他の添加剤としては、例えば難燃剤、ワックス、レべリング剤、消泡剤、顔料、染料、シランカップリング剤、チタネート系カヅプリング剤等があげられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、ァーメルカプトプロピルトリメトキシシラン、ァ一グリシドキシプロピルメチルジェトキシシラン、 β— ( 3 ， 4一エポキシシクロへキシル）ェチルトリメトキシシラン、ァ一メタクリロキシプロビルトリメトキシシラン、アミノ基含有シラン等があげられ、これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。

上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ビスフエノール Α型エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化マグネシゥム、水酸化アルミニウム等の金属化合物、赤リン、リン酸エステル等のリン系化合物等があげられ、これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシゥム、アミド系等の化合物があげられ、単独でもしくは 2種以上併せて用いられる。

さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、上記他の添加剤以外に、シリコーンオイルおよびシリコーンゴム、合成ゴム、反応性希釈剤等の成分を配合して低応力化を図ったり、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を配合してもよい。本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例えば、つきのようにして製造することができる。すなわち、上記 A~D成分ならびに必要に応じて他の添加剤を混合した後、万能攪拌釜等の混練機にかけ加熱状態で混練りして溶融混合する。つきに、これを室温（ 2 5°C程度）にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。なお、半導体封止用樹脂組成物の流動性を調整するため、有機溶剤を添加することもできる。上記有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メチルェチルケトン（ME K)、アセトン、ジアセトンアルコール等があげられる。これらは単独でもしくは 2種以上併せて用いられるこのようにして得られた半導体封止用樹脂組成物は、その粘度が 2 5てで 7 0 0 0 p o i s e以上で、かつ 8 0°Cで 5 0 0 0 p o i s e以下に設定されていなければならない。特に好ましくは、 2 5 で 7 0 0 0 p o i s e以上で、かつ 8 0 で 3 0 0 0 p 0 i s e以下である。なお、半導体封止用樹脂組成物の粘度において 8 0 での下限は通常 1 . O p o i s eである。すなわち、 2 5 で 7 0 0 0 p o i s e未満であり、かつ 80°Cで 5 0 0 0 p o i s eを超える場合、貯蔵安定性や吐出および塗布作業性が悪くなり、初期の特性を満足させることができないからである。

なお、上記半導体封止用樹脂組成物の 2 5°Cおよび 8 CTCにおける各粘度は、上記各温度において E型粘度計を用いて測定される。具体的には、以下に示すとおりである。

〔2 5 °Cにおける粘度〕

東機産業社製 R E 8 0 U形でロータは 3 ° XR 7. 7を用い、 2 5 °Cで、コ一ンロータ回転数 1 r p mで 1分間前処理後、 0. 1 r p mで 1 0分間放置後の値を測定する。

〔 8 0°Cにおける粘度〕

東機産業社製 R E 8 O R形で、粘度 1 0 0 O p o i s e未満になるものは口一夕 3 ° xR 1 4、粘度 l O O O p o i s e以上になるものは口一夕 3 ° xR 7. 7を用い、 8 0°Cで、コーンロータ回転数 1 r p mで 1分間前処理後、 0. 5 r p mで 1 0分間放置後の値を測定する。

本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いての半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行うことができる。例えば、フリップチップ、 C OB、グラフトップ、 · キヤビティーフィル等による実装においては、加温（ 40〜 9 0 °C程度、好適には 6 0〜 80 °C程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をデイスペンサ一を用いてポッティングした後、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造することができる。また、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上等に対して直接貼りつけまたは塗布を行ない、その後加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造することもできる。なお、上記実装は、真空下で行ってもよい。上記半導体装置の製造方法のうちのフリッブチップ実装について、サイドフィル封止方法と、ブレスバンプ封止方法と、印刷封止方法を例として具体的に説明する。

〔サイドフィル封止方法〕

まず、配線回路基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備する。そして、予め加温（ 4 0〜 1 3 0 °C程度、好適には 6 0〜 1 0 CTC程度）された配線回路基板と半導体素子との空隙に、加温（ 4 0 ~ 9 0 °C程度、好適には 6 0 ~ 8 0 程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスぺンサーを用いて注入し充填した後、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。

なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上あるいはその近傍に対して直接貼りつけまたは塗布を行ない、その後加熱し硬化させて上記半導体素子と配線回路基板との空隙に封止樹脂層を形成することも可能である。

また、上記サイドフィル封止方法による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置としては、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式 M B C— Vシリーズ等があげられる。さらに、上記真空下で半導体装置を製造する際、真空下で配線回路基板と半導体素子との空隙に半導体封止用樹脂組成物をデイスペンザ一を用いて注入し充填した後、大気圧に戻してさらに半導体封止用樹脂組成物を充填するという差圧充填を行ってもよい。

〔プレスバンプ封止方法〕

まず、配線回路基板上に加温（ 4 0 ~ 9 0て程度、好適には 6 0 ~ 8 0 程度 ) された上記半導体封止用樹脂組成物をディスベンサーを用いてポッティングする。その後、フリップチップポンダー等によるプレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時に封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。

なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子あるいは配線回路基板に対して直接貼りつけまたは塗布を行い、その後ブレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との接続と同時に封止樹脂層を形成することも可能である。

上記プレスバンプ封止方法による半導体装置の製造は、必要に応じて真空下で行ってもよい。

また、ディスペンサーを用いてポッティングする代わりに、可能であれば、印刷により塗布し、その後、フリップチップボンダ一等によるプレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時に封止樹脂層を形成してもよい。なお、印刷による塗布は印刷雰囲気全体を加温したり、マスク、スキージ等を部分的に加温してもよい（加温の目安は 4 0〜 1 0 0 °Cである）。〔印刷封止方法〕

まず、配線回路基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備する。そして、予め加温（ 4 0 ~ 1 3 0 °C程度、好適には 6 0〜 1 0 0 °C程度）された配線回路基板と半導体素子との空隙に、加温（ 4 0〜 9 0 °C程度、好適には 6 0〜 8 0 °C程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスぺンサ一を用いて滴下し、印刷封止にて封止樹脂層を形成することにより、フリツプチップ実装による半導体装置を製造することができる。

上記印刷封止については、真空差圧を利用した東レエンジニアリング社製の真空印刷封止装置（型式 V P E— 1 0 0シリーズ）を用いるのが、封止樹脂層に気泡が入りにくいという点で好ましい。

なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物をステージ、スキージ等に対して直接貼りつけ、塗布等を行ない、印刷封止することも可能である。

一方、上記半導体装置の製造方法のうちのキヤビティ一フィル形態の半導体装置 ©製造方法について、具体的に説明する。

まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤー等で電気的に接続されたものを準備する。そして、予め加温（ 4 0 ~ 1 3 0 °C程度、好適には 6 0 ~ 1 0 0 °C程度）された配線回路基板と半導体素子に、加温（ 4 0〜 9 0て程度、好適には 6 0〜 8 0 °C程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンザ一を用いてポッティングし加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティーフィル形態の半導体装置を製造することができる。

なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を、直接貼りつけ、または塗布を行い、その後加熱し硬化させて上記半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することも可能である。

また、上記封止方法による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置としては、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式 M B C— Vシリ

—ズ等があげられる。

他の製造方法について述べる。すなわち、まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤー等で電気的に接続されたものを準備する。そして、予め加温（ 4 0〜 1 3 0て程度、好適には 6 0〜 1 0 0 °C程度）された配線回路基板と半導体素子上に、加温（4 0 ~ 9 0 程度、好適には 6 0〜 8 0 °C程度）された上記半導体封止用樹脂組成物を印刷等により供給し、加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティ

—フィル形態の半導体装置を製造することができる。

上記印刷封止による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。さらに、真空下で半導体装置を製造する際、真空下で印刷封止した後、雰囲気の気圧を上げて半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その状態のままでさらに仕上げ印刷を行ってもよい。

このようにして得られた半導体装置は、例えば、実装用基板（マザ一ポ一ド）の搭載に用いられ半導体製品の製造に供される。すなわち、実装用基板（マザ一ボート）上に、複数の接続用電極部を介して、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で半導体装置を搭載するとともに、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙を、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いて充填し、加熱硬化させることにより封止樹脂層を形成して半導体製品を製造する。

上記半導体封止用樹脂組成物を加熱硬化させる方法としては、特に限定するものではないが、例えば、対流式乾燥機、 I Rリフロー炉、ホットプレート等を用いた加熱方法等があげられる。

また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いることによる上記実装用基板と半導体装置との間の空隙の充填方法としては、例えば、先の半導体装置の製造方法のうちのフリヅプチップ実装について述べたのと同様の方法、サイドフィル封止方法、ブレスバンプ封止方法、印刷封止方法等があげられる。なお、上記の半導体封止用樹脂組成物に、ニッケル、金、銀、銅、錫、鉛、ビスマス等の導電性粒子を分散させ、 A C F (Ani sotropi c Conduct ive Fi lm )、 A C P (Ani sotro pi c Conductive Paste ) としてフリップチップ実装に用いてもよい。その他の使用方法として、上記半導体封止用樹脂組成物を配線回路基板上にダム材として用いたり、配線回路基板と放熱板との接着剤およびダイポンド剤として用いてもよい。

本発明の半導体封止用樹脂組成物を、半導体ウェハやマトリックス状の配線回路基板に対して用いた半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行うことができる。

突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハに対して用いた場合について述べる。すなわち、上記突起状電極部配設面に、加温（4 0 〜 9 0 °C程度、好適には 6 0〜 8 0 °C程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて塗布して半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する。上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する際には、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層より露出させるよう設定する。ついで、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを切断して半導体装置を作製する。

上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層の形成方法としては、マスクの開口部を通して印刷により行う方法があげられる。

上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬化されていればよく、加熱硬化工程は半導体ウェハの切断前であっても切断後であつてもよい。

一方、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する。ついで、上記樹脂層を加熱硬化して複数の半導体素子を樹脂封止した後、樹脂封止された複数の半導体素子を個々の半導体素子毎に切断することにより半導体装置を作製する。

上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬化されていればよく、加熱硬化工程は半導体素子毎の切断前であっても切断後であってもよい。

上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディスペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷により行う方法等があげられる。

また、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して所定の厚みの樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する。ついで、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、複数の配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製する。

さらに、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組成物を供給して樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する。ついで、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製する。

つきに、実施例について比較例と併せて説明する。

( 1 ) 本発明の半導体封止用樹脂組成物の、第 1の態様（液状エポキシ樹脂と固形フヱノール樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。

〔エポキシ樹脂 a a 1〕

ビスフエノール F型エポキシ樹脂（ 2 5てで液状：エポキシ当量 1 5 8 g / e q、東都化成社製のェポトート Y D F— 8 1 7 0 )。

〔エポキシ樹脂 a _a 2 )

ビスフエノール A型ェポキシ樹脂（ 2 5てで液状：エポキシ当量 1 Ί 0 g / e q、ダウケミカル社製の D E R— 3 3 2 )。

〔エポキシ樹脂 a a 3〕脂環式エポキシ樹脂（ 2 5 で液状：エポキシ当量 1 3 5 g/e q、ダイセル化学社製のセロキサイド 2 0 2 1 P )。

〔フエノ一ル樹脂 b a 1〕

下記の化学式（b a 1 ) で表される四官能フヱノール樹脂（ 2 5 °Cで固形：融点 1 8 7。C、純度 9 4 %、本州化学工業社製の T HD— 2 3 4 4 )。

〔フエノール樹脂 b a 2〕

下記の化学式（ b a 2 ) で表される五官能フヱノ一ル樹脂（ 2 5てで固形：融点 1 8 2 、純度 9 7. 5 %、本州化学工業社製の B i s P G— 2 6 X)。

〔フヱノール樹脂 b a 3〕

下記の化学式（ b a 3 ) で表される四官能フェノール樹脂（ 2 5 °Cで固形：融点 1 5 6 、純度 9 3 . 6 %、本州化学工業社製の MH D— 2 3 4 4 )。

〔フヱノール樹脂 b a 4〕

下記の化学式（ b a 4 ) で表される三官能フヱノール樹脂（ 2 5 で固形点 9 4°C, 純度 9 8 %、本州化学工業社製の H D M - 2 3 4 )。

OH 0H

— /n -OH ·■· (b a 4)

〔フエノ一ル樹脂 b a 5

下記の化学式（ b a 5 ) で表される固形フヱノ一ル樹脂（ 2 5 °Cで固形：融点 9 5 °C、純度 8 9 %、本州化学工業社製の T r i s P - R K)o

CH₃

HO _/QV-CH₂-CH₂-C ~~ (oV^0H ·■· ^{(b a 5)}

OH

〔フヱノール樹脂 b a 6〕

トリフエニルメタン型フヱノール樹脂〔 2 5 で固形：水酸基当量 1 0 1 g. e q、融点 1 1 0 °C、 1 5 0 °C粘度 3〜 4 p o i s e、明和化成社製の ME H 7 5 0 0 ( 3 , 4 Ρ )〕。

〔フヱノール樹脂 b a 7 ) - 下記の化学式（b a 7 ) で表される p—ェチルフエノール樹脂（ 2 5 °Cで固形：水酸基当量 1 2 9 g/e q、融点 9 8て、明和化成社製）。

〔フヱノール樹脂 b a 8 ) - ァリル化フエノールノボラック（ 2 5 °Cで液状：水酸基当量 1 3 5 g / e q、昭和化成社製の M E H— 8 0 0 5 H )。

〔酸無水物系硬化剤〕

メチルへキサヒドロ無水フタル酸（メチル化 H H P A、新日本理化社製のリカシヅド M H— 7 0 0 )。

〔硬化促進剤 c 1〕

前述した方法に準じてマイク口カプセル型硬化促進剤を作製した。すなわち、まず、キシリレンジイソシァネート 3モルとトリメチロールプロパン 1モルとの付加物 1 1部、トリレンジイソシァネート 3モルとトリメチロールプロパン 1モルとの付加物 4 . 6部を、硬化促進剤としてのトリフエニルホスフィン 7部と酢酸ェチル 3 . 9部との混合液中に均一に溶解させて油相を調製した。また、蒸留水 1 0 0部とポリビニルアルコール 5部からなる水相を別途調製し、このなかに上記調製した油相を添加してホモミキサーにて乳化しェマルジョン状態にし、これを還流管、攪拌機、滴下ロートを備えた重合反応器に仕込んだ。

一方、トリエチレンテトラミン 3部を含む水溶液 1 0部を調製し、これを上記重合反応器に備えた滴下口一ト内に入れ、反応器中のェマルジョンに滴下して 7 0 °Cで 3時間界面重合を行い、マイクロカプセル型硬化促進剤の水性サスペンジヨンを得た。続いて、遠心分離により水相中のポリビニルアルコール等を除去した後、蒸留水 1 0 0部を加え再び分散を行いサスペンジョンを得た。

このサスペンジョンに対し、蟻酸を滴下し系の p Hを 3に調整した。これにより壁膜表面および内部のアミノ基が蟻酸によりブロックされたマイクロカプセル型硬化促進剤を作製した。このようにして得られたマイクロカプセル型硬化促進剤は遠心分離にて分別、水洗を繰り返した後、乾燥することによって自由流動性を有する粉末状粒子として単離した。このマイク口カプセル型硬化促進剤の平均粒径は 2 z mであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は 1 5 %であり、トリフエニルホスフィンの内包量は全体の 3 0重量％であった

〔硬化促進剤 c 2〕

日本化薬社製の M C E - 9 9 5 7。

〔硬化促進剤 c 3〕

2 —ェチルー 4 —メチルイミダゾ一ル（四国化成工業社製のキュァゾール 2 E 4 M Z )。

〔無機質充填剤 d 1〕

球状溶融シリカ粉末（平均粒径 5 . Ο ^ πκ 東燃化学社製の S Ρ— 4 Β )。〔無機質充填剤 d 2〕

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 1 5 xz m、電気化学工業社製の F B— 4 8 X ) 〔無機質充填剤 d 3〕

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 0 . 5 6〃m、ァドマテックス社製の S E - 2 1 0 0 )

実施例 a 1 ~ a 1 2、比較例 a 1〜 a 4、従来例

上記各成分を後記の表 1〜表 3に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つきに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。

〔実施例 a l 〜 a 8、比較例 a 4〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 5 0 で 2分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、 9 0〜 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 7 5 の温度に調節した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

〔実施例 a 9〜 a 1 2、比較例 a 2、 a 3 〕

まず、エポキシ樹脂、フヱノール樹脂を仕込み、 1 1 0 °Cで 5分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、 9 0〜 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 6 5 °Cの温度に調節した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

〔比較例 a 1 、従来例〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂または酸無水物を仕込み、 8 0 °Cで 1 0 分間混合した。その後、同温度で無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 5 0 °Cまで温度を下げ、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。 (部）実施例

a 1 a I a o a 4 a D a b エポキシ樹脂 o

3 3 丄 404 4U4 d41 358 414 Ui a a 2

a a 3

フエノール b a 1 93.9 93.9

樹脂 n no n

b a 2 93.9 yd.9 77 80.7 93 46. 5 b a 3 77 80.7 93 46.5 b a 4

b a 5

b a 6

b a 7

b a 8

1

醇冰物匕剤 1 硬化促進剤 c 1 21.8 18.0 18.7 21.6 10.9 c 2 32.9

c 3

無機鼓塡剤 d 1 140 140 1005 962 900 190 d 2 746 746 1010

59 59 66 64 59 79 (部）

(部) 比較例従来 a 1 a 2 a 3 a 4 例エポキシ横脂 a a 1 239 206 ― 186 290 a a 2 ― 213 420 ― 一 a a 3 ― 一 ― ― 一フエノール b a 1

樹脂

b a 2 一 ― 一 41.9 b a 3 ― 一 ― 41.9 b a 4 ― 181 173 一 b a 5

b a 6

b a 7

b a 8 204

水物麵匕剤 308 硬化促進剤 c 1 23.8 21.2 9.8

c 2

c 3 3.5 6.1 無機塡剤 d 1 164 142 140 195 142 d 2 869 757 747 1035 754 全^ ΦΙ樣! の含有 H合 (重量 ¾) 69 59160 81 60 このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、 2 5 および 80てにおける各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g)、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定 · 評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定 · 評価した。そして、これらの結果を後記の表 4〜表 7に示した。

〔ガラス転移温度（T g)〕

予め脱泡処理した半導体封止用樹脂組成物を 1 5 0 °Cで 3時間硬化させたテストビ一スを、リガク社製の T M A装置（型番 M G 8 0 0 GM) を用い測定した。なお、測定条件は、昇温 5 °C/m i nで荷重 3 0 gで行った。そして、横軸を温度，縦軸を伸びとするグラフ図を作成し、 5 0 ~ 7 0°C間の接線と 2 0 0〜2 3 0 °C間の接線との交点を T gとして求めた。

〔貯蔵安定性〕

* 1 ：無機質充填剤の沈降度合い

内径 1 6 mm0、高さ 1 8 0 mmの試験管に半導体封止用樹脂組成物を入れて密栓し（試料高さ： 1 2 0 mm；)、 2 5°Cで 3 0日間放置後、無機質充填剤の沈降度合いを確認した。沈降有無の判断としては、無機質充填剤が沈降するとその部分の半導体封止用樹脂組成物の濁度レベルが変わるため、目視にて濁度変化を確認した。濁度が減少（透明度が増す）したものを沈降有りとした。沈降部分の高さが l mm以上のものを沈降有りとして Xを表示し、沈降部分が全くないものを沈降無しとして◎を表示した。

* 2 ：粘度変化の度合い

2 5ての雰囲気に放置し（ 3 0日）、放置前後の粘度を E型粘度計を用いて測定した（測定温度： 8 0 、従来例については測定温度： 2 5 °C)。そして、放置後の粘度が放置前の粘度の 1. 5倍以下のものに◎、放置後の粘度が放置前の粘度の 1. 5倍を超え 3. 0倍以下のものに〇、放置後の粘度が放置前の粘度の 3. 0倍を超え 1 0倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度の 1 0倍を超えるものに Xをつけた。なお、 E型粘度計を用いての粘度の測定は、前記 2 5 てまたは 8 0。Cにおける粘度の測定方法と同様にして行った。

〔吐出性、塗布作業性〕

8 0てに加温した半導体封止用樹脂組成物をディスペンザ一を用いて時間と圧力の一定条件で吐出した時の吐出量で評価した。すなわち、武蔵エンジニアリング社製のシリンジ 1 0 c c、金属二一ドル SN— 1 7 G (内径 2. 4mm) を用い、圧力 5 k g / c m² で 1 0秒後の吐出量を測定した。その結果、吐出量が 1

0 0 0 m g以上のものを◎、 2 0 0 m g以上 1 0 0 0 m g未満のものを〇、 5 0 mg以上 2 0 0 mg未満のものを△、 5 0 mg未満のものを Xとした。なお、上記条件で 5 0 m g未満であれば、半導体の樹脂封止が不可のレベルである。〔可使時間（粘度変化）〕

各半導体封止用樹脂組成物について、 5 0 X 7 2時間放置前後の粘度を E型粘度計を用いて測定した（測定温度： 8 0°C、従来例については測定温度： 2 5 て）。そして、放置後の粘度が放置前の粘度の 1. 5倍以下のものに◎、放置後の粘度が放置前の粘度の 1. 5倍を超え 3. 0倍以下のものに〇、放置後の粘度が放置前の粘度の 3. 0倍を超え 1 0倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度の 1 0倍を超えるものに Xをつけた。なお、 E型粘度計を用いての粘度の測定は、前記 2 5 °Cまたは 8 CTCにおける粘度の測定方法と同様にして行った。〔耐湿信頼性〕

上記各半導体封止用樹脂組成物を用いてつぎのようして半導体装置を製造した。すなわち、まず、半導体チップを実装したデュアルインラインパッケージ（D

1 P ) フレームを D I P金型にセットし、金型を 1 40てに加温した（従来例については 1 1 0て）。そして、予め脱泡処理を行ない、 6 0〜 1 2 0てに加熱した溶融状の半導体封止用樹脂組成物を滴下し、 1 5 0 °Cで 3時間の条件で硬化し

(従来例については 1 1 0 °Cで 2 0時間の条件で硬化）、半導体装置を作製した。そして、耐湿下、 1 3 0°Cx 8 5 %RH x 2. 3 a t m (印加バイアス 3 0 V ) に投入し、各パターンの導通チェックを行ない、不導通になれば不良品とする。なお、導通チヱックは室温に取り出した後に行った。パッケージの不良率〔（不良パターン数/全パターン数） X 1 0 0〕が 5 0 %以上になった時間を確認した。なお、その他の条件は、以下のとおりである。評価パヅケージ： D I P 1 6

リードフレーム： 4. 2ァロイ，厚み 0. 2 5 mm

チップシンコ一社製の全面 A 1モデル素子 3 x 6 mm

(A 1パターン厚み 5〃m, 幅 5 111 ) ワイヤ一 9 9. 9 9 % G o l d S R 2 5 m0

A gペース卜日立化成社製の E N— 4 0 0 0

評価 n数 1 0パッケージ/試料（ 1パッケージに、 +極 2パターン

、一極 2パターンが配線されているので計 40パターン測定できる。）

P C T条件 1 3 0°C 8 5 %RH x 2. 3 a t m

(印加バイアス 3 0 V)

* 1 ：無機 ®¾塡剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い実施例 a 5 a 6 a 7 a 8

2 5 °Cでの性状 ram

¾1形固形半固形半固形

25°C 17400 固体 161000 13200 粘度（poise)

80°C 1300 3070 68 16 ガラス転移 (°C) 135 134 135 136

* 1 ©

貯蔵安定性 ◎ ◎ ◎ 氺 2 ◎ ◎ ◎ ◎ 吐出性、塗布作業性 ◎ 〇 ◎ ◎ 可使時間 ◎ ◎ ◎ ◎ 麵諫性 ( P C T) 200く 200く 200く 100

* 1 ：無機剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い

実施例

a y a丄 υ a 11 丄

25 °Cでの性状キ回田？ & 田回 ¾ί 牛 Θ形

25。C 11 ΓΓ\ /太粘度（poise)

80°C 10 160 25 328 ガラス転移' CO 120 129 112 107

* 1

貯蔵安定性 ◎ ◎ ◎ ◎

* 2 ◎ ◎ 〇 ◎ 吐出性、塗布作業性 ◎ ◎ ◎ 可使時間 ◎ ◎ ο ◎ 画龍性 (PCT) 180 200< 90 180

* 1 -:無機 K¾^iJの沈降度合い

*2 ：粘趣匕の度合い

表 7

* 1 ；無機 S¾±JS剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い上記表 4〜表 7の結果から、全ての実施例品は、従来例品に比べ、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例 a 1品〜 a 9品は、固形フエノール樹脂として多官能固形フエノール樹脂を用いているため、多官能固形フエノール樹脂ではない固形フヱノ一ル樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が高くなつている。また、実施例 a 1品， a 3品〜 a 1 2品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイクロカブセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に特に優れている。

これに対し、比較例 a 1品は、液状エポキシ樹脂と液状フヱノール樹脂を用いているため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例 a 2品も、 2 5 °Cの粘度で 7 0 0 0 p o i s e未満であるため、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。さらに、比較例 a 3品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短くなり、貯蔵時の粘度変化が大きくなつていることがわかる。そして、比較例 a 4品は、半導体封止用樹脂組成物の粘度が 8 0°Cで 5 0 0 0 p o i s eを超えているため、吐出および塗布作業性が悪くなつていることがわかる。

つぎに、上記半導体装置の製法に関する実施例について説明する。

実施例 a 1 3

前記実施例 a 4で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダ一を用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 + 22 0 °Cx O . 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 1 4

前記実施例 a 5で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0°Cの真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例 a 1 3と同様にしてフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 1 5

前記実施例 a 9で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 に加温された配線回路基板と半導体素子上に、 7 0 に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つきに、雰囲気圧を 1 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その 1 5 0 T o r rの状態を維持したまま上記 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C X 3時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 1 6

前記実施例 a 1 0で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例 a 1 3 と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

〔半導体封止用樹脂組成物 α 1の作製〕

前記各成分を下記の表 8に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した後、 7 0 °Cで真空脱泡した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つきに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 5 0 °Cで 2分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、 9 0〜 1 0 0てまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 7 5 の温度に調節した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

得られた半導体封止用樹脂組成物 α 1 について、 2 5ておよび 8 0 °Cにおける各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g )、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定，評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定 · 評価した。そして、これらの結果を下記の表 8に併せて示した。 (部）

* 1 ：無機^塡剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い実施例 a 1 7

上記半導体封止用樹脂組成物 or 1 を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 1 0 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 1 をディスぺンサーを用いて充填した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 1 8

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1 を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r rの真空下で 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1 をディスペンサ一を用いて充填した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 1 9

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r rの真空下で 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 1 をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひを充填（差圧充填）した後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 a 2 0

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0 °Cに加温された配線回路基板上に Ί 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 1 をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 CTCX 0. 5 k g x 2 分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 2 1

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリヅプチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 22

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリヅプチップボンダ一を用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 X 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 2 3

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 +2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 24

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 + 2 2 CTC X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 2 5

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 1をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°〇 21^ 2 0分+ 2 2 0 °〇 0. 5 k g x 2 分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 2 6

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 1を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C X 2 k gx 2 0分 + 2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 a 2 7

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1 を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C x 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0 . 5 k g X 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 a 2 8

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1 を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がポンデイングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 1 0 0 °cに加温された半導体素子上に、 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 1 をディスペザ一を用いてポッティングした。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 2 9

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 に加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を、 5 T o r rの真空下でデイスペンザ一を用いてポッティングした。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 3 0 上記半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1 をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 3 1

上記半導体封止用樹脂組成物 _α 1 を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングヮィヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 1 を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 3 2

上記半導体封止用樹脂組成物 α 1 を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がポンデイングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 1を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を 1 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物 α 1中のボイド抜きを行い、その 1 5 0 T o r rの状態を維持したまま 7 0。(：に加温された上記半導体封止用樹脂組成物 α 1 を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 a 3 3

実装用基板（マザ一ボード）上に、上記実施例 a 2 0で作製した半導体装置を載置し、電気的に接続して 1 0 0 °Cに加温したものを準備した。その後、 7 0 °C に加温された半導体封止用樹脂組成物な 1を、実装用基板と半導体装置との間の空隙にディスペンザ一を用いて充填した。そして、 1 5 0 °C X 3時間で硬化することにより半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成して半導体製品を製造した。

上記のようにして得られた各半導体装置および実装用基板上に半導体装置が搭載された装置の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表 9〜表 1 1に示す。

表 9 実施例

al3 al4 al5 al6 al7 al8 al9 a20 a21 気泡の有無少 i 少囔無し ^し

有り有り有り有り有り有り有り

表 1 00 実施例

a22 a23 a24 a25 a26 a27 a28 a29 a30 気泡の有無無し無し少 i { . 無し無し有り有り

有り有り有り

表 1 11 実施例

a31 a32 a33

気泡の有無無し

有り有り上記表 9〜表 1 1の結果から、実施例 a 28、 a 3 0を除き殆どの半導体装置の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であった。 ( 2 ) 本発明の半導体封.止用樹脂組成物の、第 2の態様（固形エポキシ樹脂と液状フヱノ一ル樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。

〔エポキシ樹脂 a b 1〕

下記の構造式（a b 1 ) で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（25°C で固形：エポキシ当量 1 6 7 g/e q、軟化点 6 8て、大日本ィンキ社製の E X A - 4 7 0 1 )o

〔エポキシ樹脂 a b 2〕

下記の化学式（ab 2 ) で表されるトリフエニルメタン型エポキシ樹脂（2 5 で固形：エポキシ当量 1 7 0 g/e q、軟化点 6 2て、日本化薬社製の E P P N - 5 0 1 H Y )o

C±IS ( a b 2 ) において、 n^l. 8である。〕〔エポキシ樹脂 a b 3〕

下記の構造式（ a b 3 ) で表される固形エポキシ樹脂（ 2 5てで固形：ェポキシ当量 247 gZe q、融点 1 2 1 、新日鉄化学社製の GK— 42 9 2 )。

〔エポキシ樹脂 a b 4〕

下記の構造式（ a b 4 ) で表される固形エポキシ樹脂（ 2 5 °Cで固形：ェポキシ当量 1 74 g/e q、融点 7 9 °C、新日鉄化学社製の G K— 4 1 3 7 )。

CH₂-CH-CH₂-0-<O_/ -O-CH2-CH-CH, (a b 4)

0

〔エポキシ樹脂 a b 5〕

ビスフヱノール F型エポキシ樹脂〔2 5°Cで液状（ 1 3 p o i s e) :ェポキシ当量 1. 5 8 g/e q、東都化成社製のェポ — YD F— 8 1 7 0 )。

〔エポキシ樹脂 a b 6〕

下記の構造式（ a b 6 ) で表される固形エポキシ樹脂（ 2 5 で固形：ェポキシ当量1 9 0 ノ6 9、新日鉄化学社製の GK— 5 0 7 9 )。

〔エポキシ樹脂 a b 7〕

トリグリシジルイソシァヌレート（ 2 5 °Cで固形：エポキシ当量 1 0 0 g/e q、日産化学社製の T E P I C— S )。

〔フヱノール樹脂 b b 1〕ァリル化フエノールノポラック（ 2 5°Cで液状：水酸基当量 1 3 5 g/e q、昭和化成社製の ME H— 8 0 0 5 H)。

〔フヱノール樹脂 b b 2〕

ジァリル化ビスフヱノール A ( 2 5°Cで液状：水酸基当量 1 54 g/e q、群栄化学工業社製）。

〔硬化促進剤 c 1

先の第 1の態様における実施例および比較例で用いた硬化促進剤 c 1 と同様のマイク口カプセル型硬化促進剤を用いた。このマイク口カプセル型硬化促進剤の平均粒径は 2 mであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシヱル厚み比率は 1 5 %であり、トリフエニルホスフィンの内包量は全体の 3 0重量％であつた。

〔硬化促進剤 c 2〕

日本化薬社製の M C E - 9 9 5 7 o

〔硬化促進剤 c 3〕

2—ェチル— 4一メチルイミダゾ一ル（四国化成工業社製のキュアゾ一ル 2 E 4 M Z )。

〔無機質充填剤 d 1〕

球状溶融シリカ粉末（平均粒径 5. 0〃m、東燃化学社製の S P— 4 B )。〔無機質充填剤 d 2〕

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 1 5 /m、電気化学工業社製の F B— 4 8 X)

〔無機質充填剤 d 3 )

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 0. 5 6 m、アドマテックス社製の S E— 2 1 0 0 )

実施例 b 1〜 b 1 0、比較例 b 1〜 b 4

上記各成分を後記の表 1 2〜表 1 4に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つきに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。〔実施例 b l ~ b 4、比較例 b 3、 b 4〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 1 0 °Cで 5分間混合し、固形分を全て溶解させた。つきに、 9 0〜 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 6 5ての温度に調整した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

〔実施例 b 5〜 b 7、比較例 b 2〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 3 0 °Cで 1 0分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、 9 0〜 1 0 0てまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 7 5 の温度に調整した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

〔実施例 b 8〜 b 1 0〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 5 0 °Cで 1 0分間混合した。つぎに、 9 0 ~ 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 6 5 °Cの温度に調整した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

〔比較例 b 1〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 8 0 °Cで 1 0分間混合した。そ後、同温度で無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 5 0てまで温度を下げ、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

(部) 実施例 b 1 b 2 b 3 b 4 b 5 エポキシ樹脂 a b 1 325 325 332

a b 2 328 a b 3 380 a b 4

a b 5

a b 6

a b 7

フエノール b b 1 263 263 268 260 210 樹脂

b b 2

硬化促進剤 c 1 30.5 31.4 30.2 24.6 c 2 46

c 3

無機剤 d l 140 140 900 140 140 d 2 742 742 742 742

59 58 59 59 59

(部）

(部) 比較例 b 1 b 2 b 3 b 4 エポキシ樹脂 a b 1

a b 2 328 a b 3 290 ―

a b 4 _ a b 5 239 _ a b 6

a b 7 —— —— 569 フエノール b b 1 204 160 260 569 樹脂

b b 2

硬化促進剤 c 1 23. 8 18. 7 66. 6 c 2

c 3 5. 2

無機 «¾塡剤 d 1 164 166 140 45 d 2 869 884 742 240 全驢顧の含割合 (重量 ¾) 69 69 60 19

このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、 2 5 °Cおよび 8 0 における各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g )、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定 · 評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定 · 評価した。そして、これらの結果を後記の表 1 5〜表 1 7に示した。

〔ガラス転移温度（T g )〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔貯蔵安定性〕

* 1 ：無機質充填剤の沈降度合い

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

* 2 ：粘度変化の度合い

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔吐出性、塗布作業性〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔可使時間（粘度変化）〕

前一記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔耐湿信頼性〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

実施例

b 1 b 2 b 3 b 4 b 5

2 5 °Cでの性状半固形半固形半固形半固形固形

25°C 267000 250000 30万超 30万超固体粘度（poise)

80°C 128 120 235 143 3000 ガラス転移 (°C) 118 119 118 119 88

* 1

貯蔵安定性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 氺 2 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 吐出性、塗布作業性 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇可使時間 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 隱顯性 ( P C T) 200く 200く 200く 200く 140

* 1 ：無機剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い

実施例

b 6 b 7 b 8 b 9 b lO

2 5てでの性状固形固形半固形固形固形

25。C 固体固体 7500 固体固体粘度 (poise)

80^eC 3510 4500 20 15 16 ガラス転移 (°C) 87 88 71 65 66

* 1

貯蔵安定性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎

* 2 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇吐出性、塗布作業性〇 △ ◎ ◎ ◎ 可使時間 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇醒翻性 (P C T) 140 150 150 60 60 氺 1 ：無機 K ^剤の沈降度合い

氺 2 ^化の度合い

表 1 7

* 1 ：無機 S ^剤の沈降度合い

* 2 ：粘麵匕の度合い

* 3 ：未硬化のため測定

上記表 1 5〜表 1 7の結果から、全ての実施例品は、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例 b 1品〜 b 4品は、固形エポキシ樹脂として多官能固形エポキシ樹脂を用いているため、多官能エポキシ樹脂ではない固形ェポキシ樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が特に高くなつている。また、実施例 b l品，ヒ 3品~ヒ 9品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイク口カプセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に優れている。

これに対し、比較例 b 1品， b 4品は、 2 5 で 7 0 0 0 p o i s e未満の粘度の液状であるため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例 b 2品は、 8 0°Cの粘度が 5 O O O p o i s eを超えるため、流動性が悪くなり、吐出および塗布作業性が悪いことがわかる。さらに、比較例 b 3品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短くなり、貯蔵時の粘度が大きく変化していることがわかる。

つきに、上記半導体装置の製法に関する実施例について説明する。

実施例 b 1 1

前記実施例 b 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0てに加温された配線回路基板と半導体素子上に、 7 0°Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のポィド抜きを行い、その 5 0 T o r rの状態を維持したまま上記 7 0 に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0°Cx 3時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。実施例 b 1 2

前記実施例 b 3で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンザ一を用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 2 ¾; 2 0分+ 2 2 0 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 1 3

前記実施例 b 4で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0てに加温された配線回路基板と半導体素子上に、 7 0てに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を 5 O T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のポイド抜きを行い、その 5 0 T o r rの状態を維持したまま上記 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C x 3時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。実施例 b 1 4

前記実施例 b 8で作製した半導体封止用樹脂組成物を用いた。それ以外は上記実施例 b 1 3 と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。〔半導体封止用樹脂組成物 or 2の作製〕

前記各成分を下記の表 1 8に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つきに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 1 0 °Cで 5分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、 9 0 ~ 1 0 0てまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 6 5ての温度に調整した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

得られた半導体封止用樹脂組成物 α 2について、 2 5 °Cおよび 8 0 °Cにおける各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g )、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定 · 評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定 · 評価した。そして、これらの結果を下記の表 1 8に併せて示した。 (部）

* l ：無機 K5¾塡剤の沈降度合い

* 2 ：粘度変化の度合い実施例 b 1 5

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0てに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をデイスペンサ一を用いて充填した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 1 6

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r rの真空下で 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 2をディスペンサーを用いて充填した。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 1 7

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r ： rの真空下で 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 2を充填（差圧充填）した後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 b 1 8

上記半導体封止用樹脂組成物な 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0て 21: 2 0分+ 2 2 0 0. 5 k gx 2分 ) により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 1 9

上記半導体封止用樹脂組成物 or 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 9 0 に加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 2をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記半導体素子上に 7 0てに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0て 21^ ズ 2 0分+ 2 2 0て 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリッブチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 2 0

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 +2 2 0 °C X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 2 1

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 9 0てに加温された半導体素子上に 7 0°Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 2を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記半導体素子上に 7 0 に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C X 2 k gx 2 0分 + 2 2 0 °CX 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 2 2

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 9 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0°Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 2 2 0分+ 2 2 0て X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 2 3

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2 分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 24

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 9 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記半導体素子上に 7 0 に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g X 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 b 2 5

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 70 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 or 2を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 b 2 6

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0°Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をディスぺンサ一を用いてポッティングした。その後、 1 5 0°CX 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 b 2 7

上記半導体封止用樹脂組成物 α 2を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 CTCに加温された半導体素子上に、 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、 1 5 CTCx 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 b 2 8 上記半導体封止用樹脂組成物 a 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0てに加温された半導体素子上に、 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 b 2 9

上記半導体封止用樹脂組成物 or 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0てに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物な 2を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 b 3 0

上記半導体封止用樹脂組成物 a 2を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がポンデイングヮィヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 a 2を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つきに、雰囲気圧を 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物 a 2中のポィド抜きを行い、その 5 0 T o r rの状態を維持したまま 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物ひ 2を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 b 3 1

実装用基板（マザ一ポード）上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 2をディスペンサーを用いてポッティングした。そして、この実装用基板上に、上記実施例 b 2 0で作製した半導体装置を載置し、 I Rリフロー炉（条件： 2 4 0 °C x l O秒間）を用い、半導体装置と実装用基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成することにより半導体製品を製造した。

上記のようにして得られた各半導体装置および実装用基板上に半導体装置が搭載された半導体製品の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表 1 9〜表 2 1に示す。

表 1 9

表 2 0

上記表 1 9〜表 2 1の結果から、実施例 b 2 6、 b 2 8を除き殆どの半導体装置および半導体製品の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であった。

( 3 ) 本発明の半導体封止用樹脂組成物の、第 3の態様（固形エポキシ樹脂と固形フヱノール樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。

〔エポキシ樹脂 a c 1〕

下記の化学式（ a c 1 ) で表される結晶性エポキシ樹脂（ 2 5 °Cで固形：ェポキシ当量 1 7 4 g/e q、融点 7 9て、新日鉄化学社製の GK— 4 1 3 7 )。

〔エポキシ樹脂 a c 2〕

下記の化学式（a c 2 ) で表される結晶性エポキシ樹脂（ 2 5 °Cで固形：ェポキシ当量 1 7 3 g/e q、融点 1 4 5 °C、東都化成社製の YD C— 1 3 1 2 )。

〔エポキシ樹脂 a c 3〕

下記の化学式（ a c 3 ) で表される結晶性エポキシ樹脂（ 2 5 で固形：ェポキシ当量 1 9 5 s/e q、融点 1 0 5 °C、油化シェル社製の YX— 4 0 0 0 Η )

H₃C CH₃

CH₂-CH-CH₂-0-( )-CH₂-CH-CH₂ (a c 3)

\ ,

0 H₃C CH₃ 0 〔エポキシ樹脂 a c 4〕

下記の化学式（a c 4) で表される結晶性エポキシ樹脂（ 2 5°Cで固形：ェポキシ当量 1 9 0 g/e q、融点 78て、新日鉄化学社製の GK— 5 0 7 9 )。

〔エポキシ樹脂 a c 5〕

下記の化学式（a c 5 ) で表されるトリフエニルメタン型エポキシ樹脂（ 2 5 。(：で固形：エポキシ当量 1 Ί 0 g/e q, 軟化点 62て、日本化薬社製の E P P N - 50 1 H Y)。

LhfK: (a c 5) において、 1. 8である。〕

〔エポキシ樹脂 a c 6〕

ビスフヱノール F型エポキシ樹脂（ 2 5 で液状：エポキシ当量 1 5 8 g/e q、東都化成社製のェポトート YD F— 8 1 7 0 )。

〔エポキシ樹脂 a c 7〕

ビスフエノール A型エポキシ樹脂（ 2 5 で液状：エポキシ当量 1 7 0 g/e q、ダウケミカル社製の D E R— 3 3 2 )。

〔エポキシ樹脂 a c 8〕

下記の構造式（a c 8 ) で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ 2 5 °C で固形：エポキシ当量 1 6 7 g/e q、軟化点 68て、大日本ィンキ社製の EX A- 470 1 )。

〔フヱノ一ル樹脂 b c 1〕

下記の化学式（b c l ) で表される p—ェチルフエノ一ル樹脂（ 2 5 °Cで固形：水酸基当量 1 2 9 g/e q、融点 9 8° ( 、明和化成社製）。

〔フヱノール樹脂 b c 2〕

下記の化学式（b e 2 ' ) で表される三官能フヱノール樹脂と、下記の化学式 ( b c 2 " ) で表される四官能フヱノール樹脂との混合物〔融点 1 40 、本州化学工業社製の MHD— 244 H G：)。なお、液体クロマトグラフ分析によるピ —ク面積比率（全ピーク面積に対しての面積比）は、式（b c 2 ' ) が約 84% 、式（ b c 2〃）が約 1 5 %である。

H₃C OH

HO •CH_? OH (b c 2'

H₃C 76

〔フエノ一ル樹脂 b c 3〕

上記化学式（b c 2 " ) で表される四官能フエノール樹脂と、上記化学式（ b c 2 ' ) で表される三官能フヱノール樹脂との混合物〔融点 1 8 2。 (：、本州化学工業社製の B i s 2 6 X— R S〕。なお、液体ク口マトグラフ分析によるピーク面積比率（全ピーク面積に対しての面積比）は、式（ b c 2〃）が約 9 0 %、式 ( b c 2 ' ) が約 8 %である。

〔フエノール樹脂 b c 4〕

下記の化学式（ b c 4 ) で表される三官能フヱノ一ル樹脂（ 2 5てで固形：純度 9 8 %、融点 9 4て、本州化学工業社製の HDM— 2 3 4 )。

〔フエノ一ル樹脂 b c 5〕

下記の化学式（ b c 5 ) で表されるフヱノ一ル樹脂（ 2 5てで固形： Ξ井化学社製の B P F— S T)。

〔フヱノ一ル樹脂 b c 6 ]

ァリル化フヱノールノポラック（ 2 5 で液状：水酸基当量 1 3 5 g/e q、明和化成社製の M E H- 8 0 0 5 H)o

〔硬化促進剤 c 1〕

先の第 1の態様における実施例および比較例で用いた硬化促進剤 c 1 と同様のマイクロカブセル型硬化促進剤を用いた。このマイク口カプセル型硬化促進剤の平均粒径は 2〃mであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は 1 5 %であり、トリフエニルホスフィンの内包量は全体の 3 0重量％であつた。

〔硬化促進剤 c 2〕

日本化薬社製の M C E— 9 9 5 7。

〔硬化促進剤 c 3

2—ェチルー 4ーメチルイミダゾ一ル（四国化成工業社製のキュアゾ一ル 2 E 4 M Z )。

〔無機質充填剤 d 1 ]

球状溶融シリカ粉末（平均粒径 5 . 0 ^ m、東燃化学社製の S P— 4 B )。 Γ無機質充填剤 d 2〕

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 1 5 m、電気化学工業社製の F B — 4 8 X ) 〔無機質充填剤 d 3〕

球状溶融シリ力粉末（平均粒径 0 . 5 6 z nu ァドマテックス社製の S E— 2 1 0 0 )

実施例 c 1〜 c 1 1、比較例 c 1 ~ c 4

上記各成分を後記の表 2 2〜表 2 4に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。

〔実施例 c 1〜 c 1 1、比較例 c 2〜 c 4〕

まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 5 0てで 1 0分間混合し、固形分を全て溶解させた。つきに、 9 0〜 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 7 5 °Cの温度に調節した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。なお、比較例 4については、 6 5 °Cの温度に調節した後、硬化促進剤を加えるようにした。

〔比較例 c 1 D まず、エポキシ樹脂、フヱノール樹脂を仕込み、 80てで 1 0分間混合した。その後、同温度で無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 5 0 まで温度を下げ、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。

表 22 実施例

c 1 c 2 c 3 c 4 c 5

エポキシ翻旨 a c 1 391 391 309 376 ―

a c 2 ― 133

a c 3 ― 一一 ― 150

a c 4 ― ― ― 一 145

a c D

a c 6

a c 7

a c 8

フヱノール b c 1

櫬旨

b c 2 99.7 99.7 150 182 一

b c 3 99.7 99.7 141 171

b c 4 164

b c 5

b c 6

硬化 (SM c 1 23.1 34 41.2 19.1

c 2 34.9

c 3

d 1 140 140 900 729 141

d 2 746 746 748

全脚翻の纖き (H¾) 59 59 59 49 59 (部) 実施例 c 6 c 7 c 8 c 9 clO cll エポキシ翻旨 a c 1 ― ― 663 663 210 ― a c 2 134

a c 3 151

a c 4 147 ― 一 ― 229 ― a c o ― 379 ― ― 一一 a c 6

a c 7 210 a c 8 163 フエノール b c 1 一 ― 491 491 311 一樹脂

b c 2

b c 3

b c 4 167 ― 86.5 b c 5 221

b c 6 131 硬化腿剤 c 1 19.5 25.9 57.5 36.4 25.3 c 2 85.9

c 3

d 1 900 900 45.4 45.4 119 140 d 2 243 243 631 747 全神の i醒剛通 ¾) 59 59 19 ！ 19 49 59

！ (部) 比較例 c 1 c 2 c 3 c 4 エポキシ翩旨 a c 1 231 294

a c 2

a c 3

a c 4 252 a c 5 379 a c D 239

フエノール b c 1 342

樹脂

b c 2 142 b c 3 134 b c 4

b c 5 221 b c 6 204

•硬化剤 c 1 23. 8 40 32. 3

c 2

c 3 4. 4 無機糊 d 1 164 107 147 900 d 2 869 568 783 全 ίίψί ΐϋ鶴の含有合 (Η¾)！ 69 44 61 60

！このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、 2 5 °Cおよび 8 0 °Cにおける各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g )、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定 · 評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定 · 評価した。そして、これらの結果を後記の表 2 5〜表 2 7に示した。

〔ガラス転移温度（T _g )〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔貯蔵安定性〕

* 1 ：無機質充填剤の沈降度合い

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

* 2 ：粘度変化の度合い

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔吐出性、塗布作業性〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔可使時間（粘度変化）〕

前.記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

〔耐湿信頼性〕

前記第 1の態様と同様の方法にて求めた。

実施例

c 1 c 2 c 3 c 4 c 5

25°Cでの性状固形固形固形固形 ^

25°C 固体固体固体固体 255000 粘度 oise)

80°C 22.5 24 4500 3000 82.5 ガラス! CO 126 124 125 125 133

* 1

騰¾¾性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 氺 2 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 吐出および^ M 性 ◎ ◎ Δ 〇 ◎ 可使時間 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 醒翻性 (PCT) 200く 200く 170 150 200く

* 1 ：無 ^の沈降度合 '

*2 ：粘 ^(匕の度合い

実施例 c 6 c 7 c 8 c 9 c lO

2 5 での ¾伏固形固形固形

25°C 50000 固体固体固体 7200 粘度 (poise)

80。C 90 610 22. 5 23 60 ガラス転移 CO 134 136 88 86 94 氺 1

貯蔵安定性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎

* 2 ◎ 〇 ◎ 吐出および塗布作業性 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 可使時間 ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ 匪謝生 (P C T) 200く 200く 100 100 180

* 1 ：無糊の沈降度合い

* 2 ：粘化の度合い

表 2 7

* 1 ：纖^¾ ^の沈降度合い

* 2 ：粘麵匕の度合い上記表 2 5〜表 2 7の結果から、全ての実施例品は、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例 c 1品〜 c 7品は、固形フェノール樹脂として多官能固形フエノ一ル樹脂または多官能固形エポキシ樹脂を用いているため、多官能固形樹脂系ではない固形樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が特に高くなっている。また、実施例 c 1品， c 3品〜 c 8品， c 1 0品， c 1 1品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイク口カプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイク口カプセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に特に優れている。

これに対し、比較例 c l品は、液状エポキシ樹脂と液状フエノール樹脂とを用いているため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例 c 2品も、 2 5ての粘度が 7 0 0 0 p o i s e未満であるため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。さらに、比較例 c 3品は、 8 0ての粘度が 5 0 0 0 p o i s eを超えているため、吐出および塗布作業性が悪くなつていることがわかる。そして、比較例 c 4品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短く、貯蔵安定性が悪くなつていることがわかる。

実施例 c 1 2

前記実施例 c 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 70 °Cに加温された配線回路基板と半導体素子上に、 7 0°Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T 0 r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を 1 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のポイド抜きを行い、その 1 5 0 T o r rの状態を維持したまま上記 7 0てに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C X 3時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 1 3

前記実施例 c 4で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0てに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 c 1 4

前記実施例 c 6で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例 c 1 2 と同様にしてフリップチッブ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 1 5

前記実施例 c 7で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例 c 1 2 と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 1 6 (併用エポキシ樹脂 +併用フヱノール樹脂）

前記実施例 c 1 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板と半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T 0 r r の真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つきに、雰囲気圧を 1 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のポイド抜きを行い、その 1 5 0 T o r rの状態を維持したまま上記 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0て X 3時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キヤビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

〔半導体封止用樹脂組成物ひ 3の作製〕

前記各成分を下記の表 2 8に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した後、 7 0 °Cで真空脱泡した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フエノール樹脂を仕込み、 1 5 0てで 1 0分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、 9 0〜 1 0 0 °Cまで温度を下げ、無機質充填剤を加えて 1 0分間混合した。そして、 7 5 °Cの温度に調節した後、硬化促進剤を加え 2分間混合し受け入れた。得られた半導体封止用樹脂組成物ひ 3について、 2 5 °Cおよび 8 0 °Cにおける各粘度を E型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（T g )、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定 · 評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定 ' 評価した。そして、これらの結果を下記の表 2 8に併せて示した。

(部）

* 1 ：無iK5¾¾¾の沈降度合い

* 2 ：粘艘化の度合い実施例 c 1 7

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 1 0 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 3をディスぺンサ一を用いて充填した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 1 8

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r rの真空下で 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 a 3をディスペンサーを用いて充填した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 1 9

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 3を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、 5 T o r rの真空下で 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 a: 3を充填（差圧充填）' した後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 c 2 0

上記半導体封止用樹脂組成物 _α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0 °Cに加温された配線回路基板上に Ί 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0。〇 2 ¾: 2 0分+ 2 2 0て 0. 5 k g x 2 分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 1

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 1 0 0てに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダ一を用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 2 2 0分+ 2 20て X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 2

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k gx 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 3

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C X 2 k g x 2 0分 + 22 0 °Cx O . 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 24

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、子め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 °Cに加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 2 2 0分+ 2 2 0て 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 5

上記半導体封止用樹脂組成物ひ 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2 分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 6

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0てに加温された半導体素子上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記半導体素子上に 7 0 に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C X 2 k g X 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k g x 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリッブチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 c 2 7

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板上に 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップポンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C x 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0 . 5 k g X 2分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 c 2 8

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤ一で電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 1 0 o °cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3をディスペン-ザ一を用いてポッティングした。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 2 9

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つきのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3を、 5 T o r rの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 3 0 上記半導体封止用樹脂組成物ひ 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 に加温された半導体素子上に、 7 0 °Cに加温された半導体封止用樹脂組成物ひ 3をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 3 1

上記半導体封止用樹脂組成物 α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 O 'Cに加温された半導体素子上に、 7 0てに加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3を、 5 Τ ο r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキヤビティ一フィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 3 2

上記半導体封止用樹脂組成物 _α 3を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がポンデイングヮィヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め 7 0 °Cに加温された半導体素子上に、 7 0 に加温された半導体封止用樹脂組成物 α 3を、 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を 1 5 0 T o r rに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物 α 3中のボイド抜きを行い、その 1 5 O T o r rの状態を維持したまま 7 0 °Cに加温された上記半導体封止用樹脂組成物 3を用いて仕上げ印刷を行った。その後、 1 5 0 °C x 3時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

実施例 c 3 3

実装用基板（マザ一ボード）上に、上記実施例 c 2 0で作製した半導体装置を載置し、電気的に接続して 1 0 0 に加温したものを準備した。その後、 7 0 °C に加温された半導体封止用樹脂組成物 a 3を、実装用基板と半導体装置との間の空隙にディスペンザ一を用いて充填した。そして、 1 5 0 °C X 3時間で硬化することにより半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成して半導体製品を製造した。

上記のようにして得られた各半導体装置および半導体製品の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表 2 9〜表 3 1 に示す表 2 9

表 3 0

表 3 1

上記表 2 9〜表 3 1の結果から、実施例 c 2 7、 c 2 9を除き殆どの半導体装置および半導体製品の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であつた。

(4) つぎに、本発明の半導体封止用樹脂組成物を半導体ウェハおよびマトリックス状の配線回路基板に用いた半導体装置の製法に関する実施例について述べる o

実施例 d 1

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベル C S P) を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて、厚み 1 5 0 mとなるよう塗布することにより樹脂層を形成した。塗布後、 5 T o r rの真空下で脱泡し、 1 5 0 て X 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（ゥヱハレベル C S P) を作製した。

実施例 d 2

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0°Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベル C S P) を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて厚み 1 5 0 mとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベル C S P ) を作製した。

実施例 d 3

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベル C S P) を作製した。すなわち、予め 7 0 に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T 0 r rの真空下でマスクの開口部を通じて厚み 1 5 0 mとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、 1 5 0 T o r rに戻して泡抜きを行い、さらに 1 5 0 T o r rの真空下で仕上げ印刷を行った。仕上げ印刷した後、 1 5 0°Cx 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（ゥヱハレベル C S P) を作製した。実施例 d 4

個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、ポンディングワイヤ一を介して複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め Ί 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにして半導体装置（MAP— B GA法）を作製した。すなわち、予め 7 0°Cに加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、ディスペンサーを用いて上記半導体封止用樹脂組成物を塗布し、半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成した。樹脂層を形成した後、 5 T o r rの真空下で脱泡し、その後 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（MAP— B G A法）を作製した。

実施例 d 5

個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、直接、複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにして半導体装置（MAP— B GA法）を作製した。すなわち、予め 7 0てに加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T o r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷封止した。その後 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（MA P— B GA法）を作製した。

実施例 d 6 個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、直接、複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 °Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにして半導体装置（ M A P— B G A法）を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂組成物を 5 T 0 r rの真空下でマスクの開口部を通じて印刷封止した。印刷封止した後、 1 5 0 T o r rに戻して泡抜きを行い、さらに 1 5 0 T o r r の真空下で仕上げ印刷を行った。仕上げ印刷した後、 1 5 0 °C X 3時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化して半導体装置（M A P— B G A法）を作製した。

実施例 d 7

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにしてフリヅプチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンザ一を用いて、厚み 5 0 z mとなるよう塗布することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つき、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップポンダーを用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0 °C X 2 k g X 2 0分 + 2 2 0 °C X 0 . 5 k g x 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 d 8

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み 5 0 mとなるよう印刷封止した。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つぎに、予め 7 0°Cに加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチッブポンダーを用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 20分 + 2 20 °C X 0. 5 k gx 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリツプチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 d 9

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 の真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0°Cに加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み 5 0 mとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、 5 T o r rの真空下で泡抜きを行った。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つきに、予め 7 0 °Cに加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップポンダ —を用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 22 0 °Cx 0. 5 k 分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 d 1 0

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0°Cの真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリッブチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて、 5 T o r rの真空下で厚み 5 0 mとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、 1 5 0 T o r rの真空下に戻し泡抜きを行った。さらに、 1 5 0 T o r rの条件で仕上げ印刷を行った。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つぎに、予め 7 0 に加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップポンダーを用いて熱圧着接続（条件： 1 50°Cx 2 k gx 2 0分 + 2 2 CTCX 0. 5 k g x 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した実施例 d 1 1

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0ての真空下で滅圧脱泡したものを用い、つきのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 に加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスぺンサ一を用いて 5 T o r rの真空下で塗布することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つぎに、予め 7 0 °Cに加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダ一を用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 + 2 2 0 °Cx O . 5 k g x 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 d 1 2

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 の真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて印刷することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つぎに、予め 7 0°Cに加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリッブチップポンダーを用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0 2 2 0分+ 2 2 0 °〇 0. 5 k g x 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

実施例 d 1 3

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 70ての真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて印刷して樹脂層を形成した後、 5 T o r rの真空下で泡抜きを行つた。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つきに、予め 7 0°Cに加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリッブチップポンダ一を用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k gx 2 0分 + 2 2 CTCX 0. 5 k gx 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。実施例 d 1 4

前記実施例 a 1で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め 7 0 の真空下で減圧脱泡したものを用い、つきのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め 7 0 °Cに加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて 5 T o r rの真空下で印刷して樹脂層を形成した後、 1 5 0 T o r rの真空下に戻し泡抜きを行った。さらに、 1 5 0 T o r rの条件で仕上げ印刷を行った。その後、ダイサ一にて切断して個片化した。つきに、予め 7 0°Cに加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリツプチッブボンダ一を用いて熱圧着接続（条件： 1 5 0°Cx 2 k g x 2 0分 + 2 2 0 °C X 0. 5 k gx 2分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

上記のようにして得られた各半導体装置の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表 3 2〜表 3 3に示す。

表 3 2

上記表 3 2〜表 3 3の結果、得られた半導体装置の封止樹脂層には気泡が無いカもしくは少量の気泡が確認される程度であった。産業上の利用可能性

以上のように、本発明は、エポキシ樹脂（A成分）と、フエノール樹脂（B成分）と、潜在性硬化促進剤（ C成分）と、無機質充填剤（D成分）とを含有する半導体封止用樹脂組成物であって、 2 5 。Cおよび 8 0ての各温度における、半導体封止用樹脂組成物の粘度が特定の範囲に設定されている。このため、従来の液状封止剤に比べ可使時間が長くなり、貯蔵安定性に優れている。しかも、室温で固形または半固形であっても、 4 0 〜 8 0 °C程度の低い温度で急激に粘度が低下して液状化できるため、吐出および塗布作業性に優れている。なかでも、本発明 P T/JP00/00951

102 の半導体封止用樹脂組成物は、常温では固形または半固形であるため、半導体素子または配線回路基板において封止後硬化しない状態であっても、常温で自由に取り扱いができることから、この半導体封止用樹脂組成物を半導体ゥヱハやマ卜リックス状の配線回路基板等に塗布した後、個々の素子および配線回路基板に切断してフリップチップボンダ一等で配線回路基板と半導体素子とを熱圧着等による接続が可能となる。また、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、室温下において、固形または半固形の状態で貯蔵できるため、無機質充填剤（D成分）が沈降してしまうことがない。したがって、固形または半固形の状態で貯蔵し、その後、必要に応じて低い温度下で液状化して用いることができるため、良好な封止を行うことができ、結果、信頼性、特に耐湿信頼性の高い半導体装置が得られる。そして、上記潜在性硬化促進剤（ C成分）として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が被覆されたコア/シェル構造を有するマイク口カプセル型硬化促進剤を用いた場合には、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。

さらに、上記無機質充填剤（D成分）として球状溶融シリカを用い、これが半導体封止用樹脂組成物全体中に特定の割合で含有されている場合には、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、流動性に優れるようになり、吐出および塗布作業性に特に優れるという利点がある。

Claims

請求の範囲

1. 下記の -一（A) ~ (D ) 成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用 RN樹.I 脂組成物の粘度が 2 5°Cで 7 0 0 0 p o i s e以上で、かつ 8 0°Cで 5 0 0 0 p o i s e以下に設定されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 RNI

(A) エポキシ樹脂 R

(B ) フヱノール樹脂

( C) 潜在性硬化促進剤

(D ) 無機質充填剤

2. 上記（A) 成分が液状エポキシ樹脂であり、上記（B ) 成分が固形フエノール樹脂である請求項 1記載の半導体封止用樹脂組成物。

3. 上記（A) 成分が固形エポキシ樹脂であり、上記（B) 成分が液状フエノ —ル樹脂である請求項 1記載の半導体封止用樹脂組成物。

4. 上記（A) 成分が固形エポキシ樹脂であり、上記（B) 成分が固形フヱノール樹脂である請求項 1記載の半導体封止用樹脂組成物。

5. 上記（C) 成分である潜在性硬化促進剤が、硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（ 1 ) で表される構造単位を有する重合体を主成分とするシェル部で被覆されたコア/シェル構造を有するマイク口カプセル型硬化促進剤である請求項 1〜 4のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。

(1)

LtfK (1) において、 Rは 2価または 3価の有纏、 ' R₂ は、ずれも水 ¾ϋ子または 1価の有 ^であつて、ネ § ：に同じであつても異なっていてもよい。〕

6. 上記（D) 成分である無機質充填剤が、球状溶融シリカ粉末であって、上記球状溶融シリ力粉末が、半導体封止用樹脂組成物全体中に 1 5 ~ 8 5重量％の割合で含有されている請求項 1 ~ 5のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。

7 . 配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項 1〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体装置 ₍

8 . 配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を充填した後、硬化させることにより上記封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。

9 . 配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

1 0 . 配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記半導体素子搭載面側の配線回路基板上に請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を供給して硬化させることにより上記封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。

1 1 . 実装用基板上に、複数の接続用電極部を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹脂層が、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体製品。

1 2 . 突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層から露出するよう形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを、個々の半導体素子に切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。

1 3 . 上記樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項 1 2記載の半導体装置の製法。

1 4 . 個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を供給して半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する工程と、上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層が形成されたマトリックス状の配線回路基板を、樹脂層とともに個々の半導体素子毎に切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。

1 5 . 上記樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項 1 4記載の半導体装置の製法。

1 6 . 突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する工程と、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。

1 7 . 上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項 1 6記載の半導体装置の製法。

1 8 . 上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程が、ディスぺンサーを用いて行われる請求項 1 6記載の半導体装置の製法。

1 9 . 個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板面に、請求項 1 〜 6のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する工程と、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。

2 0 . 上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項 1 9記載の半導体装置の製法。

2 1 . 上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程が、デイスペンザ一を用いて行われる請求項 1 9記載の半導体装置の製法。