KR20010083777A - 지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법 - Google Patents

지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010083777A
KR20010083777A KR1020007009604A KR20007009604A KR20010083777A KR 20010083777 A KR20010083777 A KR 20010083777A KR 1020007009604 A KR1020007009604 A KR 1020007009604A KR 20007009604 A KR20007009604 A KR 20007009604A KR 20010083777 A KR20010083777 A KR 20010083777A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
piezoelectric material
layer
surface acoustic
acoustic wave
substrate
Prior art date
Application number
KR1020007009604A
Other languages
English (en)
Inventor
라이트피터
Original Assignee
트뤼옹-벵-똥 엠.쎄.
톰슨-씨에스에프
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트뤼옹-벵-똥 엠.쎄., 톰슨-씨에스에프 filed Critical 트뤼옹-벵-똥 엠.쎄.
Publication of KR20010083777A publication Critical patent/KR20010083777A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02779—Continuous surface reflective arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/66—Phase shifters
    • H03H9/68—Phase shifters using surface acoustic waves
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Abstract

본 발명은 압전 재료의 박층, 분자 접합제층 및 캐리어 기판을 포함하는 표면 음파 장치에 관한 것이다. 상기 박층은 상기 장치의 성능 특성을 증대하는 음향 에너지 가이드를 형성한다.
본 발명은 또한 특히 캐리어 기판과 압전 기판 사이에서 분자 접합하는 단계와, 다음에 상기 압전 기판의 두께를 감소시키는 단계를 포함하는 음파 장치의 제조 방법을 제공한다.

Description

지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의 박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법{Device with acoustic waves guided in a fine piezoelectric material film bonded with a molecular bonding on a bearing substrate and method for making same}
통상적으로, 표면 음파 공진기는 음파 에너지를 트랩할 수 있도록 적절하게 위치되는 반사 전극의 2개의 어레이 사이에 위치되는 표면 음파 변환기로 구성됨으로써, 낮은 반사 손실율이 나타나는 공진 캐비티를 발생시킨다. 이러한 점은 많은 전극으로 얻어질 수 있다. 실제로, 단일 전극의 반사 효율 계수는 단지 몇 퍼센트밖에 되지 않는다. 그래서, 이러한 어레이는 파장당 2개의 전극의 비율에서 균일하게 이격되는 약 백개 또는 그 이상으로 구성된다. 전극의 반사가 약해지는 것에는 기본적으로 2가지 이유가 있다: 즉, 상기 전극이 표면에 있기 때문에, 에너지가 기판에 분산되는 음파로 크게 반응하지 않게 된다(이러한 상호작용을 증가시키는 것은 실질적으로 성취될 수 없는 미세함을 가지는 전극가 요구된다). 또한, 단일 전극의 반사 계수가 매우 높다면, 기본적인 에너지는 파의 벌크(bulk) 타입으로 분사되고, 따라서 전체 공진기에 대하여 손실이 있게 된다.
상기 어레이의 효율을 증가시키고, 따라서 공진기의 성능 특성을 향상시키기 위해서는, 음파 에너지 안내부 즉, 음파가 형성될 수 있는 압전 재료의 미세한 층을 사용하는 것이 특히 유리하다.
표면 음파는 단일 반향의 음파 전달을 실행하기 위하여 내부 반사의 사용을 증가시킨다. 따라서, 이러한 타입의 변환기는 반사 효율의 증가로 부터 동일한 방법으로 유리하게 된다. 또한, 음파 에너지가 압전 재료의 박층에서 안내된다면, 압전 연결 계수는 보다 더 효과적으로 된다.
본 발명의 기술 분야는 표면 음파 장치에 관한 것으로서, 특히 이동 전화의 필터로 사용되는 것에 관한 것이다.
표면 음파 장치로 필터 및 공전기 타입의 작용을 실행하기 위하여, 가능한 효과적으로 변환기 및 반사기를 설정하는 것이 중요하다.
도 1은 두 개의 반사기 어레이 사이에 변환기를 포함하는 본 발명에 따른 제 1 실시예의 표면 음파 장치를 도시한 도면.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 음파 장치를 얻기 위해 사용되는 제조 방법 중 하나의 단계를 도시한 도면.
도 3은 표면 음파 장치가 파장의 제한을 위한 부가의 금속층을 포함하는 본 발명의 다른 실시예의 도면.
도 4a는 도전층을 갖지 않는 변환기의 구조를 도시한 도면.
도 4b 내지 도 4c는 도전층을 갖는 변환기의 구조를 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5c는 중공의 캐리어 기판을 포함하는 본 발명에 따른 표면 음파 장치를 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 한방향 변환기의 제어 모드를 도시한 도면.
도 7a 내지 도 7c는 표면 전극 또는 매설된 전극(buried electrodes)를 갖춘 본 발명에 따른 표면 음파 장치를 사용하는 예시적 필터를 도시한 도면.
도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 표면 음파 장치를 사용하는 다른 예시적필터를 도시한 도면.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 예시적인 캡슐화된 표면 음파 장치를 도시한 도면.
도 10은 본 발명에 따른 다른 예시적인 캡슐화된 표면 음파 장치를 도시한 도면.
이러한 점은 왜 본 발명이 압전 재료에서 음파의 한정을 위하여 제공될 수 있도록 캐리어 기판에 접합되는 압전 재료의 박층에서 안내되는 표면 음파를 사용하는 장치를 제안하는지를 설명하는 것이다.
특히, 본 발명의 목적은 표면 음파를 발생시키기 위한 수단과 음파가 안내되는 압전 재료의 박층을 포함하는 표면 음파 장치를 제공하는 것으로서, 상기 장치는 캐리어 기판과, 압전 재료의 박층이 캐리어 기판에 접합되는 분자 접합제의 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 캐리어 재료는 글라스, 사파이어, 실리콘 또는 갈륨 비화물 타입(gallium arsenide type)이 될 수 있다. 상기 압전 재료는 석영, 리듐 니오베이트(niobate) 또는 리듐 탄탈레이트 타입이 될 수 있고, 상기 분자 접합제는 실리카 타입이 될 수 있다. 본 발명의 변경예에 따라서, 상기 표면 음파 장치는 분자 접합제 및 압전 재료의 층 사이의 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 압전 재료의 박층과, 분자 접합제의 층 및 캐리어 기판을 포함하는 음파 장치의 제 1 제조 방법을 제공하는 것이다.
특히, 이러한 방법은,
압전 재료 기판의 제 1 표면에 분자 접합제의 층을 증착하는 단계와,
친수성 접합 작용을 실행하기 위하여 습한 환경하에서 상기 압전 재료의 표면과 분자 접합제의 층에 의하여 형성되는 유닛과 캐리어 기판을 결합하는 단계와;
상기 압전 재료의 박층을 형성할 수 있도록 기계적이거나, 화학적이나 또는 이온 타입의 방법에 의하여 상기 압전 기판의 두께를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
양호하게는, 상기 방법은,
압전 재료의 기판의 제 1 표면에 대한 깊이에서 상기 압전 재료의 기판에서 이온을 이식하는 단계와;
상기 이온 이식의 깊이에서 압전 재료의 기판을 크랙하고 압전 재료의 박층을 형성하기 위하여 상기 분자 접합제의 층과 압전 재료의 기판에 의하여 형성되는조립체를 빠르게 가열하는 단계와;
압전 재료의 박층을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 장점 및 다른 장점 첨부 도면 및 제한적이지 않은 실시예의 하기의 설명으로부터 더욱 명백해 질 것이다.
통상, 음파 장치는, 두 개의 반사기 어레이 사이에 삽입된 예시적인 변환기를 도시하는 도 1에 도시한 바와 같이, 소정의 변환 및 반사 기능을 수행하기 위한 전극(2)과, 분자 결합제(bonder) 층(3) 및 지지 기판(4)을 구비하는 하나 이상의 압전 재료층(1)을 포함한다.
상기 압전 재료층의 두께는 음향 에너지의 전달의 두 개의 안내 모드를 형성하도록 설정된다.
"분자" 결합제 층으로 공지된 결합제 층은 계면에서 재료와 친수성 결합을 설정할 수 있는 재료의 층이다. 통상, 이는 습식 분위기에서 또한 수소 원자를 포함하는 계면에서 다른 재료와 O-H 결합을 형성할 수 있는 실리카일 수 있다.
실제로, 실리콘 타입의 캐리어 기판이 사용될 때, 수백 옹스트롬의 두께의 캐리어 기판 표면에 스퍼터링에 의해 SiO2증착을 형성할 수 있다. 이는 또한 캐리어 기판이 비화 갈륨(GaAs)으로 형성되는 경우이다. 다음, 석영, LiTaO3또는LiNbO3와 같은 산소를 함유하는 압전 재료와 SiO2층 사이의 결합이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 구조에서, 압전 재료의 층에서보다 캐리어 기판 내에서 더 커지는 음파의 속도로, 하나의 음파의 치수, 즉 1㎛ 내지 30㎛로 제한된 압전 재료의 미세한 두께를 형성함으로써, 상기 압전 재료의 층은 음파 가이드의 특징을 나타낼 수 있다. 이제, 안내된 음파 구조는 안내되지 않은 표면 음파 장치 보다 주요한 다수의 장점을 가지며, 상기 장점은,
- 낮은 손실;
- 높은 반사 계수;
- 특히, 음파가 수평면에서 분극될 때, 높은 파워에 대한 저항이다.
본 발명의 음파 장치는 압전 재료의 미소한 층을 포함한다. 작은 두께는, 분자 결합에 의해 지지 기판에 인접시킨 후, 두꺼운 층으로부터 기계적 또는 화학적 에칭 또는, 플라즈마 에칭에 의해 얻을 수 있다. 그러나, 매우 얇은 층에서는 상기 기술은 고비용이다. 이는 본 발명이 매우 얇은 층을 위한 방법을 제안하는 이유이다. 상기 방법의 주요 단계는 도 2에 도시한다.
상기 방법의 제 1 단계는 압전 기판(10)에 예를 들면 수소 타입 이온과 같은 이온을 주입하는 단계를 포함한다. 이온 충돌의 파워는 이온 주입(100)(도 2a)의 깊이(d)를 조절한다.
제 2 단계에서, 예를 들면 SiO2타입의 분자 결합제 층(30)이 증착된다. 상기 증착은 스퍼터링에 의해 수행된다. 얻어진 유닛은 도 2b에 도시한다.
도 2c에 도시한 제 3 단계는 캐리어 기판(40)을 결합제(30)와 압전 기판(10)에 의해 형성된 유닛에 인접시키는 단계를 포함한다. 상기 작업은 제어된 분위기에서 수행될 수 있다.
도 2d에 도시한 제 4 단계는 압전 재료의 박층을 형성하도록 사용된다. 상기 단계는 이전 단계에서 준비된 유닛을 급속 가열함으로써 수행된다. 주입된 불순물에 크랙킹 작업이 형성된다. 상기 크랙킹은 두께(d)를 갖는 압전층을 형성한다. 상기 크랙킹 단계는 표면 압전 재료를 연마하는 단계를 유리하게 수반한다. 도시하지 않은 상기 단계는 전극 증착 작업에 의해 표면 음파 장치(SAW 장치)를 형성하는 단계를 포함하는 도 2e에 도시한 제 5 단계 이전에 수행된다.
본 발명의 표면 탄성파 소자의 구조는 재료의 낮은 저항에 기인하는 실질적인 손실이 있을 수 있는 실리콘 방식의 캐리어 기판의 경우에는 개선될 수 있게 된다. 이와 같은 구조에 있어서, 도 3에 도시한 바와 같이 캐리어 기판과 분자 접합제 층 사이에 금속층을 삽입하는 것이 매우 유리하다. 따라서, 캐리어 기판(41)은 금속층(51), 분자 접합제(31) 및 표면 상에 전극(21)이 증착되는 박막 압전 재료층(11)을 구비하고 있다. 박막 금속층(51)은 압전층과 캐리어 기판 사이에서의 전도 방지 차폐물이며, 따라서 압전층(11)의 전기장 선이 한정되게 된다. 박막 금속층은 압전 기판의 표면 상에, 캐리어 기판 상에 또는 이들 양자의 표면 상에 증착될 수도 있다. 분자 접합체층은 이후에 금속층 또는 캐리어 기판 또는 압전 재료의 표면 상에 증착될 수 있다. 전도성 층의 삽입은 전기장에 대한 차폐물을형성하는 것에 비해서 몇가지 장점이 있다. 이들 장점에 대해서는, 특히 도 4a 내지 도 4c를 통해서 설명하기로 한다. 보다 구체적으로, 도 4a는 전도층이 없는 경우에 트랜스듀서의 아래에 있는 압전층 내의 전기장 선의 개념도이다. 도 4b는 전도층이 있는 경우에서의 동일한 현상에 대한 개념도이다. 제 2 실시예에서는, 전기장 선이 층을 통과해서 더욱 깊이 투과한다. 이는 트랜스듀서의 전기 음향학적인 결합 계수에서의 증가를 초래하게 된다.
각각의 경우에 따라서, 트랜스듀서는 불균형 접속, 즉 제 1 접속은 주어진 전위에 있고, 제 2 접속은 여전히 0 전위(즉, 접지에 접속된)인 경우 또는 균형 접속, 즉 두 개의 접속이 동일한 전위이지만, 위상 차이는 180°인 경우를 포함한다.
그러나, 균형적 또는 불균형적 공급이라는 결과에 있어서의 최적의 효과를 위해서, 전도층을 접지시킬 수도 있다. 도 4c는 입력 신호의 제 2 위상이 두 개의 기판의 계면에서의 전도면에 접속된 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 이는 트랜스듀서의 서로 결합된 전극의 레이아웃의 치수를 두 배로 하는 장점을 무시할 수 없게 한다. 이 구조에 있어서의 필요한 전극의 주기성은 λ이며, 여기에서 λ는 탄성파이지만, 상술한 경우에 있어서의 상기 주기성은 λ/2이었다. 도 4c는, 따라서 장치의 동작의 주파수를 두 배로 할 수 있는 구조를 제공하게 된다.
캐리어 기판의 저항이 높은 경우에, 예를 들어서, 글래스나 사파이어로 형성된 경우에, 압전 기판과 캐리어 기판 사이의 전기적인 차폐물은 캐리어 기판 내에서의 전도성 손실을 방지하기 위해서 필요한 것은 아니다. 따라서, 도 4a 내지 도 4c에 도시된 것과 동일한 구조는 후술하는 바와 같이 전극을 매설시키는 것에 의해서 가능해진다. 이들 이식의 장점은 더욱 강력한 압전 결합이며, 그 이유는 전극이 매설되며, 필터의 차폐물이 외부 전기장을 형성하기 때문이다.
또한, 트랜스듀서의 전극을 압전층에 매설시킴으로써 비교예의 효과를 획득하는 것도 가능하다. 이 구조는, 매설 전도층에서와 마찬가지의 방식으로, 압전 재료 내의 전기장 선의 투과의 깊이를 증가시키는 것이 가능하다. 종래 기술의 표면 탄성파 장치에 있어서, 매설 전극으로는 일정하고 반복적인 작동 특성을 획득하는 것은 매우 곤란하였는데, 그 이유는 소정의 깊이까지 압전 기판을 정밀하게 부식시키는 것이 곤란하였기 때문이다. 이와는 대조적으로, 본 발명에서는, 이런 측면에서는 문제점이 없다. 선택적 화학 부식법을 채택함에 의해서, 박막 압전 재료층의 단일한 정밀한 위치를 부식하는 것이 가능해졌고, 또한 전체로서 이 위치까지만 부식하는 것이 가능해졌다. 따라서, 도파관 내에서 부식되어 있는 그루브는 증착법 또는 스퍼터링과 같은 기존의 어떠한 기술을 사용해서라도 금속으로 충전할 수 있게 된다. 이와 같이 부식한 트랜스듀서는 더욱 양호한 결합을 구비하게 된다.
본 발명의 다른 변형으로서, 표면 음파 장치의 활성면 아래의 상기 캐리어 재료를 중공부로 형성하면 지지부 재료의 손실을 감소시킬수 있어서 바람직하다. 도 5a는 캐리어 기판(45)이 전극(25)을 포함하는 압전 재료(15)의 활성 영역에 면한 위치에서 분자 접합제층(35)에 이를 때까지 완전히 에칭되어 있는 표면 음파 장치를 도시하고 있다. 다른 변형으로서, 분자 접합제층도 에칭될 수 있다. 실리콘 캐리어 기판의 경우에는 화학적 에칭이나 플라즈마 에칭 등의 공지된 에칭 기술을사용할 수 있다.
본 발명의 개념 내에서, 일방향 트랜스듀서를 상술한 바와 같이 완전히 중공화된 지지부 재료의 외측에 배치하는 것도 유용하다. 도 5b는 이런 타입의 트랜스듀서를 도시하고 있다. 얇은 압전층으로부터 시작함으로써, 압전 기판의 양면상에 전극 세트를 형성하는 것이 가능하다. 제 1 세트(250)가 일면상에 형성되고, 그후, 압전 기판이 전극 형성을 위한 리소그래픽 방법에 사용되는 노광 파장에 대해 투명하기 때문에, 제 2 세트(251)의 형성시에 마스크로서 사용된다.
한 방향으로의 음향 에너지 조사를 얻기 위해, 상기 트랜스듀서에는 90°상이한 위상을 가진 두개의 입력이 공급된다. 이런 종류의 전원은 종래 기술에서 공지되어 있는 도 6에 도시된 쿼드러쳐 하이브리드에 의해 용이하게 얻을 수 있다. 이 경우에, 상기 상부면상의 전극은 출력(1)에 의해 전력이 공급되며, 하부면상의 전극은 출력(2)에 의해 전원이 공급된다. 이런 방식으로 형성된 일방향 트랜스듀서는 광대역 트랜스듀서이고, 높은 효율을 가진다.
중공 캐리어 기판은 캐리어 재료의 저항성이 충분한 경우에도 유용하다. 예로서, 캐리어 재료와 압전 재료에 따라, 상기 지지부는 도 5c에 도시된 바와 같이 표면 음파 장치 아래의 특정 두께(e)의 재료만을 남겨두고 중공형으로 형성될 수 있다. 실제로, 접합제층(36)에 의해 지지부 기판(46)에 접합된 얇은 압전 재료층(16)의 표면상에 위치된 전극(26)을 향하여, 상기 기판(46)은 지지부 재료의 두께(e)에 달하도록 중공형으로 형성된다. 이런 종류의 구조는 온도 변화를 보상하고, 그래서, 온도에 대한 장치의 민감성을 현저히 감소시킬 수 있도록 사용될 수있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 표면 음파(SAW) 장치는 그 얇은 압전재료층으로 인해, 어래이가 압전 재료로 제조된 가이드 내에서 에칭되는 경우에 100% 정도 또는 그 이상의 반사 계수를 갖는다. 실제로, 이런 종류의 구조에서, 에너지는 손실되지 않거나 벌크 웨이브 타입으로 확산된다. 부가적으로, 에너지가 전적으로 가이드 내에서 한정되어 있기 때문에, 웨이브 가이드를 에칭함으로써 웨이브 가이드의 상이한 구획에서 높은 수준의 반사와 조사가 이루어지고, 따라서, 그 높이 및/또는 폭이 감소된다. 이 개념에서, 도 7은 높은 반사 지수로 인해 높은 효율을 가진 저손실 필터의 제조를 도시한다. 이는 압전 가이드의 상이한 에칭에 의해 얻어진 어래이(R)에 의해 분리된 두개의 트랜스듀서(T1, T2)로 구성된다. 도 7a는 상기 SAW 장치의 상면도를 도시하고 있으며, 도 7b는 그 단면도를 도시하고 있다. 상기 얇은 압전파 가이드(17)는 예로서, 화학적 또는 플라즈마 에칭에 의해 캐리어 기판(47)에 이르도록 또는 분자 접합제층(37)에 이르도록 애칭된다. 그 후, 전극(27)의 패턴은 공명 캐비티의 시리즈가 일렬로 형성되도록 형성되며, 각 공명 주파수는 캐비티 파장(In)의 함수이다(예로서, 1≤n≤5).
각각의 캐비티의 임피던스는 각각의 구역(Wn)에서의 음파 가이드의 폭을 변화시킴으로써 변형될 수 있다.
각각의 캐비티 사이의 커플링은 상기 가이드(Cn)의 구멍과 슬롯(Sn)의 길이에 의해 제어된다. 이러한 방법에 따르면, 음향 필터는 표준 가이드식 전자기파필터와 동일한 방법으로 정확하게 이루어질 수 있다. 각각의 내부 캐비티의 길이는 단지 약 λ/2이다. 그러므로, 이러한 종류의 필터는 리플렉터 어레이가 100λ 범위 내에서 내부 캐비티를 필요로 하는 종래의 표면 음파 필터보다 작게 이루어질 수 있다.
도 7c는 트랜스듀서의 전극이 평면으로 이루어지는 대신에 압전 기판에서 중공으로 이루어진 선택적인 필터를 도시한다. 상술된 바와 같이, 압전기는 커플링이 향상되어 보다 작은 크기의 필터를 제조하는데 사용될 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 도 7a 및 도 7b에 도시된 구조체의 변형을 도시한다. 이들 구조체 사이의 차이는 커플링이 일직선이 아닌 측부에 위치된다는 것이다.
또한, 본 발명은 포장이 가격 및 크기 면에서 우수한 SAW 장치에 관한 것이다.
실질적으로, 밀봉식으로 포장되는 포장 작업 비용은 제품 제조 원가의 상당한 부분을 차지한다. 부피가 큰 제품의 경우에, 가능한 한 포장 비용을 절감시키는 것이 중요하다. 이러한 점에서, 정전기 물질로 이루어진 미세 층에 대한 포장 덮개를 부착하기 위해 박층의 분자 접합제를 사용하는 것이 매우 중요하다.
도 9a는 상기 전극이 정전기 물질로 이루어진 박층(18) 내로 합체된 표면 음파 장치의 제 1 예를 도시하고, 상기 정전기 물질은 분자 접합제 층(381)에 의해 제 1 캐리어 기판(481)에 접합된다. 또한, 제 2 캐리어 기판(482)은 분자 접합제 층(382)에 의해 정전기 물질로 이루어진 층에 접합되어 포장을 제공한다. 이러한 방법에 따른 패키지는 매우 견고한 패키지(즉, 캐비티가 존재하지 않음)이다. 캐리어 기판에서의 벌크파의 속도가 가이드에서의 속도보다 크게 제공되는 경우에는, 매우 낮은 전달 손실을 얻는 것이 가능하다. 표준 방식에 있어서, 도전 패드(681, 682)는 표면 음파 부품과 함께 기판(481)을 통해 전기적으로 연결된다.
도 9b는 표면상에 위치하며 더이상 일체화되지 않는 전극을 구비한 표면 음파 장치(여기서는, 2개의 반사 어레이 사이의 드랜스듀서에 의해 나타남)의 제 2 실시예를 도시한다. 국부적으로 중공을 갖는 캐리어 기판은 그의 주변에서 분자 접합체층에 의해 압전 재료층에 접합된다. 이와 같은 방식은, 전술한 경우와 비교하여, 상부 캐리어 기판의 접합 전에 음파 장치의 측정된 특성을 변경하지 않는다는 장점을 갖는다. 도 9c에 도시된 구조에 있어서, 캐비티의 부재는 실제 상기 캐리어 기판의 접합 후 상기 장치의 다른 반응을 유도한다. 이것은 생산 공정이 진행되는 동안 상기 장치의 테스트를 복잡하게 한다. 또한 캡슐화된 패키지 리드로 사용되는 중공 캐리어 기판은 활성 요소(19), 즉, 도 9c에 도시된 바와 같은 패키지 안에 적응되는 요소 또는 일체화되는 다른 요소를 포함한다는 장점을 갖는다. 만약 상기 캐비티의 내부가 금속화될 경우, 그것은 RF 적용에 있어서 특히 우수한 전기적 차폐 기능을 부여할 수 있다.
도 10은 총괄적인 캡슐화된 표면 음파 장치의 변형예를 도시한다. 이 경우, 금속화가 수행되며, 포토리소그래픽 단계가 수행되며, 마지막으로 압전 기판은 예를 들면 구멍을 통해 금속층(781)을 갖는 세라믹 캐리어에 접합된다. 상기 마지막 단계는 상기 요소들을 톱과 기계적으로 분리시키는 단계를 포함한다.

Claims (16)

  1. 표면 음파 발생 수단과 음파가 안내되는 압전 재료의 박층을 포함하는 표면 음파 장치에 있어서,
    캐리어 기판과 압전 재료의 박층을 상기 캐리어 기판에 접합하는 분자 접합제층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 재료는 유리, 사파이어, 실리콘 또는 갈륨 비소 화합물 타입으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 분자 접합제는 실리카인 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 분자 접합제층의 두께는 수백 옹스트롱의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자 접합제층과 압전 재료층 사이에 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 재료는 석영, 리튬니오베이트 또는 리튬 탄탈라이트 타입인 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 재료층의 두께는 약 1㎛ 내지 30㎛의 음파 파장의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 재료의 얇은 층으로 통합된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 표면 음파를 발생하기 위한 수단은 압전 재료의 중심부에 위치하고, 상기 캐리어 기판은 상기 중심부의 전방으로 함몰되는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 캐리어 기판은 압전 재료의 박층까지 함몰되고, 상기 압전 재료층의 제 1 면상의 제 1 전극과 이 압전 재료층의 제 1 면에 대향하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 음파 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중의 어느 한 항에 따른 표면 음파 필터에 있어서,
    길이(ln)로 일련의 공명 공동을 일렬로 한정하기 위해 압전 재료 박층 내에 에칭된 반사기 배열에 의해 분리된 두 개의 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 음파 필터.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중의 어느 한 항에 따른 표면 음파 장치를 포함하는 모듈 및 이 장치가 집적되는 캡슐화 패키지에 있어서,
    상기 캡슐화 패키지는 압전 재료 층의 하나 이상의 부분상에 제 2 분자 접합제층에 의해 접합된 제 2 캐리어 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 및 캡슐화 패키지.
  13. 제 8 항 또는 제 12 항에 따른 모듈에 있어서,
    제 2 캐리어 기판은 제 2 분자층에 의해 압전 재료층 전체에 접합되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 캐리어 기판은 그 중심이 함몰되어 있으며, 압전 재료층의 주변에 캐리어 기판의 주변이 접합되는 것을 특징으로 하는 모듈 및 캡슐화 패키지.
  15. 제 1 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 장치의 제조 방법에 있어서,
    분자 접합제층을 압전 재료 기판의 제 1 면에 적층하는 단계와,
    친수성 접합 작용을 실시하기 위해 습한 분위기 하에서 분자 접합제층과 압전 재료 기판에 의해 형성되는 유닛과 캐리어 기판을 결합하는 단계와,
    압전 재료 박층을 한정하기 위해 기계적, 화학적, 이온 형태의 방법에 의해압전 기판의 두께를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    압전 재료 기판의 제 1 면에 대해 깊이 d로 압전 재료 기판 내에 이온을 주입하는 단계와,
    압전 재료 기판을 이온 주입 깊이로 균열시키고 압전 재료 박층을 한정하기 위해 분자 접합제층과 압전 재료 기판에 의해 형성되는 조립체를 급속 가열하는 단계와,
    압전 재료 박층을 정밀 연마하는 단계를 부가로 포함하는 제조 방법.
KR1020007009604A 1998-12-30 1999-12-21 지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법 KR20010083777A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9816661A FR2788176B1 (fr) 1998-12-30 1998-12-30 Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication
FR98/16661 1998-12-30
PCT/FR1999/003239 WO2000041299A1 (fr) 1998-12-30 1999-12-21 Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010083777A true KR20010083777A (ko) 2001-09-01

Family

ID=9534704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009604A KR20010083777A (ko) 1998-12-30 1999-12-21 지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6445265B1 (ko)
EP (1) EP1060562B1 (ko)
JP (1) JP2002534886A (ko)
KR (1) KR20010083777A (ko)
CN (1) CN1129230C (ko)
CA (1) CA2321905A1 (ko)
DE (1) DE69923667T2 (ko)
FR (1) FR2788176B1 (ko)
HK (1) HK1036699A1 (ko)
WO (1) WO2000041299A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724015B1 (ko) * 2003-12-19 2007-05-31 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 표면파 필터

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0016861D0 (en) * 2000-07-11 2000-08-30 Univ Cranfield Improvements in or relating to filters
JP2002122614A (ja) * 2000-10-12 2002-04-26 Murata Mfg Co Ltd 加速度センサ
WO2002058233A1 (en) * 2001-01-18 2002-07-25 Infineon Technologies Ag Filter devices and method for fabricating filter devices
JP2003017967A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
US6621379B1 (en) * 2001-11-29 2003-09-16 Clarisay, Incorporated Hermetic package for surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
US6767749B2 (en) * 2002-04-22 2004-07-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting
KR100431767B1 (ko) * 2002-06-08 2004-05-17 엘지이노텍 주식회사 슬릿탄성파를 이용한 압력 센서
JP2004129222A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
JP3892370B2 (ja) * 2002-09-04 2007-03-14 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子、フィルタ装置及びその製造方法
JP2004186868A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ
AU2003303406A1 (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Fondation Cafi Ion beam doped lithium tantalate or similar compounds
JP2004304622A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2004336503A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子及びその製造方法
JP3774782B2 (ja) 2003-05-14 2006-05-17 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の製造方法
DE10325281B4 (de) * 2003-06-04 2018-05-17 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE10331322A1 (de) * 2003-07-10 2005-02-03 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7230512B1 (en) * 2003-08-19 2007-06-12 Triquint, Inc. Wafer-level surface acoustic wave filter package with temperature-compensating characteristics
JP2008538577A (ja) * 2005-04-22 2008-10-30 ワイス ジヒドロベンゾフラン誘導体およびその使用
TWI343180B (en) * 2005-07-01 2011-06-01 Ind Tech Res Inst The acoustic wave sensing-device integrated with micro channels
JP4627269B2 (ja) * 2006-02-24 2011-02-09 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイスの製造方法
FR2922696B1 (fr) * 2007-10-22 2010-03-12 St Microelectronics Sa Resonateur a ondes de lamb
KR101196990B1 (ko) * 2007-12-25 2012-11-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 복합 압전 기판의 제조방법
JP4636292B2 (ja) * 2008-08-27 2011-02-23 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法
JP4743258B2 (ja) * 2008-10-31 2011-08-10 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP4582235B2 (ja) * 2008-10-31 2010-11-17 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP4821834B2 (ja) 2008-10-31 2011-11-24 株式会社村田製作所 圧電性複合基板の製造方法
WO2010067794A1 (ja) * 2008-12-10 2010-06-17 株式会社村田製作所 圧電性複合基板の製造方法、および圧電素子の製造方法
JP2010161671A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JP5277975B2 (ja) * 2009-01-14 2013-08-28 株式会社村田製作所 複合基板の製造方法
DE112010000861B4 (de) * 2009-01-15 2016-12-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements
JP2010166371A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Murata Mfg Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
JP5277999B2 (ja) * 2009-01-29 2013-08-28 株式会社村田製作所 複合基板の製造方法
WO2010087226A1 (ja) * 2009-01-29 2010-08-05 株式会社村田製作所 複合基板の製造方法
CN102334281A (zh) * 2009-02-25 2012-01-25 精工电子有限公司 封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟
JP5152410B2 (ja) * 2009-06-09 2013-02-27 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
US8209857B2 (en) * 2009-06-19 2012-07-03 The Regents Of The University Of Michigan Method of making a thin film device
FR2947398B1 (fr) * 2009-06-30 2013-07-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif resonant a ondes acoustiques guidees et procede de realisation du dispositif
JP5359615B2 (ja) * 2009-07-02 2013-12-04 株式会社村田製作所 複合基板の製造方法
JP5637136B2 (ja) * 2009-07-07 2014-12-10 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
EP2490333B1 (en) * 2009-10-13 2019-09-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
EP2506431A4 (en) 2009-11-26 2014-02-26 Murata Manufacturing Co PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE PIEZOELECTRIC DEVICE
DE102010009453A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schallwandler zum Einsetzen in ein Ohr
JP5429200B2 (ja) 2010-05-17 2014-02-26 株式会社村田製作所 複合圧電基板の製造方法および圧電デバイス
JP5682201B2 (ja) * 2010-09-28 2015-03-11 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP5447682B2 (ja) * 2010-09-28 2014-03-19 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP5522263B2 (ja) 2010-09-28 2014-06-18 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
EP2658123B1 (en) 2010-12-24 2019-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same.
JP5842911B2 (ja) * 2011-03-14 2016-01-13 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JP5786393B2 (ja) * 2011-03-18 2015-09-30 株式会社村田製作所 水晶デバイスの製造方法
JP5796316B2 (ja) * 2011-03-22 2015-10-21 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP5811173B2 (ja) 2011-03-22 2015-11-11 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
WO2013018604A1 (ja) 2011-07-29 2013-02-07 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
EP2830216A4 (en) 2012-03-23 2016-04-27 Murata Manufacturing Co ELASTIC WAVING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2013146374A1 (ja) 2012-03-26 2013-10-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5817928B2 (ja) * 2012-05-15 2015-11-18 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2014035530A2 (en) * 2012-06-15 2014-03-06 Gong Songbin Microelectronic structures with suspended lithium-based thin films
US10381998B2 (en) 2015-07-28 2019-08-13 Qorvo Us, Inc. Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same
US10128814B2 (en) 2016-01-28 2018-11-13 Qorvo Us, Inc. Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
US10084427B2 (en) 2016-01-28 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
JP6563360B2 (ja) * 2016-04-05 2019-08-21 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
CN106209003B (zh) * 2016-07-06 2019-03-22 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法
KR20180038369A (ko) * 2016-10-06 2018-04-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 복합 기판의 제조 방법
US11095266B2 (en) 2016-10-07 2021-08-17 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
US10848121B2 (en) 2016-10-14 2020-11-24 Qorvo Us, Inc. Guided SAW device
US10924085B2 (en) 2016-10-17 2021-02-16 Qorvo Us, Inc. Guided acoustic wave device
US10483248B2 (en) * 2017-03-23 2019-11-19 Skyworks Solutions, Inc. Wafer level chip scale filter packaging using semiconductor wafers with through wafer vias
TWI780103B (zh) * 2017-05-02 2022-10-11 日商日本碍子股份有限公司 彈性波元件及其製造方法
JP2019029941A (ja) 2017-08-02 2019-02-21 株式会社ディスコ 弾性波デバイス用基板の製造方法
US11206007B2 (en) 2017-10-23 2021-12-21 Qorvo Us, Inc. Quartz orientation for guided SAW devices
WO2019142483A1 (ja) * 2018-01-22 2019-07-25 日本碍子株式会社 圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法
JP2019145895A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
FR3079346B1 (fr) * 2018-03-26 2020-05-29 Soitec Procede de fabrication d'un substrat donneur pour le transfert d'une couche piezoelectrique, et procede de transfert d'une telle couche piezoelectrique
FR3079668B1 (fr) 2018-03-29 2020-03-27 Frec'n'sys Dispositif d'onde acoustique de surface sur substrat composite
DE102019204755A1 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Akustikwellenvorrichtung mit mehrschichtigem piezoelektrischem substrat
US20220029608A1 (en) * 2018-06-15 2022-01-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
KR102402925B1 (ko) 2019-11-29 2022-05-30 엔지케이 인슐레이터 엘티디 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체
WO2021246446A1 (ja) * 2020-06-03 2021-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021246447A1 (ja) * 2020-06-04 2021-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022131076A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8801765A (nl) * 1988-07-12 1990-02-01 Stichting Tech Wetenschapp Akoestische-oppervlaktegolfinrichting in meerlaagse structuur met reductie van elektromagnetische overspraak.
DE69232277T2 (de) * 1991-09-12 2002-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elektroakustische hybride integrierte Schaltung und Methode zu deren Herstellung
US5453652A (en) * 1992-12-17 1995-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same
US5446330A (en) * 1993-03-15 1995-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device having a lamination structure
EP0622897B1 (en) * 1993-04-28 2001-03-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
EP0647022A3 (en) * 1993-10-05 1996-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface-semiconductor acoustic wave composite device.
DE69836719T2 (de) * 1997-05-08 2007-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Elastische oberflächenwellenvorrichtung und verfahren zu deren herstellung
US6236141B1 (en) * 1998-12-14 2001-05-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724015B1 (ko) * 2003-12-19 2007-05-31 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 표면파 필터

Also Published As

Publication number Publication date
DE69923667D1 (de) 2005-03-17
WO2000041299A1 (fr) 2000-07-13
DE69923667T2 (de) 2006-04-06
JP2002534886A (ja) 2002-10-15
EP1060562B1 (fr) 2005-02-09
EP1060562A1 (fr) 2000-12-20
CN1294780A (zh) 2001-05-09
CN1129230C (zh) 2003-11-26
HK1036699A1 (en) 2002-01-11
US6445265B1 (en) 2002-09-03
FR2788176B1 (fr) 2001-05-25
CA2321905A1 (fr) 2000-07-13
FR2788176A1 (fr) 2000-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010083777A (ko) 지지 기판상에 분자 접합제로 접합되는 압전 재료의박층에서 안내되는 표면 음파 장치와, 그 제조 방법
JP4589306B2 (ja) 電気音響構成素子および製造方法
US9948275B2 (en) Piezoelectric vibration element, piezoelectric vibrator, piezoelectric oscillator, and electronic device
CN101151802B (zh) 弹性表面波装置及其制造方法
JP3953554B2 (ja) モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法
US8258895B2 (en) Electroacoustic component
US6046656A (en) Elastic boundary wave device and method of its manufacture
US7224101B2 (en) Elastic boundary wave device and method of manufacturing the same
US8283835B2 (en) Guided bulk acoustic wave device having reduced height and method for manufacturing
US5448126A (en) Surface acoustic wave-semiconductor composite device
US10270420B2 (en) Surface elastic wave device comprising a single-crystal piezoelectric film and a crystalline substrate with low visoelastic coefficients
US20020166218A1 (en) Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices
KR102410318B1 (ko) 표면 음향파 디바이스용 하이브리드 구조체
JP2022507325A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JP2022507318A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JP2022507223A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JP2022507219A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
US20050162048A1 (en) Interface acoustic wave device made of lithium tantalate
US3924312A (en) Method of manufacturing an electromechanical system having a high resonance frequency
US4450374A (en) Oxygen-plasma passivated and low scatter acoustic wave devices
JPH0964675A (ja) 密閉空洞上の圧電共振器および製造方法
JPH09107264A (ja) チャネル波局部閉じ込め型圧電振動子およびフィルタ
JP2022507306A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JP2022507221A (ja) バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JPH1084247A (ja) 弾性境界波デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid