KR20010047795A

KR20010047795A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20010047795A
Application number: KR1019990052171A
Authority: KR
Inventors: 정창오
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-11-23
Filing date: 1999-11-23
Publication date: 2001-06-15
Also published as: KR100646783B1

Abstract

기판 위에 ITO로 이루어진 화소 전극 및 게이트 패드와 게이트 버퍼층이 형성되어 있다. 게이트 버퍼층 위에는 게이트선과 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 그 위에 차례로 형성되어 있는 게이트 절연막, 반도체층, 저항성 접촉층에는 제1 내지 제4 접촉 구멍이 형성되어 있어 화소 전극이 드러나 있다. 저항성 접촉층 위에는 데이터선과 소스 전극, 제1 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 데이터 패드, 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되며 게이트선과 중첩되는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그 위에는 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍과 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍, 화소 전극을 드러내는 개구부를 갖는 보호막이 형성되어 있다. 보호막 위에는 배향막이 형성되어 있다. 이러한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 화소 전극, 게이트 버퍼층 및 게이트 패드, 게이트 배선을 한 번의 사진 공정으로 형성하고 보호막까지 형성하는데 모두 네 번의 사진 식각 공정으로 형성하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법{a thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof}

본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.

이러한 액정 표시 장치의 한 기판에는 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 게이트선 및 데이터선을 포함하는 배선, 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선 및 데이터선으로 전달하는 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되어 있다. 다른 한 기판에는 색 필터가 형성되어 있고, 이러한 색 필터 기판에는 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 함께 전기장을 형성하는 공통 전극이 형성되어 있다.

이러한 액정 표시 장치에서는 화면이 커질수록 배선이 길어지게 되고 배선을 통해 전달되는 신호의 지연이 발생한다. 이러한 신호의 지연이 발생하지 않도록 배선의 저항을 줄이는 것이 바람직한데, 이를 위해 종래에 주로 사용하던 알루미늄(Al)보다 저항이 작은 구리(Cu)를 사용하는 방법이 제시되었다.

그러나, 구리는 유리 기판과의 접착성(adhesion)이 불량하고 패터닝이 어려운 금속이다. 또한, 공정 중에 노출되었을 때 산화 및 부식이 심하다.

이를 해결하기 위해 구리를 단일층으로 형성하지 않고, 티타늄(Ti)/구리/티타늄 또는 ITO(indium tin oxide)/Cu의 구조와 같이 이중층 이상으로 형성하는 방법이 제시되었다.

종래 기술의 한 예로서, "Copper-Gate Process for High Information Content a-Si TFT-LCDs" (E.G. Colgan 등, AMLCD '96, pp. 29-32, 1996)와 "A Six-Mask TFT-LCD Process Using Copper-Gate Metallurgy" (P.M. Fryer 등, SID 96 DIGEST, pp. 333-336, 1996)에 여섯 번의 사진 식각 공정을 사용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 여기서는 ITO/Cu의 이중층으로 이루어진 구조를 제시하고 있는데, 첫 번째 및 두 번째 사진 식각 공정을 사용하여 ITO로 이루어진 화소 전극과 ITO/Cu 구조로 이루어진 게이트 배선을 형성하고, 세 번째 사진 식각 공정을 사용하여 식각 정지막을 형성하므로 보호막을 형성하기까지 사용되는 사진 식각 공정은 모두 여섯 번이다.

그러나, 이러한 제조 방법은 공정 수가 많은 문제점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 표시 장치용 기판을 만들 때 사용되는 마스크의 수를 줄이는 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,

도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,

도 3은 화소 전극의 형태가 다른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,

도 4a는 본 발명의 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,

도 4b 내지 도 4e는 도 4a에서 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 잘라 도시한 단면도를 그 공정 순서에 따라 도시한 것이고,

도 5a는 도 4a 다음 단계에서의 배치도이고,

도 5b는 도 5a에서 Ⅴb-Ⅴb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,

도 6a는 도 5a 다음 단계에서의 배치도이고,

도 6b는 도 6a에서 Ⅵb-Ⅵb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,

도 7a는 도 6a 다음 단계에서의 배치도이고,

도 7b는 도 7a에서 Ⅶb-Ⅶb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,

도 8은 보호막을 감광성 유기 절연막으로 형성하는 경우의 박막 트랜지스터 기판을 도시한 단면도이다.

이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 게이트선 및 게이트 전극을 화소 전극 및 게이트 패드와 함께 한 번의 사진 공정으로 형성한다.

본 발명에 따르면, 절연 기판 위에는 화소 전극 및 화소 전극과 분리되어 있는 게이트 패드, 게이트 패드와 연결되어 있는 게이트 버퍼층이 형성되어 있다. 게이트 버퍼층 위에는 다수의 게이트선과 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 화소 전극 및 게이트 패드, 게이트 배선은 게이트 절연막으로 덮여 있으며, 게이트 절연막 위에는 반도체층이 형성되어 있고, 반도체층 위에는 저항성 접촉층이 형성되어 있다. 게이트 절연막 및 반도체층, 저항성 접촉층에는 제1 내지 제4 접촉 구멍이 형성되어 화소 전극이 드러나 있다. 저항성 접촉층 위에는 다수의 데이터선, 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 제1 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드, 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되며 게이트선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선 및 반도체층 위에는 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍, 게이트 절연막 및 반도체층과 함께 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍과 화소 전극을 드러내는 개구부를 갖는 보호막이 형성되어 있다.

이후, 보호막 위에는 배향막이 더 형성될 수도 있다.

여기서, 게이트 절연막과 반도체층은 동일한 형태이며, 제1 내지 제4 접촉 구멍을 제외한 저항성 접촉층은 데이터 배선과 동일한 형태인 것이 바람직하다.

게이트 배선은 구리 또는 구리 합금, 은 합금으로 이루어질 수 있으며, 합금은 구리 또는 은을 기본으로 하고 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 이트륨(Y), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 알루미늄(Al), 인듐(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 네오디뮴(Nd) 중에 하나 이상의 원소를 포함할 수도 있다.

여기서, 보호막은 감광성 유기 절연막으로 형성될 수도 있다.

한편, 화소 전극 및 게이트 패드, 게이트 버퍼층은 ITO로 이루어지는 것이 바람직하다.

화소 전극은 모서리가 둥근 사각형이 수 개로 연결되어 있는 형태일 수도 있다.

본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판을 제조할 때, 먼저 절연 기판 위에 화소 전극 및 게이트 패드, 게이트 패드와 연결되어 있는 게이트 버퍼층을 형성한다. 게이트 버퍼층 위에는 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막, 반도체층, 저항성 접촉층을 차례로 증착하고 패터닝하여 화소 전극을 드러내는 제1 내지 제4 접촉 구멍을 형성한다. 저항성 접촉층 위에는 데이터선과 소스 전극, 제1 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 데이터 패드, 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되며 게이트선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선으로 가려지지 않은 저항성 접촉층을 제거한다. 이어, 보호막을 증착하고, 게이트 절연막 및 반도체층과 함께 패터닝하여 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍과 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍 및 화소 전극을 드러내는 개구부를 형성한다.

여기서, 보호막 위에는 배향막을 더 형성할 수 있으며, 배향막을 형성한 후 자외선을 조사하여 표면 처리할 수도 있다.

이때, 화소 전극, 게이트 버퍼층 및 게이트 패드, 게이트 배선은 한 번의 사진 공정으로 형성하는 것이 바람직하다.

화소 전극 및 게이트 버퍼층, 게이트 패드는 ITO로 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 보호막은 감광성 유기 절연막으로 형성할 수도 있다.

이러한 본 발명의 제조 방법에서는 화소 전극, 게이트 버퍼층 및 게이트 패드, 게이트 배선을 한 번의 사진 공정으로 형성하며, 보호막 패턴을 형성하기까지 모두 네 번 또는 다섯 번의 사진 식각 공정을 사용하므로 사용되는 마스크 수를 줄일 수 있다.

그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.

도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.

도 1 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 1, 도 2 및 도 3에서와 같이 유리, 석영 따위의 절연 기판(100) 위에 ITO와 같은 투명한 도전 물질로 이루어진 게이트 버퍼층(210) 및 이와 연결된 게이트 패드(270)와 화소 전극(220)이 형성되어 있다. 게이트 버퍼층(210) 위에는 게이트 버퍼층(210)과 동일한 형태의 게이트 배선(230, 240)이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 다수의 게이트선(230)과 게이트선(230)의 분지인 게이트 전극(240)을 포함하며, 게이트 패드(270)는 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(230)에 전달한다.

여기에서 화소 전극(220)은 도 1에 도시한 직사각형 이외에도 도 3에 도시한 바와 같이 모서리가 둥근 사각형이 수 개로 연결되어 있는 형태로 형성하기도 하는데, 이는 시야각을 개선하기 위한 것이다. 그러나, 이외에도 사각형 또는 톱니 모양 등과 같이 다양한 형태의 개구부 패턴을 화소 전극이나 상부 기판의 공통 전극(도시하지 않음)에 형성할 수도 있다.

여기서, 게이트 배선(230, 240)에 사용되는 금속으로는 구리 또는 구리 합금(Cu alloy), 은 합금(Ag alloy)이 가능하며, 합금은 구리 또는 은을 기본으로 하고 합금에 사용되는 원소로는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Al, In, Si, Ge, Sn, Sb, Nd이 가능하다. 또한, 이들의 3원소 합금도 가능하다.

화소 전극(220) 및 게이트 배선(230, 240), 게이트 패드(270)는 질화규소 또는 산화규소 따위로 이루어진 게이트 절연막(300)으로 덮여 있다.

게이트 절연막(300) 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체 패턴(410)이 형성되어 있으며, 반도체 패턴(410) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층 패턴(520, 530)이 형성되어 있다.

반도체 패턴(410) 및 저항성 접촉층 패턴(530)은 게이트 절연막(300)과 함께 화소 전극(220)을 드러내는 접촉 구멍(540, 550, 560, 570)을 가지고 있으며, 반도체 패턴(410)은 그 하부의 게이트 절연막(300)과 동일한 형태를 가진다.

저항성 접촉층 패턴(520, 530) 위에는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐 합금(MoW), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650)이 형성되어 있다.

데이터 배선은 게이트선(230)과 교차하여 세로 방향으로 뻗어 있는 다수의 데이터선(610)과 데이터선(610)의 분지인 소스 전극(620), 게이트 전극(240)을 중심으로 소스 전극(620)과 분리되어 있으며 접촉 구멍(540)을 통해 화소 전극(220)과 연결되는 드레인 전극(630), 데이터선(610)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(610)에 전달하는 데이터 패드(640)를 포함하며, 또한 접촉 구멍(550, 560, 570)을 통해 화소 전극(220)과 연결되며, 게이트 절연막(300)을 사이에 두고 게이트선(230)과 중첩되어 화소의 전하 보존 능력을 향상시키는 유지 축전기를 이루는 유지 축전기용 도전 패턴(650)을 포함한다.

저항성 접촉층 패턴(520, 530)은 그 하부의 반도체 패턴(410)과 그 상부의 데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 하며, 화소 전극(220)을 드러내는 접촉 구멍(540, 550, 560, 570) 부분을 제외하고는 데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650)의 형태와 동일하다.

데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650) 및 반도체 패턴(410) 위에는 질화규소 따위로 이루어진 보호막(700)이 형성되어 있다.

보호막(700)은 데이터 패드(640)를 드러내는 접촉 구멍(720)을 가지고 있을 뿐만 아니라, 게이트 절연막(300) 및 반도체 패턴(410)과 함께 게이트 패드(270)를 드러내는 접촉 구멍(710)과 화소 전극(220)을 드러내는 개구부(730)을 가지고 있다.

보호막(700) 위에는 배향막(800)이 형성되어 있다. 배향막(800)은 통상 러빙(rubbing) 방법으로 표면 처리되지만, 본 실시예와 같은 경우 개구부(730)의 경계가 게이트 절연막(300), 반도체 패턴(410), 보호막(700)의 삼층으로 되어 있어 단차가 크기 때문에 러빙 불량이 발생할 가능성이 있다. 따라서, 러빙 대신 자외선 등을 조사하는 광배향법을 사용하는 것이 좋다.

이와 같이 본 실시예에서는 구리 따위로 된 게이트 배선(230, 240)과 유리 따위로 된 기판(100) 사이에 ITO 따위로 이루어진 게이트 버퍼층(210)을 둠으로써 기판(100) 위에 구리층이 직접 형성되었을 때 접착이 되지 않는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 외부에 노출되는 게이트 패드(270)를 ITO로 형성하기 때문에 산화 및 부식 문제가 발생하지 않는다.

그러면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 4a 내지 도 7b, 앞서의 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.

먼저, 도 4a 내지 도 4e에서와 같이 절연 기판(100) 위에 ITO 따위로 이루어진 화소 전극(220)과 게이트 버퍼층(210), 이와 연결된 게이트 패드(270)를 형성한다. 이어, 게이트 버퍼층(210) 위에 구리 따위의 금속층을 증착한 후 패터닝하여 게이트 배선(230, 240)을 형성한다. 여기서, 화소 전극(220) 및 게이트 배선(230, 240), 게이트 패드(270)는 두 번의 사진 식각 공정을 사용하여 형성할 수도 있지만, 한 번의 사진 공정만으로 패터닝하여 형성할 수도 있다. 이에 대하여 도 4b 내지 도 4e를 참조하여 설명한다.

우선, 도 4b에서와 같이 ITO막(200)과 구리층(201) 위에 위치에 따라 두께를 달리하는 감광막 패턴(111, 113)을 형성한다. 이때 사용되는 마스크(93)는 위치에 따라 빛의 투과율이 다른 특성을 지니며, 빛이 전혀 투과될 수 없도록 크롬 따위의 불투명막(94)으로 이루어진 부분(A)과 빛이 전부 투과되는 부분(B), 슬릿(95) 또는 부분 투과막(도시하지 않음)이 형성되어 빛이 일부만 투과되는 부분(C)으로 이루어져 있다. 감광막 패턴(111, 113) 중에서 게이트 배선(230, 240)이 형성될 부분(A)에 위치한 감광막 패턴(111)은 화소 전극(220) 및 게이트 패드(270)가 형성될 부분(C)의 감광막 패턴(113)보다 두께를 두껍게 하며, 그 외의 부분(B)은 모두 제거한다.

이어, 도 4c에서와 같이 감광막 패턴(111, 113)을 마스크로 하여 ITO막(200)과 구리층(201)을 식각한다.

이어, 도 4d에서와 같이 감광막 패턴(113)을 건식 식각 따위로 제거하고 그 하부에 드러난 구리층(201)을 제거하여 화소 전극(220) 및 게이트 버퍼층(210), 게이트 배선(230, 240), 게이트 패드(270)을 형성한다.

이어, 도 4e에서와 같이 남은 감광막 패턴(111)을 제거한다.

그 다음, 도 5a 및 도 5b에서와 같이 게이트 절연막, 반도체층, 저항성 접촉층을 차례로 증착하고 패터닝하여 화소 전극(220)을 드러내는 접촉 구멍(540, 550, 560, 570)을 형성한다.

그 다음, 도 6a 및 도 6b에서와 같이 데이터 배선용 도전체층을 증착하고 패터닝하여 데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650)을 형성한다. 이어, 데이터 배선(610, 620, 630, 640, 650)으로 가려지지 않은 저항성 접촉층 패턴(510)을 제거하여 저항성 접촉층 패턴(520, 530)을 형성하고 반도체 패턴(410)을 드러낸다.

그 다음, 도 7a 및 도 7b에서와 같이 보호막(700)을 증착하고 반도체 패턴(410) 및 게이트 절연막(300)과 함께 패터닝하여 접촉 구멍(710, 720)과 개구부(730)를 형성한다.

이어, 앞서의 도 1 및 도 2에서와 같이 배향막(800)을 형성한다.

여기서, 보호막(700)은 도 8에서와 같이 감광성을 지닌 유기 절연막(photodefinable organic insulator)으로 형성할 수도 있으며, 이때는 보호막(700) 패터닝 시에 따로 감광막이 필요하지 않다. 보호막(700)이 형성된 후의 박막 트랜지스터 기판의 구조는 앞의 실시예와 동일하다.

이와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되는 마스크 수를 줄일 수 있다.

Claims

절연 기판,

상기 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극,

상기 기판 위에 상기 화소 전극과 분리되어 있는 게이트 패드,

상기 게이트 패드와 연결되어 있는 게이트 버퍼층,

상기 게이트 버퍼층 위에 형성되어 있으며 다수의 게이트선과 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,

상기 화소 전극 및 상기 게이트 패드, 상기 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막,

상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,

상기 반도체층 위에 형성되어 있는 저항성 접촉층,

상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층, 상기 저항성 접촉층에 형성되어 상기 화소 전극을 드러내는 제1 내지 제4 접촉 구멍,

상기 저항성 접촉층 위에 형성되어 있으며, 다수의 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 상기 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드, 상기 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 상기 화소 전극과 연결되며 상기 게이트선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선,

상기 데이터 배선 및 상기 반도체층 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층과 함께 상기 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍과 상기 화소 전극을 드러내는 개구부를 갖는 보호막을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 보호막 위에 형성되어 있는 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 게이트 절연막과 상기 반도체층은 동일한 형태이며, 상기 제1 내지 제4 접촉 구멍을 제외한 상기 저항성 접촉층은 상기 데이터 배선과 동일한 형태인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 게이트 배선은 구리 또는 구리 합금, 은 합금으로 이루어져 있으며, 상기 합금은 구리 또는 은을 기본으로 하고 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 이트륨(Y), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 알루미늄(Al), 인듐(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 네오디뮴(Nd) 중에 하나 이상의 원소를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 보호막은 감광성 유기 절연막인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 화소 전극 및 상기 게이트 패드, 상기 게이트 버퍼층은 ITO로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
제1항에서,

상기 화소 전극은 모서리가 둥근 사각형이 수 개로 연결되어 있는 형태인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
절연 기판 위에 화소 전극 및 게이트 패드, 상기 게이트 패드와 연결되어 있는 게이트 버퍼층을 형성하는 단계,

상기 게이트 버퍼층 위에 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,

게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 증착하는 단계,

상기 저항성 접촉층, 상기 반도체층 및 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 상기 화소 전극을 드러내는 제1 내지 제4 접촉 구멍을 형성하는 단계,

상기 저항성 접촉층 위에 데이터선과 상기 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극, 상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극, 상기 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드, 상기 제2 내지 제4 접촉 구멍을 통해 화소 전극과 연결되며 상기 게이트선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전 패턴을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,

상기 데이터 배선으로 가려지지 않은 상기 저항성 접촉층을 제거하는 단계,

보호막을 증착하는 단계,

상기 보호막을 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층과 함께 패터닝하여 상기 데이터 패드를 드러내는 제5 접촉 구멍과 상기 게이트 패드를 드러내는 제6 접촉 구멍 및 상기 화소 전극을 드러내는 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제8항에서,

상기 보호막 위에 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제9항에서,

상기 배향막에 자외선을 조사하여 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제8항에서,

상기 화소 전극, 상기 게이트 버퍼층 및 상기 게이트 패드, 상기 게이트 배선은 한 번의 사진 공정으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제8항에서,

상기 화소 전극 및 상기 게이트 버퍼층, 상기 게이트 패드는 ITO로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
제8항에서,

상기 보호막은 감광성 유기 절연막인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.