KR20010041266A - 리드 프레임 장치와 그 제조 방법 - Google Patents

리드 프레임 장치와 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010041266A
KR20010041266A KR1020007009360A KR20007009360A KR20010041266A KR 20010041266 A KR20010041266 A KR 20010041266A KR 1020007009360 A KR1020007009360 A KR 1020007009360A KR 20007009360 A KR20007009360 A KR 20007009360A KR 20010041266 A KR20010041266 A KR 20010041266A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die pad
lead frame
chip
frame device
die
Prior art date
Application number
KR1020007009360A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100730906B1 (ko
Inventor
바이플렌쿠르트
핀터슈테판
하아그프리터
Original Assignee
클라우스 포스, 게오르그 뮐러
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 클라우스 포스, 게오르그 뮐러, 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 클라우스 포스, 게오르그 뮐러
Publication of KR20010041266A publication Critical patent/KR20010041266A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100730906B1 publication Critical patent/KR100730906B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

본 발명은 제 1 재료로 구성되며 다이 패드 영역을 갖는 리드 프레임을 포함하는 리드 프레임 장치에 관한 것이다. 이 다이 패드 영역에는 칩(201; 202)이 부착된다. 또한 리드 프레임은 다이 패드 영역 주위에 배치되는 복수의 리드(20)를 가지며, 다이 패드(150; 150'; 150"; 150"'; 150"")는 제 2 재료로 구성된다. 상기 다이 패드는 칩(201; 202)을 수용하기 위하여 리드 프레임의 다이 패드 영역에 장착된다.

Description

리드 프레임 장치와 그 제조 방법{Lead frame device and method for producing the same}
일반적으로, 기존의 발명에서는 마이크로일렉트릭 및 마이크로미케닉 부품(IC, 칩, 센서 등)을 필요로 하며, 상기 마이크로 일렉트릭 및 마이크로미케닉 부품은 이 부품을 주위로부터 보호하기 위한 패킹을 실시하도록 먼저 칩과 다이의 형태로 제공된다. 이때, 본 발명은 외부 공급 라인과 칩의 접속 문제뿐만 아니라 이와 관련된 완전 패킹을 해결하고자 하는 것이다.
일반적인 방법은, 리드 프레임 스트립 상에 칩을 부착하는 단계와, 외부 리드들 사이를 접착하고 리드 프레임과 접착 패드, 혹은 칩의 접착 지점을 연결하는 단계와, 소성 재료를 변형하는 단계와, 이 변형된 부품을 분리하는 단계를 포함한다.
도 1에서 일반적인 리드 프레임 스트립을 단면도로 도시한다. 도 1에서, 도면부호 10은 일반적인 리드 프레임 스트립을, 도면부호 15는 다이 패드, 더 구체적으로 칩 부착면을, 도면부호 20은 공급된 복수의 외부 리드들 중 하나를, 도면부호 25는 다이 패드(25)를 제조하기 위한 타이바(tie bar)를 표시한다.
일반적으로 펀칭 혹은 에칭된 구리 밴드로 구성되며, 또한 상응하는 재료로도 구성되는 상기와 같은 리드 프레임 스트립(10) 상에서, 복수의 칩이 다이 패드(15) 상에 자동 장치에 의해서, 예를 들어 접착, 땜납 등을 통하여 동시에 조립, 접착, 패킹되며, 그리고 이후에 분리된다.
일반적으로, 제시된 발명에 기초한 문제점은 리드 프레임 재료의 상이한 열팽창 계수에 기초하여 부착 재료(예들 들어 접착제 또는 땜납)와 칩 재료에서 기계적인 인장이 발생될 수 있다는 것이다. 이러한 인장은 상술한 마이크로미케닉 압력 센서 - 반도체에 대해서 절대적인 결과를 갖는 데, 왜냐하면, 이 인장은 상응하는 측정시 외부 압력으로서 잘못 해석되기 때문이다.
본질적으로, 리드 프레임 스트립은 구리 대신에 열적으로 양호하게 조화되는 다른 재료, 예를 들어 FeNi42%로 구성될 수도 있다. 이 경우에, 상기 재료로 구성된 복잡한 리드 프레임 스트립은 또 다른 자동 조립의 문제점을 안고 있다. 이외에도, 상이한 열 관련 요구 사항을 갖는 상이한 칩들이 조립될 수 있다. 이 경우에, 상술한 해결책은 이러한 복수의 칩에 대해서 단지 하나의 최적 적응만을 부여할 수 있다.
본 발명은 리드 프레임 장치와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 인장 감지 마이크로미케닉 부품(tension sensitive micro mechanic part)을 위한 리드 프레임 장치에 관한 것이다.
본 발명은 임의의 마이크로미케닉 및 마이크로일렉트릭 부품에서 사용할 수 있지만, 본 발명과 본 발명의 해결 과제는 마이크로미케닉 압력 센서 - 반도체 칩에 관련하여 실리콘 기술에서 설명된다.
도 1은 본 발명에 기초한 문제점을 나타내기 위하여 일반적인 리드 프레임 스트립을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시할 뿐만 아니라 선 A-A'를 따라 절단하여 도시한 부분 확대도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시할 뿐만 아니라 선 A-A'를 따라 절단하여 도시한 부분 확대도.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드와, 제 3 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시할 뿐만 아니라 선 A-A'를 따라 절단하여 도시한 부분 확대도.
청구항 제 1 항의 특징을 갖는 본 발명에 따른 리드 프레임 장치와 청구항 제 8 항에 따른 상응하는 제조 방법은, 상이한 열 관련 요구 사항을 갖는 복수의 상이한 구조에 대해서 최적의 적응을 제공하는 장점을 갖는다. 또한 리드 프레임과 칩들의 상이한 열팽창을 통하여 발생된 인장이 감소된다. 이와 달리, 리드 프레임 스트립의 다른 자동 처리에 대해서 바람직한 재료 특성, 예를 들어 우수한 열전도성과 우수한 접착성(특히 리드의 접착성)이 유지된다. 다이 패드만이 재료에 따라서 보충 및 교환된다. 이로써 생산라인의 근본적인 변경은 필요없다.
본 발명에 기초한 개념은, 다이 패드 영역에서, 즉 다이 패드와 리드 프레임 스트립의 부착 영역에서, 제 1 재료로 구성된 다이 패드를 갖든지 갖지 않든지, 부착된 칩에 따라 조화된 다이 패드가 설치된다는 것이며, 더 구체적으로 고유의 칩 조립 단계와 유사하게 진행되는 추가의 작업 단계에서, 다이 패드가 직렬로 접속된다는 것이다. 그러므로, 상이한 열팽창 계수를 갖는 재료가 리드 프레임 스트립 내에 함께 구성된다. 다른 가치로서, 본 발명에서는 상이한 재료로 구성된 복수의 상이한 칩이 리드 프레임 상의 하우징 내에 설치될 수 있음을 생각할 수 있다.
각각의 종속항에서는 청구항 제 1 항에 주어진 리드 프레임 장치와 청구항 제 8 항에 주어진 방법의 다른 바람직한 구조와 개선이 주어진다.
바람직한 다른 구조에 따라서, 제 1 재료로서는 구리 또는 구리 합금 또는 구리 화합물이 사용되며, 제 2 재료로서는 칩의 재료에 대해 열적으로 조화하는 재료, 주로 FeNi42% 또는 코바르(kovar)가 사용된다. 여기서, 열적으로 조화한다는 것은 무엇보다도 열팽창 계수가 조화한다는 것을 의미한다. 그렇지만, 열전도성이나 열용량성도 같은 역할을 할 수 있다.
다른 바람직한 개선 구조에 따라서, 제 2 재료로 구성된 다이 패드는 제 1 재료로 구성된 타이바 상에 설치되며 리드 프레임의 부품을 이룬다. 이로써, 리드 프레임의 제조 공정시, 완전하게 제공되며 제 1 재료로 구성된 다이 패드가 펀칭 및 에칭된다.
다른 바람직한 개선 구조에 따라서, 제 2 재료로 구성된 다이 패드는 코킹, 접착, 납땜 또는 용접에 의해 리드 프레임 상에 설치된다. 이것은 주로 두 개의 금속의 결합 방법이다. 여기서는 그렇지만, 제 2 재료는 합성수지일 수도 있다.
다른 바람직한 개선 구조에 따라서, 추가의 다이 패드 영역이 제공되며, 이 다이 패드의 영역 안쪽에서 추가의 칩이 부착되고, 복수의 리드가 추가의 다이 패드 영역 주위에 배치된다; 그리고 추가의 칩을 수용하기 위하여 제 3 재료로 구성된 다이 패드가 추가의 다이 패드 영역에서 리드 프레임에 설치되며, 이때, 제 3 재료는 제 1 재료나 제 2 재료 중 어느 한쪽과 동일하며, 또는 이들 상이한 재료 중 하나로 이루어진다. 그리하여 다중 칩 모듈이 최적의 열 조화 상태로 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예들을 도면에 도시하며, 이하에서 상세하게 설명한다.
도면에서 동일한 도면부호는 동일하거나 동일한 기능을 수행하는 부품을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2에서, 도면부호 20은 구리로 구성된 리드를, 도면부호 125는 구리로 구성된 각각의 타이바를, 도면부호 150은 칩의 재료(여기서는 규소)와 열적으로 조화하는 재료인 FeNi42%로 구성된 다이 패드를 나타낸다. 구리로 구성된 리드 프레임은 중앙 다이 패드 영역을 가지며, 이 영역의 안쪽에 칩이 부착된다. 다이 패드 영역 주위에 배치된 복수의 리드 중에서, 도면의 명확함을 위하여 리드(20) 만을 표시한다. FeNi42%로 구성된 다이 패드(150)는 이 일례에서 코킹(calking)을 통하여 구리로 구성된 타이바(125) 상에 설치되어 리드 프레임의 부품을 이룬다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임으로 구성된 다이 패드를 개략적으로 도시할 뿐만 아니라 선 A-A'를 따라 절단하여 도시한 부분 확대도이다.
도 3에서, 도면부호 150'은 FeNi42%로 구성된 다이 패드를, 15'는 구리로 구성되며 리드 프레임의 부품을 이루는 다이 패드 프레임을 표시한다. 이 일례에서 다이 패드(150')는 이 다이 패드의 외주와 다이 패드 프레임(15')을 납땜하여 설치된다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시할 뿐만 아니라 선 A-A'를 따라 절단하여 도시한 부분 확대도이다.
도 4에서 도면부호 150"은 FeNi42%로 구성된 다이 패드(15")를 나타내고, 15"는 구리로 구성되며 리드 프레임의 부품을 이루는 다이 패드 프레임을 나타낸다. 이 일례에서 다이 패드(150")는 이 다이 패드의 외주와 다이 패드 프레임(15")을 평면 납땜하여 설치한다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예로서 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 제 2 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드와, 제 3 재료로 구성되며 상기 리드 프레임 상에 설치된 다이 패드를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5에서, 도면부호 150"'은 고온 전도성 재료 A, 예를 들어 은으로 구성된 제 1 다이 패드를 나타내고, 도면부호 150""은 열적으로 조화되는 재료 B, 예를 들어 FeNi42%로 구성되는 제 2 다이 패드를 나타낸다. 이들 양 다이 패드(150"', 150"")는 용접을 통하여 각 타이바(225, 225')에 설치된다. 이 타이바(225, 225')들은 구리로 구성되어 리드 프레임의 부품을 이룬다. 다이 패드(150"') 상에는 프로세서용 칩(200)이 설치되며 다이 패드(150"") 상에는 센서용 칩(201)이 설치된다. 도면부호 250은 복수개가 제공된 접속 라인들 중에서 하나를 표시한다.
구리로 구성된 다이 패드(150"')는 프로세서용 칩(200)으로부터 열을 양호하게 방출하며 다이 패드(150"")는 감응 센서용 칩(201)의 기계적인 인장을 감소시킨다.
이하에서, 도시한 리드 프레임 장치를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 방법에서는, 제 1 재료, 즉 구리로 구성된 리드 프레임 스트립과, 내부에 각각의 칩이 부착되고 이 칩에 상응하는 복수의 리드가 배치된 복수의 다이 패드 중에서 하나의 다이 패드만을 고려한다.
칩을 부착하기 전에, 소정의 다이 패드 영역에 다른 재료로 구성된 다이 패드를 부착하는 데, 이 다이 패드는, 소위 열적으로 유도된 기계적 인장에 대한 완충 부품으로서 역할한다.
이어서, 현존하는 제조 장치를 변형하지 않고도 널리 알려진 기술과 방식으로 칩을 부착, 접속 및 패킹한다. 그러므로, 열적으로 우수하게 조화하는 마이크로미케닉(micro mechanic) 또는 마이크로일렉트로닉(micro electronic) 부품을 이용할 수 있다.
비록 본 발명을 바람직한 실시예에 따라서만 설명하였지만, 여러 가지 방식이 가능함을 배제하는 것은 아니다.
특히, 재료는 상술한 재료만으로 국한되는 것이 아니라 각각의 요구에 따라 임의로 선택될 수 있다.
열적으로 조화되는 다이 패드에 특히 양호하게 적용되는 다른 재료로서는, 예를 들어 코바르를 들 수 있다.

Claims (10)

  1. 제 1 재료로 구성된 리드 프레임과, 내부에 각각의 칩(200, 201)이 부착된 하나 이상의 제 1 다이 패드 영역 및 제 2 다이 패드 영역과, 상기 다이 패드 영역의 주위에 배치된 복수의 리드(2)를 구비한 리드 프레임 장치에 있어서,
    제 1 마이크로미케닉 칩(201)을 설치하기 위하여, 제 2 재료로 구성되며 다이 패드 영역에서 리드 프레임 상에 설치되는 제 1 다이 패드(150; 150'; 150"; 150"'; 150"")에는 열적으로 조화되는 팽창 계수가 제공되며,
    내부에 평가 칩(200)이 부착된 추가의 다이 패드 영역이 제공되고,
    상기 평가 칩(200)을 수용하기 위하여, 제 3 재료로 구성된 다이 패드(150; 150'; 150"; 150"'; 150"")가 다른 다이 패드 영역에서 리드 프레임 상에 설치되며, 이때 상기 제 3 재료는 제 1 재료나 제 2 재료 중 어느 한쪽과 동일하거나, 이들 상이한 재료 중 하나인 리드 프레임 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 재료는 구리 또는 구리 합금 또는 구리 화합물이며, 상기 제 2 재료는 칩(201; 202)의 재료와 열적으로 조화하는 재료로서, 주로 FeNi42% 또는 코바르(kovar)인 리드 프레임 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 재료로 구성된 다이 패드(150")는 제 1 재료로 구성된 다이 패드 프레임(15") 상에 설치되어 리드 프레임의 부품을 이루는 리드 프레임 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 재료로 구성된 다이 패드(150')에서 이 다이 패드의 주위는 제 1 재료로 구성된 다이 패드 프레임(15')에 설치되며 리드 프레임의 부품을 이루는 리드 프레임 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 재료로 구성된 다이 패드(150)는 제 1 재료로 구성된 타이바(125)에 설치되며 리드 프레임의 부품을 이루는 리드 프레임 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 재료로 구성된 다이 패드(150; 150'; 150"'; 150"")는 코킹, 접착, 납땜 또는 용접을 통하여 리드 프레임에 설치되는 리드 프레임 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마이크로미케닉 칩(201)은 마이크로미케닉 압력 센서인 리드 프레임 장치.
  8. 리드 프레임 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서,
    제 1 재료로 구성된 리드 프레임 스트립(10)과 복수의 다이 패드 영역을 준비하며, 다이 패드의 안쪽에 각각의 칩(201; 202)을 부착하고 이 칩에 상응하게 복수의 리드(20)를 배치하는 단계와;
    상기 칩(201; 202)을 수용하도록 제 2 재료로 구성된 다이 패드(150; 150'; 150"; 150"'; 150"")들 중 하나 이상을 다이 패드 영역에 부착하는 단계를 포함하는 리드 프레임 장치 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 추가의 칩(201; 202)을 수용하도록 다이 패드 영역 내에 제 3 재료로 구성된 추가의 다이 패드(150; 150'; 150"; 150"'; 150"")가 부착되는 단계를 포함하는 리드 프레임 장치 제조 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 리드 프레임 장치 상에 조립되는 마이크로미케닉 또는 마이크로일렉트릭 부품.
KR1020007009360A 1998-02-27 1998-12-21 리드 프레임 장치와 그 제조 방법 KR100730906B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19808193.6 1998-02-27
DE19808193A DE19808193B4 (de) 1998-02-27 1998-02-27 Leadframevorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010041266A true KR20010041266A (ko) 2001-05-15
KR100730906B1 KR100730906B1 (ko) 2007-06-22

Family

ID=7859034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009360A KR100730906B1 (ko) 1998-02-27 1998-12-21 리드 프레임 장치와 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6528868B1 (ko)
JP (1) JP2002505523A (ko)
KR (1) KR100730906B1 (ko)
DE (1) DE19808193B4 (ko)
WO (1) WO1999044234A1 (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026710B2 (en) * 2000-01-21 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Molded package for micromechanical devices and method of fabrication
JP4611579B2 (ja) * 2001-07-30 2011-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードフレーム、半導体装置およびその樹脂封止法
CN100364088C (zh) * 2002-01-31 2008-01-23 迈克纳斯公司 可编程电子处理器件的装置
DE10205563B4 (de) * 2002-02-11 2009-06-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Gehäustes Halbleiterbauelement mit zwei Die-Paddles sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
JP2004022601A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN1961424B (zh) * 2004-05-28 2010-08-11 Nxp股份有限公司 具有两组芯片触点的芯片
JP4744320B2 (ja) * 2005-04-04 2011-08-10 パナソニック株式会社 リードフレーム
DE102006051199A1 (de) * 2006-10-30 2008-05-08 Robert Bosch Gmbh Elektrisches Bauelement mit äußerer Kontaktierung
DE102006060429B4 (de) * 2006-12-20 2013-08-22 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit Leadframe-Strukturen
TW200836315A (en) * 2007-02-16 2008-09-01 Richtek Techohnology Corp Electronic package structure and method thereof
DE102008041550A1 (de) 2008-08-26 2010-03-04 Robert Bosch Gmbh Im Diepadbereich strukuiertes Leadframe, dieses Leadframe umfassende mikrostruktuierte Bauteilanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
KR101073361B1 (ko) * 2009-05-06 2011-10-13 세미텍 주식회사 분리형 다이패드를 갖는 리드프레임
JP5611224B2 (ja) 2009-11-05 2014-10-22 ローム株式会社 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置
JP5953703B2 (ja) * 2011-10-31 2016-07-20 ソニー株式会社 リードフレームおよび半導体装置
JP6178555B2 (ja) 2012-09-07 2017-08-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US9349628B2 (en) * 2013-02-25 2016-05-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and an alignment plate for engaging a stiffener frame and a circuit board
US8981539B2 (en) * 2013-06-10 2015-03-17 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Packaged power semiconductor with interconnection of dies and metal clips on lead frame
US9196578B1 (en) * 2014-08-14 2015-11-24 Freescale Semiconductor, Inc. Common pin for multi-die semiconductor package
JP6345583B2 (ja) * 2014-12-03 2018-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9070392B1 (en) 2014-12-16 2015-06-30 Hutchinson Technology Incorporated Piezoelectric disk drive suspension motors having plated stiffeners
WO2017003782A1 (en) 2015-06-30 2017-01-05 Hutchinson Technology Incorporated Disk drive head suspension structures having improved gold-dielectric joint reliability

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3778887A (en) * 1970-12-23 1973-12-18 Hitachi Ltd Electronic devices and method for manufacturing the same
US3808673A (en) * 1971-03-17 1974-05-07 Monsanto Co Opto-isolator devices and method for the fabrication thereof
JPS5662345A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Hitachi Ltd Load frame and semiconductor device
JPS5961154A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS5972757A (ja) * 1982-10-20 1984-04-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62213270A (ja) * 1986-03-14 1987-09-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用リ−ドフレ−ム
US4994895A (en) * 1988-07-11 1991-02-19 Fujitsu Limited Hybrid integrated circuit package structure
US5049976A (en) * 1989-01-10 1991-09-17 National Semiconductor Corporation Stress reduction package and process
US5084753A (en) * 1989-01-23 1992-01-28 Analog Devices, Inc. Packaging for multiple chips on a single leadframe
JP2754675B2 (ja) * 1989-03-08 1998-05-20 三菱電機株式会社 半導体装置用リードフレーム、その製造方法および半導体装置
JPH0350758A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5202288A (en) * 1990-06-01 1993-04-13 Robert Bosch Gmbh Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink
DE4017697C2 (de) * 1990-06-01 2003-12-11 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
KR960003853B1 (ko) * 1990-09-10 1996-03-23 후지쓰 가부시끼가이샤 반도체 장치 및 그의 제조방법
JPH05206354A (ja) * 1992-01-24 1993-08-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2708320B2 (ja) * 1992-04-17 1998-02-04 三菱電機株式会社 マルチチップ型半導体装置及びその製造方法
US5598034A (en) * 1992-07-22 1997-01-28 Vlsi Packaging Corporation Plastic packaging of microelectronic circuit devices
US6072228A (en) * 1996-10-25 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Multi-part lead frame with dissimilar materials and method of manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999044234A1 (de) 1999-09-02
JP2002505523A (ja) 2002-02-19
DE19808193B4 (de) 2007-11-08
KR100730906B1 (ko) 2007-06-22
DE19808193A1 (de) 1999-09-02
US6528868B1 (en) 2003-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010041266A (ko) 리드 프레임 장치와 그 제조 방법
US5014113A (en) Multiple layer lead frame
US6482674B1 (en) Semiconductor package having metal foil die mounting plate
US7282786B2 (en) Semiconductor package and process for making the same
US5394751A (en) Method of producing semiconductor pressure sensor
JPH06132453A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US5796038A (en) Technique to produce cavity-up HBGA packages
US6849933B2 (en) Semiconductor mounting device and method of manufacturing the same
JP2015176907A (ja) 半導体装置
GB2317989A (en) Lead frames for semiconductor packages
US6078099A (en) Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body
US4278991A (en) IC Package with heat sink and minimal cross-sectional area
US6683370B1 (en) Semiconductor component and method of manufacturing same
US6177727B1 (en) Saddle bracket for solid state pressure gauge
JP2004336046A (ja) 特定用途向けヒートシンク素子
KR101811998B1 (ko) 커플링 장치, 커플링 장치를 구비한 어셈블리, 및 커플링 장치를 구비한 어셈블리의 제조 방법
JPH09210821A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP4716920B2 (ja) 半導体圧力センサ
KR960019675A (ko) 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100567045B1 (ko) 반도체 패키지
JP3042344B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPS6217382B2 (ko)
KR100641511B1 (ko) 고집적 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JPH02129952A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH02146751A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120608

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee