KR20010031890A - 마이크로파 에너지를 이용한 무정질 필름 어닐링 방법 - Google Patents

마이크로파 에너지를 이용한 무정질 필름 어닐링 방법 Download PDF

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KR20010031890A
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캄 에스. 로
퀀얀 상
로버트 맥코믹 로버트슨
타카코 타게하라
태경 원
성 선
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캄 에스. 로
노르만 엘. 터너
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Abstract

챔버(133)의 내부의 영역에 마이크로파를 제공하도록 배치된 마이크로파 발생기(173)를 포함하는 프로세싱 챔버내에서 기판상의 필름을 어닐링하기 위한 시스템과 방법에 관한 것이다. 마이크로파는 필름이 대부분 흡수성이지만 기판이 대부분 흡수성이 아니도록 하는 주파수를 가지다. 도파관(175)은 필름의 표면에 마이크로파를 분포시켜서 필름의 표면에 마이크로파의 거의 균일한 적량을 제공한다. 본 발명은 상기 프로세싱 챔버내의 기판상에 필름을 증착하는 단계를 포함한다. 증착 단계의 적어도 일부분 동안, 필름이 흡수 피크를 가지지만 기판이 실질적인 흡수 피크를 가지지 않도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생한다. 필름을 향해 상기 마이크로파를 안내한다.

Description

마이크로파 에너지를 이용한 무정질 필름 어닐링 방법{METHOD FOR ANNEALING AN AMORPHOUS FILM USING MICROWAVE ENERGY}
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)과 같은 플라즈마 도움 화학 반응은 활성 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD)용 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에서의 평면 디스플레이 산업 및 반도체 산업에서 필름 증착을 위해서 널리 사용되고 있다. PECVD에 따라서, 기판은 한 쌍의 평행판 전극을 구비한 진공 증착 챔버내에 놓여 있다. 전극중 하나, 예들 들면 하부 전극은 일반적으로 서셉터로서 언급된다. 전극중 다른 하나, 예들 들면 상부 전극은 가스 입구 매니폴드 또는 샤워 헤드로서 작용한다. 증착 동안, 반응 가스는 상부 전극을 통해서 챔버로 흐르고 고주파(RF) 전압은 전극사이에 가해져 반응가스내에 플라즈마를 생성한다. 플라즈마는 반응가스를 분해하여 기판의 표면상의 재료 층을 증착한다.
자주 증착되는 두 형태의 재료는 p-Si 및 a-Si이다. p-Si 및 a-Si 양자는 AMLCD내에서 사용되 것과 같은 TFT를 제조하는데 사용된다. 다른 적용분야로는 태양 전지 등을 포함한다. 통상적으로, p-Si는 약 600℃ 이상의 기판 온도에서 실란원(silane source)으로부터 증착된다. 기판 온도가 낮으면, 초기에 증착된 구조물은 a-Si이며; 즉 원자의 한정 배열을 가지지 않는다.
그러므로, 종종 a-Si를 증착하는 것이 기판 가열을 보다 약하게 요구하기 때문에 보다 쉽다. 그러나, a-Si로 만들어진 장치는 종종 p-Si로 만들어진 동일한 장치와 비교해서 성능면에서 보다 나쁘다. 예를 들면, 가장 중요한 장치 특성 중 하나가 되어지도록 일반적으로 받아들어지는 전기장 효과 이동성(field effect mobility)은 a-Si에 대한 것보다 p-Si에 대해서 10배정도로 보다 양호하다. 그러므로, a-Si 필름 대신에 p-Si 필름을 사용하면 평면 디스플레이와 같은 장치의 성능을 증가할 수 있다. 다행스럽게도 p-Si 필름은 a-Si 필름으로부터 a-Si 필름을 어닐링함으로써 얻을 수 있다.
그러나, 어닐링은 약간의 경우에 어려울 수 있다. 이에 대한 하나의 이유는 사용된 기판의 품질에 관련한 것이다. 평면 디스플레이의 상업적으로 존립할 수 있는 적용을 위해서, 예들 들어 사용된 유리 기판은 저가이어야 한다. 그러나, 저가의 유리 기판의 최대 프로세싱 및 증착 온도는 상당히 낮고, 예들 들어 400℃이하일 수 있다. 이들 온도에서는 a-Si만이 증착될 수 있다.
현재 어닐링 방법은 이런 기판에서 어려움을 만난다. 이들 기술은 기판과 동시에 필름을 가열하므로 상술한 이유의 문제점이 있다.
어닐링을 수행하는 종래의 방법은 여러 가지 방법중, 레이저 어닐링, 열적 어닐링 및 램프 어닐링을 포함한다. 이들의 방법은 확실한 본래의 결점을 가진다. 레이저 어닐링은 복잡한 스캐닝 레이저 형상을 필요로 한다. 열적 어닐링은 예들 들어 증착에 이미 필요한 가스원에 더해서 고온 가스의 원을 필요로 한다. 램프 어닐링은 온도 균일성을 보장하기 위해서 복잡한 다중-램프 시스템을 필요로 한다.
본 발명은 무정질 필름을 어닐링하기 위한 방법 및 장치, 특히 폴리실리콘 필름(p-Si)으로 변환될 수 있도록 무정질 실리콘 필름(a-Si)을 어닐링 하는데 사용될 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 마이크로파 에너지를 사용해서 어닐링을 위한 가열을 수행한다.
도 1은 마이크로파 어닐링 시스템을 사용하는 PECVD 프로세싱 챔버의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 필름의 어닐링내에 사용된 마이크로 발생기와 도파관을 사용하는 챔버의 개략도.
한 양태에서, 본 발명은 챔버의 내부내의 영역에 마이크로파를 제공하도록 배치된 마이크로파 발생기를 포함하는, 프로세싱 챔버내의 기판상의 필름을 어닐링하기 위한 시스템에 관한 것이다. 마이크로파는 필름이 대부분 흡수성이도록 하는 범위의 주파수를 가지며, 그러나 이 범위내의 약간의 주파수에서 기판은 대부분 흡수성이 아니다. 도파관은 필름의 표면에 마이크로파를 분포시켜서 필름의 표면에 마이크로파의 거의 균일한 적량을 제공한다.
본 발명의 실행에서는 하나 이상의 다음 사항을 포함할 수 있다. 기판은 유리이고 필름은 무정질 실리콘일 수 있다. 마이크로파 주파수는 약 2.45 GHz일 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 프로세싱 챔버내에서 필름을 어닐링하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 프로세싱 챔버내의 기판상에 필름을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 증착 단계의 적어도 일부분 동안, 마이크로파를 예정된 주파수를 가지고 발생한다. 필름은 예정된 주파수에서 또는 근방에서 흡수 피크를 가지지만 기판은 예정된 주파수에서 또는 근방에서 실질적인 흡수 피크를 가지지 않는다. 마이크로파를 필름을 향해 안내한다.
본 발명의 실행에서는 하나 이상의 다음 사항을 포함할 수 있다. 증착 단계는 프로세싱 챔버내에 실란 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 열화학 프로세싱 챔버내에서 실리콘의 무정질 필름을 어닐링하여 폴리실리콘 필름을 형성하는 방법에 관한 것이다. 무정질 실리콘 필름을 프로세싱 챔버내의 유리 기판상에 증착한다. 주파수 또는 근방의 주파수에서 무정질 실리콘 필름이 대부분 흡수성이지만, 유리가 대부분 흡수성이 아니도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생한다. 무정질 실리콘 필름을 폴리실리콘 필름으로 변환되도록, 도파관을 무정질 실리콘 필름의 표면에 안내한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 상술한 방법과 유사한 방법에 관한 것이다. 추가의 단계는 마이크로파를 사용해서 예정된 시간동안 필름을 가열하는 단계를 포함한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 프레세싱 챔버내의 필름을 어닐링하는 방법에 관한 것이다. 이 방법에서, 필름을 프로세싱 챔버내의 기판상에 제공하고, 가스를 프로세싱 챔버내에 제공한다. 마이크로파가 가스의 적어도 일부분을 플라즈마로 유도하도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생한다. 마이크로파 유도된 플라즈마는 필름으로의 대부분 열적 에너지 이동을 가진다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 프로세싱 챔버내의 필름을 증착 및 어닐링하는 방법에 관한 것이다. 기판을 프로세싱 챔버내에 제공한다. 가스를 프로세싱 챔버로 흐려보낸다. 마이크로파의 일부분이 가스의 일부분을 플라즈마로 유도하도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생한다. 필름을 플라즈마로부터 기판상에 증착한다. 마이크로파를 필름의 표면에 안내하며, 마이크로파는 필름이 주파수에 또는 근방의 주파수에 대부분 흡수성이지만 기판이 대부분 흡수성이 아니도록 하는 주파수를 가진다.
본 발명의 장점은 아래 사항을 포함한다. 본 발명은 예들 들어, 레이저 어닐링, 열적 어닐링 또는 램프 어닐링 시스템의 복잡성 없이, a-Si 필름을 p-Si 필름으로 변환을 a-Si 필름의 어닐링으로 달성한다. 본 발명은 또한 어닐링 동안 기판을 가열하지 하지 않고, 그 대신에 증착된 필름만을 가열함으로써 보다 높은 품질의 어닐닝을 달성한다. 이 방법으로, 필요하다면 보다 품질이 떨어진 기판은 수용될 수 있다. 최종적으로, 본 발명의 시스템은 대형 또는 소형 기판에 쉽게 크기 맞추어질 수 있다.
본 발명의 다른 특징과 장점은 첨부의 도면 및 청구범위를 포함하는 아래의 설명으로부터 분명해 질 것이다.
본 발명은 증착 필름을 어닐링하기 위한 방법에 관한 것이다. 상술한 실시에서, 본 발명은 PECVD 챔버내에 사용된다. 이런 챔버의 적절한 상세한 설명은 아래에 기술되어 있다. 상세한 설명의 약간은 본 실시의 특정예이며 프로세싱 조건 및 매개변수에 의한 요구에 따라서 변경될 수 있다.
도 1을 참조하면, PECVD 장치(130)는 스템(137)상에 장착된 기판 지지판(20)을 가진 서셉터(135)를 포함한다. 서셉터는 진공 증착 프로세스 챔버(133)내에 중심 맞추어져 있다. 지지판(20)의 표면(23)은 기판 프로세싱 또는 반응 영역(141)내의 유리 패널(도시 생략)과 같은 기판을 지지한다. 기판은 로봇 블레이드(도시 생략)에 의해 챔버(133)의 측벽(134)내의 개구(142)를 통해서 챔버(133)에 전달된다.
프로세스 가스(화살표 123으로 도시함)는 입구 매니폴드(126)를 통해서 챔버(133)로 흐른다. 그 다음 가스는 프로세스 가스 분포 페이스판(122)내의 홀(121)들과 하나의 천공 블록커 판(124)을 통해서 흐른다. 도 1의 기판 프로세싱 영역(141)내의 작은 화살표는 가스 흐름을 나타낸다.
RF 전원(도시 생략)은 프로세스 가스 혼합물을 여기하여 플라즈마를 형성하도록 가스 분포 페이스판(122)과 서셉터(135)사이에 전력을 가하는데 사용될 수 있다. 동시에, 기판은 진공 증착 프로세스 챔버내에 지지되고 몇 백도로 가열될 수 있다. 플라즈마의 성분은 지지판(20)상의 기판의 표면상에 소망의 필름을 증착하기 위해서 반응한다.
여기에 설명한 프로세싱 단계는 실리콘의 증착이다. 실리콘은 실란(SiH4)의 분해를 사용해서 증착될 수 있다.
SiH4------〉 Si + 2H2
제 1실시예에서, 사전 증착 어닐링은 마이크로파 에너지를 사용해서 필름을 추가로 결정화함으로써 필름 균일성을 증가한다.
마이크로파 발생기(173)는 a-Si 필름의 표면을 향해서 안내되는 마이크로파를 형성한다. 마이크로파는 사파이어 윈도우(137)를 통해서 도파관(175)을 통해서 안내되므로 필름 표면적의 각 부분은 마이크로파의 거의 동일한 ″적량(dosage)″를 수용한다.
마이크로파 발생기(173)는 ″오프-더 셀프(off-the shelf)″ 마이크로파 발생기일 수 있다. 변경적으로, 이런 발생기는 상술한 특성을 얻기 위해서 변경될 수 있다.
필름의 전체에 거쳐서 균일한 마이크로파 조사를 보장하도록 예상외의 넓은 빔을 가진 마이크로파 발생기도 사용될 수 있다. 예들 들어, 마이크로파 빔 소오스는 개발되어 평방 1미터의 영역 또는 그 이상을 가진 빔을 생성할 수 있다. 대형 영역 평면 마이크로파 분포를 발생하는 한 방법은 C.M. Ferreira 및 M. Moisan에 의해 제시된, ″Large Area Planar Microwave Plasmas″, Microwave Discharges: Fundamentals and Applications, 페이지 205-213(Plenum Press, N.Y. 1993)에 기술되어 있으며, 이는 여기서 참고로 사용된다.
마이크로파 에너지는 이 기술분야에서 알려진 바와 같이 마이크로파 도파관(175)의 적절한 설계에 의해서 안내될 수 있다. 변경적으로, 다수의 도파관은 균일한 적량을 얻기 위해서 사용될 수 있다. 단지 하나의 마이크로파 도파관이 사용되면, 스캐닝 또는 디스퍼싱 시스템은 기판의 크기에 거쳐서 균일한 방법으로 마이크로파를 분포하는데 사용될 수 있다.
마이크로파 발생기에 의해 방출된 마이크로파 주파수의 범위는 필름, 예들 들어 a-Si가 강 흡수성이도록 선택된다. 선택된 마이크로파 주파수의 범위는 또한 기판이 강 흡수성이 아니도록 선택될 수 있다. 예들 들어 2.45GHz의 주파수가 사용될 수 있다.
도파관(175)으로부터 나온 마이크로파는 사파이어 윈도우(137)를 통해서 프로세싱 영역(141)으로 들어갈 수 있다. 마이크로파는 기판(165)의 필름상에 입사된다.
기판(165)은 기판 지지판(20)(도 1 참조) 또는 변경적으로 유리 지지체(171)상에 놓여질 수 있다.
상술한 어닐링은 필름을 가열하지만 유리 기판을 휠씬 적게 가열한다. 필름은 가열되고 재결정화되어 고품질의 p-Si 필름을 형성한다. 기판 유리가 실질적으로 가열되지 않기 때문에, 기판으로부터의 필름의 버블링 및 필링(bubbling and peeling)은 대부분 제거된다.
제 2실시예에서, 도 2에 의해 설명될 수 있으며, 마이크로파 에너지는 필름에 에너지를 반드시 직접 전달하지 않는다. 그 보다는 마이크로파 에너지를 필름에 열적 에너지를 효율적으로 전달할 수 있는 플라즈마를 발생하는데 사용함으로써, 필름을 가열한다. 이 실시예에서, 마이크로파의 주파수 및 에너지는 받드시 필름내의 큰 흡수 밴드에 알맞게 선택되지 않는다. 그 결과로, ″마이크로파 도움″ 플라즈마는 필름으로의 에너지 전달 성능을 위해서 선택된다. 특히, 플라즈마는 필름으로 에너지를 전달하는데 높은 효율이 있어야 하며, 그로 인해 필름의 온도 상승을 야기한다. 다시 말하면, 플라즈마는 필름을 가열한다. 이 실시예에서 일반적으로 플라즈마로부터 증착은 일어나지 않는다.
이 실시예의 장점은 이들 소위 ″마이크로파 도움″ 플라즈마는 필름에 보다 적은 이온 유도 손상(ion-induced damage)을 야기한다는 것이다. 이 손상을 감소하는 한 이유는 발생된 이온이 보다 전형적인 RF플라즈마에 의해 발생된 이온보다 적은 에너지를 가지기 때문이다.
이 실시예의 추가의 장점은 사용된 가스가 수소인 경우에 생긴다. 수소 플라즈마를 사용하면 어닐링된 p-Si 필름의 유익하고 바람직한 ″보호막(passivation)″ 효과를 야기할 수 있다. 이런 보호막 효과는 필름 표면을 손상 또는 오염으로부터 보다 덜 민감하게 만들 수 있다. 질소 또는 암모니아를 포함하는 다른 가스들도 사용될 수 있으나, 일반적으로 무정질 실리콘에 불활성인 가스라면 어느 가스라도 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 가스는 입구 포트(177)를 통해서 주입될 수 있으며, 배기 포트(180)를 통해서 배출될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2실시예에서, 필름은 두 위치 또는 챔버중 어느 것에서도 어닐링될 수 있다. 먼저, 필름은 필름이 형성되어진 동일한 증착 챔버내에서 어닐링될 수 있다. 이런 어닐링은 도 1의 실시예에 의해 설명될 수 있다. 다음으로, 필름은 개별 마이크로파 어닐링 챔버내에서 어닐링 될 수 있다. 이 어닐링은 도 2의 실시예에 의해 설명될 수 있다.
제 3실시예에서, 마이크로파 에너지는 두 기능을 수행한다. 증착 가스의 플라즈마를 발생하며, 이 경우에 실란을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 마이크로파 발생기는 챔버 내측에 RF 전원과 한 세트의 전극을 취하고 있다. 그러므로, 이 실시예의 시스템은 도 1의 것과 유사하지만 RF발생기가 없다.
마이크로파는 또한 필름을 어닐링한다. 다시 말하면, 마이크로파 발생기는 필름 온도를 증가시키기 위해서 필름에 의해 흡수되어진 에너지를 방출하여, 어닐링시킨다.
그러므로, 이 실시예에서, a-Si필름은 기판의 표면상에 증착되고 거의 동시에 어닐링된다. 이런 이중 기능성은 마이크로파 발생기의 필요조건이다. 마이크로파의 주파수와 에너지는 플라즈마 발생 및 a-Si 가열 모두에 적합해야 한다.
예
예는 본 발명의 제 2실시예를 수행하는 한 방법을 설명한 것이다. 물론 이 예는 본 발명을 제한하는 것으로 해석되지 않고 단지 설명을 위한 것이다. 실험적 장치는 도 2의 장치와 대략 유사하다.
어닐링되어질 필름은 a-Si의 2000 옴스트롱이고 1.1 mm의 두께를 가진 코닝 1739로 만들어진 유리기판상에 증착되어 있다. 암모니아 가스는 약 3토르의 압력으로 챔버로 흐른다. 2.45GHz의 주파수와 3kW 전압을 가진 마이크로파는 가스를 플라즈마로 여기하는데 사용된다. 약 2초 후, 필름은 a-Si로부터 p-Si로 적절하게 어닐링된다. 일반적으로, 이 시간은 어닐링되어질 필름에 따라서, 1초 내지 몇 십초 또는 심지어 분으로 될 수 있다.
다른 필름에 대한 진행을 최적화하기 위해서, 누구나 가스 형태, 가스압, 마이크로파 전압 및 어닐링 시간을 변경할 수 있다. 물론, 필름이 증착되어진 유리 또는 다른 기판이 그렇게 많이 가열되지 않게 필름을 용해하는 것이 바람직하다. 상술한 어닐링에 짧은 시간이 주어지면, 상술한 조건을 맞출 수 있다. 예들 들어, 1450℃의 온도가 a-Si를 p-Si로 용융해서 어닐링하는데 요구된다. 이 온도에서, 유리는 용융되어진다(용융점은 유리의 형태에 따라서 400과 600℃사이에 있음). 유리보다도 필름의 가열을 우선적으로 하고, 본 발명을 실시하는 이들 실시예에 의해 성취된 짧은 시간을 취하면, 필름은 유리에 나쁜 영향을 주지 않고 효율적으로 어닐링될 수 있다.
상술한 3개의 실시예중 어느 것으로 어닐링을 실시한 후, 필름은 추가로 프로세싱될 수 있다. 이런 추가의 프로세싱은 TFT와 같은 장치의 제작에 필요할 수 있는 것과 같이, p-Si상에 다른 필름의 성장 또는 증착을 포함한다. 이런 프로세싱은 증착 또는 다른 프로세스내에 사용하기 위한 플라즈마의 회복과정을 포함할 수 있고, 이 플라즈마는 불활성가스 등으로 만들어질 수 있다.
본 발명의 방법이 실시될 수 있는 챔버는 다음 특성을 포함한다. 챔버는 기판의 가열 및/또는 예열을 허용해야 한다. 예열은 필요한 마이크로파 에너지의 량을 감소하기 위해서 사용될 수 있다. 챔버는 어닐링 공정이 공기, 진공 또는 예정된 압력을 유지하도록 예정된 가스 분위기를 포함하는 다양한 분위기내에서 실행될 수 있게 허용해야 한다.
본 발명은 예를 들어, 미국 캘리포니아 산타 클라라소재의 어플라이드 고마쯔 테크노로지에 의해 제조된 모델 AKT-3500 PECVD System으로 실시될 수 있다. AKT-3500 PECVD System은 대형 액정 평면 디스플레이용 기판의 생산에서 사용하기 위해 설계되어 있다. 이것은 다중 프로세스 챔버를 가진 모듈 시스템이고, 무정질 실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 산화질화물 필름 및 다른 유사한 필름을 증착하기 위해서 사용될 수 있다. 이 시스템에 대한 보다 상세한 설명은 본 발명의 출원인에 양도된 1996년 9월 16일자 출원한 발명의 명칭이 ″A Deposition Chamber Cleaning Technique Using a High Power Remote Excitation Source″인 미국특허 출원 제 08/707,491 호에서 찾을 수 있으며, 이것은 여기서 참고로 사용되고 있다.
상세한 설명은 유리 기판을 사용하는 실시예를 설명하였다. 용어 ″기판″은 평면 디스플레이, 유리 또는 세라믹판 또는 디스크를 포함하는 프로세스 챔버내에서 처리되어지는 어떠한 대상도 폭넓게 커버하고 있다. 본 발명은 특히 360 ×450mm, 550 ×650mm 또는 이상의 치수를 가진 유리판과 같은 대형 기판에 적용가능하다.
본 발명은 특정 실시예를 참고로 설명되어 있을지라도, 본 발명의 범위는 첨부의 청구범위에 의해 한정된다.

Claims (12)

  1. 프로세싱 챔버내의 기판상의 필름을 어닐링하기 위한 시스템에 있어서,
    상기 챔버 내부의 영역에 마이크로파를 제공하도록 배치된 마이크로파 발생기와,
    상기 필름의 표면에 마이크로파를 분포시켜서 상기 필름의 표면에 마이크로파의 거의 균일한 적량을 제공하는 도파관을 포함하며,
    상기 마이크로파는 상기 필름이 대부분 흡수성이지만, 기판이 대부분 흡수성이 아니도록 하는 범위의 주파수를 가지는 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 주파수는 약 2.45 GHz인 시스템.
  3. 프로세싱 챔버내에서 필름을 어닐링하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 프로세싱 챔버내의 기판상에 필름을 증착하는 단계와,
    (b) 상기 증착 단계의 적어도 일부분 동안, 상기 필름이 흡수 피크를 가지지만 기판이 실질적인 흡수 피크를 가지지 않도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생하는 단계와,
    (c) 상기 필름을 향해 상기 마이크로파를 안내하는 단계를 포함하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 필름을 증착하는 단계는 프로세싱 챔버내의 실란 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 필름은 무정질 실리콘이고 상기 기판은 유리인 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 주파수는 약 2.45 GHz인 방법.
  7. 열화학 프로세싱 챔버내에서 실리콘의 무정질 필름을 어닐링하여 폴리실리콘 필름을 형성하는 방법에 있어서,
    (1) 무정질 실리콘 필름을 상기 프로세싱 챔버내의 유리 기판상에 증착하는 단계와,
    (2) 상기 무정질 실리콘 필름이 대부분 흡수성이지만, 유리가 대부분 흡수성이 아니도록 주파수를 가진 마이크로파를 발생하는 단계와,
    (3) 상기 무정질 실리콘 필름을 폴리실리콘 필름으로 변환되도록 상기 무정질 실리콘 필름의 표면에 상기 마이크로파를 안내하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 프로세싱 챔버내에서 필름을 어닐링하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 프로세싱 챔버내의 기판상에 필름을 제공하는 단계와,
    (b) 상기 필름이 대부분 흡수성이지만 기판이 대부분 흡수성이 아니도록 하는 주파수로 마이크로파를 발생하는 단계와,
    (c) 상기 필름의 표면에 상기 마이크로파를 안내하는 단계와,
    (d) 상기 필름을 예정 시간 동안 가열하는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 필름은 무정질 실리콘이고 상기 기판은 유리인 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 주파수는 약 2.45 GHz인 방법.
  11. 프로세싱 챔버내에서 필름을 어닐링하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 프로세싱 챔버내의 기판상에 필름을 제공하는 단계와,
    (b) 상기 프로세싱 챔버내에 가스를 제공하는 단계와,
    (c) 상기 가스의 적어도 일부분을 플라즈마로 유도하고, 마이크로파 유도된 플라즈마가 필름으로의 대부분 열적 에너지 이동을 가지도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 프로세싱 챔버내에서 필름을 증착 및 어닐링하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 프로세싱 챔버내에 기판을 제공하는 단계와,
    (b) 상기 프로세싱 챔버내에 가스를 제공하는 단계와,
    (b) 일부분이 상기 가스의 적어도 일부분을 플라즈마로 유도하도록 하는 주파수를 가진 마이크로파를 발생하는 단계와,
    (d) 상기 플라즈마로부터 기판상의 필름을 증착하는 단계와,
    (e) 상기 필름의 표면에 마이크로파를 안내하는 단계를 포함하며,
    상기 마이크로파는 상기 필름이 대부분 흡수성이지만 기판이 대부분 흡수성이 아니도록 하는 주파수를 가지는 방법.
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