KR20010024522A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 방전 시간을 규정하는 격벽이 격벽 재료의 용사에 의해서 형성된 용사막으로부터 구성되어 있다. 이와같은 격벽의 형성 공정은 기판위에 감광성 피복층을 형성하는 공정과, 상기 감광성 피복층에 소정 패턴의 개구부를 형성하는 공정과, 적어도 상기 개구부의 내부에 용사법에 의해서 상기 격벽 재료를 소정의 높이까지 퇴적시켜, 상기 용사막을 형성하는 공정과, 상기 감광성 피복층의 표면보다도 돌출하고 있는 상기 용사막의 부분을 연마함으로써 절취하는 연마공정과, 상기 광감성 피복층을 제거하여 소정의 형성의 상기 격벽을 얻는 공정을 포함한다.
Description
최근, 박형에 적합한 디스플레이 장치로서 주목받고 있는 플라즈마 디스플레이 패널은 예를 들면 도 1에 도시하는 구성을 갖는다. 이 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향하여 배치된 전면(前面) 기판(300)과 배면 기판(301)을 구비하고 있다. 전면 기판(300) 상에는 표시 전극(302 및 303), 유전체층(304) 및 MgO 유전체 보호층(305)이 순서대로 형성되어 있다. 또, 배면 기판(301) 상에는 어드레스 전극(306) 및 유도체층(307)이 형성되어 있으며, 그 위에는 부가로 격벽(308)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(308)의 측면에는 형광체층(309)이 도포되어 있다.
전면 기판(300)과 배면 기판(301) 사이에는 방전 가스(310)(예를 들면 Ne-Xe의 혼합 가스)가 500Torr 내지 600Torr의 압력으로 봉입되어 있다. 이 방전 가스(310)를 표시 전극(302 및 303) 사이에서 방전시켜 자외선을 발생시키고, 그 자외선을 형광체층(309)에 조사함으로써, 컬러 표시를 포함하는 화상 표시가 가능해진다.
격벽(308)은 개개의 화소 색(G, B, R)마다 미소한 방전 공간을 형성하여 방전 셀을 형성하기 위한 칸막이로, 이 격벽(308)에 의해 방전을 각 셀마다 제어하는 것을 가능하게 하여 오방전이나 오표시를 막을 수 있다. 격벽(308) 사이즈는 전형적으로는 40인치의 NTSC 패널에 있어서, 격벽 피치가 한 색당 360μm, 격벽 정상부 폭이 50μm 내지 100μm 및 격벽 높이가 100μm 내지 150μm이다.
종래의 격벽 형성 방법으로서는, (l) 스크린 인쇄 기술을 사용하여 격벽을 형성하는 인쇄법, (2) 격벽 재료를 배면 기판의 모든 면에 도포 후에 감광성 필름층을 도포된 격벽 재료 상에 형성하고, 사진법에 의해 소정 패턴을 형성한 후에, 샌드 블래스트에 의해 격벽 재료의 불필요 부분을 제거하고 감광층 필름층을 박리하여, 격벽을 형성하는 샌드 블래스트법, (3) 감광성 페이스트를 도포 후에, 사진법에 의해 불필요 부분을 제거하여 격벽을 형성하는 포토 페이스트법 혹은 (4) 기판에 감광성 필름을 형성한 후에 사진법에 의해 소정 패턴을 형성하고, 더욱이 패턴의 홈 부분에 페이스트 매입하고나서 감광성 필름을 박리하며, 그 후에 페이스트를 소성 공정에서 태워서 단단하게 하는 포토 매입법(혹은 리프트 오프법) 등을 들 수 있다.
그러나, 이들 종래의 격벽 형성 방법은 각각 이하와 같은 문제점을 갖고 있다.
인쇄법에서는 1회의 인쇄 공정으로 형성할 수 있는 격벽의 높이가 10μm 정도이기 때문에, 100μm 정도 높이의 격벽을 형성하기 위해서는, 인쇄 공정 및 건조 공정을 반복할 필요가 있다. 이것은 공정수가 많아짐과 동시에 코스트 업의 원인이 된다. 또, 스크린이 대형화할수록 스크린판의 비선형 압축이 현저해져, 형성한 격벽의 위치 어긋남이나 막 두께 혹은 형상의 격차가 커진다.
샌드 블래스트법은 제거할 재료 량이 많은 것이나, 절삭량의 제어가 어려워 기판이나 전극에 데미지를 주기 쉽다는 문제점을 갖고 있다. 감광성 페이스트법에서는, 페이스트 재료의 코스트가 높다. 포토 매입법은 고정밀하고 세밀한 플라즈마 디스플레이 패널의 실현이 가능하지만, 격벽 형성을 위해 소성 공정을 갖는 것이 저 코스트에서의 제조 실현을 방해하고 있다.
본 발명은 표시 디바이스 등에 사용하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 용사법에 의해 형성된 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법, 특히 용사법에 의한 격벽 형성 공정에 관한 것이다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 2는 플라즈마 용사 장치 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 있어서의 용사법을 사용한 격벽 형성 프로세스의 각 공정을 설명하는 단면도.
도 4a는 플라즈마 용사 토치의 이동 방향과 기판 상의 드라이 필름 레지스트(DFR)의 스트라이프 형상의 홈 패턴 방향과의 관계를 설명하는 도면.
도 4b는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서의 기판의 긴 변 방향과 DFR의 스트라이프 형상의 홈 패턴의 방향과의 관계를 설명하는 도면.
도 5는 DFR 표면에 용사 입자가 부착하고 있는 모양을 모식적으로 도시하는 도면.
도 6은 DFR 표면에 부착한 용사 입자를 제거하는 기구를 모식적으로 도시하는 도면.
도 7은 기판을 이면으로부터 가열 보온하는 기구를 모식적으로 도시하는 도면.
도 8은 격벽 재료의 분말 입자의 1차 입자 직경(D)의 일반적인 분포예를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명의 프로세스에서 실시되는 습식 연마 공정을 모식적으로 설명하는 도면.
도 10a 내지 도 10c는 용사에 따르는 DFR의 홈 형상의 변화를 보정하여 DFR의 박리 잔여 발생을 억제하는 프로세스를 모식적으로 설명하는 도면.
도 11은 DFR의 전형적인 홈 형상을 도시하는 단면도.
도 12는 DFR의 노광량과 DFR에 형성된 홈의 상부 폭(Wa) 및 하부 폭(Wb)과의 관계를 도시하는 도면.
도 13은 DFR의 노광량과 형성되는 격벽의 저각(θ)과의 관계를 도시하는 도면.
도 14는 형성되는 격벽의 저각(θ)과 격벽 완성도와의 관계를 도시하는 도면.
도 15는 다층 구조를 갖는 격벽 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 16a 내지 도 16d는 용사법에 의해 형성된 격벽의 결손을 수정하는 프로세스의 각 공정을 모식적으로 설명하는 도면.
도 17a 내지 도 17d는 어드레스 전극 및 하지 유전체막을 용사법에 의해 형성하는 프로세스의 각 공정을 모식적으로 설명하는 도면.
도 18은 본 발명에 따라서 형성된 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 연속 점등 시에 있어서의 방전 전압의 경시 변화를 도시하는 도면.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 과제를 극복하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은 (1) 용사법에 의해 저 코스트이고 고정밀도로 격벽을 형성하여, 고품위 표시를 가능하게 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것 및 (2) 저 코스트이고 고정밀도로 제조된 격벽을 갖고 있어 고품위 표시가 가능한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 방전 공간을 규정하는 격벽이 격벽 재료의 용사에 의해 형성된 용사막으로 구성되어 있어, 그로써 상기 목적이 달성된다.
어느 실시예에서는, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 한 쌍의 기판과 해당 한 쌍의 기판 사이에 배치된 전극, 유전체층 및 형광체층을 부가로 구비하고 있으며, 상기 격벽은 해당 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 있으며, 상기 방전 공간에는 가스 매체가 봉입되어 있어, 해당 가스 매체의 방전에 따라 발생된 자외선이 해당 형광체층의 조사 시에 가시광으로 변환되어, 이로써 발광한다.
상기 격벽은 그 저면부로부터 소정의 높이까지는 제 1 색의 격벽 재료로 형성되며, 해당 소정 높이로부터 정상부까지는 제 2 색의 격벽 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 색은 백색이고, 상기 제 2 색은 흑색이다. 제 1 색의 격벽 재료는 산화 알루미늄 혹은 스피넬일 수 있으며, 상기 제 2 색의 격벽 재료는 산화 크롬, 산화 티타늄 혹은 산화 알루미늄과 산화 티타늄과의 혼합물 혹은 용융물일 수 있다.
상기 용사는 플라즈마 용사일 수 있다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 방전 공간을 규정하는 격벽을 격벽 재료의 용사에 의해 형성된 용사막으로 구성하는 격벽 형성 공정을 포함하고 있으며, 그로써 상술한 목적이 달성된다.
어느 실시예에서는 상기 격벽 형성 공정은 기판 상에 감광성 피복층을 형성하는 공정과, 해당 감광성 피복층에 소정 패턴의 개구부를 형성하는 공정과, 적어도 해당 개구부의 내부에 용사법에 의해 상기 격벽 재료를 소정의 높이까지 퇴적시켜 상기 용사막을 형성하는 공정과, 해당 감광성 피복층의 표면보다도 돌출하고 있는 해당 용사막 부분을 연마에 의해 깍는 연마 공정과, 해당 감광성 피복층을 제거하여 소정 형상의 상기 격벽을 얻는 공정을 포함한다.
상기 용사는 플라즈마 용사일 수 있다.
어느 실시예에서는, 상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴의 개구부가 정상부보다도 저면부가 넓은 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖고 있으며, 또한, 해당 단면 형상의 저각이 60도 이상 또한 90도 미만이다.
상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴 개구부의 상기 정상부 폭은 100μm 이상일 수 있다.
어느 실시예에서는 적어도 용사 입자가 상기 기판과 밀착하는 부분에서의 용사 시의 플라즈마 에너지량을 A라 할 때에, 상기 격벽이 해당 플라즈마 에너지량(A)으로 제 1 격벽 재료를 퇴적시켜 형성된 제 1 층과, 해당 플라즈마 에너지량(A)보다도 작은 플라즈마 에너지량으로 해당 제 1 층 상에 상기 소정 높이까지 제 2 격벽 재료를 퇴적시켜 형성된 제 2 층을 적어도 포함하는 다층 구조를 갖고 있다.
상기 용사는 플라즈마 작동 가스로서 적어도 아르곤 가스 혹은 아르곤 가스와 헬륨 가스와의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마 용사일 수 있다.
상기 플라즈마 작동 가스가 상기 아르곤 가스와 헬륨 가스와의 혼합 가스일 경우에, 해당 헬륨 가스의 첨가량을 바꿈으로써 플라즈마 에너지량를 변화시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴 개구부의 상기 정상부 폭이 Wa일 때에, 상기 격벽 재료 분말의 1차 입자 직경(D)이 5μm 이상 또한 0.7·Wa 이하의 범위 내에 있다.
상기 용사막의 형성 공정은 상기 격벽 재료의 퇴적과 동시에 상기 감광성 피복층 상에 부착한 용사 입자를 제거하는 공정을 부가로 포함할 수 있다.
상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판을 이면으로부터 가열하여, 해당 기판 내의 온도 분포를 소정의 범위 내로 유지하는 공정을 부가로 포함할 수 있다. 혹은, 상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판의 표면을 냉각하여, 해당 기판 내의 온도 분포를 소정의 범위 내로 유지하는 공정을 부가로 포함할 수 있다. 또, 상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판의 이면으로부터의 가열 및 해당 기판의 표면 냉각을 행하여, 해당 기판 내의 온도 분포를 소정의 범위 내로 유지하는 공정을 부가로 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 연마 공정은 상기 감광성 피복막을 그 표면으로부터 약 10μm 깊이까지 깎는다.
바람직하게는, 상기 용사막의 형성 공정은 상기 격벽의 긴 변 방향으로 직교하는 방향으로 용사 토치를 이동시킨다.
상기 감광성 피복막의 제거 후에, 형광체층을 형성하는 공정을 부가로 포함할 수 있다.
어느 실시예에서는 상기 격벽의 결손 개소에 소정의 페이스트 재료를 충전하는 공정과, 상기 감광성 피복막의 제거 후에 형광체층을 소성에 의해 형성하는 공정이 부가로 포함되어 있으며, 해당 소정의 페이스트 재료는 해당 형광체층의 소성 공정에서 경화하는 재료이다.
어느 실시예에서는, 상기 격벽을 그 저면부로부터 소정의 높이까지는 제 1 색의 격벽 재료의 용사에 의해 형성하고, 해당 소정 높이로부터 정상부까지는 제 2 색의 격벽 재료의 용사에 의해 형성한다. 예를 들면, 상기 제 1 색은 백색이고, 상기 제 2 색은 흑색이다. 또, 제 1 색의 격벽 재료는 산화 알루미늄 혹은 스피넬일 수 있으며, 상기 제 2 색의 격벽 재료는 산화 크롬, 산화 티타늄 혹은 산화 알루미늄과 산화 티타늄과의 혼합물 혹은 용융물일 수 있다.
이상과 같은 특징을 갖는 본 발명에 의하면, 감광성 피복층에 소정 패턴의 홈을 형성한 후에 용사법(예를 들면 플라즈마 용사법)에 의해 홈 내에 격벽 재료를 퇴적시키고, 그 후에 감광성 피복층을 제거함으로써, 소성 공성을 필요로 하지 않고서 고정밀도로 격벽을 형성할 수 있어, 격벽 형성의 제조 코스트의 저감이 실현된다. 또, 격벽 재료의 저면부를 백색 재료로 형성하고, 정상부를 흑색 재료로 형성하면, 고휘도나 고 콘트라스트를 가능하게 하는 격벽이 형성된다.
보다 구체적으로는, 본 발명에서는 기판 상에 격벽을 형성하는 방법으로서 용사법(예를 들면 플라즈마 용사법)을 사용하여, 격벽 재료를 직접 퇴적시킴으로써 소성 공정이 불필요해진다. 그 결과, 소성을 위해 필요했던 전기로의 스페이스나 전력이 불필요해져 저 코스트화를 실현할 수 있다.
또, 상기 격벽 형성에 있어서, 격벽의 저면부로부터 소정의 높이까지를 백색 재료로 형성하면 격벽의 가시광 반사율을 향상시킬 수 있기 때문에, 격벽 측면에 도포된 형광체로부터의 방전에 의한 가시광의 이용 효율이 향상하고, 그 결과로서 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도가 향상한다. 또, 격벽의 소정 높이로부터 정상부까지를 흑색 재료로 형성하면, 외광 반사가 억제되며 그 결과로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 고 콘트라스트화가 실현된다.
더욱이, 상기 격벽 형성에 있어서, 격벽의 백색 재료로서 산화 알루미늄을 사용하면, 가시광에 대해 높은 반사 효과를 올리는 것이 가능하며, 플라즈마 디스플레이 패널의 고휘도화를 실현할 수 있다. 또, 흑색 재료로서, 적어도 산화 크롬 혹은 산화 티타늄 중 어느 하나를 사용하면, 외광에 대해 낮은 반사 효과를 올리는 것이 가능하며, 플라즈마 디스플레이 패널의 고 콘트라스트화를 실현할 수 있다.
또, 기판 상에 형성한 감광성 피복층에 소정 패턴의 개구부를 형성한 후에, 용사법(예를 들면 플라즈마 용사법)에 의해 격벽 재료를 상기 개구부에 퇴적시켜 격벽을 형성하면, 격벽 형상이 감광성 피복층에 형성시킨 패턴 형상으로 한정되기 때문에, 격벽을 고정밀도로 형성하는 것이 가능하다.
더욱이, 상기 감광성 피복층에 형성한 개구부의 단면 형상을 정상부보다도 저면부가 넓은 사다리꼴 형상이고, 또한 그 사다리꼴 형상 개구부의 저각을 60도 이상 또한 90도 미만으로 하면, 격벽 재료가 패턴의 개구부로 충전 퇴적하여, 격벽의 형상 정밀도나 기판과의 밀착성을 균일하게 하는 것이 가능해지는 한편, 감광성 피복층의 박리를 용이하게 하여, 감광성 피복층의 박리 시에 있어서의 격벽 결손을 잃는 것이 가능해진다. 또, 상기 감광성 피복층 개구부의 정상부 폭이 100μm 이하이면, 격벽과 기판 사이의 밀착력이 작기 때문에, 감광성 피복층의 박리 시에 생기는 격벽 방향력에 의해 격벽이 감광성 피복층과 동시에 박리할 가능성이 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 이렇게 격벽 정상부의 폭이 작은 경우라도, 격벽을 누르는 힘을 완화하여, 격벽의 박리를 발생시키지 않고 감광성 피복층을 박리하는 것이 가능해진다.
더욱이, 적어도 용사 입자가 기판과 밀착하는 부분에서의 용사 시의 플라즈마 에너지량을 A라 할 때에, 이 플라즈마 에너지량(A)으로써 격벽 재료를 퇴적시킨 제 1 층과, 상기 플라즈마 에너지량(A)보다도 작은 플라즈마 에너지량으로 소정의 높이까지 격벽 재료를 퇴적시킨 제 2 층을 적어도 갖는 다층 구조의 격벽을 형성하면, 기판과 용사 입자 사이의 밀착력을 확보하는 한편, 제 2 층의 격벽 재료(예를 들면 산화 알루미늄)의 산화 결손을 작게 하여, 그 백색성을 확보하는 것이 가능해진다.
또, 플라즈마 작동 가스로서 아르곤 혹은 아르곤과 헬륨과의 혼합 기체를 사용하여, 헬륨의 혼합량을 변화시킴으로써 플라즈마 에너지를 변화시키면, 제 2 층의 형성 시에 헬륨의 혼합량을 제 1 층 형성 시보다도 적게 함으로써, 제 1 층 형성 시보다도 작은 플라즈마 에너지를 용이하게 얻을 수 있다.
더욱이, 개구부의 정상부 폭이 Wa일 때에, 격벽 형성에 사용하는 격벽 재료 분말의 1차 입자 직경(D)을 5μm 이상 또한 0.7·Wa 이하로 설정하면, 이상의 작용이 얻어진다. 즉, 격벽 재료 분말의 1차 입자 직경(D)을 5㎛ 이상으로 하면, 격벽 재료를 플라즈마 제트 내에 효율 좋게 몰입할 수 있으며, 그 결과로서, 플라즈마 용사법에 있어서의 격벽 형성의 재료 이용 효율을 높게 하는 것이 가능하다. 한편, 격벽 재료 분말의 1차 입자 직경(D)을 0.7·Wa 이하로 하면, 격벽 재료를 감광성 피복층에 형성한 개구부로 효율 좋게 충전시키는 것이 가능하다.
또, 감광성 피복층의 용사 입자가 부착하여, 감광성 피복층에 형성한 패턴 개구부(홈 부분)의 일부가 그 부착 입자에 의해 덮이면, 그 개소만 용사 입자의 홈 내로의 퇴적이 방해되어 격벽 결손 원인이 된다. 그래서, 소정 형상의 제거 기구, 예를 들면 예리한 끝 부분을 갖는 스퀴이지를 감광성 피복층에 접촉시킨 상태에서 용사 토치에 연동하여 움직이며, 감광성 피복층 상에 부착하여 상기와 같은 바람직하지 않은 영향을 미치는 용사 입자를 제거하면 감광성 피복층의 패턴 개구부(홈 부분) 중에 용사피막을 균일 또한 면밀하게 퇴적하는 것이 가능해진다.
이하에, 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서, 첨부 도면을 참조하면서 설명한다. 구체적으로는, 용사법의 일종인 플라즈마 용사법을 사용할 경우를 예로 들어, 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 용사법으로 형성하는 본 발명의 실시예를 이하에 설명한다.
도 2는 플라즈마 용사 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 용사 장치에 포함되는 플라즈마 용사 토치(200)는 수냉된 음극(201)과 수냉된 양극(202)을 갖는다. 양 전극(201 및 202) 사이에 직류 전원(203)으로부터 직류 전압을 인가하여, 아크 방전(204)을 발생시킨다. 플라즈마 용사 토치(200)의 후부에 설치된 가스 포트(205)로부터 플라즈마 작동 가스(206)가 공급된다. 공급된 플라즈마 작동 가스(206)는 전극(201) 및 전극(202) 사이에서 발생한 아크 방전(204)에 의해 가열 전이되며, 플라즈마 제트(207)로서 노즐(208)로부터 분출된다. 플라즈마 작동 가스(206)로서는 아르곤, 헬륨, 질소, 수소 등을 사용할 수 있다. 본 실시예에서는 아르곤 혹은 아르곤과 헬륨과의 혼합 기체를 사용한다.
격벽 재료가 되는 용사 재료(209)는 분말 상태에서 공급 포트(210)로부터 캐리어 가스에 놓여 플라즈마 제트(207) 속으로 불려 들어간다. 공급된 용사 재료(209)는 플라즈마 제트(207)에 의해 가열 용접되며, 감광성 피복층(212)에 의한 패턴이 형성되어 있는 기판(211)(두께: t)으로 고속으로 충돌한다. 이로써, 기판(21l) 표면에 피막(용사막)(213)을 퇴적한다.
또, 바람직하게는, 냉각 가스 포트(214)를 설치하여, 플라즈마 제트(207)의 용사와 동시에 냉각 가스를 기판(211)으로 분무한다. 단, 여기서는, 간략화를 위해, 냉각 가스 포트(214)의 구체적인 배관 구성의 설명이나 도시는 생략한다.
다음으로, 도 3a 내지 도 3g를 참조하여, 본 발명에 있어서의 용사법을 사용한 격벽 형성 프로세스를 설명한다. 도 3a 내지 도3g는 상기 프로세스의 각 공정을 설명하는 단면도이다.
우선, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(100) 상에 어드레스 전극(101)을 형성한다. 이 유리 기판(100)은 예를 들면, 두께 2.8mm의 소다 유리나 고융점 유리 등이 사용된다. 어드레스 전극(101) 형성 후에, 예를 들면 유전체 유리로 이루어지는 하지층(102)을 형성한다. 또한, 이하의 설명에서는, 편의 상, 유리 기판(100), 어드레스 전극(101) 및 하지층(102)을 포함하는 구성을 총칭적으로 기판(103)이라고도 칭한다. 또, 이하의 설명에서도 마찬가지로, 기판과 그 위에 형성되어 있는 어드레스 전극 및 하지층을 포함하는 구성을 총칭적으로 기판이라 칭하는 경우가 있다.
다음으로, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 형성한 기판(103) 상에 감광성 피복층(104)을 형성한다. 본 실시예에서는 감광성 피복층(104)으로서, 감광성 드라이 필름 레지스트(이하, 「DFR」라 칭한다)를 사용하여, 두께 60μm의 DFR을 2층 겹쳐 120μm의 두께로 한다.
다음으로, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 소정의 패턴 폭 및 피치를 갖는 포토 마스크(105)를 사용하여 자외선 광(UV 광)을 조사하여 노광을 행한다. 노광 량은 포토 마스크(105)의 패턴 폭 및 피치에 따라서 적정화시킨다.
도 3d에 도시하는 공정에서는, 노광 후에 현상을 행한다. 현상액은 1% 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 약 3분간 현상 후에 물에 씻는다. 노광 및 현상 공정을 거쳐, DFR(104)에 스트라이프 형상의 소정 패턴의 홈(개구부)(106)을 형성한다. 홈(106) 사이즈는 전형적으로는 상부의 개구 폭을 80μm, 피치를 360μm으로 한다.
홈(106) 패턴 형성 후에, 도 3e에 도시하는 바와 같이, 기판(103)의 상부로부터 플라즈마 용사를 행하고, DFR(104)의 홈(106) 중에 용사막(격벽 재료)(107)을 퇴적시킨다. 구체적으로는, 플라즈마 용사 토치(108)에는 냉각 가스 포트(110)가 설치되어 있으며, 플라즈마 제트(109)의 용사와 동시에 냉각 가스(110)를 기판(103)에 분무한다. 이 냉각 가스(111)에는 질소 가스를 사용한다. 냉각 가스(111)의 작용에 의해, 용사 시의 열에 의한 DFR(104)에의 데미지가 경감하여, 정밀도 좋은 격벽 형성이 가능해진다. 또, 이 용사 공정에서, 용사막(107)은 DFR(104)의 홈(106) 내부에 주로 퇴적되며, 또, DFR(104)의 이면으로부터 위쪽으로 높아지도록 퇴적된다. 그러나, 그 주위의 DFR(104) 상에는, 용사막은 거의 퇴적(부착)하지 않는다.
다음으로, 도 3f에 도시하는 바와 같이, DFR(104)의 이면으로부터 튀어나온 용사막(107) 부분을 연마에 의해 제거하여, DFR(104)의 홈(106) 내부에 퇴적된 용사막(107)의 표면을 평탄화한다.
다음으로, 도 3g에 도시하는 바와 같이, 기판(103)을 박리액 예를 들면 5% 수산화나트륨 수용액에 약 10분간 담금으로써 DFR(104)을 박리한다. 이로써, 스트라이프 형상의 용사막(107) 패턴으로 하여, 소정 형상의 격벽(107)이 형성된다.
이상과 같이, 플라즈마 용사법에 의해 격벽을 형성하면, 소성 공정이 불필요 지며, 또한 소성로에서 소비되는 전기 에너지가 불필요해지기 때문에, 제조 코스트를 대폭 삭감하는 것이 가능해진다.
더욱이, 이하에는, 본원 발명자들에 의한 검토 결과로서 얻어진 본 발명에 있어서의 용사 프로세스의 특징이나 바람직한 설정 조건을 상세하게 설명한다.
격벽 재료로서는, 백색 재료만을 사용할 경우에는, 알루미나(산화 알루미늄)의 분말 재료를 사용한다. 구체적으로는, 예를 들면 입도 분포가 5μm 이상 25μm 이하로, 순도 99%의 분말 재료를 사용한다. 플라즈마 용사 토치를 속도 750mm/초로써 3mm 피치에서 기판의 모든 면 상을 움직여, 이 분말 재료를 기판의 모든 면 상에 용사한다. 이 용사 조작을 2회 행함으로써, 기판의 모든 면에 DFR의 두께 120μm보다도 약 50μm 두꺼운 용사막을 형성한다. 또, 용사 조건으로서는 플라즈마 작동 가스 Ar 및 He(Ar의 공급량: 40리터/분, He의 공급량: 20리터/分)으로 하고, 플라즈마 전류를 800A 및 용사 거리를 120mm으로 한다.
(플라즈마 용사 토치의 기판 상에서의 이동 방향)
플라즈마 용사 토치의 기판 상에서의 이동 방향과 기판 상의 DFR의 스트라이프 형상의 홈 패턴 방향과의 관계가 용사막의 질 및 성막 효율에 미치는 영향을 설명한다.
구체적으로는, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 용사 토치(1104)를 기판 상의 DFR(1103)의 스트라이프 형상의 홈 패턴 방향에 대해 평행 방향(1101)으로 이동시킬 경우와 직교 방향(1102)으로 이동시킬 경우 각각에 대해서, 형성된 용사막의 단면을 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 직교 방향(1102)으로 이동시킬 경우가 용사막이 DFR의 개구부(홈)의 내부에 면밀히 형성되어 있으며, 또 성막 효율은 평행 방향(1101)으로 이동시킬 경우에 비하여 직교 방향(1102)으로 이동시킬 경우가 약 1할 높은 것이 확인되었다.
플라즈마 디스플레이 패널에서는, 일반적으로 도 4b에 도시하는 바와 같이, 기판(1105)의 긴 변 방향과 DFR의 스트라이프 형상의 홈 패턴(여기서는, 참조 번호(1103)로 나타낸다) 방향이 직교하고 있기 때문에, 플라즈마 용사 토치를 스트라이프 형상의 홈 패턴(1103)에 직교하는 방향(1102)으로 이동시키는 편이 스트라이프 형상의 홈 패턴(1108)에 평행한 방향(1101)으로 이동시키는 것보다도 기판(1105)의 모든 면에 대한 용사를 짧은 시간으로 완료할 수 있다. 이것은 플라즈마 용사 토치 귀환 개소에서는 그 이동 속도가 저하하기 때문에, 귀환 개소가 적은 쪽이 기판(1105)의 모든 면에 대한 용사 처리를 짧을 시간으로 완료할 수 있기 때문이다.
이상의 점을 고려하여, 본 발명에서는 바람직하게는 플라즈마 용사 토치를 DFR의 스트라이프 형상의 홈 패턴에 직교하는 방향으로 이동시켜, 기판 모든 면에 대한 용사 처리를 행한다.
(용사 입자의 DFR로의 부착 특성)
용사 입자는 DFR 상에는 부착하기 어려워, DFR의 개구부(홈) 내부에만 퇴적한다. 이것은 용융한 용사 입자가 기판으로 침투하는 앵커 효과에 의해 용사 피막이 기판에 밀착하는 한편, 용사 입자의 DFR과 같은 유기 재료로의 충돌 시에는, 용사 입자는 DFR을 블래스트하면서, 그 자신은 튀기 때문이다.
그러나, 용사 입자가 플라즈마 제트에 의해 충분히 가속되지 않는 조건, 예를 들면 플라즈마 작동 가스량이 최적치보다도 적을 경우 등에는, 최적 조건 시에서의 용사 처리의 실시 시에 비하여, 용사 입자가 DFR 상에 부착하기 쉬워진다. 이것은 용사 재료가 플라즈마 제트에 몰입되기 전에 응집하고 있으며, 플라즈마 제트 중에서 충분히 용융하지 않고서 기판 상으로 도달하기 때문이라 생각할 수 있다. 이 때, 응집 입자의 입자 직경은 수 10μm 내지 수 100μm에 이르고 있으며, 용사 입자의 DFR 상으로의 부착이 일단 시작되면, 그 부착 입자가 핵이 되어 성장이 시작된다.
구체적으로는, 도 5에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 기판(900) 상에 형성된 DFR(901)의 표면에 플라즈마 용사 토치(904)로부터의 플라즈마 제트(905)에 의해 용사된 입자가 부착 입자(902)로서 존재할 때, 그 일부가 DFR(901)의 개구부(홈)(903)를 덮도록 존재하면, 그 부분에서의 용사 입자의 개구부(홈)(903) 내부로의 퇴적이 방해되어, 형성되는 격벽의 결손을 초래한다.
그래서, 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 도 6에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 플라즈마 용사 토치(904)에 부착 입자(902)를 제거하는 기구(907)를 설치한다. 이 기구(907)는 선단이 예리한 스퀴이지(재질은 예를 들면 스테인리스제)로, 기판(900) 상의 DFR(901) 표면에 예리한 선단이 접촉하도록 플라즈마 용사 토치(904)에 설치되어 있다. 또한, 도 6에서는, DFR(901)의 홈은 생략되어 있다.
이 기구(907)를 플라즈마 용사 토치(904)의 화살표(908) 방향으로의 이동에 연동하여 이동시킴으로써, DFR(901)의 표면에 부착한 입자(902)가 제거된다. 이로써, DFR(901) 표면으로의 부착 입자(902)에 의한 격벽 결손 발생이 억제되어, 양질의 격벽 형성이 가능해진다.
(냉각 가스 포트 기구)
플라즈마 용사에서는, 플라즈마 제트로부터의 열 용사를 기판 온도를 상승시키기 위해 이용하며, 형성되는 용사막의 막질을 향상시키는 경우가 있다. 또, 기판의 내열성이 낮을 경우에는, 예를 들면 플라즈마 용사 토치의 이동 속도를 가능한 한 크게 하여, 기판 온도의 국소적인 상승을 방해하는 경우가 있다. 그러나, 기판이 유리로, 또한 내열성이 극히 부족한 DFR을 용사막 형성 시의 패턴 작성에 사용할 경우에는, 상기와 같은 종래 수법만으서는, 기판으로의 데미지를 피하는 것이 곤란하다.
그래서, 본 발명에서는, 기판이 플라즈마 제트의 열을 받아도 기판 온도가 현저히 상승하기 전에 냉각함으로써 기판으로의 열 데미지를 회피하고 있다. 구체적으로는, 앞서 서술한 바와 같이, 플라즈마 용사 토치에 연동하여 이동하는 냉각 가스 포트(냉각 기구)를 설치하고, 플라즈마 제트의 용사와 동시에, 냉각 가스(예를 들면 질소 가스)를 기판으로 분무하여, 용사 공정 중에 있어서의 기판 내의 온도 분포, 예를 들면, 기판 표면과 이면 사이의 온도 차나 기판 표면이 용사되어 있는 영역과 그 주위 사이의 온도 차를 소정의 범위 내로 유지한다. 이 냉각 가스에는 질소 가스를 사용한다. 냉각 가스 작용에 의해, 용사 시의 용사에 의한 DFR에의 데미지가 경감하여, 정밀도 좋은 격벽 형성이 가능해진다.
플라즈마 용사 토치의 기판 상에서의 위치에 상관 없이, 냉각 가스에 의해 동일하게 기판이 냉각되도록, 냉각 가스 포트(냉각 기구)는 플라즈마 용사 토치에 연동하여 이동하도록 설치하고 있다. 또, 기판을 고효율로 냉각하는 한편, 성막에 영향을 주지 않도록 하기 위해, 냉각 가스가 용사 패턴의 바깥 둘레 부근에 닿도록 냉각 가스 포트(냉각 기구)의 설치 위치나 방향을 설정한다.
(기판 분열 대책)
플라즈마 제트에 의한 기판의 급격한 온도 상승을 피하기 위해서는, 상기와 같은 냉각 가스 포트(냉각 기구) 설치가 효과적이다. 그러나, 기판이 대형화함에 따라서 기판 내에서의 온도 분포가 커지면, 플라즈마 용사 토치의 통과 후에 기판 분열이 발생할 경우가 있다. 이것은 플라즈마 용사 토치의 통과 후에 기판 온도가 급격하게 저하하기 때문이라 생각되며, 냉각 가스 포트(냉각 기구) 설치로는 대응할 수 없다.
상기 문제를 극복하기 위해서는, 도 7에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 기판을 이면으로부터 가열 보온하는 가열 보온 기구를 설치한다. 구체적으로는, 기판(1201)을 플레이트(1202) 상에 재치하여, 고정 지그(1203)에 의해 고정한다. 플레이트(1202) 하에는, 히터(1214)에 접속된 가열판(1204)을 놓아, 이로써 기판(1201)을 가열 및 보온한다. 가열판(1204)을 직접 스테이지(1215) 상에 설치해도 되지만, 단열판(1205)을 개재시켜 스테이지(1215) 상에 설치하면, 가열 온도 효율이 향상한다.
구체적으로는, 상기 기구를 이용하여, 용사 프로세스의 개시 직전에 기판 온도가 60℃ 내지 80℃가 되도록 기판(1201)을 가열하고, 더욱이 플라즈마 용사 토치(1206)(플라즈마 용사 토치(1206) 구성은 이미 설명이 끝났기 때문에, 여기서는 간략화하여 묘사하고 있다)로부터의 플라즈마 제트(1207)에 의한 용사 공정 중에는, 기판(1201)의 온도 분포, 예를 들면 기판(1201) 표면과 이면 사이의 온도 차나 기판(1201) 표면에 있어서의 용사되어 있는 영역과 그 주위 사이의 온도 차가 소정의 범위 내로 유지되도록 가열 보온한다. 이로써, 사이즈가 1000mm×600mm이라는 비교적 대형 유리 기판에 대해서도, 분열을 발생시키지 않고, 용사 프로세스에 의한 격벽을 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 상기와 같은 기판 이면으로부터의 가열 보온 기구는 앞서 설명한 기판 표면에 대한 냉각 기구(냉각 가스 포트)와 병용하는 것이 가능하다.
(최적 입자 직경)
격벽 형성에 있어서의 용사 분말의 최적 입자 직경에 관해 본원 발명자 등이 행한 검토 결과를 이하에 설명한다.
일반적인 용사 프로세스에 있어서, 평탄한 기판 상에 용사막을 형성할 경우에는, 용사되는 분말 입자의 직경이 큰 쪽이 성막 속도가 커진다. 이것은 용사 분말 입자의 직경이 큰 쪽이 그 운동량이 크며, 플라즈마 제트의 중심 축 방향으로 효율적으로 투입되기 때문에, 용사시의 입자 속도 및 온도가 충분히 높아지기 때문이다. 그러나, 본 발명과 같이, 기판 상에 형성된 DFR의 스트라이프형상 개구부(홈)의 내부에 용사 입자를 잠입시켜 퇴적시키는 경우에는 DFR의 개구부(홈)의 상부의 폭(Wa) 보다도 작은 입자 직경을 갖는 분말 외에, 그의 내부에 들어갈 수 없다. 따라서, DFR의 개구부(홈)의 내부에 플라즈마 용사 입자를 효율적으로 잠입시켜 퇴적시키기 위해서는 용사 분말의 일차 입자 직경(D)에 가장 적절한 범위가 존재한다.
도 8은 용사 재료의 분말 입자의 일차 입자 직경(D)의 일반적인 분포예이다. 횡축에 입자 직경(D)을 대수 표시하면, 그 개수 분포는 가우스 분포를 이룬다. 이 때, 입자 직경의 최대치(Dmax), DFR의 개구부(홈)의 상부의 폭(Wa)(도 11을 참조)에 대하여 0.7Wa를 넘으면, DFR의 개구부(홈)의 내부에 용사 입자가 효율적으로 들어 가지 않게 된다. 한편, 입자 직경의 최소치(Dmin)가 5μm 이하인 경우에는 용사 분말의 운동량이 감소하여 플라즈마 제트 중에 효율적으로 투입되지 않게 되어 성막 효율이 저하한다.
따라서, 용사 재료의 분말 입자의 일차 입자 직경(D)은 5μm 이상이며, 동시에 DFR의 개구부(홈)의 상부의 폭(Wa)에 대하여 0.7·Wa 이하인 것이 바람직하다.
(연마 공정)
다음에, DFR의 표면으로부터 뛰어 나온 용사막 부분을 제거하여, DFR의 홈 내부에 퇴적된 용사막의 표면을 평탄화하기 위한 연마 공정에 대해, 이하에 설명한다.
바람직하게는 연마 공정은 습식 연마로 한다. 구체적으로는 우선 소정의 조도를 갖는 연마지(예를 들면, JIS 규격으로 100번의 연마지)를 사용하여, DFR의 표면으로부터 뛰어 나간 용사막의 부분을 잘라낸다. 그 후에, 보다 미세한 연마지(예를 들면, JIS 규격으로 400번의 연마지)로 DFR의 표면을 연마하여, DFR의 홈 내부에 존재하는 용사막의 상면(형성되는 격벽의 상면에 상당한다)의 표면 조도를 작게 한다. 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 표면 조도가 크면, 격벽을 삽입하여인접하는 셀로부터 방전이 되어, 오표시의 원인이 된다. 이러한 원인에 따른 오표시를 방지하기 위해서는 격벽 상면의 표면 조도(Rz)가 ±3μm의 범위에까지 작아지되도록, 연마(평탄화) 처리를 행할 필요가 있다.
도 9에는 전형적인 연마 공정을 모식적으로 도시한다. DFR(1305)의 개구부(홈)(1306) 중에 용사막(1307)이 퇴적된 상태의 기판(여기서는 참조번호(1301)로 총칭적으로 나타내고 있다)의 표면을, DFR(1305)의 개구부(홈)(1306)의 폭 및 피치보다도 충분히 큰 직경 20mm 내지 30mm의 패드(1302)에 장착한 연마지에 의해, 연마한다. 연마 시에는 패드(1302)는 화살표(A)의 방향으로 회전하면서 화살표(B)의 방향으로 이동하여, 기판(1307)의 표면(보다 구체적으로는 DFR(1305) 및 용사막(1307)의 표면)을 연마해 간다. 이 때, 연마지는 공기압에 의해 외측으로 약간 불룩해지도록 패드(1302)에 장착되어 있다.
이러한 구성에 의한 연마에 의해, 기판(1301)의 큰 물결침이 흡수되어, 기판(1301)에 따라 확실한 연마가 실시된다.
(DFR 잔사의 처리)
DFR의 개구부(홈)의 내부에 용사막을 퇴적한 후에 DFR을 박리하는 공정으로,
DFR이 모두 박리되지 않고, 수 mm의 길이로 절단된 상태의 DFR이 격벽 사이에 잔사로서 잔존하는 것이 있다. 이 현상을 보다 상세하게 검토한 바, 당초는 도 10a에 도시된 바와 같이 사다리꼴이던 DFR(104)의 홈(106)이 용사 프로세스 사이에 그의 상부가 연마되어 폭이 넓어지는 결과, 도 10b에 모식적으로 도시된 바와 같이, 중간부분이 잘록하게 폭이 좁아진 형상을 갖게 되는 것이 확인되었다. 이 때문에, DFR(104)의 박리시에, 홈(106)의 내부에 퇴적되어 있는 용사막(격벽)(107)의 정상부 근방에, 박리시에 팽창한 DFR(104)이 걸려, 그의 일부가 떨어져 격벽 사이에 잔사로서 잔존한다.
이러한 현상을 방지하기 위해서는 DFR(104)의 박리 공정의 실시에 앞서, DFR(104) 중의 표면으로부터 홈(106)의 폭이 가장 좁게 되어 있는 위치에 상당하는 깊이(도 10b의 점 a)까지의 부분을, 연마에 의해서 절삭하여 제거한다. 이와 같이 함으로써, 도 10c에 모식적으로 도시한 바와 같이, DFR(104)의 홈(106) 및 그 속에 퇴적되어 있는 용사막(격벽)(107)은 다시 사다리꼴로 되어, DFR(104)의 박리시에 있어서의 상술의 문제점의 발생이 억제된다.
또, 상기의 연마 공정은 도 9를 참조하여 앞에서 설명한 바와 같은 DFR 표면(격벽 상면)의 평탄화를 위한 연마 공정의 일부로서 실시하면 된다. 또한, 구체적으로 필요하게 되는 연마량(DFR의 삭제 깊이 ,즉, 도 10b의 점선 a 표면으로부터의 깊이)는 전형적으로는 약 10μm이다.
박리시의 DFR 잔사의 발생을 방지할 목적으로, 상기한 바와 같이 DFR(104)의 일부를 연마에 의해 제거하는 공정을 실시하기 위해서는 DFR(104)의 적층 두께를, 필요한 격벽 높이보다도, 적어도 연마로 제거되는 깊이에 상당하는 분량 만큼 미리 두텁게 형성해 둘 필요가 있다.
(DFR의 홈형상의 최적화)
DFR의 홈형상의 패터닝시에, 노광량을 바꾸는 것으로 DFR의 단면형상을 변화시킬 수 있다. 도 11은 DFR(104)의 단면형상을 모식적으로 도시한 도이다. 이하에서는 도 11 및 도 12 내지 도 14의 실험 데이터를 참조하면서, DFR(104)에 소정 패턴의 개구홈(106)을 형성하는 조건을 검토한다. 또, DFR(104)의 홈(106)의 작성을 위한 포토마스크는 라인부의 폭(L)과 스페이스부의 폭(S)의 비를 L/S=70μ m/290μm로 한다.
도 12는 DFR(104)의 두께가 100μm인 경우에, DFR(104)에 조사한 노광량과 DFR(104)에 형성된 홈(106)의 상부 폭(Wa) 및 하부폭(Wb)의 관계를 도시한 것이다. 구체적으로는 현상량은 모두 일정하게 하여 노광량 만을 다양하게 변화시켜, 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 설명한 제조 프로세스에 따라 격벽을 형성하고, 그 특성을 평가하였다.
따라서, 노광량이 감소하면, 홈(106)의 상부폭(Wa) 및 저면부 폭(Wb)이 모두 넓어진다. 또한, 그 폭이 넓어지는 비율은 Wa보다도 Wb쪽이 크다. 이 때문에, 홈(106)의 저면각(θ)(격벽의 저면각 θ라고도 한다)은 도 18에 도시된 바와 같이, 노광량의 감소와 함께 작아진다.
한편, 도 14에는 DFR(104)의 저면각(θ)과 격벽의 완성도의 관계를 도시한다. 여기서, 격벽의 완성도란, 형성된 격벽에 결함이 전혀 없는 경우를 1, 격벽이 기판으로부터 박리한 경우를 0으로 하여, 형성된 격벽에서의 결함의 상태를 상대적으로 평가한 파라미터이다. 이 때, DFR(104)의 홈(106)은 상기한 바와 같이 피치 360μm이며 동시에 패턴 폭 70μm의 포토마스크를 사용하여 노광·현상하여 작성하였다.
도 14에서, 격벽의 형성시로서, 저면각(θ)이 86도 이하일 때에, 완성도가 1이 된다. 단지, 실제로는 저면각(θ)이 86도 보다도 커도, 90도 미만이면, 실용상의 문제는 발생하지 않는다.
이와 같이, 격벽의 완성도가 저면각(θ)에 의존하는 이유를, 이하에 검토한다.
플라즈마 용사법에 의해 퇴적된 격벽 재료는 DFR의 개구부(홈)의 내부에 간극없이 매립된다. DFR은 박리시에 상방 및 가로 방향으로 팽창하고, 그것에 따라 홈 내부의 용사막(격벽)을 세로 및 가로방향으로 누른다. 이 때, 격벽의 저면각(θ)이 커질수록, DFR의 팽창에 의해 격벽을 가로방향으로 누르는 힘이 커지고, 최종적으로는 격벽을 넘어 뜨린다.
또한, 격벽의 강도는 격벽의 폭에 비례하여 커지지만, 격벽의 폭이 커지면, 격벽의 저면각(θ)도 커진다. 따라서, 격벽의 폭이 커지면 격벽의 저면각(θ)은 90도에 근접하며, 한편, 격벽의 폭이 작아지면 격벽의 저면각(θ)은 작아진다. 예를 들면, 도 11에 있어서의 DFR(104)의 두께 H=100μm 및 홈(106)의 상부폭 Wa=30μm인 경우에는 충분한 기계적인 강도를 확보하고, DFR(104)의 박리를 용이하게 하기 위해서는 하부폭 Wb=80μm까지 넓게 할 필요가 있으며, 그 때의 격벽의 저면각(θ)은 76도가 된다.
격벽의 저면각(θ)을 작게 하면, 플라즈마 용사를 하여도 DFR(104)의 홈(106)의 저면부에 용사 입자가 세밀하게 들어가지 않는다. 이것은 용사 입자가 일반적으로 직진하기 때문에, 사다리꼴을 이룬 DFR(104)의 홈(106)의 저면부가, 용사 입자에 대한 사각지대가 되기 때문이다. 격벽의 저면각(θ)이 작으면, DFR(104)의 홈(106)의 저면부의 단면에서의 용사막(격벽)의 막질이 소(疏)로 되어, 용사막(격벽)의 부착 강도가 열화한다. 이러한 원인에 따르는 용사막(격벽)의 부착 강도의 열화를 억제하기 위해서는 격벽의 저면각(θ)이 60도 이상인 것이 바람직하다.
또, 이상에서는 노광량을 조정하여 격벽의 저면각(θ)을 변화시키고 있지만, 그 대신에, 현상량을 변화시킴에 의해서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같은 용사법에 의해 형성되는 격벽의 완성도가 형성시에 용사 재료를 매립하기 위해 사용되는 DFR의 홈형상에 의존한다고 하는 현상은 예를 들면 DC 형 플라즈마 디스플레이 패널의 캐소드 전극을 용사법에 의해 형성할 때에는 동일한 현상은 문제가 되지 않는다. 이 이유를, 이하에 고찰한다.
제1로, DC형 플라즈마 디스플레이 패널의 캐소드 전극에서는 용사법에 의해형성되는 패턴 단면의 어스펙트비는 일반적으로 0.3 내지 0.4인 데 대하여, 본 발명에 따라 용사법에 의해 형성되는 격벽에서는 그 단면의 어스펙트비는 일반적으로 1.2 내지 3.0으로 크다. 이것은 본 발명에서 용사법에 의해 형성되는 용사막(격벽)의 중심이, 캐소드 전극의 중심에 비해 높은 위치에 존재하고 있으며, 그러므로, DFR 박리시의 DFR의 팽창에 따른 압력 인가에 대하여, 형성된 용사막(격벽)의 기계적 저항력이 약한 것을 의미하고 있다.
제2로, DC형 플라즈마 디스플레이 패널의 캐소드 전극을 용사법에 의해 형성할 때의 용사 재료는 일반적으로 금속 알루미늄(융점: 660℃) 등의 저융점 재료이므로, 용사막의 내부에서의 용사 입자끼리의 부착력이 강하고, 또한, 기판에 대하여도 양호하게 밀착한다. 더우기, 이러한 저융점의 용사 재료가 충분히 용융되도록 한 조건에서는 용사시에 플라즈마 제트가 기판에 주어지는 열적인 영향은 작다. 이에 반해, 본 발명에 따라 격벽을 용사법에 의해 형성할 때의 용사 재료는 일반적으로 산화물이다. 예를 들면, 알루미나의 융점은 2010℃로 높고, 이것이 충분히 용해되도록 하는 용사 조건에서는 용사시에 플라즈마 제트가 기판에 주어지는 열적인 영향이 대단히 커진다. 그러므로, 산화물의 용사시에 바람직하게 되는 일반적인 용사 조건에 비해, 본 발명의 격벽 형성시의 용사 프로세스에서는 발생 열량이 작아지도록 하는 조건으로 하지 않으면 안된다. 이에 부가하여, 용사 재료가, 산화물이기 때문에, 용사막의 내부에서의 용사 입자 끼리의 부착력 및 기판에 대한 밀착력이 크지 않다.
이상과 같은 원인에 의해, DC형 플라즈마 디스플레이 패널의 캐소드 전극을 용사법에 의해 형성하는 경우에 비해, 본 발명에 따라 격벽을 용사법에 의해 형성하는 경우에는 안정한 DFR 박리를 행하기 위해, DFR의 홈 형상을 박리를 용이하게 하는 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.
(용사 재료의 선택)
플라즈마 용사법으로 격벽을 형성하는 경우에는 인쇄법에서의 페이스트와 같은 혼합물로 이루어진 격벽과는 다르며, 거의 100%가 소기의 격벽 재료로 형성된다. 따라서, 플라즈마 용사법으로 형성한 격벽에서는 예를 들면 페이스트 중의 유기 접합제가 소성 후에 잔류 카본으로서 잔존하도록 하는 종래 기술에서의 문제점이 발생하지 않고, 방전의 안전성에 대하여 유효하다.
또한, 본 실시예에서의 산화 알루미늄과 같은 반사율이 높은 백색 재료로 격벽을 형성하면, 격벽 측면의 형광체 재료에서의 가시광의 이용 효율이 향상한다. 구체적으로는 격벽이 모두 흑색 재료로 형성되어, 격벽측면이 모두 흑색일 때에 비해, 휘도가 1.2 배가 되는 것이 확인되었다.
단지, 격벽을 백색 재료로 형성하면, 상기와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도의 향상을 꾀할 수 있는 한편으로, 흑색 표시시에 충분한 흑색이 표시되지않고, 표시의 콘트라스트가 열화하는 일이 있다. 이러한 문제를 회피하기 위해서는 격벽의 정상부 근방만을 흑색 재료로 형성하면 된다.
구체적으로는 DFR가 두께를 120μm로 하고, 피치가 360μm이며 폭이 70μm 인 포토마스크 패턴을 사용하여, DFR에 홈 형상을 형성할 때에, 우선 DFR의 홈 내부에, 백색 재료로서 입도 분포가 5μm 내지 25μm인 산화알루미늄(Al2O3)을 두께가 약 90μm로 용사에 의해 퇴적한다. 다음에, 그 위에, 입도 분포가 5μm 내지 25μm인 Al2O3-13% Ti02의 혼합 재료를, 용사막의 최표면이 DFR 표면으로부터 약 50μm 만큼 높아지도록, 용사에 의해 퇴적시킨다. 그 후에, 지금까지 설명한 바와 같이, DFR 표면보다도 돌출되어 있는 용사막 부분과, 표면으로부터 약 10μm의 깊이까지의 DFR을, 연마에 의해 절삭한 후에, DFR을 박리한다.
이와 같은 프로세스에 의하면, 저면부로부터 90μm의 높이까지는 백색 재료로 형성되고, 그 위에 두께가 20μm인 흑색 재료 부분이 존재하는 2층 구조의 격벽이 형성된다. 이러한 2층 구조의 격벽을 사용함으로써, 휘도 및 콘트라스트의 쌍방에 대해서 우수한 특성을 나타내는 플라즈마 디스플레이 패널이 형성된다.
또, 격벽의 높이나 형성시에 사용되는 포토마스크의 패턴형상은 상기에서 언급한 특정의 것에 한정되는 것이 아니고, 이들을 임의로 변경하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 백색 재료로서는 상기의 산화알루미늄을 대신하여, 다른 재료(예를 들면, 스피넬)을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 흑색 재료로서는 다른 재료(예를 들면, 산화크롬 또는 산화티타늄의 단량체)를 사용여도, 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 산화알루미늄과 산화티타늄과의 혼합물을 사용할 때는 이들이 용융 상태에 있어도 된다.
상기와 같은 2층 구조의 격벽을 페이스트를 사용한 소성법으로 형성하기 위해서는 소성 온도의 제어가 필요하지만, 본 발명의 플라즈마 용사법에서는 소성 공정 자체가 필요없고, 간단하고 용이한 프로세스로 실시하는 것이 가능하다.
또, 2층 혹은 다층 구조의 격벽에서의 색의 배치는 반드시 상기에서 설명한 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 용사 프로세스에 의하면, 적절한 격벽 재료의 선택에 따라 임의의 색 배치가 가능하다.
또, 소성법으로 사용되는 페이스트 내에는 통상적으로는 납 성분이 포함되지만, 용사법을 사용하면, 납 성분을 전혀 포함하지 않은 재료로 격벽을 형성할 수 있다. 따라서, 용사법은 격벽 형성에 따르는 납 공해를 저지하기 때문에 유효한 공법이다.
더우기, 본 발명자들에 의한 검토에서는 격벽의 구성 재료로서 사용되는 산화알루미늄의 백색성이 용사시의 플라즈마 에너지 량에 따라 변화하는 것이 확인되었다.
플라즈마 에너지 량은 플라즈마 작동 가스로서 아르곤에 대한 헬륨 첨가량을 조절함으로써, 변화시킬 수 있다. 구체적으로는 아르곤 공급량을 40리터/분으로 일정하게 하여, 이에 대한 헬륨 첨가량을 증가시키면, 수득되는 산화알루미늄의 용사피막의 색이, 회색 비슷한 색으로 변화한다. 한편, 기판과 격벽 사이의 밀착 강도는 헬륨 첨가량이 20리터/분일 때 최대가 된다. 이 실험에 결과에 근거하여, 도 15에 도시한 형상을 갖는 격벽을, 플라즈마 용사법에 의해 아래와 같이 형성하였다.
격벽의 저면부에는 아르곤의 공급량을 40리터/분 및 헬륨의 공급량을 20리터/분으로 하여, 산화알루미늄으로 이루어지는 제 1 용사피막(800)을, 약 20μm의 두께로 형성한다. 이로써, 기판(100) 위에 어드레스 전극(101)을 덮도록 형성된 하지층(102)에 대하여 충분한 밀착력이 확보된다.
다음에, 플라즈마 작동 가스를 아르곤만으로 하고, 그 공급량을 4리터/분으로 하여, 산화 알루미늄으로 이루어지는 제 2 용사피막(801)을 약 80μm의 두께로 형성한다. 이로써, 측면이 백색인 격벽이 형성된다.
또, 그 위에 Al2O3-13% TiO2의 혼합 재료를 용사하여, 제 3 용사피막(802)을 형성한다. 단지, 이 시점에서는 제 3 용사피막(802)은 그의 최표면이 주위의 DFR의 표면(비도시)보다 약 50μm 높게 되도록 형성한다.
그 후에, 이미 설명한 용사 연마법에 의해, DFR 표면보다도 돌출되어 있는 용사막 부분과, 표면으로부터 약 10μm의 깊이까지의 DFR을 절삭하고, 또 DFR을 박리한다. 이로 인해, 도 15에 도시한 바와 같은 구성을 가지며, 정상부가 흑색이고 측부가 백색이며, 또한 기판에 대하여 충분한 밀착력을 갖는 격벽이 형성된다.
또, 플라즈마 에너지량은 플라즈마 전류의 변화에 따라서도 조절하는 것이 가능하다.
(격벽의 결합의 수정 방법)
이상에서 설명한 바와 같이 용사법으로 형성한 격벽에, 어떠한 원인으로 결합이 존재하고 있는 경우에는 도 16a 내지 도 16d를 참조하여 이하에 설명하도록 하여 그 결손 부분을 수정하는 것이 가능하다.
도 16a에 도시된 바와 같이, 기판(103) 위의 격벽(107)의 일부에 결손부(1352)가 존재할 때, 그 결손부(1352)에 페이스트(1351)를 적가한다. 이 페이스트(1351)로서는 이후에 실시하는 형광체 소성 공정으로 경화하는 페이스트 재료를 선택하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 그 소성도, 이후에 실시하는 형광체 소성 공정에서의 소성 온도와 같도록 하는 페이스트 페이스트 재료를 사용한다.
다음에, 상온에서 건조시킴으로써, 도 16b에 도시된 바와 같이, 격벽(107)의 결손부(1352)가 적가된 페이스트(1354)로 충전된다.
이후에, 도 16c에 도시된 바와 같이 형광체 층(1359)을, 예를 들면 인쇄법이나 라인 제트법에 의해 형성한다. 그 후에 형광체층(1359)을, 예를 들면 소성 온도 540도로 소성한다. 이 소성 공정에서는 격벽(107)의 결손부(1352)를 충전하는 페이스트(1354)도 동시에 소성되며, 이로써, 도 16d에 모식적으로 도시한 바와 같이, 격벽(107)의 결손이 수정된다.
이상의 설명에서는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 격벽만을 용사법(플라즈마 용사법)에 의해 형성하고 있지만, 이것에 부가하여 어드레스 전극 및 격벽의 하지층도 용사법으로 형성하는 것이 가능하다. 이러한 프로세스를, 도 17a 내지 도 17d를 참조하여 이하에 설명한다.
우선, 도 17a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 위에 소정의 두께(예를 들면 20μm)의 DFR(1402)을 형성하고, 노광 및 현상 공정에 의해 소정의 홈 패턴(예를 들면 개구 폭 80μM)을 형성한다.
다음에, 도 17b에 도시된 바와 같이, 용사 토치(1405)로부터 금속재료(1403)를 용사하고, DFR(1402)의 홈 패턴 중에 퇴적시킴으로써, 어드레스 전극(101)을 형성한다. 금속 재료(1403)로서는 예를 들면 평균 입자 직경이 10μm인 알루미늄분말을 사용하여, 플라즈마 작동 가스를 아르곤(공급량 10리터/분)으로서, 플라즈마 전류를 500A로 한다.
여기서, 금속 재료(1403)의 용사시에 사용되는 용사 토치(1405)에서는 금속재료 분말(용사 재료) 공급부가 용사 토치(1405)의 외측에 설치되는 것이 바람직하다. 이것은 금속 재료의 융점이 낮기 때문에, 금속 분말(용사 재료) 공급부가 용사 토치의 내부에 설치되어 있으면, 금속 재료가 용사 토치(1405)의 내벽(예를 들면 공급부의 내벽)에 부착하는 스피팅 현상이 생기어, 양호한 용사 프로세스를 실시할 수 없기 때문이다.
다음에, DFR을, 예를 들면 온도 40℃의 아민계 유기 알칼리 액을 박리액으로사용하여 박리하고, 도 17c와 같이, 기판(100) 위에 어드레스 전극(금속 전극)(101)을 잔존시킨다.
계속해서, 용사 토치(1408)로부터 절연 재료(1406)를 사용하여, 어드레스 금속(금속 전극)(101)을 덮는 하지 유전체 층(1407)을 기판(100) 위에 형성한다. 금속 재료(1406)로서는 예를 들면, 경도 분포가 5μm 내지 15μm인 알루미늄 분말을 사용하고, 하지 유전체 층(1407)은 예를 들면, 80μm로 한다. 또, 절연 재료(1406)의 용사시에 사용되는 용사 토치(1408)에서는 고융점의 절연 재료(1406)가 충분히 용융되도록, 절연 재료 공급부가 용사 토치(1408)의 내부에 설치되는 것이 바람직하다.
또, 상기에서는 용사 프로세스에 의해서만 소정 두께의 하지 유전체 층(1407)을 형성하고 있지만, 그 대신에, 용사에 의해 형성된 하지 유전체 층(1407)의 표면을 연마하여, 그 두께를 조절하는 것도 가능하다.
상기와 같이 하여 용사법에 의해 어드레스 전극(101) 및 하지 유전체 층(1407)을 형성한 후에는 먼저 도 3b, 도 3g를 참조하여 설명한 프로세스에 의해 소정 형상의 격벽을 용사 프로세스에 의해 형성한다.
격벽과 그 하지의 유전체 층을 동일한 재료로 형성하면, 양자간의 밀착성이 향상한다. 또, 어드레스 전극, 하지 유전체 층 및 격벽을 모두 용사법에 의해 형성하면, 이들의 형성시에 소성 공정이 일체 불필요하게 되어, 대량의 전기 에너지를 소비하는 소성로의 사용이 불필요하게 되므로, 소비 에너지, 제조 비용 및 제조 시간의 절감이 가능하게 된다. 또한, 소성시에 필요한 페이스트 재료와는 다르고, 납 성분을 포함하지 않은 용사 재료에 의해 어드레스 전극, 하지 유전체 층 및 격벽을 형성할 수 있으므로, 경계와의 적합성이 우수한 격벽의 제조 공정이 실현된다.
도 18은 본 발명에 따라 형성된 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 연속 점등 시의 방전 전압의 경시적 변화를 도시한 도이다. 이와 같이, 본 발명에 따라 형성된 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 연속 점등 시에 있어서, 안정한 방전 전압이 장기간에 걸쳐 얻어진다.
또, 이상의 설명에서는 감광성 드라이 필름 레지스트(DFR)로 하고 있지만, 이것을 대신하여 다른 재료를 사용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 감광성 드라이 필름 레지스트(DFR) 대신에, 감광성 액상 재료를 스피너를 사용하여 도포함으로써 감광성 피복층을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 상기의 설명에서는 용사법으로서 플라즈마 용사법을 예로 들어 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 동일한 용사 공정이 실시 가능한 다른 용사 프로세스를 대신 사용하여도, 위에서 설명한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 플라즈마 디스플레이 패널에서의 격벽을 용사법에 의해 형성함으로써, 격벽을 소성 공정을 사용하지 않고 형성할 수 있다. 또, 대면적이며 동시에 결함이 없는 격벽을 형성할 수 있으므로, 저비용으로 고품질의 플라즈마 디스플레이 패널을 실현하는 것이 가능하게 된다.
Claims (26)
- 방전 공간을 규정하는 격벽이 격벽 재료의 용사에 의해 형성된 용사막으로 구성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,한 쌍의 기판과 해당 한 쌍의 기판 사이에 배치된 전극, 유전체 층 및 형광체층을 또하는 구비하고 있으며,상기 격벽은 해당 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 있고,상기 방전 공간에는 가스 매체가 밀봉되어 있고, 해당 가스 매체의 방전에 따라 발생된 적외선이 해당 형광체층의 조사시에 가시광으로 변환되어, 이것에 의해 발광하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 격벽은 그의 저면부로부터 소정의 높이까지는 제 1 격벽 재료로 형성되며, 해당 소정 높이로부터 정상부까지는 제 2 색의 격벽 재료로 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 색은 백색이고, 상기 제 2 색은 흑색인 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 4 항에 있어서,제 1 색의 격벽 재료가 산화알루미늄 혹은 스피넬이며, 상기 제 2 색의 격벽 재료가 산화크롬, 산화티타늄, 혹은 산화알루미늄과 산화티타늄의 혼합물 또는 용융 물질인 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 용사가 플라즈마 용사인 플라즈마 디스플레이 패널.
- 방전 공간을 규정하는 격벽을 격벽 재료의 용사에 의해 형성된 용사막으로 구성하는 격벽 형성 공정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 격벽 형성 공정은기판 위에는 감광성 피복층을 형성하는 공정과,해당 감광성 피복층에 소정 패턴의 개구부를 형성하는 공정과,적어도 해당 개구부의 내부에 용사법에 의해 상기 격벽 재료를 소정의 높이까지 퇴적시켜, 상기 용사를 형성하는 공정과,해당 감광성 피복층의 표면보다도 돌출되어 있는 해당 용사막 부분을 연마에 의해깍아내는 연마 공정과,해당 감광성 피복층을 제거하여, 소정 형상의 상기 격벽을 수득하는 공정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 용사가 플라즈마 용사인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴의 개구부, 정상부보다도 저면부가 넓은 사다리꼴의 단면형상을 갖고 있고, 동시에, 해당 단면형상의 저면각이 60도 이상이며 동시에 90도 미만인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴의 개구부의 상기 정상부의 폭이, 100μm 이하인 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,적어도 용사 입자가 상기 기판과 밀착하는 부분에서의 용사시의 플라즈마 에너지 량을 A로 했을 때에, 상기 격벽이 해당 플라즈마 에너지 량(A)으로 제 1 격벽 재료를 퇴적시켜 형성된 제 1 층과, 해당 플라즈마 에너지량(A)보다도 작은 플라즈마 에너지 량으로 해당 제 1 층 위에 상기 소정 높이까지로, 제 2 격벽 재료를 퇴적시켜 형성된 제 2 층을 적어도 포함하는 다층 구조를 구비하고 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 용사가 플라즈마 작동 가스로서 적어도 아르곤 가스 혹은 아르곤 가스와 헬륨 가스의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마 용사인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 플라즈마 작동 가스가 상기 아르곤 가스와 헬륨 가스의 혼합 가스이고, 해당 헬륨 가스의 첨가량을 바꾸는 것으로 플라즈마 에너지 량를 변화시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 감광성 피복층에 형성된 상기 소정 패턴의 개구부의 상기 정상부의 폭이 Wa일 때, 상기 격벽 재료의 분말의 일차 입자 직경(D)이 5μm 이상이며 동시에 0.7·Wa 이하의 범위내에 있는 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 용사막의 형성 공정은 상기 격벽 재료의 퇴적과 동시에 상기 감광성 피복층 위에 부착한 용사 입자를 제거하는 공정을 또한 포함하는 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판을 이면으로부터 가열하여 해당 기판내의 온도 분포를 소정의 범위내에 유지하는 공정을 또한 포함하는 플라즈마 디스플레이 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판의 표면을 냉각하여 해당 기판내의 온도 분포를 소정의 범위내에 유지하는 공정을 또한 포함하는 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 용사막의 형성 공정은 상기 기판의 표면으로부터의 가열 및 해당 기판의 표면의 냉각을 행하여, 해당 기판내의 온도 분포를 소정의 범위내에 유지하는 공정을 또한 포함하는 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 연마 공정은 상기 감광성 피복막을 그의 표면으로부터 약 10μm의 깊이까지 잘라내는 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 용사막의 형성 공정은 상기 격벽의 긴쪽 방향으로 직교하는 방향에 용사 토치를 이동시키는 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 감광성 피복막의 제거 후에, 형광체층을 형성하는 공정을 또한 포함하는 플라즈마 디스플레이 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 격벽의 결손 개소에 소정의 페이스트 재료를 충전하는 공정과,상기 감광성 피복막의 제거 후에 형광체 층을 소성에 의해 형성하는 공정을 또한 포함하며,해당 소정의 페이스트 재료는 해당 형광체층의 소성 공정으로 경화하는 재료인 플라즈마 디스플레이의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 격벽을 그의 저면부로부터 소정의 높이까지는 제 1 색의 격벽 재료의 용사에 의해 형성하고, 해당 소정 높이로부터 정상부까지는 제 2 색의 격벽 재료의 용사에 의해 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 색은 백색이며, 상기 제 2 색은 흑색인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,제 1 색의 격벽 재료가 산화 알루미늄 혹은 스피넬이며, 상기 제 2 색의 격벽 재료가 산화크롬, 산화티타늄, 혹은 산화알루미늄과 산화티타늄의 혼합물 혹은 용융 물질인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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