KR20010006204A

KR20010006204A - 반도체 장치 및 그 제조방법 및 반도체 밀봉용 수지 조성물

Info

Publication number: KR20010006204A
Application number: KR1019997009284A
Authority: KR
Inventors: 츠츠미야스아키; 다나카마사유키; 가와하라도시미; 다키가와유키오
Original assignee: 히라이 가쯔히꼬; 도레이 가부시끼가이샤; 아끼구사 나오유끼; 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1999-02-08
Publication date: 2001-01-26
Also published as: US6361879B1; KR100553841B1; WO1999040626A1; TW436497B

Abstract

반도체 소자의 한 면위에 수지 조성물의 필름이 형성된 반도체 장치로서, 상기 수지 조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치, 및 반도체 소자의 한면위에 수지 조성물의 필름이 형성된 반도체 장치를 밀봉하기 위한 수지 조성물로서, 수지조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물이며, 신뢰성의 향상, 칩사이즈의 반도체장치 및 웨이퍼상에서 양호한 막이 형성될 수 있고, 웨이퍼의 뒤틀림이 적어지고, 신뢰성이 높은 반도체 밀봉용 수지 조성물을 얻을 수가 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법 및 반도체 밀봉용 수지 조성물{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR SEALING RESIN COMPOSITION}

휴대용 기구를 소형화 하는 오늘날의 경향에 따라, 그들 기구에 응용되는 반도체 장치 분야에서도 훨씬 작고 얇게 그리고 질은 훨씬 개선되어 가고 있다. 종래의 반도체 장치는 반도체 소자와 리드 프레임으로 구성되어 있고, 그 소자는 양면에 수지로 밀봉된 인쇄회로배선기판위에, 소자를 장착하기 위해 필요한 외부 전극(핀)은 제외 되었다. 그러므로,리드 프레임 및 반도체 소자를 패키지 하는 새로운 방법을 개발하는것이, 지금까지 반도체 장치를 소형화 하는데 필요한 목표로 되어왔다. 얇은 반도체 장치를 위해서, 밀봉하는 수지의 두께가 감소되고 있다.

그러한 기술 개발을 통하여, 반도체 장치의 밀봉수지의 체적은 감소되어 왔고, 얇은 TSOP(얇은 소형의 아우트라인 패키지)와 다중핀 QFP(사각 평면 패키지)가 시장에 나왔다.

다른 한편으로, 소자-사이즈 반도체 장치에 대해서, 충전제 주입아래 플립소자 결합이나, 그들의 기저에서 범프의 외부 전극의 수지 재강화에 알맞는 몇몇 제안이 있어왔다.

그러나, 플립 소자 결합은 패키지 제조업자에게 높은 수준의 패키지 기술을 요하고, 게다가 패키지 비용도 증가한다. 범프의 기저에서 수지 재강화는, 비록 패키지 비용은 증가되지 않는다 하더라도 반도체 장치의 신뢰성을 떨어 뜨린다.

본 발명의 주제는 저 비용으로 고도로 신뢰할 수 있는 소자-사이즈 반도체 장치를 제공하는 것이다.

다른 한편으로는, 웨이퍼에서 반도체 소자를 밀봉하는 방법은, 웨이퍼의 전 면위에 수지를 밀봉하여 아무 흠이없이 좋은 필름을 형성하는 종래기술이 어렵다는 점, 웨이퍼는 종래의 수지로 완전히 밀봉될 때 종종 뒤틀리는 점, 온도순환 저항 및 내습성을 포함하고 있는 반도체 장치의 신뢰성이 부족하다는 점에서 미심쩍다.

본 발명의 다른 주제는, 웨이퍼에서 동시에 모든 수지 조성물로 밀봉하는 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 적게 뒤틀리는 웨이퍼로 웨이퍼상 좋은 필름을 형성 가능하게 하는, 고도로 신뢰할 수 있는 반도체 밀봉용 수지 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 반도체 장치에 관한 발명으로서, 특히 한 면이 그위에 수지 조성물의 필름을 형성한 반도체 소자를 포함하고, 또 반도체 장치를 밀봉하기 위한 반도체 밀봉용 수지 조성물에 관한 것이다. 엄밀하게는, 본 발명은 다음의 웨이퍼내에있는 반도체 소자의 밀봉과정에 따라 그것들을 절단함으로써 제조된 반도체에 관한 것이고, 반도체 장치를 밀봉하기 위한 수지 조성물에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 반도체 장치의 한 실시예를 보여 주는 수직 단면도;

도 2는 본 발명의 반도체 장치에 대한 웨이퍼의 한 실시예를 보여 주는 평면도.

본 발명은, 소자의 한 면위에 형성된 수지 조성물의 필름을 가지고 있고, 상기 수지 조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치이다.

본 발명은 또한, 소자의 한 면위에 수지 조성물의 필름이 형성된 반도체 장치를 밀봉하기 위한 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물이다.

본 발명의 반도체 장치는, 반도체 소자의 한 면위에 형성된 수지 조성물의 필름을 가지고 있다. 그것은, 도 1 및 도 2와 같이 소자의 웨이퍼의 전체 면위에 수지 조성물의 얇은 필름을 형성하기 위해, 수지 조성물로 웨이퍼에서 반도체 소자를 밀봉함으로써, 그리고 수지로 코팅된 웨이퍼를 개별의 반도체 장치로 절단함 으로써 제조된다. 웨이퍼에서 반도체 장치는 그후에 형성된 외부 전극을 가지고 있다. 본 방법에 따라, 사이즈 면에서 IC소자(반도체 소자)와 같은 IC패키지(소자 사이즈 패키지 또는 CSP)는 능률적이고 값싸게 제조된다. 반도체 장치 제조에서 사용된 웨이퍼의 사이즈는 특별히 한정 되지 않고, 본 발명의 실시예는 예를들어 6인치 웨이퍼, 8인치 웨이퍼, 12인치 웨이퍼등을 포함하는 반도체 장치에 대한 모든 사이즈의 통상의 웨이퍼 이다. 반도체 장치를 위해 반도체 소자 위에 형성된 수지 조성물의 두께는 또한 특별히 한정 되지 않고, 일반적으로, 30∼2000㎛두께로 감소하고, 바람직하게는 30∼300㎛, 더 바람직하게는 30∼150㎛ 두께로 감소한다.

본 발명의 반도체 장치에 사용되는 수지 조성물은, 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하이다. 만일 지시된 조건에서 수지 조성물의 선팽창 계수가 한정된 범위를 넘으면, 수지 조성물의 필름으로 코팅된 소자 웨이퍼는 뒤틀릴 것이고, 개별의 소자로 편리하게 절단 되지 않는다. 게다가, 만약 그렇다면 온도 순환 저항을 포함하여, 웨이퍼로부터 소자를 가진 반도체 장치의 신뢰성은 바람직하지 못하게 떨어질 것이다.

수지 조성물의 필름으로 코팅한 소자 웨이퍼의 뒤틀림을 더욱 감소하기 위하여, 그리고 반도체 장치의 온도 순환 저항과 같은 신뢰성을 개선하기 위하여, 23。C에서 1GPa 부터 3GPa의 곡률 모듈을 가지는 수지 조성물이 요구된다.

더욱 요구되는 것은, 수지 조성물은 5×10^-5GPa/K 와 30×10^-5GPa/K 사이로 떨어지는 (글라스 전이점 보다 높지 않은 온도 에서 선 팽창계수)×(23。C에서 곡률 모듈) 조건을 만족한다.

본 발명의 수지 조성물은,앞서 지시된 특성을 만족하는한 특별히 한정 되지 않는다. 이것에 대해, 예를들면 열가소성 수지 및 열경화성 수지가 실시 조건에 알맞다. 신뢰성의 관점에서 보면, 특별히 바람직 한 것은 열경화성 수지이다. 예를들면, 여기에서 알맞은 것은 에폭시 수지 조성물, 폴리 이미드 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물등이다. 그것들중 에폭시 수지 조성물이 특히 바람직하다.

본 발명에서 사용하기 위하여, 에폭시 수지 조성물은 (A)에폭시 수지, (B)경화제, (C)충전제를 포함하고 있다. 배합조성을 보면, 에폭시 수지(A)의 양은 0.5에서 80%의 중량이나, 바람직하게는 1에서 50% 중량, 더욱 바람직하게는 2에서 30% 중량,경화제(B)의 양은 0.5에서 80%의 중량이나, 바람직하게는 1에서 50% 중량, 더욱 바람직하게는 2에서 30% 중량, 충전제(C)의 양은 35에서 98%의 중량이나, 바람직하게는 40에서 95% 중량, 더욱 바람직하게는 45에서 90% 중량이다.만약 배합조성이 각 구성 성분에 대해 한정된 범위를 넘으면, 수지조성물은 소자 웨이퍼 상에 좋은 필름을 형성하지 못하거나, 또는 그 필름을 가진 반도체 장치의 신뢰성은 떨어질 것이다. 이러한 이유로 인해, 한정된 범위를 넘는것은 바람직하지 못하다.

본 발명의 수지 조성물에 있는 에폭시 수지(A)는, 한개의 모듈에서 최소한 두개의 에폭시군을 가지지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를들면, 에폭시 수지는 비스페놀형 에폭시 수지, 비스 페놀 F형 에폭시 수지, 크레졸-노볼락형 에폭시 수지, 페놀-노볼락형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 알리시클릭 에폭시 수지, 선형 알리파틱 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 다관능성 페놀로부터 생산되는 다관능성 에폭시 수지, 디클로 페타디엔형 에폭시 수지, 할로겐 에폭시 수지등을 포함하고 있다. 물론, 크레졸-노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디클로페타디엔형 에폭시 수지, 트리신드록시페닐메탄형 또는 테트라페닐로레탄형 페놀과 같은 다기능기 페놀로부터 다기능기 에폭시 수지 뿐만아니라, 4,4′-비스(2,6-에폭시프로폭시)-3,3′,5,5′-테트라메닐비페닐, 4,4′비스(2,6-에폭시프로폭시)메틸비페닐등과 같은 비페닐형 에폭시 수지가 신뢰성과 필름형성 능력의 면에서 바람직 하다.

본 발명의 수지 조성물에 있는 경화제(B)는, 에폭시 수지(A)와 반응하여 경화하는 한, 또한 특별히 한정되지 않는다. 그것의 특별한 예는 페놀-노볼락 수지, 크레졸-노볼락 수지, 페놀-알알킬 수지, 페놀 수지골격을 가진 테르펜 , 트리신드록시페닐메탄, 비스 페놀 A와 레조시놀로부터 생산되는 노볼락 수지 및 레졸 수지, 폴리비닐페놀등과 같은 폴리페놀 화합물, 헥사하이드로프탈 무수물,메틸헥사하이드로프탈 무수물, 메틸나드 무수물, 말레 무수물등과 같은 산 무수물, 및 메틸페닐레네디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노펜 술폰등을 포함하고 있다. 물론, 특별히 바람직한 것은 신뢰성과 필름 형성의 관점에서, 모듈내 최소한 두개의 페놀 히드록실 군을 가지는 페놀 수지가 바람직하다. 예를들면, 그들은 페놀-노볼락 수지, 페놀-알알킬 수지, 페놀 골격을 가진 테르펜, 트리신드록시페닐메탄등을 포함하고 있다. 둘 또는 그 이상의 경화제(B)는 조합되어 사용될 수 있다. 바람직한 조합으로는 페놀-알알킬 수지를 가진 테르펜-페놀 수지 및 다기능기 수지를 가진 테르펜-페놀 수지가 언급되었다.

본 발명의 수지 조성물에 있어 충전제(C)는 무정형의 실리카, 결정성의 실리카, 칼슘 탄산염, 마그네슘 탄산염, 알루미나, 마그네시아, 점토, 활석, 칼슘 실리케이트, 티타늄 옥사이드, 안티몬 옥사이드, 아스베스토, 유리 섬유등을 포함하고 있다. 물론, 바람직한 것은,조성물의 선팽창계수가 대단히 낮고,조성물의 신뢰성을 개선하는데 효과적인 무정형의 실리카이다. 무정형의 실리카의 예로는, 석영을 녹여서 조제된 융합 실리카 및 다양한 방법으로 조제된 합성 실리카가 있다. 그들은 모암 또는 구 일수 있다.

본 발명의 수지 조성물은, 반도체 장치의 뒤틀림을 감소하고, 그것의 온도 순환 저항을 개선하는데 효과적인 엘라스토머(D)를 포함할 수 있다. 예를들어, 엘라스토머는 EPR,EPDM,SEBS등과 같은 올레핀 혼성중합체 고무; 니트릴 고무와 같은 디엔 고무, 폴리부타디엔 고무등 ; 아크릴 고무, 실리콘 고무, 수정된 실리콘 고무등을 가지고 있다. 엘라스토머(D)와는 별도로, 조성물은 폴리에틸렌과 같은 열 가소성 수지 또는 스트레스 경감제로서 작용하는 것과 같은 것을 포함하고 있다. 비록 특별하게 한정되지 않았다 하더라도, 본 발명의 수지 조성물에서 엘라스토머와 그와 같은 것의 양은 일반적으로 0.05와 20% 중량으로 떨어지나, 바람직하게는 0.1과 10% 중량 사이, 더 바람직하게는 0.2와 5% 중량 사이가 바람직하다.

본 발명의 수지 조성물은 또한 에폭시 수지(A)와 경화제(B)의 경화 작용을 촉진할 수 있는 경화 촉매를 포함하고 있다. 경화 촉매는 그것이 경화 작용을 촉진 하는한 특별히 한정되지 않는다. 예를들면, 2-메틸이미다졸, 2-메틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸등과 같은 이미다졸 화합물; 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, α-메틸벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이시크로(5,4,0)운데신-7, 1,5-디아자바이시클로(4,3,0)노네-5 등과 같은 제3의 아민 화합물; 지르코늄 테트라메톡사이드, 지르코늄 테트라프로폭사이드, 테트라키스(아세틸아세토나토)지르코늄, 트리(아세틸아세토나토)알루미늄 등과 같은 유기 금속 화합물; 트리페닐포스핀, 트리메틸포스핀, 트리틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(P-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 트리페닐포스핀-트리페닐보레인, 테트라페닐포스포니움 테트라페닐보레이트 등과 같은 포스핀 화합물을 포함한다. 그것들중 반응성의 관점에서 바람직한 것은 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포니움 테트라페닐보레이트 및 1,8-디아자바이시클로(5,4,0)운데신-7 이다. 수지 조성물의 사용에 의존하여, 혼합된 둘 또는 그 이상의 경화 촉매가 조성물내에 있다. 조성물내 촉매의 양은, 에폭시 수지의 중량 100에 대해 상대적으로 0.01내지 10이 바람직 하다.

본 발명의 수지 조성물은 결합제, 예를들면 실란 결합제, 타타네이트 결합제 또는 그와 유사한 것을 함유하고 있다. 조성물의 신뢰성의 관점에서, 조성물에서 충전제의 표면을 결합제로 사전에 조치하는 것이 요망된다. 바람직하게는, 본 발명에서 사용하기 위한 실란 결합제는 알콕시 기와 "예를들면 에폭시 기, 아미노 기, 메르캅토 기 또는 그곳에 결합된 것과 유사한 작용기를 가진 탄화수소 기를 가지고 있고, 양자는 그것을 구성하는 실리콘 원자에 결합되어 있다.

본 발명에서 에폭시 수지는, 할로겐 에폭시 수지등과 같은 할로겐 화합물 ; 포스포 화합물과 같은 난연성물 ; 안티모니 트리옥사이드등과 같은 난연 촉진제 ; 카본 블랙, 아이론 옥사이드등 과 같은 착색제 ; 긴 사슬 지방산, 긴 사슬 지방산의 에스테르, 긴 사슬 지방산의 아미드, 파라핀 왁스등과 같은 성형 윤활제 ; 및 유기 페록사이드 등과 같은 가교결합제등을 함유한다.

본 발명의 수지 조성물은, 반도체 장치를 그것으로 밀봉하는 단계로 소자 웨이퍼상에 조성물의 필름이 형성되는 온도에서, 점도 0.1에서 1500 Pa·S 를 가지나, 바람직하게는 0.5 에서 40 Pa·S ,더 바람직하게는 1 에서 10 Pa·S 의 점도를 가질 수 있다. 조성물의 점도의 범위는, 소자 웨이퍼의 전 면위에 아무 결함이 없는 조성물로 좋은 필름을 능률적이고 균일하게 만들기 위해 바람직하다.

본 발명의 수지 조성물은 반도체 소자를 가진 웨이퍼 상에 적용되고, 그것에 의하여 소자 웨이퍼의 전 표면에 조성물의 얇은 필름을 형성한다. 소자 웨이퍼 상에 조성물의 필름을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는데, 예를들면 포팅(potting), 스크린 인쇄(screen printing), 트랜스퍼 성형(transfer molding) 등이 실시 가능하다. 특히, 수지 필름을 형성하는 용이성과 형성된 필름의 신뢰성의 관점에서, 트랜스퍼 성형이 바람직하다.

소자 웨이퍼 상에 본 발명의 수지 조성물의 필름을 형성하는 것은, 수지 필름과 소자 사이의 접착성을 증가 시키기 위하여, 바람직하게는 최소한 0.5 MPa 의 압력 이하가, 더욱 바람직하게는 0.5 에서 30 MPa 이하가 효과적이다. 최소한 0.5 MPa 의 압력아래 형성된 필름과 소자 사이의 접착성은, 증가하고, 그 결과 필름이 소자로부터 벗겨져 떨어져 나가기가 어렵고, 소자를 가진 반도체 장치의 신뢰성은 증가한다. 게다가, 생산 비용은 용이하게 내려간다. 필름 형성을 위한 압력이 30 MPa 보다 내리면, 셰이핑머신의 능력을 올리기 위한 것이 더이상 불필요하고, 생산 비용도 저가를 유지할 수 있다.

압력하에서 수지 필름을 형성하기 위해 어떤 장치도 사용될 수 있는데, 그러나 트랜스퍼 성형기와 같은 종래 성형기가 바람직하다.

[실시예]

본 발명은 다음의 실시예와 비교예를 참조로 구체적으로 개시되었고, 거기에서 %는 중량에 대한 것이다.

[실시예 1 ∼32, 비교예 1∼9]

[수지 조성물의 제조]

다음의 충전제, 에폭시 수지, 경화제, 엘라스토머와 다른 첨가물이 표 1-4 에서 지적된 바와 같은 비율로 공식화 되었고, 건조 상태에서 혼합 되었다. 결과 혼합물은 90。C 의 수지 온도에서, 쌍축 압축 성형기내에서 녹아서 반죽된다. 그렇게 반죽된 후에, 수지 조성물을 얻기 위하여 냉각 되고 연마된다.

에폭시 수지(A):

경화제(B):

B-1:페놀노볼락 수지는 히드록실 등가물(105)을 가지고 있다.

B-2:다음과 같은 구조식의 페놀-알알킬 수지는 히드록실 등가물(175)을 가지고 있다.

B-3:트리시드록시페닐메탄은 히드록실 등가물(97)을 가지고 있다.

B-4:다음과 같은 구조식의 폴리페놀 골격을 가진 테르펜은 히드록실 등가물(175)을 가지고 있다.

B-5:다음과 같은 구조식의 테르펜-디페놀 수지는 히드록실 등가물(175)을 가지고 있다.

충전제(C):구형의 퓨즈된 실리카는 12㎛ 의 평균 그레인 사이즈를 가지고 있다.

엘라스토머(D):

D-1:클레이톤 G1652(SEBS) (쉘 케미칼 가부시키가이샤 제).

D-2:플로비드 HE-5023 (폴리에틸렌,수미토모 세이카 가부시키가이샤 제).

경화 촉진제:트리페닐포스핀.

착색제:카본 블랙.

실란 결합제:N-페닐-Υ-아미노프로필트리메톡시실란.

[용융 점도의 측정]

수직 유량검사기를 사용함으로써, 각 수지 조성물의 점도는 180。C 에서 측정 된다.

[선팽창계수의 측정]

트랜스퍼 성형기(transfer molding machine)를 사용함으로써, 각 수지 조성물은, 이송압력 3 MPa 하에서 3분의 몰드기 동안 180。C 의 몰드온도에서 성형(mold)되고, 그런다음 테스트 피스를 준비하기 위하여 5시간 동안 180。C 의 온도에서 후 경화 한다.

각 테스트 피스에서 온도증가와 관련된 디멘젼의 변화는 TMA(thermal mechanical analysis)를 통해 결정되었다. 그 디멘젼 변화에서 나타난 곡률점은 실험한 샘플의 글라스 전이점을 기리킨다. 그 점보다 높지 않은 온도에서, 샘플의 선팽창계수는 α1 으로 표현 되었다.; 그보다 낮지않은 온도에서 α2로 표현 되었다.

[곡률 탄성율의 측정]

테스트 피스를 구부리는것은 선팽창 계수를 측정하기 위한 조건과 동일한 조건으로 준비되었고, 23。C 에서 3점-벤딩 테스트에 종속 되어있다.

[소자 웨이퍼상 수지 조성물의 필름 형성]

트랜스퍼 성형기(transfer molding machine)을 사용함으로써, 수지 조성물의 필름은 도 2에서와 같이, 180。C 온도, 표 1-4와 같이 변화하는 성형 압력, 그리고그 압력에서 3분간의 시간에서 6인치 웨이퍼 상에 형성되었다. 그 다음 수지로 코팅된 웨이퍼는 180。C 에서 5시간 동안 후-경화 하고, 그것의 특성은 측정되고 평가 되었다.

[필름 두께 및 필름 불량율의 측정]

접촉면 거칠기미터와 마이크로미터를 사용함 으로써, 각 웨이퍼에 형성된 수지 조성물의 필름 두께는 측정된다. 5개의 웨이퍼가 하나의 수지 조성물의 샘플을 위해 테스트되었고, 필름 두께는 각 웨이퍼내 40 포인트에서 측정되었다.

필름 불량율은 설정치의 +/-20 % 벗어난 두께의 필름 백분율을 가리킨다.

[웨이퍼 뒤틀림의 측정]

접촉면 거칠기 미터를 사용함 으로써, 수지 조성물의 필름으로 코팅된 각 웨이퍼의 뒤틀림의 정도는 측정된다.

[온도 사이클 테스트]

수지 조성물의 필름으로 코팅된 웨이퍼는, 도 1과 같이 개별의 반도체 장치(10×10㎜)로 절단되고, 각 장치는 -65。C 에서 150。C 의 온도 사이클 테스트에 종속 되어 있다. 실시예 1∼8 과 비교예 1∼4 의 샘플은 500사이클에 종속되었고, 실시예 9∼32 와 비교예 5∼9 의 샘플은 1000 사이클에 종속 되었다. 테스트 후에, 각 샘플은 육안과 광학 현미경으로 체크된었다. 반도체 소자로부터 벗겨져 나간 수지 필름이 있는 샘플은 NG (not good)로 판정 되었다.

테스트 데이타가 표 1∼4 에 보여 졌다.

표 1과 표 3 에서 보여 주듯이, 반도체 장치의 제조에 사용되는 것으로써, 본 발명의 수지 조성물 샘플은 웨이퍼상에 좋은 필름을 형성한다. 이 경우에, 필름 불량율은 낮고, 코팅된 웨이퍼는 적게 뒤틀린다. 게다가, 모든 반도체 장치는 좋은 온도 사이클 저항을 가졌다. 특히, 수지 조성물 및 반도체 장치가 사용되면, 그것은 낮은 비용으로 효율적으로 제조된 좋은 온도 사이클 저항을 가진,고도로 신뢰할 수 있는 소자-사이즈 패키지로 이해된다.

실시예 1∼8 에 있는 데이타로부터, 수지 조성물이 60×10^-6/K 보다 크지 않은 α1과 140×10^-6/K 보다 크지 않은 α2의 선팽창계수를 가질때, 코팅된 웨이퍼는 적게 뒤틀리고 좋은 온도 사이클 저항을 가짐을 볼 수 있다. 다른 한편으로는, 선팽창계수가 비교예 1∼2 의 웨이퍼에 있는 값보다 큰 수지 조성물을 가진, 코팅된 웨이퍼는 많이 뒤틀리고 온도 사이클 저항은 나쁘지 않다.

실시예 9∼32 에 있는 데이타로부터, 사용된 수지 조성물의 곡률 모듈이 30 GPa 보다 크지 않을 때 및 조성물의 (α1×곡률 모듈)생산량이 5∼30×10^-5/K 사이로 떨어질 때, 코팅된 웨이퍼는 적게 뒤틀리고, 더 좋은 온도 사이클 저항을 가졌다.

표 2 및 표 4와 같이, 사용된 수지 조성물의 곡률 모듈이 30 GPa (비교예 샘플)보다 더 크거나, 비록 곡률 모듈이 30 GPa (비교예 6,7 의 샘플)보다 크지 않을 지라도 조성물의 (α1×곡률 모듈)생산량이 30×10^-5/K 보다 클때, 코팅된 웨이퍼는 많이 뒤틀리고 그들의 온도 사이클 저항은 나쁘다.

비록, 곡률 모듈 α1, α2 및 수지 조성물의 (α1×곡률 모듈)생산량이 모두 본 발명의 한정된 범위내에 있고, 다만 그 용융점도가 50 GPa (비교예 8의 샘플)보다 크고, 그래서 필름 불량율이 클때 일지라도, 코팅된 웨이퍼는 많이 뒤틀리고 그들 온도 사이클 저항은 나쁘다고 이해된다.

비록, 수지 조성물의 조직이 본 발명의 한정된 범위내로 떨어지고, 다만 그에 대한 성형 압력이 0.5 MPa (비교예 9의 샘플)보다 낮고, 그래서 필름 불량율이 클때 일지라도, 코팅된 웨이퍼는 많이 뒤틀리고 그들 온도 사이클 저항은 나쁘다고 또한 이해된다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 장치는 높은 신뢰성을 가지며, 특히 소자-사이즈 반도체 패키지에 알맞다. 게다가, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지 조성물은 소자 웨이퍼상에 좋은 필름을 형성하고, 웨이퍼는 뒤틀림이 적은 조성물의 필름으로 코팅된다. 그러므로, 조성물은 높은 신뢰성이 있고, 극히 유용한 것이다.

Claims

반도체 소자의 한면 위에 수지 조성물의 필름이 형성된 반도체 장치에 있어서, 상기 수지 조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하 및 그것의 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1 항에 있어서, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼상에 수지조성물의 필름을 형성한 후에 개별적으로 절단하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 수지 조성물의 필름의 두께가 30∼2000㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한항에 있어서, 수지 조성물의 필름의 두께가 30∼300 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한항에 있어서, 수지 조성물의 필름의 두께가

30∼150 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
반도체소자의 한 면위에 형성된 수지 조성물의 필름이 형성된 반도체 장치를 밀봉하기 위한 수지 조성물에 있어서, 수지조성물의 글라스 전이온도이하의 선팽창계수가 60×10^-6/K 이하이고, 그 글라스 전이온도이상의 선팽창계수가 140×10^-6/K 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항에 있어서, 23℃ 에 있어서의 곡률탄성율이 1 GPa 이상 30 GPa 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, (글라스 전이온도이하의 선팽창계수)×(23℃ 에서의 곡률 탄성율)이 5×10^-5GPa/K 이상, 30×10 GPa^-5/K 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 8 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치가, 반도체소자가 형성된 웨이퍼상에 수지 조성물의 필름을 형성한 후에 개별적으로 절단하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 9 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치가, 반도체 소자가 되고, 그 반도체 소자에 외부전극이 형성된 웨이퍼상의 수지 조성물의 필름을 형성한 후에 개별적으로 절단하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 10 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시(A), 경화제(B), 및 충전제(C)로 구성된 수지조성물에서, 그 수지 조성물중의 배합량이 에폭시 수지(A) 0.5∼80중량%, 경화제(B) 0.5∼80중량% 및 충전제(C) 35∼98중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 10 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A), 경화제(B) 및 충전제(C)로 구성된 수지조성물에서, 그 수지 조성물중의 배합량이 에폭시 수지(A) 2∼30중량%, 경화제(B) 2∼30중량%, 및 충전제(C)가 45∼90중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 10 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A), 경화제(B) 및 충전제(C)를 포함하고, 상기 에폭시 수지의 양이 2∼30%, 상기 경화제의 양이 2∼30%, 상기 충전제의 양이 45∼95% 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A)는 최소한 하나의 바이페닐형 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A)는 최소한 하나의 디클로펜타디엔형 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A)가 다관능성 페놀로부터 생산되는 최소한 하나의 다관능성 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한항에 있어서, 에폭시 수지(A)는 최소한 하나의 나프탈렌형 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 분자내에 최소한 두개의 페놀성 수산기를 가지는 최소한 하나의 페놀수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 최소한 하나의 페놀-노볼락 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 최소한 하나의 페놀-알알킬 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 최소한 하나의 테르펜-페놀 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 최소한 하나의 다관능성 페놀 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 테르펜-페놀 수지 및 페놀-알알킬 수지를 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 11 항 내지 제 17 항중 어느 한항에 있어서, 경화제(B)는 최소한 하나의 테르펜-페놀 수지 및 다관능성 페놀 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 25 항중 어느 한항에 있어서, 수지조성물중에 최소한 하나의 엘라스토머(D)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 25 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치를 밀봉하는 공정에서 트랜스퍼 성형에 의한 반도체소자의 표면에 수지 조성물의 필름이 형성되어 있는 것을 특징으로하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 26 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치를 밀봉하는 공정에서 반도체 소자의 표면에 수지 조성물의 필름을 형성할 수 있는 온도에서의 그 수지조성물의 점도가 0.1∼1500 Pa·S 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 26 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치를 밀봉하는 공정에서 반도체 소자의 표면에 수지 조성물의 필름을 형성할 수 있는 온도에서의 그 주시조성물의 점도가 0.5∼40 Pa·S 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 26 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치를 밀봉하는 공정에서 반도체 소자의 표면상에 수지조성물의 필름을 형성할 수 있는 온도에서의 그 수지 조성물의 점도가 1∼10 Pa·S 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항 내지 제 29 항중 어느 한항에 있어서, 반도체 장치를 밀봉하는 공정에서 반도체 소자의 표면상에 수지 조성물의 필름을 형성할 때에, 0.5∼30 MPa 의 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항에 있어서, 수지조성물의 필름 두께가 30∼2000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항에 있어서, 주시 조성물의 필름 두께가 30∼300 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.
제 6 항에 있어서, 수지 조성물의 필름 두께가 30∼150 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지 조성물.