JPH11289034A

JPH11289034A - 半導体装置および半導体封止用樹脂組成物

Info

Publication number: JPH11289034A
Application number: JP3146899A
Authority: JP
Inventors: Yasuaki Tsutsumi; 康章堤; Masayuki Tanaka; 田中正幸; Toshisane Kawahara; 登志実川原; Yukio Takigawa; 幸雄瀧川
Original assignee: Fujitsu Ltd; Toray Industries Inc
Current assignee: Fujitsu Ltd; Toray Industries Inc
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1999-02-09
Publication date: 1999-10-19

Abstract

(57)【要約】【課題】信頼性の高い、チップサイズの半導体装置を低
コストで提供する。また、ウェハー状態で半導体素子を
一括封止して半導体装置を製造する方法において、ウェ
ハー上に良好な膜が形成でき、ウェハーの反りが小さ
く、かつ信頼性が高い半導体封止用樹脂組成物を提供す
る。【解決手段】半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の
膜が形成されてなる半導体装置であって、該樹脂組成物
のガラス転移温度以下の線膨脹係数が６０×１０ ^-6／Ｋ
以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が１４０×
１０^-6／Ｋ以下であることを特徴とする半導体装置、お
よび半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成
されてなる半導体装置を封止するための樹脂組成物であ
って、樹脂組成物のガラス転移温度以下の線膨脹係数が
６０×１０^-6／Ｋ以下、かつガラス転移温度以上の線膨
脹係数が１４０×１０^-6／Ｋ以下であることを特徴とす
る半導体封止用樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体装置の
半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成され
ている半導体装置および該半導体装置を封止するための
半導体封止用樹脂組成物に関するものである。詳しくは
半導体素子をウェハーの状態で封止し、その後切断する
方法で製造される半導体装置および該半導体装置を封止
するための樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯機器のダウンサイジング化に
伴い、部品である半導体装置も小型・薄型化、高性能化
が進んでいる。従来の半導体装置は、半導体素子（チッ
プ）とリードフレームを用い、プリント基板に実装する
のに必要な外部電極（ピン）以外は、樹脂で覆うように
上下両面から樹脂封止されている。よって、半導体装置
小型化の開発はリードフレームと半導体素子の搭載方法
を新たに開発することが主であった。また薄型にするた
めに封止樹脂の肉厚は薄くなってきている。

【０００３】これらの技術開発によって封止樹脂の容積
を小さく、薄肉化したＴＳＯＰ（シン・スモール・アウ
トライン・パッケージ）や、多ピン化に対応したＱＦＰ
（クァッド・フラット・パッケージ）などが上市されて
いる。

【０００４】一方、チップサイズの半導体装置には、ア
ンダーフィル剤を注入するフリップチップ接続方法や、
外部電極であるパンプの根本を樹脂で補強するなどの提
案がされている。

【０００５】しかし、フリップチップ接続は実装メーカ
ーに高度な実装技術を要求するばかりか、実装コストの
増大を招く。また、パンプ根本の樹脂補強は上記コス
トを軽減するが、信頼性が低下してしまう。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は信頼性
の高い、チップサイズの半導体装置を低コストで提供す
ることにある。

【０００７】また、このウェハー状態で封止する方法に
おいては、従来の封止樹脂ではウェハー全面に欠陥のな
い良好な膜を形成することが難しいこと、ウェハー全面
を封止した際にウェハーが反ること、半導体装置の耐温
度サイクル性や耐湿性などの信頼性が劣ることなどの問
題がある。

【０００８】本発明のもう一つの課題はウェハー状態で
半導体素子を一括封止して半導体装置を製造する方法に
おいて、ウェハー上に良好な膜が形成でき、ウェハーの
反りが小さく、かつ信頼性が高い半導体封止用樹脂組成
物を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、低コスト
で信頼性が高いチップサイズの半導体装置としてウェハ
ー状態で半導体素子を一括して封止し、その後に個々の
半導体装置を切り出して製造した半導体装置を開発し、
本発明に到達した。すなわち本発明は、「半導体素子の
一方の表面上に樹脂組成物の膜が形成されてなる半導体
装置であって、該樹脂組成物のガラス転移温度以下の線
膨脹係数が６０×１０^-6／Ｋ以下、かつガラス転移温度
以上の線膨脹係数が１４０×１０^-6／Ｋ以下であること
を特徴とする半導体装置。」である。

【００１０】また、本発明者らは、良好な膜を形成し、
ウェハーの反りを小さくし、かつ温度サイクル性や耐湿
性などの信頼性の向上を目的に鋭意検討し、本発明に到
達した。すなわち本発明は、「半導体素子の一方の表面
上に樹脂組成物の膜が形成されてなる半導体装置を封止
するための樹脂組成物であって、樹脂組成物のガラス転
移温度以下の線膨脹係数が６０×１０^-6／Ｋ以下、かつ
ガラス転移温度以上の線膨脹係数が１４０×１０^-6／Ｋ
以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成
物。」である。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
本発明の半導体装置は、半導体素子の一方の表面上に樹
脂組成物の膜が形成されてなるものである。該半導体装
置は、ウェハー状態の半導体素子を本発明の樹脂組成物
で封止し、ウェハー上全面に薄膜を形成し、図１および
図２に示した構造にした後に個々の半導体装置に切断し
て製造される。該ウェハー状態の半導体素子には外部電
極が形成されていてもよい。このような方法により、Ｉ
Ｃチップ（半導体素子）と同じ大きさのＩＣパッケージ
（チップサイズパッケージ；ＣＳＰ）を効率よく、安価
に製造できる。該半導体装置の製造で用いられるウェハ
ーの大きさには特に制限はなく、６インチウェハー、８
インチウェハー、１２インチウェハーなど半導体の製造
で用いられる通常の大きさのウェハーが用いられる。該
半導体装置の半導体素子上に形成される樹脂組成物の膜
の厚さにも特に制限はなく、通常は３０〜２０００μｍ
ｔ、望ましくは３０〜３００μｍｔ、特に望ましくは３
０〜１５０μｍｔである。

【００１２】本発明の半導体装置に用いられる樹脂組成
物は、ガラス転移温度以下の線膨脹係数が６０×１０^-6
／Ｋ以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が１４
０×１０^-6／Ｋ以下である。各線膨脹係数がこれらの値
を超える場合はウェハー上に樹脂組成物の膜を形成した
ときにウェハーが反って、ウェハーを切断する際に不都
合が生じたり、半導体装置の耐温度サイクル性などの信
頼性が低下するので好ましくない。

【００１３】樹脂組成物の膜が形成されたときのウェハ
ーの反りをさらに小さくし、半導体装置の耐温度サイク
ル性などの信頼性をさらに向上させるために該樹脂組成
物の２３℃における曲げ弾性率が１ＧＰａ以上、３０Ｇ
Ｐａ以下であることが好ましい。

【００１４】さらに、（ガラス転移温度以下の線膨脹係
数）×（２３℃における曲げ弾性率）が５×１０^-5ＧＰ
ａ／Ｋ以上、３０×１０^-5ＧＰａ／Ｋであることが特に
好ましい。

【００１５】本発明の樹脂組成物は、上記特性を満足で
きれば、特に限定されるものではなく、例えば各種の熱
可塑性樹脂や各種の熱硬化性樹脂を用いることができ
る。信頼性の点からは特に熱硬化性樹脂が好ましく用い
られ、例えば、エポキシ樹脂組成物、ポリイミド樹脂組
成物、シリコーン樹脂組成物などを用いることができ
る。これらの中でもエポキシ樹脂組成物が特に好まし
い。

【００１６】本発明で用いられるエポキシ樹脂組成物
は、通常はエポキシ樹脂(A) 、硬化剤(B) および充填剤
(C) からなる。そして該組成物中の配合量はそれぞれ、
エポキシ樹脂(A) が０．５〜８０重量％、好ましくは１
〜５０重量％、さらに好ましくは２〜３０重量％、硬化
剤(B) が０．５〜８０重量％、好ましくは１〜５０重量
％、さらに好ましくは２〜３０重量％、充填剤(C) が３
５〜９８重量％、好ましくは４０〜９５重量％、さらに
好ましくは４５〜９５重量％である。組成がこれらの配
合量から外れる場合は、ウェハー上に樹脂組成物の良好
な膜が形成できなかったり、ウェハーが反ったり、ある
いは半導体装置の信頼性が低下するので好ましくない。

【００１７】本発明の樹脂組成物に配合されるエポキシ
樹脂(A) は、１分子中にエポキシ基を２個以上有するも
のであれば特に限定されない。例えば、ビスフェノール
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、線状脂肪
族エポキシ樹脂、各種ノボラック型エポキシ樹脂、各種
多官能フェノールから合成される各種多官能エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ハロゲン化
エポキシ樹脂などがあげられる。中での信頼性と膜形成
性の点から、４，４´−ビス（２，６−エポキシプロポ
キシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニ
ル、４，４´−ビス（２，６−エポキシプロポキシ）メ
チルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキ
シ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、および
トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラ・フェニロ
ールエタン型など多官能フェノールから合成された多官
能型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。

【００１８】本発明の樹脂組成物に配合される硬化剤
(B) は、エポキシ樹脂(A) と反応して硬化させるもので
あれば特に限定されない。具体例としては、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂、テルペン骨格含有フェノール樹脂、
トリスヒドロキシフェニルメタン、ビスフェノールＡや
レゾルシンから合成される各種ノボラック樹脂、レゾー
ル樹脂、ポリビニルフェノールなどの各種多価フェノー
ル化合物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水マレイ
ン酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノフエンスルホンなど
の芳香族などがあげられる。中でも、信頼性と膜形成の
点から、分子内に少なくともフェノール性水酸基を２個
含有するフェノール樹脂が特に好ましく用いられる。例
えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂、テルペン骨格含有フェノール、トリスヒドロキ
シフェニルメタンなどが挙げられる。硬化剤(B)には２
種以上を併用することもできる。好ましい組合せとして
は、テルペンフェノール樹脂とフェノールアラルキル樹
脂、テルペンフェノール樹脂と多官能フェノール樹脂が
挙げられる。

【００１９】本発明の樹脂組成物に用いられる充填剤
(C) としては、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カル
シウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、ク
レー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化ア
ンチモン、アスベスト、ガラス繊維などがあげられる。
これらの中でも非晶性シリカは線膨脹係数を低下させる
効果が大きく、信頼性向上に有効なため好ましく用いら
れる。非晶性シリカの例としては、石英を溶融して製造
した溶融シリカや、各種合成法で製造された合成シリカ
があげられ、破砕状のものや球状のものが用いられる。

【００２０】本発明の樹脂組成物にはエラストマー(D)
を配合することができ、半導体装置の反り量の低減や、
耐温度サイクル性の向上に有効である。このようなもの
としては例えば、ＥＰＲ、ＥＰＤＭおよびＳＥＢＳなど
のオレフィン系共重合体ゴム、ニトリルゴム、ポリブタ
ジエンゴムなどのジエン系ゴム、アクリル系ゴム、シリ
コーンゴム、変性シリコーンオイルなどがあげられる。
また、エラストマー(D) 以外にもポリエチレンなどの熱
可塑性樹脂を低応力化剤として配合することができる。
本発明の樹脂組成物の配合量に関しては特に制限はない
が、通常は０．０５〜２０重量％、好ましくは０．１〜
１０重量％、特に好ましくは０．２〜５重量％である。

【００２１】また、本発明の樹脂組成物においてエポキ
シ樹脂(A) と硬化剤(B) の硬化反応を促進するための硬
化触媒を用いてもよい。硬化触媒は硬化反応を促進する
ものならば特に限定されず、例えば２−メチルイミダゾ
ール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−メチル−４
−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール
などのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−
７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５
などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシ
ド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（ア
セチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセ
トナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリ
フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラ
ン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボ
レートなどの有機ホスフィン化合物があげられる。中で
も反応性の点からトリフェニルホスフィンやテトラフェ
ニルホスフォニウム・テトラフェニルボレートや１，８
−ジアザビスクロ（５，４，０）ウンデセン−７が特に
好ましく用いられる。これらの硬化触媒は、用途によっ
ては２種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ
樹脂(A) １００重量部に対して０．０１〜１０重量部の
範囲が好ましい。

【００２２】本発明の樹脂組成物においては、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤などでカップ
リング剤を配合することができ、中でも、これらカップ
リング剤で前もって充填剤を表面処理しておくことが信
頼性の点で好ましい。シランカップリング剤として、ア
ルコキシ基および「エポキシ基、アミノ基、メルカプト
基などの官能基が結合した炭化水素基」がケイ素原子に
結合したシランカップリング剤が好ましく用いられる。

【００２３】本発明のエポキシ樹脂組成物にはハロゲン
化エポキシ樹脂などのハロゲン化合物、リン化合物など
の難燃剤、三酸化アンチモンなどの難燃助剤、カーボン
ブラック、酸化鉄などの着色剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪
酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミ
ド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化
物などの架橋剤を任意に添加することができる。

【００２４】半導体装置を封止する工程においてウェハ
ーの表面上に本発明の樹脂組成物の膜を形成するときの
温度における本発明の樹脂組成物の粘度は０．１〜１５
００Ｐａ・Ｓ、好ましくは０．５〜４０Ｐａ・Ｓ、特に
好ましくは１〜１０Ｐａ・Ｓである。ウェハー全面に効
率よく、均一に、欠陥のない膜を形成するためにこの範
囲の粘度が好ましい。

【００２５】本発明の樹脂組成物は、半導体素子が形成
されているウェハー上に、ウェハー状態のまま全面に薄
膜を形成する形態で用いられる。ウェハー上に膜を形成
する方法に関しては特に制限はなく、ポッティング、ス
ピンコート、スリーン印刷、トランスファー成形などの
方法を用いることができる。中でも膜の形成のしやす
さ、信頼性の点からトランスファー成形が好ましい。

【００２６】ウェハー上に本発明の樹脂組成物を形成す
るにあたっては、０．５ＭＰａ以上、さらには０．５〜
３０ＭＰａの圧力を加えながら成形するのが、樹脂組成
物と半導体装置の密着性を高める点で好ましい。０．５
ＭＰａ以上の圧力を加え、膜を形成することで接着性を
向上させ、半導体素子から膜が剥離しにくく、信頼性を
高めることができるのである。また、生産コストを下げ
ることも容易となる。また、３０ＭＰａ未満とすること
で、成形機の能力を上げる必要がなく、コストを低く抑
えることができる。

【００２７】圧力を加える方法はどのような装置を用い
てもよいが、既存の成形機を活用する観点から、トラン
スファー成形機を用いて行うことが好ましい。

【００２８】

【実施例】以下、実施例と比較例により本発明を具体的
に説明する。なお、実施例および比較例中、％は重量％
を表す。

【００２９】〔実施例１〜３２、比較例１〜９〕〔樹脂組成物の製造〕下記の充填剤、エポキシ樹脂、硬
化剤、エラストマーおよびその他添加剤を表１に示した
割合で配合しドライブレンドした。次いでこれらの混合
物を２軸押出機を用い樹脂温度９０℃で溶融混練した。
混練後、冷却、粉砕して樹脂組成物を製造した。

【００３０】エポキシ樹脂（Ａ）Ａ−１：

【化１】エポキシ当量１９３

【００３１】Ａ−２：

【化２】エポキシ当量２８３

【００３２】Ａ−３：

【化３】エポキシ当量１７６

【００３３】Ａ−４：

【化４】エポキシ当量１９０

【００３４】Ａ−５：

【化５】エポキシ当量１５０

【００３５】硬化剤（Ｂ）Ｂ−１：水酸基当量１０５Ｔのフェノールノボラック樹
脂

【００３６】Ｂ−２：次式で表わされる水酸基当量１７
５のフェノールアラルキル樹脂

【化６】

【００３７】Ｂ−３：水酸基当量９７のトリスヒドロキ
シフェニルメタン

【００３８】Ｂ−４：次式で表される水酸基当量１７５
のテルペン骨格含有多価フェノール

【化７】

【００３９】Ｂ−５：次式で表される水酸基当量１７５
のテルペンジフェノール樹脂

【化８】

【００４０】充填剤（Ｃ）：平均粒径１２μｍの溶融球
状シリカ

【００４１】エラストマー（Ｄ）：Ｄ−１：クレイトンＧ１６５２（ＳＥＢＳ）（シェルケミカル株式会社製）Ｄ−２：フロービーズＨＥ−５０２３（ポリエチレン、住友精化株式会社製）

【００４２】硬化促進剤：トリフェニルホスフィン着色剤：カーボンブラックシランカップリング剤：Ｎ−フェニル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン

【００４３】〔溶融粘度の測定〕高化式フローテスター
により、得られた樹脂組成物の１８０℃における溶融粘
度を測定した。

【００４４】〔線膨脹係数の測定〕トランスファー成形
機により、成形温度１８０℃、成形時間３分、トランス
ファー圧力３ＭＰａの条件で成形し、１８０℃×５時間
の条件でポストキァアし試験片を調製した。ＴＭＡ法
（ＴｈｅｒｍａｌＭｅｈａｎｓｃａｌＡｎａｌｙｓ
ｅｓ）により温度上昇に対する寸法変化を測定した。寸
法変化の変極温度をガラス転移温度とし、その温度以下
の線膨脹係数をα１、その温度以上の線膨脹係数をα２
とした。

【００４５】〔曲げ弾性率の測定〕線膨脹係数の測定と
同様の条件で曲げ試験片を調製し、２３℃条件下げで３
点曲げ試験を行ない、荷重−たわみ曲線から曲げで弾性
率を計算した。

【００４６】〔ウェハーへの樹脂組成物の膜の形成〕ト
ランスファー成形機により、図２に示すような６インチ
ウェハー上に成形温度１８０℃、表４に示した成形圧力
および加圧時間３分間で成形した。その後１８０℃×５
時間の条件でポストキァアを行ない各種測定、評価を行
なった。

【００４７】〔膜厚および膜不良率の測定〕樹脂組成物
の膜を形成したウェハーを接触式の表面粗さ計とマイク
ロメーターを用い成形したウェハー５枚の各４０点の膜
厚を測定した。膜不良率は、膜の設計厚みの±２０％を
越えた点の割合を表わす。

【００４８】〔反り量の測定〕接触式表面粗さ計によ
り、樹脂組成物の膜が形成されたウェハーの反り量を測
定した。

【００４９】〔耐温度サイクル試験〕耐温度サイクル試
験は樹脂組成物の膜を形成して封止したウェハーを図１
に示すような半導体装置（１０×１０ｍｍ）に切り離し
て、−６５℃〜１５０℃の温度サイクル試験を実施例１
〜８と比較例１〜４は５００サイクル、実施例９〜３２
と比較例５〜９は１０００サイクルで行なった後に、半
導体装置を目視および光学顕微鏡で観察した。樹脂組成
物と半導体素子の間に剥離が発生しているものを不良
（ＮＧ）と判定した。

【００５０】これらの測定結果を表１〜４に示した。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表３】

【００５４】

【表４】

【００５５】

【表５】

【００５６】

【表６】

【００５７】表１と表３に見られるように、本発明の樹
脂組成物および半導体装置は、ウェハー上に樹脂組成物
の膜を形成する際の膜不良率が低く、ウェハーの反りも
小さい。また、耐温度サイクル性も良好である。すなわ
ち、本発明の樹脂組成物と半導体装置により、耐温度サ
イクル性などの信頼性が優れたチップサイズパッケージ
を効率よく、安価に製造することが可能であることが分
かる。

【００５８】実施例１〜８から、線膨張係数α１が６０
×１０^-6／Ｋ以下、かつα２が１４０×１０^-6／Ｋ以下
の場合は、ウェハーの反りが小さく、耐温度サイクル性
も小さいことが分かる。一方、線膨張係数がこれらの値
より大きい場合（比較例１、２）はウェハーの反り量が
大きく、耐温度サイクル性が劣る。

【００５９】実施例９から３２から、本発明の樹脂組成
物は、曲げ弾性率が３０ＧＰａ以下の場合、α１×曲げ
弾性率が５〜３０×１０^-5ＧＰａ／Ｋの場合には耐温度
サイクル性がさらに優れ、ウェハー反り量も小さいこと
が分かる。

【００６０】表２と表４から、曲げ弾性率が３０ＧＰａ
を越える場合（比較例）、曲げ弾性率が３０以下であっ
ても、α１×曲げ弾性率が３０×１０^-5ＧＰａ／Ｋを越
える場合（比較例６、７）はウェハーの反り量が大き
く、耐温度サイクル性も悪化する。

【００６１】α１、α２、曲げ弾性率およびα１×曲げ
弾性率が本発明の範囲内にあったとしても溶融粘度が５
０Ｐａ・Ｓを越える場合（比較例８）は、膜の不良率が
大きく、かつウェハーの反り、耐温度サイクル性も悪化
していることが分かる。

【００６２】樹脂組成物が本発明の範囲にあるものであ
っても、成形圧力が０．５ＭＰａより低い場合は（比較
例９）膜不良率が高く、ウェハー反り量も大きくなり、
耐温度サイクル性も悪化することが分かる。

【００６３】

【発明の効果】本発明の半導体装置は信頼性が高く、チ
ップサイズののものを低コストで作ることができる。ま
た、ウェハー状態で半導体素子を一括封止して半導体装
置を製造する方法において、ウェハー上に良好な膜が形
成でき、ウェハーの反りが小さく、かつ信頼性が高い半
導体封止用樹脂組成物を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の一例を示す縦断面図であ
る。

【図２】本発明の半導体装置を得るためのウェハーの一
例を示す平面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中正幸愛知県名古屋市港区大江町９番地の１東レ株式会社名古屋事業場内 (72)発明者川原登志実神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者瀧川幸雄神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の
膜が形成されてなる半導体装置であって、該樹脂組成物
のガラス転移温度以下の線膨脹係数が６０×１０ ^-6／Ｋ
以下、かつガラス転移温度以上の線膨脹係数が１４０×
１０^-6／Ｋ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】半導体素子が形成されたウェハー上に樹脂
組成物の膜を形成して後に個別に切断してなることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】樹脂組成物の膜の厚さが３０〜２０００μ
ｍである請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】半導体素子の一方の表面上に樹脂組成物の
膜が形成されてなる半導体装置を封止するための樹脂組
成物であって、樹脂組成物のガラス転移温度以下の線膨
脹係数が６０×１０^-6／Ｋ以下、かつガラス転移温度以
上の線膨脹係数が１４０×１０^-6／Ｋ以下であることを
特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】樹脂組成物の２３℃における曲げ弾性率が
１ＧＰａ以上、３０ＧＰａ以下であることを特徴とする
請求項４の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】樹脂組成物の（ガラス転移温度以下の線膨
脹係数）×（２３℃における曲げ弾性率）が５×１０^-5
ＧＰａ／Ｋ以上、３０×１０^-5ＧＰａ／Ｋ以下であるこ
とを特徴とする請求項４または５に記載の半導体封止用
樹脂組成物。
【請求項７】半導体装置が、半導体素子が形成されたウ
ェハー上に樹脂組成物の膜を形成して後に個別に切断し
てなることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載
の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項８】半導体装置が、半導体素子が形成され、か
つ該半導体素子に外部電極が形成されたウェハー上に樹
脂組成物の膜を形成して後に個別に切断してなることを
特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の半導体封止
用樹脂組成物。
【請求項９】エポキシ樹脂(A) 、硬化剤(B) および充填
剤(C) からなる樹脂組成物であって、該樹脂組成物中の
配合量が、エポキシ樹脂(A) ０．５〜８０重量％、硬化
剤(B) ０．５〜８０重量％および充填剤(C) ３５〜９８
重量％であることを特徴とする請求項４〜８のいずれか
に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１０】エポキシ樹脂(A) が、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官
能フェノールから合成された多官能型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種類
以上を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体封
止用樹脂組成物。
【請求項１１】硬化剤(B) が、分子内に少なくともフェ
ノール性水酸基を２個以上含有するフェノール樹脂、フ
ェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、
テルペンフェノール樹脂、多官能フェノール樹脂から選
ばれる少なくとも１種類以上を含むことを特徴とする請
求項９または１０に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。
【請求項１２】硬化物(B) が、テルペンフェノール樹脂
とフェノールアラルキル樹脂または多官能フェノール樹
脂を必須成分として含むことを特徴とする請求項９〜１
１のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１３】樹脂組成物中にエラストマー(D) を少な
くとも１種類以上含むことを特徴とする請求項９〜１２
のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１４】半導体装置を封止する工程において半導
体素子の表面に樹脂組成物の膜を形成するときの温度に
おける該樹脂組成物の粘度が０．１〜１５００Ｐａ・Ｓ
であることを特徴とする請求項４〜１３のいずれかに記
載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１５】半導体装置を封止する工程において半導
体素子の表面上に樹脂組成物の膜を形成するときに、
０．５〜３０ＭＰａの圧力をかけることを特徴とする請
求項４〜１４のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成
物。
【請求項１６】樹脂組成物の膜の厚さが３０〜２０００
μｍである請求項４に記載の半導体封止用樹脂組成物。