KR20010006024A - 에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법 - Google Patents

에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010006024A
KR20010006024A KR19997009102A KR19997009102A KR20010006024A KR 20010006024 A KR20010006024 A KR 20010006024A KR 19997009102 A KR19997009102 A KR 19997009102A KR 19997009102 A KR19997009102 A KR 19997009102A KR 20010006024 A KR20010006024 A KR 20010006024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
composition
residue
photoresist
ammonium salt
Prior art date
Application number
KR19997009102A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100386137B1 (ko
Inventor
와이 문 리
제페이 제씨 첸
Original Assignee
피. 제리 코더
이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피. 제리 코더, 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 filed Critical 피. 제리 코더
Publication of KR20010006024A publication Critical patent/KR20010006024A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100386137B1 publication Critical patent/KR100386137B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2041—Dihydric alcohols
    • C11D3/2058—Dihydric alcohols aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2065—Polyhydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C11D3/2086—Hydroxy carboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3427—Organic compounds containing sulfur containing thiol, mercapto or sulfide groups, e.g. thioethers or mercaptales
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3472—Organic compounds containing sulfur additionally containing -COOH groups or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/267—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3227—Ethers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3254—Esters or carbonates thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3272—Urea, guanidine or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/10—Other heavy metals
    • C23G1/103—Other heavy metals copper or alloys of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • C23G1/205—Other heavy metals refractory metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76885—By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/24—Mineral surfaces, e.g. stones, frescoes, plasters, walls or concretes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라암모늄염(5)의 잔류물 세척 조성물은 집적회로의 기판으로부터 포토레지스트 및 다른 잔류물을 제거한다. 조성물의 균형은 바람직하게는 물로 이루어지며, 바람직하게는 고순도의 탈이온수 또는 다른 적절한 극성용매로 이루어진다. 조성물 및 방법에서 에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라암모늄염의 사용은 기판에서 티타늄 또는 다른 금속, 산소 또는 질화물 층에 대한 부식 없이 뛰어난 잔류물 제거를 제공한다.

Description

에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법{ETHYLENEDIAMINETETRAACETIC ACID OR ITS AMMONIUM SALT SEMICONDUCTOR PROCESS RESIDUE REMOVAL COMPOSITION AND PROCESS}
선행기술의 설명:
집적회로의 제작이 보다 더 복잡해지고, 실리콘 또는 다른 반도체 웨이퍼에서 제작되는 회로 성분의 치수가 더욱 더 작아져감에 따라, 그러한 소재로부터 형성되는 잔류물을 제거하기 위한 기술의 계속적인 향상이 요구되어왔다. 산소 플라즈마 산화법이 제작 공정에서 사용이 끝난 후에 포토레지스트(photoresist) 또는 다른 폴리머 물질을 제거하기 위해 종종 사용된다. 그러한 고 에너지 공정은 전형적으로 제작 공정에서 형성된 구조의 측벽에 유기금속 및 다른 잔류물을 형성하였다.
알루미늄, 알루미늄/실리콘/구리, 티타늄, 티타늄 질화물, 티타늄/텅스텐, 텅스텐, 실리콘 산화물, 폴리실리콘 크리스탈 등을 포함하는 다양한 종류의 금속 및 다른 층이 통상 집적회로 제작에 사용된다. 그러한 다른 층의 사용은 고 에너지 공정에서 다른 유기금속 잔류물의 형성을 초래하였다. 그러한 잔류물 제거에 대해 효과적인 것에 추가하여, 세척 조성물은 또한 집적회로의 제작시에 사용되는 다른 금속층(metallurgies) 또는 절연체를 부식(attack)시키지 않는다.
집적회로의 제작에 적합한 다양한 잔류물 제거 조성물 및 방법이 본 출원인인 EKC Technology, Inc.에 의해 개발 및 판매되고 있다. 또한, 그러한 조성물 및 방법의 몇몇은 집적회로 제작시에 기판으로부터 포토레지스트, 폴리아미드 (polymide) 또는 15개의 다른 폴리머 층을 박리(striping)하는데 유용하며, EKC는 또한 집적회로 제작시에 그러한 폴리머 층을 박리하기 위한 다양한 종류의 조성물 및 방법을 개발하였다. 그러한 조성물 및 방법은 하기의 공유(公有)화된 특허에 공개된다: Lee에 대한 1996년 1월 9일자 미국특허 제 5,482,566 호; Lee에 대한 1995년 3월 21일자 미국특허 제 5,399,464 호; Lee에 대한 1995년 1월 17일자 미국특허 제 5,381,807 호, Lee에 대한 1994년 8월 2일자 미국특허 제 5,334,332 호; Lee에 대한 1994년 1월 18일자 미국특허 제 5,279,771 호; Lee에 대한 1989년 4월 25일자 미국특허 제 4,824,763 호; 및 Lee에 대한 1983년 7월 26일자 미국특허 제 4,395,348 호. 상기 조성물은 집적회로 제작 공정에서 매우 성공적이었다. 그러나, 집적회로 및 그의 제작 공정의 추가적인 개발은 잔류물 제거 조성물 및 방법의 개선의 필요성을 낳았다.
예를들어, 마이크론(micron) 이하 크기의 장치 제작과 같이, 집적회로 산업에서 매우 중요한 치수 크기를 줄이기 위한 계속적인 노력의 결과로서, 에칭 잔류물의 제거 및 습식공정에서 사용된 화학제와 기판의 적합성이 거대규모 집적공정 (VLSI) 및 초대규모 집적공정(ULSI)에서 허용 산출량을 얻기 위해 더욱 더 중요해져가고 있다. 상기 에칭 잔류 조성물은 통상 에칭된 기판, 하부 기판, 포토레지스트 및 에칭 가스로 구성된다. 습식 화학제와의 웨이퍼의 기판 적합성은 폴리실리콘, 다단계 상호관련 절연층 및 박막 침전에서의 금속화, 웨이퍼의 에칭 및 에칭 후 처리에 크게 의존하며, 이는 종종 하나의 제작 공정과 다른 제작 공정사이에서 전혀 다르다. 상기 조성물중 몇몇은 예를들어 티타늄 금속 층을 포함하는 것과 같은 특정 금속 또는 절연체 기판에 부식을 가져왔다. 티타늄은 반도체 제작 공정에서 보다 더 광범위하게 사용되게 되었다. 이는 특정원자의 전자이동 (electromigration)을 막기 위한 장벽층(barrier layer) 및 다른 금속의 표면에서 반사 방지층(antireflectire layer)으로서 사용된다.
발명의 기원
본 발명은 1996년 4월 17일자 출원된 출원번호 제 08/628,060 호의 일부 계속 출원이며, 이는 또한 1993년 6월 21일자 출원된 출원번호 제 08/078,657 호의 일부 계속 출원이고, 이는 또한 1992년 7월 9일자 출원번호 제 07/911,102 호로 출원된 현재 미국 특허 제 5,334,332 호의 일부 계속 출원이었으며, 이는 1990년 11월 5일자 출원번호 제 07/610,044 호로 출원된 현재 미국 특허 제 5,279,771 호의 일부 계속 출원이었다. 상기 출원에서 개시된 내용은 본원에 참고로서 반영된다.
발명의 배경
발명의 분야:
본 발명은 일반적으로 기판(substrate)으로부터 유기(organic), 유기금속 (organometallic) 및 금속 산화 잔류물의 제거를 위한 세척 조성물 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 예를들어 실리콘 웨이퍼(wafer)상에 집적회로를 제작함에 있어서, 플라즈마 에칭 공정 및 유사한 공정후에 생성되는 에칭 잔류물과 같은 반도체 장치 제작 잔류물을 반도체 장치 기판으로부터 제거하기 위한 조성물 및 방법에 관한 것이다. 보다 더 상세하게는, 티타늄 층을 포함하는 집적회로에서 사용되는 금속 또는 절연층에 대한 실질적인 부식(attack)을 피하면서, 상기 물질의 제거에 효과적인 조성물 및 방법과 관련한다.
발명의 요약
따라서, 본 발명의 목적은 오늘날 반도체 제작에서 요구되는 사항을 충족하는데 적합한, 잔류물의 제거를 위한 개량된 조성물 및 그러한 조성물을 사용하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 하나 이상의 티타늄 금속 층을 포함하는 웨이퍼 및 다른 기판으로부터, 그러한 티타늄 층에 대한 실질적인 부식없이, 잔류물을 제거하는데 적합한 조성물 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 및 관련된 목적의 달성은 본원에 개시된 잔류물 제거 조성물 및 방법을 사용하여 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 잔류물 제거 조성물은 에틸렌디아민사초산 또는 이것의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염과 물 또는 극성 유기용매를 포함한다. 본 발명에 따라 기판으로부터 잔류물을 제거하기 위한 방법은 기판으로부터 잔류물을 제거하는데 충분한 시간동안 및 온도에서 기판을 에틸렌디아민사초산 또는 이것의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염을 함유하는 조성물과 접촉시키는 것을 포함한다. 에틸렌디아민사초산이 그의 산(acid) 형태로 사용되는 경우, 주요 활성성분으로서 단독으로 또는 암모니아와 조합하여 사용되어 그 위치에서 암모늄염을 형성한다.
실제적인 경우에, 우리는 에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염의 사용이, 예를들어 기존의 조성물보다 약 3 배 이상 적은 정도로 티타늄을 부식(attack)시키는 잔류물 제거 조성물을 제공한다 것을 알았다. 또한, 상기 에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염을 함유하는 조성물은 잔류물 제거 조성물로서, 공지의 세척 조성물과 적어도 동등한 수행을 제공한다.
본 발명의 전기한 관련 목적, 장점 및 특성의 달성은 도면과 함께 하기 본 발명의 보다 더 상세한 설명을 고찰하게되면, 당업자에게 훨씬 더 분명해진다:
도면의 간단한 설명
도 1a 내지 8c는 본 발명의 조성물 및 방법을 사용하여 얻은 상대적인 결과를 나타내는 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다.
발명의 상세한 설명
본 발명에서의 사용에 적합한 에틸렌디아민사초산(EDTA) 또는 그의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염은 바람직하게는 상대적으로 높은 분해온도를 갖는다. 바람직한 높은 분해온도의 상기 EDTA 염의 특정한 예는 디암모늄 EDTA와 테트라암모늄 EDTA 를 포함한다.
상기 조성물은 바람직하게는 약 1 내지 50 중량% 의 하나 이상의 에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리 또는 테트라암모늄 염; 또는 약 25 중량% 내지 약 75 중량%의 하나 이상의 아민 또는 알카놀아민(alkanolamine); 또는 약 25 중량% 내지 약 75 중량%의 유기 극성용매; 약 0.15 중량% 내지 약 10 중량%의 무기 또는 유기 암모늄 염; 또는 약 5 중량% 내지 약 25 중량%의 카테콜 (catechol) 또는 몰식자산(gallic acid)과 같은 추가적인 킬레이트화제; 및 약 25 중량% 내지 약 75 중량%(예컨데, EDTA 또는 그 암모늄 염의 일부로서)을 함유한다. 에틸렌디아민사초산이 산(acid)의 형태로 사용되는 경우에, 조성물은 선택적으로 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 암모니아를 함유할 수 있다.
에틸렌디아민사초산(EDTA)은 세계에서 가장 광범위하게 사용되는 킬레이트화제이다. 그것의 암모늄염은 물과 대부분의 유기용매에 용해되는, EDTA 보다 더 강력한 킬레이트화제이며, 이는 여분의 암모늄 킬레이트화 부위 때문이다. 상기 유기 암모늄염은 암모늄에 기초한 집적회로 세척 제형에 대한 우수한 개시 화학제이다.
조성물에 적합한 아민은 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-메틸렌아미노프로필렌디아민 등을 포함한다.
적절한 알카놀아민의 예는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 제3차부틸디에탄올아민(tertiarybutyldiethanolamine), 이소프로판올아민(isopropanolamine), 디이소프로판올아민(diisopropanolamine)(2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올), 트리이소프로판올아민, 3-아미노-1-프로판올, 이소부탄올아민(isobutanolamine), 2-(2-아미노에톡시)에탄올(디글리콜아민), 2-아미노-2-에톡시-프로판올(2-amino-2-ethoxy-propanol), 메틸에탄올아민 (methylethanolamone), N,N-디에틸렌 히드록실아민(N,N-diethylene hydroxylamine) 등을 포함한다.
조성물에 대한 극성 용매의 적절한 예는, 물외에, 디메틸설폭시드(dimethyl sulfoxide), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 디에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 트리에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, N-치환된 피롤리돈(N-substituted pyrolidone), 설폴란(sulfolane), 디메틸아세트아미드(dimethyl acetamide) 등을 포함한다. 이외에 당업계에 알려진 추가의 극성용매가 또한 본 발명의 조성물에서 사용될 수 있다.
조성물에 대한 암모늄염의 적절한 예로는 EDTA 암모늄염에 추가하여, 예를들어 주석산암모늄(ammonium tartrate), 구연산암모늄(ammonium citrate), 개미산암모늄(ammonium formate)과 같은 유기 암모늄염; 암모늄 글루코메이트(ammonium glucomate); 예를들어, 불화암모늄(ammonium fluoride), 질산암모늄(ammonium nitrate), 티오황산암모늄(ammonium tiosulfate), 과황산암모늄(ammonium persulfate), 탄산수소암모늄(ammonium bicarbonate), 인산암모늄(ammonium phosphate) 등과 같은 무기 암모늄염을 포함한다.
본 발명의 잔류물 세척 조성물은 예를들어, 알루미늄 또는 티타늄과 같은 금속층, 실리콘 산화물과 같은 산화물 층, 실리콘 질화물과 같은 질화물 층 등을 포함하는, 다양한 집적회로 실리콘 웨이퍼 기판으로부터 유기금속 및 금속산화 잔류물을 제거하는데 효과적이다. 본 발명의 세척 조성물은 또한 집적회로의 제작에 사용되는 에칭 장비의 기판상에 방출된 유기금속 및 금속산화 잔류물을 제거하는데 효과적이다. 시판되는 에칭 장비는 예를들어 Lam Research, Tegal, Electrotech, Applied Materials, Tokyo Electron, Hitachi 등으로부터 입수할 수 있는 것을 포함한다.
본 발명의 세척 조성물을 사용하여 기판을 세척하는 방법은 잔류물을 제거하기에 충분한 시간 및 온도에서, 그 위에 유기금속 및 금속 산화 잔류물을 갖는 기판과 본 발명의 박리시키고 세척하는 조성물을 접촉시키는 것을 포함한다. 상기 기질은 통상 상기 박리시키고 세척하는 조성물내에 침전된다. 시간 및 온도는 기판으로부터 제거되는 특정 소재에 기초하여 결정된다. 통상, 온도는 환경기온 (ambient temperature) 또는 실온으로부터 약 120 ℃ 까지의 범위이며, 접촉시간은 약 2 내지 60분이다.
다음, 기판은 예를들어, 이소프로필 알콜과 같은 극성용매로 세척된 후, 탈이온수로 세척된다. 다음, 상기 기판은 예를들어, 스핀 건조기(spin drier)와 같은 것으로 기계적으로 건조되거나, 또는 질소 송풍 건조된다.
이하, 비제한적인 실시예를 제시하고, 본 발명을 보다 더 설명한다.
기판으로부터 레지스트(resist) 또는 다른 유기 잔류물의 제거에 적합한 본 발명에 따르는 세척 조성물의 예를 하기의 표 1에 나타낸다.
1
표 1
세척 조성물 EDTA 또는 염 중량% 다른성분중량% 알카놀아민중량% 용매중량%
A 17.5 % TAE 5 % 카테콜 60 % DGA 17.5 % 물
B 5 % DAE 5 % 구연산 12.5 % HDA;5 % MEA 72.5 % 물
C 5 % DAE 17.5 % HDA;60 % DGA 17.5 % 물
D 5 % EDTA 15 % HDA;10 % DHA 15 % 물55 % DMSO
E 5 % DAE 15 % HDA;10 % DHA 15 % 물55 % DMSO
F 5 % DAE 20 % HDA; 20 % 물55 % DMSO
G 5 % TAE 20 % HDA; 20 % 물55 % DMAC
H 13 % EDTA 5 % 카테콜3 % NH3(28-30% 수용액) 60 % DGA 19 % 물
약어:
EDTA = 에틸렌디아민사초산
DAE = 디암모늄 EDTA
TAE = 테트라암모늄 EDTA
DGA = 디글리콜아민
HDA = 히드록실아민
MEA = 모노에탄올아민
DIMSO = 디메틸설폭시드
DMAC = 디메틸아세트아민
DHA = N,N-디에틸렌 히드록실아민
상기 조성물과 하기의 실험방법이 사용되었다. 화학제는 표준에 따라 사용되었다. 상기 혼합물을 맑은 용액이 얻어질 때까지 실온에서 교반하여 용액을 제조하였다. 어떤 경우에는 고체 성분의 용해를 가속시키기 위해 가열하는 것이 필요하였다.
TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 또는 TiN/Al-Cu-Si/Ti 스택을 지닌 금속 웨이퍼 및 바이아-에싱 처리한, 에싱 처리하지 않은 웨이퍼가 상기 제조된 세척용액에서 제형의 특성에 따라 45℃, 55℃ 및 65℃에서 30분간 처리되었다. 상기 다른 세척 용액에서의 처리 전후에 웨이퍼는 조각으로 깨뜨려졌고, FE Hitachi 4500 주사 전자 현미경하에서 바이아스(vias)내의 에싱 처리 후의 잔류물 제거 및 금속 스택에 대한 기판 적합성이 관찰되었다.
실시예 1
실리콘 산화물 절연층내의 1.2 마이크론 크기의 바이아(via) 오프닝(opening)을 표준 실리콘 산화물 플라즈마 에칭을 사용하여 포토레지스트로 패턴화한 오프닝을 통해 에칭하였다. 상기 포토레지스트는 산소 플라즈마 에싱(ashing)으로 제거하였다. 도 1a는 본 실시예에서 사용되는 유형의 대표적인 기판의 주사 전자 현미경 사진이며, 무거운 유기금속의 에칭 잔류물이 기판 표면, 특히 바이아 오프닝 주변에 남아있는 것을 도시한다. 다음 상기 기판을 조성물 A로 55℃에서 30분간 처리했다. 도 1b는 그 결과에 대한 SEM 사진이며 조성물 A가 모든 유기금속 잔류물을 제거하였음을 도시한다.
실시예 2
본 실시예는 조성물 A가 티타늄 층을 부식시키지 않았음을 보여준다. TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 금속층인 박막 기판의 삽입금속을 패턴화하고, 플라즈마 금속 에칭기로 에칭하였다. 도 2a는 산소 플라즈마 에싱에 의한 포토레지스트의 제거 후에 금속라인 표면상에 유기금속 잔류물이 잔존함을 도시한다. 상기 웨이퍼를 55 ℃에서 30분간 조성물 A에 노출시켰으며 그 결과 도 2b에 제시된 것과 같이, 유기금속 잔류물이 사실상 완전히 제거되었고, 티타늄 금속층에 부식은 없었다.
실시예 3
실시예 1 및 2의 공정을 세척 온도 45 ℃에서 조성물 B를 사용하여 반복하였다. 도 3a 및 3b는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 3a의 시각 관찰에 의해 확인되는 것과 같이, 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 약 90%의 세척을 얻었다. 금속의 부식은 없었으며, 또한 하부의 알루미늄 금속층에는 부식의 개시 조차 없었다. 도 3b는 금속의 부식, 또는 스택 금속층내의 알루미늄층에 대한 부식의 개시 조차도 없는, TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척을 도시한다.
실시예 4
실시예 3의 공정을 45℃의 세척 온도에서 조성물 C를 사용하여 반복하였다. 도 4a 및 도 4b는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 4a의 시각 관찰로 확인되는 것과 같이 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 완전한 세척을 얻었다. 금속 부식의 완전한 조절이 있었다. 도 4b는 금속의 부식이 전혀 없는 표면 TiN 층의 깨끗한 외관으로 제시되는 것과 같이, TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척을 도시한다.
실시예 5
실시예 3의 공정을 65℃의 세척 온도에서 조성물 D를 사용하여 반복하였다.도 5a, 5b 및 5c는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 5a의 시각 관찰로 확인되는 것과 같이 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 90% 세척을 얻었다. 금속의 부식은 없었다. 도b는 단지 바이아의 바닥에만 약간의 잔류물이 있는, 에싱 처리하지 않은 바이아 웨이퍼 잔류물의 거의 완전한 세척을 도시한다. 도 5c는 TiN/Al-Cu/ Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척과 아울러 금속의 부식이 없었음을 도시한다.
실시예 6
실시예 5의 공정을 조성물 E를 사용하여 반복하였다. 도 6a, 6b 및 6c는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 6a의 시각 관찰에 의해 확인되는 것과 같이, 단지 바이아의 바닥에만 약간의 잔류물이 있는, 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 표면 및 측벽의 세척을 얻었다. 금속의 부식은 없었다. 도 6b는 단지 바이어의 바닥에만 약간의 잔류물이 있고, 금속의 부식은 없는, 에싱 처리하지 않은 웨이퍼 바이아의 표면 및 측벽에서의 잔류물의 완전한 세척을 도시한다. 도 6c는 TiN/Al-Cu-Si/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척을 도시한다.
실시예 7
실시예 5의 공정을 조성물 F를 사용하여 반복하였다. 도 7a, 7b 및 7c는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 7a의 시각 관찰에 의해 확인되는 것과 같이, 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 바이어 측벽과 바닥은 그다지 깨끗하지 않았다. 금속의 부식은 없었다. 도 7b는 단지 매우 작은 크기의 알루미늄 각편만을 지니는, 에싱 처리하지 않은 웨이퍼에서의 25 잔류물의 완전한 세척을 도시한다. 도 7c는 TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척과 아울러 금속의 부식이 없었음을 도시한다.
실시예 8
실시예 5의 공정을 조성물 G를 사용하여 반복하였다. 도 8a, 8b 및 8c는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 8a의 시각 관찰에 의해 확인되는 것과 같이, 단지 바이아의 바닥에만 약간의 잔류물이 있는, 에싱 처리한 바이아 웨이퍼의 표면 및 측벽의 세척을 얻었다. 금속의 부식은 없었다. 도 8b는 단지 바이어의 바닥에만 약간의 잔류물이 있고, 금속의 부식은 없는, 에싱 처리하지 않은 웨이퍼의 바이아의 표면 및 측벽에서의 잔류물의 완전한 세척을 제시한다. 도 8c는 TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼의 완전한 세척과 아울러 금속의 부식과 티타늄 부식의 개시 조차 없었음을 보여준다.
실시예 9
실시예 1을 조성물 H를 사용하여 3가지의 다른 웨이퍼 유형에서 반복하였다. 조성물 H를 혼합하는 경우, 10 실제적인 열량이 방출되며, 이는 다음의 반응식에 따르는 티타늄 EDTA의 그 위치에서의 형성을 지시했다:
EDTA + 4NH3 H2O → (NH3)4EDTA + 4H2O
도 9a, 9b 및 9c는 얻어진 결과를 나타낸다. 도 9a의 시각 관찰에 의해 확인되는 것과 같이, 에싱 처리한 바이아 웨이퍼는 단지 약 80% 만 세척되었다. 상당한 부피의 폴리머의 박리가 관찰되었다. 도 9b에 제시된 바와 같이, TiN/Al-Cu/Ti/TiN/Ti 스택 웨이퍼는 완전히 세척되었고, 알루미늄 또는 다른 티타늄층 모두 부식은 볼 수 없었다. 도 9c에 제시된 바와 같이,TiN/Al-Cu-Si/TiN 스택 또한 알루미늄 또는 티타늄의 부식없이 완전히 세척되었다.
본 발명의 전기한 목적을 이룰 수 있는 신규한 조성물 및 방법이 제공되었음이 이제 당업자에게 명백하다. 본 발명의 상기 개량된 에틸렌디아민사초산 또는 이의 모노-, 디-, 트리-, 테트라암모늄 염에 기초한 조성물 및 그러한 조성물을 이용하는 방법은 오늘날 반도체 제작에서 요구되는 사항을 충족시키는데 적합하다. 상기 조성물 및 방법은 포토레지스트 잔류물과 하나 이상의 티타늄 금속층을 포함하는 다른 기판으로부터, 그러한 티타늄 층을 실질적으로 부식시킴 없이, 다른 잔류물을 제거하기에 적합하다.
또한, 제시되고 기술된 것과 같은 본 발명의 형상 및 상세한 부분에서의 다양한 변형이 당업자에 의해 이루어질 수 있음은 명백하다. 그러한 변형은 본원에 첨부하는 청구범위의 본질 및 범위내에 포함되도록 의도한다.

Claims (15)

  1. 약 1 중량% 내지 50 중량%의 하나 이상의 에틸렌디아민사초산 (ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 그의 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라암모늄염 및 물 또는 극성 유기용매를 포함하는, 기판으로부터 포토레지스트 (photoresist) 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 약 25 중량% 내지 약 75 중량%의 아민(amine) 또는 알카놀아민(alkanolamine)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 약 0.15 중량% 내지 약 10 중량%의 유기(organic) 또는 무기(inorganic) 암모늄염을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 암모늄염이 암모니아와 에틸렌디아민사초산으로 구성된 조성물에서 형성되는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 약 5 중량% 내지 약 25 중량%의 부가의 킬레이트화제 (chelating agent)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  6. 제 5항에 있어서, 킬레이트화제가 카테콜(catechol) 또는 몰식자산(gallic acid)인 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기 위한 조성물.
  7. 기판으로부터 포토레지스트, 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하기에 충분한 시간동안 및 온도에서, 기판을 하나 이상의 에틸렌디아민사초산 또는 그의 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라암모늄염과 접촉시키는 단계를 포함하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 시간이 약 2분 내지 약 60분이며, 온도가 약 20℃ 내지 약 110℃인 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 기판을 추가로 아민 또는 알카놀아민과 동시에 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 기판을 추가로 유기 또는 무기 암모늄염과 동시에 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  11. 제 7항에 있어서, 암모늄염이 에틸렌디아민사초산과 암모니아로부터 형성되는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  12. 제 7항에 있어서, 기판을 추가로 부가의 킬레이트화제와 동시에 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 킬레이트화제가 카테콜 또는 몰식자산인 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  14. 제 7항에 있어서, 기판이 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 티타늄 기판이 집적회로의 티타늄 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판으로부터 포토레지스트 또는 다른 폴리머 물질 또는 잔류물을 제거하는 방법.
KR19997009102A 1997-04-04 1998-03-17 에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법 KR100386137B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/833,382 1997-04-04
US08/833,382 US6492311B2 (en) 1990-11-05 1997-04-04 Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process
US8/833,382 1997-04-04
PCT/US1998/005150 WO1998045399A1 (en) 1997-04-04 1998-03-17 Ethylenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010006024A true KR20010006024A (ko) 2001-01-15
KR100386137B1 KR100386137B1 (ko) 2003-06-09

Family

ID=25264284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR19997009102A KR100386137B1 (ko) 1997-04-04 1998-03-17 에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6492311B2 (ko)
EP (1) EP0975731B1 (ko)
JP (1) JP4138891B2 (ko)
KR (1) KR100386137B1 (ko)
AT (1) ATE340243T1 (ko)
DE (1) DE69835951T2 (ko)
SG (1) SG120055A1 (ko)
TW (1) TW416984B (ko)
WO (1) WO1998045399A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100503231B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-22 주식회사 엘지화학 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물
KR101050953B1 (ko) * 2004-12-30 2011-07-20 매그나칩 반도체 유한회사 티타늄 또는 탄탈륨계 폴리머 제거방법
KR20150070414A (ko) * 2010-10-05 2015-06-24 아르끄마 프랑스 중합체-세정 조성물

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7205265B2 (en) * 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US7144848B2 (en) * 1992-07-09 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal
US20040134873A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6231677B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Photoresist stripping liquid composition
JP3328250B2 (ja) 1998-12-09 2002-09-24 岸本産業株式会社 レジスト残渣除去剤
US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
US6592433B2 (en) * 1999-12-31 2003-07-15 Intel Corporation Method for defect reduction
GB0009112D0 (en) * 2000-04-12 2000-05-31 Ekc Technology Ltd Inhibition of titanium corrosion
KR20010113396A (ko) * 2000-06-19 2001-12-28 주식회사 동진쎄미켐 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버 조성물
US7456140B2 (en) * 2000-07-10 2008-11-25 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
JP3886712B2 (ja) * 2000-09-08 2007-02-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
KR100569533B1 (ko) * 2001-10-25 2006-04-07 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정용 조성물
US6773873B2 (en) 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
CN1659480A (zh) * 2002-06-07 2005-08-24 马林克罗特贝克公司 用于微电子基底的清洁组合物
US20040050406A1 (en) * 2002-07-17 2004-03-18 Akshey Sehgal Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical
US20040157759A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Buckeye International, Inc. Stripper formulations and process
US7192489B2 (en) * 2003-05-01 2007-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for polymer residue removal following metal etching
GB2401604A (en) * 2003-05-10 2004-11-17 Reckitt Benckiser Nv Water-softening product
JP4142982B2 (ja) * 2003-05-13 2008-09-03 株式会社Ｐｆｕ 画像読み取り装置
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
US7344988B2 (en) * 2003-10-27 2008-03-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Alumina abrasive for chemical mechanical polishing
TWI362415B (en) * 2003-10-27 2012-04-21 Wako Pure Chem Ind Ltd Novel detergent and method for cleaning
US7419911B2 (en) * 2003-11-10 2008-09-02 Ekc Technology, Inc. Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US8178482B2 (en) * 2004-08-03 2012-05-15 Avantor Performance Materials, Inc. Cleaning compositions for microelectronic substrates
US20060094612A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Mayumi Kimura Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
CN100409416C (zh) * 2005-12-06 2008-08-06 上海华虹Nec电子有限公司 消除金属连线上铜颗粒的方法
TW200927998A (en) * 2007-09-06 2009-07-01 Ekc Technology Inc Compositions and method for treating a copper surface
DE102007058829A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung
US8101231B2 (en) 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
SG173833A1 (en) 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
JP5646882B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-24 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
US8101561B2 (en) 2009-11-17 2012-01-24 Wai Mun Lee Composition and method for treating semiconductor substrate surface
KR101922625B1 (ko) 2012-07-03 2018-11-28 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
US10233413B2 (en) * 2015-09-23 2019-03-19 Versum Materials Us, Llc Cleaning formulations
US20220380705A1 (en) * 2019-09-27 2022-12-01 Versum Materials Us, Llc Composition For Removing Etch Residues, Methods Of Using And Use Thereof
US11584900B2 (en) 2020-05-14 2023-02-21 Corrosion Innovations, Llc Method for removing one or more of: coating, corrosion, salt from a surface

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5479131A (en) 1977-12-07 1979-06-23 Okuno Chem Ind Co Electrolytic bath for removing electrodeposited metal on stainless steel substrate
US4395348A (en) 1981-11-23 1983-07-26 Ekc Technology, Inc. Photoresist stripping composition and method
US4637899A (en) * 1984-01-30 1987-01-20 Dowell Schlumberger Incorporated Corrosion inhibitors for cleaning solutions
CA1210930A (en) 1984-04-18 1986-09-09 Harvey W. Thompson Composition and method for deoxygenation
US4617251A (en) 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
DD252180A1 (de) * 1986-08-18 1987-12-09 Univ Schiller Jena Verfahren zur entfernung von schwermetallionen aus feststoffhaltigen abwaessern und klaerschlaemmen
US4824763A (en) 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
JPH02180999A (ja) * 1989-01-05 1990-07-13 Igarashi Takao 中性機械用洗浄剤組成物
US4941941A (en) 1989-10-03 1990-07-17 International Business Machines Corporation Method of anisotropically etching silicon wafers and wafer etching solution
US6000411A (en) * 1990-11-05 1999-12-14 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions for removing etching residue and method of using
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5556482A (en) 1991-01-25 1996-09-17 Ashland, Inc. Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor
JP3160344B2 (ja) 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
US5496491A (en) 1991-01-25 1996-03-05 Ashland Oil Company Organic stripping composition
US5419779A (en) 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5545353A (en) * 1995-05-08 1996-08-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5554312A (en) 1995-01-13 1996-09-10 Ashland Photoresist stripping composition
US5597420A (en) 1995-01-17 1997-01-28 Ashland Inc. Stripping composition having monoethanolamine
US5563119A (en) 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5561105A (en) 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition
US5830836A (en) * 1995-10-27 1998-11-03 Eldorado Chemical Co., Inc. Compositions and methods for coating removal
US5814591A (en) * 1996-04-12 1998-09-29 The Clorox Company Hard surface cleaner with enhanced soil removal
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100503231B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-22 주식회사 엘지화학 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물
KR101050953B1 (ko) * 2004-12-30 2011-07-20 매그나칩 반도체 유한회사 티타늄 또는 탄탈륨계 폴리머 제거방법
KR20150070414A (ko) * 2010-10-05 2015-06-24 아르끄마 프랑스 중합체-세정 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US20010006936A1 (en) 2001-07-05
JP4138891B2 (ja) 2008-08-27
SG120055A1 (en) 2006-03-28
US6367486B1 (en) 2002-04-09
KR100386137B1 (ko) 2003-06-09
DE69835951D1 (de) 2006-11-02
EP0975731B1 (en) 2006-09-20
EP0975731A1 (en) 2000-02-02
EP0975731A4 (en) 2001-02-07
ATE340243T1 (de) 2006-10-15
US6492311B2 (en) 2002-12-10
WO1998045399A1 (en) 1998-10-15
TW416984B (en) 2001-01-01
JP2001526836A (ja) 2001-12-18
DE69835951T2 (de) 2007-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100386137B1 (ko) 에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법
US6110881A (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US6319885B1 (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
EP0578507B1 (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US6276372B1 (en) Process using hydroxylamine-gallic acid composition
US6825156B2 (en) Semiconductor process residue removal composition and process
KR100368193B1 (ko) 수성 세정 조성물
JP4226216B2 (ja) 半導体基板用の剥離用組成物
US7144848B2 (en) Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal
US6121217A (en) Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process
US20070207938A1 (en) Cleaning compositions and methods of use thereof
EP1488286A1 (en) Ph buffered compositions for cleaning semiconductor substrates
KR20030022273A (ko) 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 식각된 잔사의 세척을위한 조성물
US7387130B2 (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
CN115820351A (zh) 半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法
US20030032567A1 (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140508

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150416

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee