CN100409416C - 消除金属连线上铜颗粒的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，该方法包括：硅片以2500-3500rpm的转速旋转，药液以200-400ml/min的流量从上面喷冲硅片0.5-1.5min；去离子水以600-1000ml/min的流量冲洗硅片；将硅片旋转干燥。本发明的单片式处理方法能有效减少铜颗粒，避免了铜颗粒可能导致的线路短路，提高了产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法。
背景技术
在半导体生产工程中，如果设计尺寸大于0.13μm的工艺普遍采用Al/Cu金属连线。其工艺流程为先在绝缘氧化上膜溅射上一层金属Ti/TiN/AlCu/TiN/Ti，再在金属层表面涂覆一层光刻胶，通过露光显像在需要形成线条的地方留下光刻胶图形作为刻蚀阻挡层，然后采用含氯的等离子刻蚀掉暴露在外的金属层，用氧气去除作为阻挡层的光刻胶，用水气去除残留的氯离子。通过以上流程，可以得到所需的各种形状和尺寸的金属连线，但大量的干法刻蚀聚合生成物残留在AlCu金属线条的侧壁和顶部。这些聚合物可通过化学清洗的方式去除掉。
随着设计尺寸的逐渐缩小，为提高成品率，半导体制造过程中对于后段干法聚合生成物的清洗要求越来越高。目前主要是以胺类(Sizensky等U.S.Pat.No.4,617,251)成分或氟类成分配制出高清洗效果的清洗液；如果处理时间控制精确，可用极稀的酸(Lee等U.S.Pat.No.6,367,486)
来作为清洗液。处理方式上目前有槽式、喷淋式和单片式三种方式处理。由于干法聚合生成物中含有铜的氧化物，通过喷淋的方式处理时，在硅片的表面会有大量微小铜颗粒出现。现有的单片式处理方法同样存在清洗中的铜颗粒出现问题。这些微小铜颗粒对于尺寸大于0.35μm的产品不会导致短路，但随着集成度的不断提高，金属线宽和线间距不断变窄，此铜颗粒有可能导致线路短路，甚至影响产品的可靠性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，该方法可大幅减少铜颗粒，且提高器件的成品率。
为了解决上述技术问题，本发明通过如下技术方案实现：
一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，包括如下步骤：
(a)硅片以2500-3500rpm的转速旋转，药液以200-400ml/min的流量从上面喷冲硅片0.5-1.5min；
(b)去离子水以600-1000ml/min的流量冲洗硅片；
(c)将硅片旋转干燥。
本发明的消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，使每块200mm硅片上，0.2μm以上的铜颗粒数小于20颗，而用现有喷淋的方式处理，每块200mm硅片上的铜颗粒数为300-500颗。因此，本发明的单片式大流量处理方式确实能有效地减少铜颗粒，避免了铜颗粒可能导致的线路短路，提高了产品的可靠性。
具体实施方式
实施例1
采用本发明的单片式处理方法处理硅片，清洗药液使用SST-A2，为快速稀释硅片表面药液中铜离子浓度，药液流速采用大流量。将药液喷嘴移动至硅片上方，硅片以3000rpm的转速旋转，同时，药液以300ml/min的流量从上面喷冲1min，然后停止药液喷冲，并将去离子水喷嘴取代药液喷嘴，接着，用去离子水以800ml/min的流量冲洗硅片，最后，让硅片通过高速旋转干燥。如此单片式处理所得的硅片经检测，每块200mm硅片上的铜颗粒数小于20颗。
实施例2
采用本发明的单片式处理方法处理硅片，清洗药液使用SST-A2，为快速稀释硅片表面药液中铜离子浓度，药液流速采用大流量。将药液喷嘴移动至硅片上方，硅片以2500rpm的转速旋转，同时，药液以200ml/min的流量从上面喷冲0.5min，然后停止药液喷冲，并将去离子水喷嘴取代药液喷嘴，接着，用去离子水以600ml/min的流量冲洗硅片，最后，让硅片通过高速旋转干燥。如此单片式处理所得的硅片经检测，每块200mm硅片上的铜颗粒数在20～30颗之间。
实施例3
采用本发明的单片式处理方法处理硅片，清洗药液使用SST-A2，为快速稀释硅片表面药液中铜离子浓度，药液流速采用大流量。将药液喷嘴移动至硅片上方，硅片以3500rpm的转速旋转，同时，药液以400ml/min的流量从上面喷冲1.5min，然后停止药液喷冲，并将去离子水喷嘴取代药液喷嘴，接着，用去离子水以1000ml/min的流量冲洗硅片，最后，让硅片通过高速旋转干燥。如此单片式处理所得的硅片经检测，每块200mm硅片上的铜颗粒数小于20颗。
实施例4
采用本发明的单片式处理方法处理硅片，清洗药液使用SST-A2，为快速稀释硅片表面药液中铜离子浓度，药液流速采用大流量。将药液喷嘴移动至硅片上方，硅片以3500rpm的转速旋转，同时，药液以200ml/min的流量从上面喷冲0.5min，然后停止药液喷冲，并将去离子水喷嘴取代药液喷嘴，接着，用去离子水以800ml/min的流量冲洗硅片，最后，让硅片通过高速旋转干燥。如此单片式处理所得的硅片经检测，每块200mm硅片上的铜颗粒数20～30颗之间。
实施例5
采用本发明的单片式处理方法处理硅片，清洗药液使用SST-A2，为快速稀释硅片表面药液中铜离子浓度，药液流速采用大流量。将药液喷嘴移动至硅片上方，硅片以2500rpm的转速旋转，同时，药液以400ml/min的流量从上面喷冲1.5min，然后停止药液喷冲，并将去离子水喷嘴取代药液喷嘴，接着，用去离子水以1000ml/min的流量冲洗硅片，最后，让硅片通过高速旋转干燥。如此单片式处理所得的硅片经检测，每块200mm硅片上的铜颗粒数小于20颗。
Claims (5)
1. 一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)硅片以2500-3500rpm的转速旋转，药液以200-400ml/min的流量从上面喷冲硅片0.5-1.5min；
(b)去离子水以600-1000ml/min的流量冲洗硅片；
(c)将硅片旋转干燥。
2. 如权利要求1所述的单片式处理方法，其特征在于，所述步骤(a)中的药液流量为300ml/min。
3. 如权利要求1所述的单片式处理方法，其特征在于，所述步骤(a)中的硅片转速为3000rpm。
4. 如权利要求1所述的单片式处理方法，其特征在于，所述步骤(a)中药液喷冲硅片的时间为1min。
5. 如权利要求1所述的单片式处理方法，其特征在于，所述步骤(b)中去离子水的流量为800ml/min。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
| US6367486B1 (en) * | 1990-11-05 | 2002-04-09 | Ekc Technology, Inc. | Ethylenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal process |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
| US6367486B1 (en) * | 1990-11-05 | 2002-04-09 | Ekc Technology, Inc. | Ethylenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal process |
| US20050247675A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Treatment of dies prior to nickel silicide formation |
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