CN105087184A - 清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。其中，该清洗试剂包括H₂O、H₂SO₄和H₂O₂，其中H₂O、H₂SO₄、H₂O₂的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。本申请提供的清洗试剂能够十分有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对芯片的损害，提高了半导体器件的稳定性。

Description

清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体集成电路的制作领域，尤其涉及一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。

背景技术

光刻及刻蚀工艺是集成电路制作技术中用的最频繁、最关键的技术之一。然而刻蚀结束后，会在半导体器件表面残留一些聚合物，比如光阻胶等。在进行下一步工艺前要获得一个洁净的表面，以保证后续工艺能在一个洁净的表面上进行，这就需要对半导体器件进行清洗。目前，在清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术，即利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在半导体器件表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从半导体器件的表面脱附(解吸)，然后用大量高纯热或冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。

现有湿法清洗工艺中常用的清洗试剂有以下几种：胺类清洗试剂，半水性胺基(非羟胺类)清洗试剂和氟化物类清洗试剂。清洗试剂的使用主要是为了去除等离子刻蚀残留物中的有机物部分，如果清洗试剂的溶解清洗能力不够，刻蚀残留物去除可能会不干净，残留在半导体器件上，从而影响集成电路芯片的清洗效果。

在现有互连层的制作过程中，通常需要对经刻蚀形成的互连层进行清洗，以去除互连层中的刻蚀残留物。具体地，上述互连层的制作包括以下步骤：首先在栅极11′上以及栅极11′周围的SiO₂层13′上沉积Al电极材料21′，形成如图1所示的基体结构；然后对Al电极材料21′进行平坦化处理，形成Al电极23′，并形成如图2所示的基体结构；接下来在Al电极23′上方依次沉积SiN层31′以及SiO₂层33′(SiN层31′和SiO₂层33′组成介电材料层30′)，形成如图3所示的基体结构；接下来干法刻蚀上述介电材料层30′，至暴露出Al电极23′的上表面，进而形成接触通孔40′，并形成如图4所示的基体结构；最后采用SC1等溶液清洗去除接触通孔40′内壁以及Al电极23′的裸露表面上的刻蚀残留物，形成如图5所示的基体结构。

在上述互连层的制作过程中，采用SC1等溶液对互连层中进行清洗时，清洗试剂会腐蚀掉部分Al电极(损耗量为6～13纳米)，导致金属电极的松动，进而会造成RC延时，影响芯片的稳定性。

发明内容

本申请旨在提供一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法，以解决现有清洗试剂对刻蚀后的半导体器件进行清洗时存在半导体器件产生损耗的问题。

本申请提供了一种清洗试剂，该试剂包括H₂O、H₂SO₄和H₂O₂，其中H₂O、H₂SO₄、H₂O₂的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。

进一步地，在上述清洗试剂中，在制备清洗试剂时H₂SO₄以H₂SO₄溶液的形式添加，H₂SO₄溶液中H₂SO₄的体积分数大于等于98％。

进一步地，在制备上述清洗试剂时上述H₂O₂，以H₂O₂溶液的形式添加，H₂O₂溶液中H₂O₂的体积分数优选为30％～50％。

进一步地，上述清洗试剂还包括HF，HF在试剂中的含量为5～20ppm。

本申请的另一方面在于提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。该方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件上的刻蚀残留物。

进一步地，在上述清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法中，上述清洗的温度为20℃～25℃，清洗的时间为0.5～3分钟。

同时，本申请还提供了一种半导体器件。该半导体器件经过至少一次刻蚀步骤，且在至少一次刻蚀步骤后采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法制作而成。

本申请还提供了一种金属互连层的制作方法，包括以下步骤：提供形成有金属电极的衬底；在衬底上形成介电材料层；刻蚀介电材料层，形成使部分金属电极裸露的接触通孔；采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法清洗接触通孔，去除接触通孔内壁及金属电极裸露表面上的刻蚀残留物；在接触通孔中填充金属材料形成金属互连层。

进一步地，在上述制作方法中，金属电极的材料为Al。

同时，本申请还提供了一种金属互连层，该金属互连层采用上述金属互连层的制作方法制作而成。

本申请所提供的技术方案具有以下效果：本申请提供的清洗试剂包括H₂O、H₂SO₄和H₂O₂，其中H₂SO₄和H₂O₂在该试剂中的含量虽然低，但是能够有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对半导体器件的损害，提高了半导体器件的稳定性。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有互连层的制作过程中，在栅极上以及栅极周围的SiO₂层上沉积金属电极材料后的基体的剖面结构示意图；

图2示出了对图1所示的金属电极材料进行平坦化处理，形成金属电极后的基体的剖面结构示意图；

图3示出了在Al电极上方依次沉积SiN层以及SiO₂层后的基体的剖面结构示意图；

图4示出了干法刻蚀SiO₂层和SiN层至暴露出金属电极的上表面，进而形成接触通孔后的基体的剖面结构示意图；

图5示出了采用SC1等溶液清洗去除接触通孔内壁以及金属电极的裸露表面上的刻蚀残留物后的基体的剖面结构示意图。

图6示出了根据本申请实施方式所提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法的流程示意图；

图7示出了本申请实施方式所提供的金属互连层的制作方法的流程示意图；

图8示出了本申请实施方式所提供的金属互连层的制作方法中，提供形成有金属电极的衬底后的基体的剖面结构示意图；

图9示出了在图8所示的衬底上形成介电材料层后的基体的剖面结构示意图；

图10示出了刻蚀图9所示的介电材料层，形成使部分金属电极裸露的接触通孔后的基体的剖面结构示意图；以及

图11示出了采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法清洗图10所示的接触通孔以去除接触通孔内壁及金属电极裸露表面上的刻蚀残留物，并在接触通孔中填充金属材料形成金属互连层后的基体的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请的具体实施方式，对本申请的技术方案进行详细的说明，但如下实施例仅是用以理解本申请，而不能限制本申请，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合，本申请可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

由背景技术可知，现有清洗试剂对刻蚀后的半导体器件进行清洗时存在半导体器件产生损耗的问题，本申请的发明人针对上述问题进行研究，提供了一种清洗试剂。该清洗试剂包括H₂O、H₂SO₄和H₂O₂，其中H₂O、H₂SO₄、H₂O₂溶液的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。

在本申请所提供的清洗试剂中，硫酸可以使刻蚀后的半导体器件表面上的残留有机物脱水而碳化，而H₂O₂可将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体，从而除刻蚀后的半导体器件表面上有机残留物；去离子水作为冲洗液，用来冲洗刻蚀后的半导体器件表面上的颗粒，比如刻蚀残留物、碳化产物、残留的硫酸和双氧水等。

在本申请提供的一种优选实施方式中，在制备清洗试剂时H₂SO₄以H₂SO₄溶液的形式添加，H₂SO₄溶液中H₂SO₄的体积分数大于等于98％；以H₂O₂溶液的形式添加H₂O₂，其中H₂O₂溶液中H₂O₂的体积分数优选为30％～50％。将上述组分与H₂O混合，使得H₂SO₄和H₂O₂得到稀释，形成上述清洗试剂；在使用该清洗试剂清洗蚀后的半导体器件表面时，在各个组分的相互作用下，半导体器件表面上的残留缺陷得以去除。

在本申请提供的一种优选实施方式中，上述清洗试剂还包括HF。HF能够去除半导体器件表面上的原生氧化层及双氧水在半导体器件表面上氧化生成的一层化学氧化层，在去除氧化层的同时，HF还在半导体器件的表面形成氢键，使得半导体器件呈现疏水性表面，因此HF能有效去除刻蚀后半导体器件表面上的损伤。在上述清洗试剂中，HF的浓度不宜过高，优选为5～20ppm，如果HF酸浓度过高会对半导体器件表面造成损伤。

本申请提供的清洗试剂可适用于浸泡式、旋转式或喷涂等多种清洗仪器和清洗方式，并且，清洗试剂可在较低的温度条件下使用，例如低于45℃。优选地，湿法清洗的温度为20℃～25℃。

本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。该方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件上的刻蚀残留物。该方法能够有效地去除半导体器件中刻蚀残留物，并且不会对金属互连层的损害，提高了金属互连层的稳定性。

图6示出了本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法的流程示意图。下面将结合图6进一步解释说明本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。

首先，配制本申请提供的清洗试剂。优选地，该清洗试剂包括H₂O、H₂SO₄、H₂O₂以及可选的HF，其中H₂O、H₂SO₄、H₂O₂的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。在本申请的一种优选实施方式中，将体积分数大于等于98％的H₂SO₄溶液作为清洗试剂的组分；将H₂O₂的体积分数为30％～50％的H₂O₂溶液作为清洗试剂的组分。当清洗试剂中含有HF时，清洗试剂中HF的浓度为5～20ppm。

配制上述清洗试剂的步骤为：按照上述配比量取一定体积的去离子水并置于烧杯中，然后分别将H₂SO₄溶液、H₂O₂溶液，以及可选的HF滴加到烧杯中，并混合均匀；最后将配制的清洗试剂置于试剂瓶中，密封保存，待使用时取出。

在完成配制本申请提供的清洗试剂的步骤后，将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。

在上述清洗去除半导体器件中刻蚀残留物的过程中，清洗试剂中的硫酸用于使经刻蚀后形成的半导体器件表面上的残留有机物脱水而碳化，而清洗试剂中的H₂O₂用于将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体，从而去除经刻蚀后形成的半导体器件表面上有机残留物；HF用于去除经刻蚀后形成的半导体器件表面上的原生氧化层及双氧水在半导体器件表面上氧化生成的一层化学氧化层，在去除氧化层的同时，HF还会在半导体器件的表面形成氢键，使得半导体器件呈现疏水性表面，从而去除刻蚀后半导体器件表面上的损伤；去离子水用来冲洗刻蚀后的半导体器件表面上的颗粒，比如刻蚀残留物、碳化产物、残留的硫酸和双氧水等。

在本申请的一种优选实施方式中，清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法可以是浸泡法和旋转喷淋法，清洗的温度优选为20℃～25℃，时间优选为0.5～3分钟。浸泡法就是通过清洗溶液与半导体器件表面的刻蚀残留物在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除半导体器件表面刻蚀残留物的目的。单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意，所以在采用浸泡的同时往往还辅以加热、超声、搅拌等物理措施。旋转喷淋法利用所喷清洗试剂的溶解(或化学反应)作用来溶解半导体器件表面的刻蚀残留物，同时利用高速旋转的离心作用，使溶有杂质的液体及时脱离半导体器件表面，这样半导体器件表面的液体总保持非常高的纯度。同时由于所喷清洗试剂与旋转的半导体器件有较高的相对速度，所以会产生较大的冲击力达到清除吸附杂质的目的。

在本申请的一种优选实施方式中，通过浸泡法清洗半导体器件上刻蚀残留物的步骤包括：将清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在20℃～25℃，然后将刻蚀后的半导体器件置于清洗试剂中，清洗半导体器件上的刻蚀残留物，清洗的时间为0.5～3分钟。在本申请的一种优选实施方式中，通过旋转喷淋法清洗刻蚀后的半导体器件的步骤包括：将清洗试剂喷涂到刻蚀后的半导体器件上，并通过低速旋转(<500rpm)使清洗试剂均匀分布在硅片表面上，在温度为20℃～25℃条件下，清洗半导体器件上的刻蚀残留物，清洗的时间为0.5～3分钟。

当然，除了本申请优选实施方式采用的接触方式之外，也可以采用其他接触方式，本领域技术人员可根据生产实践的具体要求而选择合适的接触方式。

同时，本申请提供了一种半导体器件，该半导体器件经过至少一次刻蚀步骤，且在至少一次刻蚀步骤后经本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法制作而成。该半导体器件中的刻蚀残留物得以减少，进而使得半导体器件的性能得以提高。

本申请还提供了一种金属互连层的制作方法。如图7所示，该制作方法包括以下步骤：提供形成有金属电极的衬底；在衬底上形成介电材料层；刻蚀介电材料层，形成使部分金属电极裸露的接触通孔；采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法清洗接触通孔，去除接触通孔内壁及金属电极裸露表面上的刻蚀残留物；在接触通孔中填充金属材料形成金属互连层。

上述制作方法中，通过采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法能够有效地去除接触通孔中刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对金属互连层的损害，提高了金属互连层的稳定性。

图8至图11示出了本申请提供的金属互连层的制作方法中，经过每一步骤后的基体剖面结构示意图。下面将结合图8至图11进一步解释说明本申请提供的金属互连层的制作方法。首先，提供如图8所示的形成有金属电极23的衬底。在一种优选的实施方式中，该步骤包括：在栅极11上以及栅极11周围的SiO₂层13上沉积金属电极材料；对金属电极材料进行平坦化处理，形成金属电极23。上述金属电极23的材料可以为本领域中常见的电极材料，例如Al或Cu等，沉积金属电极材料的工艺可以化学气相沉积或溅射等，上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。上述栅极11的材料可以为本领域常见的栅极材料，例如多晶硅等。

然后，在衬底上形成介电材料层30，进而形成如图9所示的基体结构。上述介电材料层30可以根据现有技术进行设置，在本申请的一种可选实施方式中，介电材料层30包括SiN层31和SiO₂层33。形成上述介电材料层30的工艺可以化学气相沉积或溅射等，上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。

完成在衬底上形成介电材料层30的步骤之后，刻蚀介电材料层30，形成使部分金属电极23裸露的接触通孔40，进而形成如图10所示的基体结构。刻蚀介电材料层30的工艺可以为干法刻蚀，更优选为等离子干法刻蚀。上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。

完成刻蚀介电材料层30，形成使部分金属电极23裸露的接触通孔40的步骤之后，采用本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法清洗接触通孔40，去除接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上的刻蚀残留物，并在接触通孔40中填充金属材料50形成金属互连层，进而形成如图11所示的基体结构。该步骤中，本申请提供的清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法能够有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对金属互连层的损害，提高了金属互连层的稳定性。

上述接触通孔40内壁上的刻蚀残留物主要为Si，C，F，O，N的残留物，金属电极23裸露表面上的刻蚀残留物主要为Si，C，F，O，Al，N的残留物。在上述清洗去除互连层中的接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上的刻蚀残留物的过程中，清洗试剂中的硫酸用于使含有C、F、O、N的残留有机物脱水而碳化，而清洗试剂中的H₂O₂用于将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体，从而去除接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上的有机残留物；HF用于去除接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上的原生氧化层，以及双氧水在接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上生成的一层化学氧化层；去离子水用来冲洗接触通孔40内壁及金属电极23裸露表面上的颗粒，比如碳化产物、Si、损耗的电极材料Al以及残留的清洗试剂等。同时，本申请还提供了一种金属互连层，该金属互连层采用上述金属互连层的制作方法制作而成。该金属互连层中的刻蚀残留物得以减少，进而使得金属互连层的性能得以提高。

同时，本申请还提供了一种金属互连层，该金属互连层采用上述金属互连层的制作方法制作而成。该金属互连层中的刻蚀残留物得以减少，进而使得金属互连层的性能得以提高。

下面将以清洗去除互连层中刻蚀残留物为例，进一步说明本申请所提供的清洗试剂、清洗半导体器件及互连层中刻蚀残留物的方法。但是本申请所提供的清洗试剂在半导体制作中的应用并不仅限于此，半导体工艺中任何采用本申请提供的清洗试剂去除清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法都属于本申请的保护范围。

实施例1

本实施例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

配制清洗试剂，具体包括以下步骤：量取99.275ml去离子水、1.265ml体积分数为98％的H₂SO₄、1ml体积分数为30％的H₂O₂溶液并置于烧杯中，然后将占上述溶液体积的5ppm的HF滴加到上述溶液中，混合均匀。

将上述清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在20℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗Al电极上的刻蚀残留物，清洗的时间为30秒。

实施例2

本实施例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

配制清洗试剂，具体包括以下步骤：量取96.165ml去离子水、5.102ml体积分数为98％的H₂SO₄、5.333ml体积分数为30％的H₂O₂置于烧杯中，然后将占上述溶液体积的20ppm的HF滴加到上述溶液中，混合均匀。

将上述清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在25℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗Al电极上的刻蚀残留物，清洗的时间为1分钟。

实施例3

本实施例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

配制清洗试剂，包括以下步骤：量取99.675ml去离子水、1.265ml体积分数为98％的H₂SO₄、0.6ml体积分数为50％的H₂O₂置于烧杯中，然后将占上述溶液体积的10ppm的HF滴加到上述溶液中，混合均匀。

将上述清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在22℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗Al电极上的刻蚀残留物，清洗的时间为3分钟。

实施例4

本实施例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

配制清洗试剂，具体包括以下步骤：量取98.298ml去离子水、5.102ml体积分数为98％的H₂SO₄、3.2ml体积分数为50％的H₂O₂溶液置于烧杯中，然后将占上述溶液体积的25ppm的HF滴加到上述溶液中，混合均匀。

将上述清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在25℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗Al电极上的刻蚀残留物，清洗的时间为2分钟。

实施例5

本实施例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

配制清洗试剂，包括以下步骤：量取98.218ml去离子水、5.313ml体积分数为96％的H₂SO₄、3.269ml体积分数为52％的H₂O₂溶液置于烧杯中混合均匀。

将上述清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在28℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗Al电极上的刻蚀残留物，清洗的时间为4分钟。

对比例1

本对比例提供了一种清洗互连层中刻蚀残留物的方法，该互连层包括Al电极，以及设置于金属电极上的介电材料层，介电材料层上具有经刻蚀形成，且使部分金属电极裸露的接触通孔。该方法包括以下步骤：

采用Avantor公司生产的REZI38作为清洗试剂，将清洗试剂置于清洗槽中，控制清洗槽中清洗试剂的温度在25℃，然后将包含刻蚀后形成的Al电极的芯片置于清洗试剂中，清洗芯片上的刻蚀残留物，清洗的时间为30秒。

测试：

通过SEM观察实施例1至4和对比例1中清洗Al电极前后的微观形貌，并采用统计的方法计算出Al表面缺陷去除率，其结果请见表1。从表1可以看出，对比例1中Al层损耗量为120A，Al表面缺陷去除率仅为67％，而本申请实施例1至5中Al层损耗量(沿直径方向)为Al表面缺陷去除率高达89％～92％。由上述数据分析可以看出，应用本申请提供的技术方案，使得互连层中Al层损耗量得到了明显减少，Al表面缺陷去除率得到明显提高。

表1

从以上实施例可以看出，本申请上述的实例实现了如下技术效果：本申请提供了一种湿法清洗试剂，该试剂的使用温度很低，能够十分有效地去除刻蚀残留物；该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对芯片的损害，提高了芯片的稳定性。

上述实施例中以Al电极为例，采用本申请的试剂清洗Al电极表面刻蚀残留物。但是本申请提供的清洗互连层中刻蚀残留物的方法并不仅限于清洗Al电极，现有互连层中常见的金属电极的清洗均可采用上述方法。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种清洗试剂，其特征在于，所述试剂包括H₂O、H₂SO₄和H₂O₂，其中H₂O、H₂SO₄、H₂O₂的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。

2.根据权利要求1所述的清洗试剂，其特征在于，在制备所述清洗试剂时所述H₂SO₄以H₂SO₄溶液的形式添加，所述H₂SO₄溶液中H₂SO₄的体积分数大于等于98％。

3.根据权利要求1所述的清洗试剂，其特征在于，在制备所述清洗试剂时所述H₂O₂以H₂O₂溶液的形式添加，所述H₂O₂溶液中所述H₂O₂的体积分数优选为30％～50％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗试剂，其特征在于，所述试剂还包括HF，所述HF在所述试剂中的含量为5～20ppm。

5.一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法，其特征在于，所述方法包括：

配制权利要求1至4中任一项所述的清洗试剂；以及

将经刻蚀形成的半导体器件与所述清洗试剂进行接触，清洗去除所述半导体器件中的刻蚀残留物。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述清洗的温度为20℃～25℃，所述清洗的时间为0.5～3分钟。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件经过至少一次刻蚀步骤，且在至少一次刻蚀步骤后经权利要求5或6中所述的方法清洗去除刻蚀残留物制作而成。

8.一种金属互连层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供形成有金属电极的衬底；

在所述衬底上形成介电材料层；

刻蚀所述介电材料层，形成使部分所述金属电极裸露的接触通孔；

采用权利要求5或6中所述的方法清洗所述接触通孔，去除所述接触通孔内壁及所述金属电极裸露表面上的刻蚀残留物；

在所述接触通孔中填充金属材料形成所述金属互连层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属电极的材料为Al。

10.一种金属互连层，其特征在于，所述金属互连层采用权利要求8或9中所述的方法制作而成。