CN112871811A - 单片晶圆清洗系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种单片晶圆清洗系统及方法，单片晶圆清洗系统包括：第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，向晶圆的表面喷洒第一清洗液；第一旋转支架，位于晶圆承载台的一侧，与第一清洗液喷嘴相连接；第二清洗装置，用于在停止向晶圆的表面喷洒第一清洗液的同时向晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在向晶圆的表面最后一次清洗后向晶圆的表面喷洒含碳去离子水；预设温度小于第一清洗液的温度且大于含碳去离子水的温度。在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时使用第二清洗装置向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低生产成本。

Description

单片晶圆清洗系统及方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种单片晶圆清洗系统及方法。
背景技术
半导体器件生产中晶圆须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于晶圆表面，会导致各种缺陷。
在现有的单片清洗机机台清洗晶圆过程中，由于设备自身的限制，使用温度较高的清洗液对晶圆进行清洗之后，不能立即使用热的去离子水对晶圆的表面进行清洗，为了避免晶圆表面短暂性干燥，需要使用固定式喷嘴的常温的含碳去离子水保持晶圆表面湿润，而清洗液与常温的含碳去离子水的温差较大，较大的温度差会产生热应力，晶圆受热应力造成破片，提高了生产成本。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种单片晶圆清洗系统及方法。
一种单片晶圆清洗系统，用于对位于晶圆承载台上的晶圆进行清洗，单片晶圆清洗系统包括：
第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第一旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第一清洗液喷嘴相连接，用于在喷洒所述第一清洗液之前将所述第一清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第一清洗液喷洒完毕后将所述第一清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；
第二清洗装置，用于在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在对所述晶圆进行最后一次清洗时，向所述晶圆的表面喷洒含碳去离子水；
其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。
通过上述技术方案，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时使用第二清洗装置向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，由于具有预设温度的去离子水的温度高于含碳去离子水的温度，具有预设温度的去离子水与第一清洗液及含碳去离子水均具有较小的温差，可以减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低了生产成本。
在其中一个实施例中，所述第二清洗装置包括：
固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；
第一去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于在所述第一清洗液喷嘴停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水；
第二去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于对所述晶圆进行最后一次清洗时向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水。
在其中一个实施例中，所述第二清洗装置包括：
固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；
混合腔，与预热去离子水管路及含碳去离子水管路相连通，所述预热去离子水管路和所述含碳去离子水管路上分别设有开关阀，所述混合腔用于将预热去离子水及含碳去离子水混合以得到所述预设温度的去离子水；
去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，且与所述混合腔相连接，用于向所述晶圆的表面喷洒所述预设温度的去离子水及所述含碳去离子水。
在其中一个实施例中，所述预设温度为25℃～90℃；所述预设去离子水的流量为1500ml/min～2500ml/min。
在其中一个实施例中，所述单片晶圆清洗系统还包括：
第三清洗装置，包括：第二清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第三清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第二旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴均相连接，用于在喷洒所述第二清洗液及所述第三清洗液之前将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第二清洗液及所述第三清洗液喷洒完毕后将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；
第四清洗装置，包括：第四清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对所述晶圆进行干燥；第三旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，用于在喷洒所述第四清洗液之前将所述第四清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第四清洗液喷洒完毕后将所述第四清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开。
一种单片晶圆清洗方法，包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆的表面进行清洗；
在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水；
在向所述晶圆的表面进行最后一次清洗时，喷洒含碳去离子水；
其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。
通过上述技术方案，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，由于具有预设温度的去离子水的温度高于含碳去离子水的温度，具有预设温度的去离子水与第一清洗液及含碳去离子水均具有较小的温差，可以减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低了生产成本。
在其中一个实施例中，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水之后还包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对所述晶圆进行清洗；
向所述晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对所述晶圆进行清洗；
向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水之后向所述晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对所述晶圆的表面进行干燥。
在其中一个实施例中，所述预设温度为25℃～90℃，所述含碳去离子水的温度为20℃～30℃。
在其中一个实施例中，向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒具有第一预设温度的去离子水，所述第一预设温度小于所述第一清洗液的温度；
向所述晶圆的表面喷洒具有第二预设温度的去离子水，所述第二预设温度小于所述第一预设温度且大于所述含碳去离子水的温度。
在其中一个实施例中，所述第一预设温度为70℃～90℃，所述第二预设温度为50℃～70℃。
在其中一个实施例中，向所述晶圆的表面喷洒所述具有第二预设温度的去离子水之后还包括如下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒具有第三预设温度的去离子水，所述第三预设温度小于所述第二预设温度且大于所述含碳去离子水的温度。
在其中一个实施例中，所述第三预设温度为30℃～50℃。
附图说明
图1为本发明一个实施例中展示单片晶圆清洗系统的结构示意图；
图2为本发明的另一个实施例中展示单片晶圆清洗系统的结构示意图；
图3为本发明的一个实施例展示单片晶圆清洗方法的流程图；
图4为本发明的另一个实施例展示单片晶圆清洗方法的流程图；
图5为本发明的一个其他实施例展示单片晶圆清洗方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
为了减少晶圆在清洗过程中受到热应力造成破片的概率，本发明提供一种单片晶圆清洗系统，如图1所示，用于对位于晶圆承载台24上的晶圆进行清洗，包括：
第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴10，用于向晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对晶圆进行清洗；第一旋转支架11，位于晶圆承载台24的一侧，与第一清洗液喷嘴10相连接，用于在喷洒第一清洗液之前将第一清洗液喷嘴10移至晶圆的上方，并在第一清洗液喷洒完毕后将第一清洗液喷嘴10自晶圆的上方移开；
第二清洗装置，用于在停止向晶圆的表面喷洒第一清洗液的同时向晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在对所述晶圆进行最后一次清洗时，向晶圆的表面喷洒含碳去离子水；
其中，预设温度小于第一清洗液的温度且大于含碳去离子水的温度。
具体的，第一旋转支架11转动连接在晶圆承载台24的一侧，第一清洗液为SPM(Surfuric Acid/Hydrogen Peroxide Mix，硫酸双氧水混合溶液)，由H2SO4、H2O2和H2O组成，，第一清洗溶液在120～130℃的温度下对晶圆进行清洗，用于去除晶圆表面的有机物。
在一个可选的实施例中，第二清洗装置包括固定支架12、第一去离子水喷嘴13和第二去离子水喷嘴14，第一去离子水喷嘴13和第二去离子水喷嘴14均固定连接在固定支架12上，第一去离子水喷嘴13与预设温度的去离子水供应系统之间连接，预设温度可以为25℃～90℃，具体的，预设温度可以为90℃、60℃或者25℃，预设温度去离子水的流量可以为1500ml/min～2500ml/min，具体的，预设温度的去离子水的流量可以为1500ml/min、2000ml/min或者2500ml/min。第二去离子水喷嘴14则与含碳去离子水供应系统直接连接，含碳去离子水为含有二氧化碳的纯水，为了减少二氧化碳从含碳去离子水的溢出量，含碳去离子水的温度保持在20℃～30℃，可以为20℃、25℃或者30℃。通过预设温度的去离子水清洗晶圆能够避免晶圆受热从120℃左右直接降至25℃，导致晶圆受热温差大而破片，同时第一清洗溶液粘稠度较高，预设温度的去离子水具有更好的清洁效果。
在其他可选的实施例中，如图2所示，第二清洗装置包括固定支架12、混合腔15和去离子水喷嘴16，固定支架12安装在晶圆承载台24的一侧，混合腔15和去离子水喷嘴16均安装在固定支架12上，混合腔15连通有预热去离子水管路17及含碳去离子水管路18连通，预热去离子水管路17和含碳去离子水管路18上分别设置有开关阀，含碳去离子水和预热去离子水在混合腔15内混合并得到预设温度的去离子水，去离子水喷嘴16同样与混合腔15连通，用于向晶圆表面喷洒预设温度的去离子水以及含碳去离子水。
预热去离子水管路17连通混合腔15与预热去离子水供应系统，预热去离子水的温度可以为90℃，通过控制预热去离子水管路17上的开关阀来改变混合腔15内预热去离子水和含碳去离子水的体积比，从而得到不同温度的去离子水，预设温度可以包括90℃、60℃、25℃，当预设温度为90度时，含碳去离子水管路18完全关断，只开通预热去离子水管路17，当预设温度为25℃时，预热去离子水管路17完全关断，只开通含碳去离子水管路18。通过将预设温度去离子水设置在固定支架上，使第一清洗液高温清洗完同时就进行预设温度去离子水清洗，从而避免晶圆受热从120℃左右直接降至25℃，导致晶圆受热温差大而破片。同时，通过多个温度的设定，进一步的缓解晶圆从高温到低温过渡过程中温差变化过大，使晶圆在此过程中受热均匀。
在其他可选的实施例中，如图1或图2所示，单片晶圆清洗系统还包括第三清洗装置，第三清洗装置包括第三清洗液喷嘴19和第二旋转支架21，第二旋转支架21转动连接在晶圆承载台24的一侧，第三清洗液喷嘴19安装在第二旋转支架21上，用于向晶圆的表面喷洒第三清洗液，在要喷洒第三清洗液之前，第二旋转支架21将第三清洗液喷嘴19转动至晶圆的上方，在第三清洗液喷洒完毕后第二旋转支架21转动，使得第三清洗液喷嘴19从晶圆上方移开。
第三清洗液为SC-1试剂，第三清洗液由HN4OH、H2O2和H2O组成。第三清洗液的主要作用是碱性氧化，用于去除晶圆表面的颗粒，并可氧化及去除晶圆表面少量的有机物和银、铜等金属原子污染。
在其他可选的实施例中，如图1或图2所示，第三清洗装置还包括第二清洗液喷嘴20，第二清洗液喷嘴20安装在第二旋转支架21上，用于喷洒第二清洗液，第二清洗液喷洒于预设温度的去离子水和第三清洗液之间，在要喷洒第二清洗液之前，第二旋转支架21将第二清洗液喷嘴20转动至晶圆的上方，在第二清洗液喷洒完毕后第二旋转支架21转动，使得第二清洗液喷嘴20从晶圆上方移开。
第二清洗溶液为氢氟酸(HF)或稀释氢氟酸(DHF)，利用氢氟酸能够溶解二氧化硅的特性在20℃～25℃的温度下清洗去除晶圆在上一步清洗过程中于表面形成的氧化层，同时将吸附在氧化层上的微粒及金属去除。同时第二清洗溶液还能够在硅晶圆的表面形成硅氢键，使得晶圆表面呈疏水性。
在一个可选的实施例中，本发明的单片晶圆清洗系统还包括常温去离子水喷嘴(附图中未示出)，常温去离子水喷嘴可以位于固定支架12、第一旋转支架11、第二旋转支架21或第三旋转支架23上，常温去离子水用于在向晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水后、向晶圆的表面喷洒第二清洗液后及向晶圆的表面喷洒第三清洗液后向晶圆的表面喷洒常温去离子水。
单片晶圆清洗系统还包括第四清洗装置，第四清洗装置包括第四清洗液喷嘴22和第三旋转支架23，第四清洗液喷嘴22安装在第三旋转支架23上，第三旋转支架23转动连接在晶圆承载台24的一侧，在喷洒第四清洗液之前，第三旋转支架23转动至第四清洗液喷嘴22位于晶圆的上方，且转动支架在第四清洗液喷洒完毕之后将第四清洗液喷嘴22从晶圆上方移开。第四清洗液为IPA(异丙醇,(CH3)2CHOH)，第四清洗溶液使得异丙醇取代了晶圆表面的水，从而达到干燥晶圆表面的效果。
本发明还提供了一种单片晶圆清洗方法，如图3所示，具体的，包括以下步骤：
步骤S10：向晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对晶圆的表面进行清洗；
步骤S20：在停止向晶圆的表面喷洒第一清洗液的同时向晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水；
步骤S30：在向所述晶圆的表面进行最后一次清洗时，喷洒含碳去离子水；
其中，预设温度小于第一清洗液的温度且大于含碳去离子水的温度。
对于步骤S10，具体的，第一清洗液为SPM(Surfuric Acid/Hydrogen PeroxideMix，硫酸双氧水混合溶液)，由H2SO4、H2O2和H2O组成，第一清洗溶液在120～130℃的温度下对晶圆进行清洗，用于去除晶圆表面的有机物。
对于步骤S20，具体的，预设温度可以为25℃～90℃，优选地，预设温度为55℃～65℃，具体的，预设温度可以为55℃、60℃或者65℃，含碳去离子水为含有二氧化碳的纯水，为了减少纯水中二氧化碳的溢出，含碳去离子水的温度要小于30℃。通过预设温度的去离子水清洗晶圆能够避免晶圆受热从120℃左右直接降至25℃左右，导致晶圆受热温差大而破片，同时第一清洗溶液粘稠度较高，预设温度的去离子水具有更好的清洁效果。
在一个可选的实施例中，步骤S20具体的包括以下步骤：
步骤S201：向晶圆的表面喷洒具有第一预设温度的去离子水，第一预设温度小于第一清洗液的温度；
步骤S202：向晶圆的表面喷洒具有第二预设温度的去离子水，第二预设温度小于第一预设温度且大于含碳去离子水的温度。
具体的，第一预设温度为70℃～90℃，可以为70℃、80℃或90℃，第二预设温度为50℃～70℃，可以为50℃、60℃或70℃。
在一个可选的实施例中，步骤S20还包括：
步骤S203：向晶圆的表面喷洒具有第三预设温度的去离子水，第三预设温度小于第二预设温度且大于含碳去离子水的温度；
具体的，第三预设温度为30℃～50℃，可以为30℃、45℃或50℃。
在一个可选的实施例中，如图4所示，步骤S20之后还包括：
步骤S22：向晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对晶圆进行清洗；
具体的，第三清洗液为SC-1试剂(是Standard Clean-1的简称)，第三清洗液由HN4OH、H2O2和H2O组成。第三清洗液的主要作用是碱性氧化，用于去除晶圆表面的颗粒，并可氧化及去除晶圆表面少量的有机物和银、铜等金属原子污染。
如图5所示，在其他可选的实施例中，在步骤S20和步骤S22之间还包括：步骤S21：向晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对晶圆进行清洗；
具体的，第二清洗溶液为氢氟酸(HF)或稀释氢氟酸(DHF)，利用氢氟酸能够溶解二氧化硅的特性在20℃～25℃的温度下清洗去除晶圆在上一步清洗过程中于表面形成的氧化层，同时将吸附在氧化层上的微粒及金属去除。同时第二清洗溶液还能够在硅晶圆的表面形成硅氢键，使得晶圆表面呈疏水性。
对于步骤S30，具体的，含碳去离子水中含有二氧化碳，二氧化碳的加入能够防止静电，含碳去离子水的温度为20℃～30℃，优选的，含碳去离子水的温度为25℃。
步骤S30之后还包括：
步骤S40：向晶圆的表面喷洒含碳去离子水之后向晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对晶圆的表面进行干燥。
具体的，第四清洗液为IPA(异丙醇,(CH3)2CHOH)，第四清洗溶液使得异丙醇取代了晶圆表面的水，从而达到干燥晶圆表面的效果。
在一个可选的实施例中，在步骤S20、步骤S21及步骤S22后均向晶圆的表面喷洒常温去离子水。
综上所述，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，由于具有预设温度的去离子水的温度高于含碳去离子水的温度，具有预设温度的去离子水与第一清洗液及含碳去离子水均具有较小的温差，可以减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低了生产成本。同时，通过多个温度的设定，进一步的缓解晶圆从高温到低温过渡过程中温差变化过大，使晶圆在此过程中受热均匀。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种单片晶圆清洗系统，其特征在于，用于对位于晶圆承载台上的晶圆进行清洗，单片晶圆清洗系统包括：
第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第一旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第一清洗液喷嘴相连接，用于在喷洒所述第一清洗液之前将所述第一清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第一清洗液喷洒完毕后将所述第一清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；
第二清洗装置，用于在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在对所述晶圆进行最后一次清洗时，向所述晶圆的表面喷洒含碳去离子水；
其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。
2.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述第二清洗装置包括：
固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；
第一去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于在所述第一清洗液喷嘴停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水；
第二去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于对所述晶圆进行最后一次清洗时向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水。
3.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述第二清洗装置包括：
固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；
混合腔，与预热去离子水管路及含碳去离子水管路相连通，所述预热去离子水管路和所述含碳去离子水管路上分别设有开关阀，所述混合腔用于将预热去离子水及含碳去离子水混合以得到所述预设温度的去离子水；
去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，且与所述混合腔相连接，用于向所述晶圆的表面喷洒所述预设温度的去离子水及所述含碳去离子水。
4.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述预设温度为25℃～90℃；所述预设去离子水的流量为1500ml/min～2500ml/min。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述单片晶圆清洗系统还包括：
第三清洗装置，包括：第二清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第三清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第二旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴均相连接，用于在喷洒所述第二清洗液及所述第三清洗液之前将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第二清洗液及所述第三清洗液喷洒完毕后将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；
第四清洗装置，包括：第四清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对所述晶圆进行干燥；第三旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，用于在喷洒所述第四清洗液之前将所述第四清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第四清洗液喷洒完毕后将所述第四清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开。
6.一种单片晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆的表面进行清洗；
在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水；
在向所述晶圆的表面进行最后一次清洗时，喷洒含碳去离子水；
其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。
7.根据权利要求6所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水之后还包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对所述晶圆进行清洗；
向所述晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对所述晶圆进行清洗；
向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水之后向所述晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对所述晶圆的表面进行干燥。
8.根据权利要求6或7所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设温度为25℃～90℃，所述含碳去离子水的温度为20℃～30℃。
9.根据权利要求6或7所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水包括以下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒具有第一预设温度的去离子水，所述第一预设温度小于所述第一清洗液的温度；
向所述晶圆的表面喷洒具有第二预设温度的去离子水，所述第二预设温度小于所述第一预设温度且大于所述含碳去离子水的温度。
10.根据权利要求9所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度为70℃～90℃，所述第二预设温度为50℃～70℃。
11.根据权利要求9所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的表面喷洒所述具有第二预设温度的去离子水之后还包括如下步骤：
向所述晶圆的表面喷洒具有第三预设温度的去离子水，所述第三预设温度小于所述第二预设温度且大于所述含碳去离子水的温度。
12.根据权利要求11所述的单片晶圆清洗方法，其特征在于，所述第三预设温度为30℃～50℃。
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