CN108281382B - 一种显示基板的制作方法及显示基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。显示基板的制作方法包括：在形成低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。本发明采用氧化性清洗液清洗低温多晶硅有源层，将低温多晶硅表面残留的离子氧化后去除；然后采用干法刻蚀，去除低温多晶硅有源层的表面的氧化硅。由于所用试剂均不会与金属氧化物有源层发生反应，不会对金属氧化物有源层造成损伤。

Description

一种显示基板的制作方法及显示基板
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。
背景技术
OLED显示面板具有基于有机发光二极管的像素阵列。每个像素包括有机发光二极管和用于控制向有机发光二极管施加信号的薄膜晶体管。
在众多种类的薄膜晶体管中，低温多晶硅薄膜晶体管具有稳定性高，制作温度低、成本低等优势；金属氧化物薄膜晶体管具有漏电流低、尺寸小、制作方法简单等优势。低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，特别适用于AMOLED(Active Matrix/OrganicLight Emitting Diode，即有源矩阵有机发光二极体)产品。
在制作同时具备低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的显示面板时：在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，一般利用氟化氢对低温多晶硅有源层进行清洗，以去除多晶硅表面残余的离子及氧化硅。由于氟化氢的腐蚀性较强，在处理低温多晶硅有源层的同时，对金属氧化物有源层具有较大影响，容易造成金属氧化物有源层的损伤。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板的制作方法及显示基板，所述显示基板的制作方法中，可有效去除低温多晶硅有源层的表面残留的离子和氧化硅，而且不会对金属氧化物有源层造成损伤。
本发明公开了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：
利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。
优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
2～10wt％的HNO3；
2～10wt％的H2SO4；
2～10wt％的H2O2；
1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
0.5～5wt％表面活性剂；
余量的水。
优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
3～8wt％的HNO3；
5～8wt％的H2SO4；
5～9wt％的H2O2；
3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
2～4wt％的表面活性剂；
余量的水。
优选地，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
优选地，所述表面活性剂为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。
优选地，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：
形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。
优选地，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
优选地，所述制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；
形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；
对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
优选地，所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。
本发明还公开了一种显示基板，采用上述技术方案所述的制作方法制备得到。
与现有技术相比，本发明采用氧化性清洗液清洗低温多晶硅有源层，将低温多晶硅表面残留的离子氧化后去除；然后采用干法刻蚀，去除低温多晶硅有源层的表面的氧化硅。由于所用试剂均不会与金属氧化物有源层发生反应，不会对金属氧化物有源层造成损伤。
附图说明
图1表示显示基板制作过程中的结构剖面示意图。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明的实施例公开了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：
利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。
所述氧化性清洗液可以氧化所述低温多晶硅有源层表面残留的离子，使残留的离子得以去除，而且对于金属氧化物有源层没有腐蚀作用。所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。
优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
2～10wt％的HNO3；
2～10wt％的H2SO4；
2～10wt％的H2O2；
1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
0.5～5wt％表面活性剂；
余量的水。
更优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
3～8wt％的HNO3；
5～8wt％的H2SO4；
5～9wt％的H2O2；
3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
2～4wt％的表面活性剂；
余量的水。
在所述氧化性清洗液中，所述表面活性剂优选为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。
经过清洗后，对低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。优选地，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。干法刻蚀在去除氧化硅的同时，不会损伤金属氧化物有源层。
优选地，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：
形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。
优选地，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
本发明的显示基板的制作方法，具体包括以下步骤:
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；
形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；
对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
所述制作方法得到的显示基板的结构具体参见图1，图1中，1为低温多晶硅薄膜晶体管，2为金属氧化物薄膜晶体管，3为衬底基板，4为低温多晶硅有源层，5为栅绝缘层，6为低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极，7为金属氧化物薄膜晶体管的栅电极，8为层间绝缘层，9为金属氧化物有源层，10为过孔。
干法刻蚀处理后，可继续制作源极、漏极等其他膜层。
所述氧化性清洗液可以氧化所述低温多晶硅有源层表面残留的离子，使残留的离子得以去除，而且对于金属氧化物有源层没有腐蚀作用。所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。
优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
2～10wt％的HNO3；
2～10wt％的H2SO4；
2～10wt％的H2O2；
1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
0.5～5wt％表面活性剂；
余量的水。
更优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：
3～8wt％的HNO3；
5～8wt％的H2SO4；
5～9wt％的H2O2；
3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
2～4wt％的表面活性剂；
余量的水。
在所述氧化性清洗液中，所述表面活性剂优选为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。
经过清洗后，对低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。优选地，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。干法刻蚀在去除氧化硅的同时，不会损伤金属氧化物有源层。
本发明的实施例还公开了一种显示基板，采用上述技术方案所述的制作方法制备得到。
为了进一步理解本发明，下面结合具体实施例对本发明提供的显示基板的制作方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；
形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；
对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
所述氧化性清洗液包括以下组分：2wt％的HNO3；10wt％的H2SO4；2wt％的H2O2；1wt％的NH4NO3；1wt％表面活性剂；余量的水。
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行CF4干法刻蚀。
干法刻蚀处理后，可继续制作源极、漏极等其他膜层。
经测试，本发明实施例所述方法制备的显示基板，金属氧化物有源层的损伤率低于1％。
实施例2
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；
形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；
对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
所述氧化性清洗液包括以下组分：8wt％的HNO3；5wt％的H2SO4；9wt％的H2O2；3wt％的NH4NO3；4wt％表面活性剂；余量的水。
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行CF4干法刻蚀。
干法刻蚀处理后，可继续制作源极、漏极等其他膜层。
经测试，本发明实施例所述方法制备的显示基板，金属氧化物有源层的损伤率低于1％。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：
利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：
2～10wt％的HNO3；
2～10wt％的H2SO4；
2～10wt％的H2O2；
1～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
0.5～5wt％表面活性剂；
余量的水。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：
3～8wt％的HNO3；
5～8wt％的H2SO4；
5～9wt％的H2O2；
3～5wt％的NH4NO3和/或(NH4)2SO4；
2～4wt％的表面活性剂；
余量的水。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用CF4对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述表面活性剂为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：
形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；
形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；
对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；
通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。
10.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1～9任意一项所述的制作方法制备得到。
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