CN106206609B - 显示器件板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 214
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 214
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 73
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 275
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示器件板及其制造方法。显示器件板包括基板和显示器件阵列层，显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关，薄膜晶体管开关包括：栅极，设置在基板上，栅极上设置有绝缘层，栅极与扫描线连接；半导体层，设置在绝缘层上；源极，与数据线连接，源极的至少一部分与半导体层接触，源极设置有第一保护构件，第一保护构件用于防止源极中的金属离子扩散到半导体层；漏极，与像素电极连接，漏极的至少一部分与半导体层接触，漏极设置有第二保护构件，第二保护构件用于防止漏极中的金属离子扩散到半导体层。本发明能避免预定金属离子从源极和/或漏极中扩散到半导体层中。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器件板及其制造方法。
【背景技术】
传统的显示面板(例如，LCD面板或OLED面板)中一般都包括薄膜晶体管开关。
所述薄膜晶体管开关一般是由栅极、半导体、源极和漏极组成的。
其中，在所述源极和所述漏极所对应的金属材料为预定金属材料(例如，铜)的情况下，所述预定金属材料中的预定金属离子(例如，铜离子)很容易从所述源极和/或所述漏极中扩散到所述半导体层中，此时，所述预定金属离子对所述薄膜晶体管开关的电性有显著的恶化效应。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示器件板及其制造方法，其能避免薄膜晶体管开关的源极和/或漏极中的预定金属离子从所述源极和/或所述漏极中扩散到所述薄膜晶体管开关中的半导体层中。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种显示器件板，所述显示器件板包括：基板；显示器件阵列层，所述显示器件阵列层设置在所述基板上，所述显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关包括：栅极，所述栅极设置在所述基板上，所述栅极上设置有所述绝缘层，所述栅极与所述扫描线连接；半导体层，所述半导体层设置在所述绝缘层上，所述半导体层的至少一部分的位置与所述栅极的位置对应；源极，所述源极的至少一部分与所述半导体层接触，所述源极设置有第一保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极中的金属离子扩散到所述半导体层；漏极，所述漏极的至少一部分与所述半导体层接触，所述漏极设置有第二保护构件，所述第二保护构件用于防止所述漏极中的金属离子扩散到所述半导体层；所述源极由第一金属层和第二金属层构成，所述第一金属层位于所述绝缘层上，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述漏极由第三金属层和第四金属层构成，所述第三金属层位于所述绝缘层上，所述第四金属层位于所述第三金属层上；所述第一保护构件为第一保护膜，所述第一保护膜包覆所述第二金属层的第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及第二表面，所述第二保护构件为第二保护膜，所述第二保护膜包覆所述第四金属层的第三表面中靠近所述源极的边缘部以及第四表面，其中，所述第一表面为所述第二金属层背向所述基板的表面，所述第二表面为所述第二金属层朝向所述漏极的侧面，所述第三表面为所述第四金属层背向所述基板的表面，所述第四表面为所述第四金属层朝向所述源极的侧面，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为金属氧化膜，所述第一保护膜是在形成所述源极后，通过对所述第二金属层的所述第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理来形成的，所述第二保护膜是在形成所述漏极后，通过对所述第四金属层的所述第三表面中靠近所述源极的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理来形成的。
在上述显示器件板中，所述半导体层所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物；所述第二金属层和所述第四金属层所对应的金属材料均为铜；所述第二金属层所对应的金属离子以及所述第四金属层所对应的金属离子均为铜离子。
一种显示器件板的制造方法，所述方法包括以下步骤：在基板上设置显示器件阵列层，所述显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关；其中，所述薄膜晶体管开关包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述薄膜晶体管开关是通过以下步骤形成的：在所述基板上设置栅极，其中，所述栅极与所述扫描线连接；在所述栅极以及所述基板上设置所述绝缘层；在所述绝缘层上设置半导体层，其中，所述半导体层的至少一部分的位置与所述栅极的位置对应；在所述半导体层的至少一部分以及所述绝缘层上设置源极和漏极；在所述源极和所述漏极上分别设置第一保护构件和第二保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极中的金属离子扩散到所述半导体层，所述第二保护构件用于防止所述漏极中的金属离子扩散到所述半导体层；所述源极由第一金属层和第二金属层构成，所述第一金属层位于所述绝缘层上，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述漏极由第三金属层和第四金属层构成，所述第三金属层位于所述绝缘层上，所述第四金属层位于所述第三金属层上；所述在所述源极和所述漏极上分别设置第一保护构件和第二保护构件的步骤包括：在所述第二金属层和所述第四金属层上分别设置第一保护膜和第二保护膜，所述第一保护膜包覆所述第二金属层的第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及第二表面，所述第一表面为所述第二金属层背向所述基板的表面，所述第二表面为所述第二金属层朝向所述漏极的侧面，所述第二保护膜包覆所述第四金属层的第三表面中靠近所述源极的边缘部以及第四表面，所述第三表面为所述第四金属层背向所述基板的表面，所述第四表面为所述第四金属层朝向所述源极的侧面；所述第一保护膜和所述第二保护膜均为金属氧化膜，所述在所述第二金属层和所述第四金属层上分别设置第一保护膜和第二保护膜的步骤包括：在形成所述源极后，对所述第二金属层的所述第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理，以形成所述第一保护膜；在形成所述漏极后，对所述第四金属层的所述第三表面中靠近所述源极的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理，以形成所述第二保护膜。
在上述显示器件板的制造方法中，所述半导体层所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物；所述第二金属层和所述第四金属层所对应的金属材料均为铜；所述第二金属层所对应的金属离子以及所述第四金属层所对应的金属离子均为铜离子。
相对现有技术，本发明能避免薄膜晶体管开关的源极和/或漏极中的预定金属离子从所述源极和/或所述漏极中扩散到所述薄膜晶体管开关中的半导体层中。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1和图2为本发明的显示器件板的制造方法的第一实施例的示意图；
图3和图4为本发明的显示器件板的制造方法的第二实施例的示意图；
图5至图8为本发明的显示器件板的制造方法的第三实施例的示意图；
图9为本发明的显示器件板的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明的显示器件板可以应用于TFT-LCD(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示面板)或OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管显示面板)中。
本发明的显示器件板的第一实施例包括基板101和显示器件阵列层。
所述显示器件阵列层设置在所述基板101上，所述显示器件阵列层包括扫描线(图中未示出)、绝缘层103、数据线(图中未示出)、像素电极(图中未示出)和薄膜晶体管开关。
其中，所述薄膜晶体管开关包括栅极102、半导体层104、源极105、漏极106。如图2所示。
所述栅极102设置在所述基板101上，所述栅极102上设置有所述绝缘层103，所述栅极102与所述扫描线连接。
所述半导体层104设置在所述绝缘层103上，所述半导体层104的至少一部分的位置与所述栅极102的位置对应。
在本实施例中，所述源极105与所述数据线连接，所述源极105的至少一部分与所述半导体层104接触，所述源极105设置有第一保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极105中的金属离子扩散到所述半导体层104。所述第一保护构件设置在所述源极105中靠近所述漏极106的一端上或一侧边上。
所述漏极106与所述像素电极连接，所述漏极106的至少一部分与所述半导体层104接触，所述漏极106设置有第二保护构件，所述第二保护构件用于防止所述漏极106中的金属离子扩散到所述半导体层104。所述第二保护构件设置在所述漏极106中靠近所述源极105的一端上或一侧边上。
本实施例的显示器件板还可以包括保护层(图中未示出)，所述保护层设置于所述显示器件阵列层上。
在本实施例的显示器件板中，所述源极105由第一金属层1051和第二金属层1052构成，所述第一金属层1051位于所述绝缘层103上，所述第二金属层1052位于所述第一金属层1051上。
所述漏极106由第三金属层1062和第四金属层1061构成，所述第三金属层1062位于所述绝缘层103上，所述第四金属层1061位于所述第三金属层1062上。
所述第一保护构件用于防止所述第二金属层1052所对应的金属离子扩散到所述半导体层104，所述第二保护构件用于防止所述第四金属层1061所对应的金属离子扩散到所述半导体层104。
在本实施例的显示器件板中，所述第一保护构件为所述第一金属层1051自所述源极105朝向所述漏极106延伸的第一延伸部201，所述第一延伸部201用于阻挡所述第二金属层1052所对应的金属离子扩散到所述半导体层104。所述第一延伸部201覆盖所述半导体层104的至少一部分。
所述第二保护构件为所述第三金属层1062自所述漏极106朝向所述源极105延伸的第二延伸部202，所述第二延伸部202用于阻挡所述第四金属层1061所对应的金属离子扩散到所述半导体层104。所述第二延伸部202覆盖所述半导体层104的至少一部分。
在本实施例的显示器件板中，所述半导体层104所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物。
所述第一金属层1051和所述第三金属层1062所对应的金属材料相同，所述第二金属层1052和所述第四金属层1061所对应的金属材料相同。
所述第一金属层1051和所述第三金属层1062所对应的金属材料均为钼。
所述第二金属层1052和所述第四金属层1061所对应的金属材料均为铜。
所述第二金属层1052所对应的金属离子以及所述第四金属层1061所对应的金属离子均为铜离子。
所述源极105和所述漏极106是通过在所述半导体层104的至少一部分上以及所述绝缘层103上依次设置所述第一金属层1051所对应的金属材料以及所述第二金属层1052所对应的金属材料，并对所述第一金属层1051所对应的金属材料以及所述第二金属层1052所对应的金属材料进行光罩制程和蚀刻制程来形成的。
其中，所述第二金属层1052所对应的金属材料层叠在所述第一金属层1051所对应的金属材料上。
所述第一保护构件和所述第二保护构件是通过去除所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分来形成的。
具体地，所述第一保护构件和所述第二保护构件是在形成所述源极105和所述漏极106的过程中，通过使用预定蚀刻液对所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分进行蚀刻来形成的。其中，所述预定蚀刻液为过氧化氢(H2O2)系的蚀刻液。
由于过氧化氢(H2O2)系的蚀刻液对铜、钼的选择比不同,并且铜在钼上面，容易过刻，因此在对所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分进行蚀刻的过程中，只需使得蚀刻时间为预定时间(合适的时间)即可去除所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分，并形成所述第一延伸部201和所述第二延伸部202。
本发明的显示器件板的第二实施例与上述第一实施例部分相似，不同之处在于：
如图4所示，所述第一保护构件为第一保护膜401，所述第一保护膜401包覆所述第二金属层1052的第一表面中靠近所述漏极106的边缘部以及第二表面，其中，所述第一表面为所述第二金属层1052背向所述基板101的表面，所述第二表面为所述第二金属层1052朝向所述漏极106的侧面。
所述第二保护构件为第二保护膜402，所述第二保护膜402包覆所述第四金属层1061的第三表面中靠近所述源极105的边缘部以及第四表面，其中，所述第三表面为所述第四金属层1061背向所述基板101的表面，所述第四表面为所述第四金属层1061朝向所述源极105的侧面。
具体地，所述第一保护膜401和所述第二保护膜402均为金属氧化膜。
所述第一保护构件(所述第一保护膜401)是在形成所述源极105后，通过对所述第二金属层1052的所述第一表面中靠近所述漏极106的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理(O2Plasma Treatment)来形成的。
所述第二保护构件(所述第二保护膜402)是在形成所述漏极106后，通过对所述第四金属层1061的所述第三表面中靠近所述源极105的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理来形成的。
作为一种改进，所述第一保护膜401和所述第二保护膜402均为氧化铜(CuO)膜。
通过上述技术方案，本发明能避免薄膜晶体管开关的源极105和/或漏极106中的预定金属离子从所述源极105和/或所述漏极106中扩散到所述薄膜晶体管开关中的所述半导体层104中。
本发明的显示器件板的第三实施例与上述第二实施例部分相似，不同之处在于：
所述第一保护膜401是通过在所述第二金属层1052上设置第一光阻层501，并对所述第一光阻层501实施光罩制程和蚀刻制程，以在所述第一光阻层501靠近所述第二光阻层502的边缘部上形成第一光阻减薄结构601，然后对所述第一光阻减薄结构601、所述第二金属层1052的所述第二表面进行氧气等离子处理(O2Plasma Treatment)，以及剥离所述第一光阻层501来形成的。
所述第二保护膜402是通过在所述第四金属层1061上设置第二光阻层502，并对所述第二光阻层502实施光罩制程和蚀刻制程，以在所述第二光阻层502靠近所述第一光阻层501的边缘部形成第二光阻减薄结构602，然后对所述第二光阻减薄结构602、所述第四金属层1061的所述第四表面进行氧气等离子处理，以及剥离所述第二光阻层502来形成的。
其中，所述第一光阻层501覆盖在所述第二金属层1052上，所述第二光阻层502覆盖在所述第四金属层1061上。
本发明的显示器件板的制造方法的第一实施例包括以下步骤：
在基板101上设置显示器件阵列层，所述显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层103、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关。
其中，所述薄膜晶体管开关包括栅极102、半导体层104、源极105和漏极106，所述薄膜晶体管开关是通过以下步骤形成的：
步骤901、在所述基板101上设置栅极102，其中，所述栅极102与所述扫描线连接。
步骤902、在所述栅极102以及所述基板101上设置所述绝缘层103。
步骤903、在所述绝缘层103上设置半导体层104，其中，所述半导体层104的至少一部分的位置与所述栅极102的位置对应。
步骤904、在所述半导体层104的至少一部分以及所述绝缘层103上设置源极105和漏极106，其中，所述源极105与所述数据线连接，所述漏极106与所述像素电极连接。
步骤905、在所述源极105和所述漏极106上分别设置第一保护构件和第二保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极105中的金属离子扩散到所述半导体层104，所述第二保护构件用于防止所述漏极106中的金属离子扩散到所述半导体层104。
所述第一保护构件设置在所述源极105中靠近所述漏极106的一端上或一侧边上。所述第二保护构件设置在所述漏极106中靠近所述源极105的一端上或一侧边上。
本实施例的显示器件板还可以包括保护层，所述保护层设置于所述显示器件阵列层上。
在本实施例的显示器件板的制造方法中，所述源极105由第一金属层1051和第二金属层1052构成，所述第一金属层1051位于所述绝缘层103上，所述第二金属层1052位于所述第一金属层1051上。
所述漏极106由第三金属层1062和第四金属层1061构成，所述第三金属层1062位于所述绝缘层103上，所述第四金属层1061位于所述第三金属层1062上。
所述第一保护构件用于防止所述第二金属层1052所对应的金属离子扩散到所述半导体层104，所述第二保护构件用于防止所述第四金属层1061所对应的金属离子扩散到所述半导体层104。
在本实施例的显示器件板的制造方法中，所述在所述半导体层104的至少一部分以及所述绝缘层103上设置源极105和漏极106的步骤包括：
在所述半导体层104的至少一部分以及所述绝缘层103上依次设置所述第一金属层1051所对应的金属材料以及所述第二金属层1052所对应的金属材料，所述第二金属层1052所对应的金属材料层叠在所述第一金属层1051所对应的金属材料上。
对所述第一金属层1051所对应的金属材料以及所述第二金属层1052所对应的金属材料进行光罩制程和蚀刻制程，以形成所述源极105和所述漏极106。
在本实施例的显示器件板的制造方法中，所述在所述源极105和所述漏极106上分别设置第一保护构件和第二保护构件的步骤包括：
去除所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分，以在所述第一金属层1051上形成所述第一延伸部201，以及在所述第三金属层1062上形成所述第二延伸部202。
其中，所述第一延伸部201为所述第一金属层1051自所述源极105朝向所述漏极106延伸的部分，所述第一延伸部201用于阻挡所述第二金属层1052所对应的金属离子扩散到所述半导体层104，所述第二延伸部202为所述第三金属层1062自所述漏极106朝向所述源极105延伸的部分，所述第二延伸部202用于阻挡所述第四金属层1061所对应的金属离子扩散到所述半导体层104。所述第一延伸部201覆盖所述半导体层104的至少一部分。所述第二延伸部202覆盖所述半导体层104的至少一部分。
具体地，在形成所述源极105和所述漏极106的过程中，使用预定蚀刻液对所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分进行蚀刻，以形成所述第一保护构件和所述第二保护构件。其中，所述预定蚀刻液为过氧化氢(H2O2)系的蚀刻液。
由于过氧化氢(H2O2)系的蚀刻液对铜、钼的选择比不同,并且铜在钼上面，容易过刻，因此在对所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分进行蚀刻的过程中，只需使得蚀刻时间为预定时间(合适的时间)即可去除所述第二金属层1052朝向所述漏极106的第一部分以及所述第四金属层1061朝向所述源极105的第二部分，并形成所述第一延伸部201和所述第二延伸部202。
在本实施例的显示器件板的制造方法中，所述半导体层104所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物。
所述第一金属层1051和所述第三金属层1062所对应的金属材料相同，所述第二金属层1052和所述第四金属层1061所对应的金属材料相同。
所述第一金属层1051和所述第三金属层1062所对应的金属材料均为钼。
所述第二金属层1052和所述第四金属层1061所对应的金属材料均为铜。
所述第二金属层1052所对应的金属离子以及所述第四金属层1061所对应的金属离子均为铜离子。
本发明的显示器件板的制造方法的第二实施例的不同之处在于：
所述第一保护构件为第一保护膜401，所述第二保护构件为第二保护膜402。
所述在所述源极105和所述漏极106上分别设置第一保护构件和第二保护构件的步骤包括：
在所述第二金属层1052和所述第四金属层1061上分别设置第一保护膜401和第二保护膜402。
其中，所述第一保护膜401包覆所述第二金属层1052的第一表面中靠近所述漏极106的边缘部以及第二表面，所述第一表面为所述第二金属层1052背向所述基板101的表面，所述第二表面为所述第二金属层1052朝向所述漏极106的侧面，所述第二保护膜402包覆所述第四金属层1061的第三表面中靠近所述源极105的边缘部以及第四表面，所述第三表面为所述第四金属层1061背向所述基板101的表面，所述第四表面为所述第四金属层1061朝向所述源极105的侧面。
具体地，所述第一保护膜401和所述第二保护膜402均为金属氧化膜。
所述在所述第二金属层1052和所述第四金属层1061上分别设置第一保护膜401和第二保护膜402的步骤包括：
在形成所述源极105后，对所述第二金属层1052的所述第一表面中靠近所述漏极106的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理(O2Plasma Treatment)，以形成所述第一保护膜401。
在形成所述漏极106后，对所述第四金属层1061的所述第三表面中靠近所述源极105的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理，以形成所述第二保护膜402。
作为一种改进，所述第一保护膜401和所述第二保护膜402均为氧化铜(CuO)膜。
本发明的显示器件板的制造方法的第三实施例与上述第二实施例部分相似，不同之处在于：
所述在所述第二金属层1052和所述第四金属层1061上分别设置第一保护膜401和第二保护膜402的步骤包括：
在所述第二金属层1052和所述第四金属层1061上分别设置第一光阻层501和第二光阻层502，其中，所述第一光阻层501覆盖在所述第二金属层1052上，所述第二光阻层502覆盖在所述第四金属层1061上；
对所述第一光阻层501和所述第二光阻层502实施光罩制程和蚀刻制程，以在所述第一光阻层501靠近所述第二光阻层502的边缘部上形成第一光阻减薄结构601，以及在所述第二光阻层502靠近所述第一光阻层501的边缘部形成第二光阻减薄结构602；
对所述第一光阻减薄结构601、所述第二金属层1052的所述第二表面、所述第二光阻减薄结构602、所述第四金属层1061的所述第四表面进行氧气等离子处理，以形成所述第一保护膜401和所述第二保护膜402；
对所述第一光阻层501和所述第二光阻层502进行剥离。
通过上述技术方案，本发明能避免薄膜晶体管开关的源极105和/或漏极106中的预定金属离子从所述源极105和/或所述漏极106中扩散到所述薄膜晶体管开关中的所述半导体层104中。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (4)
1.一种显示器件板，其特征在于，所述显示器件板包括：
基板；
显示器件阵列层，所述显示器件阵列层设置在所述基板上，所述显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关包括：
栅极，所述栅极设置在所述基板上，所述栅极上设置有所述绝缘层，所述栅极与所述扫描线连接；
半导体层，所述半导体层设置在所述绝缘层上，所述半导体层的至少一部分的位置与所述栅极的位置对应；
源极，所述源极的至少一部分与所述半导体层接触，所述源极设置有第一保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极中的金属离子扩散到所述半导体层；
漏极，所述漏极的至少一部分与所述半导体层接触，所述漏极设置有第二保护构件，所述第二保护构件用于防止所述漏极中的金属离子扩散到所述半导体层；
所述源极由第一金属层和第二金属层构成，所述第一金属层位于所述绝缘层上，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述漏极由第三金属层和第四金属层构成，所述第三金属层位于所述绝缘层上，所述第四金属层位于所述第三金属层上；
所述第一保护构件为第一保护膜，所述第一保护膜包覆所述第二金属层的第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及第二表面，所述第二保护构件为第二保护膜，所述第二保护膜包覆所述第四金属层的第三表面中靠近所述源极的边缘部以及第四表面，其中，所述第一表面为所述第二金属层背向所述基板的表面，所述第二表面为所述第二金属层朝向所述漏极的侧面，所述第三表面为所述第四金属层背向所述基板的表面，所述第四表面为所述第四金属层朝向所述源极的侧面，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为金属氧化膜，所述第一保护膜是在形成所述源极后，通过对所述第二金属层的所述第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理来形成的，所述第二保护膜是在形成所述漏极后，通过对所述第四金属层的所述第三表面中靠近所述源极的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理来形成的。
2.根据权利要求1所述的显示器件板，其特征在于，所述半导体层所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物；
所述第二金属层和所述第四金属层所对应的金属材料均为铜；
所述第二金属层所对应的金属离子以及所述第四金属层所对应的金属离子均为铜离子。
3.一种显示器件板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在基板上设置显示器件阵列层，所述显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关；
其中，所述薄膜晶体管开关包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述薄膜晶体管开关是通过以下步骤形成的：
在所述基板上设置栅极，其中，所述栅极与所述扫描线连接；
在所述栅极以及所述基板上设置所述绝缘层；
在所述绝缘层上设置半导体层，其中，所述半导体层的至少一部分的位置与所述栅极的位置对应；
在所述半导体层的至少一部分以及所述绝缘层上设置源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上分别设置第一保护构件和第二保护构件，所述第一保护构件用于防止所述源极中的金属离子扩散到所述半导体层，所述第二保护构件用于防止所述漏极中的金属离子扩散到所述半导体层；
所述源极由第一金属层和第二金属层构成，所述第一金属层位于所述绝缘层上，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述漏极由第三金属层和第四金属层构成，所述第三金属层位于所述绝缘层上，所述第四金属层位于所述第三金属层上；
所述在所述源极和所述漏极上分别设置第一保护构件和第二保护构件的步骤包括：
在所述第二金属层和所述第四金属层上分别设置第一保护膜和第二保护膜，所述第一保护膜包覆所述第二金属层的第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及第二表面，所述第一表面为所述第二金属层背向所述基板的表面，所述第二表面为所述第二金属层朝向所述漏极的侧面，所述第二保护膜包覆所述第四金属层的第三表面中靠近所述源极的边缘部以及第四表面，所述第三表面为所述第四金属层背向所述基板的表面，所述第四表面为所述第四金属层朝向所述源极的侧面；
所述第一保护膜和所述第二保护膜均为金属氧化膜，所述在所述第二金属层和所述第四金属层上分别设置第一保护膜和第二保护膜的步骤包括：
在形成所述源极后，对所述第二金属层的所述第一表面中靠近所述漏极的边缘部以及所述第二表面进行氧气等离子处理，以形成所述第一保护膜；
在形成所述漏极后，对所述第四金属层的所述第三表面中靠近所述源极的边缘部以及所述第四表面进行氧气等离子处理，以形成所述第二保护膜。
4.根据权利要求3所述的显示器件板的制造方法，其特征在于，所述半导体层所对应的半导体材料为铟镓锌氧化物；
所述第二金属层和所述第四金属层所对应的金属材料均为铜；
所述第二金属层所对应的金属离子以及所述第四金属层所对应的金属离子均为铜离子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610677826.0A CN106206609B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 显示器件板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610677826.0A CN106206609B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 显示器件板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206609A CN106206609A (zh) | 2016-12-07 |
| CN106206609B true CN106206609B (zh) | 2019-05-03 |
Family
ID=57522824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610677826.0A Active CN106206609B (zh) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 显示器件板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206609B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018209628A1 (zh) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 薄膜晶体管制造方法及阵列基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101527307A (zh) * | 2008-03-07 | 2009-09-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管面板和所述薄膜晶体管面板的制造方法 |
| CN104716143A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列基底及其制造方法、有机发光显示设备 |
| CN104779254A (zh) * | 2014-01-10 | 2015-07-15 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100938885B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
-
2016
- 2016-08-17 CN CN201610677826.0A patent/CN106206609B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101527307A (zh) * | 2008-03-07 | 2009-09-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管面板和所述薄膜晶体管面板的制造方法 |
| CN104716143A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列基底及其制造方法、有机发光显示设备 |
| CN104779254A (zh) * | 2014-01-10 | 2015-07-15 | 三星显示有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106206609A (zh) | 2016-12-07 |
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| C06 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |