CN1536447A - 光致抗蚀剂移除组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用以移除因蚀刻或灰化子处理所产生的光致抗蚀剂残余物的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物。所公开的该光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物包括：(a)基于该组合物总重量5％至15％的硫酸、(b)基于该组合物总重量1％至5％的过氧化氢或0.0001％至0.05％的臭氧、(c)基于该组合物总重量0.1％至5％的醋酸、(d)基于该组合物总重量0.0001％至0.5％的氟化铵及(e)余量为水。

Description

光致抗蚀剂移除组合物
技术领域
本发明涉及光致抗蚀聚合物移除剂组合物(photoresist polymer removercomposition)，其可用以移除光致抗蚀剂残余物，该等残余物是在制造半导体装置期间所采用的光致抗蚀剂图案形成程序中的蚀刻(etching)或灰化子(ashing)处理过程中产生的。
背景技术
在传统半导体装置制造程序中，光致抗蚀剂图案(photoresist pattern)形成在已形成于半导体基板(semiconductor substrate)上的导电层上。其中的部分不由图案所覆盖的导电层采用光致抗蚀剂图案作为掩膜(mask)而进行蚀刻，以形成导电层图案。然后重复此平板印刷程序以形成导电图案(conductive patterns)。
光致抗蚀剂图案被用作掩膜，而且在完成形成导电层图案的程序后，该光致抗蚀剂图案应在剥离程序(strip processs)中采用光致抗蚀剂移除剂(photoresist remover)从该导电层上移除。然而，在随后的剥离程序中难以移除光致抗蚀剂材料，因为当制作高度一体化的装置(highly integrated devices)时，用以形成导电层图案的蚀刻程序是采用干蚀刻程序而实行的，结果是光致抗蚀剂的实体特性(physical property)在该干蚀刻程序中劣化。
干蚀刻程序已取代采用液态酸组合物的湿蚀刻程序。在干蚀刻中，气固相反应在等离子蚀刻气体(plasma etching gas)与导电层(conductive layer)的间产生。因为清晰图案是采用干蚀刻程序而获得的并且它们易于控制，所以干蚀刻程序优于湿蚀刻程序。
然而在干蚀刻程序期间，包括在等离子蚀刻气体中的离子及自由基在光致抗蚀剂膜表面上会产生复杂的化学反应，该反应迅速使该光致抗蚀剂材料硬化。此外，出现一″膨胀(puffing)″现象，从而产生该光致抗蚀剂材料的残余物。结果，难以移除该光致抗蚀剂材料。
明确地说，当对金属导电层(例如铝膜、铝合金膜及氮化钛膜)实行干蚀刻程序时，化学转化和硬化该金属导电层侧壁上的光致抗蚀剂聚合物。结果，即使在剥离程序中采用各种移除剂，也不易移除该等光致抗蚀剂聚合物。
目前可用的移除剂组合物包括有机胺化合物及也用于湿蚀刻程序的各种有机溶剂。可用的移除剂组合物一般包括单乙醇胺。
然而在目前半导体装置制造程序中，上述移除剂并不完全移除该光致抗蚀剂材料，主要因为该光致抗蚀剂材料已在基板(例如硅晶圆(siliconwafers))在110至140℃温度的高温处理时高温下进行了烘烤。已开发出包括水、各种羟胺或其混合物的移除剂组合物，用以移除在高温下烘烤的光致抗蚀剂材料。
因为光致抗蚀剂材料曝露于用以制造超高集成电路的干蚀刻或灰化程序中的等离子气体中，所以移除剂组合物并不完全移除化学转化及硬化的光致抗蚀剂聚合物。结果，需要发展光致抗蚀剂移除剂以克服以上说明的问题。
采用灰化程序处理的半导体基板传统上是在超过200℃的高温下加热。在此，该光致抗蚀剂材料中的残余溶剂应被蒸发并排放。然而，在灰化程序后剩余在该光致抗蚀剂表面上的硬化层会影响残余溶剂的排放。结果，随着该光致抗蚀剂膜的内部压力在灰化程序期间增加，该光致抗蚀剂膜的表面会因为残余溶剂而破裂或爆裂，此是称为″膨胀″现象。
因为由膨胀现象破坏的硬化层仍然存留在该光致抗蚀剂材料上，所以难以采用常规的移除剂来移除该光致抗蚀剂材料。此光致抗蚀剂材料转化为残余物和微粒，可能会在制造超高集成电路时变为污染物并导致降低产量。当灰化程序是在剥离程序前实行以移除该光致抗蚀剂材料时，该光致抗蚀剂层的转化就是劣化，结果导致在剥离程序中出现缺陷。
在有效移除以上说明的转化及硬化光致抗蚀剂材料的各种灰化程序中，建议采用二步骤灰化程序，先进行普通的灰化程序(comm.on ashingprocesss)，然后重新进行第二灰化程序(参见由Fujimura在1989年第二次微处理讨论会上提供的论文的摘要，第196至197页，1989年)。然而，因为这样的程序复杂而且包括使用大型设备，所以其产量降低。
已经采用了仅使用移除光致抗蚀剂聚合物的组合物的剥离程序(onlystrip processes)。在这些组合物中，广泛采用新近建议的包括羟胺、醇胺、腐蚀抑制剂及水的光致抗蚀剂移除剂，因为它们对移除相关转化及硬化的光致抗蚀剂材料更有效。然而，以上组合物并不会完全地移除半导体(例如256M或以上的DRAM)生产线中的层间绝缘膜的金属线或侧壁上的光致抗蚀剂聚合物，这样要使用新的金属膜作为金属线或新的绝缘材料作为层间绝缘膜。结果，也需要光致抗蚀剂移除剂来补充解决以上说明的问题。
发明内容
因此，本发明公开了改进的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物，该组合物通过孔图案(hole patterns)及其它图案在形成金属线程序中的干蚀刻或灰化程序，有效地移除了形成于该光致抗蚀剂的下方膜(lower films)的侧壁及底部上的光致抗蚀剂聚合物。当该等下方膜为金属膜时，所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物可以最小化对金属膜的腐蚀。
附图说明
图1为SEM(扫描电子显微镜)照片，显示采用干蚀刻程序或灰化程序处理的光致抗蚀剂图案。
图2为SEM照片，显示当光致抗蚀剂聚合物在室温下采用依据本发明的实施例1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物而移除时的实验结果。
图3为SEM照片，显示当光致抗蚀剂聚合物是在室温下采用比较实施例2的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物而移除时的实验结果。
图4为SEM照片，显示在室温下采用依据本发明的实施例1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物的金属膜腐蚀的实验结果。
图5为SEM照片，显示在室温下采用比较实施例1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物的金属膜腐蚀的实验结果。
具体实施方式
本发明所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物包括(a)硫酸、(b)过氧化氢或臭氧、(c)醋酸、(d)氟化铵及(e)水。
一光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物包括：(a)基于组合物总重量的5％至15％的硫酸、(b)基于组合物总重量的1％至5％的过氧化氢或0.0001％至0.05％的臭氧、(c)基于组合物总重量的0.1％至5％的醋酸、(d)基于组合物总重量的0.0001％至0.5％的氟化铵及(e)余量为水。
硫酸的存在量优选为5至15wt％，更好为7至10wt％。当硫酸的存在量小于5wt％时，光致抗蚀剂聚合物的去垢性(detergency)可能会降低；而当硫酸的存在量大于15wt％时，金属膜可能会受到腐蚀。
过氧化氢的存在量优选为1至5wt％，更优选为2至4wt％。当过氧化氢的存在量小于1wt％时，光致抗蚀剂聚合物的去垢性降低；而当过氧化氢的存在量大于5wt％时，经济效益降低。当采用为强氧化剂的臭氧时，光致抗蚀剂残余物可以采用较小浓度的臭氧而有效地移除。臭氧的存在量优选为0.0001至0.05wt％，更优选为0.0002至0.001wt％。当臭氧的存在量小于0.0001wt％时，所公开的溶液的光致抗蚀剂聚合物的去垢性可能降低；而当臭氧的存在量大于0.05wt％时，经济效益可能会降低。可以选择性地采用过氧化氢及臭氧。
醋酸的存在量优选为0.1至5wt％，更优选为0.5至2wt％。当醋酸的存在量小于0.1wt％时，光致抗蚀剂聚合物的去垢性可能会降低；而当醋酸的存在量大于5wt％时，金属膜的腐蚀可能会加深。
氟化铵的用量范围优选为0.0001至0.5wt％，更优选为0.01至0.05wt％。当氟化铵的存在量小于0.0001wt％时，难以完全移除在图案形成程序中由于干蚀刻及灰化程序而在下方膜的侧壁或底部上转化的光致抗蚀剂聚合物。当氟化铵的用量大于0.5wt％时，则会腐蚀HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)膜，例如在孔图案中的堆栈膜的FOX(易流氧化物(Flowable Oxide))膜。
所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物还包括水，其优选为经离子交换树脂而过滤的纯净水，更优选为具有18MΩ电阻率(resistivity)的超纯净水。
本发明还提供了制造半导体装置的方法，其中光致抗蚀剂聚合物残余物是采用所公开的移除剂组合物而移除的。
以上方法包括以下步骤：
(a)准备其上形成有底层(underlying layer)的半导体基板；
(b)在该底层上形成光致抗蚀剂图案；
(c)将该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜，选择性地蚀刻该底层；及
(d)采用所公开的移除剂组合物来清理所得结构，以除去残余的光致抗蚀剂聚合物，由此形成该底层图案(underlying layer pattern)。
在以上程序中，底层为金属膜或绝缘膜。在此，该金属膜优选选自铝膜(aluminum film)、铝合金膜(aluminum alloy film)、钛膜(titanium film)、氮化钛膜(titanium nitride film)、钨膜(tungsten film)及其组合。在采用堆栈膜(stacked film)的情况下，优选为包括从下方至上方部份的氮化钛膜/铝膜/钛膜的堆栈膜。当该底层为绝缘膜时，绝缘膜最好为HSQ膜。总的而言，金属膜形成于该绝缘膜的下方。
任一传统的光致抗蚀剂聚合物可用作包括在以上光致抗蚀剂中的聚合物。
在步骤(c)中的蚀刻程序为干蚀刻程序，而且可以进一步包括灰化程序，以便在该干蚀刻程序之后而在步骤(d)之前首先除去光致抗蚀剂图案。
该光致抗蚀剂图案是是通过平板频数程序(photolithography processs)而形成的。在此，曝光光源可以为ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2(157nm)、EUV(13nm)、E-光束、X-射线或离子光束。在曝光前及曝光后，进行烘烤程序。
该底层图案可以为绝缘膜孔图案或金属线/空间图案。
代替采用掩膜的光致抗蚀剂图案形成程序，进行干蚀刻程序(例如回蚀程序(etch-back processs)或化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)程序，以采用所公开的移除剂组合物清理已曝光的光致抗蚀剂膜。
步骤(d)的清理程序可以采用单一型或分批型设备而实行。虽然清理条件可能因要移除的光致抗蚀剂材料的状态而不同，但是将该光致抗蚀剂材料采用化学品在室温或60℃以下的温度下浸泡约10至60秒，以便完全移除光致抗蚀剂聚合物。
所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物可以在短时间内，通过用以制造半导体装置的新近的高集成电路半导体装置制造程序中的干蚀刻或灰化程序，轻易地移除形成于光致抗蚀剂的下方膜的侧壁及底部的光致抗蚀剂聚合物。当该下方膜为铝膜、铝合金膜或钨膜时，该光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物可以有效地移除形成于该下方金属膜的侧壁上的光致抗蚀剂聚合物。
所公开的移除剂组合物有效地移除了光致抗蚀剂聚合物并最小化新的下方金属膜的腐蚀，其中的金属膜是应用于超高集成电路(例如256M以上的DRAM)的生产线(yield line)。而且所公开的移除剂组合物会防止对HSQ膜(例如在孔图案形成程序中的堆栈膜的FOX膜)的侵蚀现象。
所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物将借助于参考(但不限于)以下实施例而更详细地说明。
实施例1至5及比较实施例1至3：
光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物的准备
每个成分是按比例如下表所显示的而混合，以获得实施例1至5及比较实施例1至3的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物。
表1
组合物成分(wt％)
(a)硫酸 (b) (c)醋酸 (d)氟化铵 HF (e)水
过氧化氢 臭氧
实施例 1 5 5 - 2 0.05 - 残余物
2 10 3 - 2 0.05 - 残余物
3 10 5 - 0.5 0.05 - 残余物
4 10 5 - 2 0.025 - 残余物
5 10 - 0.0005 2 0.05 - 残余物
比较实施例 1 10 5 3 - 0.05 残余物
3 10 5 3 - - 残余物
3 10 5 - 0.05 - 残余物
对上述实施例及比较实施例的移除剂组合物的性能评估，是通过以下实验实施例的方法而实行的。
实验实施例1：聚合物的移除
(1)测试样本A的准备
在一8英吋硅晶圆上(其中氮化钛膜、铝膜及钛膜是分别在100、8000及400情况下按顺序从下方部分至上方部分而沉积)，旋涂传统正极类型光致抗蚀剂剂组合物(其是以Dongjin Semichem公司的指定名称″DPR-i1000″而销售)，以便获得厚度为1.01μm的光致抗蚀剂剂膜。此后，该抗蚀剂膜是在热板上以110℃的温度预烘烤90秒。具有预定图案的掩膜定位于该光致抗蚀剂膜上，并采用紫外线照射。然后，所曝光的光致抗蚀剂膜通过2.38wt％的TMAH显影液在21℃的温度下显影60秒，以形成光致抗蚀剂图案。将形成有光致抗蚀剂图案的测试样本在该热板上以120℃的温度硬烘烤100秒。蚀刻该氮化钛膜、铝膜及钛膜是在干蚀刻设备(Applied Multireal Co.，型号：DPS+)中采用该光致抗蚀剂图案作为掩膜，并采用Cl2/BCl3混合气体作为蚀刻气体，进行端点侦测(End Point Detection；EPD)+45秒。然后，进行灰化程序以采用O2等离子移除该光致抗蚀剂材料的大多数，从而获得测试样本A。图1显示该测试样本A的断面。光致抗蚀剂聚合物仍然存在于该测试样本A的侧壁上。
(2)光致抗蚀剂聚合物的移除
该测试样本A是在室温下浸泡于实施例1至5及比较实施例1至3的每个光致抗蚀剂聚合物移除剂中。该测试样本A采用超纯净水清洗，并采用氮气加以脱水。接着，通过扫描电子显微镜(即SEM，由日立(Hitachi Co.Ltd.)公司生产，型号：S-5000)，检查光致抗蚀剂聚合物残余物是否附着于该图案的侧壁及该线图案的表面，以评估聚合物移除性能。实验结果是显示在以下表2及图2及3中。
                  表2
    浸泡时间
    15秒钟     30秒钟     60秒钟
实施例   1     ○     ○     ○
  2     ○     ○     ○
  3     ○     ○     ○
  4     ○     ○     ○
  5     ○     ○     ○
比较实施例   1     ○     ○     ○
  2     ×     ×     ×
  3     ×     ×     △
○：光致抗蚀剂残余物完全从该线图案的侧壁及表面移除△：超过80％的光致抗蚀剂残余物从该线图案的侧壁及表面移除×：光致抗蚀剂残余物的大多数没有从该线图案的侧壁及表面移除
参考表2，实施例1至5及比较实施例1的聚合物移除性能远优于比较实施例2及3的移除性能。
图2及3为SEM照片，显示当光致抗蚀剂聚合物是分别采用实施例1及比较实施例2的光致抗蚀剂聚合物移除剂组成组合物移除时的实验结果。这些光致抗蚀剂聚合物采用实施例1的移除剂组合物而完全移除(参见图2)，而另外的光致抗蚀剂聚合物并未采用比较实施例2的移除剂组合物而完全移除(参见图3)。
实验实施例2：金属膜的腐蚀
(1)测试样本B的准备
重复实施例1的程序以获得测试样本B。
(2)金属膜腐蚀的实验
将该测试样本B在室温下浸泡于实施例1至5及比较实施例1至3的每个光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物中。将该测试样本B用超纯净水清洗，并用氮气加以脱水。然后，通过SEM检查底切现象(undercut phenolmenon)是否出现于该底金属膜中，以显示该下方金属膜的腐蚀程度。
表3
           浸泡时间
  1分钟   3分钟   5分钟
实施例   1     ○     ○     ○
  2     ○     ○     ○
  3     ○     ○     ○
  4     ○     ○     ○
  5     ○     ○     ○
比较实施例   1     ×     ×     ×
2 ○ ○ ○
  3     ○     ○     ○
○：当底切现象并未出现于该下方金属膜中时△：当底切现象部分出现于该下方金属膜中时×：当底切现象严重出现于该下方金属膜中时
如表3所示，在实施例1至5中的5分钟浸泡时间的后，底切现象并未出现于该下方金属膜中。然而，在比较实施例1中，即使测试样本B是浸泡1分钟，该底切现象仍严重出现于该下方金属膜中。虽然金属膜腐蚀的实验结果对于比较实施例2及3而言具有积极性，但是大多数聚合物残余物并未从表2所示的线图案的侧壁及表面上移除。因此，比较实施例2及3的移除剂组合物无用。
图4及5的SEM照片显示在室温下分别采用实施例1及比较实施例1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物的金属膜腐蚀的实验结果。当采用实施例1的移除剂组合物时，底切现象并未出现于该下方金属膜中(参见图4)。然而当采用比较实施例1的移除剂组合物时，底切现象严重出现于该下方金属膜中(参见图5)。
实验实施例3：生产线应用(Application to production line)
所公开的应用于半导体装置生产线的移除剂组合物的评估结果显示在以下表4(孔图案形成程序)及5(线图案形成程序)中。
表4
装置/程序 评估项目 评估结果
64MSD G/程序1后清理 聚合物可移除性 完全移除
侧壁膜(HSQ)侵蚀 无
氮化钛膜侵蚀 无
运转中的杂质测试(KLA杂质测试) 无特定杂质，无插塞遗漏(no plug missing)
PT1(探测器测试)/PCM(过程控制监视测试) 与传统移除剂相比，无显著差别
WFBM(Wafer Fail BitMap)→M2C相关失败 无相关失败
PKG测试 与传统移除剂相比，无显著差别
256M DDR(BC) 聚合物可移除性 完全移除
/程序1后清理 侧壁膜(HSQ)侵蚀 无
氮化钛膜侵蚀 无
运转中的杂质测试(KLA杂质测试) 无特定杂质
PT1(探测器测试)/PCM(过程控制监视测试) 与传统移除剂相比，无显著差别
表4所代表的详细程序如下。
(64MSD G/程序1后清理)
(1)钛膜及氮化钛膜分别在200及800的情况下形成于半导体基板上。(2)钨(W)膜是在4000的情况下形成于该合成结构上。(3)该钨膜是在干蚀刻设备中采用SF6气体通过回蚀程序而干蚀刻。(4)钛膜、铝铜膜及氮化钛膜分别以100、8000及400形成于该合成结构上。(5)光致抗蚀剂图案形成于该合成结构上。(6)金属线是在使用BCl3/Cl2气体的干蚀刻设备中采用该光致抗蚀剂图案作为掩膜而干蚀刻，而且该光致抗蚀剂膜是连续采用O2/CF4/H2O气体而移除。(7)该晶圆是采用所公开的移除剂组合物在30℃的温度下处理30秒，同时该晶圆采用单一类型的湿清理设备在400RPM(转/分钟)的转速下旋转。然后，该合成晶圆是采用超纯净水清洗60秒，并采用旋干方法在2900RPM的转速下脱水30秒。实验结果是显示在表4中。
(256M DDR(BC)/程序1后清理)
(1)钛膜及氮化钛膜是分别在200及100的情况下形成于半导体基板上。(2)钨(W)膜是在4000的情况下形成于该合成结构上。(3)钛膜、铝铜膜、钛膜及氮化钛膜是分别在100、4000、100及750的情况下形成于该合成结构上。(4)光致抗蚀剂图案是形成于该合成结构上。(5)金属线是在使用BCl3/Cl2气体的干蚀刻设备中采用该光致抗蚀剂图案作为掩膜而干蚀刻的，而且该光致抗蚀剂膜是连续采用O2/CF4/H2O气体而移除。(6)该晶圆是采用所公开的移除剂组合物在30℃的温度下处理30秒，同时该晶圆是采用单一类型的湿清理设备在400RPM的转速下旋转。然后，该合成晶圆是采用超纯净水清洗60秒，并采用旋干方法在2900RPM的转速下脱水30秒。实验结果是显示在表4中。
表5
装置/程序 评估项目 评估结果
256M DDR(BC)/程序2后清理 腐蚀 无腐蚀
聚合物可移除性 完全移除
侧壁膜(金属，例如Al)侵蚀及底切 无
下方IMD(Inter EtalDielectric)膜侵蚀 无
128M DDR(BC)/程序3后清理 腐蚀 无腐蚀
聚合物可移除性 完全移除
侧壁膜(金属，例如Al)侵蚀及底切 无
下方IMD(Inter EtalDielectric)膜侵蚀 无
运转中的杂质测试(KLA杂质测试) 无特定杂质
PT1(探测器测试)/PCM(过程控制监视测试) 与传统移除剂相比，无显著差别
表5所代表的详细程序如下。
(256M DDR(BC)/程序2后清理)
(1)钛膜及氮化钛膜是分别以200及800的情况形成于半导体基板上。(2)钨(W)膜是在4000的情况下形成于该合成结构上。(3)该钨膜是在干蚀刻设备中采用SF6气体通过回蚀程序而干蚀刻。(4)钛膜、铝铜膜及氮化钛膜是分别以100、8000及400的情况形成于该合成结构上。(5)光致抗蚀剂图案形成于该合成结构上。(6)该金属线是在使用BCl3/Cl2气体的干蚀刻设备中采用该光致抗蚀剂图案作为掩膜而干蚀刻，而且该光致抗蚀剂膜是连续采用O2/CF4/H2O气体而移除的。(7)该晶圆是采用所揭示的移除剂组合物而在30℃的温度下处理30秒，同时该晶圆是采用单一类型的湿清理设备在400RPM的转速下旋转。然后，该合成晶圆是采用超纯净水清洗60秒，并采用旋干方法在2900RPM的转速下脱水30秒。实验结果是显示在表5中。
(128M DDR(BC)/程序3后清理)
(1)钛膜及氮化钛膜是分别以200及100的情况形成于半导体基板上。(2)钨(W)膜是在4000的情况下形成于该合成结构上。(3)钛膜、铝铜膜、钛膜及氮化钛膜是分别以100、4000、100及750的情况形成于该合成结构上。(4)光致抗蚀剂图案是形成于该合成结构上。(6)该金属线是在使用BCl3/Cl2气体的干蚀刻设备中采用该光致抗蚀剂图案作为掩膜而干蚀刻，而且该光致抗蚀剂膜是连续采用O2/CF4/H2O气体而移除。(6)该晶圆是采用所揭示的移除剂组合物而在30℃的温度下处理30秒，同时该晶圆是采用单一类型的湿清理设备在400RPM的转速下旋转。然后，该合成晶圆是采用超纯净水清洗60秒，并采用旋干方法在2900RPM的转速下脱水30秒。实验结果是显示在表5中。
参考表4及5，当所公开的移除剂组合物是应用于实际产生线时，光致抗蚀剂聚合物显示为采用所公开的移除剂组合物时完全移除。此外，没有产生如清理后由残余聚合物引起的腐蚀、侧壁侵蚀及底切等问题。
如先前所论述，所公开的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物，通过经孔图案及其它图案形成金属线的程序中的干蚀刻或灰化程序，可以在短时间内轻易移除形成于该光致抗蚀剂的下方膜的侧壁及底部上的光致抗蚀剂聚合物。当该等下方膜为金属膜时，这样的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物可以最小化对该金属膜的腐蚀。

Claims (3)

1.一种光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物，包括：
(a)基于该组合物总重量5％至15％的硫酸；
(b)基于该组合物总重量1％至5％的过氧化氢或0.0001％至0.05％的臭氧；
(c)基于该组合物总重量0.1％至5％的醋酸；
(d)基于该组合物总重量0.0001％至0.5％的氟化铵；及
(e)剩余水量。
2.根据权利要求1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物，包括：
(a)基于该组合物总重量7％至10％的硫酸；
(b)基于该组合物总重量2％至4％的过氧化氢或0.0002％至0.001％的臭氧；
(c)基于该组合物总重量0.5％至2％的醋酸；
(d)基于该组合物总重量0.01％至0.05％的氟化铵；及
(e)剩余水量。
3.根据权利要求1的光致抗蚀剂聚合物移除剂组合物，其中该组合物的进一步特征为该组合物为干蚀刻清洁剂。
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