KR20000060410A - 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 248 nm KrF, 193 nm ArF 및 157nm F2
레이저를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 있어서 정현파를 제거할 수 있는 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 합성방법에 관한 것으로서, 본 발명은 또한 이러한 유기 난반사 방지 중합체를 함유하는 반사방지 조성물, 이를 이용한 반사방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 중합체를 반도체 제조 공정중 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용하면, 웨이퍼상의 하부막층의 광학적성질 및 레지스트 두께의 변동으로 인한 정현파, 반사 및 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.

Description

유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법{ORGANIC ANTI-REFLECTIVE POLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 248 nm KrF ,193 nm ArF 및 157nm F2
레이저를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정현파를 제거할 수 있는 반사방지용 유기물질에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 64M, 256M, 1G, 4G DRAM의 초미세 패턴형성시 사용할 수 있는 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 유기 난반사방지 중합체를 함유하는 난반사방지 조성물, 이를 이용한 반사 방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정중 초미세 패턴 형성 공정에서는 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막 두께의 변동에 의한 정현파(standing wave), 반사(reflective notching)와 하부막으로부터의 회절광 및 반사광에 의한 CD(critical dimension)의 변동이 불가피하게 일어난다. 따라서 노광원으로 사용하는 빛의 파장대에서 광흡수를 잘하는 유기물질을 도입하여 하부막층에서 반사를 막을 수 있는 막층의 도입이 제안되었으며, 이 막이 반사방지막이다.
반사방지막은 크게 사용되는 물질의 종류에 따라 무기계 반사방지막과 유기계 반사방지막으로 구분되거나, 기작(mechanism)에 따라 흡수계 반사방지막과 간섭계 반사방지막으로 나누어진다. 365nm 파장의 I-선(I-line)을 이용한 미세패턴 형성공정에서는 주로 무기계 반사방지막을 사용하며 흡수계로는 TiN 및 무정형카본(Amorphous C)을, 간섭계로서는 주로 SiON를 사용하여 왔다.
KrF 광을 이용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 주로 무기계로서 SiON을 사용하여 왔으나, 최근 반사방지막에 유기계 화합물을 사용하려는 노력이 계속되고 있다. 현재까지의 동향에 비추어볼 때 유기 반사방지막의 대부분은 다음과 같은 기본 조건을 갖추어야 한다.
첫째, 공정 적용시 포토레지스트가 용매에 의해 용해되어 벗겨지는 현상이 없어야 한다. 이를 위해서는 성형막이 가교구조를 이룰 수 있게 설계되어야 하고, 이때 부산물로 화학물질이 발생해서는 안된다.
둘째, 반사방지막으로부터의 산 또는 아민 등의 화학물질의 출입이 없어야 한다. 만약, 반사방지막으로부터 산이 이행(migration)되면 패턴의 밑부분에 언더커팅(undercutting)이 일어나고, 아민 등 염기가 이행하면서 푸팅(footing) 현상을 유발하는 경향이 있기 때문이다.
셋째, 반사방지막은 상부의 감광막에 비해 상대적으로 빠른 에칭 속도를 가져야 에칭시 감광막을 마스크로 하여 원활한 에칭공정을 행할 수 있다.
넷째, 따라서 반사방지막은 가능한한 얇은 두께로 충분한 반사방지막으로서의 역할을 할 수 있어야 한다.
한편, ArF 광을 사용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 만족할 만한 반사방지막이 개발되지 못한 실정이다. 무기계 반사방지막의 경우에는 광원인 193nm에서의 간섭현상을 제어할 물질이 아직 발표되고 있지 않고 있어, 최근 유기계 반사방지막을 사용하고자 하는 노력이 계속되고 있다.
따라서, 모든 감광막에서는 노광시 발생되는 정현파와 반사를 방지하고 하부층으로부터의 후면 회절 및 반사광의 영향을 제거하기 위해서 특정 파장에 대한 흡수도가 큰 유기 난반사 방지물질의 사용이 필수적이며 이러한 물질의 개발이 시급한 과제가 되고 있다.
이에 본 발명의 목적은 반도체 소자 제조 공정중 193 nm ArF 및 248nm KrF 광을 이용한 초미세 패턴형성 공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 신규한 유기화합물질을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 난반사를 방지할 수 있는 유기 화합물질을 제조하는 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지용 화합물을 함유하는 난반사방지 조성물 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지 조성물을 사용하여 형성된 난반사 방지막 및 그 형성방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명에서는 중합체 자체가 193nm 및 248nm파장에서 흡수가 일어나도록 흡광도가 큰 발색단을 함유하도록 하였으며, 유기 반사방지막의 형성, 기밀성, 용해성을 부여하기 위해 코팅 후 하드베이크 가교반응이 일어날 수 있도록 수지내의 알콜기와 기능기간의 가교 메카니즘을 도입하였다. 특히, 본 발명에서는 가교반응의 효율성 및 저장안정성이 극대화되었으며, 본 발명의 반사방지막 수지는 하이드로카본계의 모든 용매에 대하여 용해성이 우수하고 하드 베이크시에는 어떠한 용매에도 용해되지 않는 내용해성을 갖고 있다. 따라서, 감광막의 도포시 여하한 문제도 발생하지 않을 뿐만 아니라, 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않으며 특히 아크릴레이트계의 고분자로 형성되어 있는 바, 에칭시 감광막에 비하여 우수한 에칭속도를 갖음으로서 에칭선택비가 향상되었다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 유기 반사방지막으로 쓰이는 수지의 기본 식은 하기 일반식 1 및 일반식 2와 같다.
(일반식 1)
(일반식 2)
상기식에서,
R 은 수소 또는 메틸기를 나타내며,
R1내지 R9은 수소, 하이드록시, 메톡시카르보닐, 카르복실, 하이드록시메틸, C1~C5의 알킬 혹은 C1~C5치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬, 알칸이거나 알콕시알킬, 알콕시알칸을 나타내고
w,x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n은 1내지 4를 나타낸다.
본 발명에 따르는 중합체는 193nm 및 248nm 파장에서 흡수가 일어나도록 193nm 파장에서 흡광도가 큰 발색단을 도입함으로써 248nm에서 흡수가 일어나도록 설계된 것이다.
본 발명에 따르는 상기 일반식 1 의 중합체는 9-안트라센메틸 아크릴레이트계 단량체, 하이드록시 알킬아크릴레이트계 단량체, 글리시딜 아크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시켜 제조할 수 있으며, 이때 각 단량체는0.01 내지 0.99몰분율비를 갖는다.
또한, 일반식 2의 중합체는 9-안트라센메틸 아크릴레이트계 단량체, 하이드록시 알킬아크릴레이트계 단량체, 글리시딜 아크릴레이트계 단량체 및 메틸메타크릴레이트를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시켜 제조할 수 있으며, 이때 각 단량체는0.01 내지 0.99몰분율비를 갖는다.
본 발명에 따르는 상기 일반식 1 및 2의 중합체를 제조하기 위해서 사용할 수 있는 개시제는 일반적인 라디칼 개시제를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며, 사용되는 용매로는 일반적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 테트라하이드록퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 또는 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 따르는 상기 일반식 1 및 2의 중합체의 제조방법에서 반응 온도는 50~90℃에서 중합반응을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 일반식 1 또는 2의 중합체와 하기 표 1에 기재된 안트라센 유도체로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 2 이상의 첨가제로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물을 제공한다.
표 1
상기 표 1에서, R1, R2, 또는 R3은 각각 독립적으로 수소, 하이드록시, 알킬, 하이드록시메틸 혹은 C1~C5의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄 알킬, 알칸이거나 알콕시알킬 또는알콕시 알칸이다.
본 발명에 따르는 반사방지막 조성물은 상기 일반식 1 또는 2의 중합체를 유기용매에 용해시킨 다음, 이 중합체 또는 상기 표 1에서 선택된 화합물을 0.1~ 30 중량% 첨가하여 필터링한 후 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하여 반사방지막 수지를 가교시켜 제조하되고 이를 이용하여 반도체 소자가 생산된다.
이 때에 사용할 수 있는 유기용매로는 통상적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며, 또한, 그 량은 반사방지막 수지 중합체의 200~5000 중량%을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르는 반사방지막 중합체는 248nm KrF , 193nm ArF 및 157nm F2
레이저를 사용하는 초미세패턴 형성공정의 유기반사방지막으로 우수한 성능을 나타내는 것으로 확인되었으며, ArF 광 이외에도 노광 광원으로서 E-빔, EUV(extremely ultraviolet), 이온빔 등을 사용할 경우에도 우수한 난반사방지 효과를 나타내는 것으로 확인되었다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이다.
실시예 1) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트의 합성
9-안트라센메탄올 0.5몰과 피리딘 0.5몰을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 후 아크리로일 클로라이드 0.5몰을 가한다. 반응용액을 여과한 후 다시 에틸아세테이트로 추출한 후 증류수로 여러번 씻고 감압증류기를 이용하여 건조시켜서 하기 화학식 19로 표시되는 9-안트라센메틸아크릴레이트를 수득한다. 이때, 수율은 84%였다.
(화학식 19)
폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.5몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니트릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 2) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
실시예 1 에서합성한 9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.5몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 3) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.5몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 81% 이었다.
실시예 4) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.5몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 78% 이었다.
실시예 5) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.5몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 6) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트의 합성
9-안트라센메탄올 0.5몰과 피리딘 0.5몰을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 후 메타크릴로일클로라이드 0.5몰을 가한다. 반응용액을 여과한 후 다시 에틸아세테이트로 추출한 후 증류수로 여러번 씻고 감압증류기를 이용하여 건조시켜서 하기 화학식 20으로 표시되는9-안트라센메틸메타크릴레이트를 수득한다. 이때, 수율은 83%였다.
(화학식 20)
폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 77% 이었다.
실시예 7) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
실시예 6에서 합성한 9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 8) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 9) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 10) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 81% 이었다.
실시예 11) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.5몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 12) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.3몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니트릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］수지가 수득된다. 이때, 수율은 81% 이었다.
실시예 13) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.3몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 14) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.3몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 15) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.3몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 16) 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸아크릴레이트 단량체 0.3몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 81% 이었다.
실시예 17) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 18) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 79% 이었다.
실시예 19) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 20) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 21) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 80% 이었다.
실시예 22) 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트??메틸메타크릴레이트］ 공중합체의 합성
9-안트라센메틸메타크릴레이트 단량체 0.3몰, 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜아크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.2몰을 500ml둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리준비된 테트라하이드로퓨란(THF) 300g을 넣고 완전히 섞이면 2.2'-아조비스이소부틸로니크릴(AIBN)을 0.1g-3g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃ 온도에서 5-20시간 반응시킨다. 반응 완료후 이 용액을 에틸에테르 또는 노르말 핵산 용매에 침전시킨 후 여과하여 건조시키면 본 발명에 따르는 중합체인 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］ 수지가 수득된다. 이때, 수율은 81% 이었다.
실시예 23) 반사방지막의 제조
일반식 1, 2를 기본구조로 하는 실시예 1 내지 22에서 수득된 수지를 수지중합체의 200 내지 5000중량%인 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 용해시킨 후 이 용액을 단독으로 사용하거나 또는 표 1의 화학식 1 내지 18과 같은 첨가제를 0.1 내지 30 중량%로 가하여 완전히 용해시킨 후 여과한 용액을 웨이퍼에 도포하고 100-300℃에서 10 내지 1000초 동안 하드베이크를 행한다. 이후에 감광막을 도포하여 미세패턴 형성공정을 행한다.
이상에서와 같이 본 발명에 따르는 상기 일반식 1 및 2를 기본 구조로 하는 중합체에 화학식 1 내지 18의 첨가제를 함유하는 반사방지막은 발색단을 수지자체에 함유하고 있는 바, 반사방지막으로 가져야 할 충분한 흡광도를 만족한다. 따라서, 본발명에 의한 중합체를 반도체 제조 공정중 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용함으로써, 248nm KrF, 193 nm ArF 및 157nm F2레이저를 이용한 리소그라피 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지할 뿐 만 아니라, 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정현파를 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.

Claims (54)

  1. 하기 화학식 19로 표시되는 9-안트라센메틸아크릴레이트.
    (화학식 19)
  2. 9-안트라센메탄올과 피리딘을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 후 아크릴로일 클로라이드를 가하는 것을 특징으로 하는 제 1항의 9-안트라센메틸아크릴레이트의 제조방법.
  3. 하기 화학식 20으로 표시되는 9-안트라센메틸메타크릴레이트.
    (화학식 20)
  4. 9-안트라센메탄올과 피리딘을 테트라하이드로퓨란에 용해시킨 후 메타크릴로일클로라이드를 가하는 것을 특징으로 하는 제 3항의 9-안트라센 메틸메타크릴레이트의 제조방법.
  5. 하기 일반식 1로 표시되는 중합체 화합물.
    (일반식 1)
    R 은 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1내지 R9은 수소, 하이드록시, 메톡시카르보닐, 카르복실, 하이드록시메틸, C1~C5의 알킬 혹은 C1~C5치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬,알칸이거나 알콕시알킬, 알콕시알칸을 나타내고
    w,x,y는 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n은 1내지 4를 나타낸다.
  6. 제 5항에 있어서, R 은 수소 또는 메틸기를 나타내며, R1내지 R9은 수소를 나타내고 w,x,y는 각각 0.01 내지 0.95몰분율 이며, n은 1내지 4를 나타내는 것을 특징으로 하는 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜 메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식1의 중합체 화합물.
  8. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식1의 중합체 화합물.
  9. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식1의 중합체 화합물.
  10. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식1의 중합체 화합물.
  11. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식1의 중합체 화합물.
  12. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  13. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜 메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  14. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  15. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  16. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  17. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 5 : 3 : 2인 상기 일반식 1의 중합체 화합물.
  18. 9-안트라센 메틸 아크릴레이트계 단량체, 하이드록시 알킬아크릴레이트계 단량체, 글리시딜 아크릴레이트계 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시키는 것을 특징으로 하는 제 5항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 각 단량체의 몰비는0.01~0.99:0.01~0.99:0.01~0.99의 몰비로 구성되는 것을 특징으로 하는 제 5항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 5항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  21. 제 18 항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 또는 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 제 5항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  22. 제 18 항에 있어서, 상기 중합 반응은 50~90℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제 5항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  23. 하기 일반식 2로 표시되는 중합체 화합물.
    (일반식 2)
    R 은 수소 또는 메틸기를 나타내며,
    R1내지 R9은 수소, 하이드록시, 메톡시카르보닐, 카르복실, 하이드록시메틸, C1~C5의 알킬 혹은 C1~C5치환 및 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬,알칸이거나 알콕시알킬, 알콕시알칸을 나타내고,
    w,x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n은 1내지 4를 나타낸다.
  24. 제 23 항에 있어서, R 은 수소 또는 메틸기를 나타내며, R1내지 R9은 수소를 나타내고 w,x,y,z은 각각 0.01 내지 0.99몰분율 이며, n은 1내지 4를 나타내는 것을 특징으로 하는 상기 일반식 2의 중합체 화합물.
  25. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  26. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  27. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  28. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  29. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸아크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  30. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  31. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  32. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  33. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  34. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  35. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 폴리［9-안트라센메틸메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸 아크릴레이트)-글리시딜아크릴레이트-메틸메타크릴레이트］이고 각 단량체의 몰분율은 3 : 3 : 2 : 2인 상기 일반식 2의 중합체 화합물
  36. 9-안트라센 메틸 아크릴레이트계 단량체, 하이드록시 알킬아크릴레이트계 단량체, 글리시딜 아크릴레이트계 단량체 및 메틸메타크릴레이트 단량체를 개시제와 함께 용매중에서 중합반응시키는 것을 특징으로 하는 23항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 각 단량체의 몰비는 0.01~0.99:0.01~0.99:0.01~0.99:0.01∼0.99의 몰비로 구성되는 것을 특징으로 하는 23항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  38. 제 36 항에 있어서, 상기 개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 23항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  39. 제 36 항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드록퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 또는 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 23항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  40. 제 36 항에 있어서, 상기 중합 반응은 50~90℃의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 23항의 중합체 화합물의 제조 방법.
  41. 상기 청구항 5의 중합체를 포함하여 구성된 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막.
  42. 상기 청구항 23의 중합체를 포함하여 구성된 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막.
  43. 상기 청구항 5의 중합체 또는 청구항 23의 중합체 및 첨가제로서 하기 표 1의 화학식 1 내지 18로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 2이상의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정시 사용되는 반사방지막.
    표 1
  44. 상기 청구항 5항의 중합체를 유기용매에 용해시킨 다음, 이 용액을 여과하여 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하는 것으로 구성된 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  45. 제 44항에 있어서, 유기용매는 중합체 중량당 200-5000중량%을 사용하고, 하드베이크할 때의 온도는 100-300℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  46. 상기 청구항 23항의 중합체를 유기용매에 용해시킨 다음, 이 용액을 여과하여 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하는 것으로 구성된 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  47. 제 46항에 있어서, 유기용매는 중합체 중량당 200-5000중량%을 사용하고 , 하드베이크할 때의 온도는 100-300℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  48. 상기 청구항 5항 또는 23항의 중합체를 유기용매에 용해시킨 후 상기한 표 1의 화학식 1 내지 18로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 2 이상의 화합물을 첨가제로서 첨가하여 완전히 용해시킨 후 여과한 용액을 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하는 것으로 구성된 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  49. 제 48항에 있어서, 유기용매는 중합체 중량당 200-5000중량%을 사용하고 , 하드베이크할때의 온도는 100-300℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  50. 제 44 항 또는 제 45항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  51. 제 46 항 또는 제 47항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  52. 제 48 항 또는 제 49항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  53. 제 48항 또는 제 49항에 있어서, 상기 첨가제는 0.1 내지 30중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체제조공정에 사용되는 반사방지막의 제조방법.
  54. 상기 청구항 41항의 반사방지막, 청구항 42항의 반사방지막 또는 43항의 반사방지막중 하나의 반사방지막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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