KR20000047506A - 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치 - Google Patents

반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저장 안정성과 속경화성(rapid curability)이 모두 우수한 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 당해 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지(A)와 페놀 수지(B)를 봉입되지 않은 경화 촉진제(C)와 열가소성 수지를 포함하는 쉘 속에 경화 촉진제가 코아로서 봉입되어 있는 코아/쉘 구조를 갖는 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)과의 혼합물과 함께 포함한다.

Description

반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치{Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same}
본 발명은 경화성과 저장 안정성이 우수한 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 봉입시킨 반도체 장치에 관한 것이다.
트랜지스터, IC 칩, LSI 칩 등의 반도체 소자 분야에서는 현재 비용과 양산성 면에서 플라스틱 패키지가 주류를 이루고 있다. 봉입용 수지로서 에폭시 수지 조성물이 널리 사용되어 만족스런 결과를 얻고 있다. 특히, 에폭시 수지, 경화제인 노볼락형 페놀 수지, 경화 촉진제 및 무기 충전제(예: 실리카 분말)를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 봉입 특성이 우수하여 상용되고 있다.
최근에는 플라스틱 패키지의 비용 경쟁이 격화되고 있다. 비용 절감 방법으로서 성형 사이클의 단축화에 의한 제조 효율의 향상이 도모되고 있다. 이러한 경향에 따라, 경화성이 향상된 봉입 재료에 대한 요구가 증가되고 있으며, 경화성 향상은 경화 촉진제의 첨가량을 증대시킴으로써 충족되었다.
미리 경화 촉진제를 첨가한 에폭시 수지 조성물은 저장하는 동안에 경화 반응이 진행된다. 특히 다량으로 경화 촉진제를 배합하는 경우, 그 사용에 이르기까지의 반응 속도가 빨라 배합 후의 사용 가능 시간이 매우 짧아지고 작업 효율이 저하된다. 따라서, 최근에는 경화 촉진제를 봉입시킨 미세 캡슐을 함유하는 에폭시 수지 조성물을 사용하는 것이 제안되어 있다.
그러나, 상기와 같은 봉입시킨 경화 촉진제만을 경화 촉진제로서 함유하는 에폭시 수지 조성물은 저장 안정성은 우수하지만, 다음과 같은 결점을 가지고 있다. 미세 캡슐의 쉘이 용융 및 파괴되어야 하므로, 반도체 봉입용 수지 조성물의 성형 과정에서 경화 촉진제의 작용이 지연된다. 결과적으로, 당해 조성물은 속경화성이 떨어진다. 특히 성형 온도가 낮은 경우(일반적으로 140 내지 180℃)에 이와 같은 단점이 현저하게 나타난다.
이와 같은 상황의 견지에서, 본 발명의 목적은 저장 안정성이 우수하며 속경화성도 우수한 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 당해 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 장치를 제공하는 것이다.
위의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제1 양태에서 에폭시 수지(A)와 페놀 수지(B)를 봉입되지 않은 경화 촉진제(C)와 열가소성 수지를 포함하는 쉘 속에 경화 촉진제가 코아로서 봉입되어 있는 코아/쉘 구조를 갖는 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)과의 혼합물과 함께 함유하는 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 제2 양태에서 상기 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 봉입시킨 반도체 장치를 제공한다.
본 발명자는 통상적인 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물이 갖는 문제점을 해결하기 위하여 일련의 연구를 행하였다. 본 발명자는 서로 상반된 저장 안정성과 속경화성에 대한 필요 조건을 충족시키기 위하여, 배합하는 첨가제를 중심으로 연구를 거듭한 결과, 봉입되지 않은 경화 촉진제와 봉입된 경화 촉진제, 즉 경화 촉진제 함유 미세 캡슐을 병용하면, 속경화성 특성과 저장 안정성 모두를 충족시킬 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
바람직한 양태에서, 봉입되지 않은 경화 촉진제와 경화 촉진제 함유 미세 캡슐의 배합 비율을 특정한 범위 내로 설정하여 속경화성 및 저장 안정성을 향상시킨다.
또 다른 바람직한 양태에서, 상기 경화 촉진제 함유 미세 캡슐의 쉘은 특정 트리이소시아네이트 화합물들을 특정한 혼합 비율로 사용하여 형성시킨 폴리우레아를 포함한다. 이 양태에 따르면, 쉘의 파괴 온도를 적합하게 조절할 수 있기 때문에, 약 130℃의 고온에서 미세 캡슐과 기타 성분과의 용융 혼련이 가능하다. 이는 시스템의 점도가 낮아져 혼련이 충분히 이루어지기 때문에 각 성분이 군일하게 분산된 에폭시 수지 조성물이 얻어지게 됨을 의미한다.
또 다른, 바람직한 양태에서, 에폭시 수지로서 비페닐형 에폭시 수지를 사용하여, 조성물의 유동성이 향상, 즉 성형성이 향상된다.
또 다른 바람직한 양태에서, 페놀 수지로서 페놀 아르알킬 수지를 사용한다. 이 경우에 조성물의 유동성이 향상되고, 내땜납성 등에 유익한 흡습성과 탄성율이 감소된 경화 제품이 제공된다.
본 발명의 실시 형태를 상세히 설명한다.
본 발명의 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지(A), 페놀 수지(B), 경화 촉진제(C) 및 특정 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)로부터 얻을 수 있다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 통상 분말상 또는 이를 타정한 정제상으로 제공된다.
상기 에폭시 수지[성분(A)]로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 각종 페놀류로부터 합성되는 노볼락형 에폭시 수지 등의 반도체 봉입용 수지로서 통상적으로 사용되는 각종 에폭시 수지가 포함된다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중에서도 융점이 실온을 초과하며, 실온하에서는 고형상인 것이 바람직하다. 일반적으로 유용한 에폭시 수지에는 비페닐형 에폭시 수지와 노볼락형 에폭시 수지가 포함된다. 노볼락형 에폭시 수지 중에서도 에폭시 당량이 160 내지 250이고, 연화점이 50 내지 130℃인 것이 적합하다. 비페닐형 에폭시 수지로서는 예를 들면, 아래의 화학식 1의 비페닐형 에폭시 수지를 들 수 있다.
위의 화학식 1에서,
R1내지 R4는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
화학식 1에서, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, 2급-부틸기, 3급-부틸기 등의 직쇄형 또는 측쇄형 저급 알킬기를 들 수 있다. 낮은 흡습성 및 반응성이라는 관점에서, R1내지 R4가 모두 메틸기인 비페닐형 에폭시 수지와 R1내지 R4가 모두 수소인 비페닐형 에폭시 수지와의 혼합물(혼합 중량비 1/1)을 사용하는 것이 바람직하다.
페놀 수지[성분(B)]는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 3급-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 레졸형 페놀 수지; 페놀 아르알킬 수지 및 폴리-p-하이드록시스티렌 등의 폴리하이드록시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 이 중에서도 노볼락형 페놀 수지와 페놀 아르알킬 수지가 바람직하게 사용된다. 노볼락형 페놀 수지로서는 연화점이 50 내지 110℃이고 하이드록실 당량이 100 내지 150인 것이 바람직하다. 페놀 아르알킬 수지로서는, 예를 들면, 아래의 화학식 2의 페놀 아르알킬 수지를 들 수 있다.
위의 화학식 2에서,
n은 0 또는 양의 정수이다.
위의 화학식 2에서, n은 0 내지 40의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0 내지 30의 범위이다.
화학식 2의 페놀 아르알킬 수지는 하이드록실 당량이 150 내지 220, 특히 150 내지 200이고, 연화점이 40 내지 110℃, 특히 50 내지 90℃인 것이 바람직하다.
바람직하게는, 페놀 수지[성분(B)]는 페놀 수지[성분(B)]의 하이드록실 당량이 에폭시 수지[성분(A)]의 에폭시 1당량당 0.5 내지 2.0, 바람직하게는 0.8 내지 1.2이 되는 양으로 사용한다. 배합 비율이 상기 바람직한 범위를 벗어나면 충분한 경화 반응이 이루어지지 않아 수득된 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워진다.
성분(C)로서 사용할 수 있는 경화 촉진제는 특별히 한정되는 것이 아니고 종래 공지된 것, 예를 들면, 3급 아민류, 이미다졸 화합물, 4급 암모늄염, 유기 금속염, 인 화합물(예: 트리페닐포스핀 또는 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트), 디아자비사이클로알켄, 예를 들면, 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데실-7 및 이들의 유도체 등을 사용할 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 상기 경화 촉진제 중에서도 인 화합물과 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데센-7이 바람직하다.
성분(D)로서 사용할 수 있는 특정한 경화 촉진제 함유 미세 캡슐은 경화 촉진제를 포함하는 코아가 열가소성 수지를 포함하는 외부 쉘 속에 봉입되어 있는 코아/쉘 구조를 갖는 미세 캡슐이다.
코아로서 특별히 제한없이 익히 공지된 경화 촉진제가 사용된다. 미세 캡슐을 제조할 때의 작업성 또는 수득되는 미세 캡슐의 특성의 관점에서 상온에서 액상인 것이 적합하다. "상온에서 액상"이란, 경화 촉진제 자체가 상온에서 액상이거나 상온에서 고체이어도 적합한 유기 용매에 용해 또는 분산시켜 액상으로 만들 수 있음을 의미한다.
봉입시킬 경화 촉진제로서는 예를 들면, 아민계, 이미다졸 화합물, 인 화합물, 붕소 화합물 및 인-붕소 화합물 등의 경화 촉진제를 들 수 있다. 적합한 경화 촉진제의 예는 에틸구아니딘, 트리메틸구아니딘, 페닐구아니딘, 디페닐구아니딘 등의 치환된 구아니딘류; 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-페닐-1,1-디메틸우레아, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸우레아 등의 3-(치환되거나 치환되지 않은 페닐)-1,1-디메틸우레아; 2-메틸아미다졸린, 2-페닐이미다졸린, 2-운데실이미다졸린, 2-헵타데실이미다졸린 등의 이미다졸린류; 2-아미노피리딘 등의 모노아미노피리딘류; N,N-디메틸-N-(2-하이드록시-3-알릴옥시프로필)아민-N'-락트아미드 등의 아민이미드류; 에틸포스핀, 프로필포스핀, 부틸포스핀, 페닐포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀/트리페닐보란 착물, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트 등의 유기 인 화합물 및 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데센-7, 1,5-디아자비사이클로[4.3.0]노넨-5 등의 디아자비사이클로알켄류이다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 특히, 봉입 용이성과 취급 용이성의 관점에서 유기 인 화합물이 바람직하다.
상온에서 액상인 유기 용매는 쉘을 용해시키지 않는 한 쉘에 혼입시킬 수 있다. 유용한 유기 용매에는 에틸 아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 염화 메틸렌, 크실렌, 톨루엔, 테트라하이드로푸란 및 이른바 오일, 예를 들면, 페닐크실릴에탄과 디알킬나프탈렌이 포함된다.
쉘로서는, 특별한 제한없이 각종 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 특히, 폴리우레아가 바람직하다. 유용한 폴리우레아의 일례로서 하기 화학식 3의 트리이소시아네이트 화합물과 하기 화학식 4의 트리이소시아네이트 화합물로부터 제조된 폴리우레아를 들 수 있다.
화학식 3의 화합물[이후에는 화합물(3)이라 지칭함]은 예를 들면, 트리메틸올프로판 1몰과 크실릴렌 디이소시아네이트 3몰을 에틸 아세테이트 중에서 부가 반응시킴으로써 용이하게 제조할 수 있다.
화학식 4의 화합물[이후에는 상기 화합물(4)이라 지칭함]은 예를 들면, 트리메틸올프로판 1몰과 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트 3몰을 에틸 아세테이트 중에서 부가 반응시킴으로써 용이하게 제조할 수 있다. 이 경우, 우레탄화용 주석계 촉매를 소량 사용할 수 있다.
화합물(4) 중에서 통상 사용되는 것은 아래의 화학식 5의 트리이소시아네이트 화합물[화합물(5)]이다.
상기 화합물(3)과 화합물(4)의 몰 비[화합물(3)/화합물(4)]는 100/0 내지 30/70으로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 70/30 내지 50/50의 범위이다. 화합물(3)의 몰 비가 30 미만이면[화합물(4)의 몰 비가 70을 초과하면], 쉘의 파괴 개시 온도가 165℃ 이상의 고온이 되어 당해 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자 성형시 경화성이 떨어지는 경향이 나타난다. 화합물(3)/화합물(4)의 몰 비를 상기 범위 내로 설정함으로써 쉘의 파괴 온도를 적합한 범위(150±15℃)로 설정하는 것이 가능해진다. 특히, 화합물(3)/화합물(4)의 몰 비가 70/30 내지 50/50인 경우는 쉘의 파괴 온도를 150 내지 160℃ 정도로 설정하는 것이 가능해진다. 그 때문에 경화 촉진제 함유 미세 캡슐을 포함하는 통상의 에폭시 수지 조성물을 제조할 때에 곤란하였던 약 130℃의 고온에서의 성분(A) 내지 성분(C)의 용융 혼련이 가능해진다. 즉 혼련 시스템의 점도가 낮으며 전단력도 작아져 혼련이 충분히 이루어진다. 그 결과, 수득된 에폭시 수지 조성물은 각 성분, 특히 첨가제로서 통상적으로 혼입되는 무기 충전제(이후에 기재됨)가 균일하게 혼합 분산된 것이 된다.
화합물(3)과 화합물(4)와의 혼합물로부터 제조된 폴리우레아[이후에는 폴리우레아(A)라 지칭함]는 화학식의 반복 단위(여기서, R은 2가 유기 그룹이고, R1과 R2는 각각 수소원자 또는 1가 유기 그룹, 바람직하게는 수소원자로서, 서로 동일하거나 상이할 수 있다)를 주로 포함하는 것이 바람직하다.
화학식의 반복 단위를 주로 포함하는 폴리우레탄(A)은 예를 들면, 트리아소시아네이트인 화합물(3)과 화합물(4)와의 혼합물과 물과의 반응에 의해 얻어진다. 화합물(3)과 화합물(4)와의 혼합물을 가수분해시켜 아민 화합물을 수득하고, 이 아민을 미반응 이소시아네이트기와 반응[이른바 자기 중부가 반응(self polyaddition)]시켜 폴리우레아(A)를 형성시킨다.
또한, 폴리우레아(A)는 화합물(3)과 화합물(4)와의 혼합물과 다가 아민과의 중부가 반응에 의해서도 얻을 수 있다. 2개 이상의 아미노기를 갖는 임의의 다가 아민을 사용할 수 있다. 적합한 다가 아민의 예는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 1,6-헥사메틸렌디아민, 1,8-옥타메틸렌디아민, 1,12-도데카메틸렌디아민, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, o-크실릴렌디아민, m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민, 메탄디아민, 비스(4-아미노-3-메틸사이클로헥실)메탄, 이소포론디아민, 1,3-디아미노사이클로헥산, 스피로-아세탈계 디아민 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 이들 중에서, 형성된 쉘의 격리 능력 또는 보호 능력의 관점에서, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민 및 테트라에틸렌펜타민이 바람직하다.
경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]은 공지된 각종 방법으로 제조할 수 있다. 특히 계면 중합법 쉘의 균질화 및 두께의 조정이라는 관점에서 바람직하다.
계면 중합법에 의한 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]은 다음과 같이 하여 얻어진다. 액상의 경화 촉진제를 사용하는 경우, 화합물(3)과 화합물(4)와의 혼합물을 경화 촉진제에 용해시키고, 수득되는 유상 용액을 수상에 분산시켜 O/W형 에멀젼을 제조한다. 분산된 유적의 입자 크기는 약 0.05 내지 50㎛, 바람직하게는 약 0.05 내지 20㎛인 것이 중합 중의 에멀젼 안정성의 점에서 바람직하다.
고상 경화 촉진제를 유기 용매에 용해하여 사용하는 경우에는 S/O/W(고상/유상/수상) 에멀젼이 된다. 이 에멀젼 타입은 경화 촉진제가 친유성인 경우이다. 한편, 고상 경화 촉진제가 친수성인 경우에는 상기 에멀젼 타입으로 형성되기 어렵다. 이 경우에는 용해도 조정을 행함으로써 O/O 에멀젼 또는 S/O/O 에멀젼 타입으로서 계면 중합을 수행할 수 있다.
에멀젼의 수상에 다가 아민 또는 다가 알콜을 첨가함으로써 다가 아민 또는 다가 알콜과 유상에 용해된 이소시아네이트 화합물들의 혼합물 사이의 계면에서 중부가 반응을 행하여 경화 촉진제가 코아로서 혼합된 폴리우레아(A) 쉘을 형성시킨다.
이와 같이 하여 얻어진 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]은 공지된 수단, 예를 들면, 원심 분리 후에 건조시키거나 분무 건조시키는 수단에 의해 분리할 수 있다. 성분(D)은 성분(A)로서의 에폭시 수지 또는 성분(B)로서의 페놀 수지 중에 용해시킬 수 있다. 필요에 따라 미세 캡슐 중의 유기 용매를 예를 들면 감압 건조시켜 제거할 수도 있다.
경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]의 평균 입자 크기는 에폭시 수지 조성물 제조시에 가해지는 전단력을 고려하여 0.05 내지 20㎛, 바람직하게는 0.1 내지 4㎛의 범위로 설정하는 것이 미세 캡슐의 안정성 및 분산성의 점에서 바람직하다. 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]의 형상으로서는 구상이 바람직한데, 타원형이어도 좋다. 미세 캡슐의 형상이 완전한 원형이 아니라 타원형 또는 편평한 형태 등과 같이 입자 크기가 불균일한 경우에는 입자의 폭과 길이의 산술 평균값을 평균 입자 크기로 한다.
성분(D) 속에 봉입되는 경화 촉진제의 양은 5 내지 70중량%로 설정하는 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 10 내지 50중량%이다. 경화 촉진제의 양이 5중량% 미만이면, 반응성이 낮아 경화 시간이 너무 길어지게 되고, 70중량%를 초과하면, 쉘의 두께가 너무 얇아 경화 촉진제를 다른 성분으로부터의 분리시키기에는 강도가 부족하다.
경화 촉진제 함유 미세 캡슐의 입자 크기에 대한 쉘 두께의 비율은 3 내지 25%로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 25%로 설정한다. 상기 비율이 3% 미만이면, 에폭시 수지 조성물 제조시에 가해지는 전단력에 대하여 충분한 기계적 강도가 얻어지지 않으며, 25%를 초과하면, 경화 촉진제의 방출이 불충분해지는 경향이 나타난다.
경화 촉진제[성분(C)]와 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]의 혼합비가, 중량비로서, 95/5 내지 1/99의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20/80 내지 3/97의 범위이다. 즉, 성분(C)/성분(D)의 혼합 비율을 상기 범위 내로 설정함으로써 저장 안정성 및 속경화성이 한층 향상된다.
경화 촉진제[성분(C)]와 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]의 총량이, 에폭시 수지[성분(A)]와 페놀 수지[성분(B)]의 총량 100중량부(이하 "부"라 약칭함)당 0.5 내지 6부의 비율이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 내지 4.5부이다. 성분(C)과 성분(D)의 총량이 0.5부 미만이면, 반도체 소자 봉입시에 에폭시 수지 조성물의 경화 반응이 현저히 저하되어 불만족스런 반도체 장치가 제공된다. 6부를 초과하면, 반도체를 봉입시키기 위해 성형할 때 에폭시 수지 조성물의 경화 반응이 빠르기 때문에 완전히 반도체 소자를 피복하기 전에 에폭시 수지 조성물의 점도가 상승되어 미충전, 와이어 스위핑(sweeping) 또는 다이 패드 변형을 발생시켜 만족할 만한 반도체 장치를 얻기가 곤란해지는 경향이 나타난다.
성분(C)와 성분(D)의 조합으로서는 성분(C)로서 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트 및 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데센-7을, 성분(D)로서 트리페닐포스핀 또는 테트라페닐포스늄 테트라페닐보레이트를 사용하는 조합이 적합하다.
또한, 본 발명의 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물에는 그 용도에 따라 상기 성분(A) 내지 성분(D)과 함께 무기 충전제(E)를 적절하게 배합할 수 있다. 성분(E)로서 유용한 무기 충전제로서는 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등을 들 수 있다. 그 중에서도 실리카, 특히 용융 실리카가 바람직하게 사용된다. 평균 입자 크기가 0.1 내지 80㎛인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 무기 충전제의 배합량은 에폭시 수지 조성물 전체의 70 내지 95중량%로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 80 내지 95중량%이다.
또한 본 발명의 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물에는 성분(A) 내지 성분(E) 이외에, 필요에 따라, 다른 배합 첨가제, 예를 들면, 난연제와 왁스를 배합할 수 있다. 유용한 난연제로서는 노볼락형 브롬화 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 유용한 왁스로서는 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 칼슘염 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물에는 실리콘 오일, 실리콘 고무, 합성 고무 등의 성분을 배합하여 저응력화를 도모하거나 내습 신뢰성 시험에서의 신뢰성 향상을 목적으로 하여 하이드로탈사이트, 수산화비스무스 등의 이온 스캐빈저(ion scavenger)를 배합할 수 있다.
본 발명의 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물은 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 우선, 앞서 기술한 바와 같이 계면 중합법으로 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]을 제조한다. 이어서, 필수 성분인 성분(A) 내지 성분(D)와 임의의 성분(E) 및 필수적인 기타 충전제를 모두 한 번에 혼합한 후, 혼합 롤 등의 혼련기 속에서 혼련시킨다. 이것을 열 롤에 의한 용융 혼련 또는 니더 등에 의한 혼련을 행한다. 냉각시킨 후, 혼합물을 분말로 분쇄한다. 수득된 분말을 압착시켜 정제로 만든다.
본 발명에서, 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물을 사용한 반조체 소자의 봉입은 공지된 성형 방법, 전형적으로는 저압 트랜스퍼 성형으로 행할 수 있다.
경화 촉진제와 경화 촉진제 함유 미세 캡슐을 배합하여 사용함을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물은 봉입되지 않은 경화 촉진제만을 함유하는 통상적인 에폭시 수지 조성물보다도 저장 안정성이 우수하며, 봉입된 경화 촉진제만을 함유하는 통상적인 에폭시 수지 조성물에 비해 속경화성이 우수하다. 결과적으로 본 발명의 에폭시 수지 조성물 속에 봉입되는 반도체 장치는 신뢰성이 우수하다.
이어서, 본 발명을 실시예와 비교 실시예를 참고로 보다 상세히 설명하지만, 이로 제한되는 것으로 이해해서는 안 된다. 달리 언급하지 않는 한, 모든 백분율은 준량을 기준으로 한다.
하기에 나타내는 방법에 따라 실시예와 비교 실시예에서 사용되는 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[미세 캡슐(D1) 내지 (D5)]을 제조한다.
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D1)
화합물(3) 10.5부, 화합물(5) 6.6부, 경화 촉진제인 트리페닐포스핀 6.7부 및 에틸 아세테이트 4.8부를 혼합하여 균일한 유상을 제조한다. 화합물(3)과 화합물(5)의 몰 비는 [화합물(3)/화합물(5)]=6/4이다. 또한, 증류수 95부와 폴리비닐 알콜 5부로 이루어진 수상 속에 상기 유상을 첨가하여 호모 믹서(8000rpm)로 유화시킨다. 생성된 O/W 에멀젼을 환류관, 교반기 및 적하 깔대기가 장착된 중합 반응기에 넣는다.
한편, 트리에틸테트라민 3부를 포함하는 수용액 13부를 제조한다. 이것을 적하 깔때기를 통해 에멀젼에 적가하고 70℃에서 3시간 중합시켜 트리페닐포스핀 코아와 폴리우레아 외부 쉘을 포함하는 미세 캡슐(D1)을 수득한다. 미세 캡슐(D1)은 평균 입자 크기가 2㎛이고, 입자 크기에 대한 쉘 두께 비율의 20%이다. 쉘의 파괴 온도는 150℃이다.
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D2):
화합물(3)과 화합물(5)의 몰 비를 [화합물(3)/화합물(5)]=7/3으로 설정하는 것 이외에는 미세 캡슐(D1)의 경우와 동일한 방법으로 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D2)을 제조한다(평균 입자 크기 2㎛, 쉘의 파괴 온도 140℃)
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D3):
화합물(3)과 화합물(5)의 몰 비를 [화합물(3)/화합물(5)]=10/0으로 설정하는 것 이외에는 미세 캡슐(D1)의 경우와 동일한 방법으로 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D3)을 제조한다(평균 입자 크기 2㎛, 쉘의 파괴 온도 110℃)
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D4):
화합물(3)과 화합물(5)의 몰 비를 [화합물(3)/화합물(5)]=5/5로 설정하는 것 이외에는 미세 캡슐(D1)의 경우와 동일한 방법으로 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D4)을 제조한다(평균 입자 크기 2㎛, 쉘의 파괴 온도 155℃)
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D5):
화합물(3)과 화합물(5)의 몰 비를 [화합물(3)/화합물(5)]=3/7로 설정하는 것 이외에는 미세 캡슐(D1)의 경우와 동일한 방법으로 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D5)을 제조한다(평균 입자 크기 2㎛, 쉘의 파괴 온도 165℃)
실시예와 비교 실시예에서 사용하는 기타 배합 성분을 아래에 나타내었다.
에폭시 수지(A1):
4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐(에폭시 당량 200)
에폭시 수지(A2):
크레졸 노볼락 에폭시 수지(에폭시 당량 198)
페놀 수지(B1):
n이 0 내지 21인 화학식 2의 페놀 아르알킬 수지(하이드록실 당량 175)
페놀 수지(B2):
페놀 노볼락 수지(하이드록실 당량 105)
경화 촉진제(C1):
트리페닐포스핀
경화 촉진제(C2):
테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트
경화 촉진제(C3):
1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데센-7
무기 충전제:
평균 입자 크기 15㎛의 파쇄상 용융 실리카
브롬화 에폭시 수지:
에폭시 당량 275, 브롬 함유량 36%
실시예 1 내지 14와 비교 실시예 1 내지 4
하기 표 1 내지 표 3에 나타내는 각 성분을 혼합하고 혼합 롤로 혼련시킨다. 냉각시킨 후, 화합물을 분말로 분쇄함으로써 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물을 얻는다.
실 시 예
1 2 3 4 5 6 7
에폭시 수지(A) A1 - 85 85 85 85 85 85
A2 85 - - - - - -
페놀 수지(B) B1 - 87 87 87 87 87 87
B2 52 - - - - - -
경화 촉진제(C) C1 - - - - - - -
C2 - - - - - - -
C3 1.4 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 0.2
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D) D1 6/4* - 10 - - - - -
D2 7/3* 5.4 - 10 - - - 16.7
D3 10/0* - - - 10 - - -
D4 5/5* - - - - 10 - -
D5 3/7* - - - - - 10 -
무기 충전제 1460 1620 1620 1620 1620 1620 1620
폴리에틸렌 왁스 3 3 3 3 3 3 3
브롬화 에폭시 수지 20 20 20 20 20 20 20
삼산화안티몬 20 20 20 20 20 20 20
경화 촉진제(C)/경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)의 중량비 20/80 20/80 20/80 20/80 20/80 20/80 1/99
*: 화합물(3)/화합물(5)의 몰 비
실 시 예
8 9 10 11 12 13 14
에폭시 수지(A) A1 85 85 85 85 85 85 85
A2 - - - - - - -
페놀 수지(B) B1 87 87 87 87 87 87 87
B2 - - - - - - -
경화 촉진제(C) C1 - - - 2.6 - - -
C2 - - - - 4.4 - -
C3 1.3 3.1 4.0 - - 4.9 4.2
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D) D1 6/4* - - - - - - -
D2 7/3* 13 7.2 4.0 2.6 4.4 0.3 1.0
D3 10/0* - - - - - - -
D4 5/5* - - - - - - -
D5 3/7* - - - - - - -
무기 충전제 1620 1620 1620 1620 1620 1620 1620
폴리에틸렌 왁스 3 3 3 3 3 3 3
브롬화 에폭시 수지 20 20 20 20 20 20 20
삼산화안티몬 20 20 20 20 20 20 20
경화 촉진제(C)/경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)의 중량비 10/90 30/70 50/50 50/50 50/50 95/5 80/20
*: 화합물(3)/화합물(5)의 몰 비
비교 실시예
1 2 3 4
에폭시 수지(A) A1 85 85 85 85
A2 - - - -
페놀 수지(B) B1 87 87 87 87
B2 - - - -
경화 촉진제(C) C1 3.9 - - -
C2 - - - -
C3 - 5.2 - -
경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D) D1 6/4* - - 11 15
D2 7/3* - - - -
D3 10/0* - - - -
D4 5/5* - - - -
D5 3/7* - - - -
무기 충전제 1620 1620 1620 1620
폴리에틸렌 왁스 3 3 3 3
브롬화 에폭시 수지 20 20 20 20
삼산화안티몬 20 20 20 20
경화 촉진제(C)/경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)의 혼합 중량비(C/D) 100/0 100/0 0/100 0/100
*: 화합물(3)/화합물(5)의 몰 비
실시예 및 비교 실시예에서 사용하는 에폭시 수지 조성물을 아래와 같이 평가한다. 이러한 결과를 표 4와 표 5에 나타내었다.
1) 175℃에서의 겔화 시간
175℃에서의 겔화 시간을 열판식 시험으로 측정한다.
2) 경화 후의 경도(175℃에서 50초)
에폭시 수지 조성물을 175℃에서 50초 동안 성형한다. 쇼어 D 경도 시험기를 사용하여 가열하면서 경화 수지의 경도를 측정한다.
3) 저장 안정성
175±5℃로 예열한 스파이럴 플로우(spiral flow) 금형을 폐쇄시키고 클램핑(clamping) 압력을 사용한다. 클램핑 압력이 210±10㎏/㎠에 달한 시점에서 트랜스퍼(trasfer) 포트에 분말상 에폭시 수지 조성물을 투입하여 플런저(plunger)로 이송시킨다. 이송 압력 70±5㎏/㎠에 도달한 후, 이 압력을 1분 50초 동안 가한다. 플런저 압력을 감소시킨 후, 클램핑 압력을 감소시켜 금형을 개방시킨다. 성형시킨 스파이럴 길이를 정확도 2.5㎜까지 측정함으로써 스파이럴 플로우값(SF값)을 EMMI 1-66에 따라 구하고 이를 초기 SF값으로 한다.
동일한 분말상 에폭시 수지 조성물을 정제상(직경 24.5㎜×두께 20㎜)으로 예비성형하고, 이 정제를 30℃의 온도 조건에서 3일간 방치한다. 수득된 정제를 위와 동일한 방법으로 측정하여 보존 후의 SF값으로 한다. 수학식 1에 따라 초기 SF값과 보존 후의 SF값으로부터 스파이럴 플로우 보유율(%)을 산출한다.
4) 성형성과 신뢰성 평가
분말상 에폭시 수지 조성물을 정제상(직경 24.5㎜×두께 20㎜)으로 예비성형하고, 이 정제를 30℃의 온도 조건에서 3일간 방치한다. 175℃에서 90초 동안 반도체 소자에 정제를 트랜스퍼 성형시켜 아래 규격의 반도체 장치를 제조한다.
80 핀 사방향 플랫 패키지: (QFP-80): 14㎜×8㎜×2.7㎜(t)
리드 프레임: MF202
반도체 소자: 8㎜×8㎜×두께 0.37㎜
이와 같이 수득된 반도체 장치 120개 중에서 성형 불량이 발생한 개수를 측정한다. 즉, 자동 성형기[도와사(Towa) 제품, VPS-40]로 반도체 패키지(QFP-80; 14㎜×20㎜×2.7㎜)를 10 쇼트 성형하여 미충전 발생과 보이드를 검사한다. 연X선 장치로 측정하여 직경 0.1㎜ 이상의 보이드가 형성된 것을 불량으로 판정한다. 또한, 시험하는 반도체 장치는 121℃에서 2기압, 100%RH의 조건하에 유지되는 가압 쿡커(pressure cooker) 속에 방치한다[가압 쿡커 시험(pressure cooker test, 이후에는 PCT라 지칭함]. 이 반도체 장치에 전기를 통과시킬 때 회로가 쇼트된 것을 불량으로 판정한다. 불량율이 50%에 도달하는 PCT 시험 시간을 측정한다.
표 4의 결과로부터, 실시예 1 내지 14에서 제조된 조성물은 경도(쇼어D 경도)가 높으며, 스파이럴 플루우 보유율도 높아 경화성이 우수하며 높은 보존성을 가지고 있다는 것을 알 수 있다. 성형 시험에서는, 미충전 발생율은 0%이며, 보이드 형성율도 매우 낮은 값을 나타낸다. 또한 PCT에서도 만족스런 내습성을 나타낸다. 이러한 것으로 미루어 보아 본 발명에 따르는 에폭시 수지 조성물은 저장 안정성이 높고 속경화성이 우수하여 신뢰성 높은 반도체 소자용 봉입 재료로서 사용하는데 적합하다는 것이 명확하다.
이에 대하여, 비교 실시예 1과 2의 조성물은 스파이럴 플루오 보유율이 낮아 저장 안정성이 불량함을 알 수 있다. 이 때문에, 미충전 발생과 잦은 보이드 발생이 확인되며, PCT 결과도 나쁘다. 비교 실시예 3과 4의 조성물은 스파이럴 플루우 보유율은 우수하지만, 단 경화 시간 성형에서 경화성이 낮고, PCT의 결과도 나쁘다.
에폭시 수지[성분(A)]와 페놀 수지[성분(B)]를, 경화 촉진 용으로서, 봉입되지 않은 경화 촉진제[성분(C)]와 경화 촉진제 함유 미세 캡슐[성분(D)]과의 혼합물과 함께 포함하는 본 발명에 따르는 에폭시 수지 조성물은 저장 안정성과 속경화성이 모두 우수하다. 바람직한 양태에서, 성분(C)와 성분(D)의 혼합 비율을 특정한 범위 내로 설정하면 더 한층 우수한 속경화성 및 저장 안정성이 얻어진다.
또 다른 바람직한 양태에서, 경화 촉진제 함유 미세 캡슐의 쉘은 특정 트리이소시아네이트 화합물들을 특정 혼합 비율로 사용하여 제조한 폴리우레아를 포함한다. 본 발명에 따라, 약 130℃의 고온에서 미세 캡슐과 기타 성분을 용융 혼련 시킬 수 있다. 이는 혼련 시스템의 점도가 낮아져 혼련이 충분히 이루어지기 때문에 각 성분이 균일하게 분산된 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있음을 의미한다.
바람직한 양태에서, 성분(A)로서 비페닐형 에폭시 수지를 사용하여 조성물 전체의 유동성이 향상, 즉 성형성이 향상된다. 페놀 아르알킬 수지를 사용하는 경우, 당해 조성물로 제조된 경화 제품이 내땜납성 등에 유익한 저흡습율과 저탄성화율을 갖게 되는 효과가 있다.
이와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자용 봉입 재료로서 매우 적합하다. 또한, 당해 조성물은 다른 분야, 예를 들면, 접착제 또는 도료 등의 분야에서도 유용하다.

Claims (7)

  1. 에폭시 수지(A)와 페놀 수지(B)를 봉입되지 않은 경화 촉진제(C)와 열가소성 수지를 포함하는 쉘 속에 경화 촉진제가 코아로서 봉입되어 있는 코아/쉘 구조를 갖는 경화 촉진제 함유 미세 캡슐(D)과의 혼합물과 함께 포함하는 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분(C)로서의 봉입되지 않은 경화 촉진제 대 성분(D)로서의 경화 촉진제 함유 미세 캡슐의 혼합비가 중량비로서 95/5 내지 1/99인 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 열가소성 수지가 몰 비 100/0 내지 30/70인 화학식 3의 트리이소시아네이트 화합물과 화학식 4의 트리이소시아네이트 화합물로부터 제조된 폴리우레아인 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
    화학식 3
    화학식 4
  4. 제1항에 있어서, 성분(A)로서의 에폭시 수지가 비페닐형 에폭시 수지인 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 성분(B)로서의 페놀 수지가 페놀 아르알킬 수지인 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 폴리우레아가 화학식의 반복 단위(여기서, R은 2가 유기 그룹이고, R1과 R2는 각각 수소원자 또는 1가 유기 그룹으로서, 서로 동일하거나 상이할 수 있다)를 주로 포함하는 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 따르는 반도체 봉입용 에폭시 수지 조성물로 봉입시킨 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830775B1 (ko) * 2005-03-01 2008-05-20 닛토덴코 가부시키가이샤 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 광반도체 장치
KR100830776B1 (ko) * 2005-03-01 2008-05-20 닛토덴코 가부시키가이샤 에폭시 수지 조성물의 경화체, 그 제조방법 및 그 경화체를 사용한 광반도체 장치

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563352B1 (ko) * 1998-06-09 2006-03-22 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하는반도체 장치
KR100592462B1 (ko) * 1999-08-19 2006-06-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP2001055431A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3995421B2 (ja) * 2001-01-19 2007-10-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4742435B2 (ja) * 2001-03-28 2011-08-10 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004231932A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Nitto Denko Corp 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
SG115586A1 (en) * 2002-11-12 2005-10-28 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same
JP4381255B2 (ja) * 2003-09-08 2009-12-09 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 潜在性硬化剤
WO2006109831A1 (ja) * 2005-04-12 2006-10-19 Sony Chemical & Information Device Corporation 接着剤の製造方法
JP5285841B2 (ja) * 2005-04-12 2013-09-11 デクセリアルズ株式会社 フィルム状接着剤の製造方法
JP4931366B2 (ja) * 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5285846B2 (ja) * 2006-09-11 2013-09-11 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5146645B2 (ja) 2007-08-28 2013-02-20 デクセリアルズ株式会社 マイクロカプセル型潜在性硬化剤
CN101249409B (zh) * 2008-03-20 2010-06-02 江南大学 一种包埋有胺类活性物质微胶囊的制备方法及应用
CN101851386B (zh) 2009-04-01 2012-09-05 汉高华威电子有限公司 一种环氧树脂组合物
CN101955629B (zh) * 2009-07-16 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 可用作半导体封装材料的环氧树脂组合物
US20130303639A1 (en) * 2010-12-28 2013-11-14 Hiroshi Yamauchi Resin composition for expansion molding
US20150133606A1 (en) * 2012-09-06 2015-05-14 Tadashi Iwamoto Production method for curing agent and/or curing accelerant complex particles, curing agent and/or curing accelerant complex particles, and heat-curable resin composition
KR101799499B1 (ko) * 2014-12-24 2017-12-20 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
KR101927631B1 (ko) * 2017-07-27 2018-12-10 주식회사 케이씨씨 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5294835A (en) * 1992-07-28 1994-03-15 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same
JP2716636B2 (ja) * 1992-12-21 1998-02-18 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JPH08176280A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及びその製法
JP3340882B2 (ja) * 1995-05-02 2002-11-05 日東電工株式会社 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物と樹脂封止型半導体装置
JP3587640B2 (ja) * 1996-12-13 2004-11-10 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH10168164A (ja) * 1996-12-13 1998-06-23 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH10189832A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JPH10182943A (ja) * 1996-12-20 1998-07-07 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830775B1 (ko) * 2005-03-01 2008-05-20 닛토덴코 가부시키가이샤 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 광반도체 장치
KR100830776B1 (ko) * 2005-03-01 2008-05-20 닛토덴코 가부시키가이샤 에폭시 수지 조성물의 경화체, 그 제조방법 및 그 경화체를 사용한 광반도체 장치

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