KR20000047400A - 고주파형 공진자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 세라믹 공진자의 제조방법은, 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 제조하는 단계; 상기 압전소자와 콘덴서 칩을 리드프레임에 삽입하여 조립하는 단계; 및 조립된 칩을 수지처리하는 단계; 를 포함하고, 상기 콘덴서 칩의 제조는, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 웨이퍼(110)로 절단한 후, 절단된 서브 웨이퍼의 일면에 전극(120)을 인쇄한 다음, 전극이 인쇄된 서브 웨이퍼를 건조하는 단계; 상기 서브 웨이퍼의 타면에 동일한 방식으로 다른 전극(140)을 인쇄하여 건조하는 단계; 건조된 서브 웨이퍼를 소부하는 단계; 및 소부된 서브 웨이퍼를 일정 크기로 절단하는 단계; 를 포함하여 구성된다.

Description

고주파형 공진자 및 그 제조방법{HIGH FREQUENCY RESONATOR, AND ITS METHODE FOR MANUFACTURE}
본 발명은 각종 전자부품에 사용되는 세라믹 공진자(resonator) 및 그 제조에 관한 것으로서 보다 상세하게로는, 공진자내의 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면에 연결전극을 통해 연결되는 다수의 전극부가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되고, 상기 서브 웨이퍼의 타면에는 상기 서브 웨이퍼 일면과 동일한 형태의 전극부를 인쇄토록 함으로써, 상기 공진자내의 콘덴서 칩을 보다 간단한 공정을 통해 좌우,측부에서 균일한 정전 용량을 얻을 수 있도록 하여, 그 특성이 양호한 세라믹 공진자의 제조방법에 관한 것이다.
어떤 진동 전류의 주파수에 동조해서 전기적으로 진동하는 전기 회로 소자인 세라믹 공진자(ceramic resonator)는 주로 리모콘, 폴로피 디스크 드라이버(FDD)나 하드 디스크 드라이버(HDD) 또는 시계 등의 발진소자로 사용되고 있다. 고주파형 공진자의 경우 2단자 방식과 3단자 방식으로 구성되며, 2단자 방식은 공진자에 부착되는 콘덴서가 외장형이고, 3단자 방식은 콘덴서가 내장형이다. 도1은 3단자 방식의 공진자의 구조를 보이고 있다.
도1과 같이, 공진자(10)는 압전소자(13)와 콘덴서 칩(11)이 리드프레임(lead frame)(15)에 삽입되어 구성된다. 도2는 도1의 공진자 내에 내장된 콘덴서 칩(11)의 상세한 구조를 보이고 있다. 이러한 구조를 갖는 공진자의 콘덴서는 도3과 같은 공정을 통해 제조된다.
즉, 일반적인 콘덴서 칩의 제조공정은, 도3a와 도3b에 도시된 바와 같이, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께로 절단한 서브 웨이퍼(1)의 일면에 먼저 전극(2)을 증착 등을 통해 성막하고, 이어서 타면에도 동일한 방식으로 성막을 행하여 전극(4)을 형성한다. 그 다음, 도3c와 같이, 웨이퍼(1)의 일면에 형성된 전극(2)의 일부를 감광성 포토 레지스트(photo-imageable resist)를 인쇄하여 레지스트층(3)을 형성한 다음, 웨이퍼(1)를 패턴 필름(pattern film)으로 노광시켜 노광된 면이외의 면에 대해서는 에칭을 행하여 레지스트를 제거하므로써 도3d와 같은 전극(2a)을 형성시킨다. 그리고, 임피던스 매칭(impedence matching)을 위해 웨이퍼(1)의 타면에도 동일한 방식으로 다른 형태의 전극(4a)을 형성한다. 상기와 같이 전극이 형성된 서브 웨이퍼(1)는, 도3d에 도시된 바와 같이, 주파수별로 구분하여 X-Y 방향으로 절단하면 도3e, 도2와 같은 공진자용 콘덴서 칩(11)을 얻을 수 있다.
그러나, 이러한 리쏘(litho) 공정을 통한 콘덴서 칩의 제조방법은 웨이퍼의 양면을 서로 다른 형태의 전극을 형성하므로써 양면의 매칭이 상당히 어렵기 때문에 공정이 복잡해지고, 무엇보다도 칩의 좌우측면의 정전 용량값이 달라지며, 궁극적으로는 공진자의 특성에 큰 영향을 주는 되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 공진자내의 콘덴서 칩을 보다 간단한 공정을 통해 좌우,측부에서 균일한 정전 용량을 얻을 수 있도록 하여, 그 특성이 양호한 세라믹 공진자를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 종래의 리쏘공정을 통한 세라믹 공진자의 조립방법에 비하여 상대적으로 콘덴서 칩의 제조공정이 매우 단순화 되면서도, 양측부에서의 균일한 정전 용량을 갖게 되고, 이에 따라 신뢰성이 크게 향상되는 세라믹 공진자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 세라믹 공진자의 구조도
도 2는 도1의 콘덴서의 상세도
도 3은 종래의 공진자 내의 콘덴서 칩에 대한 제조공정도
도 4는 본 발명에 따른 고주파용 공진자의 콘덴서 칩을 도시한 도면
도 5는 본 명의 고주파용 공진자 내의 콘덴서 칩의 제조공정도
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 공진자 내의 콘덴서 칩의 제조 공정도
도 7은 도 6에 의해 제조된 콘덴서 칩의 앞면 및 뒷면을 각각 나타낸 도면
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100,200...콘덴서 칩
110,210...웨이퍼
120,140,220,240...전극부
220'...240'...연결전극
상기한 목적달성을 위한 본 발명은, 리드 프레임을 개재하여 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 각각 고정되며, 상기 리드 프레임에 고정된 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 에폭시 수지로서 몰딩토록 되는 고주파형 공진자에 있어서,
상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 양측으로 금속 페이스트를 인쇄한 전극부가 형성되고, 상기 서브 웨이퍼의 타면 중앙에 상기 서브 웨이퍼 일면 양측에 형성된 전극과 일정길이 중첩(over lap)되는 금속 페이스트를 인쇄한 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파형 공진자를 마련함에 의한다.
또한, 본 발명은, 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 포함하여 구성되는 공진자의 제조방법에 있어서,
세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 제조하는 단계;
상기 압전소자와 콘덴서 칩을 리드프레임에 삽입하여 조립하는 단계; 및
조립된 칩을 수지처리하는 단계; 를 포함하고,
상기 콘덴서 칩의 제조는, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 웨이퍼로 절단한 후, 절단된 서브 웨이퍼의 일면 양측에 전극을 인쇄한 다음, 전극이 인쇄된 서브 웨이퍼를 건조하는 단계;
상기 서브 웨이퍼의 타면 중앙에 상기 서브 웨이퍼 일면 양측에 형성된 전극과 일정길이 중첩(over lap)되도록 전극을 인쇄하여 건조하는 단계;
건조된 서브 웨이퍼를 소부하는 단계; 및
소부된 서브 웨이퍼를 일정 크기로 절단하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 세라믹 공진자의 제조방법을 마련함에 의한다.
이에 더하여 본 발명은, 리드 프레임을 개재하여 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 각각 고정되며, 상기 리드 프레임에 고정된 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 에폭시 수지로서 몰딩토록 되는 고주파형 공진자에 있어서,
상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면에 연결전극을 통해 연결되는 다수의 전극부가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되고, 상기 서브 웨이퍼의 타면에는 상기 서브 웨이퍼 일면과 같은 연결전극을 통해 연결되는 다수의 전극부가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파형 공진자를 마련함에 의한다.
또한, 본 발명은, 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 포함하여 구성되는 공진자의 제조방법에 있어서,
세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 제조하는 단계;
상기 압전소자와 콘덴서 칩을 리드프레임에 삽입하여 조립하는 단계; 및
조립된 칩을 수지처리하는 단계; 를 포함하고,
상기 콘덴서 칩의 제조는, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 웨이퍼로 절단한 후, 절단된 서브 웨이퍼의 일면에 다수의 전극을 연결전극을 개재하여 인쇄한 다음, 상기 전극이 인쇄된 서브 웨이퍼를 건조하는 단계;
상기 서브 웨이퍼의 타면에 상기와 동일한 방식으로 전극을 인쇄하여 건조하는 단계;
건조된 서브 웨이퍼를 소부하는 단계; 및
소부된 서브 웨이퍼를 일정 크기로 절단하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 세라믹 공진자의 제조방법을 마련함에 의한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
우선, 본 발명의 공진자는, 크게 압전소자와 콘덴서 칩, 그리고 리드프레임을 포함하여 구성된다. 상기 압전소자는, 통상의 방법과 같이, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 세라믹 웨이퍼로 절단하고, 절단된 서브 세라믹 웨이퍼를 분극시킨 다음, 분극된 서브 웨이퍼의 양단에 다시 전극을 형성하여 제조되는 것이라면 어느 것이나 적용 가능하다.
그러나, 상기 콘덴서 칩은 종래의 리쏘공정을 통한 제조방식과는 달리, 서브 웨이퍼 위에 일정한 형태의 전극을 인쇄함에 특징이 있다.
도4는 본 발명에 따른 고주파용 공진자의 칩을 도시한 도면으로써, 콘덴서 칩(100)의 서브 웨이퍼(110) 일면 양측으로 금속 페이스트를 인쇄한 전극부(120)(120)가 형성되고, 상기 서브 웨이퍼(100)의 타면 중앙에 상기 서브 웨이퍼(100) 일면 양측에 형성된 전극과 일정길이 중첩(over lap)되는 금속 페이스트를 인쇄한 전극부(140)가 형성된다.
상기와같은 고주파용 공진자의 콘덴서 칩에 대한 제조공정은 도 5에 보이고 있다.
도 5a와 같이, 본 발명의 콘덴서 칩(100) 제조공정은, 우선 압전체 분말을 가압하여 시트상의 웨이퍼로 성형하고, 성형체를 소성한 다음, 소성된 웨이퍼를 절단하여 서브 세라믹 웨이퍼(110)를 제조한다.
보통 웨이퍼의 성형이 원활하게 이루어지기 위해서는 합성 압전체 원료 분말의 제조가 무엇보다 중요하다. 이는 성형시 미치는 영향이 결국에는 소결체의 치밀화에 큰 영향을 주기 때문이다.
따라서, 본 발명의 웨이퍼에 부합되는 원료 분말의 크기는 소성시 반응성을 고려하여 약 0.6~0.8㎛ 로 관리함이 바람직하며, 상기 분말을 제조할 때 그 입경은 균일한 크기의 구형으로 함이 좋다. 입자 구형이 너무 작고 크기가 균일하지 못하거나 구형 분말의 표면 밀도가 낮은 경우 흐름성이 나빠 성형시 성형압력이 높아지게 되며 이에 따라 소성 밀도가 저하될 수 있다.
즉, 분말을 분쇄시 약 0.1~0.3㎛ 크기로 미세하게 되면 소성시 이상 입성장의 원인이 되며 치밀한 구조를 얻을 수 없게 된다.
상기와 같이 제조된 서브 웨이퍼(110)는, 도5b와 같이, 압착망사를 통해 금속성분을 함유한 페이스트를 도포하여 먼저 일면에 전극부(120)를 인쇄한다. 전극을 인쇄할 때는 전극의 밀착성과 막 두께의 제어가 무엇보다 중요하다. 이는 막 밀착성이 결여되면 고주파 발진자의 특성에 악영향을 주게되며, 특히 솔더 부착시 막이 벗겨지는 현상이 생겨 이로 인하여 발진 특성의 열화를 초래하게 된다.
또한, 막의 두께가 너무 두꺼운 경우에는 금속부식 현상으로 막이 솔더 부위에서 없어지게 되어 바람직하지 않다. 따라서, 본 발명의 경우 금속 페이스트를 도포한 후 전극 소부후의 두께가 약 10~20㎛ 의 범위가 되도록 인쇄함이 바람직하다.
이를 위해서는 인쇄에 사용하는 망사로 일반망사가 아닌 정교한 압착망사를 사용함이 적당하다. 이러한 압착망사는 해상도를 높일 수 있으며, 유제막의 두께, 누름(squeeze) 압력, 금속함량과 그 입자, 점도와 소부 온도를 제어하여 얇은 금속막을 형성하여 고주파형 세라믹 필터 특성을 나타낼 수 있다.
예를들면, 인쇄 스크린 제작시 유제막의 두께는 약 15㎛로 입히는 것이 적당하다.
또한, 금속 페이스트로는 입자 크기가 6~15㎛이고 Ag가 약 70~78% 정도 함유된 Ag 페이스트를 사용함이 바람직하다. Ag 페이스트의 경우 Ag 함량이 높으면 가격이 높아지므로 경제성이 없으며 너무 낮으면 전기 비저항이 크므로 특성에 나쁜 영향을 주게 되어 바람직하지 못하다.
본 발명의 전극 인쇄는 도 5b와 같이 서브 웨이퍼(110)의 일면을 먼저 페이스트를 도포하여 전극부(120)를 형성한 후 레벨링을 위해 상온에서 일정 시간 유지한 다음, 예비 건조하고, 이어서 도 5c와 같이, 타면을 인쇄하여 다른 전극부(140)를 형성한 후 예비 건조하고, 본 건조를 행함이 바람직하다.
한편, 도 6은 본 발명의 다른 인쇄패턴의 전극부(220)(240)를 보이고 있다.
즉, 상기 콘덴서 칩(200)의 서브 웨이퍼(210) 일면에 연결전극(220')을 통해 연결되는 다수의 전극부(220)가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되고, 상기 서브 웨이퍼(210)의 타면에는 상기 서브 웨이퍼(210) 일면과 같은 연결전극(240')을 통해 연결되는 다수의 전극부(240)가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성된다.
도 6과 같이, 본 발명의 전극패턴을 인쇄하는 경우 서브 웨이퍼(210)의 전극(220)(240)은, 양면이 동일한 형태의 패턴으로 인쇄함이 보다 바람직하다. 즉, 도 7의 a 및 b에서와 같이 서브 웨이퍼(210)의 앞면 및 뒷면 양면에 전극부(220)(240)의 인쇄패턴은 동일한 형태를 갖도록 하므로써 콘덴서 칩(200)의 좌우 방향성을 없앤 것으로서, 이는 콘덴서 칩의 정전용량값을 동일하게 하여 공진자의 특성을 보다 향상시키고자 하는 것이다.
따라서, 본 발명의 전극의 인쇄 패턴의 형태는 도 5와 도 6에 국한되지 않으며, 어떠한 다양한 형태라도 적용할 수 있는 잇점이 있다.
이렇게 인쇄되어 건조된 서브 웨이퍼(110)(210)는 소부 열처리를 행하고, 도 5d와 같이 일정 크기의 콘덴서 칩(100)(200)으로 절단한다. 이때, 소부는 약 650~680℃의 온도범위에서 행함이 바람직하다. 바람직하게는 소부시간을 10~20분, 보다 바람직하게는 12~15분간 행하는 것이다.
그리고 나서 절단된 칩(100)(200)은, 리드프레임에 삽입한 후 솔더 부착공정과 왁스 부착, 수지 함침 공정을 거친 후 수지 경화를 하여 소자내부에 공공을 형성하여 마킹을 하고, 그 위에 방습성을 위하여 레진을 코팅하면 고주파형 공진자가 얻어진다.
이하, 본 발명을 실시예를 통해 구체적으로 설명하는데 본 발명은 이들 대표적인 실시예로 국한되지 않는다.
[실시예]
약 0.6~0.8㎛의 구형 PZT 분말을 약 1.5톤/㎠의 압력을 가해 31mm×31mm 크기로 성형한 후 성형체를 약 1080℃에서 약 2시간 동안 소성을 행하여 26.5mm X 26.5mm X 0.3mmt 크기를 갖는 웨이퍼를 제조하였다. 이때, 소성된 웨이퍼의 밀도는 이론 밀도치에 근접한 7.988g/cc로서 미세구조는 약 2~3㎛ 수준이었다.
소성된 웨이퍼는 약 0.4~0.5㎛ 두께로 표면 연마하고, 연마된 웨이퍼를 세정과 건조공정을 거친 후 절단하여 26.5 X 6.8mm X 0.3mmt 크기의 서브 세라믹 웨이퍼를 얻었다. 그 후 상기 서브 웨이퍼를 전단계와 마찬가지로 순수초음파를 사용하여 표면 세정을 행하고, 약 170℃에서 1시간 동안 건조를 행하였다.
건조된 서브 웨이퍼에는 압착망사를 통해 약 15㎛ 크기의 Ag가 약 78% 정도 함유된 페이스트를 도포하여 먼저 일면을 15㎛의 두께로 전극을 인쇄하고, 레벨링을 위해 상온에서 5분 동안 유지한 다음, 80℃의 건조기에서 20분 동안 유지하고, 이어서 타면을 인쇄한 후 80℃에서 20분 건조하고, 170℃에서 30분간 유지하여 본 건조를 행하였다.
건조된 서브 웨이퍼는 표1과 같이 열처리를 행하고, 정전용량을 고려하여 1.0mm 폭으로 절단하였다. 그 다음 절단된 칩은 리드프레임에 삽인한 후 솔더 부착공정과 왁스 부착, 페놀 함침 공정을 거친 후 페놀 경화를 하여 공공을 형성하여 마킹을 하고, 그 위에 방습성을 위하여 레진을 코팅하였다.
구분 열처리온도(℃) 열처리시간(분) 비저항(Ω/㎥) 부착성
발명예1 650 12 1.2 양호
발명예2 660 12 1.0 양호
비교예1 670 5 1.8 불량
발명예3 670 10 1.5 보통
발명예4 670 12 1.0 양호
발명예5 670 15 1.2 양호
발명예6 670 20 2.0 보통
비교예2 670 25 2.8 불량
발명예7 680 12 0.9 양호
이와 같이, 본 발명에 의하면 종래의 리쏘공정을 거치지 않고도 오히려 다양한 형태의 전극을 인쇄할 수 있었다. 실제, 종래의 리쏘공정에 의하면 서브 웨이퍼 양면의 성막에서 건조까지 약 7시간 정도 소요되는 반면 본 발명의 스크린 인쇄방법에 의하면 적어도 1시간 이내 가능하였다.
또한, 표1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 조건범위를 만족하여 전극이 인쇄된 발명예(1~7)의 경우 전극의 부착상태나 비저항이 양호한 반면 소부 조건이 벗어난 경우 다소 미흡하였다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 종래의 리쏘공정을 통한 세라믹 공진자의 조립방법에 비하여 상대적으로 콘덴서 칩의 제조공정이 매우 단순화 되면서도 좌우 양측부에서의 균일한 정전 용량을 갖게 되고, 이에 따라 세라믹 공진자의 신뢰성이 크게 향상됨은 물론, 그 특성이 양호한 세라믹 공진자를 얻을수 있는 우수한 효과가 있다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다.

Claims (26)

  1. 리드 프레임을 개재하여 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 각각 고정되며, 상기 리드 프레임에 고정된 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 에폭시 수지로서 몰딩토록 되는 고주파형 공진자에 있어서,
    상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 양측으로 금속 페이스트를 인쇄한 전극부가 형성되고, 상기 서브 웨이퍼의 타면 중앙에 상기 서브 웨이퍼 일면 양측에 형성된 전극과 일정길이 중첩(over lap)되는 금속 페이스트를 인쇄한 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 양측 및 타면 중앙에 인쇄되는 전극부는, Ag페이스트로 형성됨을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 양측 및 타면 중앙에 인쇄되는 전극부는, 스크린 인쇄에 의해 형성됨을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  4. 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 포함하여 구성되는 공진자의 제조방법에 있어서,
    세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 제조하는 단계;
    상기 압전소자와 콘덴서 칩을 리드프레임에 삽입하여 조립하는 단계; 및
    조립된 칩을 수지처리하는 단계; 를 포함하고,
    상기 콘덴서 칩의 제조는, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 웨이퍼로 절단한 후, 절단된 서브 웨이퍼의 일면 양측에 전극을 인쇄한 다음, 전극이 인쇄된 서브 웨이퍼를 건조하는 단계;
    상기 서브 웨이퍼의 타면 중앙에 상기 서브 웨이퍼 일면 양측에 형성된 전극과 일정길이 중첩(over lap)되도록 전극을 인쇄하여 건조하는 단계;
    건조된 서브 웨이퍼를 소부하는 단계; 및
    소부된 서브 웨이퍼를 일정 크기로 절단하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 세라믹 공진자의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 서브 웨이퍼의 전극은 압착망사를 이용하여 인쇄함을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 소부는 650~680℃의 온도범위에서 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 소부는 10~20분간 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 소부는 12~15분간 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 전극은 Ag페이스트로 형성됨을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 Ag페이스트는 70~78%의 Ag가 함유된 것임을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 Ag페이스트는 6~15㎛의 입자 크기를 갖는 Ag를 함유한 것임을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제 4항에 있어서, 상기 전극은 소부후 그 두께가 10~20㎛의 범위임을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 리드 프레임을 개재하여 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 각각 고정되며, 상기 리드 프레임에 고정된 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩이 에폭시 수지로서 몰딩토록 되는 고주파형 공진자에 있어서,
    상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면에 연결전극을 통해 연결되는 다수의 전극부가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되고, 상기 서브 웨이퍼의 타면에는 상기 서브 웨이퍼 일면과 같은 연결전극을 통해 연결되는 다수의 전극부가 금속 페이스트의 인쇄에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 및 타면에 인쇄되는 전극부는, Ag페이스트로 형성됨을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 콘덴서 칩의 서브 웨이퍼 일면 및 타면에 인쇄되는 전극부는, 스크린 인쇄에 의해 형성됨을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 서브 웨이퍼의 전극은 동일한 형태의 패턴으로 인쇄함을 특징으로 하는 고주파형 공진자.
  17. 세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 포함하여 구성되는 공진자의 제조방법에 있어서,
    세라믹 압전소자와 콘덴서 칩과 리드프레임을 제조하는 단계;
    상기 압전소자와 콘덴서 칩을 리드프레임에 삽입하여 조립하는 단계; 및
    조립된 칩을 수지처리하는 단계; 를 포함하고,
    상기 콘덴서 칩의 제조는, 세라믹 웨이퍼를 일정 두께의 서브 웨이퍼로 절단한 후, 절단된 서브 웨이퍼의 일면에 다수의 전극을 연결전극을 개재하여 인쇄한 다음, 상기 전극이 인쇄된 서브 웨이퍼를 건조하는 단계;
    상기 서브 웨이퍼의 타면에 상기와 동일한 방식으로 전극을 인쇄하여 건조하는 단계;
    건조된 서브 웨이퍼를 소부하는 단계; 및
    소부된 서브 웨이퍼를 일정 크기로 절단하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 세라믹 공진자의 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 서브 웨이퍼의 전극은 동일한 형태의 패턴으로 인쇄함을 특징으로 하는 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 서브 웨이퍼의 전극은 압착망사를 이용하여 인쇄함을 특징으로 하는 제조방법.
  20. 제 17항에 있어서, 상기 소부는 650~680℃의 온도범위에서 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 소부는 10~20분간 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 소부는 12~15분간 행함을 특징으로 하는 제조방법.
  23. 제 17항에 있어서, 상기 전극은 Ag페이스트로 형성됨을 특징으로 하는 제조방법.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 Ag페이스트는 70~78%의 Ag가 함유된 것임을 특징으로 하는 제조방법.
  25. 제 23항에 있어서, 상기 Ag페이스트는 6~15㎛의 입자 크기를 갖는 Ag를 함유한 것임을 특징으로 하는 제조방법.
  26. 제 17항에 있어서, 상기 전극은 소부후 그 두께가 10~20㎛의 범위임을 특징으로 하는 제조방법.
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