JP2001015381A - 表面実装型複合電子部品とその製造方法 - Google Patents
表面実装型複合電子部品とその製造方法Info
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- JP2001015381A JP2001015381A JP11181498A JP18149899A JP2001015381A JP 2001015381 A JP2001015381 A JP 2001015381A JP 11181498 A JP11181498 A JP 11181498A JP 18149899 A JP18149899 A JP 18149899A JP 2001015381 A JP2001015381 A JP 2001015381A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】強誘電体膜を簡単な構成で比較的低温で積層す
ることができ、歩留まりがよく、品質も良好な表面実装
型複合電子部品とその製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁性の基板１０の表面に所定の下部電極
２２が形成され、この下部電極２２の表面にチタン膜２
４が設けられ、さらにこのチタン膜２４の表面に電気化
学的に形成された結晶性の強誘電体膜２６を備える。強
誘電体膜２６を挟んで下部電極２２と対向した上部電極
２８が設けられてコンデンサ部３１が形成され、基板１
０上にはコンデンサ部３１と電気的に関連した抵抗体２
１が形成されている。
ることができ、歩留まりがよく、品質も良好な表面実装
型複合電子部品とその製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁性の基板１０の表面に所定の下部電極
２２が形成され、この下部電極２２の表面にチタン膜２
４が設けられ、さらにこのチタン膜２４の表面に電気化
学的に形成された結晶性の強誘電体膜２６を備える。強
誘電体膜２６を挟んで下部電極２２と対向した上部電極
２８が設けられてコンデンサ部３１が形成され、基板１
０上にはコンデンサ部３１と電気的に関連した抵抗体２
１が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、チップ状の基板
にコンデンサと抵抗体等が一体に形成された表面実装型
複合電子部品とその製造方法に関する。
にコンデンサと抵抗体等が一体に形成された表面実装型
複合電子部品とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面実装型複合電子部品であるＣ
Ｒチップ部品は、図４に示すように絶縁性のセラミック
ス等の基板１０の表面に、所定のコンデンサ１１用の下
部電極１２、抵抗体１３の電極１４，１５が形成され、
下部電極１２の表面にチタン酸ストロンチウム（ＳＴ
Ｏ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリ
ウム（ＢＴＯ）等からなる強誘電体膜１６が形成されて
いた。共有電体膜１６には、上部電極１７が積層され、
上部電極１７と抵抗体１３の一方の電極１４が接続して
いる。そして、コンデンサ１１及び抵抗体１３を覆うよ
うにオーバーコート１８が施されていた。
Ｒチップ部品は、図４に示すように絶縁性のセラミック
ス等の基板１０の表面に、所定のコンデンサ１１用の下
部電極１２、抵抗体１３の電極１４，１５が形成され、
下部電極１２の表面にチタン酸ストロンチウム（ＳＴ
Ｏ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリ
ウム（ＢＴＯ）等からなる強誘電体膜１６が形成されて
いた。共有電体膜１６には、上部電極１７が積層され、
上部電極１７と抵抗体１３の一方の電極１４が接続して
いる。そして、コンデンサ１１及び抵抗体１３を覆うよ
うにオーバーコート１８が施されていた。
【０００３】この抵抗体１３の形成方法は、メタルグレ
ーズ抵抗体等を焼き付けて形成する。また、強誘電体膜
１６の形成方法は、これらの強誘電体のセラミック粉体
としてバインダ中に設けてスクリーン印刷し焼き付ける
方法や、これら強誘電体の中間体酸化物のゾルをゲル化
させて薄膜を形成するゾル−ゲル法があった。さらに、
これらの強誘電体の薄膜を形成する方法として、これら
の強誘電体を真空中で基板上に積層するスパッタリング
や真空蒸着等もあった。
ーズ抵抗体等を焼き付けて形成する。また、強誘電体膜
１６の形成方法は、これらの強誘電体のセラミック粉体
としてバインダ中に設けてスクリーン印刷し焼き付ける
方法や、これら強誘電体の中間体酸化物のゾルをゲル化
させて薄膜を形成するゾル−ゲル法があった。さらに、
これらの強誘電体の薄膜を形成する方法として、これら
の強誘電体を真空中で基板上に積層するスパッタリング
や真空蒸着等もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、近年電子機器の高度化や多機能化、小型化に伴い、
より小形、薄形で高性能の強誘電体膜が要求されている
が、これらの要求に十分に対応できる表面実装型複合電
子部品が得られず、コンデンサとしての性能が劣るもの
であった。またその厚さも、セラミックチップコンデン
サの場合、０．３５ｍｍ程度の厚さを必要としていた。
合、近年電子機器の高度化や多機能化、小型化に伴い、
より小形、薄形で高性能の強誘電体膜が要求されている
が、これらの要求に十分に対応できる表面実装型複合電
子部品が得られず、コンデンサとしての性能が劣るもの
であった。またその厚さも、セラミックチップコンデン
サの場合、０．３５ｍｍ程度の厚さを必要としていた。
【０００５】また、強誘電体膜１６を形成する際、上記
スパッタリング等により形成した薄膜の場合、形成した
薄膜の結晶成長を促し、高誘電率化をもたらすために４
００℃〜６００℃の高温での加熱処理工程があり、この
工程により、形成した薄膜が剥離したり、亀裂が生じた
り、あるいは基板と反応するという問題があった。さら
に、コンデンサ１１の形成時に、先に形成した抵抗体１
３の性能を落としたり不良を発生させたりする問題もあ
った。
スパッタリング等により形成した薄膜の場合、形成した
薄膜の結晶成長を促し、高誘電率化をもたらすために４
００℃〜６００℃の高温での加熱処理工程があり、この
工程により、形成した薄膜が剥離したり、亀裂が生じた
り、あるいは基板と反応するという問題があった。さら
に、コンデンサ１１の形成時に、先に形成した抵抗体１
３の性能を落としたり不良を発生させたりする問題もあ
った。
【０００６】この発明は、上記従来の問題点に鑑みてな
されたものであり、強誘電体膜を簡単な構成で比較的低
温で積層することができ、歩留まりがよく、品質も良好
な表面実装型複合電子部品とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、強誘電体膜を簡単な構成で比較的低
温で積層することができ、歩留まりがよく、品質も良好
な表面実装型複合電子部品とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の表面実装型複
合電子部品は、絶縁性の基板の表面に所定の下部電極が
形成され、この下部電極の表面にチタン膜が設けられ、
さらにこのチタン膜の表面に電気化学的に形成された結
晶性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜を挟んで上記
下部電極と対向した上部電極が設けられてコンデンサ部
が形成されている。さらに、上記基板上には上記コンデ
ンサ部と電気的に関連した抵抗体が形成されている。こ
こでいうチタン膜は純チタン、チタン合金、またはチタ
ン化合物を含むものである。これらの表面実装型複合電
子部品に設けた強誘電体膜は、ＰＺＴ又はＳＴＯ等の結
晶で、上記基板は絶縁性のセラミックスや樹脂基板、樹
脂フイルムである。
合電子部品は、絶縁性の基板の表面に所定の下部電極が
形成され、この下部電極の表面にチタン膜が設けられ、
さらにこのチタン膜の表面に電気化学的に形成された結
晶性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜を挟んで上記
下部電極と対向した上部電極が設けられてコンデンサ部
が形成されている。さらに、上記基板上には上記コンデ
ンサ部と電気的に関連した抵抗体が形成されている。こ
こでいうチタン膜は純チタン、チタン合金、またはチタ
ン化合物を含むものである。これらの表面実装型複合電
子部品に設けた強誘電体膜は、ＰＺＴ又はＳＴＯ等の結
晶で、上記基板は絶縁性のセラミックスや樹脂基板、樹
脂フイルムである。
【０００８】この発明の表面実装型複合電子部品の製造
方法は、絶縁性の基板の表面に所定の電極を形成し、抵
抗体を上記電極に接続させて形成し、この抵抗体を保護
コートで覆い、上記電極のうちコンデンサ部を形成する
下部電極の所定の部位にスパッタリングや溶射等により
チタン膜を形成する。次に、このチタン膜が形成された
基板を、所望の強誘電体を形成する元素を含有したアル
カリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２００℃の温度で、１
気圧以上飽和水蒸気圧以下の圧力下で、上記チタン膜表
面に結晶性の強誘電体膜を形成する。この後、上記強誘
電体膜を介して上記下部電極と対向する上部電極を印刷
等により形成する。また、上記抵抗体形成温度よりも低
い温度で、上記強誘電体膜を形成するものである。
方法は、絶縁性の基板の表面に所定の電極を形成し、抵
抗体を上記電極に接続させて形成し、この抵抗体を保護
コートで覆い、上記電極のうちコンデンサ部を形成する
下部電極の所定の部位にスパッタリングや溶射等により
チタン膜を形成する。次に、このチタン膜が形成された
基板を、所望の強誘電体を形成する元素を含有したアル
カリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２００℃の温度で、１
気圧以上飽和水蒸気圧以下の圧力下で、上記チタン膜表
面に結晶性の強誘電体膜を形成する。この後、上記強誘
電体膜を介して上記下部電極と対向する上部電極を印刷
等により形成する。また、上記抵抗体形成温度よりも低
い温度で、上記強誘電体膜を形成するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第一実施
形態の表面実装型複合電子部品２０を示している。矩形
の絶縁性基板１０の表面に、メタルグレーズ電極材料が
印刷焼成されて形成された下部電極２２が形成されてい
る。さらに、基板１０の表面には、抵抗体２１に接続し
た一対の抵抗体電極２３，２５が下部電極２２と同様に
形成されている。また、基板１０の裏面には、裏面電極
２７が同様に形成されている。ここで、基板１０はセラ
ミックス、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフ
ェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）、テフロン等の有機ポリマーのフィルムからなり、
用途に合わせて適宜選択可能である。さらに、ガラスエ
ポキシやフェノール樹脂基板を用いることもできる。
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第一実施
形態の表面実装型複合電子部品２０を示している。矩形
の絶縁性基板１０の表面に、メタルグレーズ電極材料が
印刷焼成されて形成された下部電極２２が形成されてい
る。さらに、基板１０の表面には、抵抗体２１に接続し
た一対の抵抗体電極２３，２５が下部電極２２と同様に
形成されている。また、基板１０の裏面には、裏面電極
２７が同様に形成されている。ここで、基板１０はセラ
ミックス、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフ
ェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）、テフロン等の有機ポリマーのフィルムからなり、
用途に合わせて適宜選択可能である。さらに、ガラスエ
ポキシやフェノール樹脂基板を用いることもできる。
【００１０】下部電極２２の表面には、所定の形状のチ
タン膜２４が形成されている。このチタン膜２４は、純
チタンの膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタン
合金を含むものである。さらにこのチタン膜２４の表面
には、結晶性の強誘電体膜２６が形成されれている。こ
の強誘電体膜２６には、一方の抵抗体電極２３に接続し
た上部電極２８が積層されている。上部電極２８は、下
部電極２２及びチタン膜２４と絶縁されている。強誘電
体膜１６は、チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称
す）、またはチタン酸ストロンチウム（以下ＳＴＯと称
す）の結晶である。この強誘電体膜２６を挟んで、下部
電極２２と上部電極２８によりコンデンサ部３１が形成
されている。
タン膜２４が形成されている。このチタン膜２４は、純
チタンの膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタン
合金を含むものである。さらにこのチタン膜２４の表面
には、結晶性の強誘電体膜２６が形成されれている。こ
の強誘電体膜２６には、一方の抵抗体電極２３に接続し
た上部電極２８が積層されている。上部電極２８は、下
部電極２２及びチタン膜２４と絶縁されている。強誘電
体膜１６は、チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称
す）、またはチタン酸ストロンチウム（以下ＳＴＯと称
す）の結晶である。この強誘電体膜２６を挟んで、下部
電極２２と上部電極２８によりコンデンサ部３１が形成
されている。
【００１１】さらに、抵抗体２１の表面には、ガラスコ
ート等の保護コート２９が設けられ、この保護コート２
９及び上部電極２８を覆うように絶縁性樹脂のオーバー
コート３０が施されている。
ート等の保護コート２９が設けられ、この保護コート２
９及び上部電極２８を覆うように絶縁性樹脂のオーバー
コート３０が施されている。
【００１２】基板１０上の下部電極２２の端部が露出し
た側縁部及び抵抗体電極２５の他端部が露出した側縁部
には、各々銀塗ペースト等の導電性樹脂が塗布された一
対の端部電極が３２形成されている。端部電極３２は、
基板１０の端面及びその表裏面の一部にかかるように形
成され、図示しない回路基板への表面実装を可能にして
いる。
た側縁部及び抵抗体電極２５の他端部が露出した側縁部
には、各々銀塗ペースト等の導電性樹脂が塗布された一
対の端部電極が３２形成されている。端部電極３２は、
基板１０の端面及びその表裏面の一部にかかるように形
成され、図示しない回路基板への表面実装を可能にして
いる。
【００１３】次に、この実施形態の表面実装型複合電子
部品２０の製造方法について以下に説明する。この実施
形態の表面実装型複合電子部品２０の製造方法は、まず
図２（Ａ）に示すように、絶縁性の大型の基板１０の表
面に下部電極２２，抵抗体電極２３，２５を印刷し、そ
の電極を焼成する。印刷は、メタルグレーズ電極材料等
を、図示しないスクリーン印刷等により大型の基板表面
に複数組の下部電極２２及び抵抗体電極２３，２５を印
刷し、８５０℃程度の所定の温度で焼成する。同様に、
裏面電極２７も、印刷焼成する。次に図２（Ｂ）に示す
ように、抵抗体電極２３，２５間にメタルグレーズ等の
抵抗体１３を印刷し、例えば、８５０℃の温度で焼成す
る。
部品２０の製造方法について以下に説明する。この実施
形態の表面実装型複合電子部品２０の製造方法は、まず
図２（Ａ）に示すように、絶縁性の大型の基板１０の表
面に下部電極２２，抵抗体電極２３，２５を印刷し、そ
の電極を焼成する。印刷は、メタルグレーズ電極材料等
を、図示しないスクリーン印刷等により大型の基板表面
に複数組の下部電極２２及び抵抗体電極２３，２５を印
刷し、８５０℃程度の所定の温度で焼成する。同様に、
裏面電極２７も、印刷焼成する。次に図２（Ｂ）に示す
ように、抵抗体電極２３，２５間にメタルグレーズ等の
抵抗体１３を印刷し、例えば、８５０℃の温度で焼成す
る。
【００１４】次に、図２（Ｃ）に示すように、抵抗体１
３の表面をガラス等の保護コート２９を印刷し焼成す
る。この焼成温度は、上記抵抗体１３の焼成温度とほぼ
等しいかそれよりも低い温度である。なお、保護コート
２９の印刷前に抵抗体２１と抵抗値調整のためのトリミ
ングをレーザ等で行う。このトリミングは、保護コート
２９の形成後に保護コート２９の上からレーザ等により
行ってもよい。
３の表面をガラス等の保護コート２９を印刷し焼成す
る。この焼成温度は、上記抵抗体１３の焼成温度とほぼ
等しいかそれよりも低い温度である。なお、保護コート
２９の印刷前に抵抗体２１と抵抗値調整のためのトリミ
ングをレーザ等で行う。このトリミングは、保護コート
２９の形成後に保護コート２９の上からレーザ等により
行ってもよい。
【００１５】さらに、図２（Ｃ）に示すように、基板１
０表面の下部電極２２の表面に、スパッタリングや溶射
により所定の厚さチタン材料を付着させチタン膜２４を
形成する。このとき、他の部分にチタンが付着しないよ
うに、マスクまたはレジストを塗布しておく。また、ペ
ースト状にした純チタン粉末や酸化チタン粉末、チタン
合金粉末を印刷し、基板１０や抵抗体２１に影響を与え
ない程度の温度で焼成してチタン膜２４を形成してもよ
い。
０表面の下部電極２２の表面に、スパッタリングや溶射
により所定の厚さチタン材料を付着させチタン膜２４を
形成する。このとき、他の部分にチタンが付着しないよ
うに、マスクまたはレジストを塗布しておく。また、ペ
ースト状にした純チタン粉末や酸化チタン粉末、チタン
合金粉末を印刷し、基板１０や抵抗体２１に影響を与え
ない程度の温度で焼成してチタン膜２４を形成してもよ
い。
【００１６】この後、チタン膜２４上に、いわゆる水熱
合成法により、図３（Ａ）に示すように、強誘電体膜の
ＰＺＴ種結晶膜を形成する。水熱合成法では、先ず、種
結晶膜を形成するため、最初にＰｂ（ＯＲ）２、Ｚｒ
（ＯＲ）４、Ｔｉ（ＯＲ）４を含む強アルカリ溶液に、
チタン膜２４を形成した絶縁性基板１０を浸し、２００
℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に、溶液とともに入れる。これによりチタン膜２４のチ
タンと密着性の強いＰＺＴ種結晶膜を形成する。
合成法により、図３（Ａ）に示すように、強誘電体膜の
ＰＺＴ種結晶膜を形成する。水熱合成法では、先ず、種
結晶膜を形成するため、最初にＰｂ（ＯＲ）２、Ｚｒ
（ＯＲ）４、Ｔｉ（ＯＲ）４を含む強アルカリ溶液に、
チタン膜２４を形成した絶縁性基板１０を浸し、２００
℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に、溶液とともに入れる。これによりチタン膜２４のチ
タンと密着性の強いＰＺＴ種結晶膜を形成する。
【００１７】ここで強アルカリ溶液のＲは、Ｐｂ（Ｏ２
Ｃ１１Ｈ１９）２＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）２）、Ｐｂ（Ｃ２
Ｈ５）４、（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（Ｃ
Ｈ３）３、Ｚｒ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）
４、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｔｉ（ＤＰＭ）４、Ｓ
ｒ（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）２等の有機金属の有機部組成
を示し、適宜選択して用いる。
Ｃ１１Ｈ１９）２＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）２）、Ｐｂ（Ｃ２
Ｈ５）４、（Ｃ２Ｈ５）３ＰｂＯＣＨ２Ｃ（Ｃ
Ｈ３）３、Ｚｒ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）
４、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｔｉ（ＤＰＭ）４、Ｓ
ｒ（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）２等の有機金属の有機部組成
を示し、適宜選択して用いる。
【００１８】次にＰＺＴ結晶膜が所定の厚みを有するよ
うに、Ｐｂ（ＯＲ）２、Ｚｒ（ＯＲ）４、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に絶縁性基板１０を浸し、２０
０℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に入れ、水熱合成反応を起こし、ＰＺＴ結晶の強誘電体
膜２６を形成する。
うに、Ｐｂ（ＯＲ）２、Ｚｒ（ＯＲ）４、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に絶縁性基板１０を浸し、２０
０℃以下、２〜３気圧程度に設定されたオートクレーブ
に入れ、水熱合成反応を起こし、ＰＺＴ結晶の強誘電体
膜２６を形成する。
【００１９】そして、アルカリ溶液から絶縁性基板１０
を取り出し、中和処理を施した後、絶縁性基板１０の表
面に付着した中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。
を取り出し、中和処理を施した後、絶縁性基板１０の表
面に付着した中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。
【００２０】次に、ＰＺＴ結晶の強誘電体膜２６に積層
するとともに抵抗体電極２３に接続する上部電極２８を
形成する。上部電極２８は、図３（Ｂ）に示すように、
銀・パラジウム、ニッケル、銅、アルミニウム等の導電
性ペーストを、印刷により設ける。そして、これらの表
面に、図３（Ｃ）に示すように、樹脂のオーバーコート
３０を印刷し焼き付ける。さらに必要な印刷等を行う。
なお、オーバーコート３０を施す前に、必要に応じて保
護コート２９を除去してもよい。
するとともに抵抗体電極２３に接続する上部電極２８を
形成する。上部電極２８は、図３（Ｂ）に示すように、
銀・パラジウム、ニッケル、銅、アルミニウム等の導電
性ペーストを、印刷により設ける。そして、これらの表
面に、図３（Ｃ）に示すように、樹脂のオーバーコート
３０を印刷し焼き付ける。さらに必要な印刷等を行う。
なお、オーバーコート３０を施す前に、必要に応じて保
護コート２９を除去してもよい。
【００２１】この後、大型の基板を個々のチップ毎に分
割する。分割に際しては、先ず、端部電極３２が形成さ
れる分割線に沿って短冊状に基板を分割し、その端部電
極３２が形成される端面に導電性塗料を塗布し、端部電
極３２を形成する。この後、さらに個々のチップ基板１
０毎に分割し、表面実装型複合電子部品２０を形成す
る。
割する。分割に際しては、先ず、端部電極３２が形成さ
れる分割線に沿って短冊状に基板を分割し、その端部電
極３２が形成される端面に導電性塗料を塗布し、端部電
極３２を形成する。この後、さらに個々のチップ基板１
０毎に分割し、表面実装型複合電子部品２０を形成す
る。
【００２２】なお、この水熱合成法では、ＰＺＴ結晶膜
以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶膜を
強誘電体膜２６として形成することができる。この場合
も上記と同様に、絶縁性基板１０に下部電極２２、チタ
ン膜２４を形成した後、ＰＺＴ結晶膜と同様に水熱合成
法でＳＴＯ結晶膜を形成する。
以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶膜を
強誘電体膜２６として形成することができる。この場合
も上記と同様に、絶縁性基板１０に下部電極２２、チタ
ン膜２４を形成した後、ＰＺＴ結晶膜と同様に水熱合成
法でＳＴＯ結晶膜を形成する。
【００２３】この場合、先ずＳｒ（ＯＲ）２等を含む強
アルカリ溶液に、下部電極２２、チタン膜２６を有する
絶縁性基板１０を浸し、２００℃以下、２〜３気圧程度
に設定されたオートクレーブに溶液とともに入れる。こ
こで強アルカリ溶液のＲは、ＰＺＴ結晶膜形成のときに
使用した強アルカリ溶液に含まれる化合物のＲと同じも
のである。これにより、これによりチタン膜２４のチタ
ンと密着性の強いＳＴＯ種結晶膜を形成する。
アルカリ溶液に、下部電極２２、チタン膜２６を有する
絶縁性基板１０を浸し、２００℃以下、２〜３気圧程度
に設定されたオートクレーブに溶液とともに入れる。こ
こで強アルカリ溶液のＲは、ＰＺＴ結晶膜形成のときに
使用した強アルカリ溶液に含まれる化合物のＲと同じも
のである。これにより、これによりチタン膜２４のチタ
ンと密着性の強いＳＴＯ種結晶膜を形成する。
【００２４】次に、ＳＴＯ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｓｒ（ＯＲ）２、Ｔｉ（ＯＲ）４等を含む強ア
ルカリ溶液に絶縁性基板１０を浸し、２００℃以下、２
〜３気圧程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱
合成反応を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。
ように、Ｓｒ（ＯＲ）２、Ｔｉ（ＯＲ）４等を含む強ア
ルカリ溶液に絶縁性基板１０を浸し、２００℃以下、２
〜３気圧程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱
合成反応を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。
【００２５】この実施形態の表面実装型複合電子部品２
０は、比較的低温で、強誘電体膜２６を形成することが
でき、しかもＰＺＴ結晶膜やＳＴＯ結晶膜などの強誘電
体膜２６が、それ自体分極しているため、絶縁油中での
分極処理が必要なく、またチタン膜２４上であればどの
ような形状の基板１０にでも形成することができ、小型
薄型の表面実装型複合電子部品を低コストで設けること
ができる。また、強誘電体膜２６の表面には微視的に凹
凸があるが、内部は空隙が少なく緻密であることから、
製造中の破損等が少ない。さらに、大面積化が容易で、
膜厚も適宜の厚さに設定することができ、形成する基板
１０の種類も選ばない。
０は、比較的低温で、強誘電体膜２６を形成することが
でき、しかもＰＺＴ結晶膜やＳＴＯ結晶膜などの強誘電
体膜２６が、それ自体分極しているため、絶縁油中での
分極処理が必要なく、またチタン膜２４上であればどの
ような形状の基板１０にでも形成することができ、小型
薄型の表面実装型複合電子部品を低コストで設けること
ができる。また、強誘電体膜２６の表面には微視的に凹
凸があるが、内部は空隙が少なく緻密であることから、
製造中の破損等が少ない。さらに、大面積化が容易で、
膜厚も適宜の厚さに設定することができ、形成する基板
１０の種類も選ばない。
【００２６】なおこの発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、使用する各部材の材料、製造方法
等は適宜変更することができる。
されるものではなく、使用する各部材の材料、製造方法
等は適宜変更することができる。
【００２７】
【発明の効果】この発明の表面実装型複合電あ子部品と
その製造方法は、基板表面のチタン膜に強誘電体膜を比
較的低温で一体に形成することが可能であることから、
様々な絶縁性基板の表面に直接コンデンサを形成するこ
とができる。しかも、チタン膜も低温で簡単に形成する
ことができるため、製造が簡単で設備投資も少ないこと
から、製造コストが低下し、安価で高品質の表面実装型
複合電子部品を提供することが可能である。
その製造方法は、基板表面のチタン膜に強誘電体膜を比
較的低温で一体に形成することが可能であることから、
様々な絶縁性基板の表面に直接コンデンサを形成するこ
とができる。しかも、チタン膜も低温で簡単に形成する
ことができるため、製造が簡単で設備投資も少ないこと
から、製造コストが低下し、安価で高品質の表面実装型
複合電子部品を提供することが可能である。
【図１】この発明の一実施形態の表面実装型複合電子部
品の縦断面図である。
品の縦断面図である。
【図２】この発明の一実施形態の表面実装型複合電子部
品の製造工程を示す縦断面図である。
品の製造工程を示す縦断面図である。
【図３】この発明の一実施形態の表面実装型複合電子部
品の次の製造工程を示す縦断面図である。
品の次の製造工程を示す縦断面図である。
【図４】従来の表面実装型複合電子部品の縦断面図であ
る。
る。
１０ 基板 ２０ 表面実装型複合電子部品 ２１ 抵抗体 ２２ 下部電極 ２３，２５ 抵抗体電極 ２４ チタン膜 ２６ 強誘電体膜 ２８ 上部電極 ２９ 保護コート ３０ オーバーコート ３１ コンデンサ部
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性の基板の表面に所定の下部電極が
形成され、この下部電極の表面にチタン膜が設けられ、
さらにこのチタン膜の表面に電気化学的に形成された結
晶性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜を挟んで上記
下部電極と対向した上部電極が設けられてコンデンサ部
が形成され、上記コンデンサ部と電気的に関連した抵抗
体が上記基板上に形成された表面実装型複合電子部品。 - 【請求項２】 上記下部電極にチタン膜が積層され、上
記基板の一端部に設けられた端部電極に接続し、上部電
極は上記基板の上記抵抗体電極の一方に接続し、上記抵
抗体電極の他方が上記基板の他端部に位置して端部電極
に接続している請求項１記載の表面実装型複合電子部
品。 - 【請求項３】 上記強誘電体膜は、ＰＺＴ又はＳＴＯの
結晶である請求項１又は２記載の表面実装型複合電子部
品。 - 【請求項４】 絶縁性の基板の表面に所定の電極を形成
し、抵抗体を上記電極に接続させて形成し、この抵抗体
を保護コートで覆い、上記電極のうちコンデンサ部を形
成する下部電極の所定の部位にチタン膜を形成し、次に
このチタン膜が形成された基板を、所望の強誘電体を形
成する元素を含有したアルカリ溶液中に浸漬し、１００
℃〜２００℃の温度で、１気圧以上飽和水蒸気圧以下の
圧力下で、上記チタン膜表面に結晶性の強誘電体膜を形
成し、この後、上記強誘電体膜を介して上記下部電極と
対向する上部電極を形成する表面実装型複合電子部品の
製造方法。 - 【請求項５】 上記抵抗体形成温度よりも低い温度で上
記強誘電体膜を形成する請求項１記載の表面実装型複合
電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181498A JP2001015381A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181498A JP2001015381A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015381A true JP2001015381A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16101821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181498A Pending JP2001015381A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 表面実装型複合電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542619A (ja) * | 1999-04-16 | 2002-12-10 | エイブイエックス コーポレイション | 逆向き面装着用超小型レジスタ−キャパシタ薄膜回路網 |
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-
1999
- 1999-06-28 JP JP11181498A patent/JP2001015381A/ja active Pending
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