JPH11251185A

JPH11251185A - 薄型コンデンサとその製造方法

Info

Publication number: JPH11251185A
Application number: JP6424498A
Authority: JP
Inventors: Koji Azuma; 紘二東; Ichiro Ishiyama; 一郎石山; Ichiro Nagare; 一郎流; Morikatsu Yamazaki; 盛勝山崎; Yozo Obara; 陽三小原
Original assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1998-02-27
Filing date: 1998-02-27
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】強誘電体膜を容易に形成することができ、容
量が大きく高品質で、厚さも薄い薄型コンデンサとその
製造方法を提供する。【解決手段】チタン等の金属箔の基板１２の表面に強
誘電体膜１４が設けられ、この強誘電体膜１４の表面に
上部電極１６を備え、この上部電極１６の表面にオーバ
ーコート１８を設け、基板１２に接続した一方の端子部
２０と、上部電極１６に接続した他方の端子部２２とを
設ける。両端子部２０，２２は、導電性樹により構成さ
れ、その周囲より突出した状態に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、機能性結晶膜で
ある強誘電体膜を基板に形成し、これを回路基板に搭載
することが可能な薄型コンデンサとその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、チタン酸ストロンチウム（以下Ｓ
ＴＯと称す）、チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称
す）、チタン酸バリウム（以下ＢＴＯと称す）等の強誘
電体膜は、セラミック粉体の状態でバインダ中に分散さ
せてスクリーン印刷する方法や、強誘電体の中間体酸化
物のゾルをゲル化させて薄膜を形成するゾル−ゲル法で
形成されていた。またこれらの強誘電体の薄膜を形成す
る方法として、これらの強誘電体を真空中で基板上に積
層するスパッタリングや真空蒸着等もあった。

【０００３】そして、強誘電体膜上には、導電性塗料を
塗布又は印刷等により上部電極が形成され、さらに上部
電極の表面に印刷等によりオーバーコートが形成されて
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、近年電子機器の高度化や多機能化、小型化にともな
い、より小型、薄型で高性能のコンデンサが要求されて
いるが、高い誘電率の強誘電体膜を得ることが困難なこ
とから、コンデンサの性能も十分なものが得られないも
のであった。

【０００５】また従来のセラミックチップコンデンサ
は、コンデンサの厚さが０．３５ｍｍもあり、厚さが厚
く、特に多層回路基板中に積層可能な厚さである５０μ
ｍ以下のチップコンデンサは、技術的にきわめて難しい
ものであった。

【０００６】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、強誘電体膜を容易に形成することができ、
容量が大きく高品質で、厚さも薄い薄型コンデンサとそ
の製造方法を提供することを目的としたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、チタン等の
金属箔の基板の表面に強誘電体膜が設けられ、この強誘
電体膜の表面に上部電極を備え、この上部電極の表面に
オーバーコートを設け、上記基板に接続した一方の端子
部と、上記上部電極に接続した他方の端子部とを設け、
これら両端子部はその周囲より突出している薄型コンデ
ンサである。

【０００８】またこの発明は、チタン箔等の薄板の基板
表面に、電気化学的に形成された結晶性の強誘電体膜が
設けられ、この強誘電体膜の表面に上部電極を備えてい
る。この上部電極の表面にオーバーコートを設け、上記
基板に接続した端子部と、上記上部電極に接続した他方
の端子部とを設け、これら両端子部はその周囲より突出
している薄型コンデンサである。

【０００９】上記強誘電体膜は、ＰＺＴまたはＳＴＯの
結晶であり、上記オーバーコートは、パラキシレンフェ
ノールまたはポリ尿素の樹脂により形成されている。

【００１０】またこの発明は、チタン等の金属箔の基板
の表面に強誘電体膜を形成し、この強誘電体膜の表面に
所定の上部電極を形成し、この上部電極の表面に樹脂の
オーバーコートを蒸着等の真空薄膜形成技術により形成
するとともに、上記基板と接続する一方の端子部と上記
上部電極と接続する他方の端子部とを導電性塗料を塗布
して形成し、これら両端子部がその周囲より突出するよ
うに形成する薄型コンデンサの製造方法である。

【００１１】またこの発明は、チタン箔等の薄板の基板
表面に電気化学的に結晶性の強誘電体膜を形成し、１０
０〜５００℃で熱処理し、この強誘電体膜の表面に所定
の上部電極を形成するものである。この上部電極の表面
に、樹脂のオーバーコートを真空薄膜形成技術により形
成するとともに、上記基板と接続する一方の端子部と上
記上部電極と接続する他方の端子部とを導電性塗料を塗
布して形成し、これら両端子部がその周囲より突出する
ように形成する薄型コンデンサの製造方法である。

【００１２】さらに、上記強誘電体膜は、上記基板を所
望の強誘電体を形成する元素を含有したアルカリ溶液中
に浸漬し、１００℃〜２００℃の温度で、１気圧以上飽
和蒸気圧以下の圧力で、上記基板表面に結晶性の強誘電
体膜を形成する水熱合成法で形成し、その後１００〜５
００℃で熱処理するものである。また、上記強誘電体膜
は、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技術で形成
しても良く、上記上部電極は、上記強誘電体膜の表面に
メッキまたは印刷により形成する。さらに、上記オーバ
ーコートは、樹脂の皮膜を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より形成するものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明の
第一実施形態の薄型コンデンサ１０を示し、チタン箔の
基板１２の表面には結晶性の強誘電体膜１４が形成され
ている。ここでいうチタン箔は、チタンまたはチタン合
金の何れでも良い。強誘電体膜１４は、チタン酸ジルコ
ン酸鉛（以下ＰＺＴと称す）、またはチタン酸ストロン
チウム（以下ＳＴＯと称す）の結晶である。

【００１４】さらに強誘電体膜１４の表面には、基板１
２のほぼ前面を覆い所定の形状をした金メッキ等の金属
薄膜の上部電極１６が形成され、この上部電極１６の一
端部の一部分を残して上部電極１６の表面及び側面の全
面を覆うように絶縁性のオーバーコート１８が施されて
いる。オーバーコート１８はパラキシレンフェノール、
またはポリ尿素等の耐熱性を有する絶縁性樹脂である。

【００１５】基板１２の一方の端部の強誘電体膜１４に
は、強誘電体膜１４が形成されていない透孔部１４ａが
形成され、この透孔部１４ａを導電性塗料により埋めて
基板１２に接続した端子部２０が形成されている。この
端子部２０は上部電極１６とは接しないように、その上
部電極１６の側面はオーバーコート１８により被覆さ
れ、端子部２０はオーバーコート１８と接している。さ
らに、端子部２０は、その周辺部に位置したオーバーコ
ート１８の表面よりも高くなるように突出して設けられ
ている。

【００１６】また、この端子部２０と同様に、上部電極
１６と接続する他方の端子部２２が基板１２の他方の端
部に形成されている。端子部２２の形成部分のオーバー
コート１８には、オーバーコート１８が形成されない透
孔部１８ａを有し、この透孔部１８ａを埋めるように導
電性塗料により端子部２２が形成されている。端子部２
２もその周縁部よりも突出して形成されている。

【００１７】これにより、端子部２０，２２は、基板１
２の両端部に位置して形成されている。端子部２０，２
２は、ＣｕやＡｇ等の金属微粒子、Ａｇ−Ｐａ、Ｃｕ−
Ｐａ、Ａｇ−Ｐａ−Ｃｕ等の合金微粒子を含有した樹脂
ペーストで、熱圧着により回路基板の銅箔等に接続固定
することが可能な接着機能も有する。

【００１８】この実施形態の薄型コンデンサ１０の厚さ
は、例えば基板１２が２５μｍ、強誘電体膜１４が６μ
ｍ、上部電極１６が１μｍ、オーバーコート２０が７μ
ｍ程度で形成され、全体の厚さは３９μｍ程度となり、
多層回路基板の中間層に内蔵可能な最大厚の５０μｍ以
内とすることができる。

【００１９】次にこの実施形態の薄型コンデンサ１０の
製造方法について以下に説明する。大型のチタン箔や、
チタン箔のテープからなる基板１２の表面に、いわゆる
水熱合成法により、強誘電体膜のＰＺＴ種結晶膜を形成
する。

【００２０】水熱合成法では、先ず、種結晶膜を形成す
るため、最初にＰｂ（ＯＲ）₂、Ｚｒ（ＯＲ）₄、Ｔｉ
（ＯＲ）₄を含む強アルカリ溶液に、基板１２を浸し、
２００℃以下好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気圧
程度に設定されたオートクレーブに、溶液とともに入れ
る。これにより基板１２のチタンと密着性の強いＰＺＴ
種結晶膜を形成する。

【００２１】ここで強アルカリ溶液のＲは、Ｐｂ（Ｏ₂
Ｃ₁₁Ｈ₁₉）₂＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）₂）、Ｐｂ（Ｃ
₂Ｈ₅）₄、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＰｂＯＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₃、Ｚｒ
（ＤＰＭ）₂、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ₄Ｈ₉）₄、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
₃Ｈ₇）₄、Ｔｉ（ＤＰＭ）₂、Ｓｒ（ＯＣ₂Ｈ₄₀ＣＨ₃）₂
等の有機金属の有機部組成を示し、適宜選択して用い
る。

【００２２】次に、ＰＺＴ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｐｂ（ＯＲ）₂、Ｚｒ（ＯＲ）₄、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に基板１２を浸し、２００℃以
下好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気圧程度に設定
されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応を起こし、
ＰＺＴ結晶の強誘電体膜１４を形成する。

【００２３】そして、アルカリ溶液から基板１２を取り
出し、中和処理を施した後、基板１２の表面に付着した
中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。次に、１００
〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃で０．５〜３
０時間熱処理し、強誘電体膜１４を高抵抗化し、誘電損
失を低減させる。そして、強誘電体膜１４の表面に、金
メッキにより上部電極１６を形成する。金メッキは、先
ず上部電極１６の所定形状にＮｉ下地を形成し、その表
面に、金を無電解メッキによる付着させる。そして、こ
れらの表面に、パラキシレンフェノール、またはポリ尿
素等の耐熱性を有する樹脂のオーバーコートを、真空蒸
着により形成する。このときの蒸着温度は、２００〜３
００℃程度である。オーバーコート１８の形成に際し
て、端子部２２が形成される透孔部２２ａ部分及び、端
子部２０が位置した基板１２の位置端部にオーバーコー
ト１８が蒸着しないように、その部分を覆ったマスクを
用いて行う。

【００２４】この後または前もって、基板１２の一方の
端部の強誘電体１４に透孔部１４ａを形成する。透孔部
１４ａの形成は、強誘電体膜１４の形成後、化学的にま
たは物理的に透孔部１４ａを形成する。次に、この特後
部１４ａとオーバーコート１８の透孔部１８ａに、端子
部２０，２２を印刷形成する。このとき、端子部２０，
２２はそれらの周囲のオーバーコート１８の表面よりも
高さが高くなるように導電性樹脂塗料を塗布する。

【００２５】大型の基板の場合、基板１０上にこれらを
積層した後、所定の幅に大型の基板１０を切断し、短冊
状にし、さらに個々の薄型コンデンサ１０毎に切断す
る。またテープ状の基板１０の場合も、連続的にテープ
を切断して、個々の薄型コンデンサ１０に分割する。

【００２６】なお、この水熱合成法では、ＰＺＴ結晶膜
以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶膜を
強誘電体膜１４として形成することができる。この場合
も上記と同様に、チタン箔等の基板１２に、ＳＴＯの強
誘電体膜１４を、ＰＺＴ結晶膜と同様に水熱合成法で結
晶膜を形成する。

【００２７】この場合、先ずＳｒ（ＯＲ）₂等を含む強
アルカリ溶液に、基板１２を浸し、２００℃以下、２〜
３気圧程度に設定されたオートクレーブに溶液とともに
入れる。ここで強アルカリ溶液のＲは、ＰＺＴ結晶膜形
成のときに使用した強アルカリ溶液に含まれる化合物の
Ｒと同じものである。これにより、チタン膜１４のチタ
ンと密着性の強いＳＴＯ種結晶膜を形成する。

【００２８】次に、ＳＴＯ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｓｒ（ＯＲ）₂、Ｔｉ（ＯＲ）₄等を含む強アル
カリ溶液に基板１２を浸し、２００℃以下、２〜３気圧
程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応
を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。そして上記と同様
に、１００〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃で
０．５〜３０時間熱処理を行う。

【００２９】この実施形態の薄型コンデンサ１０は、Ｐ
ＺＴ結晶膜やＳＴＯ結晶膜などの強誘電体膜１４が、そ
れ自体分極しているため、絶縁油中での分極処理が必要
なく、またこの強誘電体膜１４上は、どのような形状の
基板１０にでも形成することができ、小型薄型のコンデ
ンサを低コストで設けることができる。また、強誘電体
膜１４の表面には微視的に凹凸があるが、内部は空隙が
少なく緻密であることから、製造中の破損等が少ない。
さらに、大面積化が容易で、膜厚も適宜の厚さに設定す
ることができる。さらに、厚さがきわめて薄いために、
多層回路基板の中間層にも搭載することができ、電子部
品の実装密度を上げることができる。

【００３０】この薄型コンデンサ１０を回路基板に取り
付けるには、例えば多層基板２６の各基板のうち、その
上に他の基板が積層される面に回路パターン２４を設け
た基板２６ａの所定の位置に、端子部２０，２２を対面
させて回路パターン２４の各電極に当接させ、例えば１
８０℃、３５ｋｇ／ｃｍ²の条件下で熱圧着させる。

【００３１】次にこの発明の第二実施形態について図
３、図４に基づいて説明する。ここで上記実施形態と同
様の部材は、同一の符号を付して説明を省略する。

【００３２】この実施形態の薄型コンデンサ２８は、チ
タン箔の基板３０の表面に結晶性の強誘電体膜１４が形
成され、さらに強誘電体膜１４の表面で所定の形状をし
た上部電極３２が設けられ、上部電極３２の表面に絶縁
性のオーバーコート３４が施されている。

【００３３】基板３０はチタンやチタン合金の薄板であ
る。上部電極３２は、上記導電性塗料と同様の材料であ
り、オーバーコート３４は、ポリイミド、ポリパラキシ
レン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニ
レンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフェニレンオキサイ
ド（ＰＰＯ）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、テフロン
等の有機ポリマーのフィルム等の耐熱性を有する絶縁性
の樹脂である。

【００３４】さらに基板３０と接続するように、上記実
施形態と同様に端子部２０が形成され、この端子部２０
は上部電極３２に接することがなく、またオーバーコー
ト３４よりも高く突出している。またこの端子部２０と
同様の高さを有し、上部電極３２と接続する端子部２２
が形成され、これら端子部２０，２２は基板３０の両端
部に形成されている。

【００３５】この実施形態の薄型コンデンサ２８の製造
方法は、大型のまたはテープ状の基板３０の表面に、上
記第一実施形態と同様に水熱合成法で、強誘電体膜１４
を形成する。

【００３６】次に強誘電体膜１４の表面に、上部電極３
２を形成する。上部電極３２は、導電性塗料を印刷し焼
き付けて形成する。さらにこの上部電極３２の表面に、
耐熱性を有する絶縁性樹脂を所定形状に印刷し焼き付け
てオーバーコート３４を施す。この後、基板３０の一端
部に接続する端子部２０と、基板３０の他端部で上部電
極３２に接続する端子部２２を、導電性塗料を印刷塗布
して形成する。

【００３７】この後、上記実施形態と同様にこの大型の
基板３０を、所定の大きさで、一対の端子部２０，２２
を有するように矩形状に切断し、薄型コンデンサ２８と
する。

【００３８】この薄型コンデンサ２８の厚みは、例え
ば、基板３０にチタン箔を用い、強誘電体膜１４を水熱
合成法により形成し、オーバーコート３４を印刷した場
合、基板３０が３０μｍ、強誘電体膜１４が６μｍ、上
部電極３２が２０μｍ、オーバーコート３４が３０μｍ
程度となり、全体の厚みは８６μｍとなる。これによ
り、最大でも１００μｍであるため、図４に示すように
回路パターン２４を有する絶縁性基板２６へ表面実装さ
れても、他の部品の邪魔にならず、回路基板２６の実装
密度を向上させることができる。

【００３９】この薄型コンデンサ２８は、第一実施形態
の薄型コンデンサ１０の厚みよりも厚くなるが、各部材
を構成する材料の限定が少なく、また回路基板への表面
実装も容易に可能であるとともに、製造工程が単純にな
り、製造コストが低く押さえられる。

【００４０】次にこの発明の第三実施形態について図５
に基づいて説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は、同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態
では、基板３０の端子部２２側の端部に透孔３３を設
け、透孔３３の基板３０の内面を絶縁しておき、端子部
２０，２２の導電性樹脂塗料を塗布する際に、透孔３３
内にも導電性塗料を充填し裏面側に到達させる。基板１
０の裏面側には、透孔３３の周囲が絶縁状態にレジスト
樹脂等が塗布され、その内側に電極３４を導電性樹脂塗
料や金属薄膜で形成しても良い。

【００４１】次にこの発明の第四実施形態について図６
に基づいて説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は、同一の符号を付して説明を省略する。

【００４２】この実施形態の薄型コンデンサ３８は、チ
タン箔の基板３０の表裏面と一方の側面に結晶性の強誘
電体膜１４が連続して形成され、一方の側面と表裏面と
の角部にショート防止のためレジスト等の絶縁性樹脂４
０が塗布されている。さらに強誘電体膜１４と絶縁性樹
脂４０の外側面には、基板３０の表裏面側に所定の形状
をした上部電極３２が設けられ、上部電極３２の表面に
は、絶縁性のオーバーコート３４が施されている。

【００４３】さらに基板３０の一方の端部には、基板３
０に接続した端子部２０が形成され、この端子部２０
は、上部電極３２と接続しないように、上部電極３２が
オーバーコート３４により覆われている。そして、端子
部２０は、オーバーコート３４よりも高く突出してい
る。また、端子部２０と同様の高さを有して、上部電極
３２と接続した端子部２２が、基板３０の他方の端部に
形成されている。これら端子部２０，２２は、基板３０
の両端部付近に位置している。

【００４４】この実施形態の薄型コンデンサ３８の製造
方法は、テープ状等の大型基板３０の表面に、上記実施
形態と同様の水熱合成法で、上記と同様の強誘電体膜１
４を形成する。次に基板３０の側面とその近傍の角部を
含む表裏面の一部に絶縁性樹脂４０を塗布し乾燥させ
る。この後、強誘電体膜１４及び絶縁性樹脂４０の表面
には、導電性塗料を印刷塗布し焼き付けて上部電極３２
を形成する。さらにこの上部電極３２の表面に、耐熱性
を有する絶縁性樹脂を印刷し焼き付けてオーバーコート
３４を施す。このとき、端子部２２を形成する部分は、
上部電極３２が露出するように、透孔３４ａを開けてお
く。

【００４５】この後、上記実施形態と同様に、この大型
の基板３０を所定の大きさで、一対の端子部２０，２２
を有するように矩形状に切断し、薄型コンデンサ３８と
する。この場合の薄型コンデンサ３８の厚さは、例え
ば、チタン薄板の基板３０に、水熱合成法で強誘電体膜
１４を形成し、上部電極３２とオーバーコート３４を印
刷により形成した場合、基板３０が３０μｍ、強誘電体
膜１４が６μｍ、絶縁性樹脂４０が２０μｍ、上部電極
３２が２０μｍ、オーバーコート３４が３０μｍ程度
で、全体の厚さは１４２〜１６２μｍ程度となる。

【００４６】この実施形態の薄型コンデンサ３８は、強
誘電体膜１４及び上部電極３２の面積が上記実施形態の
薄型コンデンサ１０、２８の約２倍となり、容量も２倍
以上となる。このため大容量を必要とする回路基板に表
面実装することが可能である。

【００４７】なお、端子部２０，２２は上部電極側に設
けたが、基板に透孔を形成し、端子部２２は透孔とは絶
縁された状態でスルーホールを形成し、内部に導電性塗
料を充填し、基板１０の裏面側に電極を導電性樹脂塗料
で形成しても良い。

【００４８】また、強誘電体膜は、スパッタリングや蒸
着等の真空薄膜形成法や、ＣＶＤ（化学的気相成長法）
により形成しても良く、強誘電体微粒子を塗布乾燥して
形成しても良い。これらの形成方法の場合、５００〜１
２００℃の高温下で、分極処理を施す必要がある。

【００４９】さらに、この発明は、上述した実施形態に
限定されるものではなく、使用する各部材の材料、製造
方法等は適宜変更することができる。

【００５０】

【発明の効果】この発明の薄型コンデンサとその製造方
法は、基板を下部電極とし、積層する上部電極及びオー
バーコートの厚さを薄くすることにより全体の厚さも薄
くなり、多層基板に内蔵することもできる。また端子部
を導電性塗料により形成して、熱圧着で回路基板に表面
実装することも可能であり、薄型コンデンサをより確実
に回路基板に固定することが可能である。

【００５１】さらにこの発明の薄型コンデンサは、製造
が簡単で設備投資も少ないことから、製造コストが低下
し、安価で高品質なものを提供することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施形態の薄型コンデンサを示
す断面図である。

【図２】この発明の第一実施形態の薄型コンデンサを内
蔵する多層基板を示す断面図である。

【図３】この発明の第二実施形態の薄型コンデンサを示
す断面図である。

【図４】この発明の第二実施形態の薄型コンデンサを表
面実装した回路基板を示す断面図である。

【図５】この発明の第三実施形態の薄型コンデンサを示
す底面図である。

【図６】この発明の第四実施形態の薄型コンデンサを示
す断面図である。

【符号の説明】

１０，２８，３８薄型コンデンサ１２，３０基板１４強誘電体膜１６，３２上部電極１８，３４オーバーコート２０，２２端子部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山崎盛勝富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地北陸電気工業株式会社内 (72)発明者小原陽三富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地北陸電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属箔の基板の表面に強誘電体膜が設
けられ、この強誘電体膜の表面に上部電極を備え、この
上部電極の表面にオーバーコートを設け、上記基板に接
続した一方の端子部と、上記上部電極に接続した他方の
端子部とを設け、これら両端子部はその周囲より突出し
ていることを特徴とする薄型コンデンサ。
【請求項２】チタン薄板の基板表面に、電気化学的
に形成された結晶性の強誘電体膜が設けられ、この強誘
電体膜の表面に上部電極を備え、この上部電極の表面に
オーバーコートを設け、上記基板に接続した端子部と、
上記上部電極に接続した他方の端子部とを設け、これら
両端子部はその周囲より突出していることを特徴とする
薄型コンデンサ。
【請求項３】上記強誘電体膜は、ＰＺＴまたはＳＴ
Ｏの結晶である請求項１または２記載の薄型コンデン
サ。
【請求項４】上記オーバーコートは、パラキシレン
フェノールまたはポリ尿素の樹脂である請求項１または
２記載の薄型コンデンサ。
【請求項５】金属箔の基板の表面に強誘電体膜を形
成し、この強誘電体膜の表面に所定の上部電極を形成
し、この上部電極の表面に樹脂のオーバーコートを真空
薄膜形成技術により形成するとともに、上記基板と接続
する一方の端子部と上記上部電極と接続する他方の端子
部とを導電性塗料により形成し、これら両端子部がその
周囲より突出するように形成することを特徴とする薄型
コンデンサの製造方法。
【請求項６】チタン薄板の基板表面に電気化学的に
結晶性の強誘電体膜を形成し、この強誘電体膜の表面に
所定の上部電極を形成し、この上部電極の表面に樹脂の
オーバーコートを真空薄膜形成技術により形成するとと
もに、上記基板と接続する一方の端子部と上記上部電極
と接続する他方の端子部とを導電性塗料を塗布して形成
し、これら両端子部がその周囲より突出するように形成
する薄型コンデンサの製造方法。
【請求項７】上記基板を所望の強誘電体を形成する
元素を含有したアルカリ溶液中に浸漬し、１００℃〜２
００℃の温度で、１気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力で、
上記基板表面に結晶性の強誘電体膜を形成する水熱合成
法で上記強誘電体膜を形成し、その後、１００〜５００
℃で熱処理する請求項６記載の薄型コンデンサの製造方
法。
【請求項８】上記強誘電体膜は、真空薄膜形成技術
で形成する請求項６記載の薄型コンデンサの製造方法。
【請求項９】上記上部電極は、上記強誘電体膜の表
面にメッキまたは印刷により形成する請求項５または６
記載の薄型コンデンサの製造方法。
【請求項１０】上記オーバーコートは、樹脂の皮膜
を真空薄膜形成技術により形成する請求項５または６記
載の薄型コンデンサの製造方法。