KR20000012023A

KR20000012023A - 기판처리방법및기판처리장치

Info

Publication number: KR20000012023A
Application number: KR1019990030744A
Authority: KR
Inventors: 타카모리히데유키; 타테야마키요히사; 미조사키켄고; 아나이노리유키; 사카이미쯔히로; 타나카시노부; 혼다요이치; 시모무라유지
Original assignee: 히가시 데쓰로; 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1998-07-29
Filing date: 1999-07-28
Publication date: 2000-02-25
Also published as: US20010031147A1; US20010026691A1; TW428216B; KR100609766B1; US6443641B2; US6261007B1

Abstract

레지스트액의 도포 직후, 기판이 실질적으로 비가열방식에 의해 건조된다. 구체적인 예를 들면, 샤워헤드로부터 나오는 불활성가스가 기판에 부딛혀짐으로써, 기판에 도포된 레지스트액이 건조되는 것이다. 이에 의해 레지스트액의 막두께 불균일 및 회로패턴의 선폭(線幅) 변동의 지표라고 할 수 있는 전사(傳寫)를 방지할 수 있다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESS METHOD AND SUBSTRATE PROCESS APPARATUS}

본 발명은 레지스트액이 도포되어 있는 예를 들어 LCD 기판등의 기판에 노광처리 및 현상처리를 실시함에 있어서, 기판 위의 레지스트액을 가열하여 건조시키는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.

액정디스플레이(LCD)의 제조에 있어서는, 유리로 되어 있는 구형(矩形) LCD 기판에 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광(露光, exposure)하고, 이것을 현상처리하는 등의 소위 포토리소그래피(photolithography)기술에 의해 회로 패턴이 형성된다.

이 레지스트액을 도포하는 공정에서, 구형의 LCD 기판(이하, 기판으로 칭함)은, 레지스트액의 정착성을 높이기 위해 어드히젼처리유니트에서 소수화처리(疎水化處理,HMDS처리)되어, 냉각유니트에서 냉각된 후 레지스트도포처리유니트로 반입된다.

레지스트도포유니트에서는 구형의 기판을 스핀척위에 보지한 상태에서 회전시키면서, 그 위에 설치된 노즐로부터 기판의 표면중심부에 레지스트액을 공급하고, 기판의 회전에 의한 원심력으로 레지스트액을 확산시킴으로써 기판의 표면 전체에 레지스트막이 도포된다.

이 레지스트액이 도포된 기판은 기판 주변의 불필요한 레지스트가 제거된 후, 가열처리유니트로 반입되어 프리베이크(pre-bake)처리가 실시된다. 이 가열처리유니트에 있어서는 가열플레이트와 기판이 직접적으로 접촉되는 것을 피하기 위하여 리프트 핀에 의해 받아들여진 기판을 가열플레이트의 고정 핀에 재치함으로써 가열플레이트로부터의 방열(放熱)에 의해 가열하는 소위 프록시미티(proximity)방식이 채용되는 일이 많다.

다음, 기판은 냉각유니트에서 냉각된 후, 노광장치로 반송되어 그곳에서 소정의 패턴이 노광된다. 그 후 현상처리되고 포스트베이크처리가 실시되어 소정의 레지스트패턴이 형성된다.

그러나 상술한 도포·현상처리에 있어서는 레지스트액이 도포된 기판이 프리베이크 등의 처리 후에, 또는 기판이 노광되어 현상처리된 후에, 상술한 가열처리유니트의 리프트 핀, 고정 핀, 또는 진공 홈(진공에 의해 흡착되도록 패인 홈) 등의 형상이 기판에 전사(傳寫)되는 일이 있다.

이 리프트 핀 등의 전사를 구체적으로 설명하면, 프리베이크 처리후에 있어서는 기판상에 도포된 레지스트액의 막두께가 리프트 핀등의 형상에 대응하여 변화함으로써 발생되고, 노광·현상처리 후에 있어서는 기판상에 형성된 회로 패턴의 선폭이 리프트 핀등의 형상에 대응하여 변화함으로써 발생된다. 또, 프리베이크 처리후에 전사가 발생되지 않더라도 현상처리후에 전사가 발생되는 경우도 있다.

이와 같은 전사의 발생은 최근들어 고감도 레지스트액이 사용되어지는 것과 LCD기판에 형성되는 회로 패턴이 선폭 3㎛로 종래보다 가늘게 된 것이 원인으로 추측되고 있으나, 그 원인은 상세하게 파악되어 있지 않기 때문에 아직 성공적으로 전사를 방지시키지 못하고 있는 설정이다.

전사의 원인을 그 현상으로부터 추측하면, 기판상에 도포된 레지스트액의 막두께가 지지 핀 및 프록시미티 핀으로부터의 열전도에 의해 변화함으로써 발생되고, 노광·현상처리 후에는 기판상에 형성된 회로 패턴의 선폭이 지지 핀 및 프록시미티 핀으로부터의 열전도에 의해 변화함으로써 이들 전사 흔적이 발생되는 것으로 생각되어 진다. 이것의 이유는 지지 핀 및 프록시미터 핀 선단 부근의 LCD기판의 온도가 타 부분의 온도와 비교하여 높고, 또 진공 홈 부근의 온도가 타 부분의 온도와 비교하여 낮기 때문이다. 전사 흔적은 제품 완성 후에 확인되어, 제품 불량의 원인이 된다.

그러나 상술한 바와 같이, 이러한 리프트 핀등의 전사는 레지스트액의 막두께의 불균일 및 회로 패턴의 선폭 변동에 대응하고 있기 때문에, LCD기판의 도포·현상공정에 있어서는 이와 같은 전사가 기판상에 발생되는 것을 최대한 방지하는 것이 요망되고 있다.

또, 금후 사용이 점점 더 늘어갈 고감도 레지스트에 있어서는 레지스트자체가 건조되기 어렵고, 또 레지스트도포 후에서부터 노광되기까지의 기간동안에 완전히 건조되지 않을 경우, 현상처리시에 미건조 레지스트가 현상액으로 녹아들어감으로 인해 회로 패턴의 선폭 변동이 일어나는 요인이 될 가능성도 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명은, 레지스트액의 막두께 불균일 및 회로 패턴의 선폭 변동의 지표인 전사를 방지할 수 있는 기판처리방법 및 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 기판에 도포된 레지스트액을 전사를 발생시키는 일 없이 확실히 건조시키는 기판처리방법 및 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 주요부분의 하나에 의하면, 레지스트액이 도포된 기판에 노광처리 및 현상처리를 실시함에 있어, 기판에 레지스트액을 도포한 후 이 레지스트액이 도포된 기판을 실질적으로 비가열로 건조처리하고 그 후 가열건조처리하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 주요부분의 다른 하나에 의하면, 기판 표면에 도포액을 도포하고 제 1 감압환경하에서 건조시키는 제 1건조를 실시하고, 상기 기판을 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 비가열로 건조처리하는 제 2 건조처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.

또, 비가열상태에서의 건조처리에 있어서 레지스트액이 도포된 기판에 기체를 뿜어내면서 건조시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나에 의하면 레지스트액의 도포직후에 기판을 실질적으로 비가열상태에서 건조시킴으로써 레지스트액내의 용제가 서서히 방출되어 레지스트에 나쁜 영향을 주는 일 없이 레지스트의 건조를 촉진시킬 수 있기 때문에 기판상의 전사 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또, 막 내부에 존재하는 미소한 기포가 성장하지 않을 정도의 제 1 감압환경하에서 건조시킨 후 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 또 건조처리를 실시함으로써, 막 내부에 존재하는 미소한 기포의 성장을 억제하면서 건조시킬 수 있기 때문에 기판상의 전사 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

이 비가열상태에서의 건조로서는, 레지스트액이 도포된 기판에 기체를 뿜어내면서 건조시키든가, 또는 레지스트액이 도포된 기판을 감압상태에서 건조시킴으로써 비가열상태의 건조를 간이한 수단에 의해 실현가능하다.

또, 이 비가열상태에서의 건조공정 후, 기판의 단면에 부착된 레지스트를 제거할 경우 레지스트액의 건조가 진행되고 있기 때문에 불필요한 레지스트액의 제거를 용이하게 실시할 수 있다.

도 1은 본 발명이 적용되는 LCD 기판의 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.

도 2는 LCD 기판의 도포현상처리시스템의 개략단면도이다.

도 3은 일체로 설치된 레지스트도포처리유니트(CT), 건조처리유니트(DR) 및 엣지리무버(ER)의 전체구성을 나타내는 개략평면도이다.

도 4는 레지스트도포처리유니트(CT) 및 건조처리유니트(DR)의 기판반입출구 및 셔터의 구성을 나타내는 개략사시도이다.

도 5는 레지스트도포처리유니트(CT)의 개략단면도이다.

도 6은 건조처리유니트의 개략단면도이다.

도 7은 가열처리유니트(HP)의 개략단면도이다.

도 8은 일체로 설치된 레지스트도포처리유니트(CT), 감압(減壓)건조처리유니트(VD) 및 엣지리무버(ER)의 전체구성을 나타내는 개략평면도이다.

도 9는 일체로 설치된 레지스트도포처리유니트(CT), 감압(減壓)건조처리유니트(VD) 및 엣지리무버(ER)의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1,2 : 카세트스테이션 2a : 전단부

2b : 중단부 2c : 후단부

3 : 인터페이스부 5,52 : 회전컵

10,11,38 : 반송기구 12,13,14 : 반송로

15,16 : 중계부

17,18,19 : 주반송장치(유니트부외 반송기구)

22 : 레지스트도포처리장치(도포처리부)

23,116 : 엣지리무버(제거처리부) 25 : 냉각 유니트

26,28,29,31 : 가열처리유니트(가열처리부)

30 : 어드히전처리·냉각유니트(UV/COL) 34 : 약액공급유니트

35 : 공간 36 : 엑스텐션

37 : 버퍼스테이지 39 : 반송아암

41 : 반송아암(유니트내 반송기구) 51 : 스핀척

53 : 코우더 컵 54 : 드레인 컵

58 : 용제노즐 61 : 재치대

62 : 리무버 71 : 커버

72 : 가열플레이트 73 : 고정핀

74 : 스페이서(고정 핀) 75 : 리프트 핀

76 : 지지부재 77 : 승강기구

80 : 건조처리유니트(감압처리부) 82 : 샤워헤드(기체공급기구)

84 : 기판반입구 85 : 기판반출구

90, 90a : 팬필터 유니트(환경제어기구) 93 : 뚜껑

94 : 샤워헤드(기체공급기구) 95,96 : 셔터

97 : 구멍 98 : 레지스트 공급관

99 : 레지스트 공급부 100 : 용제공급관

102 : 회전기구 103 : 공정 부재

104 : 감압용 배기구 105 : 배관

106 : 밸브 107 : 유니트부

108 : 셔터구동기구(도 3) 108 : 얼라인먼트기구(도 8)

109 : 감압건조처리유니트 110 : 로우챔버(low chamber)

111 : 어퍼챔버(upper chamber) 112 : 스테이지

113 : 배기구 114 : 배기관

115 : 미끄럼방지가이드 G : LCD 기판

C : 카세트

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 액정디스플레이(LCD)용의 유리기판(G)(이하, 「기판 G」로 칭함. 덧붙여 말하면 유리기판에 한정하지 않고 반도체기판 등의 판상체 기판에도 적용됨은 물론이다)의 표면에 포토레지스트를 형성시키는 레지스트처리시스템에 사용되는 장치에 적용시켜, 이 적용례에 의거하여 설명한다.

도 1은 본 발명이 적용되는 기판처리장치 예를 들어 LCD기판의 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.

이 도포현상처리시스템은 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 재치하기 위한 카세트스테이션(1)과, 기판(G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 처리부(2)와 노광장치(도시 않됨)와의 사이에서 기판(G)을 주고 받기 위한 인터페이스부(3)를 갖추고 처리부(2)의 양단에 각각 카세트스테이션(1)과 인터페이스부(3)가 배치되어 있다.

카세트스테이션(1)은 카세트(C)와 처리부(2)와의 사이에서 LCD기판을 반송하기 위한 반송기구(10)를 갖추고 있다. 그리고, 카세트스테이션(1)에서는 카세트(C)가 반입과 반출이 행하여진다. 또 반송부(10)는 카세트의 배열방향을 따라 설치된 반송로(10a)위를 이동하는 반송기구(11)를 갖추고, 이 반송기구(11)에 의해 카세트(C)와 처리부(2)와의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다.

처리부(2)는 전단부(2a)와 중단부(2b)와 후단부(2c)로 나뉘어져 있고, 각각 중앙에 반송로(12, 13, 14)를 갖추고, 이들 반송로의 양측에는 각 처리유니트가 설치되어 있다. 그리고 이들 사이에는 중계부(15, 16)가 설치되어 있다.

전단부(2a)는 반송로(12)를 따라서 이동가능한 유니트외 반송기구라고 할 수 있는 예를 들어 주반송장치(17)를 갖추고, 반송로(12)의 한쪽에는 2개의 세정유니트(SCR)(21a, 21b)가 설치되어 있고, 반송로(12)의 다른쪽에는 자외선 조사(紫外線照射)·냉각유니트(UV/COL)(25)와 각각 상하 2단으로 적층되는 가열처리유니트(HP)(26) 및 냉각유니트(COL)(27)가 배치되어 있다.

또, 중단부(2b)는 반송로(13)를 따라 이동가능한 주반송장치(18)를 갖추고, 반송로(13)의 한쪽에는 도포처리부라고 할 수 있는 예를 들어 레지스트도포처리유니트(CT)(22), 건조처리유니트(DR)(80), 및 기판(G) 주변부의 레지스트를 제거하는 제거처리부라고 할 수 있는 예를 들어 엣지리무버(ER, Edge Remover)(23)를 갖추는 유니트부(107)가 일체로 설치되어 있고, 반송로(13)의 다른쪽에는 복수의 열처리부라고 할 수 있는 예를 들어 2단으로 적층되어 형성되는 가열처리유니트(HP)(28), 가열처리유니트와 냉각처리유니트가 상하로 적층되어 형성되는 가열처리·냉각유니트(HP/COL)(29), 어드히젼처리유니트와 냉각유니트가 상하로 적층되어 형성되는 어드히젼처리·냉각유니트(AD/COL)(30)가 배치되어 있다.

이와 같이, 레지스트도포처리유니트(COT)(22)와 엣지리무버(ER)(23)의 사이에 건조처리유니트(DR)(80)를 설치함으로써, 레지스트액이 도포된 기판(G)이 건조처리유니트(DR)(80)에 반송되어 건조처리되고 그 후 엣지리무버(ER)(23)에 의해 단면처리 되어진다.

게다가, 후단부(2c)는 반송로(14)를 따라 이동가능한 주반송장치(19)를 갖추고, 반송로(14)의 한쪽에는 3개의 현상처리유니트(24a, 24b, 24c)가 배치되어 있고, 반송로(14)의 다른쪽에는 상하 2단으로 적층되어 형성된 가열처리유니트(31) 및 가열처리유니트와 냉각처리유니트가 상하로 적층되어 형성된 2개의 가열처리·냉각유니트(HP/COL)(32,33)가 배치되어 있다.

특히 처리부 2는, 반송로를 사이에 두고, 한쪽에는 세정처리유니트(21a), 레지스트처리유니트(22), 현상처리유니트(24a)와 같은 스피너(spinner)계의 유니트만을 배치시키고, 다른쪽에는 가열처리유니트 및 냉각처리유니트 등의 열처리유니트만을 배치시키는 구조로 되어 있다.

또, 중계부(15, 16)의 스피너유니트 배치측의 부분에는 약액공급유니트(34)가 배치되어 있고, 그외에도 주반송장치의 출입이 가능한 공간(35)이 설치되어 있다.

상기 주반송장치(17)는 반송기구(10)의 아암(11)과의 사이에서 기판(G)을 주고받음과 동시에, 전단부(2a)의 각처리유니트에 대한 기판(G)의 반입·반출, 및 중계부(15)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하는 기능을 갖고 있다. 또 주반송장치(18)는 중계부(15)와의 사이에서 기판(G)을 주고받음과 동시에, 중단부(2b)의 각처리유니트에 대한 기판(G)의 반입·반출, 및 중계부(16)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하는 기능을 갖고 있다. 또한, 주반송장치(19)는 중계부(16)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행함과 동시에, 후단부(2c)의 각처리유니트에 대한 기판(G)의 반입·반출 및 인터페이스부(3)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하는 기능을 갖추고 있다. 특히, 중계부(15, 16)는 냉각플레이트로서의 기능도 갖추고 있다.

인터페이스부(3)는 처리부(2)와의 사이에서 기판을 주고받을 때 일시적으로 기판을 보지하는 엑스텐션(36)과, 또 그 양편에 설치되어 버퍼카세트를 배치시키는 2개의 버퍼스테이지(37)와, 2개의 버퍼스테이지(37)와 노광장치(도시 않됨)와의 사이에서 기판(G)의 반입·반출을 행하는 반송기구(38)를 갖추고 있다. 반송기구(38)는 엑스텐션(36) 및 버퍼스테이지(37)의 배열방향을 따라 설치된 반송로(38a)위를 이동가능한 반송아암(39)을 갖추고, 이 반송아암(39)에 의해 처리부(2)와 노광장치와의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다.

이와 같이 각처리유니트를 집약시켜 일체화함으로써, 공간의 효율적이용 및 처리의 효율화를 꾀할 수 있다.

장치의 외부는 장치내부의 환경을 보존하기 위해 외장판으로 덮여져 있고, 장치내부에 설치된 레지스트도포처리유니트(CT)(22), 건조처리유니트(DR)(80) 및 엣지리무버(ER)(23)는 장치내부의 그외 부분에 대하여 특별하게 환경을 보존시키기 위해 간막이판로 또다시 구분되어 있다.

또, 도 2에서 나타낸 바와 같이, 장치 상부는 유니트부(107)내와 유니트부(107)외에서 독립된 장치 내부의 온도, 습도, 콘테미네이션(contamination), 케미칼(chemical) 등의 환경을 제어가능한 환경제어기구, 예를 들어 팬필터유니트(90, 90a)로 덮여져 있고, 팬필터유니트(90, 90a)에서부터 하방으로 제어된 환경이 분출되도록 되어 있다.

이와 같이 구성된 도포·현상처리시스템에 있어서, 카세트(C)내의 기판(G)이 처리부(2)로 반송되어, 처리부(2)에서는 먼저 전단부(2a)의 자외선조사·냉각유니트(UV/COL)(25)로 표면개선·세정처리 한 다음 냉각처리 후, 세정유니트(SCR)(21a, 21b)에 의해 세정이 실시되어, 가열처리유니트(HP)(26)의 하나에 의해 가열건조처리 된 후, 냉각유니트(COL)(27)의 하나에 의해 냉각된다.

그 후, 기판(G)은 중단부(2b)로 반송되어, 레지스트의 정착성을 높이기 위해 유니트(30) 상단의 어드히젼처리유니트(AD)에서 소수화처리(疎水化處理, HMDS처리)되어, 냉각유니트(COL)에서 냉각처리 후, 레지스트도포유니트(CT)(22)에서 레지스트가 도포되어 후술하는 건조처리유니트(DR)(80)에 의해 건조처리되어, 엣지리무버(ER)(23)에 의해 기판(G) 주변에 존재하는 불필요 레지스트가 제거된다. 그 후 기판(G)은 중단부(2b)내의 가열처리유니트(HP)의 하나에 의해 프리베이크처리되어, 유니트(29 또는 39) 하단의 냉각유니트(COL)에 의해 냉각된다.

그 후, 기판(G)은 중계부(16)로부터 주반송장치(19)에 의해 인터페이스부(3)를 매개로 하여 노광장치에 반송되어 그곳에서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 기판(G)은 다시 인터페이스부(3)를 매개로 하여 반입되어 현상처리유니트(DEV)(24a, 24b, 24c)의 어느 한 곳에서 현상처리되어 소정의 회로패턴이 형성된다. 현상처리된 기판(G)은 후단부(2c)에 위치하는 하나의 가열처리유니트(HP)에서 포스트베이크처리된 후, 냉각유니트(COL)에서 냉각되어, 주반송장치(19, 18, 17) 및 반송기구(10)에 의해 카세트스테이션(1)상의 소정 카세트에 수용된다.

다음, 본 실시형태와 관련된 도포·현상시스템에 있어서, 그 안에 설치된 레지스트도포 처리유니트(COT)(22), 건조처리유니트(DR)(80),및 엣지리무버(ER)(23)에 관하여 설명한다. 도 3은 시스템 안에 일체적으로 설치된 레지스트도포처리유니트(COT)(22), 건조처리유니트(DR)(80), 및 엣지리무버(ER)(23)의 전체구성을 나타내는 개략평면도이다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 이들 레지스트도포처리유니트(COT)(22), 건조처리유니트(DR)(80), 및 엣지리무버(ER)(23)로 구성되는 유니트부(107)는 동일 스테이지에 일체적으로 병설되어 있다. 레지스트도포처리유니트(COT)(22)에서 레지스트가 도포된 기판(G)은 가이드레일(43)을 따라서 이동가능하게 되어 있는 한쌍의 유니트내 반송기구 예를 들어 반송아암(41)에 의해 건조처리유니트(DR)(80)를 거쳐 엣지리무버(ER)(23)로 반송되도록 되어 있다. 특히, 레지스트도포처리유니트(COT)의 반송로(13)측면에는 도 4에 나타낸 바와 같은 주반송장치(18)에 의해 기판(G)이 반입되는 반입구(22a)가 형성되어 있고, 엣지리무버(ER)(23)의 반송로(13)측면에는 주반송장치(18)에 의해 기판(G)이 반출되는 반출구(23a)가 형성되어 있다. 반입구(22a)와 반출구(23a)에는 각각 상하로 이동하여 개폐되는 개폐기구로서의 셔터(95, 96)와, 셔터를 상하로 구동시키는 예를 들어 실린더와 같은 셔터구동기구(108)가 각각 레지스트도포처리유니트(COT)(22)내, 엣지리무버(ER)(23)내에 설치되어 있다. 셔터구동기구의 가동부에서 발생된 파티클(particle)이 환경공기의 흐름을 타고 기판상에 부착되지 않도록, 셔터구동기구의 가동부는 레지스트도포처리유니트(COT)(22)와 엣지리무버(ER)(23)의 기판재치면과 같은 위치 또는 하방 위치에 배치되어 있다.

다음, 도 5에 나타낸 바와 같이, 레지스트도포처리유니트(COT)(22)는, 기판(G)을 흡착하여 보지하는 수평회전가능한스핀척(51), 이 스핀척(51)의 상단부를 둘러싸고 이 스핀척(51)에 흡착되어 보지된 기판(G)을 에워싸고 상단부가 개구되어 있는 밑바닥을 갖는 원통형상의 회전컵(52), 이 회전컵(52)의 상단 개구를 덮는 뚜껑(93), 회전컵(52)내에는 기판에 기체를 공급하는 기체공급기구로서 예를 들어 뚜껑 하방에 설치되어 불활성가스 등(클린공기라도 가능)의 기체를 하방으로 즉 기판(G)방향을 향해 분출하는 샤워헤드(94), 샤워헤드(94)에 기체를 공급하는 배관(105), 배관(105)의 도중에 설치되어 기체의 유량을 제어하는 밸브(106), 회전컵(52)의 외주를 감싸듯이 고정배치되어 레지스트도포시 레지스트의 비산을 방지하기 위한 코우터컵(53), 및 코우터컵(53)을 감싸듯이 배치된 중간이 비어있는 링형상의 드레인컵(54)을 구비하고 있다.

그리고, 후술하는 레지스트 적하시에는, 회전컵(52)은 뚜껑이 열려져 있는 상태로 되어 회전기구(102)에 의해 기판(G)이 스핀척(51)과 함께 저속으로 회전됨과 동시에 회전컵(52)도 회전되고, 레지스트 확산시에는, 회전컵(52)은 도시하지 않은 뚜껑으로 덮여진 상태로 되어 도시하지 않은 회전기구에 의해 기판(G)이 스핀척(51)과 함께 고속으로 회전됨과 동시에 회전컵(52)도 회전되도록 되어 있다.

또한, 회전컵(52) 하방의 모서리부에는 원주상으로 복수의 구멍(97)이 설치되어, 회전컵(52)의 회전에 의해 회전컵(5)내의 환경에 원심력을 작용시켜 회전컵(52)내의 환경을 구멍(97)으로부터 회전컵(52)외로 배출시킴으로써 회전컵(52)내를 감압시킬 수 있는 구성으로 되어 있다.

또, 회전컵(52)내부와 연결되는 구동기구(102)내의 고정부재(103)에 감압용 배기구(104)를 설치하고, 배기구(104)에 연결된 배관(105)을 도시하지 않은 감압펌프에 연결함으로써, 회전컵(52)내를 감압시킬 수 있도록 되어 있다.

또, 레지스트도포처리유니트(COT)(22)는, 기판(G)에 레지스트액 및 용제를 공급하기 위한 분출부(56)를 그 선단에 갖추는 아암(55)을 가지고 있다. 아암(55)은 축(55a)을 중심으로 이동가능하도록 되어 있고, 레지스트의 도포시에는 분출부(56)가 스핀척(51)에 흡착된 기판(G)의 상방에 위치하고, 기판(G)의 반송시에는 도시하는 바와 같이 드레인컵(54) 바깥쪽의 대기위치에 놓여진다.

상기 분출부(56)에는 레지스트액을 토출하는 레지스트노즐(57) 및 신나 등의 용제를 토출하는 용제노즐(58)이 설치되어 있다. 레지스트노즐(57)은 레지스트공급관(98)을 매개로 하여 레지스트공급부(99)에 접속되어 있고, 용제노즐(58)은 용제공급관(100)을 매개로 하여 용제공급부(101)에 접속되어 있다.

엣지리무버(ER)(23)에는 재치대(61)가 설치되고, 이 재치대(61)에 기판(G)이 재치되어 있다. 이 기판(G)의 주위에는 기판(G)의 네변의 엣지(edge)로부터 불필요한 레지스트를 제거하기 위한 4개의 리무버 헤드(remover head)(62)가 각각 설치되어 있다. 각 리무버 헤드(62)는 내부로부터 신나를 토출하도록 단면이 Ｕ모양으로 되어 있고, 기판(G)의 주변을 따라서 이동기구(도시 생략)에 의해 이동되도록 되어 있다. 이에 의해, 각 리무버 헤드(62)는 기판(G)의 각변을 따라 이동하며 신나를 토출하면서 기판(G)주변의 엣지에 부착된 불필요한 레지스트를 제거할 수 있다.

건조처리유니트(DR)(80)는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 프레임(81)의 상방에 불활성가스등의 기체를 분출시키는 샤워헤드(82)(기체분출수단)가 설치되고, 이 샤워헤드(82)의 하측 전면으로부터 불활성가스 등이 분출되도록 되어 있다.

프레임(81)의 앞뒤에는 기판반입구(84)와 기판반출구(85)가 설치되어 있고, 그 측면에는 반송아암(41) 이동용의 절삭부(도시 않됨)가 설치되고, 반송아암(41)에 의해 반입구(84)로부터 반입된 기판이 프레임(81)내에 이동되어 반출구(85)로부터 반출될 때까지 기판(G)에는 샤워헤드(82)로부터 분출된 불활성가스 등이 뿜어지도록 되어 있다.

이와 같이 기판(G)이 이동되는 동안에 기판(G)에 불활성가스 등이 뿜어짐으로써, 기판(G)에 도포된 레지스트액의 건조가 진행되고 레지스트액중의 신나 등의 용제가 어느정도 증발되도록 되어 있다.

다음, 도 7을 참조하여 가열처리유니트(HP)에 관하여 설명한다. 도 7은 가열처리유니트(HP)의 개략단면도이다. 이 가열처리유니트(HP)(28, 29)는 도 7에 나타낸 바와 같이 승강이 자유로운 커버(71)를 가지고 이 커버(71)의 하측에는 기판(G)을 가열하기 위한 가열플레이트(72)가 수평으로 배치되어 있다. 이 가열플레이트(72)에는 소정의 온도로 설정가능한 히터(도시 않됨)가 장착되어 있다.

이 가열플레이트(72)의 표면에는 복수의 고정핀(73)이 설치되어 있고, 이 고정핀(73)에 의해 기판(G)이 보지되어 있다. 즉 가열플레이트(72)와 기판(G)의 직접적인 접촉을 피하는 프록시미티 방식이 채용되어 있어, 가열플레이트(72)로부터의 방열에 의해 기판(G)을 가열처리하도록 되어 있다. 이에 의해, 가열플레이트(72)로부터 기판(G)으로의 오염이 방지된다.

또, 가열프레이트(72)에 설치된 복수의 구멍속에는 승강이 자유로운 복수의 리프트핀(lift pin)(75)이 각각 설치되어 있다. 이들 리프트핀(75)의 하부는 지지부재(76)에 의해 지지되어 있고, 이 지지부재(76)는 승강기구(77)에 의해 승강되도록 구성되어 있다. 따라서, 승강기구(77)에 의해 지지부재(76)가 상승되면 리프트핀(75)이 상승되어 반입된 기판(G)을 건네받고, 이어 리프트핀(75)이 하강되어 기판(G)을 고정핀(73)위에 재치함과 동시에, 가열처리후 리프트핀(75)은 다시 상승되어 기판(G)을 반출위치까지 들어 올리도록 되어 있다.

다음, 레지스트도포부터 가열처리까지의 일련의 동작에 관하여 상세히 설명한다.

상술한 바와 같이 일체적으로 구성된 레지스트도포처리유니트(COT)(22), 건조처리유니트(DR)(80) 및 엣지리무버(ER)(23)에 있어서는, 먼저 레지스트도포처리유니트(COT)(22)에서, 셔터(95)를 하강시켜 반입구(22a)로부터 주반송장치(18)에 의해 기판(G)이 스핀척 위에 재치된다. 주반송장치(18)가 반입구(22a)로부터 퇴출된 후, 셔터(95)가 상승되어, 레지스트도포처리유니트(CPT)(22), 건조처리유니트(DR)(80) 및 엣지리무버(ER)(23)가 배치된 유니트부(107)내는 폐쇄된 공간으로 된다. 스핀척(51) 및 회전컵(52)과 함께 기판(G)이 회전되고, 분출부(56)가 기판(G)의 중심 상방에 위치되도록 아암(55)이 돌려져, 용제노즐(58)로부터 기판(G)의 표면 중심에 신나가 공급된다.

다음, 기판(G)을 회전시킨 상태에서 레지스트노즐(57)로부터 기판(G)의 중심에 레지스트를 적하하여 기판(G) 전체에 확산시키고, 뚜껑(93)으로 회전컵(52)을 폐쇄하고, 기판(G)의 회전수를 상승시켜 레지스트막의 막두께를 조정한다.

그 후, 회전컵(52)을 회전시키든가 또는 배기구(104)로부터 배기시켜, 회전컵(52)내를 상압(常壓)보다 낮은 압력으로 유지하면서 레지스트막을 건조시킨다 (제 1 건조공정).

회전컵(52)내를 감압하여 레지스트막을 건조시킴으로써, 다음공정으로 기판(G)을 반송하는 반송아암(41)에 레지스트가 부착하여 건조되어, 이것이 파티클로 되어 기판(G)상에 부착되는 일이 없고, 또 반송아암(41)의 가속 및 감속으로부터의 관성에 의해 레지스트막이 변동되는 일도 없고, 전사에 대해서도 효과적이다. 또, 회전컵(52)내를 감압시키고 있기 때문에, 회전컵(52)내의 미스트(mist)가 밖으로 새어나가 파티클로 되어 기판에 부착되는 일도 없다.

또, 제 1건조공정에 있어서, 전사가 발생되지 않을 정도로 가열하는 것도 가능하기 때문에 건조처리시간을 더욱 단축시킬 수 있다.

그 후, 회전컵(52)내에서 샤워헤드(94)로부터 기판(G)에 불활성가스를 레지스트막의 막두께가 변화하지 않을 정도의 양으로 공급하면서 레지스트막을 건조시키면 건조처리시간을 더욱 단축시킬 수 있다.

이와 같이 하여 레지스트도포가 종료된 기판(G)은 스핀척(51)으로부터 반송아암(41)에 의해 건조처리유니트(DR)(80)에 반송되어, 이곳을 통과하면서 샤워헤드(82)로부터 뿜어진 불활성가스에 의해 레지스트액내의 용제가 어느정도 증발되고, 그 후 엣지리무버(ER)(23)로 반송되어 재치대(61)위로 재치되고 4개의 리무버헤드(62)가 기판(G)의 각변을 따라서 이동되어 토출된 신나에 의해 기판(G) 사변의 엣지에 부착된 불필요한 레지스트가 제거(단면처리공정)된다. 엣지리무버(ER)(23)로부터 반출된 기판(G)은 유니트(28, 29)의 어느 한쪽 가열처리유니트(HP)에서 프리베이크처리가 행하여진다.

이와 같이 비가열건조처리 후 가열건조처리를 행하기 때문에, 레지스트액중의 용제를 완전히 건조시키는 것이 가능하고, 현상 후에 있어서 기판상에 도포된 레지스트액이 현상액에 용해되어 용해된 부분의 막두께가 감소되지 않고 전사에 대해서도 효과적이다.

또, 특히 레지스트도포처리유니트(CPT)(22), 건조처리유니트(DR)(80) 및 엣지리무버(ER)(23)로 구성된 유니트부(107)의 환경온도 및 습도가 변화하면 레지스트의 막두께가 변하고, 콘테미네이션이 많으면 완전히 건조되지 않은 레지스트막에 부착되어 다운플로우(down flow)로써도 부착된 콘테미네이션이 제거되지 않고, 예를 들어 암모니아등과 같은 케미칼의 환경농도가 높으면 레지스트와 반응하여 레지스트의 막이 열화하기 때문에 유니트부(107) 상부의 팬필터유니트(90a)와 그 외의 팬필터유니트(90)를 각각 독립적으로 설치하여 유니트부(107)의 환경을 장치내의 타부분의 환경보다 엄밀히 관리할 필요가 있고, 팬필터유니트(90)와 팬필터유니트(90a)는 서로 다른 환경으로 제어가능하고 유니트부(107)의 환경은 그 외 부분의 환경보다 엄밀하게 관리된다. 따라서, 레지스트의 막두께가 변하지 않고, 또 기판(G)위에 콘테미네이션이 부착되지 않고, 또 레지스트막이 열화되지 않고, 전사에 대해서도 효과적이다. 또, 장치내의 환경을 전부 엄밀하게 관리 및 유지하는 것과 비교하여 장치의 부품수도 감소하기 때문에 장치의 소형화가 가능하고 장치내의 환경을 전부 엄밀하게 관리 및 유지하는 것과 비교하여 장치의 런닝코스트(running cost)도 감소시킬 수 있다. 또, 셔터(95, 96)를 설치하는 대신에 유니트부(107)내의 환경을 타부분보다 높은 압력 즉 양압(陽壓)으로 유지시켜, 유니트부(107)외의 환경이 유니트부(107)내로 흘러들어오지 않도록 하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 경우, 구동부를 감소시킬 수 있기 때문에 콘테미네이션을 더욱 감소시킬 수 있고, 전사에 대해서도 효과적이다.

이와 같이, 기판(G)을 건조처리유니트(DR)(80)에 의해 실질적으로 비가열처리상태로 건조시킴으로써, 레지스트액중의 용제가 서서히 방출되어 레지스트에 악영향을 주는 일 없이 레지스트의 건조를 촉진시킬 수 있고, 또 후공정(後工程)으로서의 가열처리공정에 있어서 급격히 건조되는 것을 방지시킬 수 있기 때문에 기판(G)위에 전사가 일어나는 것을 방지할 수 있다.

또, 이와 같이 불활성가스등을 뿜어냄으로써 레지스트액중의 신나 등의 용제가 어느정도 증발되기 때문에, 이 건조공정 후 엣지리무버(ER)(23)에 의해 기판(G)의 단면처리를 행할 경우에 불필요한 레지스트액을 용이하게 제거할 수 있다. 또, 레지스트가 흐르지 않을 정도로 건조시키기 때문에 레지스트가 제거된 부분으로 건조되지 않은 레지스트가 흘러 들어오지 않는다.

또한, 상기 건조처리유니트(DR)(80)에 있어서, 기판(G)으로 불활성가스 등을 뿜어내는 것은, 기판(G)의 이동중에 행하지 않아도 좋고, 기판(G)을 정지시켜 불활성가스 등을 뿜어내도 좋다. 또, 샤워헤드(82)로부터의 불활성가스 등의 분출은 하측 전면이 아니고 가로 일렬로 불활성가스 등을 분출하도록 구성해도 좋다.

더우기, 도 6에 나타낸 바와 같이 불활성가스 등을 뿜어냄으로써 건조시키는 대신에 상기 제 1 건조공정을 행한 후, 제 2 건조공정인 감압건조를 도 8, 9에 나타낸 감압건조처리유니트(VD)(109)에서 행해도 좋다.

감압건조처리유니트(VD)(109)에는 로우챔버(low chamber)(110)와 이 위를 덮듯이 설치되어 내부 처리실이 기밀한 상태로 유지되도록 하는 어퍼챔버(upper chamber)(111)가 설치되어 있다. 이 로우챔버(110)에는 기판(G)을 재치하기 위한 스테이지(112)가 설치되고, 로우챔버(110)의 각 코너부에는 4개의 배기구(113)가 설치되며, 이 배기구에 연결되어 통하는 배기관(114)(도 9)이 터보분자배기펌프 등의 배기펌프(도시 생략)에 접속됨으로써 로우챔버(110)와 어퍼챔버(111)사이의 처리실 내의 가스가 배기되어, 소정의 진공도(眞空度), 예를 들어 0.1 Torr로 감압되도록 구성되어 있다. 또한, 스테이지(112)에는 흡착기구가 설치되어 있지 않고 단순히 기판(G)이 재치되도록 되어 있다. 또, 스테이지(63)에는 기판(G)을 주고 받을 때 쓰이는 핀(도시 않됨)이 출몰가능하도록 설치되어 있다. 이들 핀은 기판처리에 악영향을 미치지 않도록 기판의 처리영역이외의 부분에 접촉되는 위치에 배치되어 있다.

또, 감압시에 있어 기판(G)이 후처리장치인 엣지리무버(ER)(23)에서 처리가능한 허용범위 위로 미끄러지지 않게 하기 위하여, 미끄럼방지가이드(115)가 스테이지(112)의 주변에 배치되도록 로우챔버(110) 위에 설치되어 있다. 기판(G)이 정규위치에 재치될 경우에는 기판(G)이 미끄럼방지가이드(115)에 접촉되는 일이 없다.

감압건조처리유니트(VD)(109)에서의 기판처리에 관하여 설명하면, 레지스트가 도포된 기판(G)은 반송아암(41)에 의해 감압건조처리유니트(VD)(109)에 반송되어, 로우챔버(110)와 어퍼챔버(111)의 사이의 처리실내 가스가 배기되어 소정의 진공도, 예를 들어 0.1 Torr로 감압됨으로써, 레지스트 내의 신나 등의 용제가 어느정도 증발되어, 레지스트 내의 용제가 서서히 방출되어 레지스트에 악영향을 미치는 일없이 레지스트의 건조를 촉진시키는 것이 가능하며, 후술하는 바와 같이, 기판(G)위에 전사가 생기는 것을 유효하게 방지시킬 수 있다.

제 2 건조공정의 환경은, 제 1 건조공정의 환경보다 저압력으로 설정되는 것이 바람직하다. 제 1 건조공정에서 레지스트막 내의 미소한 거품이 성장하지 않을 정도로 감압시켜 건조시킴으로써, 상기 미소한 거품이 성장하지 않을 정도로 건조시킨 다음, 제 1 건조공정의 환경보다 저압력으로 설정된 제 2 건조공정의 환경에서 건조시킴으로써, 미소한 거품이 성장하여 막두께가 변화하는 일이 없고 전사에 대해서도 효과적이다. 또, 제 1과 제 2 건조공정을 분리함으로써 병렬처리를 행할 수 있기 때문에 효과적인 건조처리를 실시할 수 있다.

또, 제 2 건조공정 후에 가열건조처리를 행하기 때문에 레지스트액 내의 용제를 완전히 건조시킬 수 있어서, 현상 후에 기판상에 도포된 레지스트액이 현상액에 의해 용해되어 용해된 부분의 막두께가 감소되는 일도 없고, 전사에 대해서도 효과적이다.

이 경우에도 압력을 낮춤으로써, 레지스트액 내의 신나 등의 용제가 어느 정도 증발되어 레지스트액 내의 용제가 서서히 방출되기 때문에, 레지스트에 악영향을 끼치는 일 없이 레지시트의 건조를 촉진시킬 수 있고, 기판(G)상에 전사가 생기는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

또, 유니트 내외의 환경을 차단하는 개폐기구로서의 셔터를 상하로 이동시키고 있으나, 이와 같은 수직운동 뿐만 아니라, 물론 수평방향으로 이동(수평운동)시켜도 좋고, 또 어느 축을 중심으로 회전이동(회전운동)시켜도 좋은 것은 물론이다. 이 경우 수평운동에 의해서는 수직운동보다 작은 구동력으로 셔터를 개폐할 수 있고, 또 회전운동에 의해서는 셔터를 열었을 때 유니트 외부에서부터 흘러들어 오는 환경이 셔터에 부딪히게 하여 흘러들어 오는 환경의 방향을 바꿈으로써, 유니트 내의 기판재치부에 유니트 외의 환경이 직접 흘러들어 오는 것을 방지 할 수 있어, 파티클 또는 케미칼 등의 부착을 방지할 수 있다.

또, 기판에 기체를 공급하는 기체공급기구로서의 샤워헤드를 레지스트도포처리유니트(COT)의 뚜껑 하방에 설치하고 있으나, 이동아암(도시 않됨)에 샤워헤드를 부착시켜 기체의 분출시에 기판(G)상으로 배치시켜도 물론 좋다. 이 경우 회전컵(52)내의 용적을 작게 할 수 있고, 회전컵(52)내를 보다 단시간내에 상압보다 낮은 압력으로 설정할 수 있기 때문에 스루풋(throughput)의 향상 또는 장치의 소형화를 꾀할 수 있다.

또, 유니트 내의 반송기구로서의 반송아암을 유니트 내에 한 개 설치하고 있으나, 도 8에 나타낸 바와 같이, 반송아암이 레지스트도포처리유니트(CPT)(22)에서부터 건조처리유니트(DR)(80)까지 기판(G)을 반송하는 제 1 반송아암(41a)과, 건조처리유니트(DR)(80)에서부터 엣지리무버(ER)(23)까지 기판(G)을 반송하는 제 2 반송아암(41b)으로 구성되어도 물론 좋다. 이 경우, 레지스트 도포처리 유니트(CPT)(22)에서부터 건조처리유니트(DR)(80)까지 기판(G)을 반송하는 전용의 반송아암과, 건조처리유니트(DR)(80)에서부터 엣지리무버(ER)(23)까지 기판(G)을 반송하는 전용의 반송아암이 설치되어 있기 때문에 보다 더 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.

또, 기판(G) 주변부의 레지스트를 제거하는 제거처리부로서의 엣지리무버(ER)(23)에 관해서, 그 외의 실시형태를 설명한다. 여기에서 엣지리무버(ER)(23)와 같은 구성의 부분은 도면중의 번호를 엣지리무버(ER)(23)와 같게 하고, 설명을 생략한다.

또, 도 8에 나타낸 바와 같이, 엣지리무버(ER)(116)의 재치대(61)상의 2개의 코너부에는, 기판(G)의 위치를 결정하는 2개의 얼라인먼트(alignment)기구(108)가 설치되어 있다.

엣지리무버(ER)(116)에서의 기판 처리에 관해서 설명하면, 기판(G)은 반송아암(41)에 의해 엣지리무버(ER)(116)로 반송되어 얼라인먼트기구(108)에 의해 얼라인먼트된 후, 4개의 리무버(62)가 기판의 각 변을 따라 이동하여 토출된 신나에 의해 기판(G)의 네변의 엣지에 부착된 불필요한 레지스트를 제거한다. 이 경우 레지스트도포처리유니트(CPT)(22) 및 건조처리유니트(DR)(80)에서의 처리중에 기판(G)이 미끄러져 위치비틀림이 발생되어도, 얼라인먼트 후에 4개의 리무버(62)가 기판(G)의 각 변을 따라서 이동하기 때문에 정확한 단면처리가 가능하다.

덧붙여 말하면, 본 발명은 상기의 실시형태에 한정되지 않고 여러가지로의 변형이 가능하다. 예를 들어, 상기의 실시형태에서는 LCD 기판용의 도포·현상처리시스템에 관하여 설명하였으나, LCD 기판용 칼라필터의 도포·현상처리시스템 및 LCD기판용 이외의 타 피처리기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼용의 도포·현상처리시스템에도 본 발명을 적용시킬 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레지스트액의 도포 직후에 기판을 실질적으로 비가열상태에서 건조시킴으로써 레지스트액 내의 용제가 서서히 방출되기 때문에 레지스트에 악영향을 끼치는 일 없이 레지스트의 건조를 촉진시킬 수 있어서, 기판상에 전사가 발생되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

이 비가열상태에서의 건조는 레지스트액이 도포된 기판에 기체를 뿜어내면서 건조시키거나 또는 레지스트액이 도포된 기판을 감압상태에서 건조시킴으로써, 비가열상태에서의 건조를 간이한 수단에 의해 실현가능하다.

또, 이 비가열상태에서의 건조공정 후에 기판의 단면에 부착된 레지스트를 제거할 경우, 레지스트액의 건조가 진행되고 있기 때문에 불필요한 레지스트액을 용이하게 제거할 수 있다.

Claims

레지스트액이 도포된 기판의 노광처리 및 현상처리시에 기판상의 레지스트액을 가열하여 건조시키는 기판처리방법에 있어서,

기판에 레지스트액을 도포한 후, 이 레지스트 액이 도포된 기판을 실질적으로 비가열방식에 의해 건조처리하고 그 후 가열건조처리하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
기판 표면에 소정의 막을 형성시키는 기판처리방법에 있어서,

기판 표면에 도포액을 도포하고 제 1 감압환경하에서 건조시키는 제 1건조공정과, 상기 기판을 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 비가열방식에 의해 건조처리하는 제 2 건조공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 2의 기판처리방법에 있어서,

또한 상기 제 2 건조공정 후, 기판을 가열건조처리하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 1의 기판처리방법에 있어서,

상기 비가열방식에 의한 건조처리는 레지스트액이 도포된 기판을 감압상태에서 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 2의 기판처리방법에 있어서,

상기 비가열방식에 의한 건조처리는 레지스트액이 도포된 기판에 기체를 공급하면서 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 3의 기판처리방법에 있어서,

상기 비가열방식에 의한 건조처리 후, 상기 가열건조처리에 앞서 기판단면에 부착된 레지스트 또는 소정의 막을 제거하는 단면처리공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 6의 기판처리방법에 있어서,

상기 단면처리공정부터 가열건조처리를 행하는 동안의 기판의 반송환경과, 기판에 도포액을 도포한 후부터 단면처리공정까지 동안의 기판의 반송환경이 서로 다른 환경인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 7의 기판처리방법에 있어서,

상기 기판에 도포액을 도포한 후에서부터 단면처리공정까지 동안의 기판의 반송환경은 온도, 습도, 콘테미네이션, 케미칼 중에서 적어도 한가지의 제어가 이루어지고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 7의 기판처리방법에 있어서,

상기 단면처리공정부터 가열건조처리를 실시하는 동안의 기판의 반송기구와, 기판에 도포액을 도포한 후에서부터 단면처리공정까지 동안의 기판의 반송기구가 서로 다른 기구인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
기판 표면에 소정의 막을 형성시키는 기판처리장치에 있어서,

기판 표면에 도포액을 도포하고 제 1 감압환경하에서 건조시키는 도포처리부와, 상기 기판을 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 비가열 방식으로 건조처리하는 감압처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판 표면에 소정의 막을 형성시키는 기판처리장치에 있어서,

기판 표면에 도포액을 도포하고 제 1 감압환경하에서 건조시키는 도포처리부와, 상기 기판을 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 건조처리하는 감압처리부와, 상기 기판 주변부의 소정의 막을 제거하는 제거처리부로 구성되는 유니트부와, 이 유니트부에 배치되어 제거처리부와 감압처리부간 및 도포처리부와 감압처리부간에서 기판을 반송하는 유니트내 반송기구와, 상기 유니트내의 환경을 제어하는 환경제어기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판 표면에 소정의 막을 형성시키는 기판처리장치에 있어서,

기판 표면에 도포액을 도포하고 제 1 감압환경하에서 건조시키는 도포처리부와, 상기 기판을 제 1 감압환경보다 낮은 압력으로 설정된 제 2 감압환경하에서 건조처리하는 감압처리부와, 상기 기판 주변부의 소정의 막을 제거하는 제거처리부로 구성되는 유니트부와, 이 유니트부외에 배치되어 상기 기판을 가열처리하는 복수의 가열처리부와, 상기 유니트부에 배치되어 제거처리부와 감압처리부간 및 도포처리부와 감압처리부간에서 기판을 반송하는 유니트내 반송기구와, 상기 유니트외에 배치되어 상기 복수의 가열처리부 중의 하나의 가열처리부와 제거처리부간에서의 기판 반송을 행하는 유니트부외 반송기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 12의 기판처리장치에 있어서,

상기 유니트내와 유니트외는 각각 독립 설치되어, 제각기 환경을 제어하는 환경제어기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 12의 기판처리장치에 있어서,

상기 유니트내와 유니트외의 환경은 서로 다른 환경으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 10의 기판처리장치에 있어서,

상기 도포처리부와 상기 감압처리부의 적어도 한쪽은 기판에 기체를 공급하는 기체공급기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 11의 기판처리장치에 있어서,

상기 도포처리부와 상기 감압처리부의 적어도 한쪽은 기판에 기체를 공급하는 기체공급기구를 구비하고 있는 것을 특징으로하는 기판처리장치.
청구항 12의 기판처리장치에 있어서,

상기 도포처리부와 상기 감압처리부의 적어도 한쪽은 기판에 기체를 공급하는 기체공급기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1의 기판처리방법에 있어서,

상기 비가열방식에 의한 건조처리는 레지스트액이 도포된 기판에 기체를 공급하면서 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 1의 기판처리방법에 있어서,

상기 비가열방식에 의한 건조처리 후, 상기 가열건조처리에 앞서 기판 단면에 부착된 레지스트 또는 소정의 막을 제거하는 단면처리공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 19의 기판처리방법에 있어서,

상기 단면처리공정부터 가열건조처리를 행하는 동안의 기판의 반송환경과, 기판에 도포액을 도포한 후부터 단면처리공정까지의 기판의 반송환경이 서로 다른 환경인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.