JP3135846B2 - 被膜形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はガラス板や半導体ウ
ェハー等の表面に各種被膜を形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶基板として用いるガラス板にはガラ
ス中のナトリウムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止した
り、ガラス板の屈折率を調整するため、ガラス板表面に
所定の性質を有する被膜を形成している。斯かる被膜を
形成するには、被処理物の表面に被膜形成用の塗布液を
滴下し、これをスピンナーによって均一に拡げ、次いで
加熱することで被膜とするようにしている。

【０００３】上述した従来の装置において、スピンナー
によって被膜形成用の液体を被処理物表面に塗布する場
合、被処理物の外端部まで拡がった塗布液の一部が被処
理物の裏面まで廻り込んでそのまま固まってしまう。

【０００４】斯かる不利を解消するため、従来にあって
はスピンナー装置と同一箇所において、被処理物の裏面
に洗浄液を吹き付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去
するようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被処理
物の裏面を洗浄液によって裏面に廻り込んだ塗布液を除
去しても、またすぐに表面側から塗布液が廻り込んでし
まう。逆に、表面側の塗布液を完全に乾燥させ塗布液が
廻り込まないようにしてから洗浄すると、洗浄に極めて
長時間を要することになる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る被膜形成方法は、ガラス板や半導体ウェーハ
等の被処理物の搬送ラインに沿って、上流側から下流側
に向かって、塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配
置した被膜形成ラインによる被膜形成方法を前提とし、
前記塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を
減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置において、
被処理物表面に塗布された塗布液をある程度まで乾燥せ
しめ、次いでこのある程度塗布液が乾燥せしめられた被
処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物表面に既に廻り
込んでいる塗布液を除去するようにした。このように本
発明によれば、被処理物に塗布した液体がある程度乾燥
した後に、裏面洗浄を行なうので、塗布した液体が再び
裏面に廻り込むことがない。ここで、「ある程度乾燥せ
しめる」とは所謂「生乾き」状態を指し、完全乾燥を含
まないのは、発明の目的から当然である。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明方法の
実施に用いる被膜形成装置の平面図、図２は図１のＡ−
Ａ線断面図である。

【０００８】被膜形成装置はガラス板や半導体ウェハー
等の被処理物Ｗの搬送ラインの一部を構成し、被処理物
Ｗの投入部１の下流側に塗布用スピンナー２を配置し、
この塗布用スピンナー２の下流側に減圧乾燥装置３を配
置し、この減圧乾燥装置３の下流側に被処理物Ｗの裏面
洗浄用スピンナー４を配置し、更に裏面洗浄用スピンナ
ー４の下流側にホットプレート５を配置し、投入部１か
らホットプレート５に至るまでは搬送装置６によって被
処理物Ｗを搬送し、ホットプレート５の部分においては
搬送装置７によって被処理物Ｗを搬送するようにしてい
る。

【０００９】また、前記塗布用スピンナー２はカップ状
をなすケーシング２０の中央に筒部２１を設け、この筒
部２１に下方からモータによって回転せしめられるチャ
ック２２を挿入し、このチャック２２の上方にはチャッ
ク２２に吸着保持された被処理物Ｗの表面に被膜形成用
の液体を滴下するノズル２３を臨ませている。

【００１０】また、前記洗浄用スピンナー４はケーシン
グ４０の中央にチャック４２を挿入する筒部４１を設け
るとともに、この筒部４１の上部に洗浄液噴出ノズル４
３を対向して一対設けている。

【００１１】一方、ホットプレート５は搬送方向に沿っ
て３台配置され、各ホットプレート５は搬送方向と直交
する方向に３分割され、各分割体５０…間に隙間５１を
形成し、この隙間５１に薄板状バー５２を臨ませ、この
薄板状バー５２をガイドロッド５３に沿って移動するシ
リンダユニット５４に取り付けている。

【００１２】而してシリンダユニット５４に伸長動をな
さしめることで薄板状バー５２の上端がホットプレート
５の隙間５１から突出してホットプレート５上の被処理
物Ｗを持ち上げ、この状態でガイドロッド５３に沿って
シリンダユニット５４とともに薄板状バー５２を下流側
へ移動し、次いでシリンダユニット５４を圧縮し薄板状
バー５２の上端をホットプレート５上面より下げること
で、被処理物Ｗを下流側のホットプレート５に移し換え
る。このようなクランク動を繰り返すことで順次下流側
のホットプレートに移し換える。

【００１３】更に前記搬送装置６は被膜形成装置の一側
に沿ってレール６０を設けこのレール６０に夫々独立し
て動作し得る移動体６１…を係合し、この移動体６１か
ら被膜形成装置の上方に昇降自在な水平バー６２を延出
し、この水平バー６２に支持爪６３を取り付けている。

【００１４】以上において被処理物Ｗの表面に被膜を形
成する方法を以下に述べる。先ず投入部１まで搬送され
てきた被処理物Ｗを搬送装置６を用いて塗布用スピンナ
ー２のチャック２２上に移載する。この場合、被処理物
はその前後端下面を一対の水平バー６２，６２の支持爪
６３にて係止された状態で移される。

【００１５】この後ノズル２３からチャック２２上に保
持されている被処理物２表面の中央に被膜形成用の塗布
液を滴下し、チャックを回転せしめることで被処理物Ｗ
表面に塗布液を均一に拡げる。この時、被処理物Ｗの外
端部下面には被膜形成用の液体の一部が廻り込んでいる
がそのまま減圧乾燥装置３に搬送してある程度まで乾燥
せしめる。

【００１６】次いで搬送装置６によって被処理物を洗浄
用スピンナー４のチャック４２上に移載し、チャック４
２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せしめるとと
もに下面にノズル４３から洗浄液を噴出し、下面に廻り
込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。

【００１７】この後、被処理物Ｗをホットプレート５上
に送りだし、加熱によって被処理物Ｗ表面に被膜を形成
する。

【００１８】

【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
被処理物の搬送ラインの上流側から下流側に向かって、
塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形
成ラインによって被膜を形成するにあたり、塗布装置に
て被処理物に塗布された塗布液を、減圧乾燥装置にて所
謂生乾きの状態にして洗浄装置に送り込むようにしたの
で、表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打った
り、表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだ
り、更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防
止でき、しかも完全に乾燥させていないので、簡単に溶
媒（洗浄液）に溶解し、裏面洗浄の時間を短縮すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の実施に用いる被膜形成装置の平面
図

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図

【符号の説明】

２…塗布装置（塗布用スピンナー）、３…減圧乾燥装
置、４…洗浄装置（洗浄用スピンナー）、５…ホットプ
レート、６，７…搬送装置、２２，４２…チャック、Ｗ
…被処理物。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植原 晃 神奈川県横浜市旭区若葉台２丁目24番 204号 (72)発明者 中山 宗雄 東京都世田谷区代田４丁目２番28号 (56)参考文献 特開 平２−75376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−22431（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−62218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−53421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−198122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−22375（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−67735（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B05D 3/00 - 3/14 B05D 1/40 B05C 9/08 - 9/14 H01L 21/027 B05C 11/08

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物
   の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向かって、
   塗布装置、減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形
   成ラインによる被膜形成方法であって、この被膜形成方
   法は、塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物
   を減圧乾燥装置に送り込み、この減圧乾燥装置におい
   て、被処理物表面に塗布された塗布液をある程度乾燥せ
   しめ、次いでこのある程度塗布液が乾燥せしめられた被
   処理物を洗浄装置に送り込み、被処理物の表面から廻り
   込んで付着し、ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液
   を除去するようにしたことを特徴とする被膜形成方法。