JP2756596B2 - 被膜形成装置 - Google Patents

被膜形成装置

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JP2756596B2
JP2756596B2 JP1238142A JP23814289A JP2756596B2 JP 2756596 B2 JP2756596 B2 JP 2756596B2 JP 1238142 A JP1238142 A JP 1238142A JP 23814289 A JP23814289 A JP 23814289A JP 2756596 B2 JP2756596 B2 JP 2756596B2
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秀行 水木
勝彦 工藤
晃 植原
宗雄 中山
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はガラス板や半導体ウェハー等の表面に各種被
膜を形成する装置に関する。
(従来の技術) 液晶基板として用いるガラス板にはガラス中のナトリ
ウムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり、ガラス板
の屈折率を調整するため、ガラス板表面に所定の性質を
有する被膜を形成している。
斯る被膜を形成するには、被処理物の表面に被膜形成
用の液体を滴下し、これをスピンナーによって均一に拡
げ、次いで加熱することで被膜とするようにしている。
(発明が解決しようとする課題) 上述した従来の装置において、スピンナーによって被
膜形成用の液体を被処理物表面に塗布する場合、被処理
物の外端部まで拡がった塗布液の一部が被処理物の裏面
まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
斯る不利を解消するため、従来にあってはスピンナー
装置と同一箇所において、被処理物の裏面に洗浄液を吹
き付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去するようにし
ている。
しかしながら、被処理物の裏面を洗浄液によって裏面
に廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側か
ら塗布液が廻り込んでしまう。
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決すべく本発明は、被処理物の表面に被
膜となる液体を均一に塗布するスピンナーの下流側に減
圧乾燥装置を配置し、この減圧乾燥装置の下流側に被処
理物の裏面を洗浄するスピンナーを配置した。
(作用) 被処理物の表面に塗布した液体がある程度乾燥した後
に、裏面洗浄を行うので、塗布した液体が再び裏面に廻
り込むことがない。
(実施例) 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
第1図は本発明に係る被膜形成装置の平面図、第2図
は第1図のA−A線断面図である。
被膜形成装置はガラス板や半導体ウェハー等の被処理
物Wの搬送ラインの一部を構成し、被処理物Wの投入部
1の下流側に塗布用スピンナー2を配置し、この塗布用
スピンナー2の下流側に減圧乾燥装置3を配置し、この
減圧乾燥装置3の下流側に被処理物Wの裏面洗浄用スピ
ンナー4を配置し、更に裏面洗浄用スピンナー4の下流
側にホットプレート5を配置し、投入部1からホットプ
レート5に至るまでは搬送装置6によって被処理物Wを
搬送し、ホットプレート5の部分においては搬送装置7
によって被処理物Wを搬送するようにしている。
また、前記塗布用スピンナー2はカップ状をなすケー
シング20の中央に筒部21を設け、この筒部21に下方から
モータによって回転せしめられるチャック22を挿入し、
このチャック22の上方にはチャック22に吸着保持された
被処理物Wの表面に被膜形成用の液体を滴下するノズル
23を臨ませている。
また、前記洗浄用スピンナー4はケーシング40の中央
にチャック42を挿入する筒部41を設けるとともに、この
筒部41の上部に洗浄液噴出ノズル43を対向して一対設け
ている。
一方、ホットプレート5は搬送方向に沿って3台配置
され、各ホットプレート5は搬送方向と直交する方向に
3分割され、各分割体50…間に隙間51を形成し、この隙
間51に薄板状バー52を臨ませ、この薄板状バー52をガイ
ドロッド53に沿って移動するシリンダユニット54に取り
付けている。而してシリンダユニット54に伸長動をなさ
しめることで薄板状バー52の上端がホットプレート5の
隙間51から突出してホットプレート5上の被処理物Wを
持ち上げ、この状態でガイドロッド53に沿ってシリンダ
ユニット54とともに薄板状バー52を下流側へ移動し、次
いでシリンダユニット54を圧縮し薄板状バー52の上端を
ホットプレート5上面より下げることで、被処理物Wを
下流側のホットプレート5に移し換える。このようなク
ランク動を繰り返すことで順次下流側のホットプレート
に移し換える。
更に前記搬送装置6は被膜形成装置の一側に沿ってレ
ール60を設け、このレール60に夫々独立して動作し得る
移動体61…を係合し、この移動体61から被膜形成装置の
上方に昇降自在な水平バー62を延出し、この水平バー62
に支持爪63を取付けている。
以上において被処理物Wの表面に被膜を形成する方法
を以下に述べる。
先ず投入部1まで搬送されてきた被処理物Wを搬送装
置6を用いて塗布用スピンナー2のチャック22上に移載
する。この場合、被処理物Wはその前後端下面を一対の
水平バー62,62の支持爪63にて係止された状態で移され
る。
この後ノズル23からチャック22上に保持されている被
処理物W表面の中央に被膜形成用の液体を滴下し、チャ
ックを回転せしめることで被処理物W表面に液体を均一
に拡げる。この時、被処理物Wの外端部下面には被膜形
成用の液体の一部が廻り込んでいるがそのまま減圧乾燥
装置3に搬送して乾燥せしめる。
次いで所定時間経過したら搬送装置6によって被処理
物Wを洗浄用スピンナー4のチャック42上に移載し、チ
ャック42で吸着した状態で被処理物Wを高速回転せしめ
るとともに下面にノズル43から洗浄液を噴出し、下面に
廻り込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。
この後、被処理物Wをホットプレート5上に送り出
し、加熱によって被処理物W表面に被膜を形成する。
(発明の効果) 以上に説明した如く本発明によれば、被処理物の表面
に均一に被膜形成用の液体を塗布した後、当該塗布液の
うち被処理物の裏面に廻り込んだ塗布液を洗い落とすこ
となく乾燥せしめ、この後当該廻り込んだ塗布液を洗い
落とすようにしたので確実に被処理物の裏面を洗浄でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る被膜形成装置の平面図、第2図は
第1図のA−A線断面図である。 尚、図面中2は塗布用スピンナー、3は減圧乾燥装置、
4は洗浄用スピンナー、5はホットプレート、6,7は搬
送装置、22,42はチャック、Wは被処理物である。
フロントページの続き (72)発明者 工藤 勝彦 神奈川県相模原市相南3丁目27番1― 304 (72)発明者 植原 晃 神奈川県横浜市旭区若葉台2丁目24番 204号 (72)発明者 中山 宗雄 東京都世田谷区代田4丁目2番28号 (56)参考文献 特開 平2−75376(JP,A) 特開 昭64−22375(JP,A) 特開 昭63−302521(JP,A) 実開 平1−67735(JP,U) 実開 昭63−152684(JP,U) 実開 昭52−72464(JP,U)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物表
    面に被膜を形成する装置において、この装置は被処理物
    の搬送ラインに沿って、上流側から下流側に向って、被
    膜となる液体を被処理物表面に均一に拡げる塗布用スピ
    ンナー、減圧乾燥装置及び被処理物の裏面洗浄用スピン
    ナーを順次配置したことを特徴とする被膜形成装置。
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