KR19990036713A

KR19990036713A - 배선기판 및 그것을 사용한 가스방전형 표시장치

Info

Publication number: KR19990036713A
Application number: KR1019980040782A
Authority: KR
Inventors: 마사시 니시키; 료헤이 사토; 유조 다니구치; 시게아키 스즈키; 미치후미 가와이; 마사히토 이쥬인; 아키라 야부시타; 마코토 후쿠시마; 도모히코 무라세
Original assignee: 가나이 쓰도무; 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date: 1997-10-03
Filing date: 1998-09-30
Publication date: 1999-05-25
Also published as: EP0907199B1; US20020014841A1; US6621217B2; EP0907199A3; US20020070665A1; US6346772B1; EP0907199A2; DE69841116D1; KR100430664B1; US6261144B1

Abstract

기판상에 배선패턴을 형성하는 배선기판 및 그것을 사용한 가스방전형 표시장치에 관한 것으로서, 전극의 사이드에치나 예기치 않은 침식에 의해 단선불량이 쉽게 발생한다는 문제점을 해결하기 위해서, 웨트에칭에 있어서의 레지스트를 무기재료로 형성하고, 여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고, 적어도 제1 전극 또는 제2 전극을 무기재료로 이루어지는 레지스트를 사용해서 웨트에칭에 의해 형성하고, 여러개의 제1 전극과 제1 전극을 피복하는 제1 유전체층을 갖는 앞면기판 및 여러개의 제2 전극과 제2 전극을 피복하는 제2 유전체층을 갖는 배면기판을 구비하고, 적어도 제1 전극과 제1 유전체층 사이 또는 제2 전극과 제2 유전체층 사이에 무기재료층을 갖고, 무기재료층을 사용해서 제1 전극 또는 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성하는 구성으로 하였다.

이렇게 하는 것에 의해서, 배선기판이나 가스방전형 표시장치에 형성하는 전극의 단선불량을 억제할 수 있고, 전극을 웨트에칭에 의해 형성하는 경우의 단선불량을 억제할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

배선기판 및 그것을 사용한 가스방전형 표시장치

본 발명은 기판상에 배선패턴을 형성하는 배선기판 및 그것을 사용한 가스방전형 표시장치에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 등의 가스방전형 표시장치는 자기발광에 의해 표시를 실행하므로 시야각이 넓고 표시가 보기 쉽다. 또, 박형의 것을 제작할 수 있는 것이나 대화면을 실현할 수 있다는 등의 특징을 갖고 있고, 정보단말기기의 표시장치나 고품위 텔레비젼수상기로의 응용이 개시되고 있다. 플라즈마 디스플레이는 직류구동형과 교류구동형으로 크게 나뉜다. 이 중, 교류구동형 플라즈마 디스플레이는 전극을 피복하고 있는 유전체층의 메모리작용에 의해서 휘도가 높고, 보호층의 형성 등에 의해 실용화할 수 있는 수명이 얻어지게 되었다. 그 결과, 플라즈마 디스플레이는 다용도의 비디오모니터로서 실용화되고 있다.

도 9는 실용화된 플라즈마 디스플레이패널의 구조를 도시한 사시도이다. 이 도면에서는 보기 쉽게 하기 위해 앞면기판(100)을 배변기판(200)에서 분리해서 도시하였다.

앞면기판(100)은 앞면유리기판(400)상에 ITO(Indium Tin Oxide)나 산화주석(SnO₂) 등의 투명도전재료로 이루어지는 표시전극(600)과 저저항재료로 이루어지는 버스전극(700), 투명한 절연재료로 이루어지는 유전체층(800), 산화마그네슘(MgO) 등의 재료로 이루어지는 보호층(900)이 형성된 구조로 되어 있다.

배면기판(200)은 배면유리기판(500)상에 어드레스전극(1000)과 배리어리브(1100), 형광체층(1200)이 형성된 구조로 되어 있다. 또, 도시는 하고 있지 않지만, 어드레스전극(1000)상에도 유전체층(1300)이 형성되어 있다.

그리고, 앞면기판(100)과 배면기판(200)을 표시전극(600)과 어드레스전극(1000)이 대략 직교하도록 점착하는 것에 의해 방전공간영역(300)이 앞면기판(100)과 배면유리기판(500) 사이에 형성되어 있다.

이 가스방전형 표시장치에서는 앞면기판(100)에 마련한 1쌍의 표시전극(600) 사이에 교류전압을 인가하고, 배변기판(200)에 마련한 어드레스전극(1000)과 표시전극(600) 사이에 전압을 인가하는 것에 의해서 어드레스방전을 발생시키고, 소정의 방전셀에 주방전을 발생시킨다. 이 주방전에 의해 발생하는 자외선에 의해 각각의 방전셀에 각각 도포된 적, 녹 및 청의 형광체(1200)을 발광시켜 표시를 실행하고 있다.

이와 같은 가스방전형 표시장치의 종래예는 예를 들면, 플렛패널 디스플레이 1996(닛케이 마이크로디바이스편, 1995년)의 제 208페이지∼215페이지에 기재되어 있다.

여기서, 앞면기판(100)이 갖는 버스전극(700)이나 배면기판(200)이 갖는 어드레스전극(1000)의 형성방법을 더욱 상세하게 설명한다. 도 8은 배면유리기판(500)상에 어드레스전극(1000)을 형성하는 1예를 도시한 것이다. 또한, 앞면기판(100)이 갖는 버스전극(700)도 대략 마찬가지의 공정에 의해 형성되므로 그 설명은 생략한다.

우선, 배면유리기판(500)상에 어드레스전극(1000)으로 되는 Cr/Cu/Cr층(1000a∼1000c), 어드레스전극(1000)의 패턴을 형성하기 위한 레지스트(2500)을 스퍼터링법이나 증착법이나 회전도포나 드라이막 등의 성막방법을 사용해서 순차 적층하도록 형성한다(스텝(a):성막공정). 다음에, 원하는 어드레스전극(1000)의 패턴으로 되도록 레지스트(2500)을 노출, 현상한다(스텝(b)(c):포토리도그래피공정). 다음에, Cr용 에칭액을 사용해서 Cr층(1000a)를 원하는 패턴으로 에칭한다(스텝(d):에칭공정). 다음에, 그 노출, 현상한 레지스트(2500)을 박리하고 재차 레지스트(2500)을 형성한다(스텝(e)(f)). 이상의 처리를 Cu층(1000b), Cr층(1000c)의 각 층에 대해서 반복하는 것에 의해(스텝(g)∼스텝(o)), 배면유리기판(500)상에 어드레스전극(1000)을 형성한다.

일반적으로, 이와 같은 에칭액을 사용한 프로세스를 웨트에칭(습식에칭)이라 부르지만, 종래의 웨트에칭에서는 레지스트(2500)을 유기재료로 형성하고 있었다.

또, 종래, 웨트에칭에 의해 전극을 형성하는 경우, 레지스트를 형성하기 위한 포토리도그래피공정이 필수였다.

본 발명자들은 포토리도그래피공정의 회수를 삭감하기 위해 예를 들면, 스텝(a)∼스텝(c)에서 형성한 레지스트(2500)만을 사용해서 Cr층(1000a), Cu층(1000b), Cr층(1000c) 등의 다층배선을 형성하는 것에 대해 검토하였다. 이 형성방법은 에칭액에 Cr층과 Cu층을 선택에칭가능한 것을 사용하면 가능하게 되지만, 실제로는 알칼리현상, 박리형의 레지스트에 대해서 손상을 입히지 않는 에칭액을 사용해서 에칭하면 Cr층(1000a), (1000c)가 매우 용이하게 사이드에치되고, Cr/Cu/Cr층의 가공정밀도가 매우 불안정하게 되는 것이 실험결과에서 명확하게 되었다. Cr층이 사이드에치된 경우, 그 사이드에치된 부분이 간극으로 되고 보이드나 에칭액 등의 잔사가 들어가 유전체의 소성공정에 의해 배선의 침식에 의한 단선불량이 발생해 버린다. 배선이 단선되면 가스방전형 표시패널에 있어서 표시에 기여하지 않는 선이 존재하게 되고 표시패널로서는 치명적인 문제로 되버린다. 또한 Cr/Cu/Cr층은 다른 전극재료에 비해 저저항의 배선으로 되므로, 가스방전형 표시패널과 같은 대형의 표시기기에 대해서 매우 유효하지만, Cr/Aℓ/Cr 등의 다층배선을 웨트에칭에 의해 형성하는 경우라도 마찬가지의 문제가 발생한다.

또, 레지스트를 유기재료로 형성하면, 레지스트와 전극의 밀착성이 원인으로 생기는 에칭액으로 인한 레지스트계면에서의 침식이나 이물 및 기포가 말려 들어가는 것이 원인으로 생기는 레지스트결함으로 인한 침식이 발생하고, 이것에 의해 단선불량을 발생시키는 것도 명확하게 되었다. 그 밖에, 종래의 레지스트는 포토리도그래피공정에 의해 형성되어 있었으므로, 이물 등이 원인으로 되어 레지스트결함이 쉽게 발생하였다. 레지스트결함이 있는 상태에서 웨트에칭에 의해 전극을 형성하면, 레지스트결함에 대응한 영역도 에칭되고 전극은 쉽게 단선되었다. 이들 문제는 Cr/Cu/Cr, Cr/Aℓ/Cr 등의 다층배선에 한정되지 않고, Aℓ, Ag, Ni, Au 등의 배선을 웨트에칭에 의해 형성하는 경우에도 마찬가지의 문제가 발생한다.

이와 같이, 종래의 웨트에칭을 사용해서 전극을 형성한 가스방전형 표시패널이나 배선기판에 있어서는 전극의 사이드에치나 예기치 않은 침식에 의해 단선불량이 쉽게 발생하였다. 또, 레지스트결합이 원인으로 생기는 단선불량도 쉽게 발생하였다.

본 발명의 목적은 배선기판이나 가스방전형 표시패널에 형성하는 전극의 단선불량을 억제하는 것이다. 특히, 전극을 웨트에칭에 의해 형성하는 경우의 단선불량을 억제하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 도시한 프로세스도,

도 2는 본 발명의 제2 실시예를 도시한 프로세스도,

도 3은 본 발명의 제3 실시예를 도시한 프로세스도,

도 4는 본 발명의 제4 실시예를 도시한 프로세스도,

도 5는 본 발명의 제5 실시예를 도시한 프로세스도,

도 6은 본 발명의 제6 실시예를 도시한 프로세스도,

도 7은 본 발명의 가스방전형 표시장치를 도시한 단면도,

도 8은 종래의 프로세스도,

도 9는 종래의 가스방전형 표시장치를 도시한 단면도.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 웨트에칭에 있어서의 레지스트를 무기재료로 형성하였다.

즉, 여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고, 적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 무기재료로 이루어지는 레지스트를 사용해서 웨트에칭에 의해 형성하였다.

또, 여러개의 제1 전극과 상기 제1 전극을 피복하는 제1 유전체층을 갖는 앞면기판 및 여러개의 제2 전극과 상기 제2 전극을 피복하는 제2 유전체층을 갖는 배면기판을 구비하고, 적어도 상기 제1 전극과 상기 제1 유전체층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 제2 유전체층 사이에 무기재료층을 갖고, 상기 무기재료층을 사용해서 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성하였다.

이것에 의해서, 무기재료를 스퍼터링법이나 증착법 등을 사용해서 성막한 레지스트는 종래의 유기재료의 레지스트에 비해 전극과의 밀착성이 증가하므로, 에칭액에 의한 레지스트계면에서의 침식을 억제할 수 있어 단선불량을 저감할 수 있었다.

또, 무기재료를 레지스트로서 사용하면, 종래의 유기재료에 비해 에칭손상을 고려할 필요도 없어지고, 에칭량을 제어하기 쉬운 에칭액을 사용할 수 있게 되고, 저렴한 무기재료를 사용해서 종래의 사이드에치에 의한 단선을 억제할 수 있었다. 무기재료로서는 예를 들면 ITO나 SiO₂등을 사용하면 좋다.

또, 무기재료층은 전극이나 유전체층의 반응도 적으므로, 무기재료층을 박리하지 않고 전극과 유전체층 사이에 개재시킬 수도 있고, 이것에 의해서 전극과 유전체층의 반응에 의한 전극의 침식이나 단선을 억제하는 것도 가능하게 되었다.

또한, 무기재료층을 사용한 레지스트의 형성방법은 포토리도그래피, 블라스터, 레이저 등의 어떠한 방법을 사용해서 형성해도 좋다.

또, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 레지스트를 블라스터를 사용해서 형성하는 것으로 하였다. 즉, 본 발명은 여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고, 적어도 상기 제1 전극상 또는 상기 제2 전극상에 블라스터를 사용해서 형성한 재료층을 갖고, 상기 재료층을 사용해서 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성하였다. 이 경우, 재료층이 제1, 제2 전극의 레지스트로 된다.

이 재료층을 형성하는 데에는 상기 재료층의 레지스트로 되는 보호층을 형성하지 않으면 안되지만, 블라스터를 사용해서 재료층(레지스트)를 형성하므로, 보호층과 재료층의 계면에 에칭액이 침투하지 않고, 재료층(레지스트)의 결함이 발생할 가능성이 낮아졌다. 따라서, 결함이 적은 재료층(레지스트)를 사용해서 웨트에칭하므로 전극의 단선 등을 억제할 수 있었다. 또, 블라스터를 사용한 레지스트의 가공은 단시간이고 또한 저렴하게 실현할 수 있었다.

그 밖에, 상기 재료층을 블라스터 대신에 레이저를 사용해서 형성하면 블라스터에서 사용한 보호층조차 형성하는 일이 없으므로, 포토리도그래피공정없이 전극을 형성할 수 있어 대폭으로 전극을 형성하는 공정을 단축할 수 있었다. 물론, 전극패턴을 형성하기 위한 마스크도 불필요하게 된다. 또, 포토리도그래피공정을 사용하지 않고 상기 재료층(레지스트)를 형성하면, 재료층을 원하는 패턴으로 되도록 레이저에 의해 제거할 뿐이므로 레지스트결함을 매우 적게 할 수 있었다.

이들 경우의 재료층(레지스트)는 유기재료라도 무기재료라도 좋다.

또, 블라스터를 사용하는 경우에 있어서, 블라스터의 노즐을 조이는 것에 의해 레이저와 마찬가지의 가공이 가능하다.

발명의 실시예

이하, 도면을 사용해서 본 발명의 실시예를 설명한다.

도 1은 배면기판상에 어드레스전극을 형성하는 제1 실시예를 도시한 도면이다.

도면에 있어서, (10)은 배면유리기판, (11a), (11b), (11c)는 어드레스전극으로서, 순차 Cr/Cu/Cr층을 적층하고 있다. (25)는 레지스트로 되는 무기재료층, (26)은 레지스트(25)의 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트층이다.

우선, 유리기판(10)에 Cr층(11c), Cu층(11b), Cr층(11a), 무기재료층(25)로 되는 ITO층을 순차 스퍼터성막한 후, 포토레지스트(26)으로 되는 드라이막 레지스트를 적층한다(스텝(a)).

다음에, 원하는 전극패턴으로 되도록 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)의 노출, 현상을 실행한 후, 베이크를 실행한다(스텝(b)).

다음에, 탄산칼슘에 의한 블라스트처리를 실행하고 무기재료층(25)(ITO층)의 제거를 실행한다(스텝(c)(d)). 이 블라스트처리에 의한 레지스트의 가공은 극히 단시간이고, 또한 레지스트폭과 대략 동일한 폭의 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있었다.

다음에, 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)를 박리한다(스텝(e)). 여기서, 상술한 블라스트처리에 의해 발생한 무기재료층(25)(ITO층)의 분진을 세정에 의해 제거하는 것이 바람직하다.

계속해서, 과망간산칼슘과 메타규산나트륨으로 이루어지는 수용액을 사용해서 Cr층(11a)의 에칭을 실행한다(스텝(f)). 이 경우, 상술한 무기재료층(25) (ITO층)이 Cr층(11a)의 레지스트로 된다. 과망간산칼슘과 메타규산나트륨으로 이루어지는 수용액은 Cr층(11a)를 에칭가능한 알칼리성 수용액이고, 무기재료층(25)(ITO층)과 Cu층(11b)에 대해서 거의 에칭하지 않는다. 이것에 의해서, 무기재료층(25)(ITO층)은 알칼리성의 수용액에 의해 실질적으로 침식되지 않고, 또한 Cr층(11a)도 거의 사이드에치되지 않고 형성할 수 있었다. 또, 무기재료층(25)(ITO층)과 Cr층(11a)의 밀착성은 좋고, Cr층(11a)의 무기재료층(25)(ITO층)과의 계면이 침식되는 일은 없었다.

다음에, 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액을 사용해서 Cu층(11b)의 에칭을 실행한다(스텝(g)). 이 경우, 상술한 무기재료층(25)(ITO층)과 Cr층(11a)가 Cu층(11b)의 레지스트로 된다. 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액은 Cu층(11b)를 에칭가능한 산성의 수용액이고, 무기재료층(25)(ITO층)과 Cr층(11a)에 대해 거의 에칭하지 않는다. 이것에 의해, Cr층(11a), Cu층(11b)는 거의 사이드에치되지 않고 형성할 수 있었다. 또, 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액 대신에 테트라안민 동 혼합물(錯體)과 암모니아 및 염산으로 이루어지는 알칼리성 수용액을 사용하고, 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액 대신에 테트라안민 동 혼합물과 암모니아 및 염산으로 이루어지는 알칼리성 수용액을 사용해도 좋다.

다음에, 재차 과망간산칼슘과 메타규산나트륨으로 이루어지는 수용액을 사용해서 Cr의 에칭을 실행하여 Cr/Cu/Cr/ITO의 구성의 전극배선을 형성한다(스텝(h)).

이상의 프로세스에 의해 사이드에치 등에 의한 단선불량이 적은 Cr/Cu/ Cr/ITO의 구성의 전극배선을 얻을 수 있었다.

이와 같이, 무기재료층(25)(ITO층)을 레지스트로 하면, 무기재료층(25)와 Cr층(11a)의 충분한 밀착성을 확보할 수 있고, 에칭액에 의한 레지스트계면에서의 전극의 침식이나 단선불량을 억제할 수 있었다. 또, 이물이나 기포 등이 말려 들어가는 것에 의한 무기재료층(25)의 레지스트결함이 적어지고, 에칭액에 의한 전극의 침식이나 단선불량을 억제할 수 있었다.

또, 무기재료층(25)를 레지스트로 하는 것에 의해, 에칭액의 선택폭이 넓어지고 종래의 Cr층(11a), (11c)의 사이드에치를 억제할 수 있었다. 또, 레지스트로의 에칭손상을 고려할 필요가 없어졌다.

또, 종래의 에칭액 대신에 샌드블라스트 등의 블라스터를 사용한 것에 의해, 무기재료층(25)의 레지스트결함을 억제할 수 있었다. 즉, 포토레지스트(26)과 무기재료층의 계면에서 에칭액이 침투하는 일이 없으므로, 무기재료층(25)(레지스트)의 결함이 발생할 가능성은 낮고, 그 결함이 적은 무기재료층(25)(레지스트)를 사용해서 웨트에칭하므로 전극의 단선 등을 억제할 수 있었다.

또, 이 전극형성 프로세스에서는 Cr층을 알칼리성의 수용액에 의해 에칭하고 있다. 종래, 포토리도그래피공정을 사용해서 내알칼리성의 유기레지스트로 형성하는 경우, 내알칼리성의 유기레지스트에 대한 현상액, 박리액이 고가이고 또한 공해의 원인으로 되고 있었지만, 본 프로세서에서는 무기레지스트를 사용하므로 전극이나 유전체 등의 반응이 적기 때문에 박리할 필요가 없어져 박리액이 불필요하게 되었다. 또, 포토리도그래피공정 대신에 블라스터를 사용해서 무기레지스트를 형성하므로 내알칼리성의 유기레지스트에 대한 현상액을 사용하는 일도 없어졌다. 즉, 종래의 내알칼리성의 유기레지스트에 대한 현상액이나 박리액의 문제는 없어졌다.

다음에, 도 2는 배면기판상에 어드레스전극을 형성하는 제2 실시예를 도시한 도면이다.

도 1에서는 Cu층(11b)의 에칭에 있어서 무기재료층(25)(ITO층)의 핀홀 등의 결함부에 Cu층의 에칭액이 미량으로 남고, 후공정에서 Cu층을 침식하는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 따라서, 도 2에서는 다음과 같은 프로세스에 의해 전극을 형성하였다.

우선, 도 1과 마찬가지의 프로세스를 거쳐서 Cr층(11a)를 에칭한다(스텝(a)∼스텝(e)).

다음에, 무기재료층(25)(ITO층)상에 Cu용 에칭액에 대해 침식되지 않는 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)를 적층한 후(스텝(f)), 무기재료층(25)(ITO층)을 피복하는 패턴으로 노출, 현상한다(스텝(g)). 그 후, 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)의 노출되어 있지 않은 부분을 제거하고(스텝(h)), 도 1과 마찬가지의 에칭액에 의해 Cu층(11b)의 에칭을 실행한다(스텝(I)). 그리고, 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)를 박리한다(스텝(j)). 그 후의 프로세스는 도 1과 마찬가지로 실행한다.

이것에 의해서, 무기재료층(25)(ITO층)의 핀홀 등의 결함에 Cu용 에칭액이 남는 일이 없어지고, 후공정에 있어서 Cu층이 침식되는 것을 억제할 수 있었다.

다음에, 도 3은 배면기판상에 어드레스전극을 형성하는 제3 실시예를 도시한 도면이다.

도 1과는 탄산칼슘에 의한 블라스트처리를 무기재료층(25)(ITO층)뿐만 아니라 Cr층(11a)까지 실행하고(스텝(d)), Cu층(11b)를 에칭한 후(스텝(e)), 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)를 박리하는(스텝(f)) 점이 상이하고, 그 이외에는 마찬가지이다. 따라서, 포토레지스트(26)(드라이막 레지스트)은 Cu층(11b)의 에칭액에 대해 에칭되지 않는 재료를 선정하였다.

이것에 의해서, Cr층(11a)를 에칭하는 공정이 없어지고, 전극형성 프로세스를 간략화할 수 있었다. 또, 블라스트법의 효율과 웨트에칭법의 효율을 고려해도 Cu층(11b)의 재료특성과 막두께로 보아 Cr층(11a)까지를 블라스트법에 의해 가공하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 블라스트법 등의 드라이에칭법과 웨트에칭법을 조합해서 전극을 형성하는 것은 프로세스의 간략화나 전극의 단선불량에 대해 유효하다.

다음에, 도 4는 배면기판상에 어드레스전극을 형성하는 제4 실시예를 도시한 도면이다.

도 4는 포토리도그래피공정을 사용하지 않고 전극을 형성한 예이다.

우선, 유리기판(10)에 Cr층(11c), Cu층(11b), Cr층(11a), 무기재료층(25)로 되는 ITO층을 순차 스퍼터성막한다(스텝(a)).

다음에, 원하는 전극패턴으로 되도록 레이저를 사용해서 무기재료층(25) (ITO층)의 제거를 실행한다(스텝(b)).

그 후에는 도 1과 마찬가지로 Cr층(11a), Cu층(11b), Cr층(11c)를 순차 에칭해서 전극배선을 형성한다(스텝(c)∼스텝(e)).

이와 같이, 레이저를 사용하면 도 1∼도 3에 도시한 바와 같은 포토리도그래피공정없이 레지스트를 형성할 수 있고, 전극형성 프로세스를 대폭적으로 간략화할 수 있다. 또, 전극을 형성하기 위한 마스크도 불필요하게 되었다.

포토리도그래피공정이 없어지는 것에 의해 이물 등이 부착해서 발생하는 미노출부분에 의한 레지스트결함이 없어지므로, 그 레지스트결함이 원인으로 발생하는 웨트에칭시의 단선불량 등을 억제할 수 있었다. 즉, 이물에 강한 전극형성 프로세스를 실현할 수 있었다.

또한, 도 3과 같이 Cr층(11a)까지를 레이저에 의해 가공해도 좋다. 이것은 Cr층의 두께로 보아 실현가능하고, 또 실제로 고정밀도로 가공할 수 있었다. 그 프로세스는 도 5에 도시한 바와 같다.

도 4, 도 5의 프로세스에서는 Cu층(11b)의 에칭에 있어서 무기재료층(25) (ITO층)의 핀홀 등의 결함부에 Cu층의 에칭액이 미량으로 남고, 후공정에서 Cu층을 침식하는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 따라서, 도 6에서는 이 점을 해결하기 위해 다음과 같은 프로세스에 의해 전극을 형성하였다. 또한, 도 6에서는 도 5의 프로세스를 대상으로 해서 설명한다.

우선, 유리기판(10)에 Cr층(11c), Cu층(11b), Cr층(11a)를 순차 스퍼터성막한 후, 무기재료층(25)로 되는 ITO층, Cu층(11b)의 에칭액에 대해서 침식되지 않는 레지스트(27)을 형성한다(스텝(a)).

다음에, 원하는 전극패턴으로 되도록 레이저를 사용해서 레지스트(27), 무기재료층(25), Cr층(11a)를 제거한다(스텝(b)). 이와 같이, 레지스트(27)은 레이저에 의해 형성하므로 종래의 포토리도그래피공정에서 사용하는 감광성의 재료일 필요는 없다.

다음에, 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액을 사용하고 레지스트(27)을 사용해서 Cu층(11b)의 에칭을 실행한다(스텝(c)). 이 때, 무기재료층(25)상에는 레지스트(27)이 있으므로, 무기재료층(25)는 잘 침식되지 않는다. 이 경우에도 황산제2철과 황산으로 이루어지는 수용액 대신에 테트라안민 동 혼합물과 암모니아 및 염산으로 이루어지는 알칼리성 수용액을 사용해도 좋다.

그 후, 레지스트(27)을 박리하고, 과망간산칼륨과 메타규산나트륨으로 이루어지는 수용액을 사용해서 Cr층(11c)의 에칭을 실행한다(스텝(d)). 레지스트(27)은 스텝(e)후에 박리해도 좋다.

이상의 프로세스에 의해 사이드에치 등에 의한 단선불량이 적은 Cr/Cu/Cr/ ITO의 구성의 전극배선을 얻을 수 있었다(스텝(e)).

이것에 의해서, 무기재료층(25)(ITO층)에 Cu용 에칭액이 남는 것이 없어지고, 후공정에 있어서 Cu층이 침식되는 것을 억제할 수 있었다.

다음에, 지금까지 설명해 온 전극형성 프로세스를 사용해서 형성한 가스방전형 표시패널의 1예를 도 7을 사용해서 설명한다.

도 7은 가스방전형 표시패널을 사용한 것으로서, 도 7의 (a)는 어드레스전극과 평행한 단면도를 도시한 것이고, 도 7의 (b)는 어드레스전극과 수직인 단면도를 도시한 것이다. 또, 상술한 전극형성 프로레스를 앞면기판, 배면기판중의 어느 것에도 적용하고 있다.

도면에 있어서, (10)은 배면유리기판, (11)은 어드레스전극, (12)는 SiO₂등의 박막유전체층, (13)은 후막유전체층, (14)는 앞면유리기판, (15)는 ITO 등의 투명전극, (16)은 Cr-Cu-Cr등의 버스전극, (17)은 SiO₂등의 박막유전체층, (18)은 후막유전체층, (19)는 MgO 등의 보호막, (20)은 밀봉(seal)부재, (21)은 외부회로로부터의 전극, (22)는 도전입자를 포함하는 이방성 도전시트, (23)은 격벽, (24)는 형광체층, (25)는 전극형성시의 레지스트로 되는 무기재료층이다.

앞면기판은 다음과 같이 형성하였다.

우선, 유리기판(14)상에 투명전극(15)를 형성한다. 투명전극(15)는 웨트에칭, 블라스터, 레이저중의 어느 하나를 사용해서 형성하면 좋지만, 프로세스를 간략화하는 데에는 레이저를 사용해서 형성하는 것이 바람직하다. 다음에 상술한 본 발명의 전극형성 프로세스를 사용해서 투명전극(15)상에 버스전극(14)를 형성한다. 이 때, 상술한 무기재료층(25)는 버스전극(16)상에 존재한다. 다음에, 투명전극(15), 버스전극(16)을 적어도 피복하도록 박막유전체층(17)을 형성한다. 예를 들면, 패널전면에 박막유전체층(17)을 형성한다. 다음에, 이 박막유전체층(17)상에 후막인쇄법에 의해 후막유전체층(18)을 형성한다. 다음에, 이 후막유전체층(18)상에 MgO 등의 보호막(19)를 증착시켜 형성한다. 앞면기판의 경우, 버스전극(16) 아래에 투명전극(15)를 형성하고 있다. 일반적으로 이 투명전극(15)는 ITO층이다. 따라서, 상술한 본 발명의 전극형성프로레스를 응용해서 투명전극(15)와 무기재료층(25)를 포함하는 버스전극(16)을 일련의 웨트에칭공정에 의해 형성해도 좋다. 이 경우, ITO/Cr/Cu/Cr/ITO를 순차 형성하고, 상술한 본 발명의 전극형성 프로세스중의 어느 하나를 사용해서 버스전극(16)으로 되는 Cr/Cu/Cr/ITO를 형성한다. 그 후, 투명전극(15)로 되는 ITO층을 원하는 패턴으로 되는 레지스트를 형성하고, 이 레지스트를 사용해서 ITO층을 에칭하고, 레지스트를 박리하는 것에 의해 투명전극(15) 및 버스전극(16)을 형성할 수 있다. 무기재료층(25)는 SiO₂라도 좋다.

한편, 배면기판은 다음과 같이 형성하였다.

우선, 유리기판(10)상에 어드레스전극(11)을 상술한 본 발명의 전극형성 프로세스를 사용해서 형성한다. 다음에, 어드레스전극(11)을 적어도 피복하도록 박막유전체층(12)를 형성한다. 예를 들면, 패널전면에 박막유전체층(12)를 형성한다. 다음에, 이 박막유전체층(12)상에 후막인쇄법에 의해 후막유전체층(13)을 형성한다. 다음에, 이 후막유전체층(13)상에 격벽(23)을 형성하고, 또 형광체층(24)를 인쇄법에 의해 형성한다. 이 격벽은 어드레스전극과 평행한 스트라이프형상으로 형성해도 좋고, 표시셀을 둘러싸는 격자형상으로 형성해도 좋다.

이와 같이 해서 형성된 앞면기판과 배면기판은 위치맞춤한 후, 밀봉부재(21)에 의해 봉지하였다. 봉지된 공간에는 희가스가 혼입되어 있다. 또, 외부회로로부터의 전극(21)은 접속프로세스를 간략화하기 위해, 앞면기판과 배면기판이 각각 갖는 외부접속단자와 이방성 도전성시트를 거쳐 접속한다.

이와 같이 무기재료층(25)는 어드레스전극(11)과 유전체층(18), 버스전극(16)과 유전체층(13)의 반응이 문제로 되지 않으므로 박리하지 않고 남길 수 있다.이것에 의해서 어드레스전극(11)과 유전체층(18), 버스전극(16)과 유전체층(13)의 반응을 억제해서 어드레스전극(11)이나 버스전극(16)의 침식을 억제하는 것도 가능하게 되었다. 따라서, 도면중의 박막유전체층(12)는 형성하지 않아도 문제는 없다.

이와 같이, 버스전극이나 어드레스전극을 Cr/Cu/Cr/ITO층 또는 Cr/Cu/Cr/ SiO₂층으로 해서 형성하면, 결과로서 다양한 원인에 의한 단선불량을 저감할 수 있었다.

또한, 단선불량을 더욱 저감하기 위해서는 Cr층(11a), Cu층(11b), Cr층(11c)중의 어느 하나에 의해 다른 레지스트를 사용해서 형성하면 좋다. 또, 무기재료층을 2층으로 구성하고, Cr/Cu/Cr/ITO/SiO₂층으로 해도 좋다.

지금까지 설명해 온 실시예에 있어서는 Cr/Cu/Cr전극배선을 Cr/Aℓ/Cr, Ag, Ni, Au, Aℓ 등으로 치환해도 마찬가지의 효과가 얻어지는 것은 물론이다. 즉, 가스방전형 표시패널에 요구되는 배선저항을 만족시키는 재료이면 마찬가지의 효과가 얻어지는 것은 물론이다. 또, 어드레스전극에 한정되지 않고 도 7에 도시한 바와 같이, 앞면기판의 버스전극을 형성해도 마찬가지의 효과가 얻어지는 것을 물론이다. 또, 가스방전형 표시패널에 한정되지 않고 전극을 웨트에칭에 의해 형성하는 배선기판 등의 모두에 있어서 적용할 수 있는 것은 물론이다.

또, 무기재료층(25)(레지스트)이면 블라스터나 레이저를 사용한 형성방법이 아니어도 레지스트계면에서의 전극의 침식을 억제할 수 있는 것은 물론이다. 반대로, 레지스트를 블라스터나 레이저를 사용해서 형성하면 레지스트가 무기재료가 아니어도 레지스트결함을 억제할 수 있는 것은 물론이다.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 배선기판이나 가스방전형 표시장치에 형성하는 전극의 단선불량을 억제할 수 있다. 특히, 전극을 웨트에칭에 의해 형성하는 경우의 단선불량을 억제할 수 있다.

Claims

여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고,

적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 무기재료로 이루어지는 레지스트를 사용해서 웨트에칭에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 레지스트를 블라스터를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 레지스트를 레이저를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 Cr/Cu/Cr층이고, 상기 레지스트와 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 최상층으로 되는 Cr층을 블라스터 또는 레이저를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 Cr/Cu/Cr층이고, 적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 Cr층을 알칼리성 에칭액을 사용한 웨트에칭에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 레지스트가 2층 이상의 무기재료인 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 레지스트는 ITO막 또는 SiO₂인 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
여러개의 제1 전극과 상기 제1 전극을 피복하는 제1 유전체층을 갖는 앞면기판 및

여러개의 제2 전극과 상기 제2 전극을 피복하는 제2 유전체층을 갖는 배면기판을 구비하고,

적어도 상기 제1 전극과 상기 제1 유전체층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 제2 유전체층 사이에 무기재료층을 갖고, 상기 무기재료층을 사용해서 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 무기재료층을 블라스터를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 무기재료층을 레이저를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 Cr/Cu/Cr층이고, 상기 무기재료층과 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 최상층으로 되는 Cr층을 블라스터 또는 레이저를 사용해서 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 Cr/Cu/Cr층이고, 적어도 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 Cr층을 알칼리성의 에칭액을 사용해서 웨트에칭에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 무기재료층이 2층 이상인 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 무기재료층이 ITO막 또는 SiO₂인 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 무기재료층과 상기 유전체층 사이에 적어도 절연재료층을 갖는 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고,

적어도 상기 제1 전극상 또는 상기 제2 전극상에 블라스터를 사용해서 형성한 재료층을 갖고, 상기 재료층을 사용해서 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
여러개의 제1 전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 제2 전극을 갖는 배면기판을 구비하고,

적어도 상기 제1 전극상 또는 상기 제2 전극상에 레이저를 사용해서 형성한 재료층을 갖고, 상기 재료층을 사용해서 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 웨트에칭에 의해 형성해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.
무기재료로 이루어지는 레지스트를 사용해서 형성한 배선패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 배선기판.
블라스터에 의해 형성한 레지스트를 사용해서 형성한 배선패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 배선기판.
레이저에 의해 형성한 레지스트를 사용해서 형성한 배선패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 배선기판.
여러개의 투명전극과 상기 투명전극상에 형성한 버스전극을 갖는 앞면기판과 여러개의 어드레스전극을 갖는 배면기판을 구비하고,

적어도 상기 버스전극 또는 상기 어드레스전극을 Cr/Cu/Cr/ITO층 또는 Cr/Cu/Cr/SiO₂층 또는 Cr/Cu/Cr/ITO/SiO₂층으로 한 것을 특징으로 하는 가스방전형 표시장치.