KR19980703106A

KR19980703106A - 세라믹 박층을 침착시키기 위한 열적 침착방법 및 관련 장치

Info

Publication number: KR19980703106A
Application number: KR1019970706508A
Authority: KR
Inventors: 하인리히 퀸; 클라우스 에셔; 클라우스 란데스; 페터 하슬벡; 오트프리드 가쉴러; 마르쿠스 뮐러; 페터 문트빌러
Original assignee: 악커만 요아힘, 쿤켈 디트마르; 훽스트 아크티엔게젤샤프트
Priority date: 1995-03-17
Filing date: 1996-03-15
Publication date: 1998-10-15
Also published as: GR3031268T3; ES2135884T3; DK0815280T3; ATE181967T1; EP0815280B1; DE59602394D1; WO1996029443A1; JPH11505292A; EP0815280A1

Abstract

본 발명은 플라즈마에 용융 상태로 함유된 분무 분말로 플라즈마 분무층으로 기재를 도포하는 방법에 관한 것이다. 본 방법에서, 분말은 분말 피드덕을 통하여 중성극(들) 또는 양극(들)의 근처에서 또는 둘 사이에서 플라즈마 분무 장치의 채널로 도입되며, 아크 하나 이상은 길이가 20mm이상이고, 적어도 일부 시간 및 도포되는 기재 일부 이상은 0.05m²이상의 소위 연속 스트립 또는 큰 표면 단위이다. 본 발명은 또한 많은 플라즈마 분무 장치 및 소음 차단 캐비넷을 포함하는, 기재를 도포하는 장치에 관한 것이다. 플라즈마 분무 장치 각각은 길이가 20mm 이상인 아크를 제조하고, 분무 분말을 가열하기 위한 중성극 하나 이상 및 양극 하나 이상을 포함한다. 분무 분말은 양극 또는 중성극의 근처에서 및/또는 둘 사이에서 도입되고, 장치는 기게적, 물리적 또는 방사 극소 거침 단위의 형태에서 극소 거침 제품용 장치를 제공한다.

Description

세라믹 박층을 침착시키기 위한 열적 침착방법 및 관련 장치

본 발명은 기재를, 플라즈마에 용융된 분무 분말을 사용하여 플라즈마 분무층으로 피복하는 방법, 다수의 플라즈마 분무 장치 및 하나 이상의 방음 부스를 포함하는 기구 및 피복된 기재의 용도에 관한 것이다.

세라믹 층의 침착의 경우, 고정되지 않은 짧은 아크(arc)가 있는 플라즈마 분무 장치가 사용되는 플라즈마 분무 방법이 공지되어 있다. 조작시, 아크는, 예를 들면, 약 2000Hz에서 진동하고 음극으로 부터 약 10 내지 40mm의 거리를 두고 루트(root)를 형성할 수 있다. 이렇게 생성된 뜨거운 기체제트는 분말 물질을 기계적으로 고정시키면서 기재에 부가할 때 사용된다. 당해 방법은 대부분 단일 품목 생산 및 대량 생산 모두의 경우 종종 번들(bundle)형태일 수 있는 단일품을 피복하는데 사용된다. DE-A 제4,315,813호 및 제4,210,900호에는 로봇과 같은 이동 장치를 사용하여 기재를 회전 대칭으로 하거나 50μm 이상의 층으로 할 수 있는 것으로 공지되어 있다. 또한, DE-A 제4,210,900호에는 열 작용은 특히 기재가 얇거나 작은 덩어리일 경우 이를 압축 공기 또는 액화 이산화탄소를 사용하여 냉각시켜 기재의 형태 및 미세구조의 변화를 방지하기 위해 보강되는 것으로 공지되어 있다.

DE-C2 제4,105,407호, DE-C1 제4,105,408호 및 DE-U 제9,215,133호에는 다수의 음극, 중성극 및 환상 양극을 포함할 수 있는 플라즈마 분무 장치가 교시되어 있다. EP-A 제0,596,830호에는 분무 분말이 음극을 통해 축으로 또는 양극 전면에 위치한 홀더를 통해 기체 제트 속으로 도입되는 플라즈마 분무 장치가 기재되어 있는 데, 이 경우, 분무 분말은 특히 양극 후면의 기체 제트로 도입된다. DE-A 제4,344,692호에는 기재의 조면화 방법이 교시되어 있다.

그러나, 이러한 방법을 박막 피복에 실용화하기는 어렵다. WO 제94/05507호의 실시예 1의 고정되지 않은 짧은 아크를 사용하여 조작하는 플라즈마 분무 장치를 사용하면, 열 플라즈마 기체 제트를 생성시키는데 상당한 전기 에너지가 사용되고 이 에너지의 상당량이 열로서 기재로 이동된다. 당해 방법에서 이동을 돕기 위하여 위해 수소 및/또는 질소와 같은 다수의 열전도성이 높은 플라즈마 기체가 추가로 사용된다. 결론적으로, 열은 기재의 변화를 최소화하거나 기계적 강도를 유지시키기 위해 상당한 비용을 들여 냉각시켜 제거해야 한다. 통상 몇 개의 플라즈마 분무 장치의 경우, 실제로 적합하게 열을 제거할 수 없다. 특히 박층 제조의 경우, 고정되지 않은 플라즈마 분무 장치와 관련된 에너지 유입량 및 물질 적용 변화가 중요하다.

본 발명의 추가 이점은 세라믹 분말을 강력하게 용융시키는 경우(이는 특히 박층의 제조에 요구된다), 비교적 작은 면적, 예를 들면, 직경 약 12mm가 플라즈마 기체 적용에 의해 피복된다. 면적을 냉각시키는 경우, 이는 필수적으로 매우 다수의 플라즈마 분무 장치 또는 복잡한 기계식 이동 장치를 사용해야 해서 진탕 및 고온 압착으로 인해공정이 불안정해진다.

상기한 공정의 추가의 단점은 소음도가 매우 높다는 사실에서도 확인할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기한 문헌의 기술에 따르는 다수의 플라즈마 분무 장치의 작동시, 장치의 수가 증가함에 따라 소음도가 약 120 내지 140dB(A)로 증가함을 DIN 45630 및 DIN 45635에 따라 측정할 수 있다. 여기서는 방음성이 적당히 충족될 수 없는데, 이는 피복 장치가 가능한 한 바람직하게는 스트립형 기재의 연속 공급과 방출을 위한 개구부를 편리하게 지녀야 하기 때문이다. 이러한 경우, 장치가 가동되는 동안 단시간 유지 목적을 위해서 조차도 장치에 접근하는 것이 허용되지 않기 때문에, 장치에 접근하기 위해서는 불가피하게도 작동을 중지해야할 필요가 있다.

DE-B-2,348,717에는 인쇄판용 잉크액 유도 장치로서 피복체를 사용하기 위해 2차원 필름을 플라즈마 분무 공정으로 열피복하는 추가의 방법이 기술되어 있다. 이는 난용성이거나 불용성인 탄산염, 규산염 또는 석영으로 이루어진 분쇄물 층으로 이루어져 있어 상당히 조악한 표면 구조를 제공한다. WO 94/05507에 이미 기술되어 있는 단점 뿐만 아니라, 당해 방법은, 상기한 층을 미세 표면 형태로 사용할 수 있기 위해서는 표면을 기계 처리해야 하는 추가의 단점을 갖는다.

본 발명의 목적은 면적이 비교적 큰 기재에 층을 연속적으로 균일하게 열적용하기에 대량 생산적으로 적합한 유용한 피복 방법을 제공함으로써, 대단히 다양한 금속 또는 유기 재료 또는 복합재(예;플라스틱/금속 복합재)를 피복할 수 있게 하는 것이다. 두껍고 얇은 층을 필요한데로 적용할 수 있고 기재를 경우에 따라 플라즈마 분무 층으로부터 탈착하거나 침식시킬 수 있는 열피복 공정을 제공하는 것도 본 발명의 목적이다. 또한, 이러한 피복 공정에 적합한 장치를 제공하는 것도 본 발명의 목적이다.

본 발명에 따라, 상기한 목적은 기재를 플라즈마에 용융된 분무 분말을 사용하여 플라즈마 분무층으로 피복함으로써 달성되는데, 여기서 분무 분말은 중성극(들), 양극(들) 또는 이들 사이의 영역에서 분말 공급구를 통해 플라즈마 분무 장치의 채널로 도입되고, 여기서 하나 이상의 아크는 일정 시간 이상 동안 약 20mm 이상의 길이를 지니고, 기재는 소위 연속 스트립 또는 0.005mm²이상의 대면적 형태를 지닌다. 본 발명에 따라, 상기한 목적은 다수의 플라즈마 분무 장치와 하나 이상의 방음실을 포함하는 기재를 피복시키기 위한 장치에 의해 달성되는데, 여기서 플라즈마 분무 장치는 각각 길이가 20mm 이상인 아크를 제공하고 분무 분말을 가열하기 위한 하나 이상의 중성극과 하나 이상의 양극을 포함하며, 분무 분말은 양극(들), 중성극(들) 및/또는 이들 사이의 영역에 도입되고, 당해 장치는 기재를 기계적, 물리적 또는 발파 미세 연마시키기 위한 장치를 포함한다.

본 발명에 따라 사용되는 플라즈마 분무 장치에는 길이가 20mm 이상인 아크를 제공하기 위해 하나 이상의 음극, 하나 이상의 중성극 및 하나 이상의 양극을 장착시킬 수 있으며, 분무 분말은 양극(들), 중성극(들) 및/또는 이들 사이의 영역에 공급할 수 있다. 바람직하게는, 상기한 장치는 3개 이상의 음극 및/또는 3개 이상의 양극을 포함한다. 여기에는 또한 하나 이상의 환형 음극이 제공될 수도 있다. 음극(들)은 플라즈마 장치의 종방향 축의 중심에, 바람직하게는 종방향 축에 대해 대칭형으로 존재하는 원형, 타원형 또는 다각형 형태로 배열시킬 수 있고 예를 들면 다수 음극 플라즈마 분무 장치의 경우에는 전적으로 조각과 같은 하나 이상의 부재로 제조할 수 있다. 양극(들)도 또한 한 하나 이상의 부재로 제조할 수 있는데, 이는 다수 음극 플라즈마 분무 장치의 경우 특히 바람직하다. 음극 또는 음극들의 부재는 또한 환형, 타원형 또는 그렇지 않으면 다른 변형된 형태 또는 다각형의 형태로 배열시킬 수 있다. 하나 이상의 중성극을 음극(들)과 양극(들)사이에 배치할 수 있는데, 특히 무엇보다도 아크를 연장시키기 위해 3개 이상의 중성극을 사용할 수 있다. 20mm미만의 아크는 짧은 아크로 언급된다. 30mm 이상의 아크가 바람직하다.

플라즈마 분무 장치는 중성극/중성극들 및/또는 음극/음극들의 내경/외경으로 이루어진 채널의 횡단면을 원,다각형 또는 유사 원 내지 다각형 디자인으로 보유한다. 중성극들의 내경에 의해 형성된 채널은 직경이 5mm이상, 바람직하게는 10 내지 15mm일 수 있다. 이는 제트의 방향으로 원추 또는 유사 원추형으로 확장될 수 있다.

분말의 공급은 음극에서, 음극들 사이에서 일부의 양은 음극 앞 또는 뒤에서 수행될 수 있다. 분말 공급관은 수직축과 횡축에 의해 형성된 평면에서 플라즈마 분무 장치의 횡축에 대해 수직 방향으로 +70 내지 -30°의 각으로 배치될 수 있으며, +70°의 각 방향은 양극 방향을 의미한다. 이들의 아크의 루트의 중심을 가리킬 수 있다. 분말은 바람직하게는 플라즈마 분무 장치의 최대한 높게 열적으로 스트레싱된 부분, 즉 음극의 영역 또는 아크 및 플라즈마의 열 직접 노출된 부분, 예를 들어 중성극 또는 중성극들 사이에 공급된다. 따라서, 유리 플라즈마 제트로 바운딩되는 에너지 또한 분무 물질을 용융시키는데 이용할 수 있다. 특히 미립상 분말의 경우에 발생할 수 있고 500 내지 2,000μm의 크기로 축소될 수 있는 음극 벽에서 용융되는 부분적인 분말은 적당한 버너 고안에 의해 대부분 또는 완전히 제거될 수 있다.

상기의 플라즈마 분무 장치를 조작하는 방법에 있어서, 아크 또는 아크들은 정지 상태 또는 준정지 상태에서 조작하는 것이 필수적일 수 있다. 비정지 상태의 거동은 전압을 고주파로 요동시키고 이에 따라 전력 및 플라즈마 열을 요동시키는 일정한 전류 강도로 증폭시킴으로써 본 방법에 의해 발생한 분무층이 현저하게 증가된 비율의 미용융 입자 및 불균일 미세 구조물에 의해 명백해지게 한다.

이러한 플라즈마 분무 장치를 조작하는 방법을 사용하는 경우 층 두께의 크기가 약 1μm인 알루미나 풍부층 1m²를 피복하기 위해 0.6kWh이하, 바람직하게는 0.4kWh이하, 특히 바람직하게는 0.2kWh이하의 전기 에너지가 연속 조작 방식으로 요구될 수 있다. 이러한 소모된 값은 또한 상기 층 1μm당 10μm이하의 층 두께에도 적용한다. 상기 방법을 사용하는 경우 연속 조작 방식으로 넓은 영역의 기재의 피복은 개별 플라즈마 분무장치의 소음을 110dB(A)이하, 바람직하게는 95dB(A)이하, 특히 바람직하게는 85dB(A) 이하로 유지시킬 수 있다. 피복 기재는 기체 제트로 냉각될 수 있다. 온도 응력은 기재의 후면이 200℃이하, 바람직하게는 180℃이하, 특히 바람직하게는 160℃이하의 온도로 노출되는 정도로 강하될 수 있다.

본 발명에 따르는 플라즈마 분무 장치 예를 들어 트리플렉스(Triplex)버너]제조원:Sulzer Metco AG]의 조작에 있어서, 피복을 위해 단지 12 내지 20kW, 최대한으로 25kW의 전력이 요구된다. 전체적으로 약 16kW의 전력을 소비하는 경우 플라즈마 분무 층, 기재 및 처리 롤에 의해 흡수된 양은 2.5kW이고, 버너의 냉각수에 의해 흡수된 양은 약 8kW이고 기체/공기에 의해 흡수된 양은 약 5.5kW이다. 배기 장치는 약 80℃를 초과하는 고온의 기체 및 고온의 공기를 운반한다. 조건을 적당하게 고안하면서 기재를 단지 약 160℃의 처리온도에 다시 적용시킨다. 처리롤의 냉매, 바람직하게는 물을 예를 들어 2m/s의 속도로 유동시킨다. 당해 플라즈마 분무 장치는 이들 장치 40개가 조작시 약 100dB(A)의 소음을 발생시키도록 하는 82 내지 85dB(A)의 소음 등급을 야기한다.

이와 비교하면, 통상적인 플라즈마 분무 장치, 예를 들면, 줄쩌 메트코 아게(Sulzer Metco AG)가 제조한 타입 F4의 버너를 작동시키기 위해서는 약 43kW의 전력이 요구되며, 이중 약 22kW는 플라즈마 스프레이 장치의 냉각수에 의해 흡수되고, 약 14.5kW는 기체/공기에 흡수되며, 약 6.5kW는 플라즈마 분무층, 기재 및 처리 롤에 의해 흡수된다. 배기 장치는 약 160℃에서 즉시 고온 기체를 전달한다. 이 경우, 기재는, 처리롤의 냉각없이, 배면의 처리 온도 약 300℃ 이상을 경험하게 된다. 이러한 플라즈마 분무 장치의 조작은 120dB(A) 정도의 소음을 초래하여, 이러한 유형의 플라즈마 분무 장치 40개가 작동하는 경우 약 135dB(A)의 소음을 발생시키게 된다.

이러한 플라즈마 분무 장치 조작 공정에 의해, 스프레이 스폿의 최대 두께의 1/보다 더 두꺼운 부분들어 유효 직경이 25mm이상, 바람직하게는 35mm이상, 특히 바람직하게는 45mm이상이 되는 방식으로 단일 샷(single shot)으로 생성되는 분무 스폿을 형성할 수 있다. 통상적으로, 분무 스폿은, 플라즈마 분무 장치에 하나 이상의 음극이 사용될 경우 1개의 음극을 사용하는 버너를 사용하는 플라즈마 분무와 비교하여 보다 커지게 된다. 줄쩌 메트코 아게에 의해 제조된 트리플렉스(Triplex) 버너를 사용함에 의해, 부분적으로 겹쳐진 개개의 분무 스폿 3개로 구성되는 분무 스폿을 형성시킬 수 있다.

하기에 본 발명에 따르는 기재를 피복하기 위한 장치의 한가지 양태를 토대로 하여 본 발명을 기술한다.

도 1은 예를 위한 것으로, 기재를 피목하는 장치의 단면도를 도시한 것이다. 기재(1)를 기재 스톡(2)으로부터 이동 방향 X로 풀고 이와 동시에 슬롯형 도입구(3)를 통해 방음 부스(4)속으로 통과시킨다. 기재(1)가 상부를 통과하는 처리롤(6)위에 이동 방향 X과 교차하는 Z방향으로 배열된 2개의 열(row)에 플라즈마 분무 장치(5)가 위치한다. 플라즈마 분무 장치에 의해 방출되는 열을 순환 냉각시스템(9)의, 유동(7)의 방향으로 유동하는, 냉각제(8)에 의해 부분적으로 제거한다. 플라즈마 분무 장치(5)에 의해, 플라즈마 분무 장치(5)의 제1열에서 출발하여 개개의 스트립으로 피복되고 플라즈마 분무 장치(5)의 제2열에서 출발하여 전면에 피복되는 플라즈마 분무층(10)이 기재에 피복된다. 부호(11)는 플라즈마 피복된 기재를 나타낸다. 기재는 수직으로 또는 자유자재로 이동이 가능한 추가의 롤(12)에 의해 가이딩되어 신장된다. 플라즈마 피복된 기재(11)는 배출구(3')를 통해 방음 부스 밖으로 나온다.

도 2는 본 발명에 따르는 장치의 단면을 재현한 것으로서, 플라즈마 분무 장치(5)는 냉각제(8)가 통과하는 처리 롤(6)위에 배치된다. 도식적으로 나타낸 플라즈마 분무 장치(5)는 특히, 절연장치(20)를 갖는 하우징, 다수의 음극(21), 다수의 중성 전극(22) 및 양극(23)을 포함한다. 양극(23)영역에서, 분무 파우더를 피드 덕트(24)를 통해 충전시킨다. 다수의 아크(25)에 의해 생성되어 연속적으로 이동하여 자유 플라즈마 제트(26)를 형성하는 플라즈마 제트(2)가 채널(27) 영역에 형성된다 초기 용융되고/되거나 플라즈마 및 자유 플라즈마 제트(6)에서 용융되어 기재(1)방향으로 전달된 분무 파우더는 기재 위에서 플라즈마 분무층(10)을 형성한다. 플라즈마 분무 장치는 전류, 냉각 액체, 플라즈마 기체 및 냉각기체용 연결 장치에 장착된다. 배기 장치(28)는 고온기체를 배출한다. 처리롤(6)은 냉각제(8)에 의해 냉각된다.

도 3은 본 발명에 따르는 기재 피복을 위한 다양한 장치의 가능한 배열을 재현한 것이다. 기재 스톡(2)으로부터 빼낸 기재(1)를 먼저 미세조면화 및/또는 접착 촉진제 도포를 위한 하나 이상의 장치 속에서 처리한 다음-기재(1)의 세정을 위한 장치속에서, 특히 블로잉, 섹션 및/또는 액체 세정재를 사용한 처리 및 후속적인 건조에 의해-특히 분진, 블라스팅 그릿 및/또는 마모물을 제거한다. 이후에, 처리된 기재(1)를 방음 부스(4)속에 규칙적으로 배열된 플라즈마 분무 장치(5)를 사용하여 피복한다. 플라즈마 피복된 기재(11)는 -세정 장치(11)속에서 -바람직하게는 취입 또는 흡입에 의해 산포된 입자, 특히 분진 및 자유 플라즈마 입자가 제거된다. 유기 물질을 피복시키는 장치에 있어서, 유기 물질, 예를 들면, 안료, 윤활제, 또는 용매와 중합성 결합제 또는/및 착색제는 이들의 추가의 용도로서, 예를 들면, 인쇄판서, 촉매로서, 내마모제로서 또는 윤활 보호층으로서, 경우에 따라, 다수의 연속 장치에 도포할 수 있다. 무기 물질을 피복시키는 장치에 있어서, 무기물질, 예를 들면, 희귀 금속, 희귀 금속 화합물, 다른 촉매 물질 또는 이들의 전구체, 무기 윤활제, 안료 등을 이들의 추가 용도로서, 예를 들면, 촉매로서 또는 윤활 보호층으로서, 경우에 따라, 다수의 연속 장치에 도포할 수 있다. 개개의 장치 다수를 임의로 포함할 수도 있는 포맷팅 및 컨디셔닝 장치에 있어서, 기재는, 경우에 따라, 플라즈마 분무층으로부터 제거되고, 플라즈마 피복된 기재 또는 기재가 존재하지 않는 플라즈마 분무층은, 경우에 따라, 개개의 형태, 예를 들면, 대부분의 경우에 직사각형으로 일탈하는 특정한 형태로, 경우에 따라, 엠보싱, 펀칭, 컷팅 또는 유사한 방법에 의해 리세스로 만든다. 당해 장치는, 경우에 따라, 다른 부재에, 예를 들면, 접착제 접합 또는 용접에 의해 고착시키고/거나 예를 들면 벤딩 또는 프레싱에 의해 성형, 예를 들면, 경화시켜 제품을 가공한 후 시험 장치 및 신속 처리 장치에 옮긴다. 개개 공정의 단계 또는 장치의 순서는 특정한 정도로 변할 수 있는데, 특정한 조건에서, 개개의 공정 단계 또는 장치는 생략될 수 있거나 역으로 추가의 공정 단계 또는 장치를 가할 수 있다.

도 4는 플라즈마 피복되고 유기 물질로 피복한 다음 추가로 가공하여 인쇄판을 수득하는 기재(30)을 통해 확대된 단면적을 나타낸다. 방울형 물질(32)층과 당해 층위에 정지해 있는 대략 구형 물질(33)을 갖는 매우 얇은 플라즈마 분무층(10)을 매우 거친 기재(31)위에 겹쳐 놓는다. 유기 물질로 구성된 피막(34)은 예를 들면 피막(34)의 패턴으로 제공된 인쇄판으로서 사용되는데, 피막(34)의 리세스 부분(35)은 수 층(36)에 의해 피복된다.

도 5는 2개의 매우 조면화된 기재(31a) 및 (31b)의 해부도인데, 당해 기재는 조도 측정 장치를 사용하는 주사 구획 방법에 의해 측정되고 측정 영역에 대한 다수의 측정 라인 상의 주사 니들 반경은 0.5μm이다. 알루미늄 샘플(a)은 통상적인 모래 분사 방법에 의해 비교적 조악한 분사 모래로 조면화시킨 표면을 갖는다. 해부도는 표면과 접한 층중 기재의 변형에 의해 수반되는 많은 침하 및 만곡을 분명하게 나타낸다. 대조적으로, 샘플(b)은 매우 미세한 분사 모래로 분사되고 이의 표면상에 비교적 많은 수의 미세한 클램핑 피크를 나타낸다. 당해 조면화 방법을 사용하여 변형을 최소화시킴으로써 기재의 만곡은 거의 대부분 방지된다.

본 발명의 바람직한 양태의 하기 설명은 도면을 참조로 하여 보다 상세히 설명한 것이다.

기재로서, 금속 박, 합금 박 또는 플라스틱 필름은 바람직하게 일명 말단을 갖는 연속 스트립으로서 롤로부터 일정한 속도로 풀리거나, 2차원 형태로서 이동된다. 기재는 일명 폭이 20, 40, 70, 120, 250, 400, 750, 1200 또는 1800mm이고 0.005m²면적 이상, 예를 들면, 0.01, 0.05, 0.15, 0.4, 0.8, 1.2 또는 3m²면적의 거대 면적 형태인 연속 스트립이다. 기재는 통상 두께가 3mm이하, 대부분의 경우에는 2mm 이하, 바람직하게는 0.1 내지 0.6mm, 보다 바람직하게는 0.12 내지 0.35mm인데, 이의 표면은 조악한 유기 또는/무기 잔사, 즉 모래 및 먼지가 거의 존재하지 않는다. 바람직한 상태의 표면에는 연신 및 롤링 단계 때문에 천연 또는 합성 잔사가 거의 존재하지 않고 특히 바람직한 상태의 표면에는 부가적인 윤활유 제거 단계가 적용된다.

기재용으로 사용되는 재료는 합금, 플라스틱, 충전제 함유 플라스틱, 종이 함유 재료, 복합 재료 등, 물체로서, 복합 물체, 특히, 순도 약 99.5%의 알루미늄, 보다 낮은 순도의 알루미늄 등급, 알루미늄 합금, 적층된 알루미늄 호일, 구리, 구리 합금, 스틸, 스테인레스 스틸 또는 정제된 스틸, 종이 함유 조성물, 금속 함유 조성물(예:틴플레이트, 아연 도금된 시트, 구리 또는 니켈 도금된 시트) 또는 금속/플라스틱 복합체(예:접착 결합된 금속 호일, 플라스틱 필름 위에 압출된 금속 호일 또는 종이 조성물에 적층된 금속 호일)일 수 있다. 특히, 롤링된 알루미늄과 롤된 알루미늄 합금은 온화된 어닐링이 보다 높은 온도에서 일어나기 때문에 통상적으로 강도 및 경도를 손상시키지 않고 약 180℃의 온도 스트레스 업(stress up)을 견딘다.

기재로 사용되는 플라스틱은 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 함유하는 열가소성 폴리에스테르, 및 단독중합체 및 공중합체일 수 있고, 다른 폴리에스테르 또는 폴리아미드와 이와의 혼합물이 특히 적합하다. 플라스틱은 또한 5중량%의 충전제, 점토, 이산화티탄 및/또는 알루미나(특히 적합하다)와 같은 무기 충전제를 함유할 수도 있다. 바람직하게는, 플라스틱 속에는 충전제가 1.5중량%로 존재한다. 특히, 플라스틱은 또한, 예를 들면, 수지 및/또는 금속 필름과 같은 접착 촉진제와 함께 제공될 수 있는데, 필요한 경우, 접착 촉진제는 플라즈마 피복 전에 사용된다. 접착 촉진제를 사용함으로써 종종 미세조면화 효과(micro-roughening effect)가 발생하므로, 미세 조면을 이런 식으로도 생성시킬 수 있다.

기재는 물리적 및/또는 기계적 건조 공정에 의해 생성되는 것이 바람직한 미세 조면을 갖지만, 화학적으로도 수득할 수 있다. 조면은 DIN 4761[참조:page 101, Aluminumlegierungen[aluminum alloys] 또는 특히 바람직하게는 page 143, Stein[Stone]에 따라 표면 특성[참조:Beuth commentary Technische Oberflachen[Technical surfaces], Part 2:Oberflachenatlas[Surface atlas], 1985]으로 정의되는 것과 같이 포토그래피를 갖는다. DIN4768에 따라 평균 피크대 밸리(peak-to-valley) 높이로서 측정된 조도는, 각각의 경우 10개 측정치의 평균을 기준으로 하여, 통상적으로 4μm미만, 바람직하게는 0.2 내지 2μm, 특히 0.3 내지 1.2μm이다.

미세조면화된 기재는 또한 미리 제조한 형태와 같이 존재할 수 있다. 조면화 단계는 예를 들면, 롤링 및/또는 엠보싱 공정과 같은 기계적 공정, 압력 분사, 샌드블라스팅 또는 브러싱과 같은 물리적 공정에 의해 수행될 수 있었다. 물리적 미세조면화 방법은 특히 마찬가지로 제조 라인에 통합될 수 있는 코로나 방전, 축전기 방전 및 아크로서 이해할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르는 미세조면화 공정 단계는, 예를 들면, 제DE-A-4,344,692호에 기재된 바와 같이 열 피복 단계 전에 추가의 공정 단계를 수행하는 것이 유리하다.

샌드블라스팅 공정이 제조 라인에서 미세 조면화에 특히 적합하다. 이러한 공정 단계에서, 기재는 미세 조면을 왜곡에 의한 손상 없이 생성시키는 식으로 물리적으로 또는 처리 롤과의 포지티브 접촉으로 조면화되는 것이 바람직한데, 이는 내마모성 물체로서 연성 고무 커버로 제공될 수 있다.

녹 제거, 페인트층 제거 또는 표면을 굳게 하기 위한 샌드블라스팅 공정이 이미 공지되어 있지만, 얇은 막 또는 필름이 왜곡이 거의 없이 특히 균일한 미세 조면에 의해 제공될 수 있다는 것은 놀랍다.

본 발명에 있어서, 다수의 노즐을 사용한 압력 분사 공정을 사용하는 것이 유리한데, 여기서, 분사 압력은 0.5 내지 2bar, 바람직하게는 0.6 내지 1.5bar이다. 압력 분사는 DIN 8200에 기재되어 있다. 기재로부터 노즐까지의 거리는 30 내지 200mm, 바람직하게는 50 내지 80mm이다. 가장자리가 뾰족한 제팅제(jetting agent)는 특히 그레인 크기가 10 내지 100μm, 바람직하게는 20 내지 50μm인 Al203과 같은 미네랄 제팅제가 제팅제로서 적합하다. 제팅제의 양은 일정한 속도로 가하여 기재 m²당 200 내지 1200g이다.

추가의 대체적인 모래 분사 공정, 즉 DIN 8200에 정의한 바와 같은 이른바 원심분리적인 송풍기를 갖는 제팅제는 특별한 장점을 갖는 본 발명에 따라 사용된다. 원심분리적인 송풍기 1개 이상을 일정한 속도로 제팅제에 채운다. 적합한 텟팅제는 가장자리가 뾰족한 미네랄 제팅제, 예를 들어 불규칙적이거나 모가 있는 스테인리스 스틸 또는 이외에 그레인 크기가 10 내지 500μm이내인 내식성 가소성 과립과 같은 금속성 제팅제이다. 이들의 가이드 튜브 버젼과 블레이드 버젼에서 원심분리적인 송풍기는 넓이가 1000mm 이하인 균질한 넓은 면적의 제트 패턴을 수득하는 것으로 설계한다. 제팅제의 양은 기재 m²당 200 내지 3000g, 바람직하게는 500 내지 1500g이다.

양 공정단계로부터 제팅제를 분진 입자를 제거함으로써 연속적으로 공정화한다. 생성되는 잔류 물질을 물질 순환에 순수한 형태로 재순환시킬 수 있다. 기재에 존재하는 분진을 흡입으로 제거하고 이와 같이 본 순환에 포함시킨다.

기술한 미세조면화 공정의 조합은 본 발명에 따라 가능하다. 따라서 예를 들어, 롤링 및/또는 엠보싱 단계/압력 제팅, 롤링 및/또는 엠보싱 단계/원심분리적 송풍기 제팅 또는 원심분리적 송풍기 제팅/가압 제팅과 같은 미세조면화 공정은 경제적이고 산업적으로 중요하다.

플라즈마 피복 전에, 기재를 기계적으로 한 방향 이상으로 신장시킬 수 있다. 기계를 피복하기 위한 장치는 또한 길이를 절단하거나/하고 기재를 포맷화시키는 장치를 하나 이상 함유할 수 있다. 추가로 가열 또는/및 냉각 장치를 갖는다.

바람지하게는 얇고 길쭉한 조각과 같은 필름 또는 박으로 제조된 미세조면화된 기재를 하나 이상의 멀티-음극 긴-아크 플라즈마 분무 장치를 갖는 피봇 스테이션에 다음 단계로 공급할 수 있다.

바람직하게는 넓이가 100mm 이상인 미세조면화된 기재를 플라즈마 분무 피복에 대하여 유입구를 통해 음향 및 번쩍이는 보호 후드에 연속적으로 통과시키고 유출구를 통해 벌어진 곳으로 통과하게 한다. 유입구와 유출구는 바람직하게는 연속적인 작동에서 음향 방출이 방음 부스 바깥쪽 공간에서 85dB(A)미만이 되도록 설계한다.

플라즈마 분무 처리 단계에서, 플라즈마 분무 장치의 고온 기체 제트하에 X방향으로 10 내지 200m/분의 속도로 기재를 1개 이상의 처리 롤로 이동시킨다.

플라즈마 분무 장치를 다량 사용하는 경우 질량 생성이 필요하다. 플라즈마 분무장치의 수는 필수적으로 기재의 넓이 및 피복 동안 플라즈마 분무 장치의 이동 또는 고정된 위치로 결정하고 예를 들어 2,6,12,24,36,48 및 64의 양으로 할 수 있다. 따라서, 특히 유리한 용도에서 예를 들어 기재를 조각 넓이 1200m로 플라즈마 분무 장치를 꾸준히 40으로 작동시킴으로써 전체 조각 넓이에 피복할 수 있다.

본 발명에 따라, 스틸, 알루미늄 또는 기타 금속 합금을 제조할 수 있는 처리 롤은 기재가 불가피하게 받게 되는 열 공정으로부터 열을 흡수하고자 하는 목적이다. 예를 들어 물과 같은 열 제거 유체 매질은 유동 속도가 5m/s 이하, 바람직하게는 0.2 내지 3m/s로 유동 방향으로 롤체를 통과시켜 특히 효과적인 방법으로 열 제거를 보조한다. 이를 처리 롤에 방치한 후에 가열된 유체 매질을 유리하게 순화 냉각 시스템에서 다시 냉각시킨다. 특히 추가로 롤은 처리 롤에서 기재의 실재적인 접촉을 제공한다.

유리하게도, 플라즈마 분무 장치는 방향 Z에 대해 평행하게 배열되어 있다. Z방향에서의 플라즈마 분무장치간의 거리는 플라즈마 분무 제트의 관리가능한 폭 및 기하학에 의해 예비결정되면 그 양은 플라즈마 분무 장치로부터의 1샷(shot)에 균일하게 도포된 비교적 두꺼운 분무층의 경우 10mm 초과, 바람직하게는 20 내지 50m이다. 특히 유리하게도, 플라즈마 분무 장치는 다수의 처리 롤상에 분포되므로 Z방향에서의 플라즈마 분무 장치간의 거리는 처리 롤의 수의 요소에 의해 증거된다. 처리 롤 상에 배열된 플라즈마 분무 장치는 교대로 오프셋팅 될 수 있다.

본 발명에 따르면, 플라즈마 분무 장치는 Z방향에 대해 고정 위치로 배열될 때 특히 유리하다. 특히, 예컨대 플라스틱 필름과 같이 특히 얇고 감온성 필름이 유지할 수 있고 또는 가장 높은 스트림 속도의 경우에 작동되는 동안 Z방향에서의 플라즈마 분무 장치의 왕복운동이 유리할 수 있다.

X방향에서의 베이스의 수송이 방해되는 경우에, 플라즈마 분무 장치는 처리롤로부터 스윙되는 것이 유리할 수 있다. 플라즈마 분무 장치의 저부 주변에 있는 기체 출입구와 베이스의 표면 사이의 거리는 바람직하게는 40 내지 200mm, 특히 바람직하게는 50 내지 100mm이다.

열 공정, 즉, 플라즈마 분무를 바람직하게는 플라즈마 채널 주변의 환상 배열 상태의 서로가 전기적으로 분리된 두개 이상의 음극을 지닌 간접적 플라즈마트론을 갖는 다중 음극, 긴-아크 플라즈마 분무장치를 사용하여 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 채널은 전기적으로 절연된 다수의 중성극 및 하나 이상의 인접한 양극에 의해 형성된다. 대략적으로 관상 플라즈마 채널은 약 6 내지 20mm, 바람직하게는 8 내지 15mm의 직경 및 20mm이상, 바람직하게는 30 내지 80mm, 특히 바람직하게는 32 내지 70mm의 길이를 갖는다. 상기 배열은 환상 도관을 통해 가해질 수 있는 플라즈마 형성 기체 또는 기체 혼합물을 가열하는데 특히 쉽게 이용될 수 있다. H2,H2등과 같은 분자성기체에 비해 동일한 엔탈피에서 더 높은 온도를 갖는 바람직한 기체인 아르곤 및 헬륨의 기체 혼합은 본 발명에 의하면 쉽게 이용될 수 있는데, 이때 헬륨 함량은 5 내지 50중량%, 바람직하게는 10 내지 40용량%이다. 바람직하게는, 전력은 직류의 형태로 약 10 내지30kw의 수준에서 가해진다. 전체 전류로서 측정된 전류 강도는 바람직하게는 총200 내지 500A이다. 음극의 수에 상응하여, 전류가 전류 분할기에 의해 음극면에서 두개 이상의 부분 전류로 분할될 수 있다. 양극환은 분무 분말이 제트 축에 수직인 축에 대한 +70° 내지 -30°의 각에서 운반 기체의 도움으로, 바람직하게는 0.5 내지 3.5mm, 특히 1 내지 2.5mm 직경의 하나 이상의 구멍을 통해 음극으로 도입되도록 고안될 수 있다. 구멍의 수는 유리하게는 음극의 수에 상응하거나 정수로 배가된다. 이어서 분무 분말의 양은 허용오차≤│±5│중량%을 갖는 하나 이상의 분말-측정 광초로 균일하게 사전 설정된다. 총 분말 양은 유리하게 분말 분할기에 의해 바람직하게는 동일한 양의 두개 이상의 부분양으로 분할될 수 있다. 필요한 경우, 특히 금속 분말이 사용되면, 상기 작업은 블랭키팅 기체하 또는 진공하에서 수행되어야 한다.

분말성 세라믹 분무 분말의 화학식 및 형태학적 조성물은 1991년 4월자 발간된 DIN 32에 구체화되어 있다. 염기는 옥사이드, 실리케이트, 티타네이트, 보라이드, 카바이드, 니트라이드, 금속, 금속 합금 및/또는 무기 안료, 특히, 알루미나, 스피넬, 붕소화티탄, 알루미늄, 니켈, 구리, 니켈-함유 합금 또는 구리-함유 합금중에 풍부한 물질로 피복할 수 있다. 본 발명에 따라서, 마이크로트랙 레이저 광성 회절 방법에 의해 측정된 결정 크기가 60μm이하, 바람직하게는 32μm이하, 특히 바람직하게는 24μm이하인 분말 또는 분말 혼합물을 사용하여 미립한 층을 생성한다. 또한, 세라믹 분말 및 분말 혼합물은 티타네이트, 실리케이트 및/또는 스피넬과 같은 물질을 함유할 수 있으며, 바람직하게는 성형 또는 소결된 형태로 존재하며, 적합하다면 또한 블록 유사 상태의 파쇄된 결정의 형태로 존재한다. 바람직하게는, 마이크로트랙 레이저 광선 회절에 의해 측정된 당해 분말 또는 분말 혼합물의 결정 크기 분포도는 대부분 3 내지 12μm의 범위로 존재한다. 바람직한 결정 크기 분포도를 가지면, 3μm이하의 결정 분획은 15용적 % 이하의 양으로 미세하게 존재할 수 있으며, 12μm이상의 분획은 15용적% 이하의 양으로 과도한 크기로 존재할 수 있다.

본 발명의 범위에서, 또한 예를 들어 폴리비닐 알콜과 같은 세라믹 및 유기 결합제의 응집된 결정으로부터 출발할 수 있다. 응집은 유리하게는 연속적인 건조 및/또는 스크리닝과 함께 제트 단계에 의해 수행한다. 응집물 크기는 바람직하게는 5 내지 100μm, 특히 20 내지 64μm이고, 상응하는 미세 및 과도한 크기로 존재할 수 있다. 응집물중의 결정은 특히 결정 크기가 12μm이하, 바람직하게는 6μm이하, 특히 바람직하게는 약 0.5 내지 3μm이다.

추가로, 세라믹 및 금속, 예를 들어 Al203-Al, Al203-MgO-알루미늄 합금 또는 세라믹 응집물을 금속 봉입물과 함께 갖는 상술된 형태의 기계적 혼합물 또는 응집된 결정을 사용하는 이점은 플라즈마 제트 중의 금속성 분획을 완전히 또는 부분적으로 산화시킬 수 있다는 것이다.

블록 유사, 응집된 또는/및 원자화된 분말의 임의의 목적하는 배합도 또한 가능하다. 바람직하게는 바이모달 또는 멀티모달 결정 크기 분포도를 갖는 분말 또는 분말 혼합물을 사용하여 얇고, 견고한 부착 층을 제조할 수 있다.

용어 박층은 평균 두께가 0.1 내지 20μm, 바람직하게는 0.2 내지 8μm, 특히 바람직하게는 0.4 내지 5μm인 층을 의미한다. 한편, 50μm이상, 80μm이상, 120μm 이상 또는 300μm 이상의 두께를 갖는 층을 분무하면 특정한 용도에 유리할 수 있다. 두꺼운 층은 요구되는 두께를 수득하기 위해, 플라즈마 분무 장치의 복수 배열에 의해 다수의 각 층을 겹쳐 놓음으로서 제조할 수 있다. 두꺼운 층은 기재가 후속 단계, 예 를 들어 분리, 용해 또는 부식에 의해 제거되는 경우에 특히 필요하다. 본 발명에 따른 층은 일반적으로 나란히 위치하고, 어떤 경우에는 하나의 층위에 다른 당이 위치되어 있는 높은 비율이 거의 얼룩 형태의 물체를 함유하므로, 공동성 또는 거의 밀집한 층을 생성한다. 층 및 특히 이의 표면은 대부분 작고 거의 구형인 물체의 부분을 함유할 수 있다. 개개 물체의 전체 수에 있어서 대부분 작고 거의 구형인 물체의 부분은 5% 이상, 바람직하게는 10% 이상, 특히 바람직하게는 30% 이상 및 매우 특히 바람직하게는 50% 이상의 양으로 적용된다.

층 두께는 피복 기재에서 피복되지 않은 기재를 뺀 중량간의 차이로부터 또는 바람직하게는 3개 이상의 횡 단면 및 현미경적 측정에 의해 비중계적으로 측정할 수 있다. 접착 강도는 접착 테이프를 피복된 기재상에 프레스한 후 이를 피복표면에 대해 수직으로 끌어당김에 의해 측정할 수 있다. 이 경우에, 피복 물질은 접착 층에 인접해서는 안된다. 접착 강도의 실험을 위한 추가의 시험에서는, 기재를 90°로 휘게 함, 기재의 두께에 따른 반경 및 예를 들면, 바람직하게는 0.3mm의 두께에서 1mm 의 반경에 의한 결과로써 층이 박편으로 벗겨져서는 안된다.

기재상의 층의 형태 및 두께는 플라즈마 분무층은 페인트 또는 접착층이 되기 위한, 직접 촉매로서 사용하기 위한, 촉매를 적용시키기 위한, 촉매를 제조하기 위한 작용성 층, 예를 들면 웨어링 층 또는 인쇄 기술, 상기 모든 오프셋 인쇄판에 있어 기본 용액 가이드를 제조하기 위한 장치로서 사용될 수 있다.

본 발명에 따라 적용된 세라믹 또는 금속-세라믹 층은 작용성 또는 다중-작용성 층으로서 사용하는 경우 매우 중요한 특성을 갖는다. 잔류하는 다공성의 결과로써 촉매를 사용하거나, 촉매로써 직접 작용하거나 얇은 내마모층으로서 공급되거나, 특히 얇은 상부 피복층을 사용하기에 적합하다. 이는 기본 용액에 의한 침식에 대해 내성이며 친수성일 수 있다. 또한 이것은 친수성 층으로 사용하는 경우 및 오프셋 인쇄판으로서 사용하기 위한 감광성 수지를 사용한 연속 피복의 경우에 포지티브 효과를 작은 다수의 기능을 충족시킨다.

미세조면화, 긴-아크 플라즈마 분무 장치를 사용한 플라즈마 분무 및 사용된 분무 분말의 상호작용의 수단에 의해, 기재상에서 본 발명에 따라 제조된, 인쇄판으로서 사용하기 위한 층은 DIN 4768에 따른 4 내지 10μm 크기의 밸리 높이 Rz에 대한 피크를 갖는 거침, 방울 성형(blob-shaped)에 의해 형성된, 특히 대부부의 경우 5μm 또는 10μm 크기 이상의 대상을 부분적으로 균열이 가도록하고 주로 0.5 내지 3μm 크기의 구형 분무 소적 다수에 의해 특히 유리하게 형성된 거침을 가지며, 이는 균일하게 분포된 분산 그레인으로서의 피복에 확고히 접착되도록 연결된다. 피복된 기재의 일부 다른 적용에 있어, 표면은 인쇄판의 구조보다도 더욱 거친 구조를 지닐 수 있다. 따라서, 대부분의 경우 이들은 30μm, 바람직하게는 20μm미만의 밸리 높이 Rz에 대한 피크를 갖는다.

이러한 방식으로 성형된 층은 접착되지 않은 미세입자를 취입 제거하거나 흡입 제거함에 의해 유리하게 청결히 할 수 있다. 기재를 피복하는 장치는 플라즈마 분무층으로부터 기재를 제거하는 장치를 포함할 수 있으며, 이것은 특히 기재를 탈착시키고, 부식시키고/시키거나 용해하는데 제공된다.

본 발명의 영역내에서 세라믹 층으로 덮여있는 기재를 펀칭, 커팅 등에 의해 산물 크기로 하는 것도 가능하다. 이렇게 수득된 형태는 상기 모든 웨어 보호용 점성 필름으로써, 예를 들면 접착성 피복물 또는 접착성 필름을 기재 또는 플라즈마 분무층의 배면에 대해 양쪽 측면상에 적용시킴에 의해 사용할 수 있다. 또한 윤활제와 상호작용하는데 있어서 특히 유리한 특성의 표면을 갖는 2차원 형태를 사용하는 것도 가능하다. 본 발명에 따른 추가의 적용은 피복된 기재를 프린탕 실린더에 대해 프레이트를 차단하는 것과 같이 클램프하는 경우 이용될 수 있으며 이로써 오프셋 인쇄 공정에서 장기간 지속되는 물공급이 이루어진다.

추가의 처리 단계에서, 층 지지체로서 사용하기 위해 피복된 기재를 플라즈마 분무에 적용시킨 후 추가의 제조 과정에서 하나이상의 추가의 피복 과정에 적용시킬 수 있다. 기재의 피복은 유리하게는 스핀 피복, 분무, 침지, 롤링에 의해, 피복 노즐, 블레이드 또는 취입 피복에 의해 수행된다. 적용된 조성물은 유기 용액, 수성 용액, 감광성 및/또는 방사선 민감성 혼합물 또는 기록 물질을 함유할 수 있다. 이들 조성물이 광물, 무정형 물질, 유리, 세라믹, 기타 경 물질 또는 플라스틱을 추가로 함유하는 경우 또한 유리하다.

추가의 층으로 덮일 수 있는 플라즈마 피복된 기재는 층 지지체로 칭한다.

상응하게 피복되고 친수성 특성을 갖는 기재는 감광성 또는 방사선 민감성 혼합물 또는 기록 물질, 예를 들면 오프셋 인쇄판 갖는 층 지지체로서 사용될 수 있다.

이러한 적용을 위한 층 지지체로서, 피복되고, 비처리된 기재가 사용될 수 있다. 오프셋 인쇄판으로서의 또 다른 양태에 있어, 층 지지체는 건조 또는 습윤화학 방법, 예를 들면, 폴리비닐포스폰산, 실리케이트, 포스페이트, 헥사플루오로 지르코네이트 및/또는 가수분해된 테트라에틸 오르토실리케이트를 사용하여 추가로 화학적 처리에 적용시킬 수 있다.

방사선 민감성 기록 물질, 용매 및 중합체성 결합체 또는 염료, 색상 형성제 등과 같은 기타 물질의 혼합물은 처리되거나 처리되지 않는 지지체상에 침착된다.

특히, 기록물질에 사용되는 방사선 감수성 물질은 예를 들어 1,2-나트토퀴논-2-디아지드-5-설폰산, 바람직하게는 에스테르, 또는 축합 가능한 방향족 디아조늄염(예:디페닐아민-4-디아조늄 염)과 알데하이드(예:포름알데하이드)와의 축합 생성물이다. 디아조 단위이외에 또한 축합될 수 있는 화합물로부터 유도된 다른 광-비민감성 단위, 특히 방향족 페놀, 카복실산, 포스폰산, 티올, 산 아미드 또는 산 이미드를 포함하는 축합 생성물이 특히 유리하게 사용된다. 이러한 축합 생성물은 예를 들어 DE-A 2,024,244 및 DE-A 2,739,774에 기술되어 있다.

본 발명에 따른 기록 물질은 또한 알칼리 수용액에 용해되거나 분산가능한 중합체성 수불용성 결합제를 포함한다. 감광성 층내의 디아조늄 화합물의 함량은 층내 고체의 총중량을 기준으로 하여 일반적으로 5 내지 80중량%이고, 중합체성 결합체의 함량은 20 내지 90%이다.

중합체성 결합제의 예는 폴리비닐 에스테르 공중합체, 폴리비닐 아세탈, 아크릴산/메타크릴산 에스테르 중합체(방향족 또는 지방족 하이드록실 단위, 카복실산 단위, 설폰산 단위, 포스폰산 단위, 산 아미드 단위 또는 이미드 단위 포함), 크레졸/포름알데하이드 노볼락, 또는 하이드록시스트렌, 하이드록시페닐 또는 디하이드록시페닐 메타크릴레이트 또는 디하이드록시페닐메타크릴레이트, 하이드록시벤질 또는 디하이드록시벤질메타크릴레이트 또는 디하이드록시벤질메타크릴레이트의 공중합체이다.

기록 물질을 혼합물의 조성 성분과 비가역적으로 반응하지 않는 용해 혼합물질중에 용해시킨다. 용매는 고려되는 피복 방법, 층 두께 및 건조 조건과 조화되어야 한다. 적합한 용매는 케톤, 예를 들어 부타 온 및 메틸 에틸 케톤, 염소처리된 탄화수소, 예를 들어 트리클로로에틸렌 및 1,1,1-트리클로로에탄, 알콜, 예를 들어 메탄올, 에탄올 또는 프로판올, 에테르, 예를 들어 테트라하이드로푸란 및 글리콜 모노에테르, 예를 들어 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 및 에스테르, 예 를 들어 부틸 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트이다. 특정 목적에 따라 아세토니트릴, 디옥산, 디메틸 아세트아미드, 디메틸 설폭사이드 또는 물과 같은 용매를 추가로 함유하는 혼합물이 사용될 수 있다. 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르가 특히 바람직하다.

종종, 화학물질, 부착, 착색 또는 추가 처리 단계 동안 색상 변화에 대한 내성과 같은 특성을 부여하기 위해 추가의 물질을 혼합물에 가한다. 이러한 물질은, 예를 들어 폴리글리콜, 불소 또는 실리콘 첨가제, UV흡수제, 가소화제, 지시 염료, 염료, 안료 및 착색제이다. 마찬가지로, 디아조 화합물의 안정화를 위해 무기산 및 유기산과 같은 산성 화합물을 함유시킬 수 있다.

이들 응용 조성물은 연속 순환 기류 건조기중에 건조시킨 후에 통과시간 0.5 내지 4분으로 하여 70 내지 140℃의 온도에서 간편하게 배열되고 바람직하게 0.5 내지 3g/m²의 층 질량을 가지는 단단하게 부착된 피복층이 층 지지체상에 형성되는 양으로 축적된다.

상기 방법후에, 인쇄판을 스트립형으로 절단하여 이의 최종 크기가 되도록 한다. 인쇄판은 필름 원형을 통한 진공 접촉 분사 프레임내에서 이들이 조사될 수 있을 만큼 평평하다. 알카리 저항성은 특히 우수하여 인쇄 양식이 알칼린 용액으로 생성될 수 있다.

유리하게, 인쇄판을 보존할 수 있다. 층을 경화시키기 위한 추가의 열처리가 가능하다.

인쇄기에서 본 발명에 따라 제조된 인쇄판은 1982 FOGRA-UGRA 오프셋-테스트 웨지와 함께 웨지단계 4가 개방되고 10μm의 둥근선이 포장된 상태로 재생되며 이것이 개방된 상태로 8μm에서도 성취될 수 있도록 우수한 아이들링 작용을 하며 우수한 수분 공급 및 특히 섬세한 선 및 스크린 도트의 우수한 재생을 나타낸다.

또한 인쇄판은 비이미지 영역 부분 특히 안정한 긴 런으로 우수한 물을 공급하는데 뛰어나다. 약 200 내지 250℃에서 인쇄 양식의 추가의 열처리는 롱런의 안정성을 300 내지 350%까지 증가시킬 수 있다.

도 2에서 나타낸 바와 같이 다중 음극 긴-아크 플라즈마 분무 장치를 사용하는 테스트에서 놀랍게도 다양한 작동 조건하에서 특히 얇고 탄성 및 내식성 피복층이 기계적 처리없이 소층 두께 내성과 함께 제조될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 또한 놀랍게도 상기 테스트에서 비안정성 짧은 아크를 장착한 플라즈마 분무 장치와 비교한 바와 같이 안정한 긴 아크의 양성 성질이 보다 우수한 용해 작용에서 반사될 뿐만 아니라 안정한 아크와 함께 다중 음극 프라즈마 분무 장치의 각각의 음극 루트가 특히 양극의 영역에서 분말형 세라믹 물질을 도입하는데 적합한 것으로 밝혀졌다. 양극 영역에 분말을 도입함으로서 예를 들어 특히 아크의 루트를 향하는 하나이상의 구멍을 통하여 무엇보다도 큰 영역 기재상의 퇴적에 적합한 균일한 큰 영역 및 잘 용해된 퇴적 양식이 수득되는 방식으로 표면상에 분말의 퇴적을 배열하는 것이 가능하다. 피복 도중 그 자체가 양성적으로 명백해지는 추가의 효과는 전력이 불단정한 짧은 아크 플라즈마 분무 장치와 비교하여 분말의 우수한 용매와 함께 기체 제트가 상당히 감소되도록 합성함으로써 성취된다. 상기 효과와 연관된 필름 기재에 보다 낮은 열의 주입은 보다 낮은 요구되는 냉각 효과의 형태로 양성 방식에서 일반적으로 뚜렷해짐으로써 특히 온도 스트레스하에 미세구조 변화를 겪는 필름 기재 또는 플라스틱 필름과 같은 민온성 필름 기재 및 종이 함유 기재와 같은 혼합물, 예를 들어 금속/플라스틱 혼합물 또는 주석과 혼합된 철, 과 같은 높고 낮은 용해 금속의 혼합물 또는 매우 상이한 성질을 가진 성분의 혼합물이 이로운 방법으로 피복될 수 있다. 상기 유형의 작동의 추가 장점은 소음 발산으로 인한 피해가 예를 들어 단일 플라즈마 분무 장치를 장착한82dB(A) 만큼 감소되며 그 결과 다수의 상기 플라즈마 분무 장치가 사용되는 경우에 방음 장치가 방음 부스내 구멍을 통하여 계속적으로 기재를 주입하는 것이 가능할 정도로 감소될 수 있다. 소음 발산을 감소시킴으로써 또한 위험, 플라즈마 분무 장치의 작동에 방해 및 시작과 종결시 상실되는 잔류하는 단위체 없이 방음 부스내에 개인에 따라 단기 유지 장치를 수행하는 것이 가능하다.

실시예 1

롤링 윤활유에서 추출하고 두께 300μm 및 넓이 1200mm, 벽 두께 30205를 가지고 각각의 경우에 10회 측정의 평균과 비교되는 0.2 내지 0.45μm의 DIN 4768에 따른 평균 피크 대 발리 높이 값 Ra로서 측정된 거칠기를 가지는 매트-롤 알루미늄 박 스트립을 첫 번째 후처리 단계에서 압력 제팅 방법에 의한 미세 절삭을 위한 모래분사시킨다. 사용되는 제팅제는 마이크로트랙 레이저광 분산 방법으로 측정된 99중량%의 Al203함량 및 12 내지 40의 밀크기 및/또는 약 5% 미세가루 함량을 가진 융합되고 깨지고 뾰족한 알루미나 분말이다. 제팅제는 알루미늄박 껍질 m²당 550g의 양으로 기계적 계기화 장치로 일정하게 채우고, 0.6bar의 압축 공기로 가속화시킨다. 제팅제는 입자 크기3μm를 제거하는 선별 단계 후 재사용할 수 있다. 샌드블라스팅의 결과, 지세학에서 문헌(참조; DIN 47610berflachenatlas[Surface atlas], 143p)에 의해 돌로 정의된 바대로 미세-모랫발 무늬 표면이 형성된다. 표면은 문헌(참조; DIN 4768)에 의한 평균 피크 대 밸리(peak-to-Valley) 높이 수치(Ra)로서 측정된 바와 같은 0.8 내지 1.2μm의 조도를 갖는데, 각 경우 평균 10회 측정한다.

미세 조면화 후, 흡입으로 표면의 느슨하게 부착된 분진을 제거하여 깨끗이 한다. 다음 제조 단계에서, 고온의 플라즈마 제트내의 분무 분말을 가열하고, 그것을 미세조면화 표면상에 분무하므로 깨끗한 박 스트립을 플라즈마 분무층으로 피복한다. 이 제조 단계에서, 박 스트립을 일정 속도 50m/분으로 전기적으로 추진되는 두 개의 처리 롤로 고온기체 제트하고 움직인다. 처리 롤은 약 15℃, 2m/s의 속도의 물에서 수행된다. 포일 스트립은 약 0.3m상의 10N의 힘으로 처리 롤에 대해 구멍을 내는 방법으로 추가로 3개의 롤을 통해 움직인다.

40플라즈마 분무 장치로 부터 고온의 기체의 출구는 처리 롤의 중앙 축에 평행으로 배열된다. 플라즈마 분무 장치는 기체 출구와 70mm의 포일 표면 사이에 공간을 갖고, 일정하게 30mm 이상의 공간으로 2개의 처리 롤을 분배한다. 각 플라즈마 분무 장치에 대한 동일한 조건은 하기에 기술한다. 각 고온의 기체 제트는 양극 말단과 음극 말단 사이의 거리로 측정된 40mm 길이의 채널에서 발생한다.16kW의 직류 전류의 전파는 3mm 직경으로 배열된 3개의 양극 환과 음극 환을 통해서 적용된다. 거의 타지 않는 우수한 원형을 갖고, 불변의 아크 길이를 갖는 3개의 아크가 생긴다. 불변의 원형의 증거는 거의 57볼트로 일정한 실제의 아크 전압의 측정으로 제공된다. 가열된 플라즈마 기체는 아르곤 58부와 헬륨 42부의 혼합으로 구성된다. 90도 각에서 배열된 양극 축의 환상의 음극환으로 3개의 구멍을 통해서 주입된 전원은 마이크로트랙 레이저 광 분산법에 의해 매질 값으로 측정된 입자 크기 D50 7μm이다. 알루미나 분말은 Al203 합량99.5%를 갖고, 융합된 파쇄된 블록과 같은 형태로 존재한다(참조; DIN32429/4-91, 도 Al). 분말 배출 속도는 6g/분이고, 일정하게 내성 ±5인 기계적으로 추진된 분말 수치 장치로 미리 조절되고, 아르곤 51를 이동 기체로 가속화되고, 분말 분배기로 동일한 크기의 3부분으로 분배한다.

용융된 분말 전송용 고온 기체 제트는 온도를 기준으로 160℃ 이하에서 발생되고, 박 스트립의 뒷면을 두드려진 온도 측정 스트립으로 측정한다. 알루미늄박 스트립의 장력, 160MPa/mm2은 역으로 열 작용에 영향을 주지 않는다.

기체 제트에 의해서 발생한 방출 소음은 기체 제트당 85dB(A)이다. 101dB(A)의 방출 소음에 의한 40플라즈마 분무 장치는 방음 부스로 싸인 플라즈마분무 장치에서 측정한다. 간단한 보존 작업을 위한 방음 부스의 접근 DIN 32760에 의한 귀 보호막을 사용함으로 가능하다. 방음 부스 이외에, 100mm 두께의 광물질 섬유층으로 이루어진 주택에서, 소음 수치 80dB(A)는 DIN45630과 DIN 45635하의 소음 사건 방비 규칙에 의해서 결정된다.

이 시험에 발생된 층은 상이한 중량법으로 측정된 중량 2g/m²을 갖는다. 약 물방울 형, 주로 80 내지 700μm²기초 면적의 부분적으로 갈라진 물체로 이루어져 있는 층은, 서로 표면에 놓이고, 부분적으로 또는 주로 상기와 같이 놓일 경우 주로 0.3 내지 1μm의 층 두께로 약 일정한 외피를 갖는다. 2차원적 물체상의 일정한 부분 분산에서 원형 또는 원형화된 0.5 내지 2μm의 입자에 단단히 부착된다. 표면 분석은 전자 현미경으로 스캐닝 하므로 수행된다. 표면 밀도는 응용 산성 구리 설페이트 용액과 구리의 저장 방법으로 측정된다. 2 내지 3분의 작용 후에 1차 구리색을 띤 변색은 기재의 영향을 주는 용액으로 빛의 도움없이 표면에서 검색된다. 추가의 질적특징은 DIN 4768에 의해 피크-대-밸리 높이 Rz으로 측정된다. 각 경우에 10포인트에서 측정되고, 평균 피크-대 밸리 높이 Rz은 약 5 내지 6μm이다. 층의 고착 강도는 층에 단단히 압착된 고착 테이프에 의해 측정되고 따라서 갑자기 표면에서 수직으로 제거된다. 접착 표면에서 분리된 층은 없다. 1mm의 크기의 정도의 반경을 갖는 30mm 넓이의 스크립을 90°로 구부려, 나머지 표면으로 부터 파괴되는 광범위한 분리에 의해 층을 제거할 수 없다.

실시예 1에 따라 제조된 박 스크립을 추가로 하기 기술되는 실시예 2 내지 5에 따르는 추가의 공정으로 처리한다.

실시예 2

알루미나로 피복된 알루미늄 기재를 폴리비닐포스폰산을 함유하는 침지욕을 통해 다음의 공정 단계에 통과시킨다. 과량의 액체 분획을 압착 롤러를 사용하여 제거한다.

추가의 공정 단계에서, 포지티브 디아조 복사층을 유동 피복에 의해 사전 처리된 박에 적용시킨다. 디아조 복사층은 다음의 조성을 갖는다:DIN 53783 및 DIN 53240에 따라 하이드록실가가 420(하이드록실 그룹 함량 7.5mmol/g 및 평균 분자량 MW 10000(폴리스티렌 표준물을 사용하여 겔 투과 크로마토그래피 GPC에 의해 측정)에 상응)인 크레졸/포름알데하이드 노볼락 수지 5중량%, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-설포닐 클로라이드 3mol 및 2,3,4-트리하이드록시벤조페논 1mol의 에스테르화 생성물 1.2중량%, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드 0.15중량%, 빅토리아 퓨어 블루(C.I. 44045) 0.1중량%, 부탄온 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르의 40/60 혼합물 93.55중량%, 적용된 복사층을 125℃에서 연속 순환 공기로 건조시킨다. 건조시킨 복사층의 중량은 2.4g/m²이다.

스트립 형태의 물질을 750×550mm의 크기로 절단한다. 판형 물질을 오프셋 인쇄판으로서 사용한다. 인쇄 패턴을 생성시키기 위해, 플레이트를 진공 접촉 복사 프레임에서 배기에 의해 포지티브 시험 원형과 접촉시키고, UGRA-K14에서 110cm의 거리에서 5kW 금속 할라이드-도핑된 수은 증기 램프에 노출시킨다. Na2SiO3 0.45mol/l, 벤조산 10.00g/l 및 HLB가가 13인 노닐페놀 에톡실레이트 1.00g/l의 현상액 욕에서0.8m/분의 가공 속도로 브러쉬를 사용하여 침지 욕 현상 장치로 현상을 수행한다.

이러한 방법으로 측정한 복사 기술 특성은 다음과 같다:

1982 FOGRA-UGRA 오프셋 시험 웨지에서, 단계 4를 개방 단계 웨지 생성을 도달시킨다. 커버링된 상태에서 선형-라인 생성은 10μm 에서 일어나고, 개방상태에서는 심지어 8μm에서 일어난다.

수득된 인쇄 패턴을 다음의 인쇄 기술 특성을 갖는 오프셋 인쇄 프레스에서 인쇄판으로서 사용한다:이소프로판올 30용적% 및 물 70용적% 또는 이소프로판올 30용적%, 인산 1용적% 물 및 물 69용적%의 2개의 통상적인 원 용액은 공격받지 않는다. 통상의 인쇄판과 비교하여, 원 용액에 대한 증가된 요건은 존재하지 않는다. 인쇄 시험을 특성의 손실없이 30000 복사의 인쇄 수행 후 종결한다.

실시예 3

알루미나로 피복되고 기재 m2당 알루미나의 총 중량이 8g인 알루미나 기재를 침지 욕에서 실시예 2에서와 동일한 방법으로 처리한다. 판형 물질을 750×550mm의 크기로 절단한다. 판형 물질을 오프셋 인쇄 프레스에서 블라인-차단판으로서 사용한다. 전락의 1밀리온 공전 후에만 마모가 검출된다.

실시예 4

침지 욕 함침 공정 단계 없이 실시예 1에 따라 제조된 박 스트립을 네가티브 디아조 복사층으로 유동 피복하여 제공한다. 디아조 복사층은 다음의 조성을 갖는다:분자량이 70000 내지 80000이고 비닐 부티랄 71중량%, 비닐 아세테이트 2중량% 및 비닐 알콜 단위 27중량%를 함유하는 폴리비닐 부티랄과 포로페닐설포닐 이소시아네이트와의 반응 생성물 1.70중량%, 3-메톡시디페닐아민-4-디아조늄 설페이트 1mol 및 메시틸렌설포네이트로서 침전되는 4,4-비스-메톡시메틸디페닐 에테르 1mol로 이루어지는 디아조늄 염 다중 축합 생성물 0.60중량%, 빅토리아 퓨어 블루 FGA(C.I.베이직 블루 81) 0.09중량% 및 85% 포스포르산 0.07중량% 및 2-메톡시에탄올 60중량% 및 부틸 아세테이트 20중량%.

도포된 복사층을 연속적 순환 공기 건조기에서 1분의 통과시간으로 125℃에서 건조시킨다. 총 중량은 건조량으로서 1g/m²이다. 스트립 성형 기판을 마찬가지로 750×550mm의 크기로 절단한다. 판을 다시 오프셋 인쇄판으로 사용한다. 이들 실시예 2에 기술된 바와 같이 노출시키고 현상시킨다; 그러나 출발점은 네거티브 시험 원판이고, 하기 조성의 상이한 현상제욕을 사용한다:4중량%의 Na 펠라고네이트, 1중량%의 Na 에틸렌디아민테트라메틸렌포스포네이트, 1중량의 페녹시에탄올, 2중량%의 규산칼륨 및 93중량%의 물.

복사 기술 특성 및 인쇄 기술 특성은 실시예 2에 상당한다.

실시예 5

실시예 1에 따라 도포된 알루미늄 대상물을 기판 m²당 알루미늄 20g의 총 중량으로 제공한다. 이러한 총 중량을 얻기 위해서, 전력 공급 속도를 30g/min으로 증가시키고 스트립 속도는 10m/min으로 감소시킨다.

이 방법으로 알루미나로 도포된 기판은 알루미늄 페이퍼가이드 롤상에서 쉽게 대체가능한 웨어 라이닝으로 사용한다. 페이퍼 가이드롤은 박이 롤 주위에 배치되고 인쇄 실린더와 유사한 방법으로 고정 장치에 의해 롤 바디 주위에 단단히 자리잡는 방식으로 고안된다. 웨어 라이닝은 롤을 제거하지 않고 재생할 수 있다. 또한, 용이하게 세정하고 윤활성을 증가시키기 위해서 PTFE 함유 수지와 접촉된 판을 도포할 수 있다.

비교실시예 6

실시예 1에 기술된 바와 같이, 두께가 300μm이고 폭이 500mm인 알루미늄박 스트립은 50m/min의 속도로 5개의 단일 음극 짧은 아크 플라즈마 분무장치로부터의 기체 제트하에 스틸의 처리 롤 위를 통과하여 이동시키고 유체 매질의 유동을 수반하지 않으며, 제조업자(스위스 볼렌소재의 Plasmatechnik Ag/Sulzm Metco AG)이 기술 상태에 따라 유형 F4의 비지속성 연소 거동을 나타낸다. 기체 배출구 및 박표면 사이의 거리는 70mm이다. 플라즈마 분무장치를 처리 롤의 중심축에 평행한 20mm의 거리로 배열하여 100mm 범위가 도포되도록 한다. 뜨거운 기체 제트를 7mm 직경의 채널에서 43KW의 전력에 의해 발생시키고, 비지속성 아크의 실제 아크 전압은 최대 72V이고 최소 40V이며 약 2000Hz이의 주파수로 이동한다. 가열되는 플라즈마 기체는 23용적%의 수소 및 77용적%의 아르곤의 혼합물로 이루어진다. 알루미나 분말을 6g/min의 속도로 5mm의 거리로 양극의 앞에서 직경 1.8mm의 채널을 통해 주사하고 99.5%의 성분은 코울터 계수기로 측정한 그레인 크기15μm이다. 이는 기계력 측정 수단으로 충전된다.

용융 분말을 사용하는 뜨거운 기체 제트는 300℃이상의 온도를 기판에 발생시킨다. 이 온도는 기판 배면에 온도 측정 스트립 수단에 의해 측정되지만, 처리롤은 플라즈마 분무 장치의 바로 하부로 압축 공기로 냉각시킨다. 그러나 이러한 이유로 알루미늄박 스트립의 인장강도는 160MPa/mm2 내지120MPa/mm2으로 감소한다.

기체 제트에 의해 발생되는 소음 방출은 기체 제트당 120dB(A)이고, 127dB(A)의 소음 방출은 5개의 플라즈마 분무 장치로 성취되고, 다시 말해서 개별적인 플라즈마 분무 장치의 약 3배이다.

상기 비교예에 의해 제조된 층은 차등 칭량 방법으로 측정한 3g/m²의 중량을 갖는다. 층 조밀도는 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 2분의 작용 시간 동안 측정한다. 10포인트에서 측정하여 평균한 파고 Rz는 7 내지 8.5μm이다. 접착 강도는 실시예 1과 동일하다.

실시예 2에 따라서, 이렇게 피복된 기재는 복사층으로 도포하고 노출 전개하여 인쇄판을 수득한다. 수득된 인쇄판은 실시예 2와 비교하여 복사 공학 특성에 있어서 품질이 감소된다. 순환 라인의 재생은 도포된 상태에서는 20μm, 개방 상태에서는 15μm에서 나타난다.

Claims

분무 분말을 중성극/중성극 영역, 음극/음극 영역 또는 이들의 사이에 있는 분말 공급 도관을 통해서 일정 시간 이상 동안 길이가 약 20mm 이상인 하나 이상의 아크에서 플라즈마 분무 장치의 채널 속으로 도입함을 포함하여, 플라즈마 속에 용융된 분무 분말을 이용하여 약 0.005m²이상의 소위 연속 스트립 또는 대면적 포맷인 기재를 플라즈마 분무층으로 피복하는 방법.
제1항에 있어서, 주로 작은, 대략 구상인 물체를 함유하는 대략적으로 방울 형태인 물체의 층이 기재에 도포되는 방법.
제2항에 있어서, 도포되는 개별적인 형태의 총수에서의 주로 작은, 대략 구상인 물체의 비율이 5% 이상, 바람직하게는 10% 이상, 특히 바람직하게는 30%, 매우 특히 바람직하게는 50% 이상인 방법.
피복된 기재용의 하나 이상의 유출구를 갖는 방음 부스가 사용되고, 큰 포맷기재를 계속 피복하는 동안 방음 부스로부터 방출되는 소음이 110dB(A)를 초과하지 않는 기재의 피복방법.
제4항에 있어서, 방음 부스로부터 방출되는 소음이 95dB(A)를 초과하지 않고, 특히 바람직하게는 85dB(A)를 초과하지 않는 방법.
제1항 내지 제5항중의 어느 한항에 있어서, 기재가 바람직하게는 크기가 0.01m²이상, 특히 바람직하게 0.05m²이상인 소위 연속 스트립 또는 대면적 포맷인 방법.
제1항 내지 제6항 중의 어느 한항에 있어서, 기재의 너비가 20mm이상, 바람직하게는 120mm이상, 특히 바람직하게는 250mm 이상인 방법.
제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재의 두께가 3mm이하, 바람직하게는 0.1 내지 0.6mm, 특히 바람직하게는 0.12 내지 0.35mm인 방법.
제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 금속 또는 합금, 플라스틱, 충전재 함유 플라스틱, 제지 함유 물질, 복합재 또는 복합재 구조물로 구성되는 방법.
제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 알루미늄, 알루미늄 합금, 적층된 알루미늄박 또는 플라스틱 필름, 특히 폴리에스테르로 구성되는 방법.
제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 플라즈마 피복 전에 접착 촉진제로 피복되는 방법.
제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가, 예를 들어, 롤링 또는 엠보싱 단계와 같은 기계적인 방법, 예를 들어, 코로나 방전, 캐퍼시터 방전 또는 아킹(arcing)과 같은 물리적 방법 또는 압력-제팅, 분사(sandblasting) 또는 브러싱에 의해, 또는 화학적 방법 또는 접착 촉진제를 도포함으로써 미세조면화되는 방법.
제12항에 있어서, 기개가 원심분리식 송풍기 제트에 의해 미세조면화되는 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서, 기재가 다수의 조면화 방법(roughening process)을 조합함으로써 미세조면화되는 방법.
제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 피복용 기재가 10개의 개별적 측정의 평균으로서 평균 피크 대 벨리 최고 값 Ra가 4μm이상, 바람직하게는 0.2 내지 2μm, 특히 바람직하게는 0.3 내지 1.2μm인 미세조면화된 표면을 갖는 방법.
제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 방음 부스를 통과하는 방법.
제1항 내지 제160항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 슬롯을 통해서 방음 부스로 도입되는 방법.
제1항 내지 제17항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 방음 부스 내부 속의 다수의 롤 위를 통과하는 방법.
제1항 내지 제18항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 유체 매질에 의해 냉각된 롤 위를 통과하는 방법.
제1항 내지 제19항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 하나 이상의 균일한 배열하의 플라즈마 분무 장치하에 피복되는 방법.
제1항 내지 제20항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 플라즈마 분무장치의 정상 또는 준-정상 연소 거동 동안 피복되는 방법.
제1항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 플라즈마 분무장치의 비정상 연소 거동 동안 피복되는 방법.
제1항 내지 제22항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 옥사이드, 실리케이트, 보 라이드 또는 니트라이드 형태의 물질 또는 이러한 물질들의 혼합물로 피복되는 방법.
제1항 내지 제23항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 옥사이드, 실리케이트, 티타네이트, 보라이드, 카바이드, 니트라이드, 금속, 금속 합금 및/또는 무기 안료, 특히 알루미나, 첨정석, 붕화티탄, 알루미늄, 니켈, 구리, 니켈 함유 합금 또는 구리 함유 합금이 풍부한 물질로 피복되는 방법.
제1항 내지 제24항 중의 어느 한 항에 있어서, 피복된 기재가 기체 제트 속에서 냉각되는 방법.
제1항 내지 제25항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 플라즈마 피복되기 전에 하나 이상의 방향으로 기계적으로 연신되는 방법.
제1항 내지 제26항 중의 어느 한 항에 있어서, 피복된 기재가 슬롯을 통해 방음 부스 밖으로 빠져나오는 방법.
제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 기재가 플라즈마 분무층으로부터 대부분 또는 완전히 제거되는 방법.
제1항 내지 제28항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 제거된 플라즈마 분무층 또는 피복된 기재가 일정 크기로 절단되는 방법.
제1항 내지 제29항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재가 제거된 플라즈마 분무층 또는 피복된 기재 이외의 구성 요소와 조화되고/되거나 적합하도록 엠보싱, 펀칭, 컷팅 또는 유사한 작업 방법에 의해 독특한 포맷에 이르게 되는 방법.
길이가 20mm이상인 아크를 발생시키고 음극/음극의 영역 또는/및 중성극/중성극의 영역 또는/및 이들 사이에 공급되는 분무 분말을 가열시키기 위한 하나 이상의 중성극 및 하나 이상의 음극을 포함하는 다수의 플라즈마 분무 장치 및 하나 이상의 방음 부스를 포함하며, 기재를 미세조면화하는 기계적, 물리적 또는 발사 미세조면화용 기구를 포함하는, 피복용 장치.
제31항에 있어서, 기재를 가이드하는 다수의 롤을 포함하는 장치.
제31항 또는 제32항에 있어서, 하나 이상의 롤이 유체매질에 의해 냉각되는 장치.
제31항 내지 제33항 중의 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 분무 장치가 규칙적인 배열로 배치되어 있는 장치.
제31항 내지 제34항 중의 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 분무 장치가 하나 이상의 롤 또는 기재를 가이드하기 위한 상이한 형태의 하나 이상의 가이드 보조기구 위에 배열되는 장치.
제31항 내지 제35항 중의 어느 한 항에 있어서, 방음 부스가 기재를 도입시키기 위한 하나 이상의 유입구를 갖는 장치.
제31항 내지 제36항 중의 어느 한 항에 있어서, 방음 부스가 플라즈마 피복 기재 또는 기재가 제거된 플라즈마 분무층을 유출시키기 위한 하나 이상의 유출구를 갖는 장치.
제31항 내지 제37항 중의 어느 한 항에 있어서, 접착 촉진제를 도포하는 장치를 포함하는 장치.
제31항 내지 제38항 중의 어느 한 항에 있어서, 미세조면화용 장치가 압력-제팅, 분사 또는 원심분리식 송풍기 제트 장치인 장치.
제31항 내지 제39항 중의 어느 한 항에 있어서, 다수의 조면화장치가 기재를 미세조면화하는 장치 중의 다른 하나와 연결되어 있는 장치.
제31항 내지 제40항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재를 세정하는 장치를 포함하는 장치.
제31항 내지 제41항 중의 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 피복된 기재를 접착촉진제를 사용하여 피복하는 장치를 포함하는 장치.
제31항 내지 제42항 중의 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 피복된 기재 또는 기재가 제거된 플라즈마 분무층을 세정하는 장치를 포함하는 장치.
제31항 내지 제43항 중의 어느 한 항에 있어서, 길이로 절단하거나/하고 기재 또는/및 플라즈마 피복 기재를 포맷시키는 장치를 하나 이상 갖는 장치.
제31항 내지 제44항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재를 하나 이상의 플라즈마 분무 기구의 업스트림 방향으로 기계적으로 압축시키는 장치를 포함하는 장치.
제31항 내지 제45항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재를 기계적으로 압축시키는 장치가 하나 이상의 가열 또는/및 냉각 장치를 함유하는 장치.
제31항 내지 제46항 중의 어느 한 항에 있어서, 기재를 플라즈마 분무층으로 부터 제거, 특히 분리, 부식 또는/및 용해시키는 장치를 포함하는 기재의 피복 장치.
제31항 내지 제47항 중의 어느 한 항에 있어서, 엠보싱, 펀칭, 절단 또는 개개의 포맷화를 위한 유사한 작업 장치, 기타 부재로 조립하기 위한 조립 장치 및/또는 성형 장치로서, 피복된 기재 또는, 기재가 제거된 플라즈마 분무층을 컨디셔닝하기 위한 장치를 하나 이상 포함하는 장치.
인쇄 기술에서 인쇄판, 블라인드 차단판 또는 잉크 용액 가이드를 제조하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
내마모성 플라이 및 대상물[예:롤에 클램핑될 수 있는 마모판]을 제조하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
페인트, 접착제 층 또는 유기 물질, 또는 기타 유형의 물질들의 혼합물을 흡수하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
촉매를 적용하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
촉매로서 또는 촉매 및/또한 화학 반응을 촉매하기 위한 장치를 제조하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
스틱-온 필름(stick-on)을 제조하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
일광 집속기에서 일광 흡수제를 제조하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
탄소 대상물을 피복하기 위한, 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에서 청구한 바와 같이 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않는 플라즈마 분무층의 용도.
마모 보호층 또는 윤활된 보호층으로서 제1항 내지 제30항 중의 어느 한 항에 따라 제조된, 피복된 기재 또는 기재를 지니지 않은 플라즈마 분무층의 용도.
기재와, 대략 물방울 형태의 물질로부터 중량되고 주로 더 작고, 대략 구형인 물질이 놓여져 있는 플라즈마 분무층을 포함하는 인쇄 프레스용 판.
제58항에 있어서, 인쇄판, 블라인드-차단 판, 종이 가이드 롤용 판 또는 잉크 용액 가이드용 판인 판.
제58항 또는 제59항에 있어서, 대략 웨즈 단계 4가 개방되고/되거나 12 또는 8μm 두께의 선들을 식별할 수 있는, 1982 FOGRA-UGRA 오프셋 시험 웨즈를 갖는 인쇄판인 판.