KR19980086698A - 자기 기록 헤드 및 박막층 노칭 방법 - Google Patents
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Abstract
갭층의 베이스에서 제 1 및 제 2 코너에 인접한 제 1 극편(pole piece)층에서 제 1 및 제 2 노치를 가지며 갭층이 제 2 극단(pole tip)의 베이스를 언더커트(undercut)하지 않는 자기 헤드가 제공된다. 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 극편층의 필드 영역은 제 1 극편층 아래의 소자들을 보호하는 노치로부터 위쪽으로 경사지게 된다. 본 발명의 한 측면에 있어서 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상에 보호층을 형성하도록 갭층 스퍼터링 침착 및 이온 밀링 단계를 규정하는 방법이 이용되어 제 2 극단의 베이스 아래의 갭층을 언더커트하지 않고 갭층의 원치 않는 부분이 제거될 수 있다. 본 발명의 다른 측면에 있어서 제 1 및 제 2 개구를 갖는 보호층을 규정하도록 스퍼터링 침착 및 에칭에 의해 제 1 및 제 2 노치를 제조하는 방법이 이용되며 제 1 및 제 2 노치가 형성된 다음에 보호층이 소모될 때까지 개구를 통해 노치를 밀링하는 이온 밀링이 수행된다.
Description
본 발명은 기록 헤드(write head)에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 노치(notch)된 극단(pole tip)을 갖는 제 1 극편(first pole piece)과 이 노치를 제조하는 공정 중에 밀링(milling)으로부터 실질적으로 보호되는 제 1 및 제 2 극편들을 갖는 기록 헤드에 관한 것이다.
기록 헤드는 공기 베어링면(air bearing surface;ABS)에서 종단되는 제 1 및 제 2 극단을 갖는 제 1 및 제 2 극편들과, 백갭(back gap)에 접속되는, ABS로부터 우묵 들어간 단부들을 포함한다. 이들 제 1 및 제 2 극편들 사이에 다수의 절연층들을 포함하는 절연 스택(insulation stack)이 삽입되며, 이 절연 스택내에 코일층(coil layer)이 매립된다. 이 코일층에는 처리 회로가 접속되어 이 코일층을 통해 전류(기록 신호들)가 도통하며, 이것은 또한 제 1 및 제 2 극편들상에 대응하는 자계를 발생한다. 제 1 및 제 2 극단들 사이에는, 자계가 ABS에서 제 1 및 제 2 극단을 가로질러 테를 둘러 퍼지도록 비자성 절연 갭층이 삽입된다. 자기 디스크 드라이브에서, 자기 디스크는 ABS에 인접한 곳에서 조금 떨어진 채 회전하므로, 자계의 퍼짐이 원형 트랙을 따라 디스크를 자화시킨다. 이와 같이 하여, 기록된 원형 트랙은 판독 헤드에 의해 검출될 수 있는 자화된 영역의 형태로 정보를 포함한다.
통상, 기록 헤드 및 판독 헤드를 결합하여 병합 자기저항(magnetoresistive;MR) 헤드를 형성한다. 판독 헤드는 제 1 및 제 2 절연 갭층 사이에 샌드위치된 MR 센서를 포함하고, 제 1 및 제 2 절연 갭층은 또한 제 1 및 제 2 차폐층 사이에 샌드위치된다. 병합 MR 헤드에서, 제 2 차폐층과 제 1 극편은 공통층이다. MR 센서는 자신의 저항이 자계의 강도 및 극성에 따라 변화할 때, 회전하는 디스크의 원형 트랙으로부터 자계를 검출한다. 감지 전류는 MR 센서를 통해 도통되어, 되판독 신호로서 처리 회로에 의해 수신되는 전압 변화를 초래한다.
제 2 극단은 회전하는 디스크에 대해 제 1 극단을 추적하므로, 원형 트랙상에 정보 자계 신호를 기록하는 것은 이들 두 극단중 마지막 극단이다. 제 2 극단은 갭층상에 직접 놓여지는 베이스(base)와, 상부면(top)과, 제 1 및 제 2 측벽들로 구획지워진다. 제 1 및 제 2 측벽은 제 1 및 제 2 코너에서 베이스와 교차하며 이것의 중요성에 대하여는 후술된다. 제 2 극단에, 좁은 트랙폭, 즉, 베이스에서 제 1 및 제 2 측벽들간의 측방향 거리를 좁게 제공할 것이 강력히 요망된다. 트랙폭을 좁게 하면, 자기 디스크상에서 인치당 기록될 수 있는 트랙의 수(TPI)가 증가한다. 따라서, 주어진 기록 비트 수에 대해 트랙폭이 좁다 함은 자기 디스크 드라이브가 더욱 작음을 의미한다.
제 2 극단의 측벽, 특히, 베이스에서의 측벽은, 극단들로부터 퍼져나가는 자계가 제 2 극단의 트랙폭에 실질적으로 한정되도록 선형 구조로 잘 형성되는 것이 중요하다. 자계가 제 2 극단의 불규칙 측벽으로부터 제 2 극단의 트랙폭을 넘어서 측방향으로 제 1 극단쪽으로 퍼지는 경우, 원형 트랙의 중복기록에 의해 자기 디스크의 트랙 밀도를 감소시키게 되는 결과를 초래할 수도 있다. 이상적으로, 제 2 극단은 잘 규정된 좁은 트랙상에 기록을 행해야 하고, 이러한 트랙은 또한 기록된 트랙보다 약간 더 좁게 판독하는 판독 헤드로 판독된다. 이와 같이 하면, 트랙들간의 보호 밴드가 필요없게 된다.
제 2 극편은 그의 제 2 극단과 함께 갭층의 상부에 프레임-플레이팅(frame-plate)된다. 갭층상에 시드층을 침착시킨 후, 이 시드층상에 포토레지스트 층을 뿌리고, 광으로 이미지화하여, 제 2 극편 및 제 2 극단을 도금하기 위해 레지스트벽(resist wall)으로 둘러싸여진 개구(opening)를 제공하도록 현상된다. 좁은 트랙폭을 갖는 제 2 극단을 생성하려면 포토레지스트 층이 그만큼 얇아야 한다. 이러한 관계를 종횡비(aspect ratio)로 지칭하며, 이것은 제 2 극단의 트랙폭에 대한 극단 영역에서의 포토레지스트의 두께의 비이다. 바람직하기로는, 이 종횡비는 3 정도이어야 한다. 즉, 1㎛의 트랙폭에 대해 극단 영역에서의 포토레지스트의 두께는 약 3㎛이어야 한다. 포토레지스트가 이보다 두꺼우면, 제 2 극단의 측벽, 특히 베이스에서의 제 2 극단의 측벽은, 이미징 단계중에 광이 포토레지스트를 투과할 때 광의 산란으로 인해 잘 형성되지 않게 된다.
일단 제 2 극단이 잘 형성되면, 제 2 극단의 베이스에서 제 1 및 제 2 코너에 대향하는 제 1 극단을 노치시키는 것이 바람직하다. 여기서, 갭층은 제 1 극편상에 위치한 베이스와, 제 2 극단의 베이스와 맞물리는 상부면과, 제 1 및 제 2 코너에서 제각기 제 1 및 제 2 측벽과 교차하는 제 1 및 제 2 측벽으로 규정된다. 제 1 극편의 놋칭은 갭층의 제 1 및 제 2 코너의 각각에 바로 인접하여 형성한다. 놋칭은 제 1 극편에 제 2 극편의 트랙폭과 실질적으로 일치하는 트랙폭을 제공한다.
종래의 경우, 제 1 극편에서의 놋칭 공정은 제 2 극단을 마스크로서 사용하여 갭층 및 제 1 극편을 이온 빔 밀링하는 것을 수반한다. 이 갭층은 통상 알루미나이고, 제 1 및 제 2 극편과 그 극단들은 통상 퍼멀로이(NiFe)이다. 알루미나는 퍼멀로이보다 느리게 밀링되므로, 제 2 극단의 상부 및 제 1 극편의 상부면은 갭층보다 더 빨리 밀링된다. 또한, 이온 밀링중에, 다량의 알루미나가 제품의 표면에 재침착(redep)된다. 이러한 재침착을 최소화하려면, 밀링용 이온 빔이 통상, 층들에 수직인 선에 소정의 각도로 조사되어야 하며, 이것은 밀링 및 세정을 동시에 수행한다. 제 2 극편의 제 1 및 제 2 코너로부터 먼 자계내의 갭층이 제일 먼저 밀링되어야 하는데, 그 이유는, 이온 빔이 각을 이루면서 조사될 때 제 1 및 제 2 코너에서 발생하는 음영 효과(shadowing effect) 때문이다. 이 경우, 이온 스트림은 제 1 극편을 오버밀링하고 나서야, 노칭이 형성될 영역에서 제 2 극단의 제 1 및 제 2 코너에 인접하는 갭층이 제거된다. 노칭이 형성될 위치상의 갭층이 제거된 후, 계속해서 갭층의 제 1 및 제 2 코너에 인접하는 위치들에서의 제 1 극편을 노칭하기 위한 이온 밀링이 수행된다. 이 경우에도, 각을 이룬 이온 빔내에서, 제 1 극편의 오버밀링이 점진적으로 형성된 노치 너머의 자계에서 발생하며, 이에 의해 갭층의 제 1 및 제 2 코너로부터 아래쪽으로 경사진 제 1 극편의 표면들이 형성된다. 알고 있는 바와 같이, 이러한 제 1 극편의 오버밀링에 의해 리드(lead)가 MR 센서에 쉽게 노출될 수 있으며, 판독 헤드의 제 2 갭층은 헤드가 동작하지 않도록 한다.
제 1 극편의 오버밀링이 제어될 수 있다 하더라도, 잠재적으로는 보다 곤란한 문제, 즉 갭층의 원치 않는 부분이 밀링되고 노치가 형성될 때 제 2 극단의 상부를 오버밀링하는 문제가 존재한다. 이러한 오버밀링을 보상하기 위해, 제 2 극단 상부의 상측 부분이 밀링 단계 동안 희생될 수 있도록 종횡비가 증대되어야 한다. 이미 언급한 바와 같이, 종횡비가 증대되면, 제 2 극단의 규정도(definity)가 저하되어, 트랙의 중복기록이 초래된다.
제 1 극편의 오버밀링을 최소화하기 위해, 제 1 및 제 2 극단 사이의 소정의 부분을 제외하고는, 습식 부식액(wet etchant)을 이용하여 다른 공정에 의해 갭층이 제거된다. 갭층의 원치 않는 부분이 제거된 다음에, 제 2 극단을 마스크로서 사용하여, 제 1 극편이 이온 밀링된다. 제 1 극편만의 오버밀링은 갭층의 제 1 및 제 2 코너에서 노치의 이온 밀링으로 인한 것이다. 이러한 공정은 또한 알루미나의 재침착을 현저히 제거한다. 그러나, 이러한 공정에 의한 문제는 필드 신호의 전송을 위해서 중요한 영역인 제 2 극단의 베이스 아래에서 에칭에 의해 갭층이 언더커트된다는 것이다. 언더커트 영역은 공간을 제공하는데 이 공간은 후속의 밀링 및 세정(clean up) 단계에서 후속의 제 1 극편의 이온 밀링 또는 다른 이물질의 재침착 동안 재침착된 퍼멀로이(permalloy)로 채워질 수 있다.
또다른 공정은 갭층의 윈치 않는 부분을 에칭하기 전에 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽을 보호 금속층으로 도금하는 것을 제안한다. 에칭이 각 보호 금속층의 내부 두께에 도달하는 경우, 제 2 극단의 베이스 아래에서 갭층이 언더커트되지 않도록 이 공정은 중지된다. 보호 금속층을 제거하는 것이 어려우므로 보호 금속층은 이 헤드에 남는 것으로 제안한다. 이러한 공정의 단점은 도금 단계에 어려움이 있다는 것과 보호 금속층의 전위가 제 2 극단의 자기와 간섭한다는 것이다.
본 발명은 스퍼터링된 보호층을 이용하여, (1) 갭층의 원치 않는 부분의 습식 에칭시에 제 2 극단의 베이스 하에서 갭층의 언더커트를 방지하고/방지하거나, (2) 이온 밀링에 의한 제 1 극편의 노칭시에 제 1 및 제 2 극편의 오버밀링을 최소화한다. 그 결과 고유하게 성형된 제 1 극편이 얻어진다. 갭층의 제 1 및 제 2 코너로부터 아래쪽으로 경사를 갖는 제 1 극편의 상부면 대신에, 제 1 극편의 상부면은 갭층의 제 1 및 제 2 코너에 인접한 잘 형성된 제 1 및 제 2 노치로부터 위쪽으로의 경사를 갖거나 또는 어떠한 뚜렷한 경사도 갖지 않는다. 따라서, 밑에 있는 민감한 소자들을 보호하기 위해 필드내 제 1 극편의 두께가 잘 보존되어야 한다.
제 2 극단의 베이스 아래에서 갭층의 언더커트를 방지하기 위해, 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽의 상부에 물질을 스퍼터링 침착한다. 그 다음에 층들에 수직인 각도로 이온 빔 밀링하여, 기록 헤드 구조의 편평한 영역으로부터 물질을 제거하고 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상에 이 물질의 일부를 재침착한다. 이것은 제 2 극단의 상부로부터 베이스로 연장되는 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질의 제 1 및 제 2 벽을 제공한다. 그 다음에 부식액이 제 2 극단의 베이스에서 제 1 및 제 2 코너에 도달할 때까지 갭층을 부식액으로 에칭시킨다. 그리고 나서 에칭이 중지되고 제 2 부식액에 의해 보호 물질이 제거된다. 중요한 점은 제 1 부식액이 제 1, 제 2 극편 및 이들의 극단을 에칭시키지 않고 보호 물질층도 에칭시키지 않는다는 점이다. 또한 중요한 점은 제 2 부식액이 제 1 및 제 2 극편, 이들의 극단, 및 갭층을 에칭시키지 않는다는 점이다. 제 1 부식액은 갭층만을 에칭시키고 제 2 부식액은 보호 물질층만을 에칭시킨다. 이러한 원치 않는 갭층을 제거하는 공정은 제 2 극단의 상부 및 제 1 극편의 필드 영역의 오버밀링을 방지한다.
갭층이 규정된 후에, 제 2 극단의 제 1 및 제 2 코너 및 갭층으로부터 연장되는 제 1 극편의 상부 뿐만 아니라 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터링 침착한다. 이것은 이러한 소자들상에서 보호 물질의 연속적인 층을 형성한다. 이러한 연속적인 층을 에칭하여, 제 1 및 제 2 측벽으로부터 보호층을 제거하고, 갭층의 제 1 및 제 2 코너에 바로 인접한 제 1 및 제 2 개구를 제외하고 제 2 극단의 상부 및 제 1 극편의 상부에 보호층 부분을 남긴다. 다음에 층에 수직한 각도로 이온 밀링을 행하며, 이때 제 1 및 제 2 개구에 인접한 제 1 극편에서 제 1 및 제 2 노치를 밀링한다. 제 2 극편의 상부 및 제 1 극편의 상부의 보호층 부분이 소모될 때까지 밀링을 계속한다. 이것은 제 2 극편 상부의 오버밀링을 방지하고, 제 1 극단의 상부에 제 1 및 제 2 노치로부터 위쪽으로 경사를 갖는 표면을 제공하는데 이것은 종래 기술에서 형성한 것과는 정반대이다. 따라서, 종횡비가 증대될 필요가 없으며, 제 1 극편 아래의 민감한 소자들은 잠재적으로 노출되지 않는다. 원할 경우, 보호층 부분을 제거한 후에 이온 밀링을 계속하여 제 1 극편을 평탄화하고 노치를 깊게 할 수 있다. 이것은 제 2 극편의 상부를 오버밀링하는 대가로 행해질 것이며, 이 오버밀링의 양은 종횡비에 의한 문제를 방지하는 한계값내에서 유지되어야 한다. 기록 갭이 약 0.2㎛ 이하로 매우 얇다면, 제 1 극편을 노칭하는 선택사양적인 방법이 제공되는데, 이는 상기 단계를 모두 포함하여, 형성 공정을 개시하기 전에 에칭에 의해 기록 갭이 규정되지 않는다는 점만이 다르다. 제 1 극편을 노칭하는 이전의 공정 대신에, 제 1 극편을 노칭하고 기록 갭층을 규정하기 위한 공정이 사용된다.
본 발명의 목적은 기록 헤드에 최소의 오버밀링된 제 2 극단 및 노칭된 제 1 극편을 제공하는 것이다.
다른 목적은 제 1 극편 아래의 소자들을 보호하기 위해 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 극편의 필드 영역의 두께가 증대되는 기록 헤드를 제공하는 것이다.
또다른 목적은 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상에서 제 1 및 제 2 보호층을 형성함으로써 제 1 극편과 제 2 극편의 베이스 사이에서 갭층을 규정하는 방법으로서, 이들 층의 형성이 스퍼터링 침착하고, 이어서 이온 빔 밀링하여 성취되는 방법을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 노칭으로부터 연장되는 필드 영역내 제 2 극단의 상부 또는 제 1 극편의 상부를 오버밀링하지 않고 갭층의 제 1 및 제 2 코너에 인접한 제 1 극편을 노칭하는 방법을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 노칭이 수행된 다음에 보호층이 소모될 때까지 노치를 밀링하는 이온 빔 밀링이 수행되는 곳에 인접한 개구로 보호층을 형성함으로써 이전의 방법을 성취하는 것이다.
첨부되는 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 참조하면 본 발명의 다른 목적 및 장점이 이해될 것이다.
도 1은 자기 디스크 드라이브를 예시한 평면도.
도 2는 선분 Ⅱ - Ⅱ 면에서 도시한 디스크 드라이브의 자기 헤드와 슬라이더의 단면도.
도 3은 다수의 디스크 및 자기 헤드를 사용한 자기 디스크의 단면도.
도 4는 슬라이더 및 자기 헤드를 지지하기 위한 서스펜션 시스템을 예시한 사시도.
도 5는 도 2의 Ⅴ - Ⅴ 면에서 도시한 슬라이더 및 자기 헤드의 부분 수직 단면도.
도 6은 도 5의 이격된 제 2 극편 및 백갭이라는 코일백의 잔량위의 모든 소재를 Ⅵ - Ⅵ 면을 따라서 부가적으로 도시한 단면도.
도 7은 자기 헤드의 판독 및 기록 요소를 도시하기 위하여 도 5의 Ⅶ - Ⅶ 면을 따라서 슬라이더의 ABS을 도시한 단면도.
도 8은 P2 시드층을 밀링한 후의 종래 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 9는 내부에 노치를 형성하기 위한 갭층과 제 1 극편을 밀링하는 종래 기술의 공정을 사용한 후의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 10은 제 2 극단과 제 1 극편의 베이스 사이에 갭층을 형성하는 종래 기술의 공정을 사용한 후의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 11은 도 10에 도시한 갭층을 형성한 후의 제 1 극편을 노칭하는 종래 기술의 공정을 사용하는 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 12는 노칭된 제 1 극편 P1과 노치로부터 연장되는 제 1 극편의 상승 경사 상부면을 사용하는, 본 발명에 따른 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 13은 노치를 깊게 하고 제 1 극편을 평탄화하는 공정이 더 수행된 도 12의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 14는 갭층을 규정하고 제 1 극편을 노칭하는 극단 영역의 개구로서 사용될 수 있는 마스크를 도시한 평면도.
도 15는 갭층을 규정하고 제 1 극편을 노칭하는 본 공정을 개시하기 전의 자기 헤드의 ABS(도 8과 동일)를 도시한 단면도.
도 16은 보호층을 스퍼터링 침착시킨 후의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 17은 기록 헤드 구조의 평판 영역으로부터 보호층 일부를 이온 밀링하고 제 2 극단의 측벽상에 이러한 물질의 일부를 재침착하는 것을 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 18은 기록 헤드 구조의 평판 영역으로부터 보호층 일부를 더 이온 밀링하고 제 2 극단의 측벽상에 이러한 물질의 일부를 재침착하는 것을 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 19는 에칭에 의해 제거된 갭층의 불필요한 부분을 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 20은 에칭에 의해 보호층이 제거되는 것을 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 21은 본 발명의 제 1 실시예에서 제 1 극편을 노칭하는 보호 물질의 층을 스퍼터링 침착하는 제 1 단계를 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 22는 제 1 및 제 2 노치가 형성되는 제 1 및 제 2 개구를 통해 제 1 극편을 노출시키기 위해 보호층 일부를 에칭에 의해 제거하는 제 2 단계를 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 23은 보호층이 밀링되어 버릴 때까지 보호층내의 제 1 및 제 2 개구에 인접한 제 1 극편내의 노치를 이온 밀링하는 제 3 단계 이후의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 24는 노치를 깊게 하고 제 1 극편을 평탄화하도록 부가적인 이온 밀링이 수행되는 선택적인 제 4 단계에서의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 25는 기록 갭층이 도 15의 기록 갭층보다 얇다는 것만 제외하면 도 15와 동일한, 제 1 극편을 노칭하는 본 발명의 제 2 실시예를 개시하기 전의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 26은 제 1 극편을 노칭하는 본 발명의 제 2 실시예에서의 보호 물질층을 스퍼터링 침착하는 제 1 단계를 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 27은 제 1 및 제 2 노치가 형성되는 인접한 제 1 및 제 2 개구를 통해 기록 갭층을 노출시키기 위해 보호층의 일부를 에칭에 의해 제거하는 제 2 단계를 도시한 자기 헤드의 ABS 단면도.
도 28은 보호층이 밀링되어 버릴 때까지 보호층내의 제 1 및 제 2 개구에 인접한 제 1 극편내의 노치를 이온 밀링하는 제 3 단계 수행후의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
도 29는 노치를 깊게 하고 제 1 극편을 평탄화하도록 부가적인 이온 밀링이 수행되는 선택적인 제 4 단계에서의 자기 헤드의 ABS를 도시한 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
150 : 기록 헤드 152 : 제 2 극단
154,168 : 베이스 156, 170 : 상부면
158, 160, 172, 174 : 측벽 162, 164,176, 178 : 코너
180 : 제 1 극편 182 : 하부 표면
184, 186 : 필드 영역 188, 190 : 노치
전술한 내용 및 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부되는 도면을 참조하여 다음의 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 보다 잘 이해될 것이다. 도 1 내지 도 3은 자기 디스크 드라이브(30)를 도시하며, 도면들에서 동일한 부분은 동일한 참조 번호를 갖는다. 드라이브(30)는 자기 디스크(34)를 지지하면서 회전시키는 스핀들 (spindle)(32)을 갖는다. 스핀들(32)은 모터(36)에 의하여 회전하며, 모터(36)는 또한 모터 컨트롤러(controller)(38)에 의하여 제어된다. 판독 및 기록을 위해 수평적으로 결합된 자기 헤드(40)가 슬라이더(slider)(42)상에 장착되고, 슬라이더(42)는 다시 서스펜션(suspension)(43) 및 액츄에이터 암(actuator arm)(44)에 의하여 지지된다. 도 3에 도시한 바와 같이, 다수의 디스크, 슬라이더 및 서스펜션이 대용량의 직접 접근 저장 장치(direct access storage device : DASD)에 사용될 수 있다. 서스펜션(43) 및 액츄에이터 암(44)은 자기 헤드(40)가 자기 디스크(34)의 표면에 따라서 변환(transduce)시킬 수 있는 관계로 위치하도록 슬라이더(42)를 위치 지정한다. 디스크(34)가 모터(36)에 의하여 회전할 때, 슬라이더는 에어 베어링 면(46)에 의하여 (전형적으로 0.05㎛의) 얇은 에어(에어 베어링) 쿠션(cushion)상에 지지된다. 자기 헤드(40)는 디스크(44)의 표면상의 다수의 원형 트랙으로부터 정보를 판독하는 것은 물론 기록하는 데 사용될 수도 있다. 처리 회로(48)는 이러한 정보를 나타내는 신호를 헤드(40)와 교환하며, 모터 드라이브 신호를 제공하고, 또한 슬라이드를 다양한 트랙으로 이동시키기 위한 제어 신호를 제공한다. 도 4에서 슬라이더(42)는 헤드 짐발 어셈블리(head gimbal assembly;HGA)(50)에 장착되며, HGA(50)는 다시 서스펜션(43)에 장착된다.
도 5는 기록 헤드부(50) 및 판독 헤드부(52)를 갖는 헤드(40), 바람직하게는, 병합 자기 저항(MR) 헤드 또는 스핀 밸브 헤드의 단면도를 도시한다. 판독 헤드부는 본 발명의 MR 또는 스핀 밸브 센서(53)를 사용한다. MR 또는 스핀 밸브 센서(53)는 제 1 및 제 2 갭층(54, 56)사이에 샌드위치되어 있고, 갭층들은 제 1 및 제 2 차폐층(shield layer)(58, 56) 사이에 샌드위치된다. 외부 자기장에 따라서, MR 또는 스핀 밸브 센서(53)의 저항이 변화한다. 센서를 통하여 전도된 감지 전류는 이러한 저항의 변화가 전위 변화로 나타날 수 있도록 한다. 이러한 전위 변화는 도 3에 도시된 처리 회로(48)에 의하여 처리된다.
종래 기술의 헤드의 기록 헤드부(50)는 제 1 및 제 2 절연층(66, 68) 사이에 샌드위치된 코일층(64)을 갖는다. 코일층(64)에 의하여 야기된 제 2 절연층내의 리플(riffle)을 제거하기 위하여 헤드를 평탄화하는 데 제 3 절연층(70)이 사용될 수 있다. 제 1, 제 2, 제 3 절연층은 당업자에게 있어서 절연 스택(insulation stack)이라 불린다. 코일층(64), 제 1, 제 2, 제 3 절연층(66, 68, 70)은 제 1 및 제 2 극편 층(72, 74) 사이에 샌드위치되어 있다. 제 1 및 제 2 극편 층(72, 74)은 백갭(76)에 자기적으로 결합되고, 제 1 및 제 2 극단(78, 80)을 가지며, 제 1 및 제 2 극단(78, 80)은 ABS에서 갭층(82)에 의하여 분리된다. 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 납땜 접속부(84, 86)는 MR 센서(53)로부터의 리드(도시되지 않음)를 서스펜션(43)상의 리드(88, 89)로 연결하고 제 3 및 제 4 납땜 접속부(90, 91)는 코일(64)(도 6에 도시됨)로부터의 리드(92, 93)를 서스펜션 상의 리드(94, 95)로 연결한다.
도 8은 이온 밀링에 의해 P2 시드층(도시되지 않음)이 제거된 후의 종래 기술의 병합 자기 헤드(100)의 ABS을 도시하고 있다. 이러한 이온 밀링은 (104) 및 (106)에서 갭층(102)을 노칭했음을 알 수 있다. 종래 기술에서 제 1 극편층(107)을 노칭하는 하나의 방법은 도 9에 도시된 바와 같이, 갭층을 통해 제 1 극편층(107)내로 이온 밀링을 하는 것이다. 이것은 (109) 및 (110)에서 제 1 극편층을 노칭한다. P1 층을 노칭하면 제 2 극단(108)과 제 1 극편(107) 사이의 측면 기록(side writing)이 최소화되기 때문에 바람직하다. 불행히도, 도 9에 도시된 공정은 도 9에 점선으로 도시된 바와 같이, 제 2 극단(108)의 상부면(112)을 소모한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 전형적으로 이온 밀링은 박막층에 수직으로 수행되므로, 제 2 극단(108)은 제품이 회전되는 시간의 대략 50%의 시간에 (109) 및 (110)에서 노칭의 밀링을 투영시킨다. 제 1 극편(107)은 위치(114 및 116)에서 오버밀링되고, 이 위치들은 노치(109 및 110)로부터 필드내로 각각 연장한다. 이것은 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 극편(107)이 아래로 경사진 상부면(114 및 116)을 갖도록 하며, 이것은 바람직하지 못하게도 필드내의 제 1 극편(107)의 두께를 감소시킨다. 이것은 제 1 극편(107) 아래의 민감한 소자들을 잠재적으로 노출시켜, 헤드가 동작하지 못하게 할 수 있다.
갭층(102)은 제 1 및 제 2 극편(107 및 108)의 퍼멀로이(Permalloy)(NiFe)보다 천천히 밀링이 되며, 이로 인해 제 2 극단(108)의 상부면(112) 및 제 1 극편의 필드(114, 116)는 갭층(102)보다 신속하게 이온 밀링된다. 도 10에는 갭층(102)을 규정하는 동안 제 2 극편의 상부면(112) 및 제 1 극편의 필드(114 및 116)의 밀링을 제거하는 종래 기술의 공정이 도시되어 있다. 이 공정에서 갭층(102)은 NaOH/EDTA와 같은 에칭에 의해 정의되며, 여기서 EDTA는 (에틸린디니트닐로(etylinedinitrilo)) 테트라아세트산(tetraacetic acid), 이나트륨염(disodium salt), 이수화물(dyhydrate)이다. 불행하게도, 이 공정은 갭층을 아래쪽으로 에칭하는 만큼 빠르게 갭층을 측방향으로 에칭한다. 결과적으로, 갭층은 (120) 및 (122)에서 제 2 극단(108)에 대해 언더커트(undercut)된다. 그 다음에는 도 11에 도시된 종래 기술의 공정이 진행되며, 여기서는 (124) 및 (126)에서 제 1 극편층을 노칭하기 위해 이온 밀링이 사용된다. 제 2 극단층의 상부면(112)은 도 9의 종래 기술의 공정에 도시된 만큼 소모되지 않으며, 제 1 극편의 필드 영역(128, 130)은 그만큼 많이 아래로 경사지지 않는다. 불행하게도, 이 공정은 차후에 이온 밀링되는, 제 1 및 제 2 극단 회로를 단락시킬 수 있는 퍼멀로이와 같은 물질을 일시적으로 머물게 하는 언더커트부(120 및 122)에 공동(cavities)을 제공한다. 따라서, 제 2 극단(108)의 상부 및 제 1 극편(107)의 필드 영역(114 및 116, 또는 128 및 130)을 최소로 오버밀링하여 제 1 극편을 노칭하여, 잘 정의된 갭층을 갖는 기록 헤드와, 이러한 기록 헤드의 제조 방법을 제공하기 위한 필요성이 강하게 요구된다.
도 12는 본 발명의 향상된 기록 헤드부(150)를 갖는 병합 MR 헤드를 도시하고 있다. 기록 헤드(150)는 제 2 극단(152)을 포함하는데, 이 제 2 극단(152)은 ABS 관점에서 베이스(134), 상부면(156), 제 1 및 제 2 측벽(158 및 160)에 의해 구획지워지며, 이러한 측벽은 제 2 극단(152)에 ABS 관점으로 도시된 바와 같이 지지대(pedestal) 형상을 제공한다. 제 2 극단(152)은 제 1 및 제 2 측벽(158 및 160)과 베이스(154)의 교차부인 제 1 및 제 2 코너(162 및 164)를 갖는다. 유사한 방식으로, 갭층(166)은 베이스(168), 상부면(170), 제 1 및 제 2 측벽(172 및 174)에 의해 경계를 이룬다. 갭층(166)은 제 1 및 제 2 측벽(172 및 174)과 베이스(168)의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너(176 및 178)를 갖는다. 제 2 극단(152)의 측벽(158 및 160)은 상부면(156)으로부터 베이스(154)까지 약간 안쪽으로 경사를 이룬다. 이것은 이전 단계에서 포토리소그래피 기법에 의해 제 2 극단(152)을 형성했기 때문이다. 갭층의 상부면(170)은 ABS 관점에서 제 2 극단의 베이스(154)와 동일한 폭을 가지므로, 도 10 및 도 11의 종래 기술의 기록 헤드에 도시된 바와 같이, 제 2 극단의 베이스(154) 아래 갭층의 전술한 바와 같은 언더컷팅이 제거된다. 제 1 극편(180)은 방위면을 규정하는 것으로 생각할 수 있는 하부 표면(182)과, 필드 영역(184 및 186)을 포함하는 상부면을 갖는다. 제 1 극편의 상부면은 갭층(166)의 코너(176 및 178)에 바로 인접한 (188) 및 (190)에서 노칭된다.
제 1 극편의 필드 영역(184 및 186)은 노치(188 및 190)로부터 위쪽으로 경사지는데, 이것이 바로 본 발명이 종래 기술의 구성과 크게 상이한 점이라는 것에 주의해야 한다. 위쪽으로 경사진 필드 영역(184 및 186)은 노치(188 및 190)로부터 떨어져서 제 1 극편(180)에 추가적인 두께를 제공하여, MR 소자(53)로 가는 리드(leads)(도시되지 않음)와 같은, 그 아래의 민감한 소자들을 더 보호한다. 이하, 도 12의 향상된 기록 헤드(150)를 형성하는 방법들이 기술되는데, 실제로 제 2 극단(152)의 상부면(156)의 소모는 없고, 제 1 극편(180)의 필드 영역(184 및 186)이 최소한으로 오버밀링된다. 원할 경우, 도 13에 도시된 바와 같이, 기록 헤드(150)를 이온 밀링하여 기록 헤드의 다른 실시예(200)를 구현할 수 있다. 기록 헤드(200)는 더욱 깊어진 노치(202 및 204)를 가지며, 필드 영역(206 및 208)은 실질적으로 평탄화되었다. 기록 헤드(200)는 제 2 극단(152)의 상부면(210)의 일부를 소모하고, 필드 영역(206 및 208)에서의 제 1 극편(180)의 두께를 감소시킨 대가로서 얻어진다. 이 헤드(200)는 일부 응용예에서 바람직한 바와 같이 노치(202 및 204)가 깊어진다는 이점이 있다. 도 13의 이온 밀링 이전에 상당한 오버밀링이 방지되므로, 제 2 극단의 상부면(210)과 제 1 극편의 필드 영역(206, 208)의 오버밀링이 과도하게 행해지지 않도록 보장하는 조처가 취해지면 만족할 만한 헤드가 형성될 수 있다.
도 14 내지 도 24는 도 12 및 도 13에 도시된 자기 헤드 형성 방법에 사용된 단계들을 도시하고 있다. 도 14는 제 2 극편(220)의 주요 부분과, 포토레지스터일 수 있는, 마스크(224)에 의해 둘러싸인 영역을 선택적으로 마스킹하는 것을 도시하고 있으며, 이러한 제 2 극편은 제 2 극단(152) 및 갭층(166)(도 15를 참조)을 노출시키는 개구(226)를 가지며, 이에 대해서는 후술한다. 도 15는 기록 헤드 부분을 완성한 후의 종래 기술의 공정의 결과를 도시하고 있으며, 도 8에 도시된 것과 동일하다. 전술한 바와 같이, 갭층(166)은 제 2 극편 시드층(도시되지 않음)을 제거하기 위해 약간의 오버밀링을 행한 결과로서 노치(104 및 106)를 갖는다. 도 16 내지 도 20은 갭층(166)을 구성하는 공정을 도시하고 있다. 도 21 내지 도 24는 제 1 극편층(180)에 노치(188 및 190)를 형성하는 공정을 도시하고 있다.
본 발명자의 실험에서, 제 2 극단(152)은 원래의 높이가 3.4 μm이며, 갭층(166)은 제 2 극단과 제 1 극편(180) 사이에서 0.30 μm의 두께를 갖는다. 도 15에 도시된 단계 이후에, 스퍼터링 침착에 의해 상부면, 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽 및 제 1 극편의 상부의 제 1 및 제 2 영역상에 크롬과 같은 물질의 보호층을 침착하여, 이 보호층에 상부(230), 제 1 및 제 2 수직부(232 및 234) 및 실질적인 평탄부(236 및 238)를 제공한다. 스퍼터링 침착을 한 경우 수직 표면보다 평탄한 표면상에서 보다 신속하게 쌓이기 때문에, 수직부(232 및 234)는 부분들(230, 236, 238)보다 얇다. 이러한 이유는 스퍼터링 침착에 사용된 플라즈마가 평탄한 표면상에서 180o이내의 모든 방향으로 침착되는 반면, 이 플라즈마는 수직 표면상에서 단지 90o이내의 모든 방향에서 침착되기 때문이다. 이것은 제 2 극단(152)의 차단 효과(blocking effect) 때문이다. 결국, 부분(230, 236, 238)의 두께는 0.40 μm가 되고, 수직부(232 및 234)의 두께는 0.20 μm가 되었다.
다음에, 방위면(182)에 대해 10o로 이온 밀링을 수행한다. 10o의 이온 밀링에서, 상부면(230) 및 부분(236 및 238)으로부터 대략 2/3 또는 0.28 μm가 밀링되어, 도 17에서 점선으로 도시된 바와 같이, 측벽(232 및 234)상에서 0.14 μm의 크롬이 재침착(redep)된다. 다음에, 평면(182)에 수직인 방향에 대해 35o로 이온 밀링을 행하며, 그 결과 제 2 극단의 상부 및 평탄부(136 및 238)로부터 물질부(230)가 완전히 제거된다. 이들 부분으로부터 밀링된 크롬중 일부 때문에 수직부(232 및 234)의 두께가 더 증가된다. 원할 경우, 평면(182)에 수직인 방향에 대해 70o및 20o로 이온 밀링을 계속하여, 재침착된 물질에 대해 원하는 세정을 수행한다. 수직부(232 및 234)의 최종적인 크롬 두께는 0.30 μm가 되었다. 제 2 극단의 상부에 대략 0.20 μm 정도되는 약간의 오버밀링이 있으며, 갭(166)의 일부는 제 2 극단(152) 너머위 필드 영역까지 제거되었다.
이어서, NaOH/EDTA 부식액으로써 제품을 에칭함으로써, 갭층(166)만을 에칭하였다. NaOH이 pH는 11이고, NaOH/EDTA중 EDTA가 4.7%의 질량비를 가지도록 혼합되었다. 갭층은 알루미나 Al2O3이고, 그의 제 1 및 제 2 극단과 함께 제 1 및 제 2 극편이 퍼멀로이(NiFe)로 구성된다. 이 부식액은 제 1 및 제 2 극편을 에칭시키지 않는다. NaOH/EDTA 부식액에 의한 알루미늄의 에칭율은 분당 대략 750Å이다. 수직의 크롬층 부분(232, 234)의 두께가 0.30μm이기 때문에, 도 19에 도시한 바와 같이, 부식액에 대해 제 2 극단의 베이스에서 코너(162, 164)에 도달하는데 4분이 걸렸다. 4분 후에, 이 에칭이 완료되었고, 도 20에 도시한 바와 같이, 수직층 부분(232, 234)은 UTE와 같은 크롬 부식액에 의해 제거되었다. UTE는 샤안텍사(Cyantek Corp.)로부터 얻을 수 있다. UTE 부식액은 오직 크롬만을 에칭시키고, 제 1 및 제 2 극단(180, 152)과 갭층(166)을 에칭시키지 않는다. 다른 적당한 크롬 부식액으로서, 충분한 물(water)과 함께 164.5g의 세릭 암모늄 나이트라이트, 43 ml 농도(70%)의 과염소산으로 1 리터를 만든다. 도 20에 도시한 갭층(166)은 그것의 상부가 제 2 극단(152) 베이스의 폭에 부합하는 폭을 갖고 있기 때문에 잘 형성되었다.
도 21∼24에 노치를 구성하는 방법이 도시된다. 먼저 도 21에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 침착에 의해 크롬층(250)을 침착하는데, 이는 제 1 극단(180)의 상부에 상부 극단 부분(252), 수직 부분(254, 256)과 경사 부분(258, 260)을 제공한다. 실험에서 크롬 부분(252)의 상부는 1.10μm 두께이고, 또한 경사 부분(258, 260) 너머의 필드 부분(도시하지 않음)도 역시 1.10μm 두께이다. 수직 부분(254, 256)은 0.55㎛ 두께이다. 수직 부분(254, 256)은, 도 16에 도시한 공정 단계에 대해 앞서 설명한 이유와 동일한 이유로 보다 얇게 되어 있다. 상기 부분(258, 260)은 스퍼터링 침착 동안에, 제 2 극단(152)의 음영 때문에 갭층(166)으로부터 위쪽으로 경사진다. 앞서 설명한 바와 같이, 이 음영은 제 2 극단(152)의 측벽(158, 160)으로부터 측방향으로 거리를 더 감소시켜, 전체 두께가 상기 부분(258, 260) 너머의 크롬이 1.10μm의 두께로 된다.
다음에, 앞서 설명한 바와 같이, 수직 부분(254, 256)을 에칭하여 크롬 부분(262, 265, 266)을 남기도록, UTE 부식액으로서 제품을 에칭했다. 도 21의 크롬(254, 256)의 수직 부분은, 편평한 부분(flat portion)(252) 및 거의 편평한 부분(258, 260)보다 덜 조밀함에 주의해야 한다. 따라서, 수직 부분(254, 256)은, 편평한 부분(262, 264, 266)보다 5배 만큼 빠르게 제거된 후, 수직 부분(254, 256)의 제거 후 이들 편평한 부분에는 원하는 양이 남겨지게 된다. 도 22의 에칭 단계는, 이하 설명하는 바와 같이, 노칭을 위해 제 1 극편(180)의 상부를 개방하는 바람직한 개구(270, 272)를 갖는 부분(264, 266)을 포함하는 크롬층을 제공한다. 도 22의 상기 부분(262)의 두께는 0.75μm이다.
다음에, 도 22의 크롬층(262, 264, 266)이 제거될 때까지, 평면(182)에 수직한 방향에 대해 대략 35°각도로 제품을 이온 밀링했다. 이 결과로, 노치(188, 190)는 갭층(166)의 베이스에서 제 1 및 제 2 코너(176, 178)에 바로 인접하고, 필드 영역(184, 186)은 노치(188, 190)로부터 위쪽으로 경사지게 되는데, 상측 방향의 경사는 그 아래의 민감한 소자 위에서 충분한 두께의 제 1 극편을 유지하기 위해 바람직하다. 도 23에 도시한 기록 헤드(15)는 본 발명의 바람직한 실시예로서, 앞서 설명한 도 12에 도시한 기록 헤드와 동일하다. 원할 경우, 35°에서 이온 밀링함으로써 상기 헤드의 제 2 실시예(200)를 구현할 수 있는데, 이로 인해 노치(202, 204)가 더 깊어지며, (206, 208)에서 제 1 극편의 상부의 평탄화에 의해, 도 13에서 도시한 바와 동일한 기록 헤드가 만들어진다.
도 25 내지 29는, 제 1 극편을 노칭하는 본 발명의 제 2 실시예를 도시하는데, 기록 갭층이 약 0.2μm 이하 정도로 충분하게 얇으므로, 기록 갭층을 규정하고 제 1 극편을 노칭하는 것은 이온 밀링에 의해 성취될 수 있다. 도 25는 도 15와 동일하며, 단지 기록 갭측(302)이 도 15의 기록 갭층(302)보다 얇다는 점만이 다른데, 도 25의 기록 갭층(302)의 두께는 약 0.2μm 이하이다. 도 25는, 이온 밀링에 의해 P2 시드층을 제거한 후의 제 2 극단(152)과 기록 갭층(302)을 도시한다. 전형적인 미세 오버밀링으로 인해, 기록 갭층(302)은 제 2 극단(152)의 측벽(158, 160)에 인접하여 약간의 노치(304, 306)를 갖는다. 도 26은, 제 2 극단(152)의 상부면과 측벽 위 뿐만 아니라, 기록 갭층 상부의 크롬 부분(258, 260)상에 크롬층(250)을 스퍼터링 침착하여 크롬 부분(252, 254, 256)를 형성하는 단계를 도시한다. 이 단계는 도 21에 도시된 것과 동일하며, 또한 크롬층 부분(258, 260)이 기록 갭층상에 직접 위치한다는 점만이 다르다. 도 27은 크롬층을 에칭하는 단계를 도시하며, 이 단계에서 도 26에서의 부분(254, 256)이 신속하게 제거되며, 도 27에 도시된 바와 같이 개구(310, 312)와 함께 상위 부분(262, 264, 266)을 남긴다. 도 27에서의 단계는 도 22의 단계와 동일하며, 도 27에서의 개구(310, 312)는 제 1 극편(180)의 일부를 노출시키는 대신에 기록 갭층의 일부를 노출시킨다는 것만이 다르다. 도 28에서 제 1 극편(180)내의 갭층과 노치(314, 316)를 이온 밀링한다. 이 단계는 도 23의 단계와 동일하며, 제 1 극편(180)을 노칭하기 전에 도 27의 개구(310, 312)에서 도시한 기록 갭층 두께를 통해 이온 밀링하는 점만이 다르다. 도 28의 기록 갭층(302)의 측벽은, 도 24의 기록 갭층(166)의 측벽보다 약간 더 수직이고, 노치(314, 316)는 도 24에서 도시한 것보다 제 2 극단(152)의 트랙 폭에 근접한다. 따라서, 도 25 내지 28에서 도시한 공정은 도 24의 실시예에서보다 측면 기록을 더 감소시킬 수 있다. 그러나, 노칭을 개시하기 전에 도 27의 개구(310, 312)에서 기록 갭층 부분을 통해 밀링하기 위해 상기 층(262, 264, 266)의 일부가 희생될 수 있다는 것에 주목해야 한다. 도 28에서 도시한 바와 같이, 기록 갭층(318, 320)의 일부를 남겨 제 1 극편(180)을 오버밀링으로부터 확실히 보호할 수 있다. 원할 경우, 도 29에 도시한 바와 같이 이온 밀링을 계속하여 도 28의 갭층 부분(318, 320)을 제거함으로써, 도 29에 도시한 바와 같이 (322, 324)에서의 노치들을 깊게 할 수 있다.
도 15 내지 20 및 도 21 내지 29에서 설명한 공정이 제 1 극단 내의 기록 갭층 또는 노치를 규정하도록 제한될 필요가 없다는 것을 이해해야 한다. 중간층이 위층의 베이스에 맞도록 규정되어야 하는 경우, 제 1 공정을 사용할 수 있고, 다른 박막층 밑에 있는 또는 박막층을 노칭하는 경우에는 언제든 제 2 공정을 사용할 수 있다. 또한, 스퍼터 에칭 또는 반응성 이온 에칭(reactive ion etching;RIE)과 같은 이온빔 밀링 이외의 진공 에칭 공정이 채택될 수 있다. 제 2 극단의 측벽이 수직이거나 또는 상부로부터 하부로 외측 방향으로 경사진 경우, 스퍼터 에칭이 채택될 수 있다. 크롬 대신에 텅스텐이 마스크로서 채택된 경우, RIE가 채택될 수 있다.
명확히, 이러한 개시의 관점에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 다른 실시예 및 변형예가 용이하게 행해질 것이다. 따라서, 본 발명은 후속하는 청구 범위에 의해서만 제한되며, 여기에는 상기한 상세한 설명 및 첨부되는 도면을 참조하여 알 수 있는 이러한 모든 실시예 및 변형예를 포함할 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 기록 헤드에 최소의 오버밀링된 제 2 극단 및 노칭된 제 1 극편을 제공하는 것으로, 제 1 극편 아래의 소자들을 보호하기 위해 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 극편의 필드 영역의 두께가 증대되는 기록 헤드를 제공하는 것이다. 또한, 노칭으로부터 연장되는 필드 영역내 제 2 극단의 상부 또는 제 1 극편의 상부를 오버밀링하지 않고 갭층의 제 1 및 제 2 코너에 인접한 제 1 극편을 노칭하는 방법을 제공하는 것이다.
Claims (43)
- 자기 기록 헤드에 있어서, 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과 하부면―상기 하부면은 방위면(a plane of orientation)을 규정함―을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되, 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대(pedestal)가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 평행한 방향 또는 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장되는 자기 기록 헤드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 제 1 및 제 2 극단층은 NiFe인 자기 기록 헤드.
- 결합 자기 헤드에 있어서, ① 기록 헤드―상기 기록 헤드는 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과, 방위면을 규정하는 하부면을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 평행한 방향 또는 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장됨―와, ② 판독 헤드―상기 판독 헤드는 판독 센서, 제 1 및 2 갭층 및 제 1 및 2 차폐층을 포함하며, 상기 센서는 상기 제 1 및 제 2 갭층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 1 및 제 2 갭층은 상기 제 1 및 제 2 차폐층 사이에 샌드위치됨―를 포함하며, 상기 기록 헤드와 판독 헤드는 서로 인접하는 결합 자기 헤드.
- 자기 디스크 드라이브에 있어서, ① 기록 헤드―상기 기록 헤드는 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과, 방위면을 규정하는 하부면을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 평행한 방향 또는 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장됨―와, ② 판독 헤드―상기 판독 헤드는 판독 센서와, 제 1 및 2 갭층과, 제 1 및 2 차폐층과, 상기 센서를 통해 감지 전류를 인가하는 감지 전류원을 포함하며, 상기 센서는 상기 제 1 및 제 2 갭층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 1 및 제 2 갭층은 상기 제 1 및 제 2 차폐층 사이에 샌드위치되고, 상기 판독 헤드는 상기 기록 헤드와 서로 인접하여 결합 헤드를 형성함―와, ③ 프레임과, ④ 상기 프레임상에 회전가능하게 지지되는 자기 디스크와, ⑤ 상기 프레임상에 장착되어 상기 헤드를 상기 자기 디스크에 대해 변환가능하게 지지하는 지지대와, ⑥ 상기 자기 디스크를 회전시키는 회전력 수단과, ⑦ 상기 지지대에 접속되어 상기 결합 자기 헤드를 상기 자기 디스크에 대해 다수의 위치로 이동시키는 위치지정 수단과, ⑧ 상기 결합 자기 헤드와, 상기 자기 디스크 회전 수단과, 상기 위치지정 수단에 접속되어, 상기 결합 자기 헤드와 신호를 교환하고, 상기 자기 디스크의 이동을 제어하고, 상기 결합 자기 헤드의 위치를 제어하는 처리 회로 수단을 포함하는 자기 디스크 드라이브.
- 자기 기록 헤드에 있어서, 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과 하부면―상기 하부면은 방위면을 규정함―을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장되는 자기 기록 헤드.
- 제 5 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 제 1 및 제 2 극단층은 NiFe인 자기 기록 헤드.
- 결합 자기 헤드에 있어서, ① 기록 헤드―상기 기록 헤드는 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과, 방위면을 규정하는 하부면을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장됨―와, ② 판독 헤드―상기 판독 헤드는 판독 센서, 제 1 및 2 갭층 및 제 1 및 2 차폐층을 포함하며, 상기 센서는 상기 제 1 및 제 2 갭층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 1 및 제 2 갭층은 상기 제 1 및 제 2 차폐층 사이에 샌드위치됨―를 포함하며, 상기 기록 헤드와 판독 헤드는 서로 인접하는 결합 자기 헤드.
- 자기 디스크 드라이브에 있어서, ① 기록 헤드―상기 기록 헤드는 각각 제 1 및 제 2 극편층의 제 1 및 제 2 극단층과 갭층을 포함하되, 상기 제 1 극단층은 상부면과, 방위면을 규정하는 하부면을 가지며, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층과 제 2 극단층 사이에 샌드위치되고, 상기 갭층은 상기 제 1 극단층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 가지되 상기 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치한 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 2 극단층은 상기 갭층의 상부면 바로 위에 위치한 베이스를 갖는 지지대가 되며 그의 베이스, 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 상기 갭층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 노치를 가지며, 상기 제 1 극단층의 상부면은 각각 상기 갭층으로부터 떨어져 있는 상기 제 1 및 제 2 노치로부터 연장되는 제 1 및 제 2 표면 부분을 가지며, 상기 제 1 극단층의 상기 제 1 및 제 2 표면 부분은 상기 방위면에 대해 위쪽으로 임의의 경사 각도를 유지하면서 연장됨―와, ② 판독 헤드―상기 판독 헤드는 판독 센서와, 제 1 및 2 갭층과, 제 1 및 2 차폐층과, 상기 센서를 통해 감지 전류를 인가하는 감지원을 포함하며, 상기 센서는 상기 제 1 및 제 2 갭층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 1 및 제 2 갭층은 상기 제 1 및 제 2 차폐층 사이에 샌드위치되고, 상기 판독 헤드는 상기 기록 헤드와 서로 인접하여 결합 헤드를 형성함―와, ③ 프레임과, ④ 상기 프레임상에 회전가능하게 지지되는 자기 디스크와, ⑤ 상기 프레임상에 장착되어 상기 헤드를 상기 자기 디스크에 대해 변환가능하게 지지하는 지지대와, ⑥ 상기 자기 디스크를 회전시키는 회전력 수단과, ⑦ 상기 지지대에 접속되어 상기 결합 자기 헤드를 상기 자기 디스크에 대해 다수의 위치로 이동시키는 위치지정 수단과, ⑧ 상기 결합 자기 헤드와, 상기 자기 디스크 회전 수단과, 상기 위치지정 수단에 접속되어, 상기 결합 자기 헤드와 신호를 교환하고, 상기 자기 디스크의 이동을 제어하고, 상기 결합 자기 헤드의 위치를 제어하는 처리 회로 수단을 포함하는 자기 디스크 드라이브.
- 제 1 박막층의 형상을 규정하는 방법―상기 제 1 박막층은 제 2 및 제 3 박막층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 3 박막층은 상기 제 1 박막층상에 바로 인접한 베이스를 갖는 지지대이며, 상기 베이스와 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루고, 상기 베이스와 상기 제 1 및 제 2 측벽의 교차부에 위치되는 제 1 및 제 2 코너를 가짐―에 있어서, ① 실질적으로 상기 지지대의 상기 각각의 제 1 및 제 2 측벽상에서만 제 1 및 제 2 층 부분과 에칭 마스크를 형성하여, 상기 제 1 박막층이 부식액에 노출될 수 있도록 하는 단계―상기 에칭 마스크의 상기 제 1 및 제 2 층 부분은 실질적으로 동일한 두께를 가짐―와, ② 상기 두께만큼 측방향으로 상기 제 1 박막층을 부식액으로 에칭하여, 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 코너에 대해 상기 제 1 박막층이 제거되도록 하는 단계를 포함하는 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 에칭 마스크의 상기 제 1 및 제 2 층 부분을 형성하는 단계는 스퍼터링하는 단계를 포함하는 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 에칭 마스크의 상기 제 1 및 제 2 층 부분을 형성하는 단계는,① 상기 제 1 층과, 상기 지지대의 상기 상부면과, 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터링하는 단계와, ② 상기 보호 물질을 이온 밀링하여 상기 제 2 층과 상기 지지대의 상기 상부면으로부터 상기 보호 물질을 제거해서, 제거된 보호 물질이 상기 제 1 및 제 2 측벽상에 다시 침착되도록 하는 단계를 포함하는 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 에칭 마스크는 크롬인 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 박막층은 알루미나이고, 상기 제 2 및 제 3 박막층은 NiFe인 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 박막층은 상기 부식액에 의해 에칭되고, 상기 제 2 및 제 3 박막층은 상기 부식액에 의해 에칭되지 않는 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 부식액은 NaOH/EDTA인 제 1 박막층 형상 규정 방법.
- 갭층을 형성하는 방법―상기 갭층은 제 1 극단으로부터 제 2 극단의 베이스를 구분하는 제 1 부분과, 상기 제 2 극단의 상기 베이스를 벗어나 연장하는 필드의 제 2 부분을 갖고, 상기 제 2 극단은 상기 베이스와 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이룸―에 있어서, ① 상기 제 2 극단의 상기 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽상과, 상기 필드의 상기 갭층상에 보호 물질을 스퍼터 침착하는 단계―상기 제 2 극편의 상부 및 상기 필드의 상기 갭층상의 상기 보호 물질의 두께가 상기 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질의 두께보다 두꺼움―와, ② 이온 밀링 또는 스퍼터 에칭하므로써 상기 물질을 상기 제 2 극단의 상부 및 상기 필드로부터 제거하고, 상기 제거된 보호 물질중 적어도 얼마간을 상기 제 1 및 제 2 측벽상에 재침하여 상기 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질의 두께가 두꺼워지도록 하는 단계와, ③ 제 1 부식액으로 상기 갭층을 에칭하여 상기 필드의 상기 갭층을 제거해서, 상기 갭층의 상기 제 1 부분만이 남도록 하고 상기 제 1 부분이 상기 제 2 극단의 상기 제 1 및 제 2 측벽 사이의 상기 베이스의 전체 폭만을 실질적으로 연장하도록 하는 단계를 포함하는 갭층 형성 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이고, 상기 극단은 퍼멀로이이며, 상기 보호 물질은 크롬인 갭층 형성 방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 부식액은 NaOH/EDTA인 갭층 형성 방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보호 물질은 제 2 부식액으로 상기 제 2 극단의 상기 제 1 및 제 2 측벽으로부터 제거되며, 상기 제 2 부식액은 크롬 부식액인 갭층 형성 방법.
- 제 2 박막층을 노칭하는 방법―제 1 박막층은 상기 제 2 및 제 3 박막층 사이에 샌드위치되고, 상기 제 1 박막은 상기 제 2 박막상에 바로 인접한 베이스를 가지고 상기 베이스와 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이루고, 상기 베이스와 상기 제 1 및 제 2 측벽의 교차부에 위치되는 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 3 박막층은 상기 제 1 박막층의 상부에 바로 인접한 베이스를 갖는 지지대이고 상기 베이스와 상부면 및 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계를 이룸―에 있어서, ① 상기 제 1 박막층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접한 제 1 및 제 2 개구를 제외한 상기 제 3 박막층의 상부와 상기 제 2 층상에 밀링 마스크를 형성하는 단계―상기 제 1 및 제 2 개구는 상기 제 2 박막층의 제 1 및 제 2 부분을 노출시키고, 상기 밀링 마스크 형성 단계는, ⓐ 상기 제 2 박막층상과 상기 지지대의 상기 상부 및 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터 침착하되, 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질은 상기 제 2 박막층상과 상기 지지대의 상부면상의 상기 보호 물질의 두께보다 얇도록 하는 단계와, ⓑ 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 모든 보호 물질이 제거될 때까지, 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질을 부식액으로 상기 제 2 박막상과 상기 지지대의 상기 상부면상의 상기 보호 물질의 에칭보다 빠르게 에칭하는 단계를 포함함―와, ② 상기 밀링 마스크가 완전히 밀링될 때까지 상기 제 2 박막의 상기 제 1 및 제 2 부분과 상기 밀링 마스크를 밀링하여, 상기 제 1 및 제 2 부분의 밀링이 상기 제 1 박막층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 인접한 상기 제 2 박막층을 노칭하도록 하는 단계를 포함하는 제 2 박막층 노칭 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 박막층은 박막 기록 헤드의 구성 요소이며, 상기 제 1 박막은 갭층이고, 상기 제 2 박막은 제 1 극단층이며, 상기 지지대는 제 2 극단층인 제 2 박막층 노칭 방법.
- 제 21 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이고, 상기 극단은 퍼멀로이이며, 상기 보호 물질은 크롬인 제 2 박막층 노칭 방법.
- 제 22 항에 있어서, 상기 부식액은 크롬 부식액인 제 2 박막층 노칭 방법.
- 제 1 박막층이 제 2 및 제 3 막층 사이에 샌드위치되어 있는 박막의 형상을 규정하는 방법―상기 제 1 박막은 직접 상기 제 2 박막위에 있는 베이스를 가지며, 상기 베이스와, 상부와, 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계가 정해지고, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치되는 제 1 및 제 2 코너를 가지며, 상기 제 3 막층은 직접 상기 제 1 박막층의 상부위에 있는 베이스를 갖는 지지대이며, 그의 베이스와, 상부와, 제 1 및 제 2 측벽에 의해 경계가 정해짐―에 있어서, ① 상기 제 1 박막층이 부식액에 노출될 수 있도록, 실질적으로 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 측벽상에만 각각 에칭 마스크의 제 1 및 제 2 보호층을 형성하는 단계―상기 에칭 마스크의 제 1 및 제 2 보호층은 실질적으로 동일한 두께를 가짐―와, ② 상기 지지대의 상기 제 1 및 제 2 코너에 대해 상기 제 1 박막층이 제거되도록, 상기 두께와 동일한 측방향 거리만큼 제 1 부식액으로 상기 제 1 박막층을 에칭하는 단계와, ③ 상기 제 1 박막층의 상기 제 1 및 제 2 코너 각각에 인접하는 제 1 및 제 2 개구를 제외하고, 상기 제 3 박막층의 상부 및 상기 제 2 박막층상에 밀링 마스크를 형성하는 단계―상기 제 1 및 제 2 개구는 상기 제 2 박막층의 제 1 및 제 2 부분을 노출시킴―와, ④ 상기 밀링 마스크가 밀링될 때까지, 상기 제 2 박막층의 상기 제 1 및 제 2 부분과 상기 밀링 마스크를 밀링하는 단계―상기 제 1 및 제 2 부분의 밀링으로 인해 상기 제 1 박막층의 상기 제 1 및 제 2 코너에 인접하는 상기 제 2 박막층이 노칭됨―를 포함하는 박막 형상 규정 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 밀링 마스크 형성 단계를 수행하기 전에, 상기 에칭 마스크의 제 1 및 제 2 보호층이 제거되는 박막 형상 규정 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 밀링 마스크 형성 단계는, 상기 제 2 박막층과, 상기 지지대의 상부와 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터링 침착하는 단계―상기 지지대의 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질의 두께는 상기 제 2 박막층 및 상기 지지대의 상부상의 보호 물질의 두께보다 얇음―와, 상기 지지대의 제 1 및 제 2 측벽상의 모든 보호 물질이 제거될 때까지, 상기 제 2 박막 및 상기 지지대의 상부상의 보호 물질의 에칭 속도보다 빠른 속도로 상기 지지대의 제 1 및 제 2 측벽상의 보호 물질을 제 2 부식액으로 에칭하는 단계를 포함하는 박막 형상 규정 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 박막층은 박막 기록 헤드의 구성요소이고, 상기 제 1 박막은 갭층이며, 상기 제 2 박막은 제 1 극단층이며, 상기 지지대는 제 2 극단층인 박막 형상 규정 방법.
- 제 27 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 극단은 퍼멀로이이고, 상기 보호 물질은 크롬인 박막 형상 규정 방법.
- 제 28 항에 있어서, 상기 제 1 부식액은 NaOH/EDTA인 박막 형상 규정 방법.
- 제 29 항에 있어서, 상기 제 2 부식액은 크롬 부식액인 박막 형상 규정 방법.
- 제 1 극편 및 제 2 극단 사이에 기록 갭층이 샌드위치되도록 제 1 극편을 노칭하는 방법―상기 제 2 극단은 베이스와, 상부면과 제 1 및 제 2 측벽을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치되는 제 1 및 제 2 코너를 가지고, 상기 제 1 극편은 상기 제 1 및 제 2 코너로부터 연장되는 제 1 및 제 2 부분을 가짐―에 있어서, ① 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접하는 제 1 및 제 2 개구를 제외하고, 상기 제 2 극단의 상부 및 상기 제 1 극편의 상부상에 밀링 마스크를 형성하는 단계―상기 제 1 및 제 2 개구는 그 아래에 물질을 노출시키며, 상기 밀링 마스크 형성 단계는, ⓐ 상기 제 1 극편의 제 1 및 제 2 부분과, 상기 제 2 극단의 상부와 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터링 침착하되, 상기 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질의 두께는 상기 제 1 극편의 제 1 및 제 2 부분과 상기 제 2 극단의 상부상의 보호 물질의 두께보다 얇게 되도록 침착하는 단계와, ⓑ 상기 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상의 모든 보호 물질이 제거될 때까지, 상기 제 1 극편의 제 1 및 제 2 부분과 상기 제 2 극단의 상부상의 보호 물질의 에칭 속도보다 빠른 속도로 상기 제 2 극단의 제 1 및 제 2 측벽상의 보호 물질을 부식액으로 에칭하는 단계를 포함함―와, ② 상기 제 1 극편의 상기 제 1 및 제 2 부분에 제 1 및 제 2 노치가 형성될 때까지 상기 제 1 및 제 2 개구 아래의 상기 물질과 상기 밀링 마스크를 밀링하는 단계를 포함하는 노칭 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 제 1 극편 및 상기 제 2 극단은 퍼멀로이이고, 상기 보호 물질은 크롬이며, 상기 부식액은 크롬 부식액인 노칭 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 기록 갭층은 상기 제 1 극편의 상기 제 1 및 제 2 부분상에 또한 위치되고, 상기 제 1 및 제 2 개구에 의해 노출되는 제 1 및 제 2 부분을 갖는 노칭 방법.
- 제 33 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 제 1 극편 및 상기 제 2 극단은 퍼멀로이이고, 상기 보호 물질은 크롬이며, 상기 부식액은 크롬 부식액인 노칭 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 밀링 단계를 수행하기 전에, 상기 제 1 극편층의 상기 제 1 및 제 2 부분이 상기 제 1 및 제 2 개구에 의해 노출되는 노칭 방법.
- 제 35 항에 있어서, 상기 제 1 극편 및 상기 제 2 극단 사이에 샌드위치된 상기 기록 갭층의 두께는 0.2㎛ 이하인 노칭 방법.
- 제 36 항에 있어서, 상기 갭층은 알루미나이며, 상기 제 1 극편 및 상기 제 2 극단은 퍼멀로이이고, 상기 보호 물질은 크롬이며, 상기 부식액은 크롬 부식액인 노칭 방법.
- 제 2 박막 및 제 3 박막 사이에 제 1 박막이 샌드위치되도록 제 2 박막을 노칭하는 방법―상기 제 3 박막은 베이스와, 상부면과 제 1 및 제 2 측벽을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 측벽과 상기 베이스의 교차부에 위치되는 제 1 및 제 2 코너를 가지고, 상기 제 2 박막은 상기 제 1 및 제 2 코너로부터 연장되는 제 1 및 제 2 부분을 가짐―에 있어서, ① 상기 제 1 및 제 2 코너에 각각 인접하는 제 1 및 제 2 개구를 제외하고, 상기 제 3 박막의 상부 및 상기 제 2 박막의 상부상에 밀링 마스크를 형성하는 단계―상기 제 1 및 제 2 개구는 그 아래에 물질을 노출시키며, 상기 밀링 마스크 형성 단계는, ⓐ 상기 제 2 박막의 제 1 및 제 2 부분과, 상기 제 3 박막의 상부와 제 1 및 제 2 측벽상에 보호 물질을 스퍼터링 침착하되, 상기 제 3 박막의 제 1 및 제 2 측벽상의 상기 보호 물질의 두께는 상기 제 2 박막의 제 1 및 제 2 부분과 상기 제 3 박막의 상부상의 보호 물질의 두께보다 얇게 되도록 침착하는 단계와, ⓑ 상기 제 3 박막의 제 1 및 제 2 측벽상의 모든 보호 물질이 제거될 때까지, 상기 제 2 박막의 제 1 및 제 2 부분과 상기 제 3 박막의 상부상의 보호 물질의 에칭 속도보다 빠른 속도로 상기 제 3 박막의 제 1 및 제 2 측벽상의 보호 물질을 부식액으로 에칭하는 단계를 포함함―와, ② 상기 제 2 박막의 상기 제 1 및 제 2 부분에 제 1 및 제 2 노치가 형성될 때까지 상기 제 1 및 제 2 개구 아래의 상기 물질과 상기 밀링 마스크를 밀링하는 단계를 포함하는 노칭 방법.
- 제 38 항에 있어서, 상기 제 1 박막은 상기 제 2 박막의 상기 제 1 및 제 2 부분상에 또한 위치되며, 상기 제 1 및 제 2 개구에 의해 노출되는 제 1 및 제 2 부분을 갖는 노칭 방법.
- 제 39 항에 있어서, 상기 제 1 박막은 알루미나이며, 상기 제 2 및 제 3 박막은 퍼멀로이이고, 상기 보호 물질은 크롬인 노칭 방법.
- 제 38 항에 있어서, 상기 밀링 단계를 수행하기 전에, 상기 제 2 박막의 상기 제 1 및 제 2 부분이 상기 제 1 및 제 2 개구에 의해 노출되는 노칭 방법.
- 제 41 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 3 박막 사이에 샌드위치되는 상기 제 1 박막의 두께는 0.2㎛ 이하인 노칭 방법.
- 제 42 항에 있어서, 상기 제 1 박막은 알루미나이며, 상기 제 2 및 제 3 박막은 NiFe이고, 상기 보호 물질은 크롬인 노칭 방법.
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