KR19980019052A - 광개시제로서의 분자 착화합물(molecular complex compounds as photoinitiators) - Google Patents

광개시제로서의 분자 착화합물(molecular complex compounds as photoinitiators) Download PDF

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Abstract

α-히드록시 케톤 화합물과 함께 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물을 포함하는 분자 착화합물은 라디칼없이 중합 가능한 화합물의 광중합용 광개시제로서 적합하다.

Description

광개시제로서의 분자 착화합물
본 발명은 α-히드록시 케톤과 함께 모노- 및 비스아실포스핀 옥시드를 포함하는 분자 착화합물 및 광개시제로서 이들 분자 착화합물의 용도에 관한 것이다.
아실포스핀 옥시드는 광개시제로서 문헌에 기재되어 있다. 예를 들면, EP-A 7 508호에서는 몇몇 모노아실포스핀 옥시드의 제조 및 용도를 기재하고 있다. 또한 모노아실포스핀 옥시드 및 비스아실포스핀 옥시드는 미국 특허 5,218,009호로부터 공지되어 있다. 비스아실포스핀 옥시드 광개시제의 제조 및 용도는, 예컨대 미국 특허 4,737,593호 및 4,792,632호, 및 GB-A 2 259 704호에 개시되어 있다. 트리스아실포스핀 옥시드 화합물은, 예컨대 WO-A 96/7662호에 개시되어 있다. 광개시제로서 α-히드록시 케톤 화합물은 예컨대 미국 특허 4,347,111호 및 4,672,079호, 및 EP-A 3002호에 인용되어 있다. 아실포스핀 옥시드와 α-히드록시 케톤을 포함하는 광개시제 혼합물의 용도는, 예컨대 GB-A 2 259 704호 또는 GB-A 2 292 740호에 기재되어 있다.
중합될 제제 내로 쉽게 혼입될 수 있는, 쉽게 수득가능하고 반응성이 있으며 저장-안정성이 있는 광개시제 화합물에 대한 필요성이 있다.
다양한 광개시제 화합물을 포함하는 분자 착화합물이 이들 특성을 갖고 있음이 밝혀졌다.
따라서 본 발명은 α-히드록시 케톤 화합물과 함께 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물을 포함하는 분자 착화합물을 제공한다.
분자 착화합물은 예컨대 용액 또는 용융 방법으로부터 통상의 공지된 결정 성장 방법에 의해 제조될 수 있다. 이들 결정화 방법은 당업자에 공지되어 있으며 또한 화학 교재, 예컨대 Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Vol. A8, 127∼131, Verlag Chemie, Weinheim-New York(1987) 또는 Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, Vol.7, 672∼81, Verlag John Wiley Sons, New York(1979)에 기재되어 있다.
용액 방법인 경우, 분자 착화합물은 예컨대 적합한 용매 또는 용매 혼합물 안에서 경우에 따라 가열하면서 두 성분(즉, 아실포스핀 옥시드 화합물 및 α-히드록시 케톤 화합물)을 용해시키고, 그 결과 얻어진 낮은 용해도의 착화합물에 용매를 첨가하거나 또는 용액을 매우 천천히 냉각시켜, 형성된 분자 착화합물을 침전시킴으로써 제조할 수 있다.
예컨대 균일한 열처리를 받는 용기 안에서 상대적으로 높은 온도에서 포화된 성분들의 용액을 매우 천천히 냉각시키는 것이 합당하다. 이 경우 결정 핵의 형성은 예컨대 용기의 벽에 닿게함으로써 개시될 수 있다.
또한, 예컨대 증발에 의해 성분들의 포화 용액으로부터 용매를 연속적으로 제거할 수 있으며, 이 경우 분자 착물 결정의 형성이 시작된다.
포화 용액을 제조하는데 사용되는 온도는 사용된 용매 또는 용매 혼합물에 따라 다르며, 예컨대 실온 내지 150 ℃, 특히 50 내지 100 ℃의 범위이다.
분자 착화합물을 제조할 때, 두 성분을 1 1의 몰 비율로 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 또한 이들 성분을 다른 몰 비율 예컨대 5 1 내지 1 5로 사용할 수 있다. 이 경우, 예컨대 제조된 혼합물이 분자 착화합물 및 과량으로 첨가된 성분을 포함할 수 있다.
분자 착화합물을 제조할 때 사용되는 용매는 성분들의 특정 융점에 의해 결정된다. 본 발명에 있어서는, 상이한 광개시제 화합물에 대하여 특히 적합한 용매는 지방족 탄화수소, 예컨대 헥산, 펜탄, 헵탄, 옥탄 및 이들 용매의 이성질체 혼합물이다. 그러나, 또한 방향족 탄화수소, 예컨대 크실렌 또는 톨루엔 등을 사용할 수 있다.
극성 첨가제를 예컨대 1∼30 %, 예컨대 1∼20 %, 특히 1∼5 %의 양으로 사용하는 것이 유리하다. 이들 첨가제의 예로는 에틸 아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 알코올을 들 수 있다.
또한 기타 극성 용매, 예컨대 선형 및 환형 에테르, 예컨대 디에틸 에테르, 테트라히드로푸란 또는 디옥산을 사용할 수 있다.
또한, 예컨대 메틸 에틸 케톤과 같은 극성 용매를 사용하고, 그 결과 얻어진 착화합물은 물을 사용하여 침전시킬 수 있다. 이들 용매는 순수한 형태로 사용되거나 또는 예컨대 공비물질로서 물을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 공정 중에 생산된 공비성 혼합물 내의 재생 용매도 또한 적합하다.
기타 적합한 용매의 예로는 약 3∼10 %의 방향족을 함유하는 제한된 비점을 갖는 석유 스피릿(spirits)을 들 수 있다. 이들 용매는 예컨대 상기 극성 용매와 함께 혼합될 수 있다. 기타 적합한 용매 혼합물의 예로는 이소옥탄과 에틸 아세테이트의 혼합물뿐만 아니라 물을 포함하는 혼합물, 예컨대 상기 언급한 메틸 에틸 케톤과 물의 혼합물을 들 수 있다.
그 결과 얻어진 분자 착 결정은 통상의 단리 방법, 예컨대 여과에 의해 용액으로부터 단리된다. 사용된 용매의 끓는점이 높으면, 결정을 건조시키기 위하여 여과 중에 침전된 분자 착화합물을 끓는점이 낮은 용매 예컨대 헥산으로 세척한다. 결정은 약간 상승된 온도, 특히 40∼45 ℃ 및 약 50 밀리바의 진공하에서 건조시키는 것이 합당하다. 또한 불순물을 제거하기 위하여 결정을 세척하는 것이 합당하다. 이것은 예컨대 결정이 매우 낮은 용해도를 갖고 모액과 혼화될 수 있는 용매를 사용하여 실시된다.
또한, 예컨대 하나의 성분을 제조하는 공정에 있어서, 단리시키기 전에 즉 성분이 여전히 용액 내에 있을 때, 두 번째 성분을 직접 첨가함으로써 착화합물을 제고하고, 적합한 용매를 첨가하여 상기 착화합물을 침전시킬 수 있다. 예컨대 아실포스핀 옥시드 화합물의 제조에 있어서, 산화 단계 후에 화합물을 적합한 용매 내로 이송하고, α-히드록시 케톤 화합물을 첨가하고, 및 분자 착화합물을 침전시킬 수 있다.
또한, 예컨대 아실포스핀 옥시드 화합물 및 α-히드록시 케톤 화합물을 용융시키고 나서 용융물을 천천히 냉각시킴으로써 신규 분자 착화합물을 수득할 수 있다. 예컨대 이 경우에, 비록 각 성분이 개별적으로 용융되고 이들 화합물이 용융된 상태에서 혼합될 수 있지만, 두 성분의 혼합물을 먼저 제조하고 나서 이 혼합물을 용융시킬 수 있다. 온도는 각 성분의 융점에 따라 다르며, 예컨대 약 100 ℃ 내지 200 ℃이다. 몇몇 경우에 있어서, 용매법으로부터 수득한 분자 착화합물의 결정을 사용하여 상기 용융물을 시딩처리하는 것이 합당하다. 상기 시딩처리는, 예컨대 용융물이 실온으로 냉각된 후에 실시되거나 또는 분자 착화합물의 융점에서 실시된다.
결정을 제조하는 이런 종류의 용융 방법은 당업자에 공지되어 있으며, 예컨대 Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Vol. A8, 121∼127, Verlag Chemie, Weinheim-New York(1987)에 기재되어 있다.
용융물을 냉각시킬 때, 특히 용융물을 급속 냉각시킬 때, 예컨대 신규 분자 착화합물의 무형 개질물도 또한 수득될 수 있다. 특정 분자 착화합물의 제조에 있어서, 몇몇 화합물의 경우 착물 형성이 느리기 때문에 급속 냉각이 합당하지 않은 것으로 판명될 수 있다. 더군더나, 급속 냉각인 경우, 착화합물과 성분들 중 어느 하나 사이에서 혼합물이 형성될 가능성이 더 높다.
또한, 결정화 방법에 따라, 예컨대 분자 착화합물의 다형 결정 형태가 형성되거나 또는, 예컨대 용매와 같은 게스트(guest) 분자를 함유하는 분자 착화합물의 결정이 생성될 수 있다. 그러나, 이들 혼합물은 또한 광중합 개시제로서 적합하다.
분자 착물은 통상 히드록시 케톤의 OH 기의 H 원자와 포스핀 옥시드 화합물의 P 원자에 결합된 O 원자 사이의 수소 결합을 통하여 결합된다.
모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물이 하기 화학식 (1)의 화합물인 분자 착화합물이 바람직하다
(1)
상기 식에서, R1및 R2는 서로 독립적으로 C1-C18알킬 사슬 중간에 하나 이상의 O 원자를 갖는 C2-C18알킬 페닐-치환된 C1-C4알킬 C2-C18알케닐 비치환 또는 할로겐, OH, C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 5회 치환된 페닐 비치환 또는 할로겐, OH, C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 5회 치환된 나프틸 비치환 또는 할로겐, OH, C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 5회 치환된 비페닐 C3-C12시클로알킬 O-, S- 또는 N-함유 5- 또는 6-원 헤테로시클릭 고리 또는 COR3기이거나 또는
R1이 -OR4또는또는기이거나 또는
R1및 R2가 함께 C4-C8알킬렌이며, 이들에 부착된 P 원자와 함께 고리 구조를 형성하며 R3은 비치환 또는 C1-C8알킬, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오 및/또는 할로겐에 의해 1 내지 4회 치환된 C1-C18알킬, C3-C12시클로알킬, C2-C18알케닐, 페닐, 나프틸 또는 비페닐이거나 또는 O-, S- 또는 N-함유 5- 또는 6-원 헤테로시클릭 고리 또는기이고
R4가 C1-C8알킬, 페닐, 나프틸 또는 페닐-C1-C8알킬이며 Y가 페닐렌, C1-C12알킬렌, 시클로펜틸렌 또는 시클로헥실렌이고
X가 C1-C18알킬렌 사슬 중간에 -O-, -S-, -NR5-,또는 -SO2-를 1회 이상 갖는 C2-C18알킬렌 Cl, F, C1-C4알콕시, COOR7, 페닐, 페닐-C1-C4알킬, 나프틸-C1-C4알킬, C1-C4알킬페닐, C1-C4알킬나프틸, 페닐-C1-C4알콕시, 나프틸-C1-C4알콕시, C1-C4알콕시-C1-C4알콕시 및/또는 CN에 치환된 C1-C6알킬렌이거나, 또는 X가 하기 화학식 (100)의 하나 또는 두 개의 라디칼에 의해 치환된 C1-C8알킬렌이거나, 또는 하기 화학식 (101) 내지 (109)의 기이다
(100)
(101)
(102)
(103)
(104)
(105)
(106)
(107)
(108)
(109)
상기 식에서, a 및 b는 서로 독립적으로 0 또는 1이고, d와 f의 합이 3 내지 8의 수이며, d와 f 모두 0이 아니다.
또는, X가 -CH2-CH=CH-CH2- 또는 -CH2-C≡C-CH2- 기이거나, 비치환 또는 Cl, F, C1-C4알킬 및/또는 C1-C4알콕시에 의해 1 내지 3회 치환된 페닐렌이거나, 또는 크실릴렌,또는이거나, 또는 X가 하기 화학식 (110) 내지 (113)의 기이다.
(110)
(111)
(112)
(113)
상기 식에서, Q가 단일 결합, CR9R10, -O-, -S-, -NR5-, -SO2-, -(CH2)p- 또는 -CH=CH-이며 p는 2 내지 12의 수이고 Z는 O 또는 S이며 R5는 H, C1-C12알킬 또는 페닐이고 R6은 C1-C4알킬 또는 페닐이며 R7은 C1-C12알킬, 사슬 중간에 -O-를 1회 이상 갖는 C2-C18알킬이거나, 또는 벤질, 페닐, 시클로펜틸 또는 시클로헥실이고 R8은 H, C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 할로겐이며 R9는 H 또는 C1-C4알킬이고 또 R10은 H, 메틸 또는 에틸이다.
C1-C18알킬은 직쇄 또는 측쇄이며 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 펜틸, 이소펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 도데실 또는 옥타데실이다. C1-C12, 예컨대 C1-C8또는 C1-C6, 특히 C1-C4알킬이 바람직하다.
C1-C12, C1-C8및 C1-C4알킬은 상기와 같이 상응하는 탄소 원자 수 이하의 동일한 의미를 갖는다.
사슬 중간에 하나 이상의 산소 원자를 갖는 C2-C18알킬은 예컨대 사슬 중간에 -O-를1내지 5회, 1내지 3회 또는 1회 또는 2회 갖는다. 그 결과 예컨대 -O(CH2)2OH, -O(CH2)2OCH3, -O(CH2CH2O)2CH2CH3, -CH2-O-CH3,-CH2CH2-O-CH2CH3, -[CH2CH2O]y-CH3(y=1 내지 5), -(CH2CH2O)5CH2CH3,-CH2-CH(CH3)-O-CH2-CH2CH3또는 -CH2-CH(CH3)-O-CH2-CH3와 같은 구조적 단위를 낳는다.
페닐-치환된 C1-C4알킬은, 예컨대 벤질, 2-페닐에틸, 3-페닐프로필, α-메틸벤질 또는 α,α-디메틸벤질, 특히 벤질이다.
페닐-C1-C8알킬은, 예컨대 벤질, 페닐에틸, α-메틸벤질, 페닐펜틸, 페닐헥실, 페닐옥틸 또는 α,α-디메틸벤질, 특히 벤질이다.
페닐-C1-C4알킬은 적합한 탄소 원자 수 이하의 상기 의미를 갖는다. 페닐-C1-C4알킬, 특히 페닐-C1-C2알킬이 바람직하다.
C2-C18알케닐은 직쇄 또는 측쇄일 수 있으며 분자 내에 하나 이상의 불포화 결합이 있을 수 있다. 예로는 비닐, 알릴, 메틸비닐, 부테닐, 부타디에닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐, 데세닐, 도데세닐 또는 옥타데세닐을 들 수 있다.
C1-C8알콕시는 직쇄 또는 측쇄일 수 있으며, 예컨대 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시, s-부톡시, t-부톡시, 펜톡시, 이소펜톡시, 헥실옥시, 헵틸옥시 또는 옥틸옥시이다. 예컨대 C1-C6, 또는 특히 C1-C4알콕시가 바람직하다. C1-C6알콕시 및 C1-C4알콕시는 상기와 같이 적합한 탄소 원자 수 이하의 동일한 의미를 갖는다.
C1-C4알콕시-C1-C4알콕시는 예컨대 메톡시에톡시, 메톡시프로폭시, 메톡시부톡시, 에톡시메톡시, 에톡시에톡시, 에톡시프로폭시, 에톡시부톡시, 프로폭시메톡시, 프로폭시에톡시, 프로폭시프로폭시, 프로폭시부톡시, 부톡시메톡시, 부톡시에톡시, 부톡시프로폭시 또는 부톡시부톡시, 특히 메톡시에톡시 및 에톡시에톡시이다.
C1-C8알킬티오는 직쇄 또는 측쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, t-부틸티오, 헥실티오 또는 옥틸티오, 특히 메틸티오이다.
할로겐은, 예컨대 Cl, Br 및 I, 특히 Cl이다.
치환 페닐은 페닐 고리에 1 내지 5회, 예컨대 1, 2 또는 3회, 특히 1 또는 2회 치환된다. 치환은 예컨대 페닐 고리의 2, 3, 4, 5, 2,4, 2,5, 2,6, 3,4, 3,5, 2,4,6 또는 3,4,5 위치에서 일어난다. C1-C8알킬, C1-C4알킬-, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오 및 C1-C4알콕시 치환체는 상기 정의를 가질 수 있다. 치환된 페닐의 예로는 톨릴, 크실릴, 4-메톡시페닐, 2,4- 및 2,5-디메톡시페닐, 에틸페닐 및 4-알콕시-2-메틸페닐을 들 수 있다.
C3-C12시클로알킬의 예로는 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실 또는 시클로도데실, 바람직하게는 시클로펜틸 및 시클로헥실이다.
O-, S- 또는 N-함유 5- 또는 6-원 헤테로시클릭 고리로서 R1및 R2는, 예컨대 푸릴, 티에닐, 피롤릴, 옥시닐, 디옥시닐 또는 피리딜이다.
R1및 R2가 함께 C4-C8알킬렌이고 이들에 부착된 P 원자와 함께 고리 구조를 형성하면, 이 구조는 단순한 고리뿐만 아니라 브리지 고리, 예컨대,,,또는을 포함할 수 있다.
C1-C18알킬렌으로서 X는 직쇄 또는 측쇄 알킬렌, 예컨대 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 이소프로필렌, n-부틸렌, s-부틸렌, 이소부틸렌, t-부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 노닐렌, 데실렌, 도데실렌, 테트라데실렌, 헵타데실렌 또는 옥타데실렌이다. 특히 X는 C1-C12알킬렌, 예컨대 에틸렌, 데실렌,,,,,또는이다.
사슬 중간에 -O-, -S-, -NR5-,또는 -SO2-을 갖는 C2-C18알킬렌으로서 X는, 예컨대 -CH2-O-CH2-, -CH2CH2-O-CH2CH2-, -[CH2CH2O]y-(y=1 내지 9), -(CH2CH2O)7CH2CH2-, -CH2-CH(CH3)-O-CH2-CH(CH3)-, -CH2-S-CH2-, -CH2CH2-S-CH2CH2-, -CH2CH2CH2-S-CH2CH2CH2-, -(CH2)3-S-(CH2)3-S-(CH2)3-, -CH2-(NR5)-CH2-, -CH2CH2-(NR5)-CH2CH2-, -CH2-(P(O)R6)-CH2-, -CH2CH2-(P(O)R6)-CH2CH2-,,, -CH2-SO2-CH2- 또는 -CH2CH2-SO2-CH2CH2-와 같은 구조적 단위를 낳는다.
상기 화학식 (100)의 하나 또는 두 개의 라디칼에 의해 치환된 C1-C8알킬렌의 예로는,,,또는이며, 상기 식에서 R3은 상기 정의한 바와 같다.
나프틸-C1-C4알킬은, 예컨대 나프틸메틸, 나프틸에틸, 나프틸(1-메틸)에트-1-일 또는 나프틸(1,1-디메틸)에트-1-일, 특히 나프틸메틸이다.
C1-C4알킬페닐은, 예컨대 톨릴, 크실릴, 메시틸, 에틸페닐 또는 디에틸페닐, 바람직하게는 톨릴 또는 메시틸이다.
C1-C4알킬나프틸은 메틸, 에틸 및/또는 프로필 또는 부틸에 의해 치환된 나프틸이다.
페닐-C1-C4알콕시는, 예컨대 벤질옥시, 페닐에틸옥시, α-메틸벤질옥시 또는 α,α-디메틸벤질옥시, 특히 벤질옥시이다.
나프틸-C1-C4알콕시는, 예컨대 나프틸메틸옥시 또는 나프틸에틸옥시이다.
d와 f의 합이 3 내지 8인 상기 화학식 (101)의 기의 예는 하기와 같다
(d+f=3),(d+f=4),(d+f=6).
및이 바람직하다.
화학식 (110)의 바람직한 기는,또는이다.
화학식 (1)의 아실포스핀 옥시드 화합물의 제조는 당업자에게 공지되어 있으며, 예컨대 EP-A 7 508호, 미국 특허 5,218,009호, 4,737,593호 및 4,792,632호, GB-A 2 259 704호 및 WO-A 96/7662호에 기재되어 있다.
R1및 R2가 서로 독립적으로 C1-C12알킬 벤질 비치환 또는 할로겐, 특히 Cl, C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이거나 또는 시클로헥실 또는 COR3기이거나 또는 R1이 OR4또는이고
R3이 비치환 또는 C1-C8알킬, 특히 C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오 특히 C1-C4알킬티오, 및/또는 할로겐, 특히 Cl에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이거나, 또는의 기이며
R4가 C1-C8알킬, 특히 C1-C4알킬, 페닐 또는 벤질이고 X가 C1-C18알킬렌, 특히 C6-C10알킬렌, 또는기이며 및 Y가 페닐렌, C2-C12알킬렌 또는 시클로헥실렌인 화학식 (1)의 화합물이 바람직하다.
R1및 R2가 서로 독립적으로 C1-C8알킬, 비치환 또는 C1-C4알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이거나, 또는 시클로헥실 또는 COR3기이거나, 또는 R1이기 또는 -OR4이고 R3이 비치환 또는 메틸 및/또는 메톡시에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이며 R4가 메틸, 에틸 또는 페닐이며 X가 C6-C10알킬렌 또는인 화학식 (1)의 기타 화합물이 중요하다.
R1이 COR3이고, R2가 C1-C18알킬이며 또 R3이 C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시에 의해 2 또는 3회 치환된 페닐인 화학식 (1)의 화합물이 주목할 만하다.
또한 R1이 COR3이고, R2가 비치환 또는 C1-C4알킬 및/또는 C1-C4알콕시에 의해 치환된 페닐이고, 또 R3이 C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시에 의해 2 또는 3회 치환된 페닐인 화학식 (1)의 화합물이 특히 중요하다.
화학식 (1)의 화합물은 치환체 R3의 페닐이 2,6 또는 2,4,6의 위치에 있을 때 특히 중요하다.
분자 착화합물을 제조하기에 적합한 화학식 (1)의 화합물의 예로는 하기와 같다
비스(2,6-디메톡시벤조일)페닐포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-n-부틸포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-(1-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-t-부틸포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)시클로헥실포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)옥틸포스핀 옥시드,
비스(2-메톡시벤조일)(2-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2-메톡시벤조일)(1-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디에톡시벤조일)(2-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디에톡시벤조일)(1-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디부톡시벤조일)(2-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,4-디메톡시벤조일)(2-메틸프로프-1-일)포스핀 옥시드,
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀 옥시드,
2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드,
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디펜톡시페닐)포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)벤질포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-2-페닐프로필포스핀 옥시드,
비스(2,6-디메톡시벤조일)-2-페닐에틸포스핀 옥시드,
2,6-디메톡시벤조일벤질부틸포스핀 옥시드,
2,6-디메톡시벤조일벤질옥틸포스핀 옥시드,
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)이소부틸포스핀 옥시드 및
2,6-디메톡시벤조일-2,4,6-트리메틸벤조일-n-부틸포스핀 옥시드,
α-히드록시 케톤 화합물은, 특히 하기 화학식 (2)의 화합물이다
(2)
상기 식에서,
R11및 R12는 서로 독립적으로 H, C1-C6알킬, 페닐, C1-C6알콕시, OSiR16(R17)2또는 -O(CH2CH2O)q-C1-C6알킬이거나, 또는
R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고
q는 1 내지 20의 수이며
R13은 OH, C1-C16알콕시 또는 -O(CH2CH2O)q-C1-C6알킬이고
R14는 H, C1-C18알킬, C1-C18알콕시, -OCH2CH2-OR15, CH2=C(CH3)-기 또는이며
l은 2 내지 10의 수이고
B는 라디칼이며
R15는 H,또는이고 또
R16및 R17은 서로 독립적으로 C1-C8알킬 또는 페닐이다.
C1-C18알킬, C1-C6알킬, C1-C4알킬, C1-C18알콕시 및 C1-C6알콕시의 예는 상기 정의되어 있다.
화학식 (2)의 α-히드록시 케톤 화합물의 제조는 당업자에게 익숙하며, 예컨대 미국 특허 4,347,111호 및 4,672,079호, 및 EP-A 3002호에 기재되어 있다.
R11및 R12는 서로 독립적으로 H, C1-C6알킬 또는 페닐이거나, 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 R13이 OH이며 또 R14가 H, C1-C12알킬, C1-C12알콕시, 특히 C1-C4알콕시, -OCH2CH2OR15, CH2=C(CH3)-기 또는인 화학식 (2)의 화합물이 중요하다.
R11및 R12는 서로 독립적으로 메틸 또는 에틸이거나, 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 R13이 H이며 또 R14가 H, C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 -OCH2CH2OH인 화학식 (2)의 화합물이 바람직하다.
분자 착화합물의 제조에 적합한 화학식 (2)의 화합물의 예는 하기와 같다.
α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤,
2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논,
2-히드록시-2-메틸-1-(4-이소프로필페닐)프로파논,
2-히드록시-2-메틸-1-(4-도데실페닐)프로파논 및
2-히드록시-2-메틸-1-[(2-히드록시에톡시)페닐]프로파논.
바람직한 분자 착화합물은 하기 화학식 (1)의 모노- 또는 비스아실포스핀 옥시드 화합물 및 하기 화학식 (2)의 α-히드록시 케톤 화합물을 포함하는 화합물이다
(1)
(2)
상기 식에서, R1및 R2는 서로 독립적으로 C1-C12알킬 비치환 또는 C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 또는 2회 치환된 페닐이거나, 또는 COR3이고
R3은 라디칼이며
R18은 C1-C4알킬, 특히 메틸, 또는 C1-C4알콕시, 특히 메톡시이고
R19는 H 또는 C1-C4알킬, 특히 메틸이며
R11및 R12는 서로 독립적으로 C1-C4알킬이거나 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 및 R14는 H이다.
또한, 아실포스핀 옥시드 화합물이 비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드 또는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드이고, α-히드록시 케톤 화합물은 R11및 R12가 C1-C4알킬이거나 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 R13이 OH이고 또 R14가 H인 화학식 (2)의 화합물인 분자 착화합물이 바람직하다.
또한, 아실포스핀 옥시드 화합물이 비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디헥실옥시페닐)포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(4-에톡시페닐)포스핀 옥시드 또는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드이고, α-히드록시 케톤 화합물이 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤 또는 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온인 분자 착화합물이 중요하다.
비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논
비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논
2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(4-에톡시페닐)포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디펜톡시페닐)포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디헥실옥시페닐)포스핀 옥시드 및 α-히드록시-시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디펜톡시페닐)포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2-메틸프로필)포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2-메틸프로필)포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논
비스(2,6-디메톡시벤조일)(2-메틸프로필)포스핀 옥시드 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로파논 및
비스(2,6-디메톡시벤조일)(2-메틸프로필)포스핀 옥시드 및 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 포함하는 분자 착화합물이 특히 중요하다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 에틸렌성 불포화 화합물 또는 이들 화합물을 포함하는 혼합물의 광중합을 위한 광개시제로서 사용될 수 있다.
이것은 또한 다른 광개시제 및/또는 기타 첨가제와 함께 조합하여 사용될 수 있다.
따라서 본 발명은 또한
(a) 하나 이상의 에틸렌성 불포화 광중합성 화합물, 및
(b) 광개시제로서, α-히드록시 케톤 화합물과 함께 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물을 포함하는 하나 이상의 분자 착화합물을 포함하고, 상기 성분 (b)에 첨가하여 기타 광개시제 및/또는 기타 첨가제를 포함할 수 있는 광중합성 조성물을 제공한다.
불포화 화합물은 하나 이상의 올레핀성 이중 결합을 함유할 수 있다. 이들 화합물은 저 분자량(단량체) 또는 상대적으로 고 분자량(소중합체)일 수 있다. 이중 결합을 함유하는 단량체의 예는 알킬 또는 히드록시알킬 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 예컨대 메틸, 에틸, 부틸, 2-에틸헥실 또는 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 또는 에틸 메타크릴레이트이다. 실리콘 아크릴레이트에도 또한 관심이 있다. 추가 예에는 아크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N-치환 (메트)아크릴아미드, 비닐 에스테르 예컨대 비닐 아세테이트, 비닐 에테르 예컨대 이소부틸 비닐 에테르, 스티렌, 알킬- 및 할로스티렌, N-비닐피롤리돈, 염화 비닐 또는 염화 비닐리덴이 있다.
두 개 이상의 이중 결합을 함유하는 단량체의 예로는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 네오펜틸글리콜, 헥사메틸렌 글리콜 또는 비스페놀 A의 디아크릴레이트, 4,4'-비스(2-아크릴로일옥시에톡시)디페닐프로판, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 또는 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 비닐 아크릴레이트, 디비닐벤젠, 디비닐 숙시네이트, 디알릴 프탈레이트, 트리알릴 포스페이트, 트리알릴 이소시아누레이트 또는 트리스(2-아크릴로일에틸)이소시아누레이트가 있다.
상대적으로 고 분자량(소중합체)의 다중불포화 화합물의 예에는 아크릴성 에폭시 수지, 및 아크릴성 또는 비닐 에테르 또는 에폭시 기를 함유하는 폴리에스테르, 폴리우레탄 및 폴리에테르가 있다. 불포화 소중합체의 추가 예에는 대개 말레산, 프탈산 및 하나 이상의 디올로부터 제조되며 약 500 내지 3000의 분자량을 갖는 불포화 폴리에스테르 수지가 있다. 또한 비닐 에테르 단량체 및 비닐 에테르 소중합체, 및 또한 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리에테르, 폴리비닐 에테르 및 에폭시 주쇄를 갖는 말레에이트-말단 소중합체를 사용할 수도 있다. WO 90/01512호에 기재된 비닐 에테르 기-함유 소중합체 및 중합체의 조합물이 특히 바람직하다. 그러나, 비닐 에테르 및 말레산-관능화 단량체의 공중합체가 또한 적합하다. 이들 불포화 소중합체는 또한 프리폴리머로 지칭할 수 있다.
특히 적합한 화합물의 예에는 에틸렌성 불포화 카르복시산 및 폴리올 또는 폴리에폭시드, 및 사슬 또는 측면 기에 에틸렌성 불포화 기를 함유하는 중합체, 예컨대 불포화 폴리에스테르, 폴리아미드 및 폴리우레탄 및 이들의 공중합체, 폴리부타디엔 및 부타디엔 공중합체, 폴리이소프렌 및 이소프렌 공중합체, 측쇄에 (메트)아크릴 기를 함유하는 중합체 및 공중합체, 및 하나 이상의 상기 중합체의 혼합물이 있다.
불포화 카르복시산의 예에는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 신남산 및 불포화 지방산 예컨대 리놀렌산 또는 올레산이 있다. 아크릴산 및 메타크릴산이 바람직하다.
적합한 폴리올은 방향족 및, 특히 지방족 및 고리상지방족 폴리올이다. 방향족 폴리올의 예에는 히드로퀴논, 4,4'-디히드록시비페닐, 2,2-디(4-히드록시페닐)프로판, 및 또한 노보락 및 레솔이 있다. 폴리에폭시드의 예는 상술한 폴리올을 기본으로 하며, 특히 방향족 폴리올 및 에피클로로히드린이다. 기타 바람직한 폴리올은 중합체 사슬 또는 측면 기에 히드록시 기, 예컨대 폴리비닐 알코올 및 이들의 공중합체 또는 폴리(히드록시알킬 메타크릴레이트) 또는 이들의 공중합체를 함유하는 중합체 및 공중합체를 포함한다. 기타 적합한 폴리올은 히드록시 말단 기를 함유하는 올리고에스테르이다.
지방족 및 고리상지방족 폴리올의 예에는 알킬렌디올, 바람직하게는 2 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는, 예컨대 에틸렌 글리콜, 1,2- 또는 1,3-프로판디올, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-부탄디올, 펜탄디올, 헥산디올, 옥탄디올, 도데칸디올, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 바람직하게는 200 내지 1500의 분자량을 갖는 폴리에틸렌 글리콜, 1,3-시클로펜탄디올, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-시클로헥산디올, 1,4-디히드록시메틸시클로헥산, 글리세롤, 트리스(β-히드록시에틸)아민, 트리메틸올레탄, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 및 소르비톨이 있다.
폴리올은 하나 이상의 불포화 카르복시산으로 부분적으로 또는 완전히 에스테르화될 수 있으며, 일부 에스테르에서 자유 히드록시 기가 예컨대 기타 카르복시산으로 에테르화 또는 에스테르화되어 변형될 수 있다.
에스테르의 예로는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올에탄 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 트리메틸올에탄 트리메타크릴레이트, 테트라메틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 옥타아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 옥타메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 디이타코네이트, 디펜타에리트리톨 트리스이타코네이트, 디펜타에리트리톨 펜타이타코네이트, 디펜타에리트리톨 헥사이타코네이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디이타코네이트, 소르비톨 트리아크릴레이트, 소르비톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨-변형 트리아크릴레이트, 소르비톨 테트라메타크릴레이트, 소르비톨 펜타아크릴레이트, 소르비톨 헥사아크릴레이트, 올리고에스테르 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 글리세롤 디- 및 트리아크릴레이트, 1,4-시클로헥산 디아크릴레이트, 200 내지 1500의 분자량을 갖는 폴리에틸렌 글리콜의 비스아크릴레이트 및 비스메타크릴레이트, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다.
추가의 적합한 성분은 바람직하게는 2 내지 6개, 특히 2 내지 4개의 아미노 기를 갖는 방향족, 고리상지방족 및 지방족 폴리아민의 동일한 또는 상이한 불포화 카르복시산의 아미드이다. 이런 형태의 폴리아민의 예에는 에틸렌디아민, 1,2- 또는 1,3-프로필렌디아민, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-부틸렌디아민, 1,5-펜틸렌디아민, 1,6-헥실렌디아민, 옥틸렌디아민, 도데실렌디아민, 1,4-디아미노시클로헥산, 이소포론디아민, 펜닐렌디아민, 비스페닐렌디아민, 디-β-아미노에틸 에테르, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 디(β-아미노에톡시)- 또는 디(β-아미노프로폭시)에탄이 있다. 기타 적합한 폴리아민은 경우에 따라 측쇄에 추가의 아미노 기를 함유하는 중합체 및 공중합체, 및 아미노 말단 기를 함유하는 올리고아미드이다. 이런 형태의 불포화 아미드의 예에는 메틸렌비스아크릴아미드, 1,6-헥사메틸렌비스-아크릴아미드, 디에틸렌트리아민트리스메타크릴아미드, 비스(메타크릴아미도프로폭시)에탄, β-메타크릴아미도에틸 메타크릴레이트, 및 N-[(β-히드록시에톡시)에틸]아크릴아미드가 있다.
바람직한 불포화 폴리에스테르 및 폴리아미드는 예컨대, 말레산 및 디올 또는 디아민으로부터 유도한다. 말레산의 몇몇은 기타 디카르복시산으로 대체할 수 있다. 이들은 에틸렌성 불포화 공단량체, 예컨대 스티렌과 함께 사용할 수 있다. 폴리에스테르 및 폴리아미드는 또한 디카르복시산 및 에틸렌성 불포화 디올 또는 디아민, 특히 예컨대 6 내지 20개의 탄소 원자를 함유하는 장쇄 화합물로부터 유도할 수 있다. 폴리우레탄의 예에는 포화 또는 불포화 디이소시아네이트 및 불포화 또는 포화 디올로부터 생성된 것이 있다.
폴리부타디엔 및 폴리이소프렌 및 이들의 공중합체는 공지되어 있다. 바람직한 공단량체의 예에는 올레핀 예컨대 에틸렌, 프로펜, 부텐, 헥센, (메트)아크릴레이트, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 염화 비닐이 있다. 또한 측쇄에 (메트)아크릴레이트 기를 함유하는 중합체도 공지되어 있다. 이들은 예컨대, (메트)아크릴산과 노보락을 기본으로 하는 에폭시 수지의 반응 생성물, 비닐 알코올의 동종중합체 또는 공중합체 또는 (메트)아크릴산을 사용하여 에스테르화된 이들의 히드록시알킬 유도체, 또는 히드록시알킬 (메트)아크릴레이트를 사용하여 에스테르화된 (메트)아크릴레이트의 동종중합체 및 공중합체일 수 있다.
광중합성 화합물은 단독으로 또는 필요로 하는 특정 혼합물 형태로 사용할 수 있다. 폴리올 (메트)아크릴레이트의 혼합물이 바람직하다.
또한 결합제를 본 발명에 따른 조성물에 첨가할 수 있다. 이것은 광중합성 화합물이 액상 또는 점액성 물질일 때 특히 편리하다. 결합제의 양은 전체 고형분에 대하여 예컨대, 5 내지 95중량%, 바람직하게는 10 내지 90중량% 및, 특히 40 내지 90중량%이다. 결합제는 투여 분야 및 필요로 하는 특성, 예컨대 수성 및 유기 용매 계에서의 전개용 기구, 기재에 대한 점착 및 산소에 대한 민감도에 따라 선택한다.
바람직한 결합제의 예는 약 5,000 내지 2,000,000, 바람직하게는 10,000 내지 1,000,000의 분자량을 갖는 중합체이다. 예로는 동종- 및 공중합성 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 메타크릴레이트/에틸 아크릴레이트/메타크릴산, 폴리(알킬 메타크릴레이트), 폴리(알킬 아크릴레이트)의 공중합체 셀룰로오스 에스테르 및 셀룰로오스 에테르, 예컨대 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 메틸셀룰로오스 및 에틸셀룰로오스 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 고리상 고무, 폴리에테르, 예컨대 폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드 및 폴리테트라히드로푸란 폴리스티렌, 폴리카르보네이트, 폴리우레탄, 염화 폴리올레핀, 염화 폴리비닐, 염화 비닐/염화 비닐리덴의 공중합체, 염화 비닐리덴과 아크릴로니트릴, 메틸 메타크릴레이트 및 비닐 아세테이트의 공중합체, 폴리비닐 아세테이트, 에틸렌/비닐 아세테이트의 공중합체, 중합체 예컨대 폴리카프로락탐 및 폴리(헥사메틸렌아디파미드), 및 폴리에스테르 예컨대 폴리(에틸렌 글리콜 테레프탈레이트) 및 폴리(헥사메틸렌 글리콜 숙시네이트)를 들 수 있다.
불포화 화합물은 또한 비-광중합성 필름-형성 성분과의 혼합물로 사용할 수 있다. 이들은 예컨대, 물리적으로 건조된 중합체 또는 유기 용매에서의 이들의 용액, 예컨대 니트로셀룰로오스 또는 셀룰로오스 아세토부티레이트일 수 있다. 그러나, 이들은 또한 화학적으로 경화성 또는 열경화성 수지 예컨대, 폴리이소시아네이트, 폴리에폭시드 또는 멜라민 수지일 수도 있다. 열경화성 수지를 부가적으로 사용하는 것은 첫 단계에서 이것이 광중합되고 둘째 단계에서 열처리에 의해 교차결합되는 소위 하이브리드 시스템용으로 중요하다.
또한 본 발명에 따른 광개시제는, 예컨대 Lehrbuch der Lacke und Beschichtungen[Textbook of paints and coatings] Volume III, 296-328, Verlag W.A. Colomb in der Heenemann GmbH, Berlin-Oberschwandorf(1976)에 기재된 바와 같이, 산화적 건조 계의 경화를 위한 개시제로서 적합하다.
광중합성 혼합물은 광개시제와 더불어 다양한 첨가제를 함유할 수 있다. 이들의 예에는 조기 중합을 예방하는 열 억제제, 예컨대 히드로퀴논, 히드로퀴논 유도체, p-메톡시페놀, β-나프톨 또는 입체 장애 페놀 예컨대 2,6-디(t-부틸)-p-크레졸이 있다. 암실에서의 저장 수명은 예컨대, 구리 화합물 예컨대 구리 나프테네이트, 구리 스테아레이트 또는 구리 옥토에이트, 인 화합물 예컨대 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리페닐 포스파이트 또는 트리벤질 포스파이트, 4차 암모늄 화합물 예컨대 염화 테트라메틸암모늄 또는 염화 트리메틸벤질암모늄, 또는 히드록시아민 유도체 예컨대 N-디에틸히드록시아민을 사용함으로써 증가시킬 수 있다. 중합 반응 동안에 대기 중 산소를 배제하기 위하여 파라핀 또는 이와 유사한 왁스성 물질을 첨가할 수 있으며 이들은 중합체에서의 낮은 용해도 때문에 중합 반응의 시초에 표면으로 이동하여, 공기의 침투를 막는 투명한 표면층을 형성한다. 이와 비슷하게, 산소-불투과성 층을 사용할 수도 있다. 첨가할 수 있는 광안정화제는 자외선 흡수제, 예컨대 히드록시페닐벤조트리아졸, 히드록시페닐벤조페논, 옥살아미드 또는 히드록시페닐-s-트리아진 형태이다. 이들 화합물은 개별적으로 또는 입체 장애 아민(HALS)을 사용하거나 사용하지 않은 혼합물로서 사용할 수 있다.
자외선 흡수제 및 광안정화제의 예로는 다음과 같다
1. 2-(2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 예컨대 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(3',5'-디-t-부틸-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(5'-t-부틸-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(3',5'-디-t-부틸-2'-히드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3'-s-부틸-5'-t-부틸-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-4'-옥톡시페닐)벤조트리아졸, 2-(3',5'-디-t-아밀-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3',5'-비스-(α,α-디메틸벤질)-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-옥틸옥시카보닐에틸)페닐)-5-클로로벤조트리아졸의 혼합물, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-메톡시카보닐에틸)페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-메톡시카보닐에틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-옥틸옥시카보닐에틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-5'-[2-(2-에틸헥실옥시)카보닐에틸]-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-도데실-2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 및 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-이소옥틸옥시카보닐에틸)페닐벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-6-벤조트리아졸-2-일페놀] 폴리에틸렌 글리콜300과 2-[3'-t-부틸-5'-(2-메톡시-카보닐에틸)-2'-히드록시페닐]벤조트리아졸의 에스테르 교환반응 생성물 R이 3'-t-부틸-4'-히드록시-5'-2H-벤조트리아졸-2-일페닐인 [R-CH2CH2-COO(CH2)3]2.
2. 2-히드록시벤조페논, 예컨대 4-히드록시, 4-메톡시, 4-옥톡시, 4-데실옥시, 4-도데실옥시, 4-벤질옥시, 4,2',4'-트리히드록시 및 2'-히드록시-4,4'-디메톡시 유도체.
3. 비치환 또는 치환된 벤조산의 에스테르, 예컨대 4-t-부틸-페닐 살리실레이트, 페닐 살리실레이트, 옥틸페닐 살리실레이트, 디벤조일레조르시놀, 비스(4-t-부틸벤조일)레조르시놀, 벤조일레조르시놀, 2,4-디-t-부틸페닐 3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트, 헥사데실 3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트, 옥타데실 3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트, 2-메틸-4,6-디-t-부틸페닐 3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트.
4. 아크릴레이트, 예컨대 에틸 α-시아노-β,β-디페닐아크릴레이트 또는 이소옥틸 α-시아노-β,β-디페닐아크릴레이트, 메틸 α-카보메톡시신나메이트, 메틸 α-시아노-β-메틸-p-메톡시신나메이트 또는 부틸 α-시아노-β-메틸-p-메톡시신나메이트, 메틸 α-카르보메톡시-p-메톡시신나메이트 및 N-(β-카르보메톡시-β-시아노비닐)-2-메틸인돌린.
5. 입체 장애 아민, 예컨대 비스(2,2,6,6-테트라메틸피페리딜)세바케이트, 비스(2,2,6,6-테트라메틸피페리딜)숙시네이트, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딜)세바케이트, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딜)n-부틸-3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질말로네이트, 1-히드록시에틸-2,2,6,6-테트라메틸-4-히드록시피페리딘과 숙신산의 축합 생성물, N,N'-비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)헥사메틸렌디아민과 4-t-옥틸아미노-2,6-디클로로-1,3,5-s-트리아진의 축합 생성물, 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)니트릴로트리아세테이트, 테트라키스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)-1,2,3,4-부탄테트라오에이트, 1,1'-(1,2-에탄디일)비스-(3,3,5,5-테트라메틸피페라지논), 4-벤조일-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-스테아릴옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 3-n-옥틸-7,7,9,9-테트라메틸-1,3,8-트리아자스피로[4.5]데칸-2,4-디온, 비스(1-옥틸옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딜)세바케이트, 비스(1-옥틸옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딜)숙시네이트, N,N'-비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)헥사메틸렌 디아민과 4-모르폴리노-2,6-디클로로-1,3,5-트리아진의 축합 생성물, 2-클로로-4,6-디(4-n-부틸아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딜)1,3,5-트리아진과 1,2-비스(3-아미노프로필아미노)에탄의 축합 생성물, 2-클로로-4,6-디(4-n-부틸아미노-1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딜)-1,3,5-트리아진과 1,2-비스(3-아미노프로필아미노)에탄의 축합 생성물, 8-아세틸-3-도데실-7,7,9,9-테트라메틸-1,3,8-트리아자스피로[4.5]데칸-2,4-디온, 3-도데실-1-(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)피롤리딘-2,5-디온, 3-도데실-1-(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)피롤리딘-2,5-디온.
6. 옥살아미드, 예컨대 4,4'-디옥틸옥시옥사닐리드, 2,2'-디에톡시옥사닐리드, 2,2'-디옥틸옥시-5,5'-디-t-부틸옥사닐리드, 2,2'-디도데실옥시-5,5'-디-t-부틸옥사닐리드, 2-에톡시-2'-에틸옥사닐리드, N,N'-비스(3-디메틸아미노프로필)옥살아미드, 2-에톡시-5-t-부틸-2'-에틸옥사닐리드 및 그와 2-에톡시-2'-에틸-5,4'-디-t-부틸옥사닐리드와의 혼합물 및 o- 및 p-메톡시 및 o- 및 p-에톡시-이중치환 옥사닐리드와의 혼합물.
7. 2-(2-히드록시페닐)-1,3,5-트리아진, 예컨대 2,4,6-트리스(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(2-히드록시-4-프로필옥시페닐)-6-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-4,6-비스(4-메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-도데실옥시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 및
8. 포스파이트 및 포스포나이트, 예컨대 트리페닐 포스파이트, 디페닐 알킬 포스파이트, 페닐 디알킬포스파이트, 트리스-(노닐페닐)포스파이트, 트리라우릴 포스파이트, 트리옥타데실 포스파이트, 디스테아릴 펜타에리트리틸 디포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 디이소데실펜타에리트리틸 디포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸페닐)펜타에리트리틸 디포스파이트, 비스(2,6-디-t-부틸-4-메틸페닐)펜타에리트리틸 디포스파이트, 비스이소데실옥시-펜타에리트리틸 디포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸-6-메틸페닐)펜타에리트리틸 디포스파이트, 비스(2,4,6-트리-t-부틸페닐)펜타에리트리틸 디포스파이트, 트리스테아릴 소르비톨 트리포스파이트, 테트라키스-(2,4-디-t-부틸페닐)-4,4'-비페닐렌디포스포나이트, 6-이소옥틸옥시-2,4,8,10-테트라-t-부틸-12H-디벤즈[d,g]-1,3,2-디옥사포스포신, 6-플루오로-2,4,8,10-테트라-t-부틸-12-메틸-디벤즈[d,g]-1,3,2-디옥사포스포신, 비스(2,4-디-t-부틸-6-메틸페닐)메틸 포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸-6-메틸페닐)에틸 포스파이트.
따라서 본 발명은 또한 α-히드록시 케톤 화합물과 함께 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물, 및 히드록시페닐-s-트리아진 및/또는 히드록시페닐벤조트리아졸 및/또는 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘을 기본으로 하는 입체 장애 아민을 포함하는 하나 이상의 분자 착화합물을 광개시제로서 포함하는 광중합성 조성물을 제공한다.
광중합 반응을 촉진시키기 위하여 아민, 예컨대 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 에틸 p-디메틸아미노벤조에이트 또는 미슬러 케톤(Michler's ketone)을 첨가할 수 있다. 아민의 작용은 벤조페논 형태의 방향족 케톤을 첨가하여 강화시킬 수 있다. 산소 제거제로서 사용할 수 있는 아민의 예에는 EP-A-339 841호에 기재된 치환 N,N-디알킬아닐린이 있다. 추가의 촉진제, 공개시제 및 자동산화제는 예컨대 EP-A-438 123 및 GB-A-2 180 358호에 기재된 티올, 티오에테르, 디술피드 및 포스핀이다.
광중합 반응은 또한 분광 감도를 변화시키거나 확장시키는 감광제를 첨가함으로써 촉진시킬 수 있다. 특히, 방향족 카르보닐 화합물 예컨대 벤조페논 유도체, 티옥산톤 유도체, 안트라퀴논 유도체 및 3-아실쿠마린 유도체 및 3-(아로일메틸렌)티아졸린, 및 또한 에오신, 로다민 및 에리트로신 염료가 있다.
경화 과정은 특히, (예컨대 TiO2로) 착색된 조성물뿐만 아니라, 열처리 하에서 자유 라디칼을 형성하는 성분, 예를 들면 아조 화합물 예컨대 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 트리아젠, 디아조 술피드, 펜타자디엔 또는 퍼옥시 화합물 예컨대 과산화수소 또는 퍼옥시카르보네이트, 예를 들면 EP-A 245 639호에 기재된 t-부틸 과산화수소를 첨가하여 원조할 수 있다.
본 발명에 따른 조성물은 또한 광환원성 염료, 예컨대 크산텐, 벤조크산텐, 벤조티오크산텐, 티아진, 피로닌, 포르피린 또는 아크리딘 염료, 및/또는 복사에 의해 절개할 수 있는 트리할로메틸 화합물을 함유할 수 있다. 유사한 조성물이 예컨대 EP-A-445 624호에 기재되어 있다.
사용 방법에 따른 기타 통상적인 첨가제는 광학 광택제, 충전제, 안료, 염료, 수화제 또는 균염 보조제이다.
두껍게 착색된 피복은 바람직하게는 예컨대 US-A-5 013 768호에 기재된 유리 미세구슬 또는 분말 유리 섬유를 첨가함으로써 경화시킬 수 있다.
본 발명은 또한 물에서 유화되거나 또는 용해된 하나 이상의 에틸렌성 불포화, 광중합성 화합물을 성분 (a)로서 포함하는 조성물에 관한 것이다.
이런 형태의 방사-경화성, 수성 프리폴리머 분산제는 다양한 형태로 시중에서 구입할 수 있다. 이 용어는 물의 분산제 및 여기에 분산된 하나 이상의 프리폴리머를 의미한다. 이들 계 안에서의 물의 농도는 예컨대, 5 내지 80중량%, 특히 30 내지 60중량%이다. 방사-경화성 프리폴리머 또는 프리폴리머 혼합물는, 예컨대 95 내지 20중량%, 특히 70 내지 40중량%의 농도로 존재한다. 사용 방법에 따라 다양한 양으로 보조제 및 첨가제가 첨가된 상기 조성물에서 물 및 프리폴리머의 총 퍼센트는 각각의 경우에 있어서 100이다.
수성 프리폴리머 분산제용으로 빈번히 용해되는 방사-경화성, 물-분산성, 필름-형성 프리폴리머는 자유 라디칼에 의해 개시될 수 있으며, 예컨대 프리폴리머 100 g 당 0.01 내지 1.0 몰의 중합성 이중 결합을 함유하고, 평균 분자량이 예컨대 400 이상, 특히 500 내지 10,000인 그 자체로서 공지된 단기능 또는 다기능 에틸렌성 불포화 프리폴리머이다. 그러나, 의도하는 사용 방법에 따라, 고 분자량을 갖는 프리폴리머가 또한 적합할 수 있다.
예컨대, 중합성 C-C 이중 결합을 함유하고 최대 산소 수 10을 갖는 폴리에스테르, 중합성 C-C 이중 결합을 함유하는 폴리에테르, 분자 당 두 개 이상의 에폭시 기를 함유하는 폴리에폭시와 하나 이상의 α,β-에틸렌성 불포화 카르복시산의 반응에 따른 히드록실-함유 생성물, EP-A-12 339호에 기재된 바와 같이 아크릴 라디칼을 함유하는 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 및 α,β-에틸렌성 불포화 아크릴 공중합체를 사용한다. 또한 이들 프리폴리머의 혼합물도 사용한다. 또한 EP-A-33 896호에 기재된 평균 분자량이 600 이상이고 카르복실 기 함량이 0.2 내지 15 %이고 프리폴리머 100 g 당 중합성 C-C 이중 결합이 0.01 내지 0.8 몰 함량인 중합성 프리폴리머의 티오에테르 부가 생성물인 중합성 프리폴리머가 바람직하다. 특정 알킬 (메트)아크릴레이트 중합체를 기본으로 하는 기타 바람직한 수성 분산제는 EP-A-41 125호에 기재되어 있으며, 우레탄 아크릴레이트로부터 제조된 바람직한 물-분산성, 방사-경화성 프리폴리머는 DE-A-2 936 039호에 개시되어 있다.
이들 방사-경화성, 수성 프리폴리머 분산제는 추가 첨가제로써 분산 보조제, 유화제, 산화방지제, 광안정화제, 염료, 안료, 충전제 예컨대 활석, 석고, 실리카, 금홍석, 카아본 블랙, 산화 아연 및 산화 철, 반응 촉진제, 균염제, 윤활제, 수화제, 농축제, 무광택제, 소포제 및 표면-피복 기술에서 흔히 사용하는 기타 보조제를 함유할 수 있다. 바람직한 분산 보조제는 극성 기, 예컨대 폴리비닐 알코올, 폴리비닐피롤리돈 및 셀룰로오스 에테르를 함유하는 수용성, 고 분자량 유기 화합물이다. 사용 가능한 유화제는 비이온성 유화제 및 가능하게는 또한 이온성 유화제이다.
광중합성 조성물은 광개시제 (b)를 유리하게는 조성물 당 0.05 내지 15 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%의 양으로 함유한다.
어떤 경우에는 본 발명에 따른 분자 착물 광개시제 화합물과 더불어, 기타 공지된 광개시제 예컨대 벤조페논, 벤조페논 유도체, 아세토페논, 아세토페논 유도체, 예컨대 α-히드록시시클로알킬 페닐 케톤, 디알콕시아세토페논, α-히드록시- 또는 α-아미노아세토페논, 4-아로일-1,3-디옥솔란, 벤조인 알킬 에테르 및 벤질 케탈, 모노아실포스핀 옥시드, 비스아실포스핀 옥시드, 페로센 또는 티타노센을 사용하는 것이 유리할 수 있다.
본 발명에 따른 분자 착물 광개시제를 혼성 계에서 사용할 때, 본 발명에 따른 자유-라디칼 경화제와 더불어 양이온성 광개시제 예컨대 벤조일 퍼옥시드, 방향족 술포늄, 포스포늄 또는 요오도늄 염 또는 시클로펜타디에닐아렌철(II) 착염을 사용한다.
광중합성 조성물은 다양한 목적, 예컨대 인쇄용 잉크, 니스 또는 투명피복제, 예컨대 목재 또는 금속용 백색 페인트, 특히, 종이, 목재, 금속 또는 플라스틱용 피복 조성물, 건물 및 도로표지용 일광-경화성 피복제, 유기 용매 또는 수성-알칼리 매체를 사용하여 현상 가능한 사진 재생 가공용, 홀로그래피 기록 물질용, 영상 기록 가공용 또는 인쇄판 생산용 분말 피복제, 치과 충전 물질, 접착제, 압력-민감성 접착제, 적층 수지, 부식 레지스트 또는 영구 레지스트 및 전자 회로용, 예컨대 미국 특허 4 575 330호에 기재된 대량 경화(투명 주형에서 자외선 경화) 또는 입체석판인쇄법에 의한 3차원 물품의 생산용, 혼성 물질(예컨대 유리 섬유 및 기타 보조제를 함유할 수 있는 스티렌 폴리에스테르) 및 기타 두꺼운 층 조성물의 제조용, 전자 부품의 피복 또는 캡슐용 납땜 마스크 또는 광학 섬유용 피복제로써 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 또한 유제 중합반응 개시제로서, 액정 단량체 및 소중합체를 정돈된 상태로 고정시키기 위한 중합반응 개시제로서, 및 염료를 유기 물질에 고정시키기 위한 개시제로서 사용할 수 있다.
표면 피복 시에, 프리폴리머와 단일불포화 단량체도 또한 함유하는 다중불포화 단량체의 혼합물을 종종 사용한다. 상기 프리폴리머는 주로 피복 필름의 특성을 결정하며, 이들의 변이는 당업자로 하여금 경화 필름의 특성에 영향을 미치게 한다. 상기 다중불포화 단량체는 피복 필름을 불용성으로 만드는 가교제로서 작용한다. 상기 단일불포화 단량체는 용매를 사용할 필요없이 점도를 감소시키는 방법을 통하여 반응성 희석제로서 작용한다.
불포화 폴리에스테르 수지는 대개 단일불포화 단량체, 바람직하게는 스티렌과 함께 2-성분 계로 사용한다. 감광성 내식막용으로, 특정의 1-성분 계 예컨대 DE-A 2 308 830호에 기재된 폴리말레이미드, 폴리찰콘 또는 폴리이미드를 종종 사용한다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 또한 방사-경화성 분말 피복제에 대한 자유-라디칼 광개시제 또는 광개시 계로서 사용할 수 있다. 분말 피복제는 반응성 이중 결합을 함유하는 고형 수지 및 단량체, 예컨대 말레에이트, 비닐 에테르, 아크릴레이트, 아크릴아미드 및 이들의 혼합물을 기본으로 할 수 있다. 자유-라디칼성 자외선-경화성 분말 피복제는 불포화 폴리에스테르 수지를 고체 아크릴아미드(예컨대 메틸 메타크릴아미도글리콜레이트) 및 예컨대, 엠.위티그 및 티에이치. 고흐만의 논문 분말 피복제의 방사 경화(Radiation Curing of Powder Coating, Conference Proceedings, Radtech Europe 1993)에서 기재된 본 발명에 따른 자유-라디칼 광개시제와 혼합시킴으로써 제조할 수 있다. 이와 유사하게, 자유-라디칼성 자외선-경화성 분말 피복제는 불포화 폴리에스테르 수지를 고체 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 비닐 에테르 및 본 발명에 따른 광개시제와 혼합시킴으로써 제조할 수 있다. 분말 피복제는 또한 예컨대 DE-A-42 28 514 또는 EP-A-636 669호에 기재된 결합제를 포함할 수 있다. 자외선-경화성 분말 피복제는 또한 무색 또는 유색 안료를 포함할 수 있다. 이에 따라, 예컨대 바람직하게는 우수한 피복력을 갖는 경화된 분말 피복제를 수득하기 위하여 금홍석 이산화티타늄을 50중량% 이내의 농도로 사용할 수 있다. 이 방법은 통상 분말을 기재 예컨대 금속 또는 목재 위에 정전분무 또는 정마찰적 분무하고, 분말을 열로 녹이고 및, 부드러운 필름이 형성된 후, 자외선 및/또는 가시 광선 예컨대 중압 수은 램프, 금속 할로겐 램프 또는 크세논 램프를 사용하여 상기 피복을 방사-경화시키는 것을 포함한다. 열-경화성 피복제에 대하여 상기 방사-경화성 분말 피복제의 특별한 이점은 분말 입자를 녹인 후 부드러운 고-광택 피복의 형성을 확실히 하기 위하여 유동 시간을 선택적으로 연장할 수 있다는 것이다. 열-경화성 계와는 달리, 방사-경화성 분말 피복제는 상대적으로 낮은 온도에서 녹기 때문에 수명 감소라는 불필요한 결과없이 제조할 수 있다. 이런 이유로 인해, 이들은 또한 목재 또는 플라스틱과 같은 열-민감성 기재를 위한 피복제로써 바람직하다.
본 발명에 따른 분자 착물 광개시제와 더불어, 분말 피복 제제는 또한 자외선 흡수제를 포함할 수 있다. 적합한 예는 상기 1 내지 8 항에 나열되어 있다.
본 발명에 따른 광경화성 조성물은, 예컨대 모든 종류의 기재 예컨대 목재, 직물, 종이, 세라믹, 유리, 특히 필름 형태의 플라스틱 예컨대 폴리에스테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리올레핀 또는 셀룰로오스 아세테이트, 및 또한 금속 예컨대 Al, Cu, Ni, Fe, Zn, Mg 또는 Co 및 GaAs, Si 또는 SiO2에 대한 피복 물질로서 바람직하며, 이 위에 보호성 피복 또는 상 노출에 의한 상을 도포하는 것이 바람직하다.
기재는 액체 조성물, 용액 또는 현탁액을 기재에 도포함으로써 피복할 수 있다. 용매 및 농도는 주로 조성물의 종류와 피복 방법에 따라 선택한다. 건조 시에, 용매는 불활성이어야 하는데, 다시 말해서 성분들과 어떤 화학 반응도 해서는 안되며 피복 작업 후에 다시 제거할 수 있어야 한다. 바람직한 용매의 예로는 케톤, 에테르 및 에스테르, 예컨대 메틸 에틸 케톤, 이소부틸 메틸 케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, N-메틸피롤리돈, 디옥산, 테트라히드로푸란, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1,2-디메톡시에탄, 에틸 아세테이트, n-부틸 아세테이트 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트를 들 수 있다.
공지된 피복 방법을 사용하여, 상기 용액은 예컨대 스핀피복법, 침지 피복법, 나이프 피복법, 커어튼 피복법, 솔질법, 분무법 특히 정전 분무법, 및 역회전 피복법에 의해 기재에 균일하게 도포한다. 또한 감광성 층을 일시적 연질 지지체에 도포한 후, 적층을 통한 층 전달 방법으로 최종적인 기재 예컨대 구리-적층 회로판을 도포하는 것도 가능하다.
도포량(층의 두께) 및 기재(지지층)의 특성은 요구되는 적용 분야에 따라 다르다. 피복 두께의 범위는 일반적으로 약 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 이상의 값을 포함한다.
본 발명에 따른 방사-민감성 조성물은 매우 높은 감광성을 갖고 수성-알칼리 매체에서 팽윤되지 않고 현상될 수 있는 네가티브 레지스트로서 사용한다. 이들은 전자학(도금 레지스트, 부식 레지스트 및 납땜 레지스트), 인쇄판 예컨대 옵셋 인쇄판 또는 스크린 인쇄 형판을 위한 감광성 내식막으로서 바람직하며, 집적 회로 생산시 화학적 분쇄용으로 또는 마이크로레지스트로서 사용할 수 있다. 가능한 지지층 및 피복된 기재에 대한 가공 조건은 상당히 광범위한 변형을 줄 수 있다.
지지층의 예로는 사진 정보 기록용으로 폴리에스테르, 셀룰로오스 아세테이트 또는 플라스틱-피복 종이로부터 만든 필름 옵셋 인쇄판용으로는, 특별히 처리된 알루미늄 인쇄된 회로를 생산하기 위한 구리-면 적층, 및 집적 회로를 생산하기 위한 실리콘 웨이퍼를 들 수 있다. 사진 물질 및 옵셋 인쇄판을 위한 층의 두께는 일반적으로 약 0.5 ㎛ 내지 10 ㎛이며, 반면 인쇄 회로용인 경우는 두께가 0.4 ㎛ 내지 약 2 ㎛이다.
기재를 피복한 후, 용매는 일반적으로 기재 위의 감광성 내식막 층에서 이탈되도록 건조시킴으로써 제거한다.
상기 용어 상 노출은 소정 패턴을 갖는 광마스크 예컨대 슬라이드를 통한 노출, 컴퓨터 제어하에서 예컨대 피복된 기재의 표면 위에서 움직이는 레이저 광선에 의해 상을 만드는 노출, 및 컴퓨터 제어 전자 광선을 사용한 조사에 관한 것이다.
물질을 상 노출시키고 현상하기 전까지, 단지 노출된 부위만 열경화되도록 간략한 열처리를 실행하는 것이 유리할 수 있다. 사용된 온도는 통상 50 내지 150 ℃ 및 바람직하게는 80 내지 130 ℃이며 열처리 시간은 통상 0.25 내지 10 분이다.
광경화성 조성물은 또한 예컨대 DE-A-40 13 358호에 기재된 인쇄판 또는 감광성 내식막의 생산을 위한 방법에 사용할 수 있다. 이 방법에서 조성물은 상 노출 전에, 동시에 또는 후에, 마스크 없이 400 ㎚이상의 파장을 갖는 가시광선을 사용하여 짧은 시간 동안 노출시킨다.
노출 및 임의 열처리 후, 감광성 내식막의 비노출 부위는 그 자체로서 공지된 방법으로 현상제를 이용하여 제거한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 조성물은 수성-알칼리 매체에 의해 현상할 수 있다. 바람직한 수성-알칼리 현상 용액은, 특히 테트라알킬암모늄 히드록시드 또는 알칼리 금속 규산, 포스페이트, 히드록시드 및 카르보네이트의 수용액이다. 또한 필요한 경우, 상대적으로 소량의 수화제 및/또는 유기 용매를 상기 용액에 첨가할 수 있다. 현상액에 소량으로 첨가할 수 있는 전형적인 유기 용매의 예로는 시클로헥사논, 2-에톡시에탄올, 톨루엔, 아세톤 및 이들 용매의 혼합물을 들 수 있다.
결합제의 건조 시간은 그래프 생성물의 생산 속도에 대한 중요한 인자이며 초 단위라야 하므로, 광경화는 인쇄용 잉크에 있어서 상당히 중요하다. 자외선-경화성 잉크는 특히, 스크린 인쇄용으로 중요하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 혼합물은 또한 인쇄판 생산용으로 매우 바람직하며, 예컨대 가용성, 직쇄 폴리아미드 또는 스티렌/부타디엔 또는 스티렌/이소프렌 고무, 폴리아크릴레이트 또는 카르복시기, 폴리비닐 알코올 또는 우레탄 아크릴레이트를 함유하는 폴리메틸 메타크릴레이트의 혼합물은 광중합성 단량체, 예컨대 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 및 광개시제와 함께 사용한다. 이 계로부터 만들어진 필름 및 판(습식 또는 건식)은 원판의 네가티브(또는 포지티브)를 통하여 노출시키며, 이어서 비경화된 부위는 적합한 용매를 사용하여 씻어낸다.
광경화를 위한 추가 도포 영역은 금속 예컨대 금속판 및 금속관, 캔 또는 병마개의 피복, 및 플라스틱 피복제 예컨대 PVC-기초 벽 또는 바닥재의 광경화이다.
종이 피복제의 광경화의 예로는 라벨, 기록 슬리이브 또는 책 표지의 무색 피복을 들 수 있다.
마찬가지로 혼성 조성물로부터 생산된 성형된 제품을 경화하기 위한 본 발명에 따른 화합물의 용도도 관심이 있다. 혼성 조성물은 자가-지지 매트릭스 물질 예컨대 광경화성 제제를 사용하여 함침된 유리-섬유 직물 또는 예컨대 식물 섬유[케이.피.믹크 및 티.뤼스만의 Kunststoffe 85(1995), 366-370페이지 참조]로 구성되어 있다. 본 발명에 따른 화합물을 사용하여 혼성 조성물로부터 생산된 성형된 제품은 기계적 안정성 및 내성이 높다. 본 발명에 따른 화합물은 또한 예컨대 EP-A-7086호에 기재된 바와 같이 조성물을 성형, 함침 및 피복시키는데 있어서 광경화제로서 사용할 수 있다. 상기 조성물의 예로는 경화 활성 및 황화 방지에 관하여 엄격한 요구조건을 갖는 미세 피복 수지, 또는 평면으로 또는 종적으로 또는 횡적으로 주름진 광분산 패널과 같은 섬유-강화 성형물을 들 수 있다. 상기 성형물을 생산하는 방법은, 예컨대 핸드 레이업, 분무 레이업, 원심분리 또는 필라멘트 권취 방법은 예컨대, 피.에이치. 셀덴의 유리 섬유-강화 플라스틱(Glass fibre-reinforced plastics, 610페이지, Springer Verlag Berlin-Heidelberg-New York 1967)에 기재되어 있다. 이 방법으로 생산할 수 있는 제품의 예로는 선박, 유리 섬유-강화 플라스틱을 사용하여 양면을 피복한 판지 또는 합판, 파이프, 콘테이너 등을 들 수 있다. 성형, 함침 및 피복 조성물의 기타 예로는 유리 섬유(GRP)를 함유하는 성형물에 대한 UP 수지 미세 피복제, 예컨대 주름형 쉬트 및 종이 적층물을 들 수 있다. 종이 적층물은 또한 요소 또는 멜라민 수지를 기본으로 할 수 있다. 미세 피복은 적층이 생성되기 전에 지지체(예컨대 쉬트) 위에 형성된다. 본 발명에 따른 광경화성 조성물은 또한 수지를 주조하거나 또는 전자 부품 등의 물품을 캡슐화하는데 사용할 수 있다. 경화는 자외선 경화시에 통상적으로 사용하는 중압 수은 램프를 사용한다. 그러나, 덜 강렬한 램프 예컨대 TL40W/03 또는 TL40W/05형 램프도 또한 특히 관심이 있다. 이들 램프의 세기는 거의 일광의 세기에 해당된다. 또한 일광을 경화용으로 직접 사용할 수 있다. 추가 이점은 혼성 조성물을 부분적으로 경화된 플라스틱 상태에서 광원으로부터 제거하여 변형시킬 수 있다는 것이다. 이어서 경화를 완수한다.
또한 상 처리 및 정보 캐리어의 광학적 생산을 위한 광경화성 조성물의 용도도 중요하다. 이들의 용도에서, 지지체에 도포된 피복(습성 또는 건성)은 상술한 바와 같이 광마스크를 통하여 자외선 또는 가시 광선으로 조사시키며 피복의 비노출 부위는 용매(=현상제)를 처리하여 제거한다. 광경화성 층은 또한 전착에 의해 금속에 도포될 수 있다. 노출된 부위는 가교된/중합성 및 따라서 불용성이며 지지체 위에 남게 된다. 바람직한 착색이 실행될 때, 가시 상이 형성된다. 지지체가 금속화된 층이면, 이 금속은 노출 및 현상 후 부식에 의해 비노출 부위로부터 제거하거나 전기도금에 의해 두께를 증가시킬 수 있다. 이런 방법으로, 인쇄 전자회로 및 감광성 내식막을 생산할 수 있다.
본 발명에 따른 조성물의 감광도의 범위는 자외선 영역(약 200 ㎚) 내지 약 600 ㎚이다. 바람직한 조사는 예컨대 일광 또는 인공 광원을 포함한다. 따라서, 수 없이 많은 다양한 형태의 광원을 사용할 수 있다. 점 광원 및 평면 조사기(램프 카펫)이 바람직하다. 예로는 탄소 아크램프, 크세논 아크램프, 필요에 따라 금속 할로겐화물로 처리한 중압, 고압 및 저압 수은 램프(금속 할로겐 램프), 마이크로파-자극 금속 증기 램프, 엑시머 램프, 초 액틴계 형광 튜브, 형광 램프, 백열 아르곤 램프, 전자 섬광, 사진 투광 램프, 전자 빔 및 X-선을 들 수 있다. 본 발명에 따른 피복할 기재와 램프 사이의 거리는 적용 분야 및 램프의 종류 및/또는 램프의 전력에 따라, 예컨대 2 ㎝에서 150 ㎝사이로 다양하다.
따라서 본 발명은 또한 200 내지 600 ㎚ 범위의 광을 사용하여 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 조성물을 조사하는 것을 포함하는, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 함유하는 화합물의 광중합 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 표면 피복 물질, 인쇄용 잉크, 인쇄판, 치과 조성물 및 레지스트 물질의 생산 및 특히 홀로그래피 기록을 위한 상 기록 물질로서 상술한 조성물의 용도를 제공한다.
마찬가지로 본 발명은 상술한 조성물을 사용하여 하나 이상의 표면에 피복된 피복 기재, 및 피복 기재가 상 노출을 받아서 후에 비노출된 부위는 용매를 사용하여 제거된 릴리프 상의 사진 제조 방법을 제공한다. 상기 노출은 마스크를 통하거나 또는 마스크 없이 레이저 빔을 사용하여 실시한다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 경화시킬 제제 내로 쉽게 혼입될 수 있다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 제조 과정에서 불순물이 용액에 남아 있기 때문에, 통상 각 성분보다 더 적은 분순물을 함유한다. 따라서 이들 광개시제도 또한 매우 민감한 적용분야에 적합하다.
본 발명에 따른 분자 착화합물은 저장 안정성이 우수하다.
분자 착화합물의 제조에 있어서, 혼합물은 또한 본 발명에 따른 분자 착물 결정과 이들의 제조에 사용된 성분 중 어느 하나 사이에서 형성될 수 있으며, 예컨대 화학식 (1) 및 화학식 (2)의 화합물로 구성된 분자 착물 결정과 화학식 (1)의 화합물의 결정의 혼합물이다.
이들 혼합물도 또한 광개시제로서 사용될 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 이후의 설명 및 청구항에서 다른 언급이 없으면 부 및 퍼센트는 중량 단위이다.
실시예 1 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 분자 착물 시드(seed) 결정을 제조하기 위하여, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 1 1의 몰비율로 80 ℃에서 이소옥탄 및 에틸 아세테이트(중량비 2.3 1)의 혼합물 중에서 용해시켰다. 핵 형성은 결정 공정이 시작될 때까지 유리 막대를 사용하여 유리 벽에 닿게함으로써 53∼55 ℃에서 개시되었다. 이런 방법으로 수득한 결정을 대량의 분자 착물의 1차 제조시 시드 결정으로 사용하였다.
대량의 분자 착물 결정의 제조 385 g의 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드 및 165 g의 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 80 ℃에서 385 g의 이소옥탄 및 165 g의 에틸 아세테이트의 혼합물 중에서 용해시켰다. 이 혼합물을 53∼55 ℃로 냉각시켰다. 수득된 유제는 상응하는 혼합된 결정물을 사용하여 상기 온도에서 시딩처리하고, 결정화시켰다. 20 ℃에서 여과시킨 후, 용매 혼합물로 생성물을 세척하고, 약 70 ℃, 50 밀리바에서 건조시켜 이론치의 96 %인 530 g의 건조 결정 생성물을 수득하였다. 융점[디퍼렌셜 스캐닝 칼로리메트리(Differential Scanning Calorimetry, DSC)로 측정함]은 90 ℃였다. 인 함량은 4.47 %였다. 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드의 함량은 71 %, α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 함량은 29 %였다. 이들 수치는 고압 액체 크로마토그래피(HPLC)로 측정하였다.
프로그램 시스템 SHELX86(Sheldrick사 제조, 괴팅겐 소재)을 사용하여 직접 방법에 의해 계산된 X-선 구조 분석{4-원 회절계 필립스 PW1100[MoKα1방사(λ=0.70926Å)]을 사용하여 황색 미세판 형태의 결정 상에서 측정함}은 공간군 P21/c(X-선 결정학용 국제 표준표, 1974년, 4권)을 갖는 단사 결정계를 나타냈다.
화학식 C26H35O7P·C13H16O2분자량 694.80 단위 셀은 4개의 분자를 함유하며 차원은 하기와 같다
a(Å) 17.514(2) b(Å) 10.518(1) c(Å) 20.912(2)
β(°) 97.92(1) V(Å3) 3815.5(8).
정밀 계산하여 0.047의 R 값을 얻었다.
실시예 2 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 분자 착물 시드 결정은 상기 실시예 1에 기재된 바와 같이 제조하였다.
140 g의 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드 및 60 g의 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 30∼35 ℃에서 92 g의 메틸 에틸 케톤(MEK) 및 11 g의 물의 혼합물 중에서 용해시켰다(여기서 물의 첨가는 의무적이지 않으며 순수한 MEK를 사용해도 착물이 수득된다). 상기 용액을 20∼23 ℃로 냉각시키고, 적합한 혼합-결정물을 사용하여 시딩처리하였다. 확실한 결정 현탁액이 형성되자마자, 500 ㎖의 물을 사용하여 천천히 희석시켰다. 20 ℃에서 여과시켜 220 g의 습윤 생성물을 수득하고, 물로 세척한 후 약 70 ℃, 50 밀리바에서 건조시켜 이론치의 99 % 이상인 200 g의 건조 결정 생성물(융점 91 ℃, DSC로 측정함)을 수득하였다. 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드의 함량은 71 %, α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 함량은 29 %였다(HPLC로 측정함).
실시예 3 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드와 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온의 분자 착물 이들 성분을 1 1의 몰비율로 실온에서 에틸 아세테이트 중에서 용해시킴으로써 시드 결정을 제조하였다. 헥산을 첨가함으로써 결정화를 유도하였다. 혼합물은 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드와 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온으로 구성된 분자 착물 결정 및 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드로부터 형성된다. 상기 결정 혼합물은 대량의 분자 착물 결정의 제조에 있어서 시드 결정으로써 적합하다.
대량의 분자 착물 결정의 제조 150 g의 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드 및 50 g의 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온을 30∼35 ℃에서 92 g의 메틸 에틸 케톤 및 11 g의 물의 혼합물 중에서 용해시켰다(여기서 물의 첨가는 의무적이지 않으며 순수한 MEK를 사용해도 착물이 수득된다). 상기 용액을 5 ℃로 냉각시키고, 상응하는 혼합된 결정물을 사용하여 시딩처리하였다. 뚜렷한 결정 현탁액이 형성되자마자, 5 ℃에서 1000 ㎖의 물을 사용하여 천천히 희석시켰다. 20 ℃에서 여과시키고 약 60 ℃, 50 밀리바에서 건조시켜 이론치의 97 %인 194 g의 건조 결정 생성물(융점 73 ℃, DSC로 측정함)을 수득하였으며, 인 함량은 4.7 %였다.
프로그램 시스템 SHELX86(Sheldrick사 제조, 괴팅겐 소재)을 사용하여 직접 방법에 의해 계산된 X-선 구조 분석{4-원 회절계 필립스 PW1100[MoKα1방사(λ=0.70926Å)]을 사용하여 황색 미세판 형태의 결정 상에서 측정함}은 공간군 P21/n(X-선 결정학용 국제 표준표, 1974년, 4권)을 갖는 단사 결정계를 나타냈다.
화학식 C26H35O7P·C10H12O2분자량 654.73
단위 셀은 4개의 분자를 함유하며 차원은 하기와 같다
a(Å) 17.828(2) b(Å) 10.365(1) c(Å) 19.592(2)
β(°) 95.46(1) V(Å3) 3603.9(8).
정밀 계산하여 0.042의 R 값을 얻었다.
실시예 4 비스(페닐)-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 분자 착물 상표명 Isopar E(측쇄 및 비측쇄 파라핀성 탄화수소의 혼합물 ESSO)중에서 비스(페닐)-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 1 1 몰비율의 용액을 천천히 냉각시킴으로써 시드 결정을 제조하였다.
대량의 분자 착물 결정의 제조 100 g의 비스(페닐)-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀 옥시드 및 59 g의 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 80 ℃에서 200 ㎖의 상표명 Isopar E 중에서 용해시켰다. 얻어진 용액을 55 ℃로 냉각시키고, 냉각시키는 동안에 뿌연 유제가 형성되었다. 이 유제는 상응하는 혼합된 결정물을 사용하여 53∼55 ℃에서 시딩처리하였다. 생성물은 단단한 담황색 결정의 형태로 결정화되었다. 그 결과 얻어진 현탁액은 2 내지 3 시간 동안 일정한 속도로 실온으로 냉각시키고 나서 여과시켰다. 여과 덩어리는 상표명 Isopar E를 사용하여 먼저 세척하고 나서 헥산으로 세척하였다. 50 ℃, 50 밀리바에서 건조시켜 이론치의 94.3 %에 해당하는 150 g의 생성물을 수득하였다. 융점은 69.4 ℃(DSC로 측정함)였으며, 인 함량은 5.5 %였다.
프로그램 시스템 SHELX86(Sheldrick사 제조, 괴팅겐 소재)을 사용하여 직접 방법에 의해 계산된 X-선 구조 분석{4-원 회절계 필립스 PW1100[MoKα1방사(λ=0.70926Å)]을 사용하여 측정함}은 공간군 PI, 중앙대칭(X-선 결정학용 국제 표준표의 No.2, 1974년, 4권)을 갖는 삼사 결정계를 나타냈다.
화학식 C22H21O2P·C13H16O2분자량 552.65
단위 셀은 2개의 분자를 함유하며 차원은 하기와 같다
a(Å) 9.081 b(Å) 11.436 c(Å) 16.092
α(°) 91.98 β(°) 101.05 γ(°) 109.50 V(Å3) 1537.3.
정밀 계산하여 0.051의 R 값을 얻었다.
수소 결합을 통하여 결합된 두 개의 산소 원자(히드록시 케톤의 OH 기와 포스핀 옥시드의 인 상의 산소 원자) 사이의 거리는 2.715 Å이었다. O-H‥O의 결합각은 169°로 측정되었다.
실시예 5 비스(페닐)-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 분자 착물(용융 방법)
10 g의 비스(페닐)-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀 옥시드 및 5.9 g의 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 100 ℃에서 용융시키고, 균질화시켜 실온으로 천천히 냉각시켰다. 상응하는 분자 착화합물로 시딩처리하여 자발적인 결정화를 유도하였다.
실시예 6 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디헥속시페닐포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 분자 착물(용융 방법)
비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디헥속시페닐포스핀 옥시드와 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤의 1 1 몰 용융물을 매우 천천히 냉각시키고, 용융물이 냉각된 후 플라스크 벽을 심하게 스크래칭함으로써 시드 결정을 수득하였다.
결정화에 의한 제조
1.5 g의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디헥속시페닐포스핀 옥시드 및 0.5 g의 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤을 50∼60 ℃에서 10 ㎖의 상표명 Isopar E/에틸 에스테르(3 1) 중에서 용해시켰다. 얻어진 용액을 20∼25 ℃로 냉각시키고, 상술한 바와 같이 시드 결정을 사용하여 시딩처리하였다. 그리고 나서 상기 용액을 냉장고에 하룻밤 저장하였다. 이 때, 생성물은 담황색 결정의 형태로 결정화되었다. 그 결과 얻어진 현탁액을 여과시키고, 여과 덩어리는 차가운 상표명 Isopar E를 사용하여 먼저 세척하고 나서 차가운 헥산으로 세척하였다.
40∼50 ℃, 50 밀리바에서 건조시켜 1 g의 생성물(이론치의 50 %)을 수득하였다. DSC 방법으로 측정한 융점은 67.3 ℃였다.
프로그램 시스템 SHELX86(Sheldrick사 제조, 괴팅겐 소재)을 사용하여 직접 방법에 의해 계산된 X-선 구조 분석{4-원 회절계 Nonius CAD4(Enraf Nonius)[CuKα1방사(λ=1.54178Å)]을 사용하여 입방 결정 상에서 측정함}은 공간군 P-1(X-선 결정학용 국제 표준표, 1974년, 4권)을 갖는 삼사 결정계를 나타냈다.
화학식 C38H51O5P·C13H16O2분자량 823.02
단위 셀은 2개의 분자를 함유하며 차원은 하기와 같다
a(Å) 11.721(1) b(Å) 12.327(1) c(Å) 17.493(1)
α(°) 105.73(1) β(°) 99.32(1) γ(°) 92.71(1) V(Å3) 2389.6(3).
정밀 계산하여 0.079의 R 값을 얻었다.
수소 결합을 통하여 결합된 두 개의 산소 원자(히드록시 케톤의 OH 기와 포스핀 옥시드의 인 상의 산소 원자) 사이의 거리는 2.747 Å이었다. O-H‥O의 결합각은 169°로 측정되었다.
실시예 7 백색 페인트의 경화
광경화성 백색 페인트는 하기 성분을 혼합하여 제조하였다
67.5 % 상표명 Ebecryl 830
5.0 % 헥산디올 디아크릴레이트
2.5 % 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트
25.0 % 상표명 RTC-2 이산화티탄 및
3.0 % 실시예 3으로부터의 분자 착화합물
100 ㎛ 슬롯형 닥터 나이프를 사용하여 제제를 판지에 도포하였다. 그리고 나서 5 m/분의 벨트 속도로 샘플을 램프 아래로 통과시키면서 80 W/㎝ 중압 수은 램프(캔래드-하노비아 형, 미국)를 사용하여 노출을 실시하였다. 그 결과 얻어진 페인트 필름은 완전히 경화되었고 오염 방지 표면을 가지게 되었으며, 진자 경도(쾌니히에 따름, DIN 53157)는 146 초였다.

Claims (15)

  1. α-히드록시 케톤 화합물과 함께 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물을 포함하는 분자 착화합물.
  2. 제 1항에 있어서, 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물이 하기 화학식 (1)의 화합물인 분자 착화합물
    (1)
    상기 식에서,
    R1및 R2가 서로 독립적으로 C1-C12알킬 벤질 비치환 또는 할로겐, C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이거나 또는 시클로헥실 또는 COR3기이거나 또는 R1이 -OR4또는기이고
    R3이 비치환 또는 C1-C8알킬, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오 및/또는 할로겐에 의해 1 내지 4회 치환된 페닐이거나, 또는기이며
    R4가 C1-C8알킬, 페닐 또는 벤질이고
    Y가 페닐렌, C1-C12알킬렌 또는 시클로헥실렌이며 및
    X가 C1-C18알킬렌 또는기이다.
  3. 제 1항에 있어서, α-히드록시 케톤 화합물이 하기 화학식 (2)의 화합물인 분자 착화합물
    (2)
    상기 식에서,
    R11및 R12는 서로 독립적으로 H, C1-C6알킬 또는 페닐이거나, 또는
    R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고
    R13은 OH이고
    R14는 H, C1-C12알킬, C1-C12알콕시, -OCH2CH2-OR15, CH2=C(CH3)-기 또는이며
    l은 2 내지 10의 수이고
    B는 라디칼이며
    R15는 H,또는이다.
  4. 제 1항에 있어서, 하기 화학식 (1)의 모노- 또는 비스아실포스핀 옥시드 화합물 및 하기 화학식 (2)의 α-히드록시 케톤 화합물을 포함하는 분자 착화합물
    (1)
    (2)
    상기 식에서,
    R1및 R2는 서로 독립적으로 C1-C12알킬 비치환 또는 C1-C8알킬 및/또는 C1-C8알콕시에 의해 1 또는 2회 치환된 페닐이거나, 또는 COR3이고
    R3은 라디칼이며
    R18은 C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시이고
    R19는 H 또는 C1-C4알킬이며
    R11및 R12는 서로 독립적으로 C1-C4알킬이거나 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 및
    R14는 H이다.
  5. 제 1항에 있어서, 아실포스핀 옥시드 화합물이 비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드 또는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드이고, α-히드록시 케톤 화합물은 R11및 R12가 C1-C4알킬이거나 또는 R11및 R12가 결합된 탄소 원자와 함께 시클로헥실 고리를 형성하고 R13이 OH이고 또 R14가 H인 화학식 (2)의 화합물인 분자 착화합물.
  6. 제 1항에 있어서, 아실포스핀 옥시드 화합물이 비스(2,6-디메톡시벤조일)(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)(2,4-디헥실옥시페닐)포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸-벤조일)(4-에톡시페닐)포스핀 옥시드 또는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드이고, α-히드록시 케톤 화합물이 α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤 또는 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온인 분자 착화합물.
  7. 제 1항에 있어서, 모노-, 비스- 또는 트리스아실포스핀 옥시드 화합물과 α-히드록시 케톤 화합물을 1 1의 몰비율로 포함하는 분자 착화합물.
  8. (a) 하나 이상의 에틸렌성 불포화 광중합성 화합물, 및
    (b) 광개시제로서, 제 1항에 따른 하나 이상의 분자 착화합물
    을 포함하는 광중합성 조성물.
  9. 제 8항에 있어서, 성분 (b)와 더불어 기타 첨가제를 포함하는 광중합성 조성물.
  10. 제 8항에 있어서, 광개시제로서 성분(b)를 0.015∼15, 특히 0.2∼5 중량%로 함유하는 광중합성 조성물.
  11. 제 8항에 있어서, 광개시제로서 제 1항에 따른 하나 이상의 분자 착화합물 및 또한 히드록시페닐-s-트리아진 및/또는 히드록시페닐벤조트리아졸 및/또는 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘을 기본으로 하는 입체 장애 아민의 군으로부터 자외선 흡수제를 포함하는 광중합성 조성물.
  12. 200 내지 600 ㎚ 범위의 광을 사용하여 제 8항에 따른 조성물을 조사하는 것을 포함하는, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 광중합 방법.
  13. 페인트, 인쇄용 잉크, 인쇄판, 치과용 조성물 및 레지스트 물질 및 영상 기록 물질, 특히 홀로그래피 기록 물질을 생산하기 위한 제 8항에 따른 조성물의 용도.
  14. 하나 이상의 표면에 제 8항에 따른 조성물로 피복된 피복 기재.
  15. 제 14항에 따른 피복 기재를 상 노출시키고 나서 비노출된 부위는 용매를 사용하여 제거되는, 릴리프 상의 사진 제조 방법.
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