KR102666266B1 - 휘어진 반도체 웨이퍼를 평탄화하는 진공 홀드-다운 장치 - Google Patents

휘어진 반도체 웨이퍼를 평탄화하는 진공 홀드-다운 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 원하는 위치 및 배향으로 유지하기에 적합한 진공 홀드-다운 장치에 관한 것이고, 이 장치는 진공 연통 개구를 갖는 진공 척 표면을 정의하는 진공 척 어셈블리, 진공 척 어셈블리에 대해 고정되고 진공 연통 개구를 통해 진공 척 표면과 연통하는 벤투리 진공 발생기, 및 벤투리 진공 발생기와 연통하는 양압 유체 라인을 포함한다.

Description

휘어진 반도체 웨이퍼를 평탄화하는 진공 홀드-다운 장치
본 발명은 전반적으로 진공 홀드-다운 장치 및 진공 척에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 반도체 산업에서 사용하기 위한 진공 홀드-다운 장치에 관한 것이다.
반도체 산업에서 사용하기 위한 다양한 유형의 진공 척이 알려져 있다.
본 발명은 반도체 산업에서의 사용에 특히 적합하지만, 그 산업에서의 사용에 제한되지 않는 개선된 진공 홀드-다운 장치를 제공하는 것을 추구한다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 웨이퍼를 원하는 위치 및 배향으로 유지하기에 적합한 진공 홀드-다운 장치를 제공하고, 이 장치는 진공 연통 개구를 갖는 진공 척 표면을 정의하는 진공 척 어셈블리, 진공 척 어셈블리에 대해 고정되고 진공 연통 개구를 통해 진공 척 표면과 연통하는 벤투리(venturi) 진공 발생기, 및 벤투리 진공 발생기와 연통하는 양압(positive pressure) 유체 라인을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 진공 척 어셈블리와 벤투리 진공 발생기는 모두 이동가능한 스테이지 상에 장착된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 양압 유체 라인은 플렉시블 유체 라인이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 진공 홀드-다운 장치는 양압 유체 라인을 통해 이동가능한 스테이지 상에 장착된 벤투리 진공 발생기에 커플링되는 고정 양압 유체 소스를 또한 포함한다.
바람직하게는, 진공 척 표면은 진공 척 어셈블리에 대해 회전가능하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 이동가능한 스테이지는 X-Y 이동가능한 스테이지이다.
바람직하게는, 진공 척 어셈블리는 벤투리 진공 발생기에 대해 회전가능한 진공 척 표면 정의 요소를 포함한다. 추가적으로, 벤투리 진공 발생기는 진공 척 표면 정의 요소에 회전가능한 진공 연결부를 갖는 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리를 통해 진공 척 표면 정의 요소의 진공 척 표면에 커플링된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 벤투리 진공 발생기는, 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리의 복수의 대응하는 진공 입력 포트에 연결된, 복수의 진공 포트 및 복수의 진공 도관을 통해 진공 척 표면 정의 요소의 진공 척 표면에 커플링된다. 추가적으로, 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리는, 진공 입력 포트에 연결되고 상기 회전가능한 진공 연결부에 커플링된 단일 진공 출력 도관 부분을 포함하는 매니폴드를 포함한다.
바람직한 실시예에 따르면, 장치는 또한 진공 연통 개구를 통해 진공 척 표면과 연통하는 추가 진공 연결부를 포함한다.
바람직한 실시예에 따르면, 진공 홀드-다운 장치는 벤투리 진공 발생기 또는 추가 진공 연결부로부터 진공 척 어셈블리에 선택적으로 진공을 공급하도록 동작한다.
본 발명은 도면과 함께 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 더 완전하게 이해되고 이해될 것이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되고 동작하는 반도체 웨이퍼 처리 머신의 일부를 도시하는 다양한 시점으로부터 취한 간략화된 예시도이다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 도 1a 내지 도 1c의 반도체 웨이퍼 처리 머신의 일부를 형성하는 이동가능한 스테이지 어셈블리 및 그 일부를 형성하는 벤투리 서브-어셈블리에 플렉시블 양유압 연결부를 도시하는 간략화된 예시도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 도 2a 내지 도 2c의 벤투리 서브-어셈블리와, 도 2a 내지 도 2c의 이동가능한 스테이지 어셈블리의 진공 홀드-다운 표면에서의 개구에 커플링된 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리 사이의 진공 연결부를 도시하는 간략화된 각각의 조립도, 부분적인 분해도, 및 예시적인 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3a 내지 도 3c의 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리의 각각의 분해도 및 단면도이다.
도 5a, 도 5b 및 5c는 일반적인 3가지 상이한 동작 배향에서 도 3a 내지 도 4b의 이동가능한 스테이지 어셈블리의 간략화된 예시적인 상면도이다.
도 6은 도 1a 내지 도 5c의 반도체 웨이퍼 처리 머신의 추가적인 실시예의 단순화된 예시도이다.
이제, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되고 동작하는 반도체 웨이퍼 처리 머신의 일부를 도시하는 다양한 시점에서 취한 간략화된 예시도인 도 1a, 도 1b 및 도 1c, 및 도 1a 내지 도 1c의 반도체 웨이퍼 처리 머신의 일부를 형성하는 이동가능한 스테이지 어셈블리 및 그 일부를 형성하는 벤투리 서브-어셈블리에 플렉시블 양유압(positive fluid pressure) 연결부를 도시하는 간략화된 예시도인 도 2a, 도 2b 및 도 2c를 참조한다.
도 1a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 미국 캐나다주 밀피타스의 KLA-Tencor Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 Archer™ 600과 같은 반도체 웨이퍼 처리 머신(100)의 일부를 형성하는, 반도체 웨이퍼를 원하는 위치 및 배향으로 유지하기에 적합한 진공 홀드-다운 장치가 도시된다. 도 1a 내지 도 1c에 구체적으로 도시된 바와 같이, 제조 시설에 제공되고 공기 압축기에 커플링된 양압 배출구와 같은 양압 소스는 하나 이상의 양압 도관(102)을 통해, 수동으로 동작가능한 압력 차단 스위치를 포함하는 양압 제어기(104)에 커플링된다. 추가적인 하나 이상의 플렉시블 양압 도관(106)은 압력 제어기(104)로부터 이동가능한 스테이지 어셈블리(110)로의 양압의 공급을 제공한다.
이동가능한 스테이지 어셈블리(110)는 회전하는 진공 척 어셈블리(120)의 선택가능한 X 및 Y 방향 변위를 위해 배열된 임의의 적합한 이동가능한 스테이지 어셈블리(110)일 수 있다. 진공 척 어셈블리(120)는, 진공 척 표면(134)의 중심에서 진공 연통 개구(132)를 갖는 진공 척 표면 정의 요소(130)의 선택가능한 회전 포지셔닝을 위해 동작한다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 벤투리 진공 발생기(150)가 진공 척 표면 정의 요소(130)에 진공을 제공하기 위해 진공 척 어셈블리(120)에 대해 고정된 본 발명의 실시예의 특정 특징부를 제공한다. 벤투리 진공 발생기(150)는 양압 유체 흐름, 일반적으로 플렉시블 양압 도관(106)을 통한 8 bar의 압력 하에 있는 공기 흐름을 수용한다. 벤투리 진공 발생기(150)는 바람직하게는 일본 나가노 오카야의 Nihon Pisco Co., Ltd.로부터 상업적으로 입수가능한 VRL100-100202이며, 적어도 하나의 양압 입력 연결부 포트(152) 및 적어도 하나의 진공 포트(154)를 포함한다.
벤투리 진공 발생기(150)는 바람직하게는, 진공 연통 개구(132)에서 진공 척 표면 정의 요소(130)에 회전가능한 진공 연결부(162)를 갖는 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리(160)의 복수의 대응하는 진공 입력 포트(158)에 연결된 복수의 진공 포트(154) 및 복수의 진공 도관(156)을 통해 진공 척 표면 정의 요소(130)와 연통한다.
벤투리 진공 발생기(150)가 진공 척 표면(134)에 매우 근접하기 때문에, 진공 도관(156)의 범위가 단축되고, 이에 의해 진공 손실이 최소화된다는 것이 이해된다.
이제 추가적으로 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리(160)는 바람직하게는 진공 입력 포트(158)에 연결되고, 회전가능한 진공 연결부(162)에 결합된 단일 진공 출력 도관 부분(166)을 포함하는 매니폴드(164)를 또한 포함한다.
이제 추가적으로 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 진공 척 표면 정의 요소(130)는 X-Y 평면에서 다양한 위치 및 진공 척 어셈블리(120)에 대한 다양한 회전 배향을 가질 수 있음을 알 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 추가 실시예에서 진공 척 어셈블리(120)는 벤투리 진공 발생기(150) 및 추가 진공 소스(180) 모두에 연결된다. 벤투리 진공 발생기(150)는 제조 시설에 제공된 양압 배출구와 같은 양압 소스(182)에 커플링된다. 추가 진공 소스(180)는 제조 시설에 제공된 진공 배출구와 같은 벤투리 진공 발생기(150) 이외의 진공 소스이다.
진공은 진공 척 표면 정의 요소(130)에 선택적으로 제공된다. 진공은 초기에 벤투리 진공 발생기(150)에 의해 진공 척 표면 정의 요소(130)에 제공되며, 진공 센서(186)가 진공 척 표면 정의 요소(130)에서 충분한 진공이 확증되었다는 표시를 제공할 때, 추가 진공 소스(180)는 진공 척 표면 정의 요소(130)에 진공을 제공하고 벤투리 진공 발생기(150)는 스위치 오프된다.
도 6에 도시된 추가 실시예에서, 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리(160)는 추가 진공 소스(180)와 진공 연통 개구(132) 사이에서 연통하는 추가 플렉시블 진공 연결부를 수용하기 위해 추가 진공 입력 포트(158)를 포함한다는 것이 이해된다. 유사하게, 도 6에 도시된 추가 실시예에서, 반도체 웨이퍼 처리 머신(100)은 추가 진공 소스(180)의 완전한 기능을 위해 필요한 복수의 추가 피팅 및 파이프를 포함한다.
본 발명이 상기에서 구체적으로 도시되고 설명된 것에 제한되지 않는다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다. 오히려, 본 발명은 상술된 다양한 특징의 조합 및 하위 조합뿐만 아니라 선행 기술에 없는 이들의 수정 및 변형을 포함한다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼를 원하는 위치 및 배향으로 유지하기에 적합한 진공 홀드-다운(hold-down) 장치에 있어서,
    i. 진공 연통 개구를 갖는 진공 척 표면을 정의하는 진공 척 어셈블리;
    ii. 상기 진공 척 어셈블리에 대해 고정되고 상기 진공 연통 개구를 통해 상기 진공 척 표면과 연통하는 벤투리(venturi) 진공 발생기; 및
    iii. 상기 벤투리 진공 발생기와 연통하는 양압(positive pressure) 유체 라인
    을 포함하고,
    상기 진공 척 어셈블리는 상기 벤투리 진공 발생기에 대해 회전가능한 진공 척 표면 정의 요소를 포함하는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 척 어셈블리와 상기 벤투리 진공 발생기는 모두 이동가능한 스테이지 상에 장착되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 양압 유체 라인은 플렉시블 유체 라인인 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 양압 유체 라인을 통해 상기 이동가능한 스테이지 상에 장착된 상기 벤투리 진공 발생기에 커플링되는 고정 양압 유체 소스
    를 또한 포함하는, 진공 홀드-다운 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 척 표면은 상기 진공 척 어셈블리에 대해 회전가능한 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 이동가능한 스테이지는 X-Y 이동가능한 스테이지인 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 벤투리 진공 발생기는 상기 진공 척 표면 정의 요소에 회전가능한 진공 연결부를 갖는 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리를 통해 상기 진공 척 표면 정의 요소의 상기 진공 척 표면에 커플링되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 벤투리 진공 발생기는, 상기 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리의 복수의 대응하는 진공 입력 포트에 연결된, 복수의 진공 포트 및 복수의 진공 도관을 통해 상기 진공 척 표면 정의 요소의 상기 진공 척 표면에 커플링되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리는, 상기 진공 입력 포트에 연결되고 상기 회전가능한 진공 연결부에 커플링된 단일 진공 출력 도관 부분을 포함하는 매니폴드를 포함하는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 척 표면은 상기 진공 척 어셈블리에 대해 회전가능한 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 벤투리 진공 발생기는 상기 진공 척 표면 정의 요소에 회전가능한 진공 연결부를 갖는 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리를 통해 상기 진공 척 표면 정의 요소의 상기 진공 척 표면에 커플링되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 벤투리 진공 발생기는, 상기 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리의 복수의 대응하는 진공 입력 포트에 연결된, 복수의 진공 포트 및 복수의 진공 도관을 통해 상기 진공 척 표면 정의 요소의 상기 진공 척 표면에 커플링되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 중앙 진공 매니폴드 및 도관 어셈블리는, 상기 진공 입력 포트에 연결되고 상기 회전가능한 진공 연결부에 커플링된 단일 진공 출력 도관 부분을 포함하는 매니폴드를 포함하는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 연통 개구를 통해 상기 진공 척 표면과 연통하는 추가 진공 연결부
    를 또한 포함하는, 진공 홀드-다운 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 진공 홀드-다운 장치는 상기 벤투리 진공 발생기 또는 상기 추가 진공 연결부로부터 상기 진공 척 어셈블리에 선택적으로 진공을 공급하도록 동작하는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  16. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 연통 개구를 통해 상기 진공 척 표면과 연통하는 추가 진공 발생기
    를 또한 포함하고,
    상기 추가 진공 발생기는 상기 이동가능한 스테이지 상에 장착되는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 진공 홀드-다운 장치는 상기 벤투리 진공 발생기 또는 상기 추가 진공 발생기로부터 상기 진공 척 어셈블리에 선택적으로 진공을 공급하도록 동작하는 것인, 진공 홀드-다운 장치.
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  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020217034588A 2019-03-25 2019-03-25 휘어진 반도체 웨이퍼를 평탄화하는 진공 홀드-다운 장치 KR102666266B1 (ko)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115943286B (zh) 2020-07-30 2024-02-20 科磊股份有限公司 用于扫描计量工具的自适应对焦系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005059173A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Yoshioka Seiko:Kk 吸着装置及びチャックテーブル
JP2009262251A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62216229A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Nec Corp スピンチヤツク
KR0129662B1 (ko) * 1987-10-30 1998-04-07 고다까 토시오 이동 테이블 장치
WO1994002396A1 (en) * 1992-07-15 1994-02-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Article-handling system
JP3205468B2 (ja) * 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JP3666034B2 (ja) * 1994-10-05 2005-06-29 株式会社ディスコ 負圧生成手段
JPH09251948A (ja) * 1996-03-18 1997-09-22 Fujitsu Ltd 平坦性矯正装置および平坦性矯正方法
JP2990594B2 (ja) * 1996-12-13 1999-12-13 ニューストロング販売 株式会社 真空チャック
JP2000308934A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 New Sutorongu Hanbai Kk 真空チャック
US6286822B1 (en) * 1999-07-20 2001-09-11 John Blick Machinable supports for close tolerance edge support
KR101059914B1 (ko) * 2006-01-10 2011-08-29 한미반도체 주식회사 반도체 제조공정용 테이블
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
KR20100045607A (ko) * 2008-10-24 2010-05-04 세크론 주식회사 비상 진공 발생 장치
JP5205214B2 (ja) 2008-10-27 2013-06-05 リンテック株式会社 板状部材の支持装置および支持方法
US9401299B2 (en) * 2010-09-24 2016-07-26 Rudolph Technologies, Inc. Support for semiconductor substrate
KR20140042337A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 한미반도체 주식회사 흡착 테이블 장치
US20140184003A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Cascade Microtech, Inc. Systems and methods for rotational alignment of a device under test
JP2015109416A (ja) * 2013-10-21 2015-06-11 東芝機械株式会社 チャック装置
JP6302758B2 (ja) 2014-06-10 2018-03-28 株式会社ディスコ チャックテーブル
US10882141B2 (en) 2016-03-10 2021-01-05 Mitsubishi Electric Corporation Substrate suction stage, substrate treatment apparatus, and substrate treatment method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005059173A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Yoshioka Seiko:Kk 吸着装置及びチャックテーブル
JP2009262251A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

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