CN111653513A - 晶圆承载装置及曝光设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种晶圆承载装置及曝光设备，属于光刻设备技术领域。该晶圆承载装置包括反射镜块、晶圆台和负压组件；其中，反射镜块具有承载表面和清洁通道；所述承载表面设置有清洁开口，且所述清洁开口与所述清洁通道连通；晶圆台设于所述承载表面，且设有支撑销孔；负压组件与所述清洁通道连接，用于向所述清洁开口提供负压。本公开的晶圆承载装置及曝光设备，能够提高晶圆台的平坦度，提高半导体器件的良率。

Description

晶圆承载装置及曝光设备

技术领域

本公开涉及光刻设备技术领域，尤其涉及一种晶圆承载装置及曝光设备。

背景技术

在半导体制备过程中，晶圆(wafer)需要固定在晶圆承载装置上。

晶圆承载装置包括承载晶圆的晶圆台和承载晶圆台的反射镜块(mirror block)，晶圆台通过多个固定件固定在反射镜块上。晶圆台与反射镜块之间不能绝对吸合，因此微尘等颗粒物容易积附于两者之间的缝隙中，导致晶圆台的平坦性降低，进而导致设于晶圆台上的晶圆平坦性下降，降低了半导体器件的良率。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种晶圆承载装置及曝光设备，用于提高晶圆台的平坦度，提高半导体器件的良率。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种晶圆承载装置，包括：

反射镜块，具有承载表面和清洁通道；所述承载表面设置有清洁开口，且所述清洁开口与所述清洁通道连通；

晶圆台，设于所述承载表面，且设有支撑销孔；

负压组件，与所述清洁通道连接，用于向所述清洁开口提供负压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口包括第一清洁开口，且所述第一清洁开口与所述晶圆台在所述承载表面的正投影至少部分重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一清洁开口的数量为多个，多个所述第一清洁开口沿所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘设置。

在本公开的一种示例性实施例中，每一个所述第一清洁开口设于所述晶圆台在所述承载表面的正投影内，且每一个所述第一清洁开口的边缘与所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘之间的最小距离为0～1mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口包括第二清洁开口，且所述第二清洁开口与所述支撑销孔在所述承载表面的正投影至多部分重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑销孔的数量为多个，且沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置有多个所述第二清洁开口。

在本公开的一种示例性实施例中，每个所述第二清洁开口位于所述支撑销孔在所述承载表面的正投影以外；

沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置的任一所述第二清洁开口，与同一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘的最小距离为0～1mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口的数量为多个，任一所述清洁开口与最近的所述清洁开口的最小距离为0.5～1.5mm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述清洁开口为直径为0.5～1.5mm的圆形。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶圆承载装置还包括：

第一电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端，且所述第一电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第一连接管路，连接所述清洁通道和所述第一电磁阀的第二开口；

第一压力传感器，设于所述第一连接管路且具有输出端，用于检测所述第一连接管路内的压力；

第一控制组件，与所述第一压力传感器的输出端及所述第一电磁阀的控制端连接，用于接收所述第一压力传感器的检测结果，并在所述第一压力传感器的检测结果超出第一预设范围时使所述第一电磁阀调整开口度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一连接管路设置有通气口；所述晶圆承载装置还包括：

第二电磁阀，设于所述第一连接管路的通气口，用于控制所述第一连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断，或者用于控制所述第一连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断。

在本公开的一种示例性实施例中，所述反射镜块还设置有第一吸附通道；所述晶圆台设置有与所述第一吸附通道连通的第二吸附通道，且所述晶圆台远离所述承载表面的表面设置有与所述第二吸附通道连通的吸附开口；

所述负压组件还与所述第一吸附通道连接，用于向所述吸附开口提供负压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶圆承载装置还包括：

第三电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端；所述第三电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第二连接管路，连接所述第一吸附通道和所述第三电磁阀的第二开口，且具有通气口；

第二压力传感器，设于所述第二连接管路且具有输出端，用于检测所述第二连接管路内的压力；

第四电磁阀，设于所述第二连接管路的通气口，用于控制所述第二连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断，或者用于控制所述第二连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断；

第二控制组件，与所述第二压力传感器的输出端及所述第三电磁阀的控制端连接，用于接收所述第二压力传感器的检测结果，并在所述第二压力传感器的检测结果超出第二设定范围时使所述第三电磁阀调整开口度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶圆承载装置还包括：

支撑销组件，设于所述反射镜块；所述支撑销组件包括气动机构和支撑销，所述气动机构用于在负压作用下控制所述支撑销从所述支撑销孔伸出或缩回；

所述负压组件还与所述气动机构连接，用于向所述气动机构提供负压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶圆承载装置还包括：

第五电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端，且所述第五电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第三连接管路，连接所述气动机构和所述第五电磁阀的第二开口，且所述第三连接管路设置有通气口；

第三压力传感器，设于所述第三连接管路且具有输出端，用于检测所述第三连接管路内的压力；

第六电磁阀，设于所述第三连接管路的通气口，用于控制所述第三连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断，或者用于控制所述第三连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断；

第三控制组件，与所述第三压力传感器的输出端及所述第五电磁阀的控制端连接，用于接收所述第三压力传感器的检测结果，并在所述第三压力传感器的检测结果超出第三设定范围时，使所述第五电磁阀调整开口度。

根据本公开的第二个方面，提供一种曝光设备，包括上述的晶圆承载装置。

本公开提供的晶圆承载装置和曝光设备，在承载表面上设置有清洁开口，因此当微尘等进入反射镜块与晶圆台之间时，负压组件可以通过清洁通道向清洁开口提供负压，使得反射镜块与晶圆台之间形成向清洁开口流动的气流，进而带动微尘通过清洁开口进入清洁通道。因此，本公开提供的晶圆承载装置可以通过方便的清除反射镜块与晶圆台之间的微尘，避免微尘积聚于反射镜块与晶圆台之间而降低晶圆台的平坦度，提高承载于晶圆台上的晶圆的平坦度，提高半导体良率。不仅如此，本公开的晶圆承载装置可以在不拆卸晶圆台的条件下清除反射镜块与晶圆台之间的微尘，减小了晶圆承载装置的清洁时间，提高了晶圆承载装置的清洁效率，进而提高了晶圆承载装置的可用工作时间。而且，晶圆承载装置可以方便地进行清洁，因此可以方便地增加晶圆承载装置的清洁频率，以使得晶圆承载装置能够持续维持在较为清洁的状态，保证晶圆台具有更佳地平坦度。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本公开实施方式的一种晶圆承载装置的结构示意图。

图2是本公开实施方式的承载表面的结构示意图。

图3是本公开实施方式的一种晶圆承载装置的结构示意图。

图4是本公开实施方式的一种反射镜块和晶圆台的结构示意图。

图5是本公开实施方式的一种反射镜块和晶圆台的结构示意图。

图6是本公开实施方式的一种晶圆承载装置的结构示意图。

图7是本公开实施方式的一种晶圆承载装置的结构示意图。

图8是本公开的晶圆承载装置在通过负压清除微尘前的晶圆台平坦性检测结果。

图9是本公开的晶圆承载装置在通过负压清除微尘后的晶圆台平坦性检测结果。

图中主要元件附图标记说明包括：

1、晶圆；2、反射镜块；21、承载表面；22、清洁通道；221、主通道；2211、第一主通道；2212、第二主通道；222、分支通道；2221、第一分支通道；2222、第二分支通道；23、清洁开口；231、第一清洁开口；232、第二清洁开口；24、第一吸附通道；25、支撑销组件；251、支撑销；252、气动机构；3、晶圆台；31、支撑销孔；32、第二吸附通道；33、吸附开口；4、负压组件；51、第一电磁阀；52、第二电磁阀；53、第三电磁阀；54、第四电磁阀；55、第五电磁阀；56、第六电磁阀；61、第一连接管路；62、第二连接管路；63、第三连接管路；71、第一压力传感器；72、第二压力传感器；73、第三压力传感器；81、第一控制组件；82、第二控制组件；83、第三控制组件；9、外部气源；A、晶圆台在承载表面的正投影的边缘；B、支撑销孔在承载表面的正投影的边缘。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。

在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本公开实施方式中提供一种晶圆承载装置，如图1所示，该晶圆承载装置包括反射镜块2、晶圆台3和负压组件4，其中，

反射镜块2具有承载表面21和清洁通道22；承载表面21设置有清洁开口23，且清洁开口23与清洁通道22连通；晶圆台3设于承载表面21，且设有支撑销孔31；负压组件4与清洁通道22连接，用于向清洁开口23提供负压。

本公开提供的晶圆承载装置在承载表面21上设置有清洁开口23，因此当微尘等进入反射镜块2与晶圆台3之间时，负压组件4可以通过清洁通道22向清洁开口23提供负压，使得反射镜块2与晶圆台3之间形成向清洁开口23流动的气流，进而带动微尘通过清洁开口23进入清洁通道22。因此，本公开提供的晶圆承载装置可以通过方便的清除反射镜块2与晶圆台3之间的微尘，避免微尘积聚于反射镜块2与晶圆台3之间而降低晶圆台3的平坦度，提高承载于晶圆台3上的晶圆1的平坦度，提高半导体良率。不仅如此，本公开的晶圆承载装置可以在不拆卸晶圆台3的条件下清除反射镜块2与晶圆台3之间的微尘，减小了晶圆承载装置的清洁时间，提高了晶圆承载装置的清洁效率，进而提高了晶圆承载装置的可用工作时间。而且，晶圆承载装置可以方便地进行清洁，因此可以方便地增加晶圆承载装置的清洁频率，以使得晶圆承载装置能够持续维持在较为清洁的状态，保证晶圆台3具有更佳地平坦度。

下面结合附图对本公开实施方式提供的晶圆承载装置的各部件进行详细说明：

反射镜块2(mirror block)，用于承载晶圆台3，使得晶圆台3保持平坦和稳定。在一实施方式中，反射镜块2可以呈水平放置，以使得承载表面21呈水平状态，进而使得晶圆台3(wafer table)的上表面(晶圆台3远离承载表面21的表面)呈水平状态，进而使得设于晶圆台3的晶圆1(wafer)保持水平。可以理解的是，承载表面21的尺寸可以大于晶圆台3(如图2所示)，也可以与晶圆台3一致。

清洁开口23通过清洁通道22连通负压组件4，用于接收负压组件4提供的负压，并利用负压清洁进入晶圆台3和承载表面21之间的微尘。可以理解的是，本公开对压力的描述基准是晶圆承载装置所处环境的压力，当负压组件4提供的绝对压力低于晶圆承载装置所处环境的压力时，则其所提供的压力为本公开中的负压。当清洁开口23处存在负压时，在晶圆台3承载装置所处环境的压力下，将形成向清洁开口23流动的气流，该气流可以携带微尘进入清洁开口23，实现对晶圆承载装置的清洁，尤其是对晶圆台3和承载表面21之间的间隙的清洁。

如图1和图2所示，清洁开口23可以包括第一清洁开口231，且第一清洁开口231与晶圆台3在承载表面21的正投影至少部分重合。如此，第一清洁开口231至少部分被晶圆台3覆盖，避免第一清洁开口231完全暴露于外部环境而减弱流经承载表面21和晶圆台3之间的气流，保证晶圆承载装置的清洁效率和清洁效果。

为了进一步提高流经承载表面21和晶圆台3之间的气流的强度和气流的流经面积，如图2所示，第一清洁开口231的数量可以为多个，且多个第一清洁开口231沿晶圆台在承载表面的正投影的边缘A设置。如此，在晶圆台在承载表面的正投影的边缘A附近区域均会产生流经承载表面21和晶圆台3之间且流向第一清洁开口231的气流，提高了气流强度及其携带微尘的能力，保证了清洁效果。且清洁区域围绕晶圆台在承载表面的正投影的边缘A，避免了微尘透过晶圆台在承载表面的正投影的边缘A附近区域渗入承载表面21中心区域，保证了承载表面21中心区域的清洁度。

可以理解的是，多个第一清洁开口231沿晶圆台在承载表面的正投影的边缘A设置，指的是任一第一清洁开口231可以设置于晶圆台在承载表面的正投影的边缘A以内，或者与晶圆台3在承载表面21的正投影部分重合。

举例而言，在一实施方式中，如图2所示，每一个第一清洁开口231设于晶圆台3在承载表面21的正投影内，且每一个第一清洁开口231的边缘与晶圆台在承载表面的正投影的边缘A之间的最小距离为0～1mm。如此，任一第一清洁开口231被晶圆台3覆盖，使得流经承载表面21和晶圆台3之间的气流的强度最大，气流携带微尘的能力最强。由于任一第一清洁开口231与晶圆台在承载表面的正投影的边缘A之间的距离不超过1mm，因此流向第一清洁开口231的气流可以高效且及时地清除进入晶圆台3与承载表面21之间间隙的边缘的微尘，使得晶圆台3及时恢复更佳地平坦性。其中，第一清洁开口231的边缘与晶圆台在承载表面的正投影的边缘A之间的最小距离，指的是，第一清洁开口231的边缘上任意点与该边缘上任意点之间的距离中的最小值。

为了避免微尘通过支撑销孔31进入承载表面21与晶圆台3之间，清洁开口23包括第二清洁开口232，且第二清洁开口232与支撑销孔31在承载表面21的正投影至多部分重合。

在一实施方式中，如图2所示，支撑销孔31的数量为多个，且沿任一支撑销孔在承载表面的正投影的边缘B设置有多个第二清洁开口232。如此，通过任一支撑销孔31进入承载表面21与晶圆台3之间的微尘，均可以被沿支撑销孔在承载表面的正投影的边缘B设置的第二清洁开口232通过气流清除。可以理解的是，任一第二清洁开口232可以与对应的支撑销孔在承载表面的正投影的边缘B重合，也可以与支撑销孔31在承载表面21的正投影有一较小的间距。

举例而言，每个第二清洁开口232位于支撑销孔31在承载表面21的正投影以外；沿任一支撑销孔在承载表面的正投影的边缘B设置的任一第二清洁开口232，与同一支撑销孔在承载表面的正投影的边缘B的最小距离为0～1mm。

清洁开口23的形状可以为圆形、矩形、弧形、椭圆形或者其他形状；任意两个清洁开口23的形状可以相同或者不同；任意两个同一形状的清洁开口23的尺寸可以不同。举例而言，如图2所示，清洁开口23为圆形，且清洁开口23的直径为0.5～1.5mm。更进一步地，在一实施方式中，任一清洁开口23为直径1mm的圆形。

为了保证清洁效果，如图2所示，可以在设置清洁开口23的整个区域布设多个清洁开口23，以减少允许微尘进入承载表面21和晶圆台3之间的、无清洁开口23的通道面积。举例而言，在一实施方式中，第一清洁开口231为多个，且可以均匀地沿整个晶圆台在承载表面的正投影的边缘A设置。在另一实施方式中，可以沿任一撑销孔在承载表面21的正投影的整个边缘，设置多个均匀分布的第二清洁开口232。

更进一步地，任一清洁开口23与最近的清洁开口23的最小距离可以为0.5～1.5mm。因为在相邻两个清洁开口23(任一清洁开口23与最近的清洁开口23)之间的微尘与清洁开口23的距离不大于两个清洁开口23距离的一半，因此微尘可以在较强的流向清洁开口23的气流作用下、被携带移动较小的距离而进入清洁开口23。举例而言，任一清洁开口23与最近的清洁开口23的最小距离可以为1mm。

在一实施方式中，晶圆台3在承载表面21上正投影为直径300～310mm的圆形，支撑销孔31可以为直径为10～14mm的圆柱形。

如图1所示，清洁通道22可以设置于反射镜块2内，并与清洁开口23连通。清洁通道22的横截面(垂直于延伸方向的平面的截面)可以与所连通的清洁开口23的相同，也可以不相同，本公开对此不做特殊的限定。

如图1所示，清洁通道22可以包括主通道221和分支通道222，各分支通道222与各清洁开口23一一对应连通，并与主通道221连通，主通道221可以与负压组件4连通，降低了清洁开口23与负压组件4之间的负压通道的数量和复杂程度。如此，负压组件4提供的负压通过主通道221而进入各个分支通道222，进而进入各个清洁开口23。

负压组件4用于产生负压。在一实施方式中，负压组件4可以包括一个真空泵，也可以包括配合的多个真空泵。举例而言，负压组件4可以包括作为前级泵的滑阀真空泵以及作为后级泵的罗茨真空泵。在一实施方式中，负压组件4可以提供的真空度不小于50kPa。可以理解的是，该真空度是以晶圆承载装置所处环境的压力为基准的。

如图3所示，负压组件4可以通过第一连接管路61与清洁通道22连通。举例而言，在一实施方式中，负压组件4可以连接清洁通道22的主通道221。

在一实施方式中，如图3所示，晶圆承载装置还可以包括第一电磁阀51，第一电磁阀51具有第一开口、第二开口和控制端，且第一电磁阀51的第一开口与负压组件4的负压出口连接，第一电磁阀51的第二开口可以与第一连接管路61连通。如此，当需要对承载表面21和晶圆台3之间的间隙进行清洁时，可以通过第一电磁阀51的控制端控制第一电磁阀51导通时；当晶圆台3的平坦度满足要求时，可以通过第一电磁阀51的控制端控制第一电磁阀51截止，负压组件4不再向清洁开口23提供负压，以降低负压组件4的能耗。在一实施方式中，第一电磁阀51可以为节流阀，其开口度可以进行调整，以便控制第一连接管路61内的真空度。可以理解的是，第一电磁阀51的第一开口既可以直接与负压组件4的负压出口连接，也可以通过其他管路、阀门或者容器等与负压组件4的负压出口间接连接。

在一实施方式中，如图3所示，晶圆承载装置还可以包括第一压力传感器71，设于第一连接管路61，用于检测第一连接管路61内的压力。在一实施方式中，第一压力传感器71用于检测第一连接管路61内的真空度。第一压力传感器71还可以设置有输出端，用于向外部输出检测结果。

在一实施方式中，如图3所示，晶圆承载装置还可以包括第一控制组件81，第一控制组件81可以与第一电磁阀51的控制端连接，用于控制第一电磁阀51的导通、截止或者改变第一电磁阀51的开口度。

为了使得第一连接管路61内的真空度保持在第一预设范围，第一控制组件81还可以与第一压力传感器71的输出端连接并建立对第一电磁阀51的开口度的负反馈。举例而言，第一控制组件81可以接收第一压力传感器71的检测结果，并在第一压力传感器71的检测结果超出第一预设范围时使第一电磁阀51调整开口度。在一实施方式中，当第一压力传感器71的检测结果表明第一连接管路61内的真空度低于第一预设范围时，第一控制组件81控制第一电磁阀51的开口度增大，以使得清洁开口23能够有效清洁承载表面21和晶圆台3之间的间隙；当第一压力传感器71的检测结果表明第一连接管路61内的真空度高于第一预设范围时，第一控制组件81控制第一电磁阀51的开口度减小，以减小进入负压组件4的气流，降低负压组件4的负担。

第一控制组件81可以为一PLC、MCU、CPU或则其他具有控制功能的装置，本公开对此不做特殊的限定。第一控制组件81与第一压力传感器71的输出端、第一电磁阀51的控制端之间的连接，既可以是导线、以太网、串口通信或者其他有线连接，也可以是Wifi、蓝牙、RFID、ZigBee或者其他无线连接方法，本公开对此不做特殊的限定。

在完成对承载表面21和晶圆台3之间的间隙的清洁后，为了能够迅速使得承载表面21和晶圆台3之间的间隙的压力恢复，第一连接管路61上还可以设置有通气口。在一实施方式中，如图3所示，晶圆承载装置还包括第二电磁阀52，第二电磁阀52设于第一连接管路61的通气口，用于控制第一连接管路61的通气口与外部气源9的连通或者隔断，或者用于控制所述第一连接管路61的通气口与外部环境的连通或者隔断。如此，在对承载表面21和晶圆台3之间的间隙进行清洁时，第二电磁阀52可以关闭；在恢复承载表面21和晶圆台3之间的间隙的压力时，第二电磁阀52可以导通。在一实施方式中，第二电磁阀52还可以是节流阀，其开口度可以进行调节，进而控制承载表面21和晶圆台3之间的间隙的压力的恢复速度，避免气流对晶圆台3的冲击。在另一实施方式中，如图3所示，第二电磁阀52的控制端可以与第一控制组件81连接，以便在第一控制组件81的控制下导通、截止或者调整开口度。

外部环境可以是晶圆承载装置所处的环境，其中包括有气体，例如包括有空气。外部气源9可以为设置于气体存储装置中的特定气体；本公开对此不做特殊的限定。

本公开的晶圆承载装置还可以设置分别与第一清洁开口231和第二清洁开口232连接的不同的管路系统，实现对第一清洁开口231和第二清洁开口232的分别控制，使得对晶圆承载装置的清洁具有更强的针对性。下面，以一种具体实现方式对该管路系统进行介绍和说明：

如图4所示，主通道221可以分为互不连通的第一主通道2211和第二主通道2212；各分支通道222根据与所连通的清洁开口23，可以分别定义为第一分支通道2221和第二分支通道2222。其中，与第一清洁开口231连通的分支通道222为第一分支通道2221，且第一分支通道2221与第一主通道2211连通。与第二清洁开口232连通的分支通道222为第二分支通道2222，且第二分支通道2222与第二主通道2212连通。

第一连接管路61可以包括第一管路和第二管路两条管路。其中，第一管路的第一开口与第一主通道2211连通，第二管路的第一开口与第二主通道2212连通。

第一电磁阀51可以包括第一电磁节流阀和第二电磁节流阀。其中，第一电磁节流阀连接第一管路的第二开口和负压组件4的负压出口，第二电磁节流阀连接第二管路的第二开口和负压组件4的负压出口。第一电磁节流阀的控制端和第二电磁节流阀的控制端均与第一控制组件81连接。

第一压力传感器71可以包括第一传感器和第二传感器。其中，第一传感器设于第一管路，用于检测第一管路内的压力；第二传感器设于第二管路，用于检测第二管路内的压力。第一传感器的输出端和第二传感器的输出端均与第一控制组件81连接。

第二电磁阀52还可以包括第三电磁节流阀和第四电磁节流阀。其中，三电磁节流阀设于第一管路的通气口，用于控制第一管路的通气口与外部气源9的连通或者隔断；第四电磁节流阀设于第二管路的通气口，用于控制第二管路的通气口与外部气源9的连通或者隔断。第三电磁节流阀和第四电磁节流阀的控制端分别与第一控制组件81连接。

如图5所示，反射镜块2还可以设置有第一吸附通道24；晶圆台3还可以设置有与第一吸附通道24连通的第二吸附通道32，且晶圆台3远离承载表面21的表面设置有与第二吸附通道32连通的吸附开口33。负压组件4还与第一吸附通道24连接，用于向吸附开口33提供负压。如此，当晶圆1置于晶圆台3远离反射镜块2的表面时，负压组件4可以通过第一吸附通道24和第二吸附通道32向吸附开口33提供负压，使得晶圆1在负压的作用下被吸附固定于晶圆台3上，边缘晶圆1后续的加工。

在一实施方式中，如图6(未显示清洁通道2与负压组件4之间的连接)所示，晶圆承载装置还可以包括第二连接管路62，第二连接管路62连接第一吸附通道24和负压组件4的负压出口。如此，负压组件4可以通过第二连接管路62向吸附开口33提供负压。

在一实施方式中，如图6所示，晶圆承载装置还可以包括第三电磁阀53，第三电磁阀53具有第一开口、第二开口和控制端，且第三电磁阀53的第一开口与负压组件4的负压出口连接，第三电磁阀53的第二开口可以与第二吸附通道32连通。如此，第三电磁阀53可以控制负压组件4向吸附开口33提供负压或者不提供负压，进而控制晶圆台3对晶圆1的吸附或者不吸附。在一实施方式中，第三电磁阀53可以为节流阀，其开口度可以进行调整，以便控制第一吸附通道24内的真空度。可以理解的是，第三电磁阀53的第一开口既可以直接与负压组件4的负压出口连接，也可以通过其他管路、阀门或者容器等与负压组件4的负压出口间接连接。

在一实施方式中，如图6所示，晶圆承载装置还可以包括第二压力传感器72，设于第二连接管路62，用于检测第二连接管路62内的压力，进而检测出吸附开口33处的压力。在一实施方式中，第二压力传感器72用于检测第二连接管路62内的真空度。第二压力传感器72还可以设置有输出端，用于向外部输出检测结果。

在一实施方式中，如图6所示，晶圆承载装置还可以包括第二控制组件82，第二控制组件82可以与第三电磁阀53的控制端连接，用于控制第三电磁阀53的导通、截止或者改变第三电磁阀53的开口度。

为了使得第二连接管路62内的真空度保持在第二预设范围，第二控制组件82还可以与第二压力传感器72的输出端连接并建立对第三电磁阀53的开口度的负反馈。举例而言，第二控制组件82可以接收第二压力传感器72的检测结果，并在第二压力传感器72的检测结果超出第二预设范围时使第三电磁阀53调整开口度。在一实施方式中，当第二压力传感器72的检测结果表明第二连接管路62内的真空度低于第二预设范围时，第二控制组件82控制第三电磁阀53的开口度增大，以增大吸附开口33处的真空度，使得吸附开口33处的压力重新回升到第二预设范围内，保证晶圆承载装置对晶圆1的吸附固定效果。当第二压力传感器72的检测结果表明第二连接管路62内的真空度高于第二预设范围时，第二控制组件82控制第三电磁阀53的开口度减小，以降低负压组件4的负担。

第二控制组件82可以为一PLC、MCU、CPU或则其他具有控制功能的装置，本公开对此不做特殊的限定。第二控制组件82与第二压力传感器72的输出端、第三电磁阀53的控制端之间的连接，既可以是导线、以太网、串口通信或者其他有线连接，也可以是Wifi、蓝牙、RFID、ZigBee或者其他无线连接方法，本公开对此不做特殊的限定。

在一实施方式中，第二控制组件82和第二控制组件82可以为同一控制装置，例如可以为同一PLC、MCU或CPU。

在完成对晶圆1的加工处理后，在需要移除晶圆1时，为了能够迅速降低吸附开口33处的负压并消除晶圆承载装置对晶圆1的吸附作用，第二连接管路62上还可以设置有通气口。如图6所示，晶圆承载装置还包括第四电磁阀54，第四电磁阀54设于第二连接管路62的通气口，用于控制第二连接管路62的通气口与外部气源9的连通或者隔断，或者用于控制所述第二连接管路62的通气口与外部环境的连通或者隔断。如此，在晶圆承载装置吸附晶圆1时，第四电磁阀54可以关闭；在不吸附晶圆1时，第四电磁阀54可以导通。在一实施方式中，第四电磁阀54还可以是节流阀，其开口度可以进行调节，进而控制吸附开口33处负压的消除速度，避免过大的气流对晶圆1的冲击。在另一实施方式中，如图6所示，第四电磁阀54的控制端可以与第二控制组件82连接，以便在第二控制组件82的控制下导通、截止或者调整开口度。

如图7(未显示清洁通道22和清洁开口23)所示，晶圆承载装置还可以包括支撑销组件25，支撑销组件25设于反射镜块2；支撑销组件25包括气动机构252和支撑销251(E-Pin)，气动机构252用于在负压作用下控制支撑销251从支撑销孔31伸出或缩回；负压组件4还与气动机构252连接，用于向气动机构252提供负压。在将晶圆1放置到晶圆台3之前，支撑销组件25可以将支撑销251(E-Pin)伸出支撑销孔31，如此晶圆1将被搬运机构放置到支撑销251上方；然后支撑销251逐渐缩回支撑销孔31，使得晶圆1最终落到晶圆台3上。在需要将晶圆1移除时，可以使支撑销251(E-Pin)伸出支撑销孔31，如此使得晶圆1离开晶圆台3至与晶圆台3之间保持一定的间隙；利用该间隙，搬运机构可以承载并搬离晶圆1。

在一实施方式中，气动机构252可以包括气缸，气缸具有气缸腔和与气缸腔配合的活塞；支撑销251可以连接于该活塞上，在活塞的带动下进行运动。举例而言，气缸腔靠近晶圆台的一端为负压腔室，气缸腔远离晶圆台的一端为常压腔室，负压机构4的出气口与负压腔室连接。当气动机构252的负压腔室具有负压时，活塞可以带动支撑销251伸出支撑销孔31以支撑晶圆1；当气动机构252的负压腔室负压消失时，活塞可以带动支撑销251缩回支撑销孔31。进一步地，如图7所示，气缸的缸壁还可以与反射镜块2是一体式结构。

在一实施方式中，如图7所示，晶圆承载装置还可以包括第三连接管路63，第三连接管路63连接气动机构252的负压腔室和负压组件4的负压出口。如此，负压组件4可以通过第三连接管路63向气动机构252的负压腔室提供负压。

在一实施方式中，如图7所示，晶圆承载装置还可以包括第五电磁阀55，第五电磁阀55具有第一开口、第二开口和控制端，且第五电磁阀55的第一开口与负压组件4的负压出口连接，第五电磁阀55的第二开口可以与第三连接管路63连通。如此，第五电磁阀55可以控制负压组件4向气动机构252提供负压或者不提供负压，进而控制支撑销251从支撑销孔31伸出或缩回。在一实施方式中，第五电磁阀55可以为节流阀，其开口度可以进行调整，以便控制气动机构252的负压腔室的负压大小。可以理解的是，第五电磁阀55的第一开口既可以直接与负压组件4的负压出口连接，也可以通过其他管路、阀门或者容器等与负压组件4的负压出口间接连接。

在一实施方式中，如图7所示，晶圆承载装置还可以包括第三压力传感器73，第三压力传感器73设于第三连接管路63，用于检测第三连接管路63内的压力，进而检测气动机构252的负压腔室的压力。在一实施方式中，第三压力传感器73用于检测第三连接管路63内的真空度。第三压力传感器73还可以设置有输出端，用于向外部输出检测结果。

在一实施方式中，如图7所示，晶圆承载装置还可以包括第三控制组件83，第三控制组件83可以与第五电磁阀55的控制端连接，用于控制第五电磁阀55的导通、截止或者改变第五电磁阀55的开口度。

为了使得第三连接管路63内的真空度保持在第三预设范围，第三控制组件83还可以与第三压力传感器73的输出端连接并建立对第五电磁阀55的开口度的负反馈。举例而言，第三控制组件83可以接收第三压力传感器73的检测结果，并在第三压力传感器73的检测结果超出第三预设范围时使第三电磁阀53调整开口度。在一实施方式中，当第三压力传感器73的检测结果表明第三连接管路63内的真空度低于第三预设范围时，第三控制组件83控制第五电磁阀55的开口度增大，以增大气动机构252的负压腔室的真空度，使得支撑销251可以伸出支撑销孔31并稳定地支撑晶圆1。当第三压力传感器73的检测结果表明第三连接管路63内的真空度高于第三预设范围时，第三控制组件83控制第五电磁阀55的开口度减小，以降低负压组件4的负担。

第三控制组件83可以为一PLC、MCU、CPU或则其他具有控制功能的装置，本公开对此不做特殊的限定。第三控制组件83与第三压力传感器73的输出端、第五电磁阀55的控制端之间的连接，既可以是导线、以太网、串口通信或者其他有线连接，也可以是Wifi、蓝牙、RFID、ZigBee或者其他无线连接方法，本公开对此不做特殊的限定。

在一实施方式中，第三控制组件83、第二控制组件82和第一控制组件81可以为同一控制装置，例如可以为同一PLC、MCU或CPU。

为了迅速消除气动机构252的负压腔室的负压，第三连接管路63上还可以设置有通气口。如图7所示，晶圆承载装置还包括第六电磁阀56，第六电磁阀56设于第三连接管路63的通气口，用于控制第三连接管路63的通气口与外部气源9的连通或者隔断，或者用于控制所述第三连接管路63的通气口与外部环境的连通或者隔断。如此，在气动机构252的负压腔室需要负压时，第六电磁阀56可以关闭；在气动机构252的负压腔室需要消除负压时，第六电磁阀56可以导通。在一实施方式中，第六电磁阀56还可以是节流阀，其开口度可以进行调节，进而控制气动机构252的负压腔室的负压的消除速度，避免气动机构252运动速度过快对晶圆承载装置的冲击。在另一实施方式中，如图7所示，第六电磁阀56的控制端可以与第三控制组件83连接，以便在第三控制组件83的控制下导通、截止或者调整开口度。

本公开还对晶圆台的表面进行平坦度检测，检测结果如图8和图9所示。其中，图8是本公开的晶圆承载装置在通过负压清除微尘前的晶圆台平坦性检测结果，其中圆形部分为晶圆台上表面(晶圆台远离承载表面的表面)，颜色条标尺部分表示各颜色代表的晶圆台上表面偏离基准表面的距离；结果显示，晶圆台的上表面(晶圆台远离承载表面的表面)偏离基准表面的最大值达到89.91nm，表明微尘对晶圆台的平坦性会产生显著的影响。图9是本公开的晶圆承载装置在通过负压清除微尘后的晶圆台平坦性检测结果，其中圆形部分为晶圆台上表面(晶圆台远离承载表面的表面)，颜色条标尺部分表示各颜色代表的晶圆台上表面偏离基准表面的距离；结果显示，晶圆台的表面(晶圆台远离承载表面的表面)偏离基准表面的最大值仅15.24nm，晶圆台的平坦度显著提升。

本公开还提供一种曝光设备，该曝光设备包括晶圆承载装置实施方式所描述的任意一种晶圆承载装置。该曝光设备可以为干形曝光机、浸润式曝光机或者其他种类的曝光机，本公开对此不做特殊的限定。

本公开实施方式的曝光设备采用的晶圆承载装置与上述晶圆承载装置的实施方式中的晶圆承载装置相同，因此，具有相同的有益效果，在此不再赘述。

应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (16)

1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：

反射镜块，具有承载表面和清洁通道；所述承载表面设置有清洁开口，且所述清洁开口与所述清洁通道连通；

晶圆台，设于所述承载表面，且设有支撑销孔；

负压组件，与所述清洁通道连接，用于向所述清洁开口提供负压。

2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述清洁开口包括第一清洁开口，且所述第一清洁开口与所述晶圆台在所述承载表面的正投影至少部分重合。

3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一清洁开口的数量为多个，多个所述第一清洁开口沿所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘设置。

4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，每一个所述第一清洁开口设于所述晶圆台在所述承载表面的正投影内，且每一个所述第一清洁开口的边缘与所述晶圆台在所述承载表面的正投影的边缘之间的最小距离为0～1mm。

5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述清洁开口包括第二清洁开口，且所述第二清洁开口与所述支撑销孔在所述承载表面的正投影至多部分重合。

6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述支撑销孔的数量为多个，且沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置有多个所述第二清洁开口。

7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，每个所述第二清洁开口位于所述支撑销孔在所述承载表面的正投影以外；

沿任一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘设置的任一所述第二清洁开口，与同一所述支撑销孔在所述承载表面的正投影的边缘的最小距离为0～1mm。

8.根据权利要求1～7任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述清洁开口的数量为多个，任一所述清洁开口与最近的所述清洁开口的最小距离为0.5～1.5mm。

9.根据权利要求1～7任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述清洁开口为直径为0.5～1.5mm的圆形。

10.根据权利要求1～7任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括：

第一电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端，且所述第一电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第一连接管路，连接所述清洁通道和所述第一电磁阀的第二开口；

第一压力传感器，设于所述第一连接管路且具有输出端，用于检测所述第一连接管路内的压力；

第一控制组件，与所述第一压力传感器的输出端及所述第一电磁阀的控制端连接，用于接收所述第一压力传感器的检测结果，并在所述第一压力传感器的检测结果超出第一预设范围时使所述第一电磁阀调整开口度。

11.根据权利要求10所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一连接管路设置有通气口；所述晶圆承载装置还包括：

第二电磁阀，设于所述第一连接管路的通气口，用于控制所述第一连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断，或者用于控制所述第一连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断。

12.根据权利要求1～7任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述反射镜块还设置有第一吸附通道；所述晶圆台设置有与所述第一吸附通道连通的第二吸附通道，且所述晶圆台远离所述承载表面的表面设置有与所述第二吸附通道连通的吸附开口；

所述负压组件还与所述第一吸附通道连接，用于向所述吸附开口提供负压。

13.根据权利要求12所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括：

第三电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端；所述第三电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第二连接管路，连接所述第一吸附通道和所述第三电磁阀的第二开口，且具有通气口；

第二压力传感器，设于所述第二连接管路且具有输出端，用于检测所述第二连接管路内的压力；

第四电磁阀，设于所述第二连接管路的通气口，用于控制所述第二连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断，或者用于控制所述第二连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断；

第二控制组件，与所述第二压力传感器的输出端及所述第三电磁阀的控制端连接，用于接收所述第二压力传感器的检测结果，并在所述第二压力传感器的检测结果超出第二设定范围时使所述第三电磁阀调整开口度。

14.根据权利要求1～7任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括：

支撑销组件，设于所述反射镜块；所述支撑销组件包括气动机构和支撑销，所述气动机构用于在负压作用下控制所述支撑销从所述支撑销孔伸出或缩回；

所述负压组件还与所述气动机构连接，用于向所述气动机构提供负压。

15.根据权利要求14所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括：

第五电磁阀，具有第一开口、第二开口和控制端，且所述第五电磁阀的第一开口与所述负压组件的负压出口连接；

第三连接管路，连接所述气动机构和所述第五电磁阀的第二开口，且所述第三连接管路设置有通气口；

第三压力传感器，设于所述第三连接管路且具有输出端，用于检测所述第三连接管路内的压力；

第六电磁阀，设于所述第三连接管路的通气口，用于控制所述第三连接管路的通气口与外部气源的连通或者隔断，或者用于控制所述第三连接管路的通气口与外部环境的连通或者隔断；

第三控制组件，与所述第三压力传感器的输出端及所述第五电磁阀的控制端连接，用于接收所述第三压力传感器的检测结果，并在所述第三压力传感器的检测结果超出第三设定范围时，使所述第五电磁阀调整开口度。

16.一种曝光设备，其特征在于，包括权利要求1～15任一项所述的晶圆承载装置。

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