KR102613407B1 - 표시 장치, 그 게이트 구동 회로, 및 그 구동 방법 - Google Patents

표시 장치, 그 게이트 구동 회로, 및 그 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명을 적용할 경우, 에미션 부스팅 커패시터가 전기적으로 플로팅된 상태에서 부스팅 클럭에 따라 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드 전압을 주기적으로 부스팅하여 줄 수 있다. 이에 따라 고온 환경에서 TFT에서 전류 누설이 발생하더라도 인버터의 에미션 출력 전압이 저하되지 않아 표시패널의 가로 화소라인이 불규칙하게 어두워지는 불규칙 가로줄무늬와 같은 불량이 방지되어 표시 품질이 개선된 게이트 구동 회로 및 표시 장치를 구현할 수 있다.

Description

표시 장치, 그 게이트 구동 회로, 및 그 구동 방법{display apparatus, gate driving circuit and driving method thereof}
본 발명은 표시 장치 및 그 게이트 구동 회로, 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온 환경에서 TFT가 열화됨으로 인해 전류 누설이 발생하더라도 인버터의 출력이 저하되지 않도록 하는 표시 장치, 그 게이트 구동 회로 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
평판표시 장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시 장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다.
그리고, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
또한, 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다.
이러한 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기 발광 다이오드 표시 장치(10)는, 영상을 표시하는 표시패널(20), 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부(30), 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부(40), 게이트 제어신호(GCS), 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 공급하는 타이밍 제어부(50)를 포함한다.
표시패널(20)은, 기판(미도시) 상부에 형성되는 게이트배선(GL1 내지 GLm), 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 파워배선(PL1 내지 PLn)을 포함하는데, 게이트배선(GL1 내지 GLm), 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 파워배선(PL1 내지 PLn)은 서로 교차하여 화소영역(P)을 형성한다.
각 화소영역(P)에는, 게이트배선(GL1 내지 GLm) 및 데이터 배선(DL1 내지 DLn)에 연결되는 스위칭 TFT(Ts), 스위칭 TFT(Ts)에 연결되는 구동 TFT(Td) 및 스토리지 커패시터(Cs), 구동 TFT(Td)에 연결되는 발광다이오드(De)가 형성된다.
게이트 구동부(30)는, 타이밍 제어부(50)로부터 전달되는 게이트 제어신호(GCS)를 이용하여 게이트 신호를 생성하고, 생성된 게이트 신호를 표시패널(20)의 게이트배선(GL1 내지 GLm)에 전달한다.
데이터 구동부(40)는, 타이밍 제어부(50)로부터 전달되는 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 표시패널(20)의 데이터 배선(DL1 내지 DLn)에 전달한다.
그리고, 전원공급부(미도시)는 데이터 구동부(40)를 통하여 전원전압을 파워배선(PL1 내지 PLn)에 전달한다.
타이밍 제어부(50)는 외부의 시스템으로부터 입력되는 영상신호(IS), 데이터인에이블신호(DE), 수평동기신호(HSY), 수직동기신호(VSY) 및 클럭신호(ECLK)를 이용하여 게이트 제어신호(GSC), 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 생성한다.
이와 같은 유기 발광 다이오드 표시 장치(10)에서는, 게이트배선(GL1 내지 GLm)을 통하여 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭 TFT(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 인가되는 데이터 신호가 스위칭 TFT(Ts)를 통하여 구동 TFT(Td)에 인가되어 구동 TFT(Td)가 턴-온(turn-on) 되고, 파워배선(PL1 내지 PLn)에서 인가되는 전류가 구동 TFT(Td)를 통하여 발광다이오드(De)에 인가되어 계조(gray level)가 표시된다.
여기서, 표시패널(20)은, 구동 TFT(Td)의 문턱 전압(threshold voltage: Vth) 변동을 보상하기 위한 다수의 보상소자(미도시)를 더 포함할 수 있으며, 게이트 구동부(30)는, 스위칭 TFT(Ts)를 순차적으로 턴-온 하기 위한 게이트 신호를 생성하는 시프트레지스터(shift register)와 다수의 보상소자를 제어하기 위한 에미션 신호를 생성하는 인버터(inverter)를 포함한다.
그런데, 시프트레지스터와 인버터에는 영상표시의 단위인 1프레임 중 대부분의 구간 동안 드레인(drain) 및 소스(source) 사이에 고전압이 인가되어 턴-오프(turn-off)가 유지되는 하이정션 스트레스(high junction stress) 상태의 TFT(thin film transistor: TFT)가 다수 존재한다.
이러한 하이정션 스트레스 상태의 TFT에서는, 드레인유기 장벽감소(drain induced barrier lowering: DIBL) 현상과 같은 오동작이 발생할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 소스드레인 전압의 무인가 상태를 도시한 도면이다. 도 3은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 소스드레인 전압의 인가 상태를 도시한 도면이다. 도 4는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 게이트(G), 드레인(D), 소스(S)를 포함하는 TFT에서, 드레인(D)과 소스(S) 사이에 드레인소스 전압(Vds)이 인가되지 않은 무인가 상태의 경우, 게이트(G), 드레인(D), 소스(S)에 의하여 공핍영역(depletion region)(DR)이 형성되고 소스(S)의 전자(electron)는 드레인(D)으로 전달되지 않으므로, TFT는 전류가 흐르지 않는 상태가 된다.
한편, 도 3을 참조하면, 소스(S)와 드레인(D) 사이에 상대적으로 고전압인 소스드레인 전압(Vds)이 인가되는 인가 상태의 경우, 드레인(D)에 의한 공핍영역(DR)이 소스(S) 방향으로 확장되어 전자의 전위장벽(potential barrier)의 높이가 낮아짐에 따라 소스(S)의 전자 일부가 드레인(D)으로 전달되어 TFT는 전류가 흐르는 상태가 된다.
이러한 현상을 드레인유기 장벽감소 현상이라 하는데, 드레인유기 장벽감소 현상은, TFT의 채널의 길이(L)가 짧을수록, 그리고 드레인(D) 전압이 증가할수록 심화된다.
드레인유기 장벽감소 현상은 TFT의 문턱 전압 변동으로 나타나는데, 예를 들어 포지티브 타입(ptype) TFT에서는 드레인소스 전압이 증가할수록 문턱 전압이 게이트소스 전압의 양의 방향으로 이동하여 오프전류가 증가한다.
즉, 도 4를 참조하면, 드레인소스 전압(Vds)이 약 -0.1V, 약 -10.1V, 약 -20.1V로 증가할수록 문턱 전압이 게이트소스 전압(Vgs)의 양의 방향으로 이동하고, 그 결과 게이트소스 전압(Vgs)이 약 0V일 때 TFT의 드레인소스 전류(Ids)는 각각 약 10fA(1E-14A), 약 1pA(1E-12A), 약 10nA(1E-8A)가 되어, TFT가 턴-오프 상태의 오프전류가 증가한다.
TFT의 오프전류의 증가는 게이트 구동부의 오동작을 야기하는데, 최근에 제안되고 있는 게이트-인-패널(gate-in-panel: GIP) 방식의 플렉시블(flexible) 유기 발광 다이오드 표시 장치에서 더 큰 문제가 될 수 있다.
게이트-인-패널 방식의 유기 발광 다이오드 표시 장치에서는, 게이트 구동부를 구성하는 다수의 TFT를 표시패널의 스위칭 TFT 및 구동 TFT와 동일한 공정을 통하여 형성함으로써, 게이트 구동부가 표시패널의 기판 상부에 형성된다.
그리고, 가볍고 얇은 표시 장치를 위한 플렉시블 유기 발광 다이오드 표시 장치에서는 플렉시블 기판이 사용되는데, 예를 들어 플렉시블 기판은 폴리이미드(polyimide: PI)와 같은 고분자 물질로 이루어진다.
따라서, 게이트-인-패널 방식의 플렉시블 유기 발광 다이오드 표시 장치에서는, 게이트 구동부를 구성하는 TFT가 플렉시블 기판 상부에 형성되는데, 폴리이미드의 열확산 계수(약 0.08mm2/s)는 유리의 열확산 계수(0.34mm2/s)보다 매우 낮아서 플렉시블 기판의 열전달(heat sinking) 특성은 유리 기판에 비하여 매우 떨어지고, 플렉시블 기판 상부의 TFT에서는 턴-온/턴-오프의 반복구동에 따른 줄(joule)열이 방열되지 못하고 드레인유기 장벽감소 현상을 더욱 심화시킨다.
게이트 구동부의 시프트레지스터의 TFT의 오동작은, 다수의 게이트 신호를 출력하여 다수의 스위칭 TFT를 턴-온 시키거나 다수의 샘플링신호를 출력하여 다수의 샘플링 트랜지스터를 턴-온 시킴으로써 발광다이오드에 흐르는 다이오드 전류를 증가시키고, 이는 표시패널(20)의 일부분의 휘도가 높아지는 백화현상과 같은 불량으로 나타나는 문제가 있다.
그리고, 게이트 구동부의 인버터의 TFT의 오동작은, 에미션 신호의 전압레벨을 상승시켜 발광 트랜지스터의 턴-온 정도를 감소시킴으로써, 발광다이오드에 흐르는 다이오드 전류를 감소시키고, 이는 표시패널(20)의 가로 화소라인이 불규칙하게 어두워지는 불규칙 가로줄무늬와 같은 불량으로 나타나는 문제가 있다.
도 5는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 고온 신뢰성 환경에서 TFT에 전류 누설(leakage)이 발생함으로 인해 인버터부의 에미션 Q 노드의 전압이 시간이 경과하면서 12V까지 점차로 강하(drop)가 발생한다. 에미션 Q 노드의 전압 강하는 고온 신뢰성 환경에서 뿐만 아니라 TFT의 열화에 의해서도 발생될 수 있다. 여기에서 Q노드는 드라이빙 TFT의 게이트 노드를 의미한다.
도 6은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 전압의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 인버터부의 에미션 Q 노드의 전압이 12V까지 강하가 발생함으로 인해 인버터부의 에미션 출력 전압이 12Vth가 된다. 이에 따라 에미션 출력 전압이 저하됨에 따라 발광 트랜지스터의 턴-온 정도를 감소시킴으로써, 발광다이오드에 흐르는 다이오드 전류를 감소시키고, 이는 표시패널(20)의 가로 화소라인이 불규칙하게 어두워지는 불규칙 가로줄무늬와 같은 불량으로 나타나는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 장치에 구비되는 게이트 구동 회로의 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드 전압을 주기적으로 부스팅하여 줌으로써 고온 환경에서 TFT가 열화됨으로 인해 전류 누설이 발생하더라도 인버터의 에미션 출력 전압이 저하되지 않도록 하는 표시 장치, 그 게이트 구동 회로 및 그 구동 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일측면에 의하면 표시패널, 에미션 신호를 공급하는 게이트 구동부, 타이밍 제어부를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치가 제공된다. 여기에서 게이트 구동부는 입력된 신호에 응답하여 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 스위칭을 통해 다수의 화소 영역 각각에 에미션 신호를 공급한다. 이때 게이트 구동부는 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압을 주기적으로 부스팅시키는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하고 있다.
본 발명의 다른 측면에 의한 표시 장치의 구동 방법에서는 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 연결되며, 전기적으로는 플로팅되는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하는 게이트 구동부가 준비된다. 에미션 부스팅 커패시터에 부스팅 클럭이 인가되면 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드의 전압이 부스팅된다. 이후, 에미션 클럭이 인가되면 복수의 스위칭 TFT를 제어하여 드라이빙 TFT를 통해 전원전압 또는 기저전압을 에미션 신호로 출력한다. 출력된 에미션 신호는 유기 발광 다이오드 표시 장치에 구비되는 다수의 화소 영역 각각에 공급된다.
본 발명에 의하면, 표시 장치에 구비되는 게이트 구동부의 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 연결되는 에미션 부스팅 커패시터가 전기적으로 플로팅된 상태에서 주기적으로 클럭이 인가되면 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드 전압을 주기적으로 부스팅할 수 있다.
이와 같이 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드 전압을 주기적으로 부스팅하여 줌으로써 고온 환경에서 TFT가 열화됨으로 인해 전류 누설이 발생하더라도 게이트 구동부의 에미션 출력 전압이 저하되지 않고 안정적으로 유지할 수 있다.
인버터부의 에미션 출력 전압이 정상적으로 유지됨에 따라 발광 트랜지스터의 턴-온 정도를 정상적으로 동작시킬 수 있고, 발광다이오드에 흐르는 다이오드 전류를 정상적으로 제공함으로써, 표시패널의 가로 화소라인이 불규칙하게 어두워지는 불규칙 가로줄무늬와 같은 불량이 방지되어 표시 품질이 개선될 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 소스드레인 전압의 무인가 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 소스드레인 전압의 인가 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 게이트 구동부의 TFT의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 6은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 전압의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 화소영역을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 회로도이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드의 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 파형도이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 전압의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 화소영역을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치(110)는, 영상을 표시하는 표시패널(120), 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부(130), 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부(140), 게이트 제어신호(GCS), 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 공급하는 타이밍 제어부(150)를 포함한다.
표시패널(120)은, 기판(미도시) 상부에 형성되는 게이트배선(GL1 내지 GLm), 샘플링배선(SL1 내지 SLm), 에미션 배선(EL1 내지 Elm), 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 파워배선(PL1 내지 PLn)을 포함하는데, 게이트배선(GL1 내지 GLm), 샘플링배선(SL1 내지 SLm) 및 에미션 배선(EL1 내지 Elm)은 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 및 파워배선(PL1 내지 PLn)과 교차하여 화소영역(P)을 형성한다.
그리고, 게이트 구동부(130)는, 타이밍 제어부(150)로부터 전달되는 게이트 제어신호(GCS)를 이용하여 게이트 신호를 생성하고, 생성된 게이트 신호를 표시패널(120)의 게이트배선(GL1 내지 GLm)에 전달한다.
이러한 게이트 구동부(130)는, 표시패널(120)의 기판 상부에 형성되는 게이트-인-패널(gate-in-panel: GIP) 방식으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(130)의 다수의 TFT는 표시패널(120)의 화소영역(P)의 다수의 TFT와 함께 동일한 공정을 통하여 형성될 수 있다.
데이터 구동부(140)는, 타이밍 제어부(150)로부터 전달되는 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 표시패널(120)의 데이터 배선(DL1 내지 DLn)에 전달한다.
그리고, 전원공급부(미도시)는 데이터 구동부(140)를 통하여 전원전압을 파워배선(PL1 내지 PLn)에 전달한다.
타이밍 제어부(150)는 외부의 시스템으로부터 입력되는 영상신호(IS), 데이터인에이블신호(DE), 수평동기신호(HSY), 수직동기신호(VSY) 및 클럭신호(ECLK)를 이용하여 게이트 제어신호(GSC), 데이터 제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 생성한다.
이와 같은 유기 발광 다이오드 표시 장치(110)에서는, 게이트배선(GL1 내지 GLm)을 통하여 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭 TFT(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 통하여 인가되는 데이터 신호가 스위칭 TFT(Ts)를 통하여 구동 TFT(Td)에 인가되어 구동 TFT(Td)가 턴-온(turn-on) 되고, 파워배선(PL1 내지 PLn)에서 인가되는 전류가 구동 TFT(Td)를 통하여 발광다이오드(De)에 인가되어 계조(gray level)가 표시된다.
여기서, 표시패널(120)의 각 화소영역(P)은, 구동 TFT(Td)의 문턱 전압(Vth) 변동을 보상하기 위한 다수의 보상소자(미도시)를 더 포함할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 8을 참조하면, 표시패널(120)의 각 화소영역(P)은, 스위칭 TFT(Ts), 구동 TFT(Td), 제1 내지 제4 보상 TFT(T1 내지 T4), 스토리지 커패시터(Cs) 및 발광다이오드(De)를 포함하는데, 스위칭 TFT(Ts), 구동 TFT(Td), 제1 내지 제4 보상 TFT(T1 내지 T4)는 각각 포지티브 타입(p-type)일 수 있다.
스위칭 TFT(Ts)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 게이트배선(GL), 스토리지 커패시터(Cs)의 일단, 데이터 배선(DL)에 연결되고, 구동 TFT(Td)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 스토리지 커패시터(Cs)의 타단, 제3 보상트랜지스터(T3)의 소스, 파워배선(PL)에 연결된다.
샘플링 TFT인 제1 보상 TFT(T1)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 샘플링배선(SL), 구동 TFT(Td)의 드레인, 구동 TFT(Td)의 게이트에 각각 연결되며, 2개의 트랜지스터가 직렬로 연결되는 듀얼게이트 타입으로 형성될 수 있다.
제2 보상 TFT(T2)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 샘플링배선(SL), 기준전압(Vref), 제4 보상 TFT(T4)의 드레인에 연결되고, 제3 보상 TFT(T3)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 배선(EL), 기준전압(Vref), 스토리지 커패시터(Cs)의 일단에 연결되고, 에미션 TFT인 제4 보상 TFT(T4)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 배선(EL), 구동 TFT(Td)의 드레인, 발광다이오드(De)의 일단에 연결되고, 발광다이오드(De)의 타단은 접지된다.
그리고, 게이트배선(GL)에는 게이트 신호인 N번째 레지스터 출력전압(SRO(N))이 인가되고, 데이터 배선(DL)에는 데이터 신호인 데이터전압(Vdata)이 인가되고, 파워배선(PL)에는 전원전압(EVDD)이 인가되고, 샘플링배선(SL)에는 샘플링신호인 (N-1)번째 레지스터 출력전압(SRO(N))이 인가되고, 에미션 배선(EL)에는 에미션 신호인 에미션 출력 전압(O)이 인가된다.
이러한 화소영역(P)에서는, N번째 레지스터 출력전압(SRO(N))이 인가되기 이전 시간구간 동안, 샘플링배선(SL)에 (N-1)번째 레지스터 출력전압(SRO(N))이 인가되어 제1 보상 TFT(T1)가 턴-온 되고, 그 결과 스토리지 커패시터(Cs)에 변동된 문턱 전압(Vth)이 저장된다.
이후, 게이트배선(GL)에 N번째 레지스터 출력전압(SRO(N))이 인가되어 스위칭 TFT(Ts)가 턴-온되면, 데이터전압(Vdata)이 스토리지 커패시터(Cs)에 전달되고, 데이터전압(Vdata)과 변동된 문턱 전압(Vth)을 합산한 전압에 의하여 구동 TFT(Td)가 턴-온 되므로, 구동 TFT(Td)의 문턱 전압 변동이 보상된다.
한편, 표시패널(120)의 각 화소영역(P)에 게이트 신호, 샘플링신호, 에미션 신호를 공급하기 위하여, 게이트 구동부(130)는, 게이트 신호 및 샘플링신호를 출력하는 시프트레지스터(shift register)부(132)와 에미션 신호를 출력하는 인버터(inverter)부(134)를 포함하는데, 시프트레지스터부(132)는 게이트 신호, 샘플링신호, 에미션 신호인 레지스터 출력전압(SRO)을 각 화소영역(P)으로 직접 입력하고, 인버터(inverter)부(134)는 시프트레지스터부(132)의 레지스터 출력전압(SRO)이나 별도의 시프트레지스터부의 출력전압을 이용하여 에미션 신호를 생성하고 에미션 신호인 에미션 출력전압(EMOutput)를 각 화소영역(P)으로 직접 입력한다.
여기에서 인버터부(134)는 에미션 Q노드에 연결되며, 전기적으로는 플로팅되어 주기적으로 인가되는 클럭에 의해 에미션 Q노드 전압을 주기적으로 부스팅하는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하고 있다. 여기에서 Q 노드는 드라이빙 TFT의 게이트 노드를 의미한다.
에미션 부스팅 커패시터는 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트에 연결되고 에미션 Q노드를 부스팅하기 위한 클럭을 주기적으로 인가받도록 연결된다.
따라서, 해당 클럭이 입력될 때마다 에미션 부스팅 커패시터는 에미션 Q노드(Q)를 부스팅시켜주고, 이에 따라 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트에 부스팅된 전압이 인가될 수 있다. 따라서, 고온 신뢰성 환경에서 TFT에 전류 누설(leakage)이 발생하더라도 에미션 Q 노드의 전압은 정상적으로 유지될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 방법에서는 에미션 Q노드에 연결되며, 전기적으로는 플로팅되는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하는 인버터를 준비하는 단계(S1)가 수행된다.
이후, 에미션 부스팅 커패시터에 부스팅 클럭을 인가하여 에미션 Q노드의 전압을 부스팅하는 단계(S2)가 수행된다.
그 다음 에미션 클럭을 인가하여 복수의 스위칭 TFT를 제어하여 드라이빙 TFT의 에미션 풀업(pull-up) TFT, 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT를 통해 전원전압 또는 기저전압을 에미션 신호로 출력하는 단계(S3)가 수행된다.
출력된 에미션 신호를 유기 발광 다이오드 표시 장치에 구비되는 다수의 화소 영역 각각에 공급하는 단계(S4)가 수행된다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 회로도이고, 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드의 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 참조하면, 표시패널(120)의 하나의 수평화소라인에 대응되는 인버터부(134)의 하나의 스테이지(stage)를 도시한 것으로, 인버터부(134)는 표시패널(120)의 다수의 수평화소라인에 대응되는 다수의 스테이지를 포함할 수 있다. 따라서, 여기에서는 제1 클럭(ECLK1)이 에미션 신호를 출력하기 위한 에미션 클럭으로 사용되고 있으며, 제2 클럭(ECLK2), 제3 클럭(ECLK3), 제4 클럭(ECLK4)은 다른 스테이지의 에미션 클럭으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부(134)는, 제1 내지 제3 에미션 TFT(ET1 내지 ET3), 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu), 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1, ETpd2) 및 에미션 부스팅 커패시터(ECb)를 포함할 수 있다.
에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu), 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1, ETpd2)는 전원전압 또는 기저전압을 에미션 신호로 출력하는 드라이빙 TFT이다. 제1 내지 제3 에미션 TFT(ET1 내지 ET3)는 드라이빙 TFT의 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu), 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1, ETpd2)의 턴온/턴오프를 제어하기 위한 복수의 스위칭 TFT이다. 에미션 부스팅 커패시터(ECb)는 일단이 에미션 Q노드에 연결되고 타단이 부스팅 클럭으로서 이용되는 제3 클럭(ECLK3)과 연결되며, 전기적으로는 플로팅되어 주기적으로 인가되는 제3 클럭(ECLK3)에 의해 에미션 Q노드의 전압을 주기적으로 부스팅한다.
이때, 제1 내지 제3 에미션 TFT(ET1 내지 ET3), 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu) 및 제1 및 제2 에미션 풀다운(pulldown) TFT(ETpd1, ETpd2)는 각각 포지티브 타입(p-type)일 수 있다.
에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 Q노드(Q), 전원전압(EVDD), 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1)의 드레인에 연결되고, 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트에는 에미션 부스팅 커패시터(ECb)가 연결되어 있다.
에미션 부스팅 커패시터(ECb)는 일단이 에미션 Q노드(Q)에 연결되며, 전기적으로는 플로팅되어 있다. 에미션 부스팅 커패시터(ECb)의 타단에는 제3 클럭(ECLK3)이 입력된다.
한편, 에미션 Q노드(Q)는 제1 클럭(ECLK1)이 제2 에미션 TFT(ET2)의 게이트에 입력되면 제2 에미션 TFT(ET2)를 통해서 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트에 동작 전원을 공급하여 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)을 턴온시킨다. 따라서, 제 1 클럭(ECLK1)은 해당 스테이지의 에미션 클럭으로 사용된다.
따라서, 도 11을 참조하면, 에미션 부스팅 커패시터(ECb)는 제3 클럭(ECLK3)이 입력되면 에미션 Q노드(Q)를 부스팅시킬 수 있다. 따라서, 제 3 클럭(ECLK3)은 해당 스테이지의 부스팅 클럭으로 사용된다. 제 3 클럭(ECLK3)은 제1 클럭(ECLK1)을 쉬프트 시켜서 생성될 수 있다.
즉, 제1 클럭(ECLK1)에 의해 에미션 부스팅 커패시터(ECb)가 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트의 동작 전원을 유지하는 상태에서 에미션 부스팅 커패시터(ECb)에 제3 클럭(ECLK3)이 입력되면, 에미션 부스팅 커패시터(ECb)는 플로팅상태이기 때문에 전압적으로 배가 현상이 일어난다. 에미션 Q노드(Q)를 부스팅시킨다는 것은 에미션 Q노드(Q)의 전압을 배가시킨다는 것을 의미한다.
제1 에미션 풀다운(pull-down)TFT(ETpd1)의 게이트, 소스는 각각 에미션 QB노드(QB), 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd2)의 드레인에 연결되어 있다.
제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd2)의 게이트, 소스는 각각 에미션 QB노드(QB), 기저전압(EVSS)에 연결되어 있다.
에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu) 및 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1) 사이의 노드(node)로부터 인버터부(134)의 에미션 출력전압(EMOutput)이 출력된다.
에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)와, 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1, ETpd2)는 인버터부(134)의 에미션 출력전압(EMOutput)의 전압값을 결정하는 소자로서, 서로 반대되는 하이/로우 레벨을 갖는 에미션 Q노드(Q) 및 에미션 QB노드(QB)의 전압에 의하여 각각 제어되어 서로 반대로 턴-온/턴-오프 된다.
예를 들어, 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)가 턴-온 되고 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1, ETpd2)가 턴-오프 될 경우, 인버터부(134)는 전원전압(EVDD)을 에미션 출력전압(EMOutput)으로 출력한다.
한편, 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)가 턴-오프 되고 제1 및 제2 에미션 풀다운(pull-down)TFT(ETpd1, ETpd2)가 턴-온 될 경우, 인버터부(134)는 기저전압(EVSS)을 에미션 출력전압(EMOutput)으로 출력한다.
제1 에미션 TFT(ET1)는, 에미션 Q노드(Q)와 기저전압(EVSS) 사이에 연결되어 시프트레지스터부(132)의 레지스터 출력전압(SR1)에 의하여 제어된다.
제2 에미션 TFT(ET2)는, 전원전압(EVDD)과 에미션 Q노드(Q) 사이에 연결되어 제1 클럭(ECLK1)에 의하여 제어된다.
제3 에미션 TFT(ET3)는, 전원전압(EVDD)과 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1)의 소스 사이에 연결되어 에미션 출력전압(EMOutput)에 의하여 제어된다.
이를 더 구체적으로 설명하면, 제1 에미션 TFT(ET1)의 게이트, 소스는 각각 레지스터 출력전압(SR1), 기저전압(EVSS)에 연결된다.
제2 에미션 TFT(ET2)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 제1 클럭(ECLK1), 전원전압(EVDD), 제1 에미션 TFT(ET1)의 드레인에 연결된다.
제3 에미션 TFT(ET3)의 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 출력전압(EMOutput), 전원전압(EVDD), 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd1)의 소스와 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT(ETpd2)의 드레인에 연결된다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 타이밍도이다.
도 12를 참조하면, 인버터부(134)는 스위칭 TFT(Ts)를 순차적으로 턴-온 하기 위한 게이트 신호를 생성하는 시프트 레지스터(shift register)의 출력신호(SR(n))에 응답하여 에미션 신호(EM(n))를 출력한다.
에미션 신호(EM(n))는 시프트 레지스터의 출력신호(SR(n))의 상승에지 시점에 하이 레벨로부터 로우 레벨로 천이하고 제1클럭(ECLK1)의 상승에지 시점에 로우 레벨로부터 하이 레벨로 천이하여 생성된다.
에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트에는 에미션 부스팅 커패시터(ECb)의 일단이 연결되어 있다. 에미션 부스팅 커패시터(ECb)의 타단에는 제3 클럭(ECLK3)이 주기적으로 입력된다.
따라서, 제3 클럭(ECLK3)이 입력될 때마다 에미션 부스팅 커패시터(ECb)는 에미션 Q노드(Q)를 부스팅시켜주고, 이에 따라 에미션 풀업(pull-up) TFT(ETpu)의 게이트에 부스팅된 전압이 인가된다. 따라서, 고온 신뢰성 환경에서 TFT에 전류 누설(leakage)이 발생하더라도 에미션 Q 노드의 전압은 정상적으로 유지될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 에미션 Q 노드 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 13을 참조하면, 고온 신뢰성 환경에서 TFT에 전류 누설(leakage)이 발생하는 것과 상관없이 인버터부의 에미션 Q 노드는 제3 클럭(ECLK3)이 인가될 때마다 전압이 시간이 12V이상으로 유지될 수 있다.
이것은 인버터의 에미션 Q노드에 연결되는 에미션 부스팅 커패시터가 전기적으로 플로팅된 상태에서 주기적으로 제3 클럭(ECLK3)이 인가될때마다 에미션 Q노드 전압을 주기적으로 부스팅시켜 주기 때문이다. 그래프에서 전압의 최고치가 주기적으로 나타나는 것은 제3 클럭(ECLK3)이 인가되는 시점을 나타내는 것이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 인버터부의 출력 전압의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
도 14를 참조하면, 인버터부의 에미션 Q 노드의 전압이 12V 이상으로 유지됨에 따라 인버터부의 에미션 출력 전압은 일률적으로 유지될 수 있으며, 출력 저하가 발생되지 않는다.
에미션 부스팅 커패시터에 의해 에미션 Q노드 전압이 주기적으로 부스팅됨에 따라 고온 환경에서 TFT가 열화됨으로 인해 전류 누설이 발생하더라도 인버터의 에미션 출력 전압이 저하되지 않고 안정적으로 유지될 수 있다.
인버터부의 에미션 출력 전압이 정상적으로 유지되면 발광 트랜지스터의 턴-온 정도를 정상적으로 동작시킬 수 있다. 발광다이오드에 흐르는 다이오드 전류가 정상적으로 제공됨에 따라 표시패널의 가로 화소라인이 불규칙하게 어두워지는 불규칙 가로줄무늬와 같은 불량이 방지될 수 있다.
상술한 실시예에서는 인버터부가 표시패널의 일측에 형성된 것에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 인버터부가 표시패널의 양측에 각각 형성될 수 도 있다.
인버터부가 표시패널의 일측에 형성되는 경우에는 베젤에서 인버터부가 차지하는 면적이 작음에 따라 소형 사이즈의 유기 발광 다이오드 표시 장치에서 표시패널의 크기를 보다 크게 구현할 수 있다.
한편, 대면적 표시패널을 사용하는 유기 발광 다이오드 표시 장치에서는 인버터부가 표시패널의 양측에 형성되는 것이 화소 영역을 제어하기 위한 회로의 부하를 줄이는데 좀더 효과적일 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 다수의 화소 영역을 포함하는 표시패널;
    입력된 신호에 응답하여 드라이빙 TFT의 스위칭을 통해 상기 다수의 화소 영역 각각에 에미션 신호를 공급하며, 상기 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압을 주기적으로 부스팅시키는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하는 게이트 구동부;
    상기 다수의 화소 영역 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 게이트 구동부에 게이트 제어신호를 공급하고 상기 데이터 구동부에 데이터 제어 신호 및 영상 데이터를 공급하는 타이밍 제어부를 포함하고,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT는 게이트가 에미션 Q노드에 연결되고 드레인이 전원전압에 연결되며 소스는 에미션 신호 출력단에 연결되고,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 일단이 상기 에미션 Q노드에 연결되고 타단이 주기적으로 입력되는 부스팅 클럭과 연결되며,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 턴온이 유지되고 상기 부스팅 클럭이 입력되는 경우 상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키고,
    상기 게이트 구동부는
    드레인이 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 소스에 연결되는 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT; 게이트, 드레인, 소스가 각각 레지스터 출력전압, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스, 기저전압에 연결되는 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT; 게이트, 소스가 각각 레지스터 출력전압, 기저전압에 연결되는 제1 에미션 TFT; 게이트, 드레인, 소스가 각각 에미션 클럭, 전원전압, 제1 에미션 TFT의 드레인과 상기 에미션 Q노드에 연결되는 제2 에미션 TFT; 및 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 출력전압, 전원전압, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스와 상기 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 드레인에 연결되는 제3 에미션 TFT를 더 포함하고,
    상기 제2 에미션 TFT는 상기 에미션 클럭이 입력되면 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트에 동작 전원을 공급하여 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT을 턴온시키며,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 클럭에 의해 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트의 동작 전원을 유지하는 상태에서, 상기 부스팅 클럭이 입력되면, 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키는, 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 에미션 TFT, 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT, 상기 제1에미션 풀다운(pull-up) TFT 및 상기 제2 에미션 풀다운(pull-up) TFT는 각각 포지티브 타입인 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 상기 표시패널의 다수의 수평화소라인에 대응되는 복수의 스테이지를 포함하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 상기 표시패널의 일측에 형성된 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 상기 표시패널의 양측에 각각 형성된 표시 장치.
  9. 표시 장치에 구비되는 다수의 화소 영역 각각에 에미션 신호를 공급하는 게이트 구동 회로로서,
    입력된 신호에 응답하여 다수의 화소 영역 각각에 전원전압 또는 기저전압을 상기 에미션 신호로 출력하는 드라이빙 TFT;
    상기 드라이빙 TFT의 턴온/턴오프를 제어하기 위한 복수의 스위칭 TFT; 및
    상기 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압을 주기적으로 부스팅하는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하고,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT는 게이트가 에미션 Q노드에 연결되고 드레인이 전원전압에 연결되며 소스는 에미션 신호 출력단에 연결되고,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 일단이 상기 에미션 Q노드에 연결되고 타단이 주기적으로 입력되는 부스팅 클럭과 연결되며,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 턴온이 유지되고 상기 부스팅 클럭이 입력되는 경우 상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키고,
    상기 드라이빙 TFT는
    드레인이 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 소스에 연결되는 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT; 및
    게이트, 드레인, 소스가 각각 QB노드, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스, 기저전압에 연결되는 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT를 포함하고,
    상기 복수의 스위칭 TFT는,
    게이트, 소스가 각각 레지스터 출력전압, 기저전압에 연결되는 제1 에미션 TFT;
    게이트, 드레인, 소스가 각각 상기 에미션 신호를 출력하기 위한 에미션 클럭, 전원전압, 제1 에미션 TFT의 드레인과 상기 에미션 Q노드에 연결되는 제2 에미션 TFT;
    게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 출력전압, 전원전압, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스와 상기 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 드레인에 연결되는 제3 에미션 TFT를 포함하며,
    상기 제2 에미션 TFT는 상기 에미션 클럭이 입력되면 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트에 동작 전원을 공급하여 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT을 턴온시키고,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 클럭에 의해 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트의 동작 전원을 유지하는 상태에서, 상기 부스팅 클럭이 입력되면, 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키는, 게이트 구동 회로.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 드라이빙 TFT 중 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드에 연결되며, 전기적으로는 플로팅되는 에미션 부스팅 커패시터를 포함하는 게이트 구동 회로를 준비하는 단계;
    상기 에미션 부스팅 커패시터에 부스팅 클럭을 인가하여 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드의 전압을 부스팅하는 단계;
    에미션 클럭을 인가하여 복수의 스위칭 TFT를 제어하여 상기 드라이빙 TFT를 통해 전원전압 또는 기저전압을 에미션 신호로 출력하는 단계; 및
    상기 출력된 에미션 신호를 표시 장치에 구비되는 다수의 화소 영역 각각에 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT는 게이트가 에미션 Q노드에 연결되고 드레인이 전원전압에 연결되며 소스는 에미션 신호 출력단에 연결되고,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 일단이 상기 에미션 Q노드에 연결되고 타단이 주기적으로 입력되는 부스팅 클럭과 연결되며,
    상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 턴온이 유지되고 상기 부스팅 클럭이 입력되는 경우 상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키고,
    상기 게이트 구동 회로는
    드레인이 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 소스에 연결되는 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT; 게이트, 드레인, 소스가 각각 레지스터 출력전압, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스, 기저전압에 연결되는 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT; 게이트, 소스가 각각 레지스터 출력전압, 기저전압에 연결되는 제1 에미션 TFT; 게이트, 드레인, 소스가 각각 에미션 클럭, 전원전압, 제1 에미션 TFT의 드레인과 상기 에미션 Q노드에 연결되는 제2 에미션 TFT; 및 게이트, 드레인, 소스는 각각 에미션 출력전압, 전원전압, 상기 제1 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 소스와 상기 제2 에미션 풀다운(pull-down) TFT의 드레인에 연결되는 제3 에미션 TFT를 더 포함하고,
    상기 제2 에미션 TFT는 상기 에미션 클럭이 입력되면 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트에 동작 전원을 공급하여 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT을 턴온시키며,
    상기 에미션 부스팅 커패시터는 상기 에미션 클럭에 의해 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트의 동작 전원을 유지하는 상태에서, 상기 부스팅 클럭이 입력되면, 상기 에미션 풀업(pull-up) TFT의 게이트 노드를 부스팅시키는, 표시 장치의 구동 방법.
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