JP2010008942A - 画素回路及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】周辺回路を複雑にせずに誤発光による画質低下を抑え階調制御を容易にする。
【解決手段】画素回路２２は、ＯＬＥＤ３０と、ノーマリオン特性であり駆動特性が異なる高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂと、高輝度用駆動トランジスタを選択して駆動するための選択用トランジスタ３２と、一端が高輝度用駆動トランジスタ及び低輝度用駆動トランジスタのゲートに接続された第１のコンデンサ３８Ａと、一端が選択用トランジスタ３２のゲートに接続された第２のコンデンサ３８Ｂと、画像データが出力されるデータラインＤａｔａと第１のコンデンサ３８Ａとの間に接続された第１のスイッチ３６Ａと、選択用トランジスタ３２をオンオフするための信号が出力される駆動信号ラインＤｒｖと第２のコンデンサ３８との間に接続された第２のスイッチ３６Ａと、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、画素回路及び表示装置に係り、特に、発光ダイオードを用いた画素回路及び表示装置に関する。

近年、表示素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（以下、ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を用いた表示装置が注目されており、ＯＬＥＤを駆動する回路等で様々な技術が提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。このＯＬＥＤを駆動させるためには、例えば図８に示すように、最低２つのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成される駆動トランジスタが必要となる。図８に示す画素回路１００では、スキャンライン１０２にスキャン信号が出力されてスイッチングトランジスタ１０４がオンし、データライン１０６にデータ信号（画像信号）が出力されると、データ信号に応じて保持容量素子１０８が充電される。そして、スイッチングトランジスタ１０４がオフされると、保持容量素子１０８に充電されたデータ信号に応じた電圧が駆動トランジスタ１１０のゲートに印加される。これにより、画像に応じた輝度でＯＬＥＤ１１２が発光する。

ＯＬＥＤ１１２は、液晶と異なって電流駆動素子であり、その輝度は駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓで制御する。すなわち、ＯＬＥＤ１１２は、ゲート−ソース間電圧に応じて流れるドレイン電流に応じた輝度で発光する。このため、駆動トランジスタ１１０のゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性がシフトする（以下、特性シフト）と表示パネルの輝度が変化してしまう。従って、各画素の駆動トランジスタに求められる特性としては、各駆動トランジスタの信頼性が高いこと、すなわち通電による特性シフトが発生したり電荷の移動度に変化が発生したりするなどの特性変化が少ないことと、輝度ムラがなく面内均一性があること、すなわち各駆動トランジスタの特性のバラツキが少ないことの２点が挙げられる。

ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）などで構成された無機酸化物のＴＦＴをＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、上記の駆動トランジスタに求められる特性のうち、面内均一性に関しては優れていることが報告されている（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ２００７ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＴＦＴ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｎｃｅ、Ｒｏｍｅ、Ｉｔａｌｙ ７．２）。

また、無機酸化物のＴＦＴではノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧がゼロでもドレイン電流が流れる特性になりやすく、上記の信頼性に関しては、ノーマリオン特性を示すＴＦＴの方が、特性シフトが小さい傾向を示し駆動トランジスタに適している。
特開２００３−１５０１０４号公報 特開２０００−３４７６２４号公報 特開２００４−３１７６７７号公報

しかしながら、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを上記特許文献１〜３に記載されたようなＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、漏れ電流が流れてＯＬＥＤが誤発光し、画質が低下してしまう。このため、例えばデータラインを制御するデータドライバの接地線を０Ｖより低い電位とするためにマイナス電源が必要になる等、周辺回路が複雑になる、という問題があった。また、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを用いた場合、特性シフトにより階調制御が困難になる、という問題もあった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、周辺回路を複雑にすることなく、誤発光による画質低下を抑えると共に階調制御を容易にすることが可能な画素回路及び表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１記載の発明の画素回路は、アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、ノーマリオン特性である第１の駆動トランジスタと、ノーマリオン特性であると共に、ドレインが前記発光ダイオードのカソードに接続され、且つ前記第１の駆動トランジスタよりもゲート長に対するゲート幅の比が小さい第２の駆動トランジスタと、前記第１の駆動トランジスタのドレインと前記発光ダイオードのカソードとの間に接続され、前記第１の駆動トランジスタを選択して駆動するための選択用トランジスタと、一端が前記第１の駆動トランジスタ及び前記第２の駆動トランジスタのゲートに各々接続され、他端が接地された第１の容量素子と、一端が前記選択用トランジスタのゲートに接続され、他端が接地された第２の容量素子と、一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記第１の容量素子の一端及び前記第１の駆動トランジスタ及び前記第２の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記第１の容量素子を充電するための第１のスイッチと、一端が前記選択用トランジスタをオンオフするための信号が出力される駆動信号ラインに接続され、他端が前記第２の容量素子の一端及び前記選択用トランジスタのゲートに接続された、前記第２の容量素子を充電するための第２のスイッチと、を備えた構成としている。なお、請求項２に記載したように、前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である構成とすることができる。

このように、ノーマリオン特性の第１の駆動トランジスタ及び第２の駆動トランジスタとを用いるため、特性シフトが少なく発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができる。また、所望の階調領域を、ゲート長に対するゲート幅の比が異なる、すなわち駆動特性が異なる第１の駆動トランジスタと第２の駆動トランジスタとで分担することが可能となるため、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。

請求項３記載の発明は、複数の前記請求項１又は請求項２記載の画素回路と、前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記第１のスイッチ及び第２のスイッチをオンするスイッチ制御手段と、前記データ出力期間の後、前記画像データが予め定めた高階調領域の画像データである場合には、前記選択用トランジスタをオンするための信号を前記駆動信号ラインに出力し、前記画像データが前記高階調領域以外の低階調領域の画像データである場合には、前記選択用トランジスタをオフするための信号を出力する信号出力手段と、を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、特性シフトが少ないノーマリオン特性であると共に駆動特性が異なる第１の駆動トランジスタ及び第２の駆動トランジスタを備えた構成の画素回路を備えているため、発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができると共に、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。

本発明によれば、周辺回路を複雑にすることなく、誤発光による画質低下を抑えると共に階調制御を容易にすることが可能になる、という効果を有する。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

図１には、本実施形態に係る表示装置１０の概略構成図を示した。この表示装置１０は、ＯＬＥＤを用いた表示パネル１２、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路２０を含んで構成されている。

表示パネル１２は、Ｎ行Ｍ列分の画素回路２２_１１〜２２_ＮＭを備えている。走査線駆動回路１４と１行目の画素回路２２_１１〜２２_１Ｍとは、走査線ｓｃａｎ１により接続されており、走査線駆動回路１４と２行目の画素回路２２_２１〜２２_２Ｍとは、走査線ｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、走査線駆動回路１４とＮ行目の画素回路２２_Ｎ１〜２２_ＮＭとは、走査線ｓｃａｎＮにより接続されている。

データ線駆動回路２０と１列目の画素回路２２_１１〜２２_Ｎ１とは、データ線Ｄａｔａ１及び駆動信号線Ｄｒｖ１により接続されており、データ線駆動回路２０と２列目の画素回路２２_１２〜２２_Ｎ２とは、データ線Ｄａｔａ２及び駆動信号線Ｄｒｖ２により接続されており、以下同様に、データ線駆動回路２０とＭ列目の画素回路２２_１Ｍ〜２２_ＮＭとは、データ線ＤａｔａＭ及び駆動信号線ＤｒｖＭにより接続されている。

なお、各画素回路は同一構成であるため、画素回路を特に限定しない場合には、単に画素回路２２と称する。また、データ線、駆動信号線、走査線についても、特に限定しない場合には、それぞれ単にＤａｔａ、Ｄｒｖ、ｓｃａｎと称する。

図２には、画素回路２２の回路図を示した。同図に示すように、画素回路２２は、ＯＬＥＤ３０、選択用トランジスタ３２、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂ、第１のスイッチ３６Ａ、第２のスイッチ３６Ｂ、第１のコンデンサ３８Ａ、及び第２のコンデンサ３８Ｂを含んで構成されている。

ＯＬＥＤ３０のアノードは、所定の電源Ｖｄｄに接続されており、カソードは、選択用トランジスタ３２及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのドレインに接続されている。

選択用トランジスタ３２のソースは、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレインに接続されている。高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのソースは、接地されている。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートは、第１のコンデンサ３８Ａの一端が接続されている。第１のコンデンサ３８Ａの他端は接地されている。第１のコンデンサ３８Ａは、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間電圧を保持する機能を有する。

第１のスイッチ３６Ａの一端は、データ線Ｄａｔａに接続されており、他端は、第１のコンデンサ３８Ａの一端、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに接続されている。

データ線Ｄａｔａには、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａにより、画素回路２２で表示すべき画素の画像データ（輝度値）に応じた電圧が出力される。図２に示すように、電圧供給回路２０Ａは、画像データに応じた電圧を出力する電圧源４０と、ＯＬＥＤ３０を発光させるために第１のコンデンサ３８Ａを充電するための期間においてオンするスイッチ４２と、を含む構成である。

選択用トランジスタ３２のゲートは、第２のコンデンサ３８Ｂの一端が接続されている。第２のコンデンサ３８Ｂの他端は接地されている。第２のコンデンサ３８Ｂは、選択用トランジスタ３２のゲート−ソース間電圧を保持する機能を有する。

第２のスイッチ３６Ｂの一端は、駆動信号線Ｄｒｖに接続されており、他端は、選択用トランジスタ３２のゲートに接続されている。

駆動信号線Ｄｒｖには、データ線駆動回路２０の電圧回路２０Ｂにより、画素回路２２で表示すべき画素の画像データが高階調領域の画像データであれば選択用トランジスタ３２をオンするための所定の電圧Ｖが出力され、当該画像データが低階調領域の画像データであれば０Ｖが出力される、すなわち接地される。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂは、ノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖであってもドレイン電流が流れる特性である、無機酸化物のＴＦＴで構成されている。

図３には、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示すものとして、ゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性の特性図を示した。同図において、実線で示す駆動特性４４Ａが高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの特性を示し、一点鎖線で示す駆動特性４４Ｂが低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示している。

ここで、ＯＬＥＤ３０が最大輝度で発光するときの駆動電流を１μＡ（１×１０^−６Ａ）とすると、駆動特性４４Ａのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖでドレイン電流ＩＤが１×１０^−８Ａとなり、ＯＮ／ＯＦＦ比が１００：１となる。このため、ＯＬＥＤ３０のような電流駆動型の発光素子においては、コントラストが低下するだけでなく、階調数も制限されてしまう。

一方、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖにおけるドレイン電流ＩＤを低下させるために、駆動特性４４Ｂのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、高輝度で発光させるために必要な電圧が非常に高くなってしまい、消費電力が増大してしまう。

そこで、本実施形態では、図３に示すように、高階調領域４６Ａにおいては、高輝度用駆動トランジスタ３４ＡによりＯＬＥＤ３０を駆動し、低階調領域４６Ｂにおいては、低輝度用駆動トランジスタ３４ＢによりＯＬＥＤ３０を駆動する。これにより、コントラストの低下や階調数が制限されるのを防ぐことができると共に、消費電力の増大を抑制することができる。

なお、駆動トランジスタのゲート幅をＷ、ゲート長をＬとした場合に、Ｗ／Ｌ比を調整することにより、図３の駆動特性４４Ａのような高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、駆動特性４４Ｂのような低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを作製することができる。すなわち、Ｗ／Ｌを大きくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が多く流れるトランジスタを作製することができ、Ｗ／Ｌを小さくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が少ないトランジスタを作製することができる。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとして用いるＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ９２， １３３５０３ ２００８”に記載された方法により作製することができる。

一方、選択用トランジスタ３２は、本実施形態では、ノーマリオフ型、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合はドレイン電流が流れない図４に示すような駆動特性のＴＦＴにより構成される。これは、ゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れることによりＯＬＥＤ３０が誤発光するのを防ぐためである。このようなＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ９１， ０９１９１０ ２００７”に記載された方法により作製することができる。なお、選択用トランジスタ３２をノーマリオフ型のＴＦＴとすることにより、特性シフトが発生する場合があるが、選択用トランジスタ３２は、単にスイッチとして用いるので、特性シフトが発生してもそのマージンを見込んで適切にオンオフできる範囲で制御すれば特に問題はない。

次に、画素回路２２の具体的な動作について説明する。

図５には、データ線駆動回路２０から出力される画像データが高階調領域の画像データである場合における走査線ｓｃａｎ、駆動信号線Ｄｒｖ、データ線Ｄａｔａに出力される信号のタイミングチャートを、図６には、データ線駆動回路２０から出力される画像データが高階調領域の画像データである場合における走査線ｓｃａｎ、駆動信号線Ｄｒｖ、データ線Ｄａｔａに出力される信号のタイミングチャートをそれぞれ示した。

図５、６において、ｔ１〜ｔ３までが１フレームの期間である。

まず、画像データが高階調領域の画像データである場合について説明する。図５に示すように、ｔ１−ｔ２のデータ出力期間で、走査線駆動回路１４により走査線ｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、第１のスイッチ３６Ａ及び第２のスイッチ３６Ｂがオンされる。

また、これに同期して、データ線駆動回路２０の電圧回路２０Ｂにより駆動信号線Ｄｒｖに所定の電圧Ｖが出力される。これにより、図７（Ａ）に示す経路Ｒ１を充電電流が流れるため、第２のコンデンサ３８Ｂが充電される。

さらに、これに同期して、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオンする。これにより、画像データに応じて定められた高輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力され、データ線Ｄａｔａに出力された高輝度用駆動電流が図７（Ａ）に示す経路Ｒ２を流れるため、第１のコンデンサ３８Ａが充電される。

そして、第１のコンデンサ３８Ａ及び第２のコンデンサ３８Ｂが充電され、データ出力期間が終了すると、ｔ２−ｔ３の高輝度発光期間では、走査線ｓｃａｎがローレベルとされる。また、これと同期して、データ線駆動回路２０の電圧回路２０Ｂにより駆動信号線Ｄｒｖが接地され、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオフする。これにより、図７（Ｂ）に示すように、第１のスイッチ３６Ａ及び第２のスイッチ３６Ｂがオフする。このとき、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間には、充電された第１のコンデンサ３８Ａにより駆動電圧が印加されていると共に、選択用トランジスタ３２のゲート−ソース間には、充電された第２のコンデンサ３８Ｂにより選択用トランジスタ３２をオンするための電圧が印加されているため、図７（Ｂ）に示す経路Ｒ３、Ｒ４に電流が流れる。これにより、ＯＬＥＤ３０が画像データに応じて高輝度で発光する。

次に、画像データが低階調領域の画像データである場合について説明する。図６に示すように、ｔ１−ｔ２のデータ出力期間で、走査線駆動回路１４により走査線ｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、第１のスイッチ３６Ａ及び第２のスイッチ３６Ｂがオンされる。

また、これに同期して、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオンする。これにより、画像データに応じて定められた高輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力され、データ線Ｄａｔａに出力された高輝度用駆動電流が図８（Ａ）に示す経路Ｒ５を流れるため、第１のコンデンサ３８Ａが充電される。

なお、データ線駆動回路２０の電圧回路２０Ｂにより駆動信号線Ｄｒｖは接地されるため、第２のコンデンサ３８Ｂを充電するための電流は流れず、第２のコンデンサ３８Ｂは充電されない。

そして、第１のコンデンサ３８Ａが充電され、データ出力期間が終了すると、ｔ２−ｔ３の高輝度発光期間では、走査線ｓｃａｎがローレベルとされる。これにより、図８（Ｂ）に示すように、第１のスイッチ３６Ａ及び第２のスイッチ３６Ｂがオフする。このとき、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間には、充電された第１のコンデンサ３８Ａにより駆動電圧が印加されているため、図８（Ｂ）に示す経路Ｒ５に電流が流れる。これにより、ＯＬＥＤ３０が画像データに応じて低輝度で発光する。

なお、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのゲート−ソース間には、充電された第１のコンデンサ３８Ａにより駆動電圧が印加されているものの、第２のコンデンサ３８Ｂが充電されておらず、選択用トランジスタ３２がオフであるため、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａには電流は流れない。

このような処理が１行目の画素回路２２_１１〜２２_１ＭからＮ行目の画素回路２２_Ｎ１〜２２_ＮＭまで順次走査されて実行されることにより、表示パネル１２に画像が表示される。

このように、本実施形態では、ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを並列接続すると共に選択用トランジスタ３２を高輝度用駆動トランジスタ３４ＡとＯＬＥＤ３０との間に接続した構成とし、高輝度領域と低輝度領域とで各駆動トランジスタを別々に駆動するため、周辺回路を複雑にせずに誤発光による画質低下を抑えると共に、階調制御を容易にすることが可能になる。

表示装置の概略構成図である。 画素回路の回路図である。 ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ及び低輝度用駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す特性図である。 ノーマリオフ特性の選択用トランジスタの特性図である。 高輝度で発光する場合における走査線ｓｃａｎ、駆動信号線Ｄｒｖ、データ線Ｄａｔａのタイミングチャートである。 低輝度で発光する場合における走査線ｓｃａｎ、駆動信号線Ｄｒｖ、データ線Ｄａｔａのタイミングチャートである。 （Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は高輝度用駆動で発光する場合における電流の流れについて説明するための図である。 （Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は低輝度で発光する場合における電流の流れについて説明するための図である。 従来のＯＬＥＤ駆動回路の回路図である。

符号の説明

１０ 表示装置
１２ 表示パネル
１４ 走査線駆動回路
２０ データ線駆動回路
２０Ａ 電圧供給回路
２２ 画素回路
３２ 選択用トランジスタ
３４Ａ 高輝度用駆動トランジスタ
３４Ｂ 低輝度用駆動トランジスタ
３６Ａ 第１のスイッチ
３６Ａ 第２のスイッチ
３８Ａ 第１のコンデンサ
３８Ｂ 第２のコンデンサ
４０ 電圧源
４２ スイッチ
ｓｃａｎ 走査線
Ｄｒｖ 駆動信号線
Ｄａｔａ データ線

Claims (3)

1. アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、
   ノーマリオン特性である第１の駆動トランジスタと、
   ノーマリオン特性であると共に、ドレインが前記発光ダイオードのカソードに接続され、且つ前記第１の駆動トランジスタよりもゲート長に対するゲート幅の比が小さい第２の駆動トランジスタと、
   前記第１の駆動トランジスタのドレインと前記発光ダイオードのカソードとの間に接続され、前記第１の駆動トランジスタを選択して駆動するための選択用トランジスタと、
   一端が前記第１の駆動トランジスタ及び前記第２の駆動トランジスタのゲートに各々接続され、他端が接地された第１の容量素子と、
   一端が前記選択用トランジスタのゲートに接続され、他端が接地された第２の容量素子と、
   一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記第１の容量素子の一端及び前記第１の駆動トランジスタ及び前記第２の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記第１の容量素子を充電するための第１のスイッチと、
   一端が前記選択用トランジスタをオンオフするための信号が出力される駆動信号ラインに接続され、他端が前記第２の容量素子の一端及び前記選択用トランジスタのゲートに接続された、前記第２の容量素子を充電するための第２のスイッチと、
   を備えた画素回路。
2. 前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である
   請求項１記載の画素回路。
3. 複数の前記請求項１又は請求項２記載の画素回路と、
   前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記第１のスイッチ及び第２のスイッチをオンするスイッチ制御手段と、
   前記データ出力期間の後、前記画像データが予め定めた高階調領域の画像データである場合には、前記選択用トランジスタをオンするための信号を前記駆動信号ラインに出力し、前記画像データが前記高階調領域以外の低階調領域の画像データである場合には、前記選択用トランジスタをオフするための信号を出力する信号出力手段と、
   を備えた表示装置。

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