CN106991971A - 显示装置、栅极驱动电路及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本公开内容涉及显示装置、栅极驱动电路及其驱动方法。根据本公开内容，当发射升压电容器被电浮置时，驱动TFT的栅极节点的电压响应于升压时钟信号而周期性地升高。因此，即使当在高温环境中在TFT中发生电流泄漏时，反相器的发射输出电压也不降低，并且因此诸如不规则的水平线图案(即，显示面板的水平像素线不规则地变暗)的缺陷被防止，使得显示质量得以提高。

Description

显示装置、栅极驱动电路及其驱动方法
技术领域
本公开内容涉及显示装置，其中，设置在显示装置中的栅极驱动电路的驱动薄膜晶体管(TFT)的栅极节点的电压周期性地升高，使得即使当由于在高温环境下TFT的劣化而发生电流泄漏时反相器的输出也不降低，并且涉及栅极驱动电路及其驱动方法。
背景技术
作为平板显示装置(FPD)之一的有机发光二极管(OLED)显示装置具有高亮度和低工作电压。
为自发光型的OLED显示装置具有高对比度，可以制造为超薄显示装置，具有约几微秒(μs)的快速响应时间使得能够平滑地再现运动图像，具有宽视角，在低温下稳定，并且可在5V至15V DC的低电压下工作，并且因此容易制造和设计用于OLED显示装置的驱动电路。
此外，由于沉积和封装过程占据OLED显示装置的制造过程的大部分，所以制造过程非常简单。
下面参照附图描述上述OLED显示装置。
图1示出了根据相关技术的OLED显示装置10。
如图1所示，OLED显示装置10可以包括：用于显示图像的显示面板20；用于提供栅极信号的栅极驱动单元30；用于提供数据信号的数据驱动单元40；以及用于提供栅极控制信号GCS、数据控制信号DCS和图像数据RGB的时序控制单元50。
显示面板20可以包括形成在基板(未示出)上的多个栅极线GL1至GLm、多个数据线DL1至DLn以及多个电源线PL1至PLn。栅极线GL1至GLm、数据线DL1至DLn和电源线PL1至PLn彼此交叉，从而形成像素区域P。
每个像素区域P设置有连接至栅极线GL1到GLm和数据线DL1到DLn的开关薄膜晶体管(TFT)Ts、连接至开关TFT Ts的驱动TFT Td和存储电容器Cs、以及连接至驱动TFT Td的发光二极管De。
栅极驱动单元30通过使用由时序控制单元50发送的栅极控制信号GCS来生成栅极信号，并且将所生成的栅极信号发送至显示面板20的栅极线GL1至GLm。
数据驱动单元40通过使用由时序控制单元50发送的数据控制信号DCS和图像数据RGB来生成数据信号，并且将所生成的数据信号发送至显示面板20的数据线DL1至DLn。
电源单元(未示出)经由数据驱动单元40向电源线PL1至PLn提供电源电压。
时序控制单元50通过使用从外部系统输入的图像信号IS、数据使能信号DE、水平同步信号HSY、垂直同步信号VSY和时钟信号CLK生成栅极控制信号GCS、数据控制信号DCS和图像数据RGB。
在如上配置的OLED显示装置10中，当开关TFT Ts响应于经由栅极线GL1至GLm施加的栅极信号而接通时，经由数据线DL1至DLn施加的数据信号经由开关TFT Ts被施加于驱动TFT Td，并且因此驱动TFT Td接通。经由电源线PL1至PLn施加的电流经由驱动TFT Td被施加于发光二极管De，从而能够显示灰度。
显示面板20还可以包括多个补偿元件(未示出)，以补偿驱动TFT Td的阈值电压Vth的变化。栅极驱动单元30可以包括用于生成栅极信号以使开关TFT Ts顺序地接通的移位寄存器和用于生成发射信号以控制补偿元件的反相器。
然而，在移位寄存器和反相器中，许多TFT处于高结应力下，即，TFT保持关断，这是因为高电压被施加在一(1)帧(图像显示的单位)的大部分中的漏极和源极之间。
在高结应力下的TFT可能具有诸如漏极引发势垒降低(DIBL)的故障，这在下面参照附图进行描述。
图2示出了漏极-源极电压Vds没有被施加于图1的OLED显示装置20的栅极驱动单元30的TFT。图3示出了漏极-源极电压Vds被施加于图1的OLED显示装置20的栅极驱动单元30的TFT。图4是示出图1的OLED显示装置20的栅极驱动单元30的TFT的电特性的图。
参照图2，在包括栅极G、漏极D和源极S的TFT中，当漏极-源极电压Vds没有施加在漏极D和源极S之间时，由栅极G、漏极D和源极S形成耗尽区DR，并且源极S的电子不被传送至漏极D，使得没有电流在TFT中流动。
参照图3，当在源极S和漏极D之间施加相对高的电压的漏极-源极电压Vds时，通过漏极D的耗尽区DR沿朝向源极S的方向延伸，并且因此元件的势垒高度降低。因此，源极S的一些电子被传送至漏极D，并且因此电流在TFT中流动。
上述现象被称为漏极引发势垒降低。随着TFT的沟道的长度L减小并且漏极D的电压增大，漏极引发势垒降低变得严重。
漏极引发势垒降低可以由TFT的阈值电压Vth的变化表示。例如，在正型(p型)TFT中，随着漏极-源极电压Vds增大，阈值电压Vth沿栅极-源极电压Vgs的正方向移动，从而增大关断电流。
换句话说，参照图4，随着漏极-源极电压Vds从约-0.1V至约-10.1V和约-20.1V增加，阈值电压Vth沿栅极-源极电压Vgs的正方向移动。因此，当栅极-源极电压Vgs为约0V时，TFT的漏极-源极电流Ids从约10fA(1E-14A)至约1pA(1E-12A)和约10nA(1E-8A)变化，并且因此当TFT关断时的关断电流增加。
TFT的关断电流的增加导致栅极驱动单元30的故障。这种问题可能在最近已经引入的面板中栅极(GIP)型柔性OLED显示装置中更严重。
在面板中栅极型OLED显示装置中，通过与制造显示面板20的开关TFT Ts和驱动TFT Td相同的过程来制造构成栅极驱动单元的多个TFT，并且因此栅极驱动单元形成在显示面板的基板上。
柔性基板用于薄且轻的显示装置的柔性OLED显示装置中。例如，柔性基板由诸如聚酰亚胺(PI)的聚合物材料形成。
因此，在面板中栅极型柔性OLED显示装置中，构成栅极驱动单元的TFT形成在柔性基板上。由于聚酰亚胺的热扩散率(约0.08mm2/s)远低于玻璃的热扩散率(0.34mm2/s)，因此柔性基板的散热性能比玻璃基板的散热性能低得多。因此，在柔性基板上的TFT中，根据接通/关断的重复操作的焦耳热未消散，并且漏极引发势垒降低更严重。
栅极驱动单元的移位寄存器的TFT的故障通过输出多个栅极信号来使多个开关TFT接通或通过输出多个采样信号来使多个采样晶体管接通来增加发光二极管中流动的二极管电流。因此，发生诸如白化现象(即，显示面板20的一部分的亮度增加)的缺陷。
栅极驱动单元的反相器的TFT的故障增加了发射信号的电压电平，使得发光晶体管的接通程度减小。因此，发光二极管中流动的二极管电流减小，并且因此发生诸如不规则的水平线图案(即，显示面板20的水平像素线的不规则地变暗)的缺陷。
图5是示出了相关技术的OLED显示装置的反相器单元的发射Q节点的电特性的图。
参照图5，当在高温可靠性环境中在TFT中发生的电流泄漏时，反相器单元的发射Q节点的电压随着时间的流逝逐渐降至12V。发射Q节点的电压降不仅可以在高温可靠性环境中生成，而且可以通过TFT的劣化生成。Q节点表示驱动TFT的栅极节点。
图6是示出相关技术的OLED显示装置的反相器单元的输出电压的电特性的图。
参照图6，当反相器单元的发射Q节点的电压下降至12V时，反相器单元的发射输出电压达到12V。因此，由于发光晶体管的接通程度根据发射输出电压的降低而减小，所以发光二极管中流动的二极管电流减小，并且因此发生诸如不规则的水平线图案(即，显示面板20的水平像素线的不规则地变暗)的缺陷。
发明内容
本公开内容的目的是提供一种显示装置、栅极驱动电路及其驱动方法，在所述显示装置中，设置在显示装置中的栅极驱动电路的驱动TFT的栅极节点的电压周期性地升高，使得即使当由于在高温环境下TFT的劣化而发生电流泄漏时反相器的发射输出电压也不降低。
本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中领会其他目的和优点。此外，将容易理解，本公开内容的目的和优点可以通过所附权利要求中所述的手段及其组合来实践。
根据本公开内容的一个方面，一种有机发光二极管显示装置包括显示面板、提供发射信号的栅极驱动单元、以及时序控制器。栅极驱动单元通过使输入信号反相、通过驱动TFT的开关来向多个像素区域中的每个像素区域提供发射信号。栅极驱动TFT包括周期性地升高被施加于驱动TFT的栅极节点的电压的发射升压电容器。
根据本公开内容的另一方面，一种驱动显示装置的方法包括：准备连接至驱动TFT的栅极节点并且包括被电浮置的发射升压电容器的栅极驱动电路；通过向发射升压电容器施加升压时钟信号来升高驱动TFT的栅极节点的电压；当发射时钟信号被输入时通过控制多个开关TFT来经由驱动TFT输出电源电压或基电压作为发射信号；以及向设置在显示装置中的多个像素区域中的每个像素区域提供输出发射信号。
附图说明
图1示出了根据相关技术的有机发光二极管(OLED)显示装置。
图2示出了漏极-源极电压没有被施加于图1的OLED显示装置的栅极驱动单元的TFT。
图3示出了漏极-源极电压被施加于图1的OLED显示装置的栅极驱动单元的TFT。
图4是示出了图1的OLED显示装置的栅极驱动单元的TFT的电特性的图。
图5是示出了图1的OLED显示装置的反相器单元的发射Q节点的电特性的图。
图6是示出了图1的OLED显示装置的反相器单元的输出电压的电特性的图。
图7示出了根据本发明的实施方式的OLED显示装置。
图8是图7的OLED显示装置的像素区域的电路图。
图9是根据本发明的实施方式的驱动OLED显示装置的方法的流程图。
图10是图7的OLED显示装置的反相器单元的电路图。
图11是图7的OLED显示装置的反相器单元的发射Q节点的电压的时序图。
图12是图7的OLED显示装置的反相器单元的输出时序图。
图13是示出了图7的OLED显示装置的反相器单元的发射Q节点的电特性的图。
图14是示出了图7的OLED显示装置的反相器单元的输出电压的电特性的图。
具体实施方式
通过参照附图的详细描述，上述目的、特征和优点将变得明显。足够详细地描述实施方式以使得本领域技术人员能够容易地实践本公开内容的技术思想。可以省略公知功能或配置的详细描述，以免不必要地模糊本公开内容的要点。在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的实施方式。贯穿附图，相同的附图标记表示相同的元件。
图7示出了根据本发明的实施方式的OLED显示装置110。图8是图7的OLED显示装置110的像素区域的电路图。
参照图7，OLED显示装置110可以包括：用于显示图像的显示面板120；用于提供栅极信号的栅极驱动单元130；用于提供数据信号的数据驱动单元140；以及用于提供栅极控制信号GCS、数据控制信号DCS和图像数据RGB的时序控制单元150。
显示面板120可以包括形成在基板(未示出)上的多个栅极线GL1至GLm、多个采样线SL1至SLm、多个发射线EL1至Elm、多个数据线DL1至DLn、以及多个电源线PL1至PLn。栅极线GL1至GLm、采样线SL1至SLm以及发射线EL1至Elm与数据线DL1至DLn和电源线PL1至PLn交叉，从而形成像素区域P。
栅极驱动单元130通过使用由时序控制单元150发送的栅极控制信号GCS来生成栅极信号，并且将所生成的栅极信号发送至显示面板120的栅极线GL1至GLm。
栅极驱动单元130可以通过其中栅极驱动单元形成在显示面板120的基板上的面板中栅极(GIP)方法形成。例如，栅极驱动单元130的多个薄膜晶体管(TFT)可以通过与显示面板120的像素区域P中的多个TFT相同的过程来形成。
数据驱动单元140通过使用数据控制信号DCS和由时序控制单元150发送的图像数据RGB来生成数据信号，并且将所生成的数据信号发送至显示面板120的数据线DL1至DLn。
电源单元(未示出)经由数据驱动单元140向电源线PL1至PLn提供电源电压。
时序控制单元150通过使用从外部系统输入的图像信号IS、数据使能信号DE、水平同步信号HSY、垂直同步信号VSY和时钟信号CLK生成栅极控制信号GCS、数据控制信号DCS和图像数据RGB。
在如上配置的OLED显示装置110中，当开关TFT Ts响应于经由栅极线GL1至GLm施加的栅极信号而接通时，经由数据线DL1至DLn施加的数据信号经由开关TFT Ts被施加于驱动TFT Td，并且因此驱动TFT Td接通。经由电源线PL1至PLn施加的电流经由驱动TFT Td被施加于发光二极管De，从而能够显示灰度。
显示面板120的每个像素区域P还可以包括多个补偿元件(未示出)，以补偿驱动TFT Td的阈值电压Vth的变化。
参照图8，显示面板120的每个像素区域P可以包括开关TFT Ts、驱动TFT Td、第一补偿TFT T1至第四补偿TFT T4、存储电容器Cs、以及发光二极管De，其中开关TFT Ts、驱动TFT Td、第一补偿TFT T1至第四补偿TFT T4可以是正型(p型)。
开关TFT Ts的栅极、漏极和源极分别连接至栅极线GL、存储电容器Cs的一端和数据线DL。驱动TFT Td的栅极、漏极和源极分别连接至存储电容器Cs的另一端、第三补偿晶体管T3的源极和电源线PL。
为采样TFT的第一补偿TFT T1的栅极、漏极和源极分别连接至采样线SL、驱动TFTTd的漏极和驱动TFT Td的栅极。第一补偿TFT T1可以形成为两个晶体管串联连接的双栅极型。
第二补偿TFT T2的栅极、漏极和源极分别连接至采样线SL、参考电压Vref和第四补偿TFT T4的漏极。第三补偿TFT T3的栅极、漏极和源极分别连接至发射线EL、参考电压Vref和存储电容器Cs的所述一端。为发射TFT的第四补偿TFT T4的栅极、漏极和源极分别连接至发射线EL、驱动TFT Td的漏极和发光二极管De的一端。发光二极管De的另一端接地。
为栅极信号的第N寄存器输出电压SRO(N)被施加于栅极线GL。为数据信号的数据电压Vdata被施加于数据线DL。电源电压EVDD被施加于电源线PL。将为采样信号的第(N-1)寄存器输出电压SRO(N-1)施加于采样线SL。为发射信号的发射输出电压EMO被施加于发射线EL。
在像素区域P中，在施加第N寄存器输出电压SRO(N)之前的时间段期间，第(N-1)寄存器输出电压SRO(N-1)被施加于采样线SL，使得第一补偿TFT T1接通。因此，改变的阈值电压Vth存储在存储电容器Cs中。
然后，第N寄存器输出电压SRO(N)被施加于栅极线GL，并且因此开关TFT Ts接通，并且数据电压Vdata被传送至存储电容器Cs。由于驱动TFT Td通过数据电压Vdata和改变的阈值电压Vth的和电压而接通，因此补偿了驱动TFT Td的阈值电压的变化。
为了将栅极信号、采样信号和发射信号施加于显示面板120的每个像素区域P，栅极驱动单元130可以包括用于输出栅极信号和采样信号的移位寄存器单元132、以及用于输出发射信号的反相器单元134。移位寄存器单元132将由栅极信号、采样信号和发射信号组成的寄存器输出电压SRO直接输入至每个像素区域P。反相器单元134通过使用移位寄存器单元132的寄存器输出电压SRO或单独的移位寄存器单元的输出电压来生成发射信号，并且将为发射信号的发射输出电压EMOutput直接输入至每个像素区域P。
反相器单元134可以包括发射升压电容器，其连接至发射Q节点并且被电浮置以响应于周期性施加的时钟信号来周期性地升高发射Q节点的电压。Q节点表示驱动TFT Td的栅极节点。
发射升压电容器连接至发射上拉TFT的栅极，并且周期性地接收时钟信号以使发射Q节点升压。
因此，每当特定时钟信号被输入时，发射升压电容器使发射Q节点升压。因此，升压电压可以被施加于发射上拉TFT的栅极。因此，在高温可靠性环境中，即使在发射上拉TFT中发生电流泄漏时，发射Q节点的电压也可以保持正常。
图9是根据本发明的实施方式的驱动OLED显示装置的方法的流程图。
参照图9，在根据本实施方式的驱动OLED显示装置的方法中，准备连接至发射Q节点并且被电浮置的反相器(S1)。
接下来，升压时钟信号被施加于发射升压电容器以升高发射Q节点的电压(S2)。
接下来，施加发射时钟信号以控制多个开关TFT，并且因此经由驱动TFT输出电源电压或基电压作为发射信号(S3)。
向设置在OLED显示装置中的多个像素区域中的每个像素区域提供输出发射信号(S4)。
图10是图7的OLED显示装置110的反相器单元134的电路图。图11是图7的OLED显示装置110的反相器单元134的发射Q节点的电压的时序图。
参照图10，示出了与显示面板120的一个水平像素线对应的反相器单元134的一级。反相器单元134可以包括与显示面板120的多个水平像素线对应的多个级。因此，虽然第一时钟信号ECLK1可以被用作用以输出发射信号的发射时钟信号，但是第二时钟信号ECLK2、第三时钟信号ECLK3和第四时钟ECLK4可以用作其他级的发射时钟信号。
根据本实施方式的OLED显示装置110的反相器单元134可以包括第一发射TFT ET1至第三发射TFT ET3、发射上拉TFT ETpu、第一发射下拉TFT ETpd1和第二发射下拉TFTETpd2、以及发射升压电容器ECb。
发射上拉TFT ETpu以及第一发射下拉TFT ETpd1和第二发射下拉TFT ETpd2是用于输出电源电压或基电压作为发射信号的驱动TFT。第一发射TFT ET1至第三发射TFT ET3是用于控制驱动TFT的接通/关断的开关TFT。发射升压电容器ECb连接至发射Q节点并且被电浮置以响应于周期性施加的时钟信号周期性地升高发射Q节点的电压。
第一发射TFT ET1至第三发射TFT ET3、发射上拉TFT ETpu和发射下拉TFT ETpd中的每一个可以是正型(p型)。
发射上拉TFT ETpu的栅极、漏极和源极分别连接至发射Q节点Q、电源电压EVDD、第一发射下拉TFT ETpd1的漏极。发射升压电容器ECb连接至发射上拉TFT ETpu的栅极。
发射升压电容器ECb连接至发射Q节点Q并且被电浮置。第三时钟信号ECLK3输入至发射升压电容器ECb。
当第一时钟信号ECLK1被输入时，发射Q节点Q向发射上拉TFT ETpu的栅极提供工作电力，以使发射上拉TFT ETpu接通。因此，第一时钟信号ECLK1用作发射时钟信号。
因此，参照图11，当第三时钟信号ECLK3被输入时，发射升压电容器ECb可以使发射Q节点Q升压。因此，第三时钟信号ECLK3用作升压时钟信号。可以通过移位第一时钟信号ECLK1来生成第三时钟信号ECLK3。
换句话说，当第三时钟信号ECLK3输入至发射升压电容器ECb，而发射升压电容器ECb响应于第一时钟信号ECLK1维持发射上拉TFT ETpu的栅极的工作电力时，由于发射升压电容器ECb处于浮置状态，因此发生电压倍增现象。使发射Q节点Q升压意味着使发射Q节点Q的电压加倍。
第一发射下拉TFT ETpd1的栅极和源极分别连接至发射QB节点QB和第二发射下拉TFT ETpd2的漏极。
第二发射下拉TFT ETpd2的栅极和源极分别连接至发射QB节点QB和基电压EVSS。
反相器单元134的发射输出电压EMOutput从发射上拉TFT ETpu和第一发射下拉TFT ETpd1之间的节点输出。
发射上拉TFT ETpu以及第一发射下拉TFT ETpd1和第二发射下拉TFT ETpd2是用于确定反相器单元134的发射输出电压EMOutput的电压值的装置，并且被控制为由具有相反的高/低电平的发射Q节点Q和发射QB节点QB的电压接通/关断。
例如，当发射上拉TFT ETpu接通并且第一发射下拉TFT ETpd1和第二发射下拉TFTETpd2关断时，反相器单元134输出电源电压EVDD作为发射输出电压EMOutput。
当发射上拉TFT ETpu关断并且第一发射下拉TFT ETpd1和第二发射下拉TFTETpd2关断时，反相器单元134将基电压EVSS输出作为发射输出电压EMOutput。
第一发射TFT ET1连接在发射Q节点Q和基电压EVSS之间，并且由移位寄存器单元132的寄存器输出电压SR1控制。
第二发射TFT ET2连接在电源电压EVDD和发射Q节点Q之间，并且由第一时钟信号ECLK1控制。
第三发射TFT ET3连接在电源电压EVDD和第一发射下拉TFT ETpd1的源极之间，并且由发射输出电压EMOutput控制。
详细地，第一发射TFT ET1的栅极和源极分别连接至寄存器输出电压SR1和基电压EVSS。
第二发射TFT ET2的栅极、漏极和源极分别连接至第一时钟信号ECLK1、电源电压EVDD和第一发射TFT ET1的漏极。
第三发射TFT ET3的栅极、漏极和源极分别连接至发射输出电压EMOutput、电源电压EVDD和第一发射下拉TFT ETpd1的源极。
图12是图7的OLED显示装置110的反相器单元134的输出时序图。
参照图12，反相器单元134通过使用于生成栅极信号以使开关TFT Ts顺序地接通的移位寄存器的输出信号SR(n)反相来输出发射信号EM(n)。
因此，由于当第一时钟信号ECLK1被输入时发射上拉TFT ETpu接通，因此输出发射信号EM(n)。
发射升压电容器ECb连接至发射上拉TFT ETpu的栅极。第三时钟信号ECLK3周期性地输入至发射升压电容器ECb。
因此，每当第三时钟信号ECLK3被输入时，发射升压电容器ECb使发射Q节点Q升压，并且因此升高的电压被施加于发射上拉TFT ETpu的栅极。因此，即使在高温可靠性环境中在TFT中发生电流泄漏，也可以正常地维持发射Q节点的电压。
图13是示出了图7的OLED显示装置110的反相器单元134的发射Q节点的电特性的图。
参照图13，无论在高温可靠性环境中TFT中的电流泄漏的发生如何，每当施加第三时钟信号ECLK3时，反相器单元134的发射Q节点可以保持在12V或更高。
这是因为每当第三时钟信号ECLK3被周期性地施加时，连接至反相器单元134的发射Q节点并且被电浮置的发射升压电容器ECb周期性地升高发射Q节点的电压。在图中，每当施加第三时钟信号ECLK3时，电压的最大值周期性地出现。
图14是示出了图7的OLED显示装置110的反相器单元134的输出电压的电特性的图。
参照图14，当反相器单元134的发射Q节点的电压保持为12V或更高时，反相器单元134的发射输出电压可以保持恒定，并且没有生成输出压降。
当发射升压电容器ECb周期性地升高发射Q节点Q的电压时，高温环境中的TFT劣化。因此，即使当发生电流泄漏时，也可以稳定地维持反相器单元134的发射输出电压而不降低。
当反相器单元134的发射输出电压被正常维持时，发光晶体管的接通程度可以正常地工作。由于在发光二极管中流动的二极管电流被正常地提供，所以可以防止诸如其中显示面板的水平像素线不规则地变暗的不规则水平图案的缺陷。
在上述实施方式中，反相器单元形成于显示面板的一侧。然而，本发明不限于此，并且反相器单元可以形成于显示面板的两侧。
当反相器单元形成于显示面板的一侧时，随着反相器单元占据的边框中的面积减小，具有小尺寸的OLED显示装置中的显示面板的尺寸可以被实现为相对更大。
在使用大尺寸显示面板的OLED显示装置中，在显示面板的两侧形成反相器单元可以更有效地减小用于控制像素区域的电路的负载。
如上所述，根据本发明，当连接至设置在显示装置中的栅极驱动单元的驱动TFT的栅极节点的发射升压电容器被电浮置并且时钟信号被周期性地施加时，驱动TFT的栅极节点的电压可以周期性地升高。
如此，通过周期性地升高驱动TFT的栅极节点的电压，即使当TFT在高温环境中劣化并且因此发生电流泄漏时，栅极驱动单元的发射输出电压也不降低，并且可以被稳定地维持。
由于反相器单元的发射输出电压被正常地维持，所以发光晶体管的接通程度可以正常地工作。由于在发光二极管中流动的二极管电流被正常地提供，诸如不规则的水平线图案(即，显示面板的水平像素线不规则地变暗)的缺陷可以被防止，使得显示质量得以提高。
在不脱离本公开内容的范围和精神的情况下，本发明构思所属领域的技术人员可以对上述公开内容进行各种替换、更改和修改。因此，本公开内容不限于上述示例性实施方式和附图。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个像素区域；
栅极驱动单元，所述栅极驱动单元通过使输入信号反相、通过驱动TFT的开关来向所述多个像素区域中的每个像素区域提供发射信号，所述栅极驱动单元包括周期性地升高被施加于所述驱动TFT的栅极节点的电压的发射升压电容器；
数据驱动单元，所述数据驱动单元向所述多个像素区域中的每个像素区域提供数据信号；以及
时序控制单元，所述时序控制单元向所述栅极驱动单元提供栅极控制信号、并且向所述数据驱动单元提供数据控制信号和图像数据。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动单元进一步包括：
发射上拉TFT，所述发射上拉TFT的栅极和漏极分别连接至发射Q节点和电源电压，所述发射Q节点是所述驱动TFT的栅极节点；
第一发射下拉TFT，所述第一发射下拉TFT的漏极连接至所述发射上拉TFT的源极；
第二发射下拉TFT，所述第二发射下拉TFT的栅极、漏极和源极分别连接至发射QB节点、所述第一发射下拉TFT的源极和基电压，所述发射Q节点和所述发射QB节点具有相反的电平；
第一发射TFT，所述第一发射TFT的栅极和源极分别连接至寄存器输出电压和所述基电压；
第二发射TFT，所述第二发射TFT的栅极、漏极和源极分别连接至发射时钟信号、所述电源电压和所述第一发射TFT的漏极；以及
第三发射TFT，所述第三发射TFT的栅极、漏极和源极分别连接至发射输出电压、所述电源电压和所述第一发射下拉TFT的源极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，当所述发射时钟信号被输入时，所述驱动TFT的栅极节点向所述发射上拉TFT的栅极提供工作电力以使所述发射上拉TFT接通。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，当所述发射上拉TFT的栅极的工作电力被所述发射时钟信号维持并且升压时钟被输入时，所述发射升压电容器使所述驱动TFT的栅极节点升压。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一发射TFT至所述第三发射TFT、所述发射上拉TFT和所述发射下拉TFT中的每一个是正型的。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动单元包括与所述显示面板的多个水平像素线对应的多个级。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动单元形成于所述显示面板的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动单元形成于所述显示面板的两侧。
9.一种用于向设置在显示装置中的多个像素区域中的每个像素区域提供发射信号的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：
驱动TFT，所述驱动TFT通过使输入信号反相来向所述多个像素区域中的每个像素区域输出电源电压或基电压作为所述发射信号；
多个开关TFT，所述多个开关TFT控制所述驱动TFT的接通或关断；以及
发射升压电容器，所述发射升压电容器周期性地升高被施加于所述驱动TFT的栅极节点的电压。
10.根据权利要求9所述的栅极驱动电路，其中，所述栅极驱动电路包括：
发射上拉TFT，所述发射上拉TFT的栅极和漏极分别连接至发射Q节点和电源电压，所述发射Q节点是所述驱动TFT的栅极节点；
第一发射下拉TFT，所述第一发射下拉TFT的漏极连接至所述发射上拉TFT的源极；以及
第二发射下拉TFT，所述第二发射下拉TFT的栅极、漏极和源极分别连接至QB节点、所述第一发射下拉TFT的源极和基电压，所述发射Q节点和所述发射QB节点具有相反的电平，并且
所述多个开关TFT包括：
第一发射TFT，所述第一发射TFT的栅极和源极分别连接至寄存器输出电压和所述基电压；
第二发射TFT，所述第二发射TFT的栅极、漏极和源极分别连接至用以输出所述发射信号的发射时钟信号、所述电源电压和所述第一发射TFT的漏极；以及
第三发射TFT，所述第三发射TFT的栅极、漏极和源极分别连接至发射输出电压、所述电源电压和所述第一发射下拉TFT的源极。
11.根据权利要求10所述的栅极驱动电路，其中，当所述发射时钟信号被输入时，所述驱动TFT的栅极节点向所述发射上拉TFT的栅极提供工作电力以使所述发射上拉TFT接通。
12.根据权利要求11所述的栅极驱动电路，其中，当所述发射上拉TFT的栅极的工作电力被所述发射时钟信号维持并且升压时钟被输入时，所述发射升压电容器使所述驱动TFT的栅极节点升压。
13.一种驱动显示装置的方法，所述方法包括：
准备连接至驱动TFT的栅极节点并且包括被电浮置的发射升压电容器的栅极驱动电路；
通过向所述发射升压电容器施加升压时钟信号来升高所述驱动TFT的栅极节点的电压；
通过施加发射时钟信号以控制多个开关TFT、通过所述驱动TFT来输出电源电压或基电压作为发射信号；以及
向设置在所述显示装置中的多个像素区域中的每个像素区域提供输出发射信号。
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