JP5342193B2 - 画像表示装置 - Google Patents
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有機EL素子を用いた画像表示装置における、画像信号の画素への書き込み方式には、電圧プログラム方式と電流プログラム方式がある。書き込み速度の速い、電圧プログラム方式を用いた技術は、例えば、下記非特許文献1等に記載されている。
前述の非特許文献1に記載の有機EL表示装置の駆動方法では、有機表示パネルを構成する全ての画素に関して、書込み期間に、有機EL素子を駆動する薄膜トランジスタ(以下、駆動TFTという)のゲート電極の電圧が、電源線の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に自動的にリセットされるので、駆動TFTのばらつきが抑制され、均一性の高い発光を実現することができる。
Digest of Technical Papers, SID98 p.p.11-14
この問題について、図13、図14を用いて説明する。
薄膜トランジスタ(以下、TFTという)は、ゲート電圧−ドレイン電流の関係がヒステリシス特性を示す場合がある。
このヒステリシス特性について図13を用いて説明する。
TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア(CAP)の数によって異なる。
図13(a)に示すような、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア(CAP)数が多い状態Aでは、TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は図13(c)の特性Aに従う。
一方、図13(b)に示すような、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア数(CAP)が少ない状態Bでは、TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は図13(c)の特性Bに従う。
また、トラップされたキャリア(CAP)の放出により、トラップされたキャリア(CAP)の数が少なくなると、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、特性Aから特性Bへと遷移する。したがって、トラップされたキャリア(CAP)数が少なくなると、特性Aと特性Bの間の領域Cにしたがって動作する場合がある。
なお、図13は、p型のTFTの特性を示しており、横軸のゲート電圧(Vg)は、ソース電圧に対して負電圧であることを示している。また、Gはゲート電極である。
しかしながら、Vg1の電圧を印加する時間(ton)が長いほど、Vg1の電圧とVg0との電位差(ΔVg)が大きいほど、オーバーシュートが大きくなるので、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は時間が経過しても、図14(b)に示すように、特性Bに近い特性を保つ。
一方、ゲート電極に入力する信号が、図14(c)に示すように、Vg2の電圧からVg0の電圧に変化する場合のように、Vg2の電圧を印加する時間(ton)が短いほど、Vg2の電圧とVg0との電位差(ΔVg)が小さいほど、オーバーシュートが小さくなるので、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、図14(d)に示すように、速やかに特性Aに近づく。なお、図14において、Id0は、ゲート電圧がVg0の時のドレイン電流である。
このように、従来の有機EL表示装置の駆動方法では、駆動TFTのゲート電極に大きなゲート電圧ΔVgをかけて発光する画素やそうでない画素が混在しており、同じ階調を発光しようとした場合に、駆動TFTのゲート電極の電圧を、電源線の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に揃えたとしても、前フレームの発光状態により、各画素の駆動TFTの特性が異なることとなるので、画面の均一性が下がり、高画質を維持できなくなる。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流の関係がヒステリシス特性を示す場合においても均一な表示が可能となる画像表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
本発明は、画素に信号電圧を印加する前に、駆動TFTのゲート電圧に、十分な順方向のバイアス電圧を印加することで、すべての画素の駆動TFTを図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Bに近い特性で駆動させるものである。
具体的な構成は、以下の通りである。
(1)それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極と第1電極との間に接続される第1容量素子と、一端が前記駆動トランジスタの制御電極に接続される第2容量素子と、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記第2容量素子の他端との間に接続されるセレクトスイッチ素子と、前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子とを有し、前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、前記各画素は、1フレーム期間内に設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、前記設定期間の前半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子と前記リセットスイッチ素子とをオンとして、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、前記設定期間の後半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子をオン、前記リセットスイッチ素子をオフし、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に前記第1信号レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給して、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧を越える電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲を越える電圧を入力する。
(5)(1)ないし(4)において、前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、前記自発光素子のカソード電極は、前記第2電源電圧に接続され、前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがHighレベル、前記第2電圧レベルがLowレベルであり、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に入力される特性値設定用電圧は、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲の中で最も低電位の電圧よりも低電位の電圧である。
本発明の画像表示装置によれば、薄膜トランジスタのヒステリシス特性に起因する表示異常のない均一な表示が可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施例1]
図1は、本発明の実施例1の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。図1に示すように、有機EL表示パネルの表示領域内には複数の画素1がマトリクス状に設けられる。
画素1には、信号線12、リセット線7、セレクトスイッチ線31、点灯スイッチ線21、および電源線6がそれぞれ入力される。
リセット線7、セレクトスイッチ線31、および、点灯スイッチ線21は、ゲート駆動部8に接続される。
信号駆動部9には、外部から信号入力線10を介して画像信号が供給される。信号駆動部9と、有機EL表示パネルとの間には、ステップ信号入力線15、ステップ信号選択スイッチ制御線17、信号線選択スイッチ制御線19が延在している。
信号線12には、薄膜トランジスタで構成される信号線選択スイッチ素子11を介して、信号駆動部9から画像信号、あるいは、薄膜トランジスタで構成されるステップ信号選択スイッチ素子14とステップ信号入力線15とを介して、ステップ信号発生部29からステップ信号が入力される。
信号線選択スイッチ素子11は、信号線選択スイッチ制御線19により制御され、ステップ信号選択スイッチ素子14は、ステップ信号選択スイッチ制御線17により制御される。
各画素1には、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という。)2が設けられており、有機EL素子2のカソード電極は共通接地線に接続される。
また、アノード電極は、n型薄膜トランジスタで構成される点灯スイッチ素子20と、p型薄膜トランジスタ(以下、駆動TFTという。)4を介して電源線6に接続される。
また、駆動TFT4のゲート電極とソース電極との間には、第1容量素子30が接続され、駆動TFT4のドレイン電極とゲート電極との間には、薄膜トランジスタで構成されるリセットスイッチ素子5が設けられる。さらに、駆動TFT4のゲート電極は、第2容量素子3とセレクトスイッチ素子32を介して信号線12に接続される。
なお、リセットスイッチ素子5のゲート電極は、リセット線7に接続される。また、セレクトスイッチ素子32のゲート電極は、セレクトスイッチ線31に、点灯スイッチ素子20のゲート電極は、点灯スイッチ線21に接続される。
画素1、ゲート駆動部8、信号駆動部9等の各回路は全て、半導体層として、一般に良く知られている低温多結晶シリコン層を有する低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いて構成され、これらの薄膜トランジスタは、ガラス基板上に形成される。
また、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、あるいは、有機EL素子2の製造方法などに関しては、一般に報告されているものと大きな相違はないため、ここではその説明は省略する。
図12は、従来の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。
図12に示すように、従来の有機EL表示装置では、各画素は、1フレーム期間内に、書込期間と発光期間とを有し、書込期間に各画素1に画像信号を書き込み、発光期間に点灯して表示を行う。映像信号の書き込みは、1表示ライン単位、即ち、リセット線7毎に行なわれる。
以下、各期間の動作について説明する。
書込期間においては、ゲート駆動部8が、1表示ライン単位に各行の複数の画素1を順次走査し、これと同期して、信号駆動部9から信号線選択スイッチ素子11を介して画像信号を信号線12に書き込む。
以下、ゲート駆動部8によって選択された、任意の表示ラインの画素1の「書込み期間」における動作について説明する。
書込み期間内のW1の期間内に、信号駆動部9から信号線12に、一定電圧(リファレンス電圧)を供給しておく。この期間内には、セレクトスイッチ素子32がオンとされる。
始めに、時刻T1から時刻T2の期間に、リセットスイッチ素子5と点灯スイッチ素子20とがオンとなり、これにより、駆動TFT4はゲート電極とドレイン電極とが接続されたダイオード接続になる。
次に、時刻T2で、点灯スイッチ素子20がオフすると、駆動TFT4と有機EL素子2とは強制的に電流オフ状態になるが、このとき、駆動TFT4のゲート電極とドレイン電極はリセットスイッチ素子5で短絡されているため、第2容量素子3の一端でもある、駆動TFT4のゲート電極の電圧は、電源線6の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に自動的にリセットされる。
なお、このとき、前述したように、第2容量素子3の他端には、信号線12から、一定電圧(リファレンス電圧)が入力されている。
次に、時刻T3で、リセットスイッチ素子5がオフとなる。その後、書込み期間のW2の期間内に、信号線12に画像信号を供給し、第2容量素子3の他端に画像信号を入力する。
発光期間においては、セレクトスイッチ素子32がオフ、点灯スイッチ素子20がオンとなり、有機EL素子2が発光する。
この発光期間では、リファレンス電圧から画像信号の変化に対応した電圧が、駆動TFT4のゲート電極に印加され、それに応じた電流が有機EL素子2に流れることによって、発光輝度が調整される。
このように、従来の有機EL表示装置の駆動方法では、有機表示パネルを構成する全ての画素1に関して、書込み期間のW1の期間に、駆動TFT4のゲート電極の電圧が、電源線6の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に自動的にリセットされるので、駆動TFT4のばらつきが抑制され、均一性の高い発光を実現することができる。
しかしながら、前述したように、駆動TFT4は、ゲート電極に保持されるキャリアの量によって、TFTの特性にばらつきが生じる。
そのため、従来の有機EL表示装置の駆動方法では、駆動TFT4のゲート電極に大きなゲート電圧ΔVgをかけて発光する画素やそうでない画素が混在しており、同じ階調を発光しようとした場合に、駆動TFT4のゲート電極の電圧を、電源線6の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に揃えたとしても、前フレームの発光状態により、各画素の駆動TFT4の特性が異なることとなるので、画面の均一性が下がり、高画質を維持できなくなる。これは、動画表示時においてざらざらに見えたり、焼き付きや残像のような形で、視認上確認できるようになる。
図2に示すように、本実施例では、各画素は、1フレーム期間内に設定期間と書込期間と発光期間とを有する点で、従来の有機EL表示装置の駆動方法と異なっている。
以下、各期間の動作について説明する。
[設定期間]
本実施例は、書込期間の前に、各画素の駆動TFT4の特性値を、図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Bに近い特性で駆動させることを特徴とする。
本実施例において、各画素1のセレクトスイッチ素子32は、「設定期間」と「書込期間」の間オンとなる。
また、設定期間内のS1の期間において、リセットスイッチ素子5と、点灯スイッチ素子20とがオンとなる。
このとき、ステップ信号選択スイッチ制御線17がHighレベル(以下、Hレベル)となるので、ステップ信号選択スイッチ素子14がオンとなり、信号線12には、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vstephの電圧が印加される。例えば、Vstephの電圧は、信号駆動部9より供給することのできる電圧の中の最も高電位の電圧、あるいは、電源線6の電圧である。このとき、駆動TFT4のゲート電極の電圧は、V1の電圧に収束する。
したがって、このS2の期間内に、ステップ信号入力線15を介して信号線12に供給される電圧は、Vstephの電圧からVsteplの電圧に変化する。例えば、Vsteplの電圧は、信号駆動部9より供給することのできる電圧の中の最も低電位の電圧、あるいは、共通接地線の電圧である。
このとき、駆動TFT4のゲート電極には、V1−(Vsteph−Vstepl)[V]の電圧が印加されることになる。ここで、電源線6の電圧をVddとして、共通接地線の電圧を0[V]とした時、V1≒Vdd/2となり、(Vsteph−Vstepl)≒Vddの場合は、駆動TFT4のゲート電極には、−(Vdd/2)の電圧が保持できる。
これによって、プログラム作業の初期段階において、通常は、駆動TFT4のゲート−ソース間電圧として(Vdd/2)程度しか与えられない初期電圧を、ゲート−ソース間電圧が(3Vdd/2)になる電圧を与えることができる。これにより、駆動TFT4として、ヒステリシスの影響が大きい駆動TFTを用いたとしても、図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Bに近い特性で駆動させることが可能となり、均一な発光を実現することが可能となる。
本実施例では、書込期間のW1の期間に、ステップ信号選択スイッチ制御線17と信号線選択スイッチ制御線19とがLowレベル(以下、Lレベル)とされ、信号線選択スイッチ素子11とステップ信号選択スイッチ素子14とがオフとなるので、信号線12がフローティング状態とされる点、書込期間のW2の期間に、信号線選択スイッチ制御線19がHレベルとなり、信号線選択スイッチ素子11がオンとなり、信号線12に画像信号が供給される点で、前述の図12に示す書込期間の動作と異なるが、それ以外の動作は同じであるので再度の説明は省略する。
同様に、本実施例の発光期間の動作も、前述の図12に示す発光期間の動作と同じであるので再度の説明は省略する。
このように、本実施例では、書込期間の前に各画素1の駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Bに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス特性に起因する表示異常のない均一な表示が可能となる。
なお、本実施例では、駆動TFT4と有機EL素子2が点灯スイッチ素子20を介して接続されていたが、点灯スイッチ素子20がなくても同様の効果は得られる。また、点灯スイッチ素子20が、電源線6と駆動TFT4のソース間に接続されていても、同様の効果が得られる。
また、ゲート駆動部8、信号駆動部9等からなる周辺駆動回路は、低温多結晶シリコン(ポリシリコン)薄膜トランジスタ回路で構成しているが、これらの周辺駆動回路あるいはその一部分を単結晶LSI(Large Scale Integrated circuit)回路で構成して実装するようにしてもよい。その場合に、駆動TFT4、リセットスイッチ素子5、および、点灯スイッチ素子20等は、それぞれ半導体層にアモルファスシリコンを用いるアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成するようにしてもよい。
図3は、本発明の実施例2の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
図3において、図1と異なる点は、有機EL素子2の他端(アノード電極)が、プリチャージ線27により制御されるプリチャージスイッチ素子26を介して、信号線12に接続されている点である。
本実施例は、前述実施例よりもさらに各画素1に画像信号を書込む前に、駆動TFT4のゲート電極により大きなゲート電圧ΔVg(換言すれば、より大き順方向のバイアス電圧)を印加するために、プリチャージスイッチ素子26を追加したものである。
図4は、本実施例の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。
図4に示すように、本実施例でも、各画素は、1フレーム期間内に設定期間と書込期間と発光期間とを有する。
以下、各期間の動作について説明する。
[設定期間]
本実施例において、「設定期間」の間、ステップ信号選択スイッチ制御線17はHレベルとなり、ステップ信号選択スイッチ素子14がオンとなる。
また、設定期間内のS1の期間において、リセットスイッチ素子5と、点灯スイッチ素子20と、セレクトスイッチ素子32と、プリチャージスイッチ素子26とがオンとなる。
このとき、信号線12には、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vsteplの電圧が印加される。例えば、Vsteplの電圧は、信号駆動部9より供給することのできる電圧の中の最も低電位の電圧、あるいは、共通接地線の電圧である。このとき、駆動TFT4のゲート電極には、Vsteplの電圧が入力される。
次に、S3の期間に、セレクトスイッチ素子32がオンとなり、また、このS3の期間内のT1の時刻に、ステップ信号発生部29から出力する電圧を、Vstephの電圧からVsteplの電圧に切り替える。
したがって、このS3の期間内に、ステップ信号入力線15を介して信号線12に供給される電圧は、Vstephの電圧からVsteplの電圧に変化する。
このとき、駆動TFT4のゲート電極には、(Vstepl−Vsteph)[V]の電圧が印加されることになる。ここで、電源線6の電圧をVddとして、共通接地線の電圧を0[V]とし、(Vsteph−Vstepl)≒Vddの場合は、駆動TFT4のゲート電極には、−(Vdd)の電圧が保持できる。
これによって、プログラム作業の初期段階において、通常は、駆動TFT4のゲート−ソース間電圧として(Vdd/2)程度しか与えられない初期電圧を、ゲート−ソース間電圧が(2Vdd)になる電圧を与えることができる。これにより、駆動TFT4として、ヒステリシスの影響が大きい駆動TFTを用いたとしても、図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Bに近い特性で駆動させることが可能となり、均一な発光を実現することが可能となる。
[書込期間、発光期間]
本実施例の書込期間の動作は、前述の図2に示す発光期間の動作と同じであるので再度の説明は省略する。
同様に、本実施例の発光期間の動作も、前述の図2に示す発光期間の動作と同じであるので再度の説明は省略する。
図5は、本発明の実施例2の変形例1の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
図5において、図3と異なる点は、駆動TFT4のドレイン電極が、プリチャージ線27により制御されるプリチャージスイッチ素子26を介して、信号線12に接続されている点である。
図6は、本実施例2の変形例1の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。
本実施例2の変形例1では、各画素1の点灯スイッチ素子20が、設定期間のS1〜S3の期間においてオフとなるが、基本的な動作は、本実施例2と同じである。同様に、本実施例2の変形例1の書込期間、発光期間の動作は、本実施例2と同じである。
図7は、本発明の実施例2の変形例2の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
図7において、図3と異なる点は、駆動TFT4のゲート電極が、プリチャージ線27により制御されるプリチャージスイッチ素子26を介して、信号線12に接続されている点である。
図8は、本実施例2の変形例1の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。
本実施例2の変形例1では、各画素1のリセットスイッチ素子5と、点灯スイッチ素子20が、設定期間のS1〜S3の期間においてオフとなるが、基本的な動作は、本実施例2と同じである。同様に、本実施例2の変形例1の書込期間、発光期間の動作は、本実施例2と同じである。
図9は、本発明の実施例3の有機EL表示装置の1画素の等価回路を示す回路図である。
本実施例の有機EL表示装置が、前述の実施例1の有機EL表示装置と異なる点は、有機EL素子2のアノード電極が、電源線6と直接接続されており、駆動TFT4は基準電位側に配置されている点である。これに伴い、本実施例では、リセットスイッチ素子5も、有機EL素子2の陰極側に接続されている。
また、本実施例では、駆動TFT4はn型の薄膜トランジスタで構成される。したがって、1画素内の薄膜トランジスタは、n型プロセスのみで形成できることになる。
有機EL素子2を電源線6側に設置し、駆動TFT4を基準電位側に設置することによって、関連する素子を移動したことを除けば、基本的な動作は前述の実施例1と同じである。
図10は、本実施例の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図10のタイミングチャートは、図2のタイミングチャートと基本的には同じである。但し、信号駆動部9から信号線12に供給する画像信号の位相が、前述の実施例1と180°異なっている。これは、本実施例では、駆動TFT4が、n型の薄膜トランジスタであるために、ゲート電圧がソース電極よりも高い電圧となったときに駆動TFT4がオンするためである。
また、設定期間内のS2の期間において、リセットスイッチ素子5、点灯スイッチ素子20がオンのときに、信号線12には、Vsteplの電圧を印加する。
次に、S3の期間にリセットスイッチ素子5、点灯スイッチ素子20をオフとした後に、S3の期間内の時刻T1で、Vsteplより高いVstephの電圧を印加する。
このとき、駆動TFT4のゲート電極には、V1+(Vsteph−Vstepl)[V]の電圧が印加されることになる。ここで、前述したように、電源線6の電圧をVddとして、共通接地線の電圧を0[V]とした時、V1≒Vdd/2となり、(Vsteph−Vstepl)≒Vddの場合は、駆動TFT4のゲート電極には、3Vdd/2の電圧が保持できる。
これにより、各画素の1の駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Bに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス起因の表示異常のない均一な表示が可能である。
また、前述の各実施例において、ステップ信号発生部29は、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路で構成され、ガラス基板上に形成されているが、ステップ信号発生部29は、信号駆動部9内に形成するようにしてもよい。
さらに、ステップ信号発生部29は、本体コンピュータ側などの外部から入力するようにしてよい。
以上説明した本発明の画像表示装置を、図15に示すモバイル用電子機器、テレビジョン、図16に示すデジタル携帯端末(PDA)、ビデオカメラなどに搭載することによって、動画において高画質な製品を実現することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
2 有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)
3,30 容量素子
4 p型薄膜トランジスタ(駆動TFT)
5 リセットスイッチ素子
6 電源線
7 リセット線
8 ゲート駆動部
9 信号駆動部
10 信号入力線
11 信号線選択スイッチ素子
12 信号線
14 ステップ信号選択スイッチ素子
15 ステップ信号入力線
17 ステップ信号選択スイッチ制御線
19 信号線選択スイッチ制御線
20 点灯スイッチ素子
21 点灯スイッチ線
26 プリチャージスイッチ素子
27 プリチャージ線
29 ステップ信号発生部
31 セレクトスイッチ線
32 セレクトスイッチ素子
G ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
CAP キャリア
Claims (6)
- それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、
前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの制御電極と第1電極との間に接続される第1容量素子と、
一端が前記駆動トランジスタの制御電極に接続される第2容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記第2容量素子の他端との間に接続されるセレクトスイッチ素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
前記各画素は、1フレーム期間内に設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
前記設定期間の前半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子と前記リセットスイッチ素子とをオンとして、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子をオン、前記リセットスイッチ素子をオフし、かつ、前記後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に前記第1電圧レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする画像表示装置。 - 前記各画素は、前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯スイッチ素子を有し、
前記設定期間の前半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子、前記リセットスイッチ素子および前記点灯スイッチ素子をオンとして、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子をオン、前記リセットスイッチ素子と前記点灯スイッチ素子をオフし、かつ、前記設定期間の後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に前記第1電圧レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、
前記自発光素子のカソード電極は、前記第2電源電圧に接続され、
前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがHighレベル、前記第2電圧レベルがLowレベルであり、
前記設定期間の後半の期間に、特性値設定用電圧として、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極には、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧、あるいは、前記駆動回路から供給される電圧範囲の中で最も低電位の電圧よりも低電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、
前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの制御電極と第1電極との間に接続される第1容量素子と、
一端が前記駆動トランジスタの制御電極に接続される第2容量素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記第2容量素子の他端との間に接続されるセレクトスイッチ素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子と、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されるプリチャージスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
前記各画素は、1フレーム期間内に設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
前記設定期間の始めの第1期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子と前記プリチャージスイッチ素子をオンとし、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に第2電圧レベルのステップ信号を供給して、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極に前記第2電圧レベルの電圧を入力し、
前記設定期間の中間の第2期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子と前記プリチャージスイッチ素子とをオフとし、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に前記第2電圧レベルとは異なる第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の最後の第3期間に、前記各画素の前記セレクトスイッチ素子をオン、前記プリチャージスイッチ素子をオフとし、かつ、前記設定期間の最後の第3期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各画素の前記セレクトスイッチ素子が接続される信号線に前記第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする画像表示装置。 - 前記リセットスイッチ素子は、前記設定期間にオフとされることを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。
- 前記各画素は、前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯スイッチ素子を有し、
前記リセットスイッチ素子と前記点灯スイッチ素子とは、前記設定期間にオフとされることを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。
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