JP2009237006A - 画素回路および表示装置並びに画素回路の駆動制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた画素回路において、消費電力を上昇させることなく、従来の正電圧のプログラム信号を出力するデータ駆動回路を使用する。
【解決手段】駆動用トランジスタ１１ｂを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと容量素子１１ｃの端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源線１７に接続する。
【選択図】図２
【解決手段】駆動用トランジスタ１１ｂを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと容量素子１１ｃの端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源線１７に接続する。
【選択図】図２
Description
本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた画素回路および表示装置に関するものであり、特に、無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた画素回路に関するものである。
従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。
一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、その画素回路として、たとえば特許文献１において、図９に示すような構成のものが提案されている。
図９に示す画素回路は、最小構成として、スイッチング用トランジスタ１０４と、容量素子１０３と、駆動用トランジスタ１０２とを備えている。そして、スイッチング用トランジスタ１０４をＯＮすることによって容量素子１０３に駆動用トランジスタ１０２のゲート電圧となるプログラム信号を書き込み、そのプログラム信号に応じたゲート電圧を駆動用トランジスタ１０２に印加することによって駆動用トランジスタ１０２を定電流動作させ、有機ＥＬ発光素子１０１に駆動電流を流して発光させるものである。
そして、従来の画素回路においては、駆動用トランジスタとして、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタが用いられていた。
しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは、高移動度と閾値電圧安定性をえることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは、移動度の均一性を得ることができるが移動度が低く、閾値電圧に経時変動がでるという問題がある。上記のような移動度の不均一性や閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとして現れてしまう。
そこで、特許文献２においては、画素回路内に、閾値電圧を補正する補償回路を設けた画素回路が提案されている。
しかしながら、上記のような補償回路を設けると画素回路が複雑化し、歩留まり低下によりコストアップ、開口率の低下を招いていた。
そこで、近年、ＩＧＺＯに代表される無機酸化膜からなる薄膜トランジスタが注目されている。無機酸化膜からなる薄膜トランジスタは、低温製膜が可能であり、また、十分な移動度が得られ、移動度の均一性も高く、閾値電圧の経時変動も小さいという特徴を有している。
特開平８−２３４６８３号公報
特開２００３−２５５８５６号公報
IEDM(International Electron Device Meeting)2006, "ighly Stable Ga203- In203-Zn0 TFT for Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Display Application, Samsung Advanced Institute technology
しかしながら、種々の所望の特性が得られるように無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを構成した場合、所望の電流特性を得ようとするとオフ動作する閾値電圧が負電圧化することがある。
たとえば、特許文献３に示されるような、オフ動作する閾値電圧が負電圧の特性の薄膜トランジスタからなる駆動用トランジスタを従来の有機ＥＬ表示装置のデータ駆動回路で制御しようとすると、従来のデータ駆動回路の駆動用トランジスタのゲート電圧の最小設定電圧は０ｖであるため、有機ＥＬ発光素子の最小駆動電流は、駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳ＝０ｖのときの電流となり、有機ＥＬ発光素子を消灯することができない。
図１０は、図９に示す画素回路において非特許文献１に示される薄膜トランジスタを使用した場合の走査信号、データ信号および駆動用トランジスタ１０２のゲート−ソース間電圧ＶＧＳ２の電圧波形である。
駆動用トランジスタ１０２として、オフ動作する閾値電圧が負電圧の薄膜トランジスタを用いるようにした場合、図１０に示すように、駆動用トランジスタ１０２をオフ動作させることができず、有機ＥＬ発光素子を消灯できないため、低輝度領域の発光制御が困難となる。
上記のような問題を解決するために、図１１に示すように、電圧源を設け、画素回路の接地線を０ｖより高い電圧（ＶＡ）に設定する方法が考えられるが、表示装置としての消費電力を大きく増加させ、低消費電力という有機ＥＬ発光素子の特徴を損なうことになる。
また、プログラム信号を供給するデータ駆動回路の接地線を０ｖよりも低い電圧とすることによって、プログラム信号を負電圧化する方法も考えられるが、外部とのデータ接続レベルを保障するためには専用のＩＣの新規開発が必要となり表示装置のコストアップの要因となる。
本発明は、上記の事情に鑑み、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた画素回路であって、消費電力を上昇させることなく、従来のデータ駆動回路を使用することができる画素回路および表示装置を提供することを目的とする。
本発明の第１の画素回路は、発光素子と、該発光素子のカソード端子にドレイン端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタと、該駆動用トランジスタのゲート端子に接続される容量素子と、該容量素子の上記ゲート端子側の一方の端子と所望のプログラム信号が流されるデータ線との間に接続されるスイッチング用トランジスタとを備えた画素回路において、駆動用トランジスタが、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成され、駆動用トランジスタのソース端子と容量素子の他方の端子とが所定の共通電圧を供給する共通電源に接続されていることを特徴とする。
本発明の第１の表示装置は、上記本発明の第１の画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、上記プログラム信号を供給するデータ駆動回路と、駆動用トランジスタのソース端子と容量素子の他方の端子とに所定の共通電圧を供給する共通電源とを備え、上記閾値電圧ＶＴＨ、上記共通電圧の電圧値ＶＢ、上記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇおよび所望の設定すべき駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳが、下式（１）および（２）を満たす関係となるように上記共通電圧の電圧値ＶＢ、上記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇが設定されていることを特徴とする。
ＶＢ≧−ＶＴＨ ・・・ （１）
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ ・・・ （２）
本発明の第２の画素回路は、発光素子と、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタと、該駆動用トランジスタのゲート端子に接続される容量素子と、該容量素子の上記ゲート端子側の一方の端子と所望のプログラム信号が流されるデータ線との間に接続されるスイッチング用トランジスタとを備えた画素回路において、駆動用トランジスタが、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成され、発光素子のカソード端子と容量素子の他方の端子とが所定の共通電圧を供給する共通電源に接続されていることを特徴とする。
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ ・・・ （２）
本発明の第２の画素回路は、発光素子と、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタと、該駆動用トランジスタのゲート端子に接続される容量素子と、該容量素子の上記ゲート端子側の一方の端子と所望のプログラム信号が流されるデータ線との間に接続されるスイッチング用トランジスタとを備えた画素回路において、駆動用トランジスタが、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成され、発光素子のカソード端子と容量素子の他方の端子とが所定の共通電圧を供給する共通電源に接続されていることを特徴とする。
本発明の第２の表示装置は、上記本発明の第２の画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、上記プログラム信号を供給するデータ駆動回路と、駆動用トランジスタのソース端子と容量素子の他方の端子とに所定の共通電圧を供給する共通電源とを備え、上記閾値電圧ＶＴＨ、上記共通電圧の電圧値ＶＢ、上記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇ、所望の設定すべき駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳおよび駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳ時の発光素子の順方向電圧降下値Ｖｆが、下式（３）および（４）を満たす関係となるように上記共通電圧の電圧値ＶＢ、上記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇが設定されていることを特徴とする。
ＶＢ≧−ＶＴＨ ・・・ （３）
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ＋Ｖｆ・・・ （４）
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ＋Ｖｆ・・・ （４）
本発明の第１の画素回路および表示装置によれば、駆動用トランジスタを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタのソース端子と容量素子の端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源に接続するようにしたので、容量素子への充電動作の間に上記共通電圧を供給することによって、プログラム信号が正電圧であっても、駆動用トランジスタのゲート−ソース間に負電圧を印加してオフ動作させることができるので、低輝度領域の発光制御を適切に行なうことができる。また、消費電力を上昇させることなく、従来の正電圧のプログラム信号を出力するデータ駆動回路を使用することができる。
本発明の第２の画素回路および表示装置によれば、駆動用トランジスタを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタのソース端子に接続される発光素子のカソード端子と容量素子の端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源に接続するようにしたので、容量素子への充電動作の間に上記共通電圧を供給することによって、プログラム信号が正電圧であっても、駆動用トランジスタのゲート−ソース間に負電圧を印加してオフ動作させることができるので、低輝度領域の発光制御を適切に行なうことができる。また、消費電力を上昇させることなく、従来の正電圧のプログラム信号を出力するデータ駆動回路を使用することができる。
以下、図面を参照して本発明の画素回路および表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。
本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、後述するデータ駆動回路から出力されたプログラム信号に応じた電荷を保持するとともに、その保持した電荷量に応じた駆動電流を有機ＥＬ発光素子に流す画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０の各画素回路１１にプログラム信号を出力するデータ駆動回路１２と、アクティブマトリクス基板１０の各画素回路１１に走査信号を出力する走査駆動回路１３と、アクティブマトリクス基板１０の各画素回路１１に共通電圧を供給する共通電源回路１６とを備えている。
そして、アクティブマトリクス基板１０は、データ駆動回路１２から出力されたプログラム信号を各画素回路列に供給する多数のデータ線１４と、走査駆動回路１３から出力された走査信号を各画素回路行に供給する多数の走査線１５と、共通電源回路１６から出力される共通電圧を各画素回路行に供給する多数の共通電源線１７とを備えている。データ線１４と走査線１５および共通電源線１７とは直交して格子状に設けられている。そして、データ線１４と走査線１５および共通電源線１７との交差点近傍に画素回路１１が設けられている。
各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、データ駆動回路１２から出力されたプログラム信号に応じた電荷を蓄積する容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃとデータ線１４との間に接続され、走査駆動回路１３から出力された走査信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦしてデータ線１４と容量素子１１ｃとを短絡したり切り離したりするスイッチング用トランジスタ１１ｄと、容量素子１１ｃに蓄積された電荷に応じた電圧がゲート端子Ｇに印加され、その印加電圧に応じた駆動電流をドレイン端子Ｄに接続された有機ＥＬ発光素子１１ａに流す駆動用トランジスタ１１ｂとを備えている。
駆動用トランジスタ１１ｂとスイッチング用トランジスタ１１ｄは、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成される。ここで、オフ動作する閾値電圧とはドレイン電流ＩＤが急激に増加し始めるゲート−ソース間電圧ＶＧＳのこといい、オフ動作する閾値電圧が負電圧であるとは、たとえば、図３に示すようなＶＧＳ−ＩＤ特性を有することをいう。なお、図３のＶＧＳ−ＩＤ特性における閾値電圧はＶＴＨである。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＺｎＯなどがある。
また、図２に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと容量素子１１ｃのゲート端子Ｇ側の一方の端子とは反対側の他方の端子とは、共通電源線１７に接続されている。
走査駆動回路１３は、画素回路１１のスイッチング用トランジスタ１１ｄをＯＮするためのオン走査信号Ｖｓｃａｎ（ｏｎ）とＯＦＦするためのオフ走査信号Ｖｓｃａｎ（ｏｆｆ）とを出力するものである。
データ駆動回路１２は、表示画像に応じたプログラム信号を各データ線１４に出力するものである。
共通電源回路１６は、各画素回路行単位で、各共通電源線１７に共通電圧を供給するものである。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図４から図６を参照しながら説明する。
まず、走査駆動回路１３から所定の画素回路行が選択され、その画素回路行が接続された走査線１５に、図６に示すようなオン走査信号が出力される。
そして、図４に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオン走査信号に応じてスイッチング用トランジスタ１１ｄがＯＮし、容量素子１１ｃおよび駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とデータ線１４とが短絡される。
そして、上記のように走査駆動回路１３により所定の画素回路行が選択されてオン走査信号が出力されると同時に、走査駆動回路１３により選択された画素回路行に接続された共通電源線１７にのみ共通電源回路１６から共通電圧が供給され、図６に示すように、上記共通電源線１７の電位が０ｖからＶＢに上昇する。
また、走査駆動回路１３により所定の画素回路行が選択されてオン走査信号が出力されると同時に、データ駆動回路１２から各データ線１４に上記選択された画素回路行の各画素回路１１の所望の表示画素の輝度に応じたプログラム信号が出力され、各データ線１４に出力されたプログラム信号は上記選択された画素回路行の各画素回路１１に入力される。
ここで、各画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａを所望の輝度で発光させるために駆動用トランジスタ１１ｂに設定すべきゲート−ソース間の電圧をＶＧＳとすると、プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇは、
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ
に設定される。
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ
に設定される。
そして、このように設定されたプログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇに応じた電荷が容量素子１１ｃに充電される。このときの容量素子１１ｃに保持される電圧をＶｃｓとすると、
Ｖｃｓ＝Ｖｐｒｇ−ＶＢ＝ＶＧＳ
となる。
Ｖｃｓ＝Ｖｐｒｇ−ＶＢ＝ＶＧＳ
となる。
そして、上記のようにして容量素子１１ｃに充電が完了した後、走査駆動回路１３から上記所定の画素回路行が接続された走査線１５にオフ走査信号が出力される。
そして、図５に示すように、走査駆動回路１３から出力されたオフ走査信号に応じてスイッチング用トランジスタ１１ｄがＯＦＦし、容量素子１１ｃおよび駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とデータ線１４とが切り離される。
そして、上記のようにして走査駆動回路１３からオフ走査信号が出力されることによって所定の画素回路行の選択が解除されると同時に、共通電源回路１６により上記所定の画素回路行に接続された共通電源線１７の電位がＶＢから０ｖに戻される。なお、このとき容量素子１１ｃの電圧Ｖｃｓは保持されたままである。
そして、容量素子１１ｃに保持された電圧Ｖｃｓが駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶＧＳとして印加され、この印加された電圧に応じた駆動電流が有機ＥＬ発光素子１１ａに流れて有機ＥＬ発光素子１１ａが発光する。
ここで、データ駆動回路１２から出力されるプログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇは、
Ｖｐｒｇ≧０ｖ
なので、容量素子１１ｃに設定可能な電圧値Ｖｃｓの最小電圧値Ｖｃｓｍｉｎは、
Ｖｃｓｍｉｎ＝−ＶＢとなる。
Ｖｐｒｇ≧０ｖ
なので、容量素子１１ｃに設定可能な電圧値Ｖｃｓの最小電圧値Ｖｃｓｍｉｎは、
Ｖｃｓｍｉｎ＝−ＶＢとなる。
したがって、有機ＥＬ発光素子１１ａを消灯させるためには、つまり駆動用トランジスタ１１ｂをオフ動作させるためには、駆動用トランジスタ１１ｂのオフ動作する閾値電圧をＶＴＨとすると、共通電源回路１６により共通電源線１７に出力される共通電圧の電圧値ＶＢは、
ＶＢ≧−ＶＴＨ
となるように設定する必要がある。
ＶＢ≧−ＶＴＨ
となるように設定する必要がある。
上記のように容量素子１１ｃへの充電期間中に共通電源線１７の電位を−ＶＴＨ以上に設定することで、Ｖｐｒｇ≧０ｖでも、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶＧＳとして負電圧を設定することができ、駆動用トランジスタ１１ｂをオフ動作させることができる。
そして、走査駆動回路１３により画素回路行が順次選択され、上記と同様ようにして容量素子１１ｃの充放電が順次行われ、有機ＥＬ発光素子１１ａが順次発光する。
なお、上記実施形態の画素回路１１のように、スイッチング用トランジスタ１１ｄもオフ動作する閾値電圧ＶＴＨが負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成するようにした場合には、スイッチング用トランジスタ１１ｄに供給される走査信号は、
Ｖｓｃａｎ（ｏｆｆ）≦ＶＴＨ
Ｖｓｃａｎ（ｏｎ）≧Ｖｐｒｇｍａｘ＋ＶＴＨ
に設定する必要があり、走査信号は負電圧から正電圧までの振幅が必要となる。なお、Ｖｐｒｇｍａｘは、有機ＥＬ発光素子１１ａの最大輝度に応じたプログラム信号の電圧値である。
Ｖｓｃａｎ（ｏｆｆ）≦ＶＴＨ
Ｖｓｃａｎ（ｏｎ）≧Ｖｐｒｇｍａｘ＋ＶＴＨ
に設定する必要があり、走査信号は負電圧から正電圧までの振幅が必要となる。なお、Ｖｐｒｇｍａｘは、有機ＥＬ発光素子１１ａの最大輝度に応じたプログラム信号の電圧値である。
したがって、たとえば、図７に示すように、各画素回路行に接続された各走査線１５に抵抗素子Ｒ１,Ｒ２と負電圧Ｖｅｅを供給する電圧源とを設け、上記の条件を満たすように負電圧Ｖｅｅを設定することによって、正電圧の走査信号を出力する走査駆動回路を利用することができる。
また、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを利用するようにしたので、容量素子１１ｃの充電期間中に供給される共通電圧ＶＢの分だけ消費電力が増加することになるが、図１１に示すように、画素回路の接地線を０ｖより高い電圧（ＶＡ）に設定した場合の消費電力と比較すると、各画素回路行毎に共通電圧ＶＢを印加するので、１／走査線数の消費電力にすることができ、表示装置全体で消費電力に対しては軽微な増加に抑制することができる。
次に、本発明の画素回路および表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と画素回路の構成が異なり、その概略構成は図１に示す第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。
第２の実施形態の画素回路は、第１の実施形態の画素回路１１と有機ＥＬ発光素子の接続位置が異なる。第１の実施形態の画素回路１１においては、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子を駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子に接続するようにしたが、第２の実施形態の画素回路２１は、図８に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子と駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子を接続するようにしたものである。
また、図８に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子と容量素子１１ｃのゲート端子Ｇ側の一方の端子とは反対側の他方の端子とを共通電源線１７に接続するようにしている。
画素回路２１におけるその他の構成については、第１の実施形態の画素回路１１と同様である。
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作については、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であるが、データ駆動回路１２から出力されるプログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇについては、下式を満たすように設定する必要がある。
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ＋Ｖｆ
なお、Ｖｆは、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶＧＳの場合における有機ＥＬ発光素子１１ａの順方向電圧降下値である。
なお、Ｖｆは、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧ＶＧＳの場合における有機ＥＬ発光素子１１ａの順方向電圧降下値である。
また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。
また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。
１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ スイッチング用トランジスタ
１２ データ駆動回路
１３ 走査駆動回路
１４ データ線
１５ 走査線
１６ 共通電源回路
１７ 共通電源線
２１ 画素回路
１０１ 有機ＥＬ発光素子
１０２ 駆動用トランジスタ
１０３ 容量素子
１０４ スイッチング用トランジスタ
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ スイッチング用トランジスタ
１２ データ駆動回路
１３ 走査駆動回路
１４ データ線
１５ 走査線
１６ 共通電源回路
１７ 共通電源線
２１ 画素回路
１０１ 有機ＥＬ発光素子
１０２ 駆動用トランジスタ
１０３ 容量素子
１０４ スイッチング用トランジスタ
Claims (4)
- 発光素子と、該発光素子のカソード端子にドレイン端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタと、該駆動用トランジスタのゲート端子に接続される容量素子と、該容量素子の前記ゲート端子側の一方の端子と所望のプログラム信号が流されるデータ線との間に接続されるスイッチング用トランジスタとを備えた画素回路において、
前記駆動用トランジスタが、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成され、
前記駆動用トランジスタのソース端子と前記容量素子の他方の端子とが所定の共通電圧を供給する共通電源に接続されていることを特徴とする画素回路。 - 請求項１記載の画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、
前記プログラム信号を供給するデータ駆動回路と、
前記駆動用トランジスタのソース端子と前記容量素子の他方の端子とに所定の共通電圧を供給する共通電源とを備え、
前記閾値電圧ＶＴＨ、前記共通電圧の電圧値ＶＢ、前記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇおよび所望の設定すべき前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳが、下式（１）および（２）を満たす関係となるように前記共通電圧の電圧値ＶＢ、前記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇが設定されていることを特徴とする表示装置。
ＶＢ≧−ＶＴＨ ・・・ （１）
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ ・・・ （２） - 発光素子と、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタと、該駆動用トランジスタのゲート端子に接続される容量素子と、該容量素子の前記ゲート端子側の一方の端子と所望のプログラム信号が流されるデータ線との間に接続されるスイッチング用トランジスタとを備えた画素回路において、
前記駆動用トランジスタが、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成され、
前記発光素子のカソード端子と前記容量素子の他方の端子とが所定の共通電圧を供給する共通電源に接続されていることを特徴とする画素回路。 - 請求項３記載の画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、
前記プログラム信号を供給するデータ駆動回路と、
前記駆動用トランジスタのソース端子と前記容量素子の他方の端子とに所定の共通電圧を供給する共通電源とを備え、
前記閾値電圧ＶＴＨ、前記共通電圧の電圧値ＶＢ、前記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇ、所望の設定すべき前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳおよび前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧ＶＧＳ時の前記発光素子の順方向電圧降下値Ｖｆが、下式（３）および（４）を満たす関係となるように前記共通電圧の電圧値ＶＢ、前記プログラム信号の電圧値Ｖｐｒｇが設定されていることを特徴とする表示装置。
ＶＢ≧−ＶＴＨ ・・・ （３）
Ｖｐｒｇ＝ＶＧＳ−ＶＢ＋Ｖｆ ・・・ （４）
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