KR102612629B1 - 펠리클 및 펠리클의 제조 방법 - Google Patents

펠리클 및 펠리클의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

제조 수율을 향상시킬 수 있는 펠리클(1) 및 펠리클의 제조 방법을 제공한다. 펠리클의 제조 방법은, Si를 포함하는 지지체(3)를 준비하는 공정과, 지지체의 표면에 펠리클막(4)을 형성하는 공정을 구비한다. 펠리클막을 형성하는 공정은 지지체의 표면의 Si를 탄화함으로써, 지지체의 표면에, 제1 평균 탄소 농도를 갖는 SiC막(121)을 형성하는 공정과, SiC막의 표면에, 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖는 SiC막(122)을 성막하는 공정을 포함한다. 펠리클의 제조 방법은, 웨트 에칭에 의해 SiC막(12)의 이면의 적어도 일부를 노출시키는 공정을 추가로 구비한다.

Description

펠리클 및 펠리클의 제조 방법
본 발명은, 펠리클 및 펠리클의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 특정적으로는 SiC막을 포함하는 펠리클 및 펠리클의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 사용되는 포토리소그래피 기술에 있어서는, 반도체 웨이퍼에 레지스트를 도포하고, 도포한 레지스트의 필요한 개소에 대하여 포토마스크를 사용하여 노광 광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼 위에 필요한 형상의 레지스트 패턴이 제작된다. 레지스트에 대하여 노광 광을 조사할 때에는, 펠리클이라고 불리는 방진용의 커버로 포토마스크를 덮음으로써, 포토마스크로의 이물의 부착이 방지된다. 펠리클의 펠리클막으로서는 노광 광의 투과성이 높고, 노광 광에 대한 내성이 높은(고온시의 변질이나 변형이 적은) 재료가 적합하고, Si(규소) 등이 사용되고 있다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는 반도체 디바이스의 미세화에 따라, 포토리소그래피 기술의 미세화에 대한 요구가 높아지고 있다. 최근에는, 노광 광으로서 종래의 KrF(불화 크립톤) 엑시머 레이저를 광원으로 하는 광(248㎚)이나 ArF(불화 아르곤) 엑시머 레이저를 광원으로 하는 광(193㎚) 등보다도 단파장인 EUV(Extreme Ultra Violet) 광(13.5㎚) 등을 사용하는 것이 검토되고 있다.
광의 에너지는 파장의 길이에 반비례하여 커지기 때문에, 노광 광의 파장이 짧아지면 펠리클막이 노광 광으로부터 받는 에너지는 커진다. 이 때문에, 노광 광의 단파장화에 따라, 펠리클막에는 노광 광에 대한 보다 높은 내성이 요구되고 있고, 이러한 펠리클막의 재료로서, Si보다도 열적 및 화학적으로 안정적인 SiC(탄화 규소)를 사용하는 것이 제안되고 있다.
SiC로 이루어진 펠리클막의 제조 방법에 관한 기술은, 예를 들면 하기 특허문헌 1 내지 3 등에 개시되어 있다.
하기 특허문헌 1에는, 실리콘 웨이퍼 위에 LPCVD법에 의해 다결정 SiC막을 성막하고, CMP법에 의해 다결정 SiC막을 150㎚의 두께로 연마하고, KOH(수산화칼륨) 수용액을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 웨트 에칭함으로써, 메쉬 형상의 실리콘 웨이퍼를 지지재로 하는 SiC로 이루어진 펠리클막을 제작하는 기술이 개시되어 있다.
하기 특허문헌 2에는, 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 두께의 펠리클막을 기판 위에 형성하고, 펠리클막이 형성된 면과는 반대측의 기판의 면을 에칭하고, 기판의 일부를 제거하여 펠리클막을 노출시키는 펠리클막의 제조 방법이 개시되어 있다. 펠리클막의 재료로서는 SiC 등을 들 수 있고, 기판으로서는 실리콘 기판 등을 들 수 있다.
하기 특허문헌 3에는, Si 기판의 표면 전체를 탄화하고, 계속해서 LPCVD법을 사용하여 약 1㎛ 두께의 SiC막을 Si 기판의 표면 전체에 형성하고, Si 기판 중 어느 한쪽 면의 SiC막을 임의의 면적으로 제거하고, SiC막의 윈도우부에 노출된 Si 기판을 용해 제거함으로써, SiC막의 윈도우부에 있어서 SiC막이 자립한 구조를 제작하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 국제공개 제2014/188710호 팜플렛 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2017-83791호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개평9-310170호
SiC로 이루어진 펠리클막에는 큰 면적의 포토마스크를 덮는 것을 실현하기 위해서 대면적화의 요망이 있고, 높은 투과율을 실현하기 위해서 박막화의 요망이 있다. 그러나, SiC막을 대면적화 및 박막화하려고 하면(예를 들면 100㎚ 이하의 두께로 하려고 하면), SiC막의 기계적 강도가 낮아지기 때문에, SiC막에 크랙이 생기거나, Si 기판으로부터 SiC막이 벗겨지는 현상이 일어나서, 제조 수율이 현저하게 낮았다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 것이며, 그 목적은 제조 수율을 향상시킬 수 있는 펠리클 및 펠리클의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 국면을 따른 펠리클은 환상의 평면 형상을 갖고, Si를 포함하는 지지체와, 지지체의 한쪽 주면에 형성된 펠리클막을 구비하고, 펠리클막은 10㎚ 이상 100㎚ 이하의 두께를 갖는 SiC막을 포함하고, SiC막은 지지체의 한쪽 주면에 형성되고, 제1 평균 탄소 농도를 갖는 제1 SiC막과, 제1 SiC막의 한쪽 주면에 형성되고, 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖는 제2 SiC막을 포함한다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 지지체의 다른 쪽 주면에는 SiC막은 형성되어 있지 않다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, SiC막의 지지체가 형성되어 있는 측과는 반대측의 주면에는 Si 산화막은 형성되어 있지 않다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 펠리클막은 제2 SiC막의 한쪽 주면에 형성된 복사막으로서, 제1 및 제2 SiC막의 복사율보다도 높은 복사율을 갖는 복사막을 추가로 포함한다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 복사막은 Ru를 포함한다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 두께는 0보다 크고 10㎚ 이하이며, 제1 평균 탄소 농도는 제2 평균 탄소 농도보다도 낮다
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 13.5㎚의 파장을 갖는 광에 대한 펠리클막의 투과율은 70% 이상이다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 지지체는 Si 기판으로 이루어진다.
상기 펠리클에 있어서 바람직하게는, 지지체는 Si 기판과, Si 기판의 한쪽 주면에 형성된 Si 산화막을 포함한다.
본 발명의 다른 국면에 따른 펠리클의 제조 방법은 Si를 포함하는 지지체를 준비하는 공정과, 지지체의 한쪽 주면에 펠리클막을 형성하는 공정을 구비하고, 펠리클막을 형성하는 공정은 지지체의 한쪽 주면의 Si를 탄화함으로써, 지지체의 한쪽 주면에, 제1 평균 탄소 농도를 갖는 제1 SiC막을 형성하는 공정과, 제1 SiC막의 한쪽 주면에, 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖는 제2 SiC막을 성막하는 공정을 포함하고, 웨트 에칭에 의해 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정을 추가로 구비한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 펠리클막을 형성하는 공정은 제2 SiC막의 한쪽 주면에, 제1 및 제2 SiC막의 복사율보다도 높은 복사율을 갖는 복사막을 형성하는 공정을 추가로 포함한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정은 복사막을 형성하는 공정 후에 수행된다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 웨트 에칭에 사용하는 약액에 대하여 적어도 지지체 및 제1 SiC막을 상대적으로 움직인다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 적어도 지지체 및 제1 SiC막을, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면에 대하여 평행한 평면내의 방향으로 움직인다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 적어도 지지체 및 제1 SiC막을 회전시킨 상태에서, 웨트 에칭에 사용하는 약액을 지지체의 다른 쪽 주면에 주입한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 지지체의 다른 쪽 주면의 중앙부에 Si를 저면으로 하는 오목부를 형성하는 공정을 추가로 구비하고, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 오목부의 저면에 제1 SiC막을 노출시킨다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 지지체의 다른 쪽 주면의 중앙부에 오목부를 형성하는 공정에 있어서, 지지체의 다른 쪽 주면에 형성된 산화막 또는 질화막으로 이루어진 마스크층을 마스크로 하여, 지지체의 다른 쪽 주면의 중앙부를 웨트 에칭에 의해 제거한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 웨트 에칭에 사용하는 약액으로서 불산 및 질산을 포함하는 혼산(混酸)을 사용한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 지지체를 준비하는 공정에 있어서, 지지체로서 Si 기판을 준비한다.
상기 펠리클의 제조 방법에 있어서 바람직하게는, 지지체를 준비하는 공정에 있어서, Si 기판과, Si 기판의 한쪽 주면에 형성된 Si 산화막과, Si 산화막의 한쪽 주면에 형성된 Si막을 포함하는 지지체를 준비하고, 제1 SiC막을 형성하는 공정에 있어서, Si막의 적어도 일부를 탄화한다.
본 발명에 의하면, 제조 수율을 향상시킬 수 있는 펠리클 및 펠리클의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, SiC막(12)의 표면(12a)에 대하여 수직인 방향에서 보았을 경우의 펠리클(1)의 구성을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제1 공정을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제2 공정을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제3 공정을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시형태에서의 SiC막(12) 내의 탄소 농도 분포를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제4 공정을 도시한 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시한 공정의 변형예의 제1 공정을 도시한 단면도이다.
도 9는 도 7에 도시한 공정의 변형예의 제2 공정을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제4 공정 직후의 상태를 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제5 공정을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시형태에서의 Si의 웨트 에칭의 제1 방법을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제1 실시형태에서의 Si의 웨트 에칭의 제2 방법을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시형태에서의 Si의 웨트 에칭의 제3 방법을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 15는 도 1에 도시한 펠리클(1)에서의 A부 확대도이다.
도 16은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제1 실시형태의 제조 방법을 사용하여 제작한 펠리클의 사진이다.
도 18은 본 발명의 제2 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제1 공정을 도시한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제2 공정을 도시한 단면도이다.
도 22는 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제3 공정을 도시한 단면도이다.
도 23은 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제4 공정을 도시한 단면도이다.
도 24는 본 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법의 제5 공정을 도시한 단면도이다.
도 25는 본 발명의 제4 실시형태에서의 펠리클(1)의 사용 방법의 일례를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면에 기초하여 설명한다.
[제1 실시형태]
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다. 또한 도 1은 SiC막(12)의 표면(12a)에 대하여 수직인 평면에서 자른 경우의 단면도이다.
도 1을 참조하여, 펠리클(1)은 Si를 포함하는 지지체(3)과, SiC막(12)을 포함하는 펠리클막(4)을 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 지지체(3)는 Si 기판(11)으로 이루어져 있고, 펠리클막(4)은 SiC막(12)으로 이루어져 있다.
Si 기판(11)은 환상의 평면 형상을 갖고 있다. Si 기판(11)은 표면(11a)과, 이면(1lb)과, 측면(11c)을 포함하고 있다. Si 기판(11)의 표면(11a)에는 (111)면이 노출되어 있다. Si 기판(11)의 표면(11a)에는 (100)면이나 (110)면이 노출되어 어도 좋다.
SiC막(12)은 Si 기판(11)의 표면(11a)에 형성되어 있다. SiC막(12)은 SiC막(121)(제1 SiC막의 일례)과, SiC막(122)(제2 SiC막의 일례)을 포함하고 있다. SiC막(121)은 Si 기판(11)의 표면(11a)에 형성되어 있고, 제1 평균 탄소 농도를 갖고 있다. SiC막(122)은 SiC막(121)의 표면(121a)에 형성되어 있고, 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖고 있다.
SiC막(12)은 표면(12a)와, 이면(12b)과, 측면(12c)을 포함하고 있다. SiC막(12)의 표면(12a)은 SiC막(122)의 표면(122a)에 상당한다. SiC막(12)의 이면(12b)은 SiC막(121)의 이면(12lb)에 상당하고, 환상의 Si 기판(11)의 내측의 오목부(13)에 노출되어 있다. SiC막(12)은 Si 기판(11)의 이면(1lb)에는 형성되어 있지 않고, Si 기판(11)의 이면(11b)은 노출되어 있다.
SiC막(12)은 10㎚ 이상 100㎚ 이하의 두께(w)를 갖고 있다. SiC막(12)은 단결정 3C-SiC, 다결정 3C-SiC, 또는 아몰퍼스 SiC 등으로 이루어져 있다. 특히, SiC막(12)이 Si 기판(11)의 표면에 에피택셜 성장된 것인 경우, 일반적으로, SiC막(12)은 3C-SiC로 이루어져 있다.
펠리클(1)에 있어서, 13.5㎚의 파장을 갖는 광에 대한 펠리클막(4)의 투과율은 70% 이상인 것이 바람직하다.
또한, Si 기판(11)의 이면(1lb)에는 SiC막은 형성되어 있지 않다. 또한, SiC막(12)의 표면(Si 기판(11)이 형성되어 있는 측과는 반대측의 주면)(12a)에는 Si 산화막은 형성되어 있지 않고, 펠리클막(1)은 Si 산화막을 포함하고 있지 않다.
도 2은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, SiC막(12)의 표면(12a)에 대하여 수직인 방향에서 보았을 경우의 펠리클(1)의 구성을 도시한 평면도이다. 도 2에서는 Si 기판(11)의 형상을 나타낼 목적으로, Si 기판(11)은 점선으로 표시되어 있지만, 실제로는 Si 기판(11)은 직접적으로는 보이지 않는다.
도 2를 참조하여, Si 기판(11), SiC막(12), 및 오목부(13)의 각각은 임의의 평면 형상을 갖고 있다. SiC막(12)은 그 외주 단부를 환상의 Si 기판(11)에 의해 지지되어 있다. 이로써, SiC막(12)의 기계적 강도가 Si 기판(11)에 의해 보강되어 있다. Si 기판(11), SiC막(12), 및 오목부(13)의 각각은, 예를 들면 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 원의 평면 형상을 갖고 있어도 좋고, 도 2(b)에 도시한 바와 같이, 직사각형의 평면 형상을 갖고 있어도 좋다. 도 2(b)에서는, Si 기판(11)은 사각 환상의 평면 형상을 갖고 있다. 또한 도 2(c)에 도시한 바와 같이, Si 기판(11) 및 SiC막(12)의 각각은 원의 평면 형상을 갖고 있고, 오목부(13)는 직사각형의 평면 형상을 갖고 있어도 좋다. 오목부(13)의 크기는 임의이며, 펠리클(1)에 요구되는 기계적 강도 등에 따라 결정되어도 좋다.
다음에, 본 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법에 대하여 도 3 내지 도 11을 사용하여 설명한다.
도 3을 참조하여, 예를 들면 원판상의(오목부(13)가 형성되어 있지 않은) Si 기판(11)을 준비한다.
도 4를 참조하여, 다음에, 탄화수소계 가스 분위기 중에서 Si 기판(11)의 표면(11a)을 탄화(침탄)함으로써, 표면(11a)에 SiC막(121)을 형성한다. 탄화하기 전에 Si 기판(11)의 표면(11a)이었던 부분은 탄화에 의해 SiC막(121)으로 변하고, Si 기판(11)의 표면(11a)는 탄화에 의해 이면(1lb)측으로 후퇴한다. 분위기 중의 온도는 900℃ 내지 1405℃인 것이 바람직하다. 탄화수소계 가스는 프로판 가스이고, 또한 캐리어 가스로서 수소 가스가 사용되는 것이 바람직하다. 프로판 가스의 유량은 예를 들면 10sccm이고, 수소 가스의 유량은 예를 들면 1000sccm이다.
도 5를 참조하여, 계속해서, SiC막(121)의 표면(121a)에 SiC막(122)을 에피택셜 성장시킨다. 이로써, Si 기판(11)의 표면(11a)에 SiC막(12)이 성막된다. SiC막(122)은 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법, 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등을 사용하여 성막된다. 또한, SiC막(122)의 성막 시에는, Si 기판(11)의 측면(11c)에도 SiC막(122)이 형성되어도 좋다.
SiC막(122)의 에피택셜 성장은, 예를 들면 메틸실란계 가스로 이루어진 원료 가스를 약 1.0sccm 정도의 유량으로 공급하면서, SiC막(121)이 형성된 기판을 900℃ 이상 1405℃ 이하의 온도로 가열함으로써 수행된다.
도 6은 본 발명의 제1 실시형태에서의 SiC막(12) 내의 탄소 농도 분포를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6을 참조하여, SiC막(122)의 성막 시에는, 일정한 성막 조건으로 SiC막(122)이 성막되기 때문에, SiC막(122) 내에서는 Si 원자와 C 원자는 거의 같은 비율로 존재한다. 한편, Si 기판(11)의 탄화에 의해 SiC막(121)을 형성할 때에는, C 원자는 Si 기판(11)의 표면(11a)을 통하여 Si 기판(11)의 내부에 침입한다. 그 결과, SiC막(121) 내에서는, SiC막(122)과의 계면에서 멀어짐에 따라 탄소 농도가 낮아진다. 또한, Si 기판(11)의 탄화에 의해 SiC막(121)을 형성할 때에는, SiC막(122)의 성막 시에 비해, 막 내에 C 원자가 들어가기 어렵다. 이 때문에, 통상, SiC막(121)의 두께(w1)는 0보다도 크고 10㎚ 이하이며, SiC막(121)의 평균 탄소 농도는 SiC막(122)의 평균 탄소 농도보다도 낮다.
또한, SiC막(121 및 122) 내의 탄소 농도 분포 및 평균 탄소 농도는 임의이며, SiC막(121)의 평균 탄소 농도와 SiC막(122)의 평균 탄소 농도는 서로 상이해도 좋다.
도 7을 참조하여, 다음에, Si 기판(11)의 이면(1lb)의 중앙부(RG1)의 Si를 제거한다(Si 기판(11)의 이면(1lb)을 스폿 페이싱 가공한다). 중앙부(RG1)의 Si의 제거는 Si 기판(11)의 중앙부(RG1)의 Si를 기계적으로 연삭함으로써 수행되어도 좋다. 또한, 중앙부(RG1)의 Si의 제거는 Si 기판(11)의 이면(1lb)에서의 중앙부(RG1)를 제거한 영역에 포토레지스트를 형성하고, 형성한 포토레지스트를 마스크로서 중앙부(RG1)의 Si를 에칭함으로써 수행되어도 좋다.
또한, Si의 웨트 에칭에 사용되는 약액에 대한 마스크의 내성을 높일 경우에는, 중앙부(RG1)의 Si의 제거는 다음의 방법에 의해 수행되어도 좋다.
도 8을 참조하여, Si 기판(11)의 이면(1lb) 전면에, Si 산화막 또는 Si 질화막으로 이루어진 마스크층(14)을 형성한다. 계속해서 마스크층(14) 위에, 필요한 형상으로 패터닝한 포토레지스트(15)를 형성한다.
도 9를 참조하여, 다음에, 포토레지스트(15)를 마스크로서 마스크층(14)을 웨트 에칭에 의해 패터닝한다. 이로써, 마스크층(14)의 외주부만이 남겨진다. 마스크층(14)이 Si 산화막으로 이루어지는 경우, 마스크층(14)의 웨트 에칭의 약액으로서는 불산 용액 등이 사용된다. 마스크층(14)이 Si 질화막으로 이루어지는 경우, 마스크층(14)의 웨트 에칭의 약액으로서는 인산 용액 등이 사용된다. 계속해서, 패터닝된 마스크층(14)을 마스크로서, 혼산 등의 약액을 사용하여 중앙부(RG1)의 Si를 웨트 에칭에 의해 제거한다. 그 후, 포토레지스트(15) 및 마스크층(14)을 제거한다. 또한, 포토레지스트(15)는 Si의 웨트 에칭 전에 제거되어도 좋다.
또한, 도 3에 도시한 공정에 있어서, Si 기판(11)의 이면(1lb)에 마스크층(14)이 미리 형성된 기판을 준비함으로써, 도 8에 도시한 마스크층(14)을 형성하는 공정이 생략되어도 좋다. 또한, 마스크층(14)으로서는, Si 산화막 및 Si 산화막 이외의 산화막 또는 질화막이 사용되어도 좋다.
도 10을 참조하여, 중앙부(RG1)의 Si가 제거된 결과, Si 기판(11)의 이면(1lb)에는 오목부(13)가 형성된다. 도 10에 있어서, 오목부(13)는 Si 기판(11)을 관통하지 않는 정도의 깊이를 갖고 있고, 오목부(13)의 저면은 Si에 의해 구성되어 있다. 오목부(13)의 존재에 의해, Si 기판(11)의 중앙부의 두께(도 10 중 세로 방향의 길이)는 Si 기판(11)의 외주부의 두께보다도 얇아진다.
도 11을 참조하여, 계속해서, Si 기판(11)의 오목부(13)의 저면(RG2)를 웨트 에칭에 의해 제거한다. 저면(RG2)은 Si 기판의 이면(1lb)의 일부를 구성하고 있다. 저면(RG2)의 Si가 제거된 결과, 오목부(13)의 저면에는 SiC막(12)의 이면(12b)(SiC막(121)의 이면(12lb))이 노출된다. 또한, 이 웨트 에칭 시에는, 저면(RG2)의 Si와 함께 Si 기판(11)의 이면(1lb)의 외주부(RG3)의 Si도 제거된다. 웨트 에칭을 채용함으로써, Si 기판을 제거할 때에 SiC막(12)에 부여하는 데미지를 억제할 수 있다. 이상의 공정에 의해, 도 1에 도시한 펠리클(1)이 완성된다.
저면(RG2)의 Si의 웨트 에칭은, 웨트 에칭에 사용하는 약액에 대하여 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 상대적으로 움직임으로써 수행되는 것이 바람직하다. Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 움직이는 것에는 Si 기판(11) 및 SiC막(12)의 위치를 바꾸지 않고 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 회전시키는 것과, Si 기판(11) 및 SiC막(12)의 위치를 바꾸는(바꿔 말하면, Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 이동시키는) 것과, Si 기판(11) 및 SiC막(12)의 위치를 바꾸면서 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 회전시키는 것 등이 포함된다. Si의 웨트 에칭에 사용하는 약액으로서는, 예를 들면 불산 및 질산을 포함하는 혼산이나, 수산화칼륨(KOH) 수용액 등이 사용된다.
Si의 웨트 에칭의 약액으로서 수산화칼륨 수용액 등의 알칼리 용액을 사용한 경우, SiC막(12) 중에 저밀도로 존재하는 핀홀을 통하여 SiC막(12)까지도 에칭되는 경우가 있다. SiC막(12)이 에칭되는 것을 억제하고, SiC막(12)의 품질을 양호하게 하기 위해서는, Si의 웨트 에칭의 약액으로서 상기한 혼산을 사용하는 것이 바람직하다.
Si의 웨트 에칭 시에 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 움직이는 방향은 임의이다. 그러나, Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 움직이고 있는 사이에 약액으로부터 받는 압력에 의해 SiC막(12)이 파손되는 사태를 회피하기 위해서는, 이하의 제1 내지 제3 방법과 같이, SiC막(12)의 이면(12b)(SiC막(121)의 이면(12lb))에 대하여 평행한 평면(도 12 내지 도 14 중의 평면(PL)) 내의 방향으로 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 움직이는 것이 바람직하다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 제1 실시형태에서의 Si의 웨트 에칭의 제1 내지 제3 방법을 모식적으로 도시한 도면이다. 또한, 도 12 내지 도 14의 설명에서는, Si의 웨트 에칭 직전의 구조를 중간체(2)로 기재하고 있다. 본 실시형태에서는 도 10의 공정을 거친 직후의 구조가 중간체(2)에 상당한다
도 12를 참조하여, 제1 방법은 스핀 에칭에 의해 Si를 제거하는 방법이다. 제1 방법에서는, Si 기판(11)의 이면(1lb)이 위를 향하도록 중간체(2)를 고정대(HP)에 고정한다. 그리고, 화살표(AR1)로 표시한 바와 같이, 이면(1lb)과 직교하는 방향으로 연장하는 회전축을 중심으로 하여 고정대(HP)를 회전시킨다. 이렇게 하여, 중간체(2)의 위치를 바꾸지 않고 중간체(2)를 회전시킨 상태에서, 웨트 에칭에 사용하는 약액(MA)(에칭액)을 Si 기판(11)의 이면(1lb)에 주입한다. 고정대(HP)의 회전수는, 예를 들면 100 내지 1500rmp 정도로 설정된다.
도 13을 참조하여, 제2 방법에서는 복수의 중간체(2)를 세운 상태에서 고정대(HP)에 고정한다. 그리고, 반응 용기(CS)의 내부에 충전된 약액(MA)에 복수의 중간체(2)를 침지하고, SiC막(12)의 이면(12b)에 대하여 평행한 평면(PL) 내에서, 화살표(AR2)로 표시한 바와 같이 중간체(2)의 위치를 바꾸면서 중간체(2) 및 고정대(HP)를 회전시킨다.
도 14를 참조하여, 제3 방법에서는 Si 기판(11)의 이면(1lb)이 위를 향하도록 중간체(2)를 고정대(HP)에 고정한다. 그리고, 반응 용기(CS)의 내부에 충전된 약액(MA)에 중간체(2)를 침지하고, SiC막(12)의 이면(12b)에 대하여 평행한 평면(PL) 내에서, 화살표(AR3)로 표시한 바와 같이 중간체(2) 및 고정대(HP)를 직선 위에서 왕복 이동시킨다.
도 15는 도 1에 도시한 펠리클(1)에서의 A부 확대도이다. 또한, 도 15에서는 Si 기판(11)의 폭의 변화량을 실제의 것보다도 강조하여 도시하고 있다.
도 15를 참조하여, 불산 및 질산을 포함하는 혼산은 Si를 등방적으로 에칭하는 작용을 갖고 있다. 이 때문에, 불산 및 질산을 포함하는 혼산을 약액으로서 사용하여 Si를 웨트 에칭한 경우에는, 그 흔적으로서, Si 기판(11)의 폭(d)(도 15 중 가로방향의 길이)은 SiC막(12)로부터 멀어짐에 따라(SiC막(12)로부터 Si 기판(11)의 이면(1lb)을 향하여) 감소하고 있다.
또한, 본 실시형태의 제조 방법의 변형예로서, 도 16에 도시한 바와 같이, Si 기판(11)의 이면(1lb)의 중앙부(RG1)의 Si를 제거하여 오목부(13)를 형성한 후, Si 기판(11)의 표면(11a)에 SiC막(12)을 형성함으로써, 도 10에 도시한 구조가 제작되어도 좋다.
본 실시형태에 의하면, Si 기판(11)의 표면(11a)를 탄화함으로써 수득된 SiC막(121)과, 성막에 의해 수득된 SiC막(122)과의 밀착성이 양호하기 때문에, SiC막(12) 전체의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 이로써, SiC막(12)을 대면적화 및 박막화한 경우의 SiC막(12)의 기계적 강도의 저하를 억제할 수 있고, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
더하여, 본 실시형태에 의하면, Si 기판(11)의 웨트 에칭 시에, 웨트 에칭의 약액에 대하여 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 상대적으로 움직임으로써, Si 기판(11)의 웨트 에칭 중에 SiC막(12)에 크랙이 생기거나, Si 기판(11)으로부터 SiC막(12)이 벗겨지는 사태를 억제할 수 있고, 펠리클(1)에서의 SiC막(12)의 박막화를 도모할 수 있다.
본원 발명자는 Si 기판(11)의 웨트 에칭 중(Si 기판(11)의 약액으로의 침지 중)에 SiC막(12)에 크랙이 생기거나, Si 기판(11)으로부터 SiC막(12)이 벗겨지는 원인은 Si 기판(11)의 반응면(Si 기판(11)의 이면(1lb)에서의 약액과 반응하는 부분의 면)에 국소적으로 반응 후의 약액이 체류하고, 그에 의해 Si의 에칭 속도가 불균일해지고, Si 기판(11)의 반응면에 거칠기를 발생시키기 때문인 것을 찾아냈다. 또한 본원 발명자는 웨트 에칭의 약액으로서 혼산을 사용한 경우에는, 약액과 Si와의 반응에 의해 발생하는 큰 거품이 Si 기판(11)의 반응면에 국소적으로 체류하고, 이 거품이 Si 기판(11)의 반응면의 약액과의 반응을 국소적으로 방해하여, Si 기판(11)의 반응면에 거칠기를 발생시키는 것을 찾아냈다.
SiC막(12)이 비교적 두꺼운 경우(예를 들면 두께가 100㎚보다 큰 경우)에는, SiC막(12) 자체의 기계적 강도가 높기 때문에, Si 기판(11)의 반응면의 거칠기는 SiC막(12)에 대하여 그다지 악영향을 끼치지 않는다. 그러나, SiC막(12)이 비교적 얇은 경우(예를 들면 두께가 100㎚ 이하의 경우)에는, Si 기판(11)의 반응면의 거칠함은 SiC막(12)에 대하여 악영향을 끼친다. 즉, Si 기판(11)의 반응면의 거칠기에 의해 SiC막(12)에 불균일한 응력이 가해져, Si 에칭 중에 SiC막(12)에 크랙이 생기거나 SiC막(12)이 Si 기판(11)으로부터 벗겨지는 사태를 초래한다.
그래서, 본 실시형태에서는 Si 기판(11)의 웨트 에칭 시에, 웨트 에칭의 약액에 대하여 Si 기판(11) 및 SiC막(12)을 상대적으로 움직임으로써, Si 기판(11)의 반응면에 국소적으로 반응 후의 약액이나 거품이 체류하는 것을 억제하고, Si 기판(11)의 반응면의 거칠기를 억제할 수 있다. 그 결과, SiC막(12)에 불균일한 응력이 가해지는 것을 억제할 수 있고, SiC막(12)의 박막화를 도모할 수 있다.
특히, Si의 웨트 에칭의 방법으로서, 스핀 에칭에 의해 Si를 제거하는 방법(도 12에 도시한 제1 방법)을 채용한 경우에는, 웨트 에칭 중에 SiC막(12)이 약액에 노출되는 것은, 오목부(13)의 저부에 SiC막(12)의 이면(12b)이 노출되고 있는 동안만이다. 또한, 웨트 에칭 중에 SiC막(12)의 표면(12a)은 약액에 노출되는 일은 없다. 이 때문에, 약액에 의한 SiC막(12)의 데미지를 최소한으로 억제할 수 있다.
또한, Si의 웨트 에칭의 약액으로서 혼산을 사용함으로써, 약액에 의한 SiC막(12)의 데미지를 억제할 수 있다. 그 결과, SiC막(12)의 제조 수율을 향상시킬 수 있고, SiC막을 대면적으로 형성할 수 있다.
도 17은 본 발명의 제1 실시형태의 제조 방법을 사용하여 제작한 펠리클의 사진이다.
도 17을 참조하여, 이 펠리클은 직경 200mm의 Si 기판으로 이루어진 지지체와, 지지체 위에 형성된 두께 30㎚, 사이즈 11cm×14cm의 SiC막으로 이루어진 펠리클막을 구비하고 있다.
[제2 실시형태]
도 18은 본 발명의 제2 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다. 또한 도 18은 SiC막(12)의 표면(12a)에 대하여 수직인 평면에서 자른 경우의 단면도이다.
도 18을 참조하여, 본 실시형태에서의 펠리클(1)은 펠리클막(4)이 복사막(18)을 추가로 포함하고 있는 점에서, 제1 실시형태에서의 펠리클(1)과 상이하다. 복사막(18)은 SiC막(12)의 표면(12a)(SiC막(122)의 표면(122a))에 형성되어 있고, SiC막(12)과 동일한 평면 형상을 갖고 있다. 복사막(18)은 SiC막(121 및 122)의 복사율보다도 높은 복사율을 갖고 있다. 복사막(18)은, 예를 들면 Ru(루테늄)을 포함하고 있고, Ru으로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
복사막(18)은 SiC막(122)을 형성한 후에, SiC막(122)의 표면(122a)에 스퍼터링법이나 ALD(Atomic Layer Deposition)법 등을 사용하여 형성된다. 복사막(18)은 웨트 에칭에 의해 SiC막(12)의 이면(12b)을 노출시키기 전에 형성되어도 좋고, 웨트 에칭에 의해 SiC막(12)의 이면(12b)을 노출시킨 후에 형성되어도 좋다. 웨트 에칭시의 SiC막(12)을 복사막(18)으로 보강할 목적으로, 복사막(18)은 웨트 에칭에 의해 SiC막(12)의 이면(12b)을 노출시키기 전에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 이외의 펠리클(1)의 구성 및 제조 방법은, 제1 실시형태에서의 펠리클의 구성 및 제조 방법과 동일하다. 따라서, 동일한 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 그들의 설명은 반복하지 않는다.
SiC막(12)이 박막화되면, 표면(12a)에 대하여 평행한 방향(도 18 중 가로 방향)의 SiC막(12)의 전열성이 낮아진다. 이 때문에, 펠리클(1)의 사용 시에 노광 광의 에너지에 의한 SiC막(12)의 온도 상승이 현저해진다. 본 실시형태에 의하면, SiC막(12)에 축적한 열이 복사막(18)을 통하여 외부로 복사되기 때문에, SiC막(12)의 온도 상승을 억제할 수 있다.
[제3 실시형태]
도 19는 발명의 제3 실시형태에서의 펠리클(1)의 구성을 도시한 단면도이다. 또한 도 19는 SiC막(12)의 표면(12a)에 대하여 수직인 평면에서 자른 경우의 단면도이다.
도 19를 참조하여, 본 실시형태에서의 펠리클(1)은 지지체(3)가 Si 기판(11)과, Si 산화막(16)을 포함하고 있는 점에서, 제1 실시형태에서의 펠리클(1)과 상이하다. Si 산화막(16)은 Si 기판(11)의 표면(11a)에 형성되어 있고, Si 기판(11)과 동일한 평면 형상을 갖고 있다. SiC막(12)은 Si 산화막(16)의 표면(16a)(Si 기판(11)의 표면(11a))측에 형성되어 있다. 지지체(3)는 Si 기판(11) 및 Si 산화막(16)에 의해 구성되어 있다.
Si 산화막(16)은 PSG(Phosphorus Silicate Glass), BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass), 또는 SiO2 등으로 이루어져 있고, 예를 들면 100㎚ 이상 2000㎚ 이하의 두께를 갖고 있다.
또한, Si 산화막(16)과 SiC막(12) 사이에 Si막(도면 없음)이 형성되어 있어도 좋다.
다음에, 본 실시형태에서의 펠리클(1)의 제조 방법에 대하여, 도 20 내지 도 24를 사용하여 설명한다.
도 20을 참조하여, 예를 들면 원판상의(오목부(13)가 형성되어 있지 않은) SOI(Silicon on Insulator) 기판을 준비한다. SOI 기판은 Si 기판(11)과, Si 기판(11)의 표면(11a)에 형성된 SiO2로 이루어진 Si 산화막(16)과, Si 산화막(16)의 표면(16a)에 형성된 Si막(17)을 포함하고 있다. Si막(17)의 두께는 한정되지 않지만, 뒤의 탄화 공정에서 Si막(17)을 잔존시키지 않고 양호한 SiC막(121)을 형성하기 위해서, Si막(17)은 4㎚ 이상 10㎚ 이하의 두께를 갖고 있는 것이 바람직하다.
Si막(17)의 두께가 상기 범위가 되도록 Si막(17)은 박막화되어도 좋다. Si막(17)의 박막화는, 예를 들면 SOI 기판을 산화 분위기에서 가열 처리함으로써 Si막(17)의 표면(17a)을 산화하고, 계속해서 Si막(17)의 표면(17a)에 형성된 산화물을 웨트 에칭으로 제거함으로써 수행되어도 좋다.
또한, SOI 기판을 사용하는 대신에, Si 기판(11)의 표면(11a)에 Si 산화막(16)을 형성하고, Si 산화막(16)의 표면(16a)에 Si막(17)을 형성함으로써, 도 20의 구조가 작성되어도 좋다.
도 21을 참조하여, 필요에 따라, Si막(17)의 표면(17a)으로부터 Si 산화막(16)에 대하여 P(인), 또는 B(보론) 및 P의 이온을 도입해도 좋다. 이로써, Si 산화막(16)의 조성은 B나 P을 포함하지 않는 SiO2에서, PSG 또는 BPSG으로 변한다. 또한, 상기의 이온의 도입을 생략하고, B나 P을 포함하지 않는 SiO2로 Si 산화막(16)을 형성해도 좋다.
PSG로 이루어진 Si 산화막(16)을 형성할 경우, P 이온의 도입량은 1×1015개/cm2 이상 5×1018개/cm2 이하이고, Si 산화막(16) 중의 P 원자의 도프량은 5원자% 이상 7원자% 이하인 것이 바람직하다. 이로써, Si 산화막(16)의 흡습성의 증가를 억제하면서 Si 산화막(16)을 충분히 연화시킬 수 있다. 또한, P 이온의 도입시의 기판 온도는 200℃ 이상 550℃ 이하인 것이 바람직하다. 이로써, Si막(17)의 결정성의 저하를 억제할 수 있다. 또한, P 이온의 가속 에너지는 5keV 이상 30keV 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 뒤에 형성되는 SiC막(12)의 결정성 및 적절한 막 두께를 유지할 수 있다.
도 22를 참조하여, 다음에, 탄화수소계 가스 분위기 중에서 Si막(17)을 가열함으로써, Si막(17)을 탄화한다. 그 결과, Si막(17)은 SiC막(121)으로 변화된다. 분위기 중의 온도는 900℃ 내지 1405℃인 것이 바람직하다. 탄화수소계 가스는 프로판 가스이고, 또한 캐리어 가스로서 수소 가스가 사용되는 것이 바람직하다. 프로판 가스의 유량은 예를 들면 10sccm이고, 수소 가스의 유량은 예를 들면 1000sccm이다.
Si막(17)의 탄화 후에 기판이 냉각될 때에는, SiC막(121)과 Si 기판(11)과의 수축률의 차이에 기인하는 인장 응력이 SiC막(121) 내에 발생한다. 그러나, 비교적 부드러운 재료인 Si 산화막(16)을 개재시킴으로써, SiC막(121) 내부의 인장 응력을 완화할 수 있다.
또한, Si막(17)이 완전하게 탄화되지 않고, 그 일부가 Si 산화막(16)과의 계면 부근에 남겨져도 좋다. 이 경우, Si 산화막(16)과 SiC막(121) 사이에 개재하는 Si막(17)에 의해, Si 산화막(16)과 SiC막(121)과의 계면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. Si막(17)이 완전하게 탄화되었는지 여부에 관계없이, SiC막(121)은 Si 산화막(16)의 표면(16a)측에 형성된다.
도 23을 참조하여, 계속해서, SiC막(121)의 표면(121a)에 에피택셜 성장에 의해 SiC막(122)을 형성한다. 이로써, Si 산화막(16)의 표면(16a)에, SiC막(121 및 122)으로 이루어진 SiC막(12)이 수득된다.
SiC막(122)의 에피택셜 성장은, 예를 들면 메틸실란계 가스로 이루어진 원료 가스를 약 1.0sccm 정도의 유량으로 공급하면서, SiC막(121)이 형성된 기판을 900℃ 이상 1405℃ 이하의 온도로 가열함으로써 수행된다.
SiC막(122)의 에피택셜 성장 후에 기판이 냉각될 때에도, SiC막(12)과 Si 기판(11)과의 수축률의 차이에 기인하는 인장 응력이 SiC막(12) 내에 발생한다. 그러나, 비교적 부드러운 재료인 Si 산화막(16)을 개재시킴으로써, SiC막(12) 내부의 인장 응력을 완화할 수 있다.
도 24를 참조하여, 계속해서, 제1 실시형태와 동일한 방법으로, Si 기판(11)의 이면(1lb)의 중앙부(RG1)의 Si를 제거하여 오목부(13)를 형성한다. 오목부(13)를 형성할 때에는, 중앙부(RG1)의 Si가 완전하게 제거되고, Si 산화막(16)에 도달하는 깊이로 오목부(13)가 형성되어도 좋다. 이로써 중간체(2)가 수득된다.
그 후, 제1 실시형태와 동일한 방법으로, 오목부(13)의 저면(RG2)의 Si 기판(11) 및 Si 산화막(16)(오목부(13)의 저면(RG2)의 Si 기판(11)이 오목부(13)를 형성할 때에 완전하게 제거되어 있는 경우에는, 오목부(13)의 저면(RG2)의 Si 산화막(16)), 및 Si 기판(11)의 이면(1lb)의 외주부(RG3)의 Si를 웨트 에칭에 의해 제거하고, SiC막(12)의 이면(12b)을 노출시킨다. 일반적으로 Si의 웨트 에칭에 사용되는 약액(혼산 등)은 Si 산화막을 용해하는 성질을 갖고 있기 때문에, Si 산화막(16)은 제1 실시형태에서의 Si의 웨트 에칭과 동일한 방법으로 제거할 수 있다. 이상의 공정에 의해, 도 19에 도시한 펠리클(1)이 수득된다.
또한, 상기 이외의 펠리클(1)의 구성 및 제조 방법은 제1 실시형태에서의 펠리클의 구성 및 제조 방법과 동일하다. 따라서, 동일한 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 그들의 설명은 반복하지 않는다.
본 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 더하여, Si 기판(11)과 SiC막(12) 사이에 Si 산화막(16)을 개재시킴으로써, SiC막(12) 내부의 인장 응력을 완화할 수 있다. 그 결과, 제조시의 SiC막(12)의 파손을 억제할 수 있고, SiC막(12)의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태의 제조 방법의 변형예로서, 제1 실시형태의 도 16에 도시한 변형예와 마찬가지로, Si 기판(11)의 이면(1lb)의 중앙부(RG1)의 Si를 제거하여 오목부(13)를 형성한 후에, Si 산화막(16)의 표면(16a)에 SiC막(12)을 형성하고, 그 후 웨트 에칭에 의해 SiC막(12)의 이면(12b)을 노출시킴으로써 펠리클(1)이 제작되어도 좋다.
[제4 실시형태]
도 25는 본 발명의 제4 실시형태에서의 펠리클(1)의 사용 방법의 일례를 도시한 단면도이다.
도 25를 참조하여, 본 실시형태에서는 제1 내지 제3 실시형태의 펠리클이, 마스크(MK)을 덮는 펠리클로서 사용되고 있다. 마스크(MK)의 표면에는, 노광 광을 차광하기 위한 패턴(PN)과, 펠리클(1)을 지지하기 위한 펠리클 프레임(PF)이 설치되어 있다. 펠리클(1)은 마스크(MK)측을 Si 기판(11)으로 하고, 마스크(MK)와는 반대측을 SiC막(12)(펠리클막(4)이 복사막(18)을 포함할 경우에는 복사막(18))으로 한 상태에서, 펠리클 프레임(PF)에 대하여 접착 등에 의해 고정되어 있다. 펠리클(1)은 필요에 따라, 마스크(MK)나 펠리클 프레임(PF)의 형상에 맞춰 가공되어도 좋다.
펠리클(1)은, 노광 시에 마스크(MK)에 부착된 이물이 노광 대상물(반도체 기판 등) 위에서 초점을 맞추는 것에 따른 노광 트러블을 방지하기 위한 것이다. 노광 광은 화살표(AR5)로 표시한 바와 같이, 펠리클(1)을 투과하여 마스크(MK)의 표면에 진입한다. 패턴(PN)의 틈을 통과한 일부의 노광 광은 마스크(MK)의 표면에서 반사하고, 펠리클(1)을 투과한다. 그 후, 노광 광은 노광 대상물의 표면에 도포된 포토레지스트(도면 없음)에 조사된다.
노광 광으로서는 임의의 파장인 것을 사용할 수 있지만, 높은 해상도의 리소그래피 기술을 실현하기 위해서는, 노광 광으로서, 수10㎚ 내지 수nm의 파장을 갖는 EUV광이 사용되는 것이 바람직하다. SiC은 Si에 비해 화학적으로 안정적이고, EUV광에 대하여 높은 투과율 및 높은 내광성을 갖고 있기 때문에, 노광 광으로서 EUV광을 사용할 경우의 펠리클로서 적합하다. 특히, 제1 내지 제3 실시형태의 펠리클(1)과 같이, 20㎚ 이상 100㎚ 이하와 같은 상당히 얇은 SiC막(12)을 포함하는 펠리클(1)을 사용함으로써, 한층 높은 투과율을 실현할 수 있다.
또한, 펠리클(1)은 상기의 고정 방법 대신에, 마스크(MK)측을 SiC막(12)(펠리클막(4)이 복사막(18)을 포함할 경우에는 마스크(MK)측을 복사막(18)으로 하고, 마스크(MK)와는 반대측을 Si 기판(11)으로 한 상태에서, 펠리클 프레임(PF)에 대하여 접착 등에 의해 고정되어도 좋다.
[그 외]
상기의 실시형태에서는 오목부(13)의 저면의 Si가 웨트 에칭에 의해 제거되는 경우에 대하여 게시했지만, 본 발명에 있어서 웨트 에칭에 의해 제거되는 부분은 Si 기판의 다른 쪽 주면의 적어도 일부이면 좋고, 제거되는 부분의 위치, 크기, 및 형상은 임의이다.
상기의 실시형태는 서로 조합하는 것이 가능하다. 예를 들면, 제2 실시형태와 제3 실시형태를 조합함으로써, Si 산화막(16)의 표면(16a)에 SiC막(12)이 형성되어 있고, SiC막(12)의 표면(12a)에 복사막(18)이 형성되어 있어도 좋다.
상기의 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각해야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 청구의 범위에 의해 나타나고, 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
1: 펠리클
2: 중간체
3: 지지체
4: 펠리클막
11: Si(규소) 기판
11a: Si 기판의 표면
1lb: Si 기판의 이면
11c: Si 기판의 측면
12, 121, 122: SiC(탄화 규소)막
12a, 121a, 122a: SiC막의 표면
12b, 12lb: SiC막의 이면
12c: SiC막의 측면
13: 오목부
14: 마스크층
15: 포토레지스트
16: Si 산화막
16a: Si 산화막의 표면
17: Si막
17a: Si막의 표면
18: 복사막
CS: 반응 용기
HP: 고정대
MA: 약액
MK: 마스크
PF: 펠리클 프레임
PL: SiC막의 표면에 대하여 평행한 평면
PN: 패턴
RG1: Si 기판의 이면의 중앙부
RG2: Si 기판의 오목부의 저면
RG3: Si 기판의 이면의 외주부

Claims (20)

  1. 환상의 평면 형상을 갖고, Si를 포함하는 지지체와,
    상기 지지체의 한쪽 주면에 형성된 펠리클막을 구비하고,
    상기 펠리클막은 10㎚ 이상 100㎚ 이하의 두께를 갖는 SiC막을 포함하고,
    상기 SiC막은,
    상기 지지체의 상기 한쪽 주면에 형성되고, 제1 평균 탄소 농도를 갖는 제1 SiC막과,
    상기 제1 SiC막의 한쪽 주면에 형성되고, 상기 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖는 제2 SiC막을 포함하는, 펠리클.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지체의 다른 쪽 주면에는 SiC막은 형성되어 있지 않은, 펠리클.
  3. 제1항에 있어서, 상기 SiC막의 상기 지지체가 형성되어 있는 측과는 반대측의 주면에는, Si 산화막은 형성되어 있지 않은, 펠리클.
  4. 제1항에 있어서, 상기 펠리클막은 상기 제2 SiC막의 한쪽 주면에 형성된 복사막으로서, 상기 제1 및 제2 SiC막의 복사율보다도 높은 복사율을 갖는 복사막을 추가로 포함하는, 펠리클.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복사막은 Ru를 포함하는, 펠리클.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 두께는 0보다 크고 10㎚ 이하이며,
    상기 제1 평균 탄소 농도는 상기 제2 평균 탄소 농도보다도 낮은, 펠리클.
  7. 제1항에 있어서, 13.5㎚의 파장을 갖는 광에 대한 상기 펠리클막의 투과율은 70% 이상인, 펠리클.
  8. 제1항에 있어서, 상기 지지체는 Si 기판으로 이루어진, 펠리클.
  9. 제1항에 있어서, 상기 지지체는 Si 기판과, 상기 Si 기판의 한쪽 주면에 형성된 Si 산화막을 포함하는, 펠리클.
  10. Si를 포함하는 지지체를 준비하는 공정과,
    상기 지지체의 한쪽 주면에 펠리클막을 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 펠리클막을 형성하는 공정은,
    상기 지지체의 상기 한쪽 주면의 Si를 탄화함으로써, 상기 지지체의 상기 한쪽 주면에, 제1 평균 탄소 농도를 갖는 제1 SiC막을 형성하는 공정과,
    상기 제1 SiC막의 한쪽 주면에, 상기 제1 평균 탄소 농도와는 다른 제2 평균 탄소 농도를 갖는 제2 SiC막을 성막하는 공정을 포함하고,
    웨트 에칭에 의해 상기 제1 SiC막의 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정을 추가로 구비한, 펠리클의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 펠리클막을 형성하는 공정은 상기 제2 SiC막의 한쪽 주면에, 상기 제1 및 제2 SiC막의 복사율보다도 높은 복사율을 갖는 복사막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 펠리클의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정은, 상기 복사막을 형성하는 공정 후에 수행되는, 펠리클의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 상기 웨트 에칭에 사용하는 약액에 대하여 적어도 상기 지지체 및 상기 제1 SiC막을 상대적으로 움직이는, 펠리클의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 적어도 상기 지지체 및 상기 제1 SiC막을, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면에 대하여 평행한 평면 내의 방향으로 움직이는, 펠리클의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 적어도 상기 지지체 및 상기 제1 SiC막을 회전시킨 상태에서, 상기 웨트 에칭에 사용하는 약액을 상기 지지체의 상기 다른 쪽 주면에 주입하는, 펠리클의 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 지지체의 다른 쪽 주면의 중앙부에 Si를 저면으로 하는 오목부를 형성하는 공정을 추가로 구비하고,
    상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 상기 오목부의 저면에 상기 제1 SiC막을 노출시키는, 펠리클의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 지지체의 상기 다른 쪽 주면의 중앙부에 상기 오목부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 지지체의 상기 다른 쪽 주면에 형성된 산화막 또는 질화막으로 이루어진 마스크층을 마스크로서, 상기 지지체의 상기 다른 쪽 주면의 중앙부를 웨트 에칭에 의해 제거하는, 펠리클의 제조 방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 제1 SiC막의 상기 다른 쪽 주면의 적어도 일부를 노출시키는 공정에 있어서, 상기 웨트 에칭에 사용하는 약액으로서 불산 및 질산을 포함하는 혼산을 사용하는, 펠리클의 제조 방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 지지체를 준비하는 공정에 있어서, 상기 지지체로서 Si 기판을 준비하는, 펠리클의 제조 방법.
  20. 제10항에 있어서, 상기 지지체를 준비하는 공정에 있어서, Si 기판과, 상기Si 기판의 한쪽 주면에 형성된 Si 산화막과, 상기 Si 산화막의 한쪽 주면에 형성된 Si막을 포함하는 상기 지지체를 준비하고,
    상기 제1 SiC막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 Si막의 적어도 일부를 탄화하는, 펠리클의 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108699687B (zh) * 2016-02-19 2022-03-01 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
EP3418424A4 (en) * 2016-02-19 2019-03-27 Air Water Inc. COMPOSITE SUBSTRATE, PELLETIC LAYER AND METHOD FOR PRODUCING A COMPOSITE SUBSTRATE SUBSTRATE
US11143951B2 (en) * 2018-04-30 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof
JP7319059B2 (ja) 2019-02-25 2023-08-01 エア・ウォーター株式会社 ペリクル中間体の製造方法およびペリクルの製造方法
JP2022125937A (ja) * 2021-02-17 2022-08-29 エア・ウォーター株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
KR102662986B1 (ko) * 2021-07-06 2024-05-07 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014188710A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4234508C2 (de) * 1992-10-13 1994-12-22 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht
JPH09310170A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Hoya Corp 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
JP3437389B2 (ja) * 1996-11-08 2003-08-18 信越化学工業株式会社 電子線およびｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン
JP2002025916A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ヘテロ構造基板およびその製造方法
JP6329729B2 (ja) 2013-03-26 2018-05-23 サトーホールディングス株式会社 プリンター
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
WO2016032096A1 (ko) * 2014-08-29 2016-03-03 주식회사 에프에스티 탄화규소를 이용한 펠리클 및 그 제조방법
KR102366806B1 (ko) * 2015-05-13 2022-02-23 삼성전자주식회사 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치
JP6830097B2 (ja) * 2015-09-02 2021-02-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 膜アセンブリを製造する方法
JP2017083691A (ja) 2015-10-29 2017-05-18 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 現像剤容器及び画像形成装置
JP2017083791A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
US9759997B2 (en) * 2015-12-17 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle assembly and method for advanced lithography
KR101762059B1 (ko) * 2016-01-13 2017-07-31 한양대학교 산학협력단 Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
CN108699687B (zh) * 2016-02-19 2022-03-01 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
JP6753705B2 (ja) * 2016-06-10 2020-09-09 エア・ウォーター株式会社 基板の製造方法
JP6944768B2 (ja) * 2016-08-29 2021-10-06 エア・ウォーター株式会社 ペリクルの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014188710A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置

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Publication number Publication date
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JP6787851B2 (ja) 2020-11-18
IL272530B (en) 2022-10-01
IL272530B2 (en) 2023-02-01
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US20200166831A1 (en) 2020-05-28
EP3667417B1 (en) 2023-06-28
CN110998436A (zh) 2020-04-10
US11231647B2 (en) 2022-01-25

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