KR102593480B1 - 펠리클 홀딩 모듈 - Google Patents

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Abstract

펠리클 열적 내구성 평가 장치가 제공된다. 상기 펠리클 열적 내구성 평가 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고 펠리클이 안착되는 펠리클 홀더, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 온도를 측정하는 온도 측정 모듈을 포함하는 내구성 측정부, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 종류에 따라, 광의 강도(intensity)를 제어하여 상기 펠리클에 조사하는 광원부를 포함할 수 있다.

Description

펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법 {Pellicle holding module, pellicle thermal durability evaluation device including the same, and pellicle thermal durability evaluation method}
본 발명은 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 챔버 내에 배치된 펠리클 홀더로 광을 조사함으로써 펠리클의 열적 내구성을 평가하는 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법에 관련된 것이다.
반도체 칩 양산 공정에 극자외선 노광 기술이 적용되고 있는 가운데, 공정의 수율 및 생산성 향상을 위해선 공정 중 발생하는 오염물의 유입을 방지하여 마스크의 오염을 막는 펠리클의 개발이 요구된다. 극자외선 노광 공정에서 사용하는 13.5 nm 파장의 EUV 광은 기존 사용되는 193 nm 파장의 DUV 광과 달리 대부분의 물질에 흡수되는 특성으로 인해 노광기는 반사형의 광학계 구조를 가진다.
이로 인해 펠리클 적용 시 EUV 광은 펠리클을 2번 통과하게 되고, 생산성 저하를 막기 위해 펠리클은 높은 EUV 광의 투과도를 갖도록 수십 nm의 두께로 제작된다. 이와 동시에 노광 공정 중 펠리클이 파괴되지 않기 위해서는 기계적, 화학적인 특성뿐만 아니라 열적 내구성이 확보되어야 한다. 노광 공정시 노광기 내부의 고진공 환경과 펠리클의 얇은 두께로 인해 가열된 펠리클의 냉각은 오직 열 방사에 의해 이루어지며, 그로 인해 펠리클의 열적 내구성은 소재의 열 방사율에 의해 주요하게 결정된다. 하지만 박막의 열 방사율 및 열적 내구성에 대한 정형화된 평가 기술은 아직 정립되지 않은 상황이며, 특히 EUV 광을 활용한 열적 내구성 평가는 높은 광원 출력을 구현하는 데 있어 기술적 비용적 문제가 있기 때문에 다른 파장 영역의 광을 사용한 평가 방법의 개발이 필요하다.
이에 따라, 본 발명자들은 EUV 광이 아닌 다른 광을 이용하여 극자외선 노광 공정용 펠리클의 열적 내구성을 평가하기 위한 장치와 그 방법을 개발하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, EUV 광을 사용하지 않고 EUV 광에 대한 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있는 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 펠리클의 수명을 평가할 수 있는 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 간소화된 장비 및 절감된 비용으로 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있는 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 펠리클 열적 내구성을 평가함에 있어 EUV 리소그래피 공정 장비의 사용이 배제된 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 펠리클 열적 내구성 평가의 신뢰성이 향상된 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 열적 내구성 평가 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고 펠리클이 안착되는 펠리클 홀더, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 온도를 측정하는 온도 측정 모듈을 포함하는 내구성 측정부, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 종류에 따라, 광의 강도(intensity)를 제어하여 상기 펠리클에 조사하는 광원부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광은, 193 nm 이상의 파장대를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클이 흡수하는 열적 하중에 따른 상기 펠리클의 온도를 측정하여, 상기 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광원부는, 상기 광을 조사하는 광원, 상기 광원으로부터 조사된 광의 강도(intensity)를 제어하는 제1 광 제어 모듈, 상기 광원으로부터 조사된 광의 크기(size)를 제어하는 제2 광 제어 모듈, 및 상기 광원으로부터 조사된 광의 강도 분포를 제어하는 제3 광 제어 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광원부는, 상기 제1 내지 제3 광 제어 모듈을 통해 제어된 상기 광을 반사시키는 제1 반사 모듈, 상기 제1 반사 모듈로부터 반사된 상기 광을 반사시키는 제2 반사 모듈, 및 상기 제2 반사 모듈로부터 반사된 상기 광을 제공받아 상기 광의 강도를 측정하는 광 측정 모듈을 더 포함하되, 상기 제1 반사 모듈로부터 반사된 상기 광의 일부는 상기 펠리클에 제공되고, 상기 제1 반사 모듈로부터 반사된 상기 광의 다른 일부는 상기 제2 반사 모듈로 제공되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 챔버는, 수소(H2) 가스가 유입되는 유입구를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광원부는, 상기 펠리클에 조사되는 상기 광을 펄스(pulse) 형태로 제어하여, 상기 펠리클이 상기 광에 노출되는 시간을 제어하는 회전 슬릿(slit)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 홀더는, 제1 방향, 및 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 이동되는 것을 포함할 수 있다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 펠리클의 열적 내구성 평가 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 열적 내구성 평가 방법은 챔버 내에 배치된 펠리클 홀더에 펠리클을 안착시키는 단계, 상기 펠리클의 종류에 따라, 상기 펠리클에 조사되는 광의 강도를 산출하는 단계, 산출된 광의 강도로 상기 광의 강도를 제어하여, 제어된 상기 광을 상기 펠리클로 조사하는 단계, 및 상기 펠리클의 온도를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광을 상기 펠리클로 조사하는 단계 이후 상기 펠리클의 온도를 측정하는 단계 이전, 상기 펠리클이 흡수하는 열적 하중을 산출하는 단계를 더 포함하되, 상기 펠리클의 온도를 측정하는 단계에서, 상기 펠리클의 온도는 상기 펠리클이 흡수하는 열적 하중에 따라 측정되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 온도를 측정하는 단계 이후, 상기 펠리클의 열 방사율을 도출하는 단계를 더 포함하되, 상기 펠리클의 열 방사율은 상기 펠리클이 흡수하는 열적 하중을 이용하여 아래의 <수학식 3>을 통해 도출되는 것을 포함하는 펠리클의 열적 내구성 평가 방법.
<수학식 3>
(c: 비열, m: 펠리클의 질량, α: 광에 대한 펠리클의 흡수도, S: 방열면적, σ: 스테판-볼츠만 상수, T: 펠리클의 온도, Ts: 주위 온도, H: 펠리클이 흡수하는 열적 하중, ε: 펠리클의 열 방사율)
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클에 조사되는 광의 강도를 산출하는 단계에서, EUV(Extreme UltraViolet)의 강도 데이터, 및 EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도 데이터를 포함하는 데이터 베이스에, 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도 데이터를 제공하여 상기 펠리클에 조사되는 상기 광의 강도가 산출되는 것을 포함할 수 있다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 펠리클 홀딩 모듈을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 홀딩 모듈은, 제1 방향으로 연장되는 제1 가이드 레일을 포함하는 제1 스테이지, 상기 제1 가이드 레일 상에 배치되어 상기 제1 방향으로 이동되고, 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 연장되는 제2 가이드 레일을 포함하는 제2 스테이지, 상기 제2 가이드 레일 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 이동되고, 펠리클이 안착되는 복수의 수용 홈을 포함하는 펠리클 홀더를 포함하되, 상기 수용 홈 내에 안착된 상기 펠리클은, 상기 제1 가이드 레일 및 상기 제2 가이드 레일을 따라 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이동되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 수용 홈은 단차를 갖는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하되, 상기 제2 영역의 폭(width)은, 상기 제1 영역의 폭보다 좁고, 상기 펠리클은 상기 수용 홈의 상기 제1 영역에 안착되며, 상기 펠리클이 상기 수용 홈의 상기 제1 영역에 안착되는 경우, 상기 수용 홈의 상기 제2 영역은 빈 공간(empty space)으로 잔존되는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고 펠리클이 안착되는 펠리클 홀더, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 온도를 측정하는 온도 측정 모듈을 포함하는 내구성 측정부, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 종류에 따라, 193 nm 이상의 파장대를 갖는 광의 강도(intensity)를 제어하여 상기 펠리클에 조사하는 광원부를 포함하되, 상기 펠리클이 흡수하는 상기 열적 하중에 따른 상기 펠리클의 온도를 측정하여, 상기 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있다.
또한, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는, 상기 펠리클의 종류에 따라 상기 광의 강도를 제어하되, 상기 광의 강도를 제어하는 데 있어 평가하고자 하는 EUV의 강도 조건 및 EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도가 고려될 수 있다.
이에 따라, 광 출력에 있어 기술적·비용적 문제가 발생되는 EUV 광이 아닌 다른 광(예를 들어, 자외선)을 통해 상기 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있으므로, 장비의 구성이 간소화되고 비용이 절감된 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 제공될 수 있다. 또한, EUV 리소그래피 공정 장비가 직접적으로 사용되지 않음으로써, EUV 리소그래피 공정 장비의 손상 및 오염이 예방되고 장비의 활용 효율이 향상될 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는, 상기 챔버내로 수소(H2) 가스가 제공되고, 상기 펠리클이 안착되는 상기 펠리클 홀더가 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 이동되며, 상기 펠리클로 제공되는 상기 광의 노출 시간이 제어됨에 따라 실제 EUV 리소그래피 공정 환경을 조성할 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클의 열적 내구성 평가 신뢰도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 내구성 측정부를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 회전 슬릿을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 회전 슬릿의 동작을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 내구성 측정부를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 펠리클 홀딩 모듈의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 펠리클 홀딩 모듈의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈에 안착되는 펠리클의 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈이 포함하는 수용 홈의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈에 펠리클이 안착된 상태를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 설명하는 순서도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 제3 광 제어 모듈의 적용 결과를 나타내는 사진 및 그래프이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 펠리클의 열적 내구성을 평가한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 서로 다른 펠리클의 열적 내구성을 평가한 결과를 비교하는 그래프이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 펠리클의 열 방사율을 계산한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 서로 다른 구조의 펠리클에 대한 열 하중에 따른 온도 평가 결과를 나타내는 표이다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 동일한 펠리클에 대해 열 평가 조건을 달리하여 실험한 결과를 나타내는 표이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 내구성 측정부를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 회전 슬릿을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 회전 슬릿의 동작을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는, EUV(Extreme UltraViolet) 리소그래피용 펠리클(pellicle)로 광을 조사하는 광원부(100), 및 상기 펠리클에 조사된 상기 광을 통해 상기 펠리클의 열적 내구성을 측정하는 내구성 측정부(200)를 포함할 수 있다. 이하, 각 구성에 대해 구체적으로 설명된다.
광원부(100)
도 2를 참조하면, 상기 광원부(100)는 광원(110), 제1 광 제어 모듈(120), 제2 광 제어 모듈(130), 제3 광 제어 모듈(140), 집광 모듈(150), 제1 반사 모듈(161), 제2 반사 모듈(162), 강도 측정 모듈(170), 및 회전 슬릿(180)을 포함할 수 있다.
상기 광원(110)은, 광(L)을 조사할 수 있다. 상기 광원(110)으로부터 조사된 상기 광(L)은, 상기 제1 광 제어 모듈(120), 제2 광 제어 모듈(130), 제3 광 제어 모듈(140), 집광 모듈(150), 제1 반사 모듈(161), 및 회전 슬릿(180)을 거쳐 내구성 측정부(200)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광원(110)으로부터 조사되는 상기 광(L)은 EUV광의 파장대와 다른 파장대를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 광(L)은 193 nm 이상의 파장대(예를 들어, 335nm, 434nm, 532nm, 810nm, 1014nm)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광원(110)으로부터 조사되는 상기 광(L)은 자외선(UV) 또는 가시광선을 포함할 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 광원(110)으로부터 조사된 광은 상기 제1 광 제어 모듈(120), 상기 제2 광 제어 모듈(130), 및 상기 제3 광 제어 모듈(140)을 순차적으로 거쳐 상기 집광 모듈(150)로 제공될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 광 제어 모듈(120, 130, 140)은, 상기 광(L)의 강도(intensity), 크기(size), 및 강도 분포를 제어할 수 있다.
상기 제1 광 제어 모듈(120)은, 상기 광(L)의 강도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 광 제어 모듈(120)은 어테뉴에이터(Attenuator)를 포함할 수 있다. 상기 제1 광 제어 모듈(120)은 후술되는 내구성 측정부(200)에 안착되는 펠리클의 종류에 따라 상기 광(L)을 제어할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 펠리클의 종류에 따라 제어되는 상기 광(L)의 강도는 평가하고자 하는 EUV(Extreme UltraViolet)의 강도, EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도, 및 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도를 고려하여 아래의 <수학식 1>을 통해 계산될 수 있다.
<수학식 1>
(ΦEUV: EUV의 강도, AEUV: EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도, ΦL: 상기 광의 강도, AL: 상기 광에 대한 펠리클의 흡수도)
이와 달리, 상기 제2 광 제어 모듈(130)은, 상기 광(L)의 크기를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 광 제어 모듈(130)은 빔 익스펜더(Beam expander)를 포함할 수 있다.
이와 달리, 상기 제3 광 제어 모듈(140)은, 상기 광(L)의 강도 분포를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 광 제어 모듈(140)은 회절 광학 소자(Diffractive Optics Elements, DOE)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제3 광 제어 모듈(140)은, 가우시안 분포(중앙부가 가장 높은 분포)를 탑햇 분포(top-hat, 전체적으로 균일한 분포)로 보정할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 광 제어 모듈(120, 130, 140)을 통해 강도, 크기, 및 강도 분포가 제어된 상기 광(L)은 상기 집광 모듈(150)을 거쳐 상기 제1 반사 모듈(161)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 집광 모듈(150)은 포커싱 렌즈(Focusing Lens)를 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 모듈(161)은, 상기 집광 모듈(150)로부터 제공된 상기 광(L)을 반사시킬 수 있다. 상기 제1 반사 모듈(161)로부터 반사된 상기 광(L)은 상기 제2 반사 모듈(162) 및 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 반사 모듈(161)로부터 반사된 상기 광(L)은 상기 제2 반사 모듈(162)로 제공될 수 있다. 상기 제2 반사 모듈(162)은 상기 광(L)의 일부를 다시 반사시키고 나머지 일부를 투과킬 수 있다. 상기 제2 반사 모듈(162)로부터 반사된 상기 광(L)은 상기 강도 측정 모듈(170)로 제공될 수 있다. 이에 따라, 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클에 조사되는 상기 광(L)의 강도가 실시간으로 측정될 수 있다.
이와 달리, 상기 제2 반사 모듈(162)를 투과한 상기 광(L)의 나머지 일부는 상기 회전 슬릿(180)을 거친 후 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공될 수 있다.
상기 회전 슬릿(180)은 상기 펠리클에 조사되는 상기 광(L)을 펄스(pulse) 형태로 제어하여, 상기 펠리클이 상기 광(L)에 노출되는 시간을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 회전 슬릿(180)은 상기 펠리클이 상기 광(L)에 노출되는 시간 및 상기 펠리클이 상기 광(L)에 노출되지 않는 시간을 1:9(노출 시간: 비노출 시간)의 비율로 제어할 수 있다. 이에 따라, 실제 EUV 리소그래피 공정과 유사한 환경이 조성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 회전 슬릿(180)은 도 3에 도시된 바와 같이, 원판 형상을 갖고, 원판 형상의 외주면에서 내측을 향하여 일부 영역이 개방된 형태를 가지고, 원판 중심부의 법선을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광(L)이 원판의 개방된 부분에 조사되는 경우, 상기 회전 슬릿(180)을 통과하여 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공될 수 있다. 반면, 상기 광(L)이 원판의 개방되지 않은 부분에 조사되는 경우, 상기 회전 슬릿(180)에 의하여 차단되어 상기 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공되지 않을 수 있다.
상술된 바와 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 반사 모듈(161)로부터 반사된 상기 광(L)의 다른 일부는 셔터(shutter)등의 장비를 통해 펄스(pulse) 형태로 제어된 후, 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1 반사 모듈(161)로부터 반사된 상기 광(L)의 다른 일부가 후술되는 내구성 측정부(200) 내에 안착된 상기 펠리클로 제공되기 전, 상기 광(L)을 펄스(pulse)형태로 제어할 수 있는 장비의 종류는 제한되지 않는다.
내구성 측정부(200)
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 내구성 측정부를 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 펠리클 홀딩 모듈의 사시도이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 내구성 측정부가 포함하는 펠리클 홀딩 모듈의 평면도이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈에 안착되는 펠리클의 도면이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈이 포함하는 수용 홈의 단면도이고, 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 홀딩 모듈에 펠리클이 안착된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 내구성 측정부(200)는 챔버(210), 펠리클 홀딩 모듈(220), 및 온도 측정 모듈(230)을 포함할 수 있다. 이하, 각 구성에 대해 구체적으로 설명된다.
상기 챔버(210)는, 복수의 유입구를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 챔버(210)는 제1 유입구(210a), 제2 유입구(210b), 및 제3 유입구(210c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 유입구(210a)는 진공 펌프(vacuum pump)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 유입구(210a)를 통해, 상기 챔버(210) 내부가 진공 상태로 유지될 수 있다.
상기 제2 유입구(210b)는, 상기 챔버(210) 내부로 수소(H2) 가스를 유입시킬 수 있다. 실제 EUV 리소그래피 공정의 경우, 클리닝 목적으로 노광기 내부로 수소 가스가 유입되므로 상기 챔버(210) 내로 수소 가스를 유입시킴으로써, 실제 EUV 리소그래피 공정과 유사한 환경을 조성할 수 있다. 이와 달리, 상기 제3 유입구(210c)는, 상기 챔버(210) 내부로 질소(N2) 가스를 유입시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 유입구(210b) 및 상기 제3 유입구(210c)는 각각 제1 밸브(211) 및 제2 밸브(212)와 연결될 수 있다. 상기 제1 밸브(211)는 상기 제2 유입구(210b)를 통해 상기 챔버(210) 내로 제공되는 수소 가스의 유량을 제어하고, 상기 제2 밸브(212)는 상기 제3 유입구(210c)를 통해 상기 챔버(210) 내로 제공되는 질소 가스의 유량을 제어할 수 있다.
상기 챔버(210)의 상단부에는, 쿼츠 윈도우(quartz window, 213)가 배치될 수 있다. 상기 광원부(100)가 포함하는 상기 회전 슬릿(180)을 통과한 상기 광(L)은, 상기 쿼츠 윈도우(213)를 통해 상기 챔버(210) 내부로 유입되어, 후술되는 펠리클 홀딩 모듈(200)에 안착된 상기 펠리클(P)에 제공될 수 있다. 또한, 상기 쿼츠 윈도우(213)를 통하여, 상기 챔버(210) 내에 배치된 상기 펠리클(P)의 거동 및 파괴 여부를 용이하게 확인할 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 챔버(210)의 내부에는 펠리클 홀딩 모듈(220)이 배치될 수 있다. 상기 펠리클 홀딩 모듈(220)은, 제1 스테이지(221), 제2 스테이지(222), 및 펠리클 홀더(223)를 포함할 수 있다.
상기 제1 스테이지(221)는 제1 가이드 레일(R1) 및 제1 모터(M1)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 가이드 레일(R1)은 제1 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 방향은, 도 6 및 도 7에 도시된 X축 방향일 수 있다. 상기 제1 모터(M1)는 후술되는 제2 스테이지(222)가 상기 제1 가이드 레일(R1)을 따라 상기 제1 방항(X축 방향)으로 직선 왕복운동 하도록 동력을 제공할 수 있다.
상기 제2 스테이지(222)는 제2 가이드 레일(R2) 및 제2 모터(M2)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 가이드 레일(R2)은 상기 제1 방향(X축 방향)의 직각 방향인 제2 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 방향은, 도 6 및 도 7에 도시된 Y축 방향일 수 있다. 상기 제2 모터(M2)는 후술되는 펠리클 홀더(223)가 상기 제2 가이드 레일(R2)을 따라 상기 제2 방향(Y축 방향)으로 직선 왕복운동 하도록 동력을 제공할 수 있다.
상기 제2 스테이지(222)는 상기 제1 스테이지(221) 상에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 스테이지(222)는 상기 제1 스테이지(221)가 포함하는 상기 제1 가이드 레일(R1) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 제2 스테이지(222)는 상기 제1 가이드 레일(R1)을 따라 상기 제1 방향(X축 방향)으로 직선 왕복운동 할 수 있다.
상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제2 스테이지(222) 상에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제2 스테이지(222)가 포함하는 상기 제2 가이드 레일(R2) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제2 가이드 레일(R2)을 따라 상기 제2 방향(Y축 방향)으로 직선 왕복운동 할 수 있다. 또한, 상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제2 스테이지(222)와 함께 상기 제1 가이드 레일(R1)을 따라 상기 제1 방향(X축 방향)으로 직선 왕복운동 할 수 있다.
결과적으로, 상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제1 가이드 레일(R1) 및 상기 제2 가이드 레일(R2)을 따라 상기 제1 방향(X축 방향) 및 상기 제2 방향(Y축 방향)으로 이동될 수 있다. 이로 인해, 상기 펠리클 홀더(223)에 안착된 상기 펠리클(P)은 실제 EUV 리소그래피 공정 환경과 유사한 환경에서 열적 내구성이 평가될 수 있다.
상기 펠리클 홀더(223)는 복수의 수용 홈(GV)을 포함할 수 있다. 상기 수용 홈(GV) 내에는 펠리클(P)이 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클(P)은 도 8에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(PF) 및 상기 펠리클 프레임(PF) 상에 배치되는 펠리클 멤브레인(PM)을 포함할 수 있다.
복수의 상기 수용 홈(GV)은, 행 및 열을 이루며 이차원적으로 배열될 수 있고, 복수의 상기 수용 홈(GV) 각각에 복수의 상기 펠리클(P)이 배치될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 수용 홈(GV)은 단차를 갖는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(A1) 내에 상기 제2 영역(A2)이 제공될 수 있고, 상기 제1 영역(A1)의 하부면보다, 상기 제2 영역(A2)의 하부면이 더 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역(A1)은 상기 펠리클(P)의 폭과 유사한 제1 폭(W1)을 갖고, 상기 제2 영역(A2)은 상기 펠리클(P)의 폭 보다 좁은 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 폭(W2)은 상기 제1 폭(W1) 보다 좁을 수 있다. 이에 따라, 상기 수용 홈(GV) 내에 상기 펠리클(P)이 안착되는 경우, 상기 펠리클(P)은 상기 수용 홈(GV)의 상기 제1 영역(A1)에 안착될 수 있다. 반면, 상기 수용 홈(GV)의 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)의 일부는 빈 공간(empty space)으로 잔존될 수 있다.
이로 인해, 상기 수용 홈(GV) 내에 상기 펠리클(P)을 안착하거나, 안착된 상태의 상기 펠리클(P)을 상기 수용 홈(GV)으로부터 분리시키는 경우, 상기 펠리클(P)에 인가되는 압력이 빈 공간으로 잔존되는 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)으로 분산됨으로써 상기 펠리클(P)의 손상 문제가 해결될 수 있다. 또한, 상기 수용 홈(GV) 내에 상기 펠리클(P)이 안착된 상태에서 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)이 빈 공간으로 잔존됨으로써, 상기 펠리클(P)에 인가되는 상기 광(L)에 의한 열이 용이하게 방출될 수 있다.
또한, 상기 펠리클 홀더(233)는, 상기 제1 방향(x 축 방향)으로 나란히 연장하는 복수의 연장 홈(LV)을 포함할 수 있다. 상기 연장 홈(LV)은, 상기 수용 홈(GV)을 가로지를 수 있다. 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 상기 연장 홈(LV)이 상기 제1 방향으로 배열된 복수의 상기 수용 홈(GV)을 가로질러 배열될 수 있다. 또한, 상기 연장 홈(LV)의 하부면은, 상기 제1 영역(A1)의 하부면보다 낮은 레벨에 위치하고, 상기 제2 영역(A2)의 하부면보다 높은 레벨에 위치할 수 잇다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)을 상기 수용 홈(GV) 내에 안착시거나, 상기 수용 홈(GV)으로부터 분리시킬 때, 상기 펠리클(P)의 손상을 최소화시킬 수 있다.
상기 온도 측정 모듈(230)은, 상기 광(L)이 조사된 상기 펠리클(P)의 온도를 측정할 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)의 열적 내구성을 평가할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클(P)의 열적 내구성은 상기 펠리클(P)이 흡수하는 열적 하중에 따른 상기 펠리클(P)의 온도를 측정함으로써 평가될 수 있다. 예를 들어, 상기 온도 측정 모듈(230)은 2 채널 파이로미터(2-ch pyrometer)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 열적 하중은 상기 광(L)의 강도, 상기 광(L)의 크기(size), 및 상기 광(L)에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도를 고려하여 아래의 <수학식 2>를 통해 계산될 수 있다.
<수학식 2>
(PL: 광의 강도, DL: 광의 크기, AL: 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도, Iabs: 펠리클이 흡수하는 열적 하중)
상술된 바와 같이, 상기 광(L)의 강도(PL) 및 상기 광(L)의 크기(DL)는 각각, 상기 광원부(100)가 포함하는 상기 제1 광 제어 모듈(120), 및 상기 제2 광 제어 모듈(130)을 통해 제어되므로, 상기 제1 및 제2 광 제어 모듈(120, 130)을 통해 확인될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 광(L)에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도(AL)는, 분광 광도계를 통해 측정될 수 있다. 예를 들어, 상기 광(L)이 자외선(UV)인 경우, 상기 펠리클(P)의 흡수도(AL)는 UV/VIS 분광 광도계를 통해 측정될 수 있다.
상기 광(L)의 강도(PL)의 경우 상기 <수학식 1>에서 확인되었듯이, EUV의 강도 및 EUV에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도를 고려하여 계산될 수 있다. 이에 따라, 상기 광(L)으로서 EUV 광을 직접적으로 사용하지 않지만, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 상기 열적 하중은 실제 EUV 리소그래피 공정 시 펠리클이 받는 열적 하중을 모사할 수 있다.
또한, 상기 내구성 측정부(200)는 상기 펠리클(P)의 열 방사율을 도출할 수 있다. 실제 EUV 리소그래피 공정 시 펠리클의 냉각은 주로 열 방사에 의해 이루어짐에 따라, 펠리클의 열 방사율 데이터는 펠리클의 열적 내구성을 결정하는데 주요하게 사용될 수 있다. 종래에는 수십 nm 두께를 갖는 극박막의 열 방사율 데이터를 문헌상으로 파악하기 힘들 뿐만 아니라 이를 측정할 수 있는 정형화된 방법 또한 존재하지 않았다.
하지만, 상기 내구성 측정부(200)는 상기 펠리클(P)이 흡수하는 상기 열적 하중을 이용하여 열 방사율을 도출할 수 있다. 상기 펠리클(P)의 열 방사율은 열 전도와 대류를 배제하고 열 방사에 의한 영향을 고려한 아래의 <수학식 3>을 통해 계산될 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)의 종류에 따른 열 방사율 데이터 베이스를 용이하게 구축할 수 있다.
<수학식 3>
(c: 비열, m: 상기 펠리클의 질량, α: 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도, S: 방열면적, σ: 스테판-볼츠만 상수, T: 상기 펠리클의 온도, Ts: 주위 온도, H: 상기 펠리클이 흡수하는 열적 하중, ε: 상기 펠리클의 열 방사율)
EUV 리소그래피 공정 장비를 이용하여 펠리클의 내구성을 직접적으로 평가하는 경우, 평가 도중 펠리클 박막의 파괴로 인해 고가의 EUV 리소그래피 공정 장비에 심각한 오염을 초래할 수 있다. 또한, 박막의 파괴로 인한 세정 비용 및 세정 시간동안 공정 정지에 의해 발생되는 손해 비용 등을 고려하였을 때, EUV 리소그래피 공정 장비를 이용하여 펠리클의 내구성을 직접적으로 평가하는 것을 비효율적이다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는 상기 챔버(210), 상기 챔버(210) 내에 배치되고 상기 펠리클(P)이 안착되는 펠리클 홀더(223), 및 상기 펠리클 홀더(223)에 안착된 상기 펠리클(P)의 온도를 측정하는 상기 온도 측정 모듈(230)을 포함하는 상기 내구성 측정부(200), 및 상기 펠리클 홀더(223)에 안착된 상기 펠리클(P)의 종류에 따라, 193 nm 이상의 파장대를 갖는 상기 광(L)의 강도(intensity)를 제어하여 상기 펠리클에 조사하는 상기 광원부(100)를 포함하되, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 상기 열적 하중에 따른 상기 펠리클(P)의 온도를 측정하여, 상기 펠리클(P)의 열적 내구성을 평가할 수 있다.
또한, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는, 상기 펠리클(P)의 종류에 따라 상기 광(L)의 강도를 제어하되, 상기 광(L)의 강도를 제어하는 데 있어 평가하고자 하는 EUV의 강도 조건 및 EUV에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도가 고려될 수 있다.
이에 따라, 광 출력에 있어 기술적·비용적 문제가 발생되는 EUV 광이 아닌 다른 광(예를 들어, 자외선)을 통해 상기 펠리클(P)의 열적 내구성을 평가할 수 있으므로, 장비의 구성이 간소화되고 비용이 절감된 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 제공될 수 있다. 또한, EUV 리소그래피 공정 장비가 직접적으로 사용되지 않음으로써, EUV 리소그래피 공정 장비의 손상 및 오염이 예방되고 장비의 활용 효율이 향상될 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치는, 상기 챔버(210) 내로 수소(H2) 가스가 제공되고, 상기 펠리클(P)이 안착되는 상기 펠리클 홀더(223)가 상기 제1 방향(X축 방향) 및 상기 제2 방향(Y축 방향)으로 이동되며, 상기 펠리클(P)로 제공되는 상기 광(L)의 노출 시간이 제어됨에 따라 실제 EUV 리소그래피 공정 환경을 조성할 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)의 열적 내구성 평가 신뢰도가 향상될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 설명되었다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 방법이 설명된다. 상기 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 예시적으로 적용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 방법을 설명하는 순서도이다.
도 11을 참조하면, 챔버(210) 내에 배치된 펠리클 홀딩 모듈(220)에 펠리클(P)이 안착될 수 있다(S100). 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클(P)은 펠리클 프레임(PF) 및 상기 펠리클 프레임(PF) 상에 배치되는 펠리클 멤브레인(PM)을 포함할 수 있다. 상기 펠리클 홀딩 모듈(220)은 제1 스테이지(221), 상기 제1 스테이지(221) 상에 배치되는 제2 스테이지(222), 및 상기 제2 스테이지(222) 상에 배치되는 펠리클 홀더(223)를 포함하되, 상기 펠리클(P)은 상기 펠리클 홀더(223)에 안착될 수 있다.
상기 펠리클 홀더(223)는 도 9 및 도 10을 참조하여 설명된 바와 같이, 복수의 수용 홈(GV)을 포함하고, 상기 수용 홈(GV)은 단차를 갖는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 펠리클(P)은, 상기 수용 홈(GV)의 상기 제1 영역(A1)에 안착될 수 있다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 펠리클(P)의 폭과 유사한 제1 폭(W1)을 갖고, 상기 제2 영역(A2)은 상기 펠리클(P)의 폭보다 좁은 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)이 상기 제1 영역(A1) 내에 안착되는 경우, 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)의 일부는 빈 공간으로 잔존될 수 있다.
이로 인해, 상기 수용 홈(GV) 내에 상기 펠리클(P)을 안착하거나, 안착된 상태의 상기 펠리클(P)을 상기 수용 홈(GV)으로부터 분리시키는 경우, 상기 펠리클(P)에 인가되는 압력이 빈 공간으로 잔존되는 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)으로 분산됨으로써 상기 펠리클(P)의 손상 문제가 해결될 수 있다. 또한, 상기 수용 홈(GV) 내에 상기 펠리클(P)이 안착된 상태에서 상기 제2 영역(A2) 및 상기 제1 영역(A1)이 빈 공간으로 잔존됨으로써, 상기 펠리클(P)에 인가되는 상기 광(L)에 의한 열이 용이하게 방출될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클 홀더(223)는 상기 제1 스테이지(221)가 포함하는 제1 가이드 레일(R1) 및 상기 제2 스테이지(222)가 포함하는 제2 가이드 레일(R2)에 의하여 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 이동될 수 있다. 이로 인해, 상기 펠리클 홀더(223)에 안착된 상기 펠리클(P)은 실제 EUV 리소그래피 공정 환경과 유사한 환경에서 열적 내구성이 평가될 수 있다.
상기 펠리클(P)이 안착된 후, 상기 펠리클(P)의 종류에 따라 상기 펠리클(P)에 조사되는 광(L)의 강도(intensity)가 산출될 수 있다(S200). 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클(P)에 조사되는 상기 광(L)은 EUV광의 파장대와 다른 파장대를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 광(L)은 193 nm 이상의 파장대를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 펠리클(P)에 조사되는 상기 광(L)은 자외선(UV)을 포함할 수 있다.
상기 펠리클(P)의 종류에 따라 제어되는 상기 광(L)의 강도는 EUV(Extreme UltraViolet)의 강도, EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도, 및 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도를 고려하여 아래의 <수학식 1>을 통해 계산될 수 있다.
<수학식 1>
(ΦEUV: EUV의 강도, AEUV: EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도, ΦL: 상기 광의 강도, AL: 상기 광에 대한 펠리클의 흡수도)
일 실시 예에 따르면, 상기 광(L)의 강도는, EUV에 대한 상기 펠리클의 흡수도 데이터, 상기 광(L)에 대한 상기 펠리클의 흡수도 데이터를 포함하는 데이터 베이스를 구축한 후, 평가하고자 하는 EUV 강도값을 입력하여, 상기 광(L)의 강도가 산출될 수 있다.
산출된 상기 광(L)의 강도로 상기 광(L)의 강도를 제어한 후, 제어된 상기 광(L)을 상기 펠리클(P)로 조사할 수 있다(S300). 일 실시 예에 따르면, 상기 광(L)의 강도가 제어된 후 제어된 상기 광(L)이 상기 펠리클(P)로 조사되기 전, 상기 광(L)의 크기(size) 및 강도 분포가 제어될 수 있다. 또한, 상기 광(L)이 상기 펠리클(P)로 조사되기 전, 상기 광(L)은 펄스(pulse) 형태로 변환될 수 있다. 이후, 펄스 형태로 변환된 상기 광(L)이 상기 펠리클(P)에 제공될 수 있다. 즉, 상기 펠리클(P)이 상기 광(L)에 노출되는 시간이 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 펠리클(P)은 상기 광(L)에 노출되는 시간 및 노출되지 않는 시간의 비율이 1:9(노출 시간: 비노출 시간)로 제어될 수 있다. 이에 따라, 실제 EUV 리소그래피 공정과 유사한 환경이 조성될 수 있다.
상기 펠리클(P)에 상기 광(L)이 조사된 후, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 열적 하중이 산출될 수 있다(S400). 상기 펠리클(P)이 흡수하는 열적 하중은 상기 광(L)의 강도, 상기 광(L)의 크기(size), 및 상기 광(L)에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도를 고려하여 아래의 <수학식 2>를 통해 계산될 수 있다.
<수학식 2>
(PL: 광의 강도, DL: 광의 크기, AL: 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도, Iabs: 펠리클이 흡수하는 열적 하중)
상기 광(L)의 강도(PL)의 경우 상기 <수학식 1>에서 확인되었듯이, EUV의 강도 및 EUV에 대한 상기 펠리클(P)의 흡수도를 고려하여 계산될 수 있다. 이에 따라, 상기 광(L)으로서 EUV 광을 직접적으로 사용하지 않지만, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 상기 열적 하중은 실제 EUV 리소그래피 공정 시 펠리클이 받는 열적 하중을 모사할 수 있다.
최종적으로, 상기 펠리클(P)의 온도를 측정함으로써, 상기 펠리클의 열적 내구성이 평가될 수 있다(S500). 일 실시 예에 따르면, 상기 펠리클의 열적 내구성은, 상기 펠리클(P)이 흡수하는 상기 열적 하중에 따른 상기 펠리클(P)의 온도를 측정함으로써 평가될 수 있다.
또한, 상기 실시 예에 따른 펠리클의 열적 내구성 평가 방법은, 상기 펠리클(P)의 열 방사율을 산출할 수 있다. 실제 EUV 리소그래피 공정 시 펠리클의 냉각은 주로 열 방사에 의해 이루어짐에 따라, 펠리클의 열 방사율 데이터는 펠리클의 열적 내구성을 결정하는데 주요하게 사용될 수 있다. 종래에는 수십 nm 두께를 갖는 극박막의 열 방사율 데이터를 문헌상으로 파악하기 힘들 뿐만 아니라 이를 측정할 수 있는 정형화된 방법 또한 존재하지 않았다.
하지만, 상기 실시 예에 따른 펠리클의 열적 내구성 평가 방법은 상기 펠리클(P)에 인가되는 상기 열적 하중을 이용하여 열 방사율을 도출할 수 있다. 상기 펠리클(P)의 열 방사율은 열 전도와 대류를 배제하고 열 방사에 의한 영향을 고려한 아래의 <수학식 3>을 통해 계산될 수 있다. 이에 따라, 상기 펠리클(P)의 종류에 따른 열 방사율 데이터 베이스를 용이하게 구축할 수 있다.
<수학식 3>
(c: 비열, m: 상기 펠리클의 질량, α: 상기 광에 대한 상기 펠리클의 흡수도, S: 방열면적, σ: 스테판-볼츠만 상수, T: 상기 펠리클의 온도, Ts: 주위 온도, H: 상기 펠리클에 인가되는 열적 하중, ε: 상기 펠리클의 열 방사율)
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 열적 내구성 평가 방법이 설명되었다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치의 구체적인 실험 예 및 특성 평가 결과가 설명된다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 포함하는 제3 광 제어 모듈의 적용 결과를 나타내는 사진 및 그래프이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치에서, 상기 제3 광 제어 모듈(예를 들어, Diffractive Optics Elements, DOE)에 의하여 광의 강도 분포를 제어하고, 그 결과를 나타내었다. 도 12는 강도 분포가 제어되기 전 상태를 나타내고, 도 13은 강도 분포가 제어된 상태를 나타낸다. 도 12 및 도 13에서 확인할 수 있듯이, 광의 강도 분포가 제어되기 전의 광은 중앙부가 가장 높게 나타나는 가우시안 분포를 나타내었지만, 강도 분포가 제어된 후의 광은 전체적으로 균일한 분포를 나타내는 탑햇(top-hat) 분포를 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 펠리클의 열적 내구성을 평가한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해, 펠리클 홀딩 모듈에 안착된 펠리클에 자외선(UV)을 조사하고, 자외선이 조사된 펠리클의 온도를 측정하여 나타내었다. 도 14 및 도 15에서 확인할 수 있듯이, 펠리클에 조사되는 자외선(UV)의 시간에 따라 온도가 변화되는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 펠리클의 열적 내구성을 평가할 수 있음을 알 수 있었다. 또한, 펠리클 열적 내구성 평가를 장시간 수행함으로써, 펠리클의 수명 또한 간접적으로 평가할 수 있음을 알 수 있었다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 서로 다른 펠리클의 열적 내구성을 평가한 결과를 비교하는 그래프이다.
도 16을 참조하면, Metal #1 / SiN 구조의 펠리클 멤브레인, Ceramics #1 / SiN 구조의 펠리클 멤브레인, Ceramics #2 / SiN 구조의 펠리클 멤브레인, Ceramics #3 / SiN 구조의 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 준비한 후, 각각의 펠리클에 대해 도 1을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 열적 내구성을 측정하여 나타내었다. 도 16에서 확인할 수 있듯이, 펠리클 멤브레인의 종류에 따라, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 측정된 온도가 서로 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해, 다양한 구조의 펠리클 멤브레인들에 대해 열적 내구성을 평가할 수 있음을 알 수 있었다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 펠리클의 열 방사율을 계산한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 17을 참조하면, 도 1을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해, 펠리클 홀딩 모듈에 안착된 펠리클에 자외선(UV)을 조사하고, 자외선이 조사된 펠리클의 열 방사율을 계산하여 나타내었다. 열 방사율은 상술된 <수학식 3>을 통해 계산되었다. 도 17에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해, 펠리클의 열 방사율까지 도출할 수 있음을 알 수 있었다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 서로 다른 구조의 펠리클에 대한 열 하중에 따른 온도 평가 결과를 나타내는 표이다.
도 18을 참조하면, 제1 금속(Metal #1)/SiN 펠리클 멤브레인(샘플 1), 제2 금속(Metal #2)/펠리클 멤브레인(샘플 2), 제1 세라믹(Ceramics #1/SiN 펠리클 멤브레인(샘플 3), 및 제2 세라믹(Ceramics #2/SiN) 펠리클 멤브레인(샘플 4)을 포함하는 펠리클들을 준비한 후, 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 열 하중에 따른 온도를 평가하였다. 구체적인 실험 조건으로서, 0.28cm2(6mm diameter 기준) 크기의 자외선(UV)이 사용되었고, 가속도 및 H2 purge(working pressure: 3 Pa) 환경에서 수행되었다. 내열성 검증은 short-term, long-term 평가 시 파괴 유/무와 동일한 열 하중 조건에서의 온도 비교를 통해 진행하였다.
도 18에서 확인할 수 있듯이, 샘플 1과 샘플 2를 비교함으로써 금속 계열 열 방출층의 종류 및 두께 별 내열성을 검증할 수 있었고, 샘플 1과 샘플 3을 비교함으로써 기존 금속 계열 열 방출층 대비 신규 세라믹 계열 열 방출층 내열성을 검증할 수 있었고, 샘플 3과 샘플 4를 비교함으로써 신규 세라믹 계열 열 방출층의 박막 물성에 따른 내열성을 검증할 수 있었다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 동일한 펠리클에 대해 열 평가 조건을 달리하여 실험한 결과를 나타내는 표이다.
도 19를 참조하면, 동일한 펠리클에 대해 열 평가 조건을 달리하여 상기 실시 예에 따른 펠리클 열적 내구성 평가 장치를 통해 열적 내구성을 평가하였다. 챔버 유입구에는 H2 가스 및 H* generator가 장착된 환경을 가정하였다. 또한, 12 hour의 short-term, long-term 평가를 통해 신뢰성을 평가하였다.
도 19에서 확인할 수 있듯이, 실험 조건 1(Experimental #1) 및 실험 조건 2(Experimental #2)를 비교함으로써 EUV scanner 내 고진공 H2 purge 환경에서 열 하중 및 가속도에 따른 펠리클의 기계적/열적 내구성을 검증할 수 있었고, 실험 조건 2(Experimental #2) 및 실험 조건 3(Experimental #3)을 비교함으로써 EUV scanning 과정 중 발생하는 H*이 펠리클 멤브레인 두께, 조성비 및 내구성에 미치는 영향을 검증할 수 있었고, 실험 조건 2(Experimental #2), 실험 조건 4(Experimental #4), 및 실험 조건 5(Experimental #5)를 비교함으로써 EUV 노광 공정의 exposure time 변화에 따른 펠리클의 내구성을 검증할 수 있었다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 광원부
110: 광원
120: 제1 광 제어 모듈
130: 제2 광 제어 모듈
140: 제3 광 제어 모듈
150: 집광 모듈
161: 제1 반사 모듈
162: 제2 반사 모듈
170: 강도 측정 모듈
180: 회전 슬릿
200: 내구성 측정부
210; 챔버
220: 펠리클 홀딩 모듈
230: 온도 측정 모듈

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  13. 제1 방향으로 연장되는 제1 가이드 레일을 포함하는 제1 스테이지;
    상기 제1 가이드 레일 상에 배치되어 상기 제1 방향으로 이동되고, 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 연장되는 제2 가이드 레일을 포함하는 제2 스테이지;
    상기 제2 가이드 레일 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 이동되고, 펠리클이 안착되며, 상기 제1 및 제2 방향으로 서로 이격되어 나란히 배열되는 복수의 수용 홈을 포함하는 펠리클 홀더를 포함하고,
    상기 수용 홈 내에 안착된 상기 펠리클은, 상기 제1 가이드 레일 및 상기 제2 가이드 레일을 따라 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이동되는 것을 포함하고,
    상기 펠리클 홀더는, 상기 제1 방향으로 배열된 복수의 상기 수용 홈을 가로지르는 연장 홈을 더 포함하며,
    상기 수용 홈은 단차를 갖는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하되,
    상기 제1 영역의 하부면은 상기 제2 영역의 하부면보다 높은 레벨에 위치하고,
    상기 연장 홈의 하부면은, 상기 제1 영역의 하부면보다 낮은 레벨에 위치하고, 상기 제2 영역의 하부면보다 높은 레벨에 위치하는 것을 포함하는 펠리클 홀딩 모듈.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 폭(width)은, 상기 제1 영역의 폭보다 좁고,
    상기 펠리클은 상기 수용 홈의 상기 제1 영역에 안착되며,
    상기 펠리클이 상기 수용 홈의 상기 제1 영역에 안착되는 경우, 상기 수용홈의 상기 제2 영역은 빈 공간(empty space)으로 잔존되는 것을 포함하는 펠리클 홀딩 모듈.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 수용 홈 내에 상기 펠리클을 안착하거나, 안착된 상태의 상기 펠리클을 상기 수용 홈으로부터 분리시키는 경우,
    상기 펠리클에 인가되는 압력이 빈 공간으로 잔존되는 상기 제2 영역으로 분산되는 것을 포함하는 펠리클 홀딩 모듈.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 수용 홈 내에 상기 펠리클이 안착된 상태에서 상기 펠리클에 광이 인가되는 경우,
    상기 펠리클에 인가되는 광에 의한 열이 빈 공간으로 잔존되는 상기 제2 영역으로 방출되는 것을 포함하는 펠리클 홀딩 모듈.
  17. 삭제
  18. 제13 항에 있어서,
    복수의 상기 수용 홈은, 행 및 열을 이루며 이차원적으로 배열되는 것을 포함하는 펠리클 홀딩 모듈.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315982A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル膜劣化識別方法およびそのためのペリクル膜
JP2019174628A (ja) 2018-03-28 2019-10-10 三井化学株式会社 検査方法、ペリクルの製造方法、および検査装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5926239U (ja) * 1982-08-09 1984-02-18 株式会社日立製作所 レテイクル装着台
US4620960A (en) * 1984-08-27 1986-11-04 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for removably mounting a top nozzle on a nuclear reactor fuel assembly
JPH10176918A (ja) * 1996-10-15 1998-06-30 Nikon Corp ペリクル膜高さ測定方法および装置
KR20090103626A (ko) * 2008-03-28 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 펠리클 테스트 장치
JP5568444B2 (ja) * 2010-11-01 2014-08-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器
JP6303286B2 (ja) * 2013-04-30 2018-04-04 凸版印刷株式会社 ペリクル付きフォトマスクの検査方法及びペリクル粘着耐久性検査装置
KR102243367B1 (ko) * 2018-11-30 2021-04-23 한양대학교 산학협력단 펠리클 홀더, 펠리클 검사 장치, 및 펠리클 검사 방법
KR20200088529A (ko) * 2019-01-14 2020-07-23 주식회사 에프에스티 초극자외선 리소그라피용 펠리클 검사 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315982A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル膜劣化識別方法およびそのためのペリクル膜
JP2019174628A (ja) 2018-03-28 2019-10-10 三井化学株式会社 検査方法、ペリクルの製造方法、および検査装置

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