JPH10176918A - ペリクル膜高さ測定方法および装置 - Google Patents
ペリクル膜高さ測定方法および装置Info
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- JPH10176918A JPH10176918A JP33870996A JP33870996A JPH10176918A JP H10176918 A JPH10176918 A JP H10176918A JP 33870996 A JP33870996 A JP 33870996A JP 33870996 A JP33870996 A JP 33870996A JP H10176918 A JPH10176918 A JP H10176918A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ペリクル膜を用いて、マスクやレチクルなど
のパターンを測定する際に、スループットを低下させる
ことなく、ペリクル膜と計測光学系とのワーキングディ
スタンスの確認を行う。 【解決手段】 ペリクル膜９の高さの初期値およびこの
初期値を得る際のペリクル８近傍の気圧データおよび温
度データを圧力センサ４およびサーミスタ５より得る。
その後、一定時間ごとに、ペリクル８近傍の気圧データ
および温度データを得、この気圧データと温度データと
ペリクル膜９の高さの初期値とに基づいて、ペリクル膜
９の高さを算出し、計測光学系２とペリクル８とのワー
キングディスタンスの確認を行う。
のパターンを測定する際に、スループットを低下させる
ことなく、ペリクル膜と計測光学系とのワーキングディ
スタンスの確認を行う。 【解決手段】 ペリクル膜９の高さの初期値およびこの
初期値を得る際のペリクル８近傍の気圧データおよび温
度データを圧力センサ４およびサーミスタ５より得る。
その後、一定時間ごとに、ペリクル８近傍の気圧データ
および温度データを得、この気圧データと温度データと
ペリクル膜９の高さの初期値とに基づいて、ペリクル膜
９の高さを算出し、計測光学系２とペリクル８とのワー
キングディスタンスの確認を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクやレチクル
などのパターン位置を測定する際に、基板へのごみなど
の異物の付着を防止するために設けられるペリクル膜の
膨らみによる計測機器のワーキングディスタンスを確認
するために、ペリクル膜の高さを測定する方法および装
置に関する。
などのパターン位置を測定する際に、基板へのごみなど
の異物の付着を防止するために設けられるペリクル膜の
膨らみによる計測機器のワーキングディスタンスを確認
するために、ペリクル膜の高さを測定する方法および装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に用いられるマスク、レチク
ルなどの基板（以下ではマスクと称する）のパターン面
上にごみ等が付着すると、光露光工程においてパターン
の像とともにごみの像までがウエハ上に転写されてしま
い、回路パターンに欠陥が生じるおそれがあった。従来
は、このようなごみの像の転写によるデバイスの欠陥を
減らすため、マスクのパターン面およびパターン面と反
対側の基板面の両者または一方に数ｍｍ隔ててペリクル
膜と呼ばれる厚さ数μｍ程度の光透過性薄膜を配し、投
影レンズの被写界深度内にごみが付着するのを防止して
いる。図５（ａ）に示すマスク２７ではパターンＰが形
成された面側にペリクル膜２９およびペリクル枠３０
（アルミニウムなどからなる）からなるペリクル２８が
設けられる。
ルなどの基板（以下ではマスクと称する）のパターン面
上にごみ等が付着すると、光露光工程においてパターン
の像とともにごみの像までがウエハ上に転写されてしま
い、回路パターンに欠陥が生じるおそれがあった。従来
は、このようなごみの像の転写によるデバイスの欠陥を
減らすため、マスクのパターン面およびパターン面と反
対側の基板面の両者または一方に数ｍｍ隔ててペリクル
膜と呼ばれる厚さ数μｍ程度の光透過性薄膜を配し、投
影レンズの被写界深度内にごみが付着するのを防止して
いる。図５（ａ）に示すマスク２７ではパターンＰが形
成された面側にペリクル膜２９およびペリクル枠３０
（アルミニウムなどからなる）からなるペリクル２８が
設けられる。
【０００３】ところで、電子ビーム露光装置やホトリピ
ータなどにより描画されたマスク２７のパターンＰは、
パターン位置測定装置でパターンＰの位置を測定するこ
とによって必要な精度で形成されているか否かが厳密に
管理される。このとき、パターンＰの位置は数ｎｍ程度
の高精度で測定する必要がある。図６はパターン位置測
定装置の一例を示す図であり、マスク２７はステージ３
６に配設されたホルダ３５上に装着される。ステージ３
６はモータ３７ｘ，３７ｙによってそれぞれｘ，ｙ方向
に二次元的に駆動されるとともに、ステージ３６上に固
定された各移動鏡３８ｘ，３８ｙの位置をレーザ干渉計
４０ｘ，４０ｙでそれぞれ測定することによってステー
ジ３６の二次元位置が正確に計測される。３９はレーザ
光を発生する光源である。なお、図６においてはマスク
２７に設けられたペリクル２８を省略している。
ータなどにより描画されたマスク２７のパターンＰは、
パターン位置測定装置でパターンＰの位置を測定するこ
とによって必要な精度で形成されているか否かが厳密に
管理される。このとき、パターンＰの位置は数ｎｍ程度
の高精度で測定する必要がある。図６はパターン位置測
定装置の一例を示す図であり、マスク２７はステージ３
６に配設されたホルダ３５上に装着される。ステージ３
６はモータ３７ｘ，３７ｙによってそれぞれｘ，ｙ方向
に二次元的に駆動されるとともに、ステージ３６上に固
定された各移動鏡３８ｘ，３８ｙの位置をレーザ干渉計
４０ｘ，４０ｙでそれぞれ測定することによってステー
ジ３６の二次元位置が正確に計測される。３９はレーザ
光を発生する光源である。なお、図６においてはマスク
２７に設けられたペリクル２８を省略している。
【０００４】パターンＰの位置測定の際には、マスク２
７のパターンＰが形成された面に計測光学系４１からの
収束光Ｂｉが照射される。パターンＰのエッジに収束光
Ｂｉが照射されると散乱光の発生や正反射光の増減が生
じるので、これらの光信号を計測光学系４１に内蔵され
た受光素子で検出することによりパターンＰを検出する
ことができる。したがって、計測光学系４１によってパ
ターンＰが検出されたときのステージ３６の位置をレー
ザ干渉計４０ｘ，４０ｙで計測することにより、パター
ンＰの位置を高精度に測定することができる。
７のパターンＰが形成された面に計測光学系４１からの
収束光Ｂｉが照射される。パターンＰのエッジに収束光
Ｂｉが照射されると散乱光の発生や正反射光の増減が生
じるので、これらの光信号を計測光学系４１に内蔵され
た受光素子で検出することによりパターンＰを検出する
ことができる。したがって、計測光学系４１によってパ
ターンＰが検出されたときのステージ３６の位置をレー
ザ干渉計４０ｘ，４０ｙで計測することにより、パター
ンＰの位置を高精度に測定することができる。
【０００５】一方、図５（ａ）のように設けられたペリ
クル２８では、ペリクル膜２９の内外に気圧差や温度変
化が生じたりマスク２７やペリクル膜２９が帯電した場
合、ペリクル膜２９にたわみが生じる。図５（ｂ）はペ
リクル膜２９が上方にたわんだ状態を示している。この
状態でパターンＰの位置測定を行うと、ワーキングディ
スタンスの変更により、計測光学系４１がペリクル膜２
９に衝突し、ペリクル膜２９を破損するのみならず、マ
スク２７のパターンＰを正確に測定することができな
い。
クル２８では、ペリクル膜２９の内外に気圧差や温度変
化が生じたりマスク２７やペリクル膜２９が帯電した場
合、ペリクル膜２９にたわみが生じる。図５（ｂ）はペ
リクル膜２９が上方にたわんだ状態を示している。この
状態でパターンＰの位置測定を行うと、ワーキングディ
スタンスの変更により、計測光学系４１がペリクル膜２
９に衝突し、ペリクル膜２９を破損するのみならず、マ
スク２７のパターンＰを正確に測定することができな
い。
【０００６】このため、マスク２７などのパターンＰを
測定する場合は、一定時間ごとにペリクル膜２９の高さ
を光学式の変位センサなどにより直接測定し、計測光学
系４１がペリクル膜２９に衝突しないように、ワーキン
グディスタンスの確認をしつつ、マスク２７のパターン
Ｐを計測する必要がある。
測定する場合は、一定時間ごとにペリクル膜２９の高さ
を光学式の変位センサなどにより直接測定し、計測光学
系４１がペリクル膜２９に衝突しないように、ワーキン
グディスタンスの確認をしつつ、マスク２７のパターン
Ｐを計測する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ンの測定中に一定時間ごとにペリクル膜の高さを測定す
るには、パターンの測定を一旦中断し、計測光学系をマ
スク上から退避させる必要があるため、ワーキングディ
スタンスの確認のために、パターン測定のスループット
が低下するという問題がある。
ンの測定中に一定時間ごとにペリクル膜の高さを測定す
るには、パターンの測定を一旦中断し、計測光学系をマ
スク上から退避させる必要があるため、ワーキングディ
スタンスの確認のために、パターン測定のスループット
が低下するという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、スループットを低下させ
ることなく、ワーキングディスタンスを確認することが
できるペリクル膜高さ測定方法および装置を提供するこ
とにある。
ることなく、ワーキングディスタンスを確認することが
できるペリクル膜高さ測定方法および装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図１
を参照して説明すると、請求項１の発明は、基板７に設
けられるペリクル膜９の高さを測定する方法に適用さ
れ、ペリクル膜９の近傍の気圧および温度に基づいて、
ペリクル膜９の高さを算出することにより上記目的を達
成する。
を参照して説明すると、請求項１の発明は、基板７に設
けられるペリクル膜９の高さを測定する方法に適用さ
れ、ペリクル膜９の近傍の気圧および温度に基づいて、
ペリクル膜９の高さを算出することにより上記目的を達
成する。
【００１０】請求項２の発明は、基板７に設けられるペ
リクル膜９の高さを測定する方法に適用され、所定の気
圧および温度の下におけるペリクル膜９の高さの初期値
を測定し、ペリクル膜９の近傍の気圧および温度の所定
の気圧および温度からの変化量ならびに初期値に基づい
て、ペリクル膜９の高さを算出することにより上記目的
を達成する。
リクル膜９の高さを測定する方法に適用され、所定の気
圧および温度の下におけるペリクル膜９の高さの初期値
を測定し、ペリクル膜９の近傍の気圧および温度の所定
の気圧および温度からの変化量ならびに初期値に基づい
て、ペリクル膜９の高さを算出することにより上記目的
を達成する。
【００１１】請求項３の発明は、基板７に設けられるペ
リクル膜９の高さを測定する装置に適用され、ペリクル
膜９の近傍の気圧を測定する気圧検出手段４と、ペリク
ル膜９の近傍の温度を測定する温度検出手段５と、気圧
検出手段４により測定される気圧および温度検出手段５
により検出される温度に基づいて、ペリクル膜９の高さ
を算出する高さ算出手段６とを備えたことにより上記目
的を達成する。
リクル膜９の高さを測定する装置に適用され、ペリクル
膜９の近傍の気圧を測定する気圧検出手段４と、ペリク
ル膜９の近傍の温度を測定する温度検出手段５と、気圧
検出手段４により測定される気圧および温度検出手段５
により検出される温度に基づいて、ペリクル膜９の高さ
を算出する高さ算出手段６とを備えたことにより上記目
的を達成する。
【００１２】請求項４の発明は、基板７に設けられるペ
リクル膜９の高さを測定する装置に適用され、ペリクル
膜９の近傍の気圧を測定する気圧検出手段４と、ペリク
ル膜９の近傍の温度を測定する温度検出手段５と、所定
の気圧および温度の下におけるペリクル膜９の高さの初
期値を測定する初期値測定手段６と、気圧検出手段４に
より測定される気圧および温度検出手段５により検出さ
れる温度の、所定の気圧および温度からの変化量ならび
に初期値に基づいて、ペリクル膜９の高さを算出する高
さ算出手段６とを備えたことにより上記目的を達成す
る。
リクル膜９の高さを測定する装置に適用され、ペリクル
膜９の近傍の気圧を測定する気圧検出手段４と、ペリク
ル膜９の近傍の温度を測定する温度検出手段５と、所定
の気圧および温度の下におけるペリクル膜９の高さの初
期値を測定する初期値測定手段６と、気圧検出手段４に
より測定される気圧および温度検出手段５により検出さ
れる温度の、所定の気圧および温度からの変化量ならび
に初期値に基づいて、ペリクル膜９の高さを算出する高
さ算出手段６とを備えたことにより上記目的を達成す
る。
【００１３】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるペリク
ル膜高さ測定装置を用いたパターン位置測定装置の一実
施の形態を示す図である。なお、本実施の形態において
は、基板としてマスクを用いるものとする。
明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるペリク
ル膜高さ測定装置を用いたパターン位置測定装置の一実
施の形態を示す図である。なお、本実施の形態において
は、基板としてマスクを用いるものとする。
【００１５】図１に示すように、パターン位置測定装置
は、ペリクル膜９を備えたペリクル８が取り付けられた
マスク７を載置するための試料台１と、マスク７のパタ
ーンを測定するための計測光学系２と、ペリクル膜９の
高さを測定するための光学式変位センサ３と、ペリクル
８付近の気圧を検出する圧力センサ４と、ペリクル８付
近の温度を検出するサーミスタ５と、光学式変位センサ
３、圧力センサ４およびサーミスタ５からそれぞれ出力
される変位データ、気圧データおよび温度データを処理
するとともに、これらの駆動を制御するマイクロプロセ
ッサ６とからなる。なお、光学式変位センサ３は、超音
波変位センサ、静電容量型変位センサ、磁気変位センサ
などの非接触センサであれば、いかなるものを用いても
よい。また、試料台１は、不図示のＸＹステージ上に設
けられており、ＸＹステージは不図示のモータにより駆
動される。さらに、上記パターン位置測定装置は、不図
示の恒温漕内に設けられる。
は、ペリクル膜９を備えたペリクル８が取り付けられた
マスク７を載置するための試料台１と、マスク７のパタ
ーンを測定するための計測光学系２と、ペリクル膜９の
高さを測定するための光学式変位センサ３と、ペリクル
８付近の気圧を検出する圧力センサ４と、ペリクル８付
近の温度を検出するサーミスタ５と、光学式変位センサ
３、圧力センサ４およびサーミスタ５からそれぞれ出力
される変位データ、気圧データおよび温度データを処理
するとともに、これらの駆動を制御するマイクロプロセ
ッサ６とからなる。なお、光学式変位センサ３は、超音
波変位センサ、静電容量型変位センサ、磁気変位センサ
などの非接触センサであれば、いかなるものを用いても
よい。また、試料台１は、不図示のＸＹステージ上に設
けられており、ＸＹステージは不図示のモータにより駆
動される。さらに、上記パターン位置測定装置は、不図
示の恒温漕内に設けられる。
【００１６】図２は、マイクロプロセッサ６に記憶され
た、温度変化量および気圧変化量とペリクル膜高さ変化
量との関係を示すグラフである。図２において、Ａは気
圧変化量とペリクル膜９の高さ変化量との関係を示し、
Ｂは温度変化量とペリクル膜９の高さ変化量との関係を
示す。ここで、ＡおよびＢは以下の式（１），（２）に
より表される。
た、温度変化量および気圧変化量とペリクル膜高さ変化
量との関係を示すグラフである。図２において、Ａは気
圧変化量とペリクル膜９の高さ変化量との関係を示し、
Ｂは温度変化量とペリクル膜９の高さ変化量との関係を
示す。ここで、ＡおよびＢは以下の式（１），（２）に
より表される。
【００１７】δｈ＝Ｋｐ・δＰ （１） δｈ＝Ｋｔ・δＴ （２） 但し、δｈ：ペリクル膜高さ変化量 δＰ：気圧変化量 δＴ：温度変化量 Ｋｐ，Ｋｔ：定数 次いで、マイクロプロセッサ６において行われる処理に
ついて説明する。図３および図４はマイクロプロセッサ
６において行われる処理を説明するフローチャートであ
る。まず、図３に示すフローチャートにより、ペリクル
膜９の高さの初期設定を行う。ステップＳ１において、
光学的変位センサ３によりペリクル枠（不図示）の中心
位置におけるペリクル膜９の高さｈｏｓを測定する。次
のステップＳ２において、測定されたペリクル膜９の高
さｈｏｓが最大許容膜高さＨｍａｘの範囲内にあるか否
か、すなわち、 ｈｏｓ＜Ｈｍａｘ （３） であるか否かの判断を行う。ステップＳ２が肯定された
場合は、ペリクル膜９の高さｈｏｓを得た際の、ペリク
ル８近傍の気圧データＰｏｓおよび温度データＴｏｓを
圧力センサ４およびサーミスタ５から得、高さｈｏｓの
データとともに不図示のメモリに記憶して処理を終了す
る。
ついて説明する。図３および図４はマイクロプロセッサ
６において行われる処理を説明するフローチャートであ
る。まず、図３に示すフローチャートにより、ペリクル
膜９の高さの初期設定を行う。ステップＳ１において、
光学的変位センサ３によりペリクル枠（不図示）の中心
位置におけるペリクル膜９の高さｈｏｓを測定する。次
のステップＳ２において、測定されたペリクル膜９の高
さｈｏｓが最大許容膜高さＨｍａｘの範囲内にあるか否
か、すなわち、 ｈｏｓ＜Ｈｍａｘ （３） であるか否かの判断を行う。ステップＳ２が肯定された
場合は、ペリクル膜９の高さｈｏｓを得た際の、ペリク
ル８近傍の気圧データＰｏｓおよび温度データＴｏｓを
圧力センサ４およびサーミスタ５から得、高さｈｏｓの
データとともに不図示のメモリに記憶して処理を終了す
る。
【００１８】一方、ステップＳ２が否定された場合は、
ステップＳ４において、不図示の入力手段から中止の入
力があったか否かが判断され、ステップＳ４が否定され
た場合は、ステップＳ４が肯定されるまでステップＳ４
の判断を繰り返し、ステップＳ４が肯定された場合は、
何らかの異常があったものとして処理を終了する。この
場合は、パターンの測定を一旦中断し、異常の原因を取
り除いた後、再度初期設定を行う。
ステップＳ４において、不図示の入力手段から中止の入
力があったか否かが判断され、ステップＳ４が否定され
た場合は、ステップＳ４が肯定されるまでステップＳ４
の判断を繰り返し、ステップＳ４が肯定された場合は、
何らかの異常があったものとして処理を終了する。この
場合は、パターンの測定を一旦中断し、異常の原因を取
り除いた後、再度初期設定を行う。
【００１９】このようにして初期設定が行われた後、図
４に示す処理を一定時間間隔にて行い、ワーキングディ
スタンスの確認を行う。まず、ステップＳ１１におい
て、図３のステップＳ３と同様に、ペリクル８近傍の気
圧データＰｉおよび温度データＴｉを圧力センサ４およ
びサーミスタ５から得る。次いで、ステップＳ１２にお
いて、以下の式（４）に示すように予測ペリクル膜高さ
ｈｉを算出する。
４に示す処理を一定時間間隔にて行い、ワーキングディ
スタンスの確認を行う。まず、ステップＳ１１におい
て、図３のステップＳ３と同様に、ペリクル８近傍の気
圧データＰｉおよび温度データＴｉを圧力センサ４およ
びサーミスタ５から得る。次いで、ステップＳ１２にお
いて、以下の式（４）に示すように予測ペリクル膜高さ
ｈｉを算出する。
【００２０】 ｈｉ＝ｈｏｓ＋ｈｐｉ＋ｈｔｉ （４） 但し、ｈｐｉ：気圧によってペリクル膜９の高さに影響
を与える成分ｈｔｉ：温度によってペリクル膜９の高さ
に影響を与える成分ｈｐｉ，ｈｔｉは、上記式（１），
（２）より、次式（５），（６）で表される。
を与える成分ｈｔｉ：温度によってペリクル膜９の高さ
に影響を与える成分ｈｐｉ，ｈｔｉは、上記式（１），
（２）より、次式（５），（６）で表される。
【００２１】 ｈｐｉ＝Ｋｐ・（Ｐｏｓ−Ｐｉ） （５） ｈｔｉ＝Ｋｔ・（Ｔｉ−Ｔｏｓ） （６）このよう
に、式（４）〜（６）すなわち図２に示すグラフに基づ
いて、予測ペリクル膜高さｈｉが算出される。
に、式（４）〜（６）すなわち図２に示すグラフに基づ
いて、予測ペリクル膜高さｈｉが算出される。
【００２２】なお、気圧が高くなった場合、あるいは温
度が低くなった場合など、式（５），（６）における気
圧の変化量および温度変化量が負となる場合がある。こ
のような場合は、ペリクル膜９の高さは低くなるため、
ペリクル膜９が光学的変位センサ３などに衝突すること
が無くなる。したがって、このようにペリクル膜９の高
さが低くなるような状況にある場合、すなわち、Ｐｏｓ
≦Ｐｉの時はＰｏｓ−Ｐｉ＝０とし、また、Ｔｉ≦Ｔｏ
ｓの時はＴｉ−Ｔｏｓ＝０とし、ペリクル膜９の高さに
変化がないものとして扱う。
度が低くなった場合など、式（５），（６）における気
圧の変化量および温度変化量が負となる場合がある。こ
のような場合は、ペリクル膜９の高さは低くなるため、
ペリクル膜９が光学的変位センサ３などに衝突すること
が無くなる。したがって、このようにペリクル膜９の高
さが低くなるような状況にある場合、すなわち、Ｐｏｓ
≦Ｐｉの時はＰｏｓ−Ｐｉ＝０とし、また、Ｔｉ≦Ｔｏ
ｓの時はＴｉ−Ｔｏｓ＝０とし、ペリクル膜９の高さに
変化がないものとして扱う。
【００２３】このようにして予測ペリクル膜高さｈｉが
算出されると、次のステップＳ１３において、予測ペリ
クル膜高さｈｉが最大許容膜高さＨｍａｘの範囲内にあ
るか否か、すなわち、 ｈｉ＜Ｈｍａｘ （７） であるか否かの判断を行う。ステップＳ１３が肯定され
た場合は、ステップＳ１４において、マスク７のパター
ンの計測が終了したか否かの判断がなされ、ステップＳ
１４が否定されると、再度ステップＳ１１に戻り、一定
時間ごとにステップＳ１１からステップＳ１３の処理を
繰り返す。一方、ステップＳ１４が肯定された場合は、
マスク７のパターンの計測が終了したものとして処理を
終了する。ステップＳ１３が否定された場合は、ステッ
プＳ１５において、図３に示すフローチャートのステッ
プＳ１からステップＳ４の処理が再度実行される。すな
わち、ステップＳ１５において、ステップＳ１からステ
ップＳ２へと進み、ステップＳ２においてｈｏｓ＜Ｈｍ
ａｘであるか否かの判断が肯定された場合はステップＳ
３へ進み、その後ステップＳ１４が否定されて再度ステ
ップＳ１１へ戻る。また、ステップＳ１からステップＳ
２へと進み、ステップＳ２においてｈｏｓ＜Ｈｍａｘの
判断が否定された場合はステップＳ４へ進む。そして、
ステップＳ４を中止の入力があるまで繰り返し、ステッ
プＳ４が肯定された後はステップＳ１４が肯定されて処
理を終了する。
算出されると、次のステップＳ１３において、予測ペリ
クル膜高さｈｉが最大許容膜高さＨｍａｘの範囲内にあ
るか否か、すなわち、 ｈｉ＜Ｈｍａｘ （７） であるか否かの判断を行う。ステップＳ１３が肯定され
た場合は、ステップＳ１４において、マスク７のパター
ンの計測が終了したか否かの判断がなされ、ステップＳ
１４が否定されると、再度ステップＳ１１に戻り、一定
時間ごとにステップＳ１１からステップＳ１３の処理を
繰り返す。一方、ステップＳ１４が肯定された場合は、
マスク７のパターンの計測が終了したものとして処理を
終了する。ステップＳ１３が否定された場合は、ステッ
プＳ１５において、図３に示すフローチャートのステッ
プＳ１からステップＳ４の処理が再度実行される。すな
わち、ステップＳ１５において、ステップＳ１からステ
ップＳ２へと進み、ステップＳ２においてｈｏｓ＜Ｈｍ
ａｘであるか否かの判断が肯定された場合はステップＳ
３へ進み、その後ステップＳ１４が否定されて再度ステ
ップＳ１１へ戻る。また、ステップＳ１からステップＳ
２へと進み、ステップＳ２においてｈｏｓ＜Ｈｍａｘの
判断が否定された場合はステップＳ４へ進む。そして、
ステップＳ４を中止の入力があるまで繰り返し、ステッ
プＳ４が肯定された後はステップＳ１４が肯定されて処
理を終了する。
【００２４】このように、本実施の形態においては、一
定時間ごとに、ペリクル８近傍の気圧データおよび温度
データを測定し、この気圧データおよび温度データに基
づいて、計測光学系２や光学式変位センサ３のワーキン
グディスタンスの確認のためのペリクル膜９の高さを算
出するようにしたため、マスク７のパターン計測を中断
することなく、ペリクル膜９の高さを計測することがで
きる。したがって、計測光学系２のスループットに影響
を与えることなく、ワーキングディスタンスの確認を行
うことができる。
定時間ごとに、ペリクル８近傍の気圧データおよび温度
データを測定し、この気圧データおよび温度データに基
づいて、計測光学系２や光学式変位センサ３のワーキン
グディスタンスの確認のためのペリクル膜９の高さを算
出するようにしたため、マスク７のパターン計測を中断
することなく、ペリクル膜９の高さを計測することがで
きる。したがって、計測光学系２のスループットに影響
を与えることなく、ワーキングディスタンスの確認を行
うことができる。
【００２５】なお、上記実施の形態においては、ペリク
ル膜９の高さの初期値ｈｏｓを測定した後に、ペリクル
８近傍の気圧データおよび温度データに基づいて、予測
ペリクル膜高さｈｉを算出するようにしているが、例え
ば、気圧および温度とペリクル膜９の高さとの関係をマ
イクロプロセッサ６にテーブルとして記憶しておき、ペ
リクル膜９の高さの初期値ｈｏｓを計測することなく、
気圧データおよび温度データに基づいて、テーブルを参
照してペリクル膜９の高さを算出してもよい。
ル膜９の高さの初期値ｈｏｓを測定した後に、ペリクル
８近傍の気圧データおよび温度データに基づいて、予測
ペリクル膜高さｈｉを算出するようにしているが、例え
ば、気圧および温度とペリクル膜９の高さとの関係をマ
イクロプロセッサ６にテーブルとして記憶しておき、ペ
リクル膜９の高さの初期値ｈｏｓを計測することなく、
気圧データおよび温度データに基づいて、テーブルを参
照してペリクル膜９の高さを算出してもよい。
【００２６】また、上記実施の形態においては、マスク
７のパターンを測定する装置に本発明を適用した実施の
形態について説明したが、レチクルのパターンを測定す
る装置に本発明を適用することもできる。
７のパターンを測定する装置に本発明を適用した実施の
形態について説明したが、レチクルのパターンを測定す
る装置に本発明を適用することもできる。
【００２７】以上の実施の形態と請求項との対応におい
て、圧力センサ４が気圧検出手段を、サーミスタ５が温
度検出手段を、マイクロプロセッサ６が高さ算出手段お
よび初期値測定手段を構成する。
て、圧力センサ４が気圧検出手段を、サーミスタ５が温
度検出手段を、マイクロプロセッサ６が高さ算出手段お
よび初期値測定手段を構成する。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ペリクル膜近傍の気圧および温度に基づいてペリクル膜
の高さを算出するようにしたため、基板のパターン測定
時における計測機器のスループットを低下させることな
く、ワーキングディスタンス確認のためのペリクル膜の
高さの測定を行うことができる。
ペリクル膜近傍の気圧および温度に基づいてペリクル膜
の高さを算出するようにしたため、基板のパターン測定
時における計測機器のスループットを低下させることな
く、ワーキングディスタンス確認のためのペリクル膜の
高さの測定を行うことができる。
【図１】本発明によるペリクル膜高さ測定方法を適用し
たパターン位置測定装置の概略構成図
たパターン位置測定装置の概略構成図
【図２】気圧変化量および温度変化量とペリクル膜高さ
変化量との関係を示すグラフ
変化量との関係を示すグラフ
【図３】ペリクル膜高さ測定の初期設定の手順を示すフ
ローチャート
ローチャート
【図４】ペリクル膜高さの測定の手順を示すフローチャ
ート
ート
【図５】ペリクルの構成を示す断面図
【図６】パターン位置測定装置の構成を示す斜視図
【符号の説明】 １ 試料台 ２ 計測光学系 ３ 光学式変位センサ ４ 圧力センサ ５ サーミスタ ６ マイクロプロセッサ ７ マスク ８ ペリクル ９ ペリクル膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に設けられるペリクル膜の高さを測
定する方法において、 前記ペリクル膜の近傍の気圧および温度に基づいて、前
記ペリクル膜の高さを算出することを特徴とするペリク
ル膜高さ測定方法。 - 【請求項２】 基板に設けられるペリクル膜の高さを測
定する方法において、 前記所定の気圧および温度の下における前記ペリクル膜
の高さの初期値を測定し、 前記ペリクル膜の近傍の気圧および温度の、前記所定の
気圧および温度からの変化量ならびに前記初期値に基づ
いて、前記ペリクル膜の高さを算出することを特徴とす
るペリクル膜高さ測定方法。 - 【請求項３】 基板に設けられるペリクル膜の高さを測
定する装置において、 前記ペリクル膜の近傍の気圧を測定する気圧検出手段
と、 前記ペリクル膜の近傍の温度を測定する温度検出手段
と、 前記気圧検出手段により測定される気圧および前記温度
検出手段により検出される温度に基づいて、前記ペリク
ル膜の高さを算出する高さ算出手段とを備えたことを特
徴とするペリクル膜高さ測定装置。 - 【請求項４】 基板に設けられるペリクル膜の高さを測
定する装置において、 前記ペリクル膜の近傍の気圧を測定する気圧検出手段
と、 前記ペリクル膜の近傍の温度を測定する温度検出手段
と、 前記所定の気圧および温度の下における前記ペリクル膜
の高さの初期値を測定する初期値測定手段と、 前記気圧検出手段により測定される気圧および前記温度
検出手段により検出される温度の、前記所定の気圧およ
び温度からの変化量ならびに前記初期値に基づいて、前
記ペリクル膜の高さを算出する高さ算出手段とを備えた
ことを特徴とするペリクル膜高さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33870996A JPH10176918A (ja) | 1996-10-15 | 1996-12-18 | ペリクル膜高さ測定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27256296 | 1996-10-15 | ||
| JP8-272562 | 1996-10-15 | ||
| JP33870996A JPH10176918A (ja) | 1996-10-15 | 1996-12-18 | ペリクル膜高さ測定方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10176918A true JPH10176918A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=26550265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33870996A Pending JPH10176918A (ja) | 1996-10-15 | 1996-12-18 | ペリクル膜高さ測定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10176918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10261031B2 (en) * | 2015-11-09 | 2019-04-16 | Acemach Co., Ltd. | Mask inspection device and method thereof |
| KR20220037292A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 한양대학교 산학협력단 | 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법 |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33870996A patent/JPH10176918A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10261031B2 (en) * | 2015-11-09 | 2019-04-16 | Acemach Co., Ltd. | Mask inspection device and method thereof |
| KR20220037292A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 한양대학교 산학협력단 | 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법 |
| WO2022059916A1 (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 한양대학교 산학협력단 | 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |