KR102565625B1 - 샤프트 어셈블리, 챔버 및 반도체 기판 처리 장치 - Google Patents

샤프트 어셈블리, 챔버 및 반도체 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

샤프트의 직선 운동 및 회전 운동 시 밀폐를 유지시키는 샤프트 어셈블리 및 이를 구비하는 챔버와 반도체 기판 처리 장치가 개시된다. 샤프트 어셈블리는 샤프트, 상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시, 상기 리니어 부시의 외주면에 구비되는 브라켓, 및 상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰을 포함하여 구성된다.

Description

샤프트 어셈블리, 챔버 및 반도체 기판 처리 장치{SHAFT ASSEMBLY AND CHAMBER AND APPARATUS FOR PROCESSING S OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
이하의 설명은 반도체 기판의 처리 장치에 관한 것으로, 회전 운동 및 직선 운동을 위한 샤프트 어셈블리와 이를 구비하는 챔버 및 반도체 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 된다. 그리고 반도체 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등을 이용한 박막 제조 방법이 사용된다.
한편, 반도체 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 챔버와, 챔버 내부에서 기판이 안착되는 서셉터가 구비된다. 또한, 서셉터의 직선 운동 및 회전 운동을 위한 샤프트와 구동부가 구비된다. 여기서, 구동부는 챔버의 외부에 구비되고, 샤프트는 챔버를 관통하여 구비된다.
여기서, 샤프트에는 챔버와 결합되는 부분을 밀폐시키기 위한 씰이 구비된다. 그런데 샤프트는 직선 운동 및 회전 운동을 하게 되는데, 샤프트와 씰 사이에서도 마찰이 발생하게 된다. 이 때, 샤프트와 씰 사이에서 발생되는 마찰로 인해 파티클이 발생될 수 있다.
또한, 기존의 씰은 샤프트의 회전 운동 또는 직선 운동 중 어느 하나만을 가능하게 하는 단점이 있다. 하나의 씰을 통해서 직선 운동과 회전 운동이 모두 가능하게 형성하기 어렵다. 또한, 직선 운동과 회전 운동이 모두 가능하도록 씰을 설치하는 경우, 씰이 쉽게 파손되어 수명이 짧고 자주 교체해야 하는 단점이 있다.
전술한 배경기술로서 설명된 내용은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 인정하는 것이라고 할 수는 없다.
실시예의 목적은, 직선 운동 및 회전 운동이 가능하도록 씰링하는 씰 부재를 구비하는 샤프트 어셈블리와 이를 구비하는 챔버 및 반도체 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
실시예들에서 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시예에 따른 샤프트 어셈블리와 이를 구비하는 챔버 및 반도체 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
샤프트 어셈블리는, 샤프트, 상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시, 상기 리니어 부시의 외주면에 구비되는 브라켓, 및 상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰을 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따른 샤프트 어셈블리는, 샤프트, 상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시, 상기 리니어 부시의 외주면에 구비되는 브라켓, 상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰, 및 상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 제2 립씰을 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성될 수 있다. 그리고 상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에는 베어링이 구비될 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 챔버는, 반도체 기판을 수용하는 공간을 제공하는 하우징, 및 상기 하우징을 관통하여 구비되는 샤프트를 포함하고, 상기 샤프트가 상기 하우징 내부에서 직선 운동 및 회전 운동 가능하게 구비되는 샤프트 어셈블리를 포함하여 구성된다. 그리고 상기 샤프트 어셈블리는, 상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시, 상기 리니어 부시를 수용하고 상기 하우징에 결합되는 브라켓, 및 상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰을 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 하우징의 하부에는 밀폐부를 더 구비하고, 상기 밀폐부는 상기 샤프트가 상기 하우징의 하부로 하강하는 거리만큼 상기 샤프트 주변을 밀폐시키도록 형성될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에 구비되는 제2 립씰을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성될 수 있다. 상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 브라켓은, 상기 하우징에 끼워지는 바디부와, 상기 바디부에서 외측으로 연장되어 상기 하우징의 외측에서 상기 하우징에 고정되는 고정부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치는, 반도체 기판을 수용하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되며 상기 기판이 안착되는 서셉터, 상기 챔버를 관통하여 구비되며 일단이 상기 서셉터에 결합되는 샤프트를 포함하고, 상기 서셉터의 승강 이동 및 회전시키는 샤프트 어셈블리, 및 상기 샤프트의 타단 측에 구비되어서 상기 샤프트 어셈블리에 구동력을 제공하는 구동부를 포함하여 구성된다. 그리고 상기 샤프트 어셈블리는, 상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시, 상기 리니어 부시를 수용하고, 상기 챔버에 결합되는 브라켓, 및 상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰을 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에 구비되는 제2 립씰을 더 구비하고, 상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성될 수 있다. 상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성될 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 실시예들에 따르면, 제1 립씰이 샤프트의 직선 운동 및 회전 운동 시 밀폐 상태를 유지시킬 수 있다. 또한 제1 립씰은 샤프트의 직선 운동 시에는 샤프트만 이동하도록 하고, 샤트프의 회전 운동 시에는 샤프트와 리니어 부시가 함께 회전하므로, 제1 립씰과 샤프트 사이의 마찰 발생을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 샤프트 어셈블리와 이를 구비하는 챔버 및 반도체 기판 처리 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 샤프트 어셈블리의 사시도이다.
도 2는 도 1의 샤프트 어셈블리의 수직 단면도이다.
도 3은 도 1의 샤프트 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 샤프트 어셈블리가 적용된 챔버 및 반도체 기판 처리 장치의 일 예를 도시한 모식도이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
이하, 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시예에 기재한 설명은 다른 실시예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도면을 참조하여, 실시예들에 따른 샤프트 어셈블리(10) 및 이를 구비하는 챔버(110)와 반도체 기판 처리 장치(100)에 대해서 설명한다.
참고적으로 도 1은 일 실시예에 따른 샤프트 어셈블리(10)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 샤프트 어셈블리(10)의 수직 단면도이고, 도 3은 도 1의 샤프트 어셈블리(10)의 분해 사시도이다. 그리고 도 4는 일 실시예에 따른 샤프트 어셈블리(10)가 적용된 챔버(110) 및 반도체 기판 처리 장치(100)의 일 예를 도시한 모식도이다.
도면을 참조하면, 샤프트 어셈블리(10)는 샤프트(11), 리니어 부시(13), 브라켓(15) 및 샤프트(11)의 직선 운동과 회전 운동 시 샤프트 어셈블리(10)의 밀폐를 위해서 리니어 부시(13)의 내측 및 브라켓(15)의 내측에 각각 구비되며 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 립씰(12, 14)을 포함한다.
리니어 부시(13)는 샤프트(11)가 관통하여서 샤프트(11)의 외주면 상에 결합되고, 샤프트(11)의 직선 운동 시 마찰력을 감소시키는 역할을 한다.
리니어 부시(13)의 내측에는 샤프트(11)의 외주면과의 사이에 소정 크기의 공간이 형성되고, 공간 내에 제1 립씰(12)이 구비된다.
브라켓(15)은 리니어 부시(13)를 수용하고, 샤프트 어셈블리(10)를 장착 대상이 되는 챔버(110)에 고정시킨다. 브라켓(15)은, 하우징(111)에 끼워지도록 형성되는 바디부(511)와, 하우징(111)의 하부 외측에서 하우징(111)에 고정시키는 고정부(512)가 형성된다.
바디부(511)는 내부에 리니어 부시(13)와 후술하는 제2 립씰(14) 및 베어링(16)을 수용하도록 형성되며, 예를 들어, 소정의 원통형으로 형성될 수 있다. 또한, 바디부(511) 내부에는 리니어 부시(13)의 외주면과의 사이에 소정의 공간이 형성되고, 그 공간에 제2 립씰(14) 및 베어링(16)이 구비된다. 다만, 바디부(511)의 형상이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
고정부(512)은 바디부(511)의 일 단부에 형성되며, 외측으로 연장되는 플랜지 형태를 갖는다. 고정부(512)은 브라켓(15)이 챔버(110)에 설치될 때, 챔버(110) 내부로 끼워지지 않고 외측면 상에 결합되는 부분이다. 또한, 고정부(512)은 복수 개소에서 하우징(111)에 볼트 등의 체결 부재를 이용하여 고정되거나, 용접 등에 의해서 고정될 수 있다. 다만, 고정부(512)의 형상이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
브라켓(15)의 일측에는 냉각부(미도시)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 냉각부는 브라켓(15) 내부에 냉각수가 유동 및 순환할 수 있는 유로가 형성되어서, 냉각수가 순환됨에 따라 샤프트 어셈블리(10)를 냉각시킬 수 있다. 다만, 이는 일 예에 불과한 것으로, 샤프트 어셈블리(10)의 냉각 수단은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
제1 립씰(12)은 샤프트(11)의 외주면과 리니어 부시(13)의 내주면 사이에 구비된다. 제1 립씰(12)은 플라스틱 재질로 형성된다. 또한, 제1 립씰(12)은 대략 링 형상을 갖고, 샤프트(11)의 외주면에 대응되는 내경을 가지며, 복수개가 구비될 수 있다. 제1 립씰(12)은 샤프트(11)와 접촉되는 내주면 상에 복수의 립(211)이 형성된다. 다만, 제1 립씰(12)의 형상은 도면에 의해 한정되지 않는다.
여기서, 제1 립씰(12)은 리니어 부시(13)와 샤프트(11) 사이를 밀폐시키되, 샤프트(11)의 직선 운동을 허용하고, 회전 운동 시에는 리니어 부시(13)와 같이 회전하도록 형성된다.
즉, 제1 립씰(12)의 마찰 저항 계수가 제2 립씰(14)의 마찰 저항 계수보다 커서, 샤프트(11)가 회전할 때 제1 립씰(12)이 리니어 부시(13)와 함께 회전하고 제2 립씰(14)은 리니어 부시(13)와 함께 회전하지 않는다. 또한, 제1 립씰(12)과 샤프트(11) 사이에 작용하는 마찰 저항이 샤프트(11)의 직선 운동 시 제1 립씰(12)에 가해지는 힘 이하로 형성된다. 이로 인해, 샤프트(11)가 직선 운동할 때는 제1 립씰(12)과의 마찰 저항을 이기고 샤프트(11)만 직선 운동을 할 수 있다. 그리고 샤프트(11)의 회전 운동 시에는, 제1 립씰(12)과 샤프트(11) 사이에 작용하는 마찰 저항이 제1 립씰(12)에 가해지는 힘 이상으로 형성된다. 이로 인해, 그리고 샤프트(11)가 회전 운동을 할 때는 제1 립씰(12)과의 마찰 저항에 의해서 샤프트(11)와 함께 제1 립씰(12) 및 리니어 부시(13)가 함께 회전하게 된다. 이와 같이 제1 립씰(12)을 형성함으로써 샤프트(11)와 리니어 부시(13) 사이에서 직선 운동 및 회전 운동 시에 모두 밀폐 상태를 유지할 수 있다.
제2 립씰(14)은 리니어 부시(13)의 외주면과 브라켓(15)의 내주면 사이에 구비되어서, 리니어 부시(13)가 회전할 때 리니어 부시(13)와 브라켓(15) 사이를 밀폐시킨다. 또한, 제2 립씰(14)은 플라스틱 재질로 형성된다.
여기서, 제2 립씰(14)의 마찰 저항 계수가 제1 립씰(12)의 마찰 저항 계수보다 작게 형성되므로, 샤프트(11)가 회전할 때 제2 립씰(14)과의 마찰 저항을 이기고 리니어 부시(13)가 회전하게 된다.
리니어 부시(13)의 외주면과 브라켓(15)의 내주면 사이에는 베어링(16)이 구비되어서, 리니어 부시(13)의 회전 시 마찰을 감소시킨다. 예를 들어, 베어링(16)은 볼 베어링을 포함하여 다양한 윤활 수단이 사용될 수 있으며, 윤활제가 사용될 수 있다.
베어링(16)은 샤프트(11)의 길이 방향을 따라서 리니어 부시(13)의 상측 및 하측에 구비될 수 있다. 다만, 베어링(16)의 위치와 수는 도면에 의해 한정되지 않으며, 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 직선 운동 및 회전 운동을 하는 샤프트 어셈블리(10)에서, 리니어 부시(13) 내측에 제1 립씰(12)을 구비하고, 브라켓(15) 내측에 제2 립씰(14)을 구비함으로써, 샤프트(11)의 직선 운동 및 회전 운동 시 모두 밀폐 상태를 유지할 수 있다. 또한, 샤프트(11)와 제1 립씰(12) 사이에서 마찰로 인해 파티클이 발생되거나, 제1 립씰(12)의 파손 및 수명 단축을 방지할 수 있다.
반도체 기판 처리 장치(100)는 상술한 실시예들에 따른 샤프트 어셈블리(10)를 포함하고, 챔버(110), 챔버(110) 내부에 구비되며 기판(S)이 안착되는 서셉터(130), 챔버(110) 외부에 구비되며 서셉터(130) 및 샤프트 어셈블리(10)에 구동력을 제공하는 구동부(140)를 포함하여 구성된다. 이하의 설명에서는 챔버(110) 및 반도체 처리 장치(100)의 주요 부분에 대해서만 설명하고, 상세한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
챔버(110)는 반도체 기판(S)을 수용하고 기판(S)의 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징(111)을 포함하여 구성된다.
여기서, 반도체 기판 처리 장치(100)는 챔버(110) 내부가 진공으로 유지되고, 기판(S)에 대해서 소정의 공정이 수행되는 장치로서, 예를 들어, 증착 장치 등을 포함하여 다양한 공정의 처리 장치가 대상일 수 있다. 또한, 반도체 기판 처리 장치(100)는 챔버(110) 내부가 진공이 아니더라도 적용 가능하다.
기판(S)은, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 기판(S)의 형상은 원형뿐만 아니라 사각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 기판(S)은 이에 한정되지 않고, 반도체 제조LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판일 수도 있다.
서셉터(130)는 챔버(110) 내부에 구비되며, 기판(S)이 안착된다. 서셉터(130)는 하부에 구비되는 샤프트 어셈블리(10) 및 구동부(140)에 의해서 챔버(110) 내부에서 상하로 승강 이동 및 회전 운동하게 된다.
챔버(110) 하부에는 밀폐부(130)가 구비된다.
밀폐부(130)는 챔버(110)의 하우징(111)의 하부에서 샤프트(11) 주변을 둘러싸서 밀폐시키도록 구비된다. 또한 밀폐부(130)는 샤프트(11)가 하우징(111) 하부로 하강하는 거리만큼 형성된다. 또한, 밀폐부(130)는 샤프트(11)가 승하강 가능하도록 신축 가능하게 형성된다.
다만, 밀폐부(130)의 형상은 도면에 의해 한정되지 않으며, 샤프트(11)의 승하강 시, 하우징(111)의 외부에서 샤프트(11)를 밀폐시키는 다양한 구조가 채택될 수 있다.
실시예들에 따르면, 챔버(110) 하부에 샤프트(11)의 하강 거리를 따라 확장된 밀폐부(130)를 구비함으로써, 샤프트(11)가 하강 시에도 외부와 격리되어 밀폐된 상태를 유지할 수 있으므로, 샤프트(11)에 외부의 오염 물질이나 파티클이 묻어서 샤프트(11)가 상승하였을 때 하우징(111) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 청구범위 뿐만 아니라 이 청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 샤프트 어셈블리
11: 샤프트
12: 제1 립씰
13: 리니어 부시
14: 제2 립씰
15: 브라켓
511: 바디부
512: 고정부
16: 베어링
100: 반도체 기판 처리 장치
110: 챔버
111: 챔버의 하우징
120: 서셉터
130: 밀폐부
140: 구동부
S: 기판

Claims (15)

  1. 샤프트;
    상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시;
    상기 리니어 부시의 외주면에 구비되는 브라켓;
    상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰; 및
    상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 제2 립씰;을 포함하고,
    상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성되고,
    상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성되며,
    상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에는 베어링이 구비되는 샤프트 어셈블리.
  2. 반도체 기판 처리 장치의 챔버로서,
    반도체 기판을 수용하는 공간을 제공하는 하우징; 및
    상기 하우징을 관통하여 구비되는 샤프트를 포함하고, 상기 샤프트가 상기 하우징 내부에서 직선 운동 및 회전 운동 가능하게 구비되는 샤프트 어셈블리;를 포함하고,
    상기 샤프트 어셈블리는,
    상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시;
    상기 리니어 부시를 수용하고 상기 하우징에 결합되는 브라켓;
    상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰; 및
    상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 제2 립씰;을 포함하고,
    상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성되고,
    상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성되며,
    상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에는 베어링이 구비되는 것인 반도체 기판 처리 장치의 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하우징의 하부에는 밀폐부를 더 구비하고,
    상기 밀폐부는 상기 샤프트가 상기 하우징의 하부로 하강하는 거리만큼 상기 샤프트 주변을 밀폐시키도록 형성되는 반도체 기판 처리 장치의 챔버.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 브라켓은,
    상기 하우징에 끼워지는 바디부와,
    상기 바디부에서 외측으로 연장되어 상기 하우징의 외측에서 상기 하우징에 고정되는 고정부를 포함하는 반도체 기판 처리 장치의 챔버.
  5. 반도체 기판 처리 장치로서,
    반도체 기판을 수용하는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되며 상기 기판이 안착되는 서셉터;
    상기 챔버를 관통하여 구비되며 일단이 상기 서셉터에 결합되는 샤프트를 포함하고, 상기 서셉터의 승강 이동 및 회전시키는 샤프트 어셈블리; 및
    상기 샤프트의 타단 측에 구비되어서 상기 샤프트 어셈블리에 구동력을 제공하는 구동부;
    를 포함하고,
    상기 샤프트 어셈블리는,
    상기 샤프트의 외주면 상에 결합되며 상기 샤프트가 관통하도록 구비되는 리니어 부시;
    상기 리니어 부시를 수용하고, 상기 챔버에 결합되는 브라켓;
    상기 샤프트의 외주면과 상기 리니어 부시의 내주면 사이에 구비되고 플라스틱 재질로 형성되는 복수의 제1 립씰; 및
    플라스틱 재질로 형성되는 제2 립씰;을 포함하고,
    상기 제2 립씰은 상기 리니어 부시의 회전을 허용하도록 상기 제2 립씰의 마찰 저항 계수가 상기 제1 립씰의 마찰 저항 계수보다 작게 형성되고,
    상기 제1 립씰은 상기 샤프트의 직선 운동을 허용하고 회전 운동 시에는 상기 리니어 부시가 상기 샤프트와 함께 회전하도록 형성되며,
    상기 리니어 부시의 외주면과 상기 브라켓의 내주면 사이에는 베어링이 구비되는 것인 반도체 기판 처리 장치.
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