KR102559876B1 - 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물 및 이를 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
<화학식1>

Description

신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{New compound for capping layer and Organic light emitting diode comprising to the same}
본 발명은 캡핑층용 유기화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
그리고 상기 발광 재료는 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성한다.
이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 유기 발광 소자의 효율은 통상적으로 내부발광효율과 외부발광효율로 나눌 수 있다. 내부발광효율은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등과 같이 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련있으며, 이론적으로 형광의 경우 25%, 인광의 경우 100%로 알려져 있다.
한편, 외부발광효율은 유기층에서 생성된 광이 유기 발광 소자 외부로 추출되는 효율을 나타내며, 통상적으로 내부발광효율의 약 20%로 수준이 외부로 추출되는 것으로 알려져 있다. 이 광추출을 높이기 위한 방법으로 외부로 나가는 빛이 전반사되어 손실되는 것을 방지하기 위한 1.7이상의 굴절률을 갖는 다양한 유기화합물들을 캡핑층으로 적용해 왔으며, 유기 발광 소자의 성능 개선을 위해 외부발광효율을 높이는 고굴절률 및 박막 안정성을 가지는 유기화합물을 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
한국 공개특허 10-2004-0098238
본 발명은 벤조나프토퓨란, 벤조나프토티오펜과 같이 O, S, Se, 또는 Te를 포함하는 4환 이상의 축합된 고리를 갖는 축합헤테로아릴기가 아릴아민의 질소에 직접 결합된 아릴아민 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있는 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 아릴아민의 말단부의 벌키 특성을 최소화함으로써, 분자간 박막배열이 우수해져서 굴절률이 개선되고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하여, 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선될 수 있는 캡핑층용 화합물 및 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제 및 추가적 과제에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물을 제공한다.
<화학식1>
상기 화학식 1에서,
X는 O, S, Se, 또는 Te이고,
A환 및 B환은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이고,
단, A환 및 B환 중 어느 하나 이상은 치환 또는 비치환된 C9~C30의 축합아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7~C30의 축합헤테로아릴기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이고, 단, 카바졸기는 제외하며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이다.
상기의 해결수단 및 추가적 해결수단에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
본 발명의 일실시예에 따른 캡핑층용 화합물은, 벤조나프토퓨란, 벤조나프토티오펜과 같이 O, S, Se, 또는 Te를 포함하는 4환 이상의 축합된 고리를 갖는 축합헤테로아릴기가 아릴아민의 질소에 직접 결합된 아릴아민 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어, 유기 발광 소자의 캡핑층에 적용할 경우, 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 아릴아민의 말단부의 벌키 특성을 최소화함으로써, 분자간 박막배열이 우수해져서 굴절률이 개선되고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높음 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하여, 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선된다.
상기의 효과 및 추가적 효과에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
도 1은 유기발광소자의 층 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 340nm ~ 460nm의 파장범위에서의 흡수 강도를 측정한 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 용어 "아릴"은 C5-50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미할 수 있으며, "헤테로아릴"은 1 개 이상의 헤테로 원소를 포함하는 C2-50의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘 고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조퓨란 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리 등으로부터 형성되는 헤테로고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.
또한, 화학식에서 Arx(여기서 x는 정수임)는 특별히 정의되지 않는 경우, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미하며, L x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기를 의미하며, R x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 용어 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 니트릴기, 니트로기, 니트로소기, 술파모일기, 이소티오시아네이트기, 티오시아네이트기, 카르복시기, 또는 C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알킬술피닐기, C1~C30의 알킬술포닐기, C1~C30의 알킬술파닐기, C1∼C12 의 플루오로알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C1~C12의 N-알킬아미노기, C2~C20의 N,N-디알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, C1∼C6의 N-알킬술파모일기, C2∼C12의 N,N-디알킬술파모일기, C3~C30의 실릴기, C3~C20의 시클로알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C50의 아릴기 및 C2~C50의 헤테로아릴기 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것을 의미할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자는, 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 구체적으로, 제1전극, 제2전극, 상기 제 1전극과 제 2전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되어 본 발명의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다.
본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적인 예시로서, 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식1>
상기 화학식 1에서,
X는 O, S, Se, 또는 Te이고,
A환 및 B환은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이고,
단, A환 및 B환 중 어느 하나 이상은 치환 또는 비치환된 C9~C30의 축합아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7~C30의 축합헤테로아릴기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이고, 단, 카바졸기는 제외하며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이다.
상기에서, 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 벤조나프토퓨란, 벤조나프토티오펜과 같이 O, S, Se, 또는 Te를 포함하는 4환 이상의 축합된 고리를 갖는 축합헤테로아릴기가 아릴아민의 질소에 직접 결합된 아릴아민 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있게 된다. 또한, 아릴아민의 말단부의 벌키 특성을 최소화함으로써, 분자간 박막배열이 우수해지므로 굴절률이 개선되고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하며, 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선된 유기 발광 소자를 구현할 수 있게 된다.
본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식2>
<화학식 3>
상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
X는 각각 독립적으로 O, S, Se, 또는 Te이고,
A환 및 B환은 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며,
L1 및 Ar1은 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 아릴아민의 질소에 직접 결합되는 4환 이상의 축합된 고리를 갖는 축합헤테로아릴기를 2개 이상 가짐으로써, 더욱 고굴절률을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식4>
<화학식5>
상기 화학식 4 및 화학식 5에서,
X는 각각 독립적으로 O, S, Se, 또는 Te이고,
A환 및 B환은 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며,
p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
l, m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 캡핑층용 화합물은 아릴아민의 질소에 결합되는 Ar1또는 Ar2가 하나 이상의 1,4-페닐렌기에 의해 연결되는 구조를 가짐으로써, 가시광 영역의 흡수파장을 최소화하며, 동시에 굴절률 개선에 효과적일 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식6>
<화학식7>
상기 화학식 6 및 화학식 7에서,
X는 각각 독립적으로 O, S, Se, 또는 Te이고,
A환은 치환 또는 비치환된 C9~C30의 축합아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7~C30의 축합헤테로아릴기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하며,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며,
p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
l, m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 4환 이상의 축합된 고리를 갖는 축합헤테로아릴기의 B환이 페닐이고, 상기 페닐이 아릴아민의 질소와 결합하여 벌키특성을 최소화함으로써, 굴절률 개선과 동시에 청색영역의 흡수파장을 최소화 할 수 있다. 특히, 화학식 6으로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 고굴절률을 가질 수 있으며, 높은 Tg를 가져 열안정성을 개선할 수 있다. 또한, 화학식 7로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 축합헤테로아릴기를 4환의 축합헤테로아릴기로 한정하고, 상기 4환의 축합헤테로아릴기에 질소가 결합되는 결합위치를 선형적 결합위치로 한정함으로써, 박막배열이 우수하여 고굴절률을 가질 수 있으며, 자외선 영역의 흡수파장 강도를 크게 개선할 수 있고, 낮은 증착 온도를 가질 수 있다.
한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 7중 어느 하나의 화학식에서, 상기 X는 O 일 수 있다. 이를 통해 고굴절률을 유지하며, 동시에 분자량을 줄여 증착온도를 낮추는데 효과적일 수 있다.
또는, 상기 화학식 1 내지 화학식 7중 어느 하나의 화학식에서, 상기 X는 S 일 수 있다. 이를 통해 더욱 고굴절률을 가질 수 있으며, 높은 Tg를 가져 안정한 박막을 형성하는데 유리할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7중 어느 하나의 화학식에서, 상기 A환 및 B환 중 어느 하나 이상은 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페난트렌기를 포함할 수 있다. 구체적으로 A환이 나프틸기 또는 페난트렌기를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 A환은 페난트렌기이고, B환은 페닐기일 수 있다. 이를 통해 고굴절률을 가짐과 동시에 증착온도를 낮출 수 있어, 화합물의 열적 안정성이 우수해지고 안정한 박막을 형성하는 데 유리할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7중 어느 하나의 화학식에서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 피리딘기, 퀴놀린기, 나프틸기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 다이벤조퓨란기, 다이벤조티오펜기, 벤조옥사졸기, 또는 벤조티아졸기를 포함할 수 있다. 이 경우 벌키특성이 최소화된 축합환기를 가짐으로써 분자간 박막배열이 우수하여 고굴절률을 가질 수 있으며, 동시에 자외선 영역의 흡수강도를 증대할 수 있다.
구체적으로, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 퀴놀린기, 나프틸기, 벤조퓨란기, 또는 벤조옥사졸기를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 퀴놀린기 또는 나프틸기일 수 있다. 이를 통해 고굴절을 가지며, 청색영역의 흡수를 최소화 할 수 있고, 동시에 증착온도를 낮출 수 있어, 열안정성이 우수하며 안정한 박막을 형성하는 데 유리할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, 중간 연결기인 L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌 또는 바이페닐렌일 수 있다. 구체적으로 L1 및 L2는 페닐렌 또는 바이페닐렌일 수 있으며, 이와 같이 Ar1 및 Ar2가 직접결합이 아닌 연결기에 의해 질소에 결합될 경우, 굴절률 및 흡수강도를 개선할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 중 어느 하나 이상은 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-8 중 선택된 어느 하나이거나 또는 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-8 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2은 모두 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-8 중에서 선택될 수 있다.

삭제
상기 화학 구조식 A-1 내지 A-8에서,
q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수일 수 있으며, 구체적으로 1 또는 2일 수 있다.. 한편, *은 화학식 1의 질소(N)에 결합되는 결합위치를 의미한다.
상기와 같이 본 발명의 캡핑층용 화합물은 화학 구조식 A-1 내지 A-8중 어느 하나 이상의 구조를 가짐으로써, 고굴절, 분자간 박막배열의 안정성, 자외선 영역의 흡수강도 증대, 청색영역의 흡수 최소화를 우수하게 구현할 수 있다.
구체적으로 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 중 어느 하나 이상은 화학 구조식 A-4 내지 A-8로부터 선택되며, 더욱 구체적으로 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 모두 화학 구조식 A-4 내지 A-8로부터 선택될 수 있다. 이를 통해 고굴절, 분자간 박막배열의 안정성, 자외선 영역의 흡수강도 증대 또는 청색 영역의 흡수최소화를 더욱 우수하게 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 캡핑층용 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 캡핑층용 화합물일 수 있다. 하기의 화합물들은 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 본 발명의 캡핑층용 화합물의 일 실시예는 아미노화 반응에 의해 합성될 수 있으며, 개략적인 합성 반응식은 아래와 같다.
본 발명은 또 다른 일 실시예로서, 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 캡핑층은 전술한 캡핑층용 화합물을 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
다음, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층 및 캡핑층을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극의 외측에 배치 될 수 있다.
구체적으로 상기 캡핑층의 두께는 200 내지 2000 Å 값을 가질 수 있다.
또한, 상기 캡핑층은 450nm파장에서의 굴절률이 2.20 이상, 구체적으로 2.30 이상, 보다 구체적으로 2.35 이상일 수 있으며, 380nm 파장에서의 자외선 흡수강도가 0.7 이상, 구체적으로 0.8 이상일 수 있다.
여기서 제1 전극 또는 제2 전극의 양측면 중 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 유기물층이 인접한 측을 내측이라고 하고, 유기물층과 인접하지 않은 측을 외측이라 한다. 즉, 제1 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제1 전극이 개재되고, 제2 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제2 전극이 개재된다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극의 내측에 1층 이상의 다양한 유기물층이 개재될 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 어느 하나 이상의 전극 외측에 캡핑층이 형성될 수 있다. 즉, 캡핑층은 제1 전극의 외측과 제2 전극의 외측에 모두 형성되거나, 제1 전극의 외측 또는 제2 전극의 외측에만 형성될 수 있다.
그리고 상기 캡핑층은 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 포함할 수 있으며, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 단독으로 포함하거나, 2종 이상 포함하거나 또는 공지의 화합물을 함께 포함할 수 있다.
한편, 상기 유기물층으로는 일반적으로 발광부를 구성하는 정공수송층, 발광층 및 전자수송층이 포함될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(애노드, anode)과 제2 전극(캐소드, cathode)의 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 발광부를 구성하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다.
도 1과 같이, 유기 발광 소자는 아래에서부터 기판(100), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)의 순으로 적층될 수 있다.
상기 기판(100)은 유기 발광 소자에서 일반적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제1 전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 정공주입전극으로 사용된다. 제1 전극(1000)은 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 사용하여 제조되며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
상기 정공주입층(200)은 상기 제1 전극(1000)의 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층(200)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층(200)의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 정공주입층(200)의 표면에는 전하발생층을 필요에 따라 추가로 증착할 수 있다. 전하발생층 물질로는 통상의 물질을 사용할 수 있으며, HATCN을 예로 들 수 있다.
다음으로, 상기 정공수송층(300)은 상기 정공주입층(200)의 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층(300)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 정공수송층(300)은 공지의 화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 도 1에 도시되어 있지 않지만, 정공수송층(300)의 상부에 발광보조층을 추가로 형성할 수 있다.
상기 발광층(400)은 상기 정공수송층(300) 또는 발광보조층의 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층(400)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.
한편, 발광층 재료에 인광 도펀트를 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(500)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 발광층(400)의 상부에 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법을 통해 적층시킬 수 있다. 이때 사용할 수 있는 정공억제재료는 특별히 제한되지는 않으며, 공지의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광층(400)은 1층 이상 또는 2층 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.
상기 전자수송층(500)은 상기 발광층(400)의 상부에 형성되며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(500)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
상기 전자주입층(600)은 상기 전자수송층(500)의 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500) 등의 유기물층은 공지의 물질을 사용하여 제조될 수 있다.
상기 제2 전극(2000)은 전자주입전극으로 사용되며, 상기 전자주입층(600)의 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(2000)의 재료로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은, 마그네슘 등의 물질이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자는 앞서 설명한 캡핑층(3000), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)을 포함하는 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기 발광 소자가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 추가로 포함하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 30 내지 100 ㎚일 수 있다.
상기 캡핑층(3000)은 상기 제1 전극(1000)의 양측면 중 정공주입층(200)이 형성되지 않은 외측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(2000)의 양측면 중 전자주입층(600)이 형성되지 않은 외측면에도 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 캡핑층(3000)은 증착공정으로 형성될 수 있으며, 캡핑층(3000)의 두께는 100 내지 2,000 Å 이며, 더욱 구체적으로는 300 내지 1,000Å 일 수 있다. 이와 같은 두께 조절을 통해 캡핑층(3000)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 1에 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡핑층(3000)과 제1 전극(1000)의 사이 또는 캡핑층(3000)과 제2 전극(2000)의 사이에 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있다. 또는, 캡핑층(3000)의 상부(외측 표면)에도 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자를 제조예 및 실시예를 통해 구체적으로 설명한다. 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 제조예 및 실시예에 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: 화합물 9의 합성
둥근바닥플라스크에 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran 2.0g, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 2.8g, t-BuONa 1.0g, Pd2(dba)3 0.3g, (t-Bu)3P 0.3ml를 톨루엔 80ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC(Methylene chloride)로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 화합물 9 3.0g (수율 70%)을 얻었다.
m/z: 637.24 (100.0%), 638.24 (52.3%), 639.25 (13.4%), 640.25 (2.3%)
제조예 2: 화합물 11의 합성
제조예1과 같은 방법으로 제조하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 4'-(naphthalen-2-yl)-N-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 사용하여 화합물 11을 합성하였다. (수율71%)
m/z: 713.27 (100.0%), 714.28 (58.8%), 715.28 (17.2%), 716.28 (3.4%)
제조예 3: 화합물 42의 합성
둥근바닥플라스크에 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran 2.0g, [1,1':4',1''-terphenyl]-4-amine 0.9g, t-BuONa 1.0g, Pd2(dba)3 0.3g, (t-Bu)3P 0.2ml를 톨루엔 70ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC(Methylene chloride)로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 화합물 42 3.1g (수율 68%)을 얻었다.
m/z: 677.24 (100.0%), 678.24 (54.5%), 679.24 (15.0%), 680.25 (2.5%)
제조예 4: 화합물 55의 합성
제조예1과 같은 방법으로 제조하되, 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran 대신 2-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-4-yl)benzo[b]thiophene을 사용하여 화합물 55를 합성하였다. (수율67%)
m/z: 637.24 (100.0%), 638.24 (52.3%), 639.25 (13.4%), 640.25 (2.3%)
제조예 5: 화합물 79의 합성
제조예1과 같은 방법으로 제조하되, 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran 대신 9-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran을 사용하여 화합물 79를 합성하였다. (수율67%)
m/z: 637.24 (100.0%), 638.24 (52.3%), 639.25 (13.4%), 640.25 (2.3%)
제조예 6: 화합물 167의 합성
제조예1과 같은 방법으로 제조하되, 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran 및 bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 3-bromobenzo[b]naphtho[2,3-d]thiophene 및 4'-(naphthalen-2-yl)-N-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine 을 사용하여 화합물 167을 합성하였다. (수율65%)
m/z: 729.25 (100.0%), 730.25 (59.6%), 731.26 (17.0%), 731.24 (4.5%), 732.26 (3.3%), 732.25 (2.7%)
제조예 7: 화합물 20의 합성
제조예1 과 같은 방법으로 제조하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 20을 합성하였다. (수율61%)
m/z: 639.23 (100.0%), 640.23 (50.9%), 641.24 (12.5%), 642.24 (2.1%)
제조예 8: 화합물 21의 합성
제조예1 과 같은 방법으로 제조하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzofuran-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물21을 합성하였다. (수율58%)
m/z: 617.20 (100.0%), 618.20 (48.1%), 619.21 (11.3%), 620.21 (2.0%)
제조예 9: 화합물 22의 합성
제조예1 과 같은 방법으로 제조하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzo[b]thiophen-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 22를 합성하였다. (수율62%)
m/z: 649.15 (100.0%), 650.16 (47.9%), 651.16 (12.2%), 651.15 (9.2%), 652.15 (4.4%), 652.16 (2.0%), 650.15 (2.0%), 653.16 (1.1%)
제조예 10: 화합물 23의 합성
제조예1 과 같은 방법으로 제조하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 23을 합성하였다. (수율60%)
m/z: 619.19 (100.0%), 620.19 (46.6%), 621.20 (10.3%), 622.20 (1.8%), 621.19 (1.1%)
유기 발광 소자의 제조
도 1에 기재된 구조에 따라 유기 발광 소자를 제조하였다. 유기 발광 소자는 아래로부터 기판(100), 양극(정공주입전극(1000)), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 음극(전자주입전극(2000)), 캡핑층(3000) 순으로 적층되어 있다.
본 발명의 유기 발광 소자의 전극 내측에 위치하는 유기물층에 사용된 화합물들을 아래 표 1에 나타내었다.
실시예 1
Ag를 포함하는 반사층이 형성된 ITO기판 위에 정공주입층 HI01 600Å, HATCN 50 Å, 정공수송층으로 HT01 500 Å를 제막한 후 상기 발광층으로 BH01:BD01 3%로 도핑하여 250 Å 제막하였다. 다음으로 전자수송층으로 ET01:Liq(1:1) 300 Å 제막한 후 LiF 10 Å를 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서 MgAg 15nm의 두께로 증착시켰으며, 상기 음극 위에 캡핑층으로 제조예1에서 제조된 화합물을 600 Å 두께로 증착시켰다. 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예10
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 각각 제조예2 내지 제조예10에서 제조된 화합물을 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1 내지 비교예 4
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 각각 하기 표2에서 표시된 Ref.1 내지 Ref.4를 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.

< 실험예 1> 유기 발광 소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예1 내지 실시예10 및 비교예1 내지 비교예4의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
Op. V mA/cm2 Cd/A CIEx CIEy LT97
실시예1 3.49 10 7.76 0.143 0.044 169
실시예2 3.49 10 7.80 0.144 0.043 170
실시예3 3.50 10 7.85 0.144 0.043 176
실시예4 3.51 10 7.65 0.142 0.045 158
실시예5 3.51 10 7.60 0.142 0.045 152
실시예6 3.50 10 7.82 0.144 0.043 172
비교예1 3.51 10 6.02 0.136 0.055 72
비교예2 3.52 10 6.60 0.138 0.052 83
비교예3 3.51 10 6.93 0.139 0.050 120
비교예4 3.51 10 7.01 0.139 0.050 109
본 발명의 캡핑층용 화합물은 벤조나프토퓨란, 벤조나프토티오펜 등의 축합헤테로아릴기가 하나의 아민기에 결합되어 있어 2개의 아민기를 포함하는 비교예 1과 비교하여 벌키 특성을 최소화함으로써, 고색순도, 고효율 및 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물은 축합헤테로아릴기가 아민기의 질소에 직접결합되어 있어 페닐렌 등의 중간 연결기에 의해 결합되어 있는 비교예 2,4와 비교하여 벌키 특성을 최소화함으로써, 박막배열이 향상되어 안정한 박막을 형성함에 따라, 작은 분자량으로도 고색순도, 고효율 및 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물은 카바졸기를 포함하지 않아 카바졸기를 포함하는 비교예 3과 비교하여 벌키 특성을 최소화함으로써, 박막배열이 향상되어 안정한 박막을 형성함에 따라, 작은 분자량으로도 고색순도, 고효율 및 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물은 화학식 1에서의 X가 O 또는 S인 축합헤테로아릴기를 포함하여 X가 N인 비교예 2와 비교하여 고색순도, 고효율 및 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 상기 표3에 표시하지는 않았지만, 실시예7 내지 실시예10의 유기 발광 소자도 실시예1 내지 실시예 6과 동등 이상의 고색순도, 고효율 및 장수명 효과를 얻을 수 있음을 확인하였다.
< 실험예 2> 굴절률의 평가
본 발명의 캡핑층용 화합물 9, 11 및 42와 상기 표 2의 Ref.1, Ref.2, Ref.3 및 Ref.4 화합물을 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 450 nm파장에서의 굴절률을 측정하였다. 그 결과는 아래 표 4에 정리된 바와 같다.
@450nm Ref.1 Ref.2 Ref.3 Ref.4 화합물9 화합물11 화합물42
굴절률, n 1.97 2.07 2.13 2.16 2.35 2.39 2.43
상기 표 4에 기재된 바와 같이, 본 발명의 캡핑층용 화합물은 450nm 파장에서의 굴절률이 2.20 이상, 구체적으로 2.30 이상, 보다 구체적으로 2.35 이상의 높은 굴절률을 나타낼 수 있으며, 이는 본 발명의 캡핑층용 화합물이 Ref.1 과 비교하여 하나의 아민기를 포함하고 있고, Ref.2,4와 비교하여 축합헤테로아릴기가 질소에 직접결합되어 있으며, Ref.3과 비교하여 카바졸기를 포함하지 않고, 나아가 Ref.2와 비교하여 O 또는 S를 포함하는 축합헤테로아릴기를 포함하고 있기 때문이다.
나아가 이와 같은 본 발명의 캡핑층용 화합물은 고굴절률을 가짐과 동시에 하기 실험예 3의 결과와 같이 자외선 영역에서의 흡수파장 증대로 결과적으로 유기 발광 소자의 효율 및 수명 개선에 효과적일 수 있다.
< 실험예 3> 자외선 영역에서의 흡수 강도 평가
자외선 영역에서 본 발명의 캡핑층용 화합물9, 11 및 42와 Ref.1 및 Ref.4 화합물을 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 340 nm ~ 460 nm의 범위 내의 흡수 파장을 측정하였다. 그 결과는 도 2에 도시된 바와 같다. 자외선 흡수영역인 380 nm 기준에서 본 발명의 캡핑층용 화합물9, 11 및 42의 흡수강도는 0.7 이상, 보다 구체적으로는 0.8 이상으로 Ref.4 화합물보다 흡수 강도 약15% 이상, 보다 구체적으로 약 30% 이상의 상승을 확인할 수 있다.
100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극
2000: 제2 전극
3000: 캡핑층

Claims (16)

  1. 하기 화학식 1-1, 하기 화학식 2-1 또는 화학식 3-1로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식 1-1>

    <화학식 2-1>

    <화학식 3-1>

    (상기 화학식 1-1, 화학식 2-1 및 화학식 3-1에서,
    X는 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 피리딘기, 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 다이벤조퓨란기, 다이벤조티오펜기, 벤조옥사졸기, 또는 벤조티아졸기이고,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 또는 C6~C12의 아릴렌기이고,
    A환 및 B환은 각각 독립적으로 페닐 또는 나프틸이되 서로 다르다).
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1-1은 하기 화학식 7로 표시되고, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 5-1로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식 7>

    <화학식 5-1>

    (상기 화학식 7 및 화학식 5-1에서,
    X, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 상기 화학식 1-1 및 상기 화학식 2-1에서의 정의와 동일하며,
    A환 및 B환은 각각 독립적으로 페닐 또는 나프틸이되 서로 다르며,
    R1 및 R2는 수소이며,
    p는 각각 독립적으로 0 내지 1의 정수이며,
    l, m은 각각 독립적으로 1 내지 2의 정수이다).
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 또는 벤조옥사졸기를 포함하는 캡핑층용 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌 또는 바이페닐렌인 캡핑층용 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 중 어느 하나 이상은 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-8 중 어느 하나이거나, 또는 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-8 중 어느 하나를 포함하는 캡핑층용 화합물:

    (상기 화학 구조식 A-1 내지 A-8에서,
    q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, *은 상기 화학식 1의 N에 결합되는 결합위치이다).
  11. 제10항에 있어서,
    상기 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2은 상기 화학 구조식 A-4 내지 A-8로부터 선택되는 캡핑층용 화합물.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 캡핑층용 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 캡핑층용 화합물:
    (하기 화합물 중 1 내지 14, 25 내지 43, 49 내지 170, 181 내지 199 및 205 내지 348 화합물은 제외한다)






























  13. 제1항. 제3항 및 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 제1전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 더 포함하며,
    상기 캡핑층은 상기 제1전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되는 유기 발광 소자.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 캡핑층의 두께는 200 내지 2000 Å인 유기 발광 소자.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 캡핑층용 화합물은 450nm 에서 굴절률이 2.20 이상인 유기 발광 소자.
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