KR20230056864A - 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

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KR20230056864A
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안현철
김희주
김동준
한정우
이형진
안자은
권동열
김태민
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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물 및 이를 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
<화학식1>
Figure pat00124

Description

신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{New compound for capping layer and Organic light emitting diode comprising to the same}
본 발명은 캡핑층용 유기화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
그리고 상기 발광 재료는 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성한다.
이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 유기 발광 소자의 효율은 통상적으로 내부발광효율과 외부발광효율로 나눌 수 있다. 내부발광효율은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등과 같이 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련있으며, 이론적으로 형광의 경우 25%, 인광의 경우 100%로 알려져 있다.
한편, 외부발광효율은 유기층에서 생성된 광이 유기 발광 소자 외부로 추출되는 효율을 나타내며, 통상적으로 내부발광효율의 약 20%로 수준이 외부로 추출되는 것으로 알려져 있다. 이 광추출을 높이기 위한 방법으로 외부로 나가는 빛이 전반사되어 손실되는 것을 방지하기 위한 1.7이상의 굴절률을 갖는 다양한 유기화합물들을 캡핑층으로 적용해 왔으며, 유기 발광 소자의 성능 개선을 위해 외부발광효율을 높이는 고굴절률 및 박막 안정성을 가지는 유기화합물을 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
한국 공개특허 10-2004-0098238
본 발명은 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)에 직접 결합한 구조를 가지는 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있는 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)과 선형적으로 결합되어 있어, 분자간 박막배열이 우수해져서 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하여, 외부양자 효율이 증가하고 수명 개선에 효과적인 캡핑층용 화합물 및 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제 및 추가적 과제에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물을 제공한다.
<화학식1>
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이다.
<화학식1-1>
Figure pat00002
<화학식1-2>
Figure pat00003
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
X는 NR, BR, PR, P(=O)R, P(=S)R, S(=O)=O, 또는 S=O=S이고,
B환은 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,
R, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R끼리, R1끼리, R2끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,
g는 0 내지 4의 정수이고, h는 0 내지 3의 정수이다.
본 발명은 또한, 상기 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기의 해결수단 및 추가적 해결수단에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
본 발명의 일실시예에 따른 캡핑층용 화합물은, 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)에 직접 결합한 구조를 가지는 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어, 유기 발광 소자의 캡핑층에 적용할 경우, 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
또한, 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)과 선형적으로 결합되어 있어, 분자간 박막배열이 우수해져서 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하여, 유기 발광 소자의 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선된다.
상기의 효과 및 추가적 효과에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
도 1은 유기발광소자의 층 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 340nm ~ 460nm의 파장범위에서의 흡수 강도를 측정한 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 용어 "아릴"은 C5-50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미할 수 있으며, "헤테로아릴"은 1 개 이상의 헤테로 원소를 포함하는 C2-50의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘 고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조퓨란 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리 등으로부터 형성되는 헤테로고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.
또한, 화학식에서 Arx(여기서 x는 정수임)는 특별히 정의되지 않는 경우, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미하며, L x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기를 의미하며, R x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 용어 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 니트릴기, 니트로기, 니트로소기, 술파모일기, 이소티오시아네이트기, 티오시아네이트기, 카르복시기, 또는 C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알킬술피닐기, C1~C30의 알킬술포닐기, C1~C30의 알킬술파닐기, C1∼C12 의 플루오로알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C1~C12의 N-알킬아미노기, C2~C20의 N,N-디알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, C1∼C6의 N-알킬술파모일기, C2∼C12의 N,N-디알킬술파모일기, C3~C30의 실릴기, C3~C20의 시클로알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C50의 아릴기 및 C2~C50의 헤테로아릴기 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것을 의미할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자는, 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 구체적으로, 제1전극, 제2전극, 상기 제 1전극과 제 2전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되어 본 발명의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다:
<화학식1>
Figure pat00004
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이다.
<화학식1-1>
Figure pat00005
<화학식1-2>
Figure pat00006
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
X는 NR, BR, PR, P(=O)R, P(=S)R, S(=O)=O, 또는 S=O=S이고,
B환은 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,
R, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R끼리, R1끼리, R2끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,
g는 0 내지 4의 정수이고, h는 0 내지 3의 정수이다.
상기 화학식 1로 표현되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)에 직접 결합한 구조를 가지는 화합물로, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어, 유기 발광 소자의 캡핑층에 적용할 경우, 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다. 또한, 4환 이상이 축합된 헤테로고리 코어가 아릴아민의 아민(N)과 선형적으로 결합되어 있어, 분자간 박막배열이 우수해져서 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성을 향상시킬 수 있고, 높은 Tg 및 높은 Td를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하고 유기 발광 소자를 구동할 때 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하여, 유기 발광 소자의 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선될 수 있다.
본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식2>
Figure pat00007
<화학식 3>
Figure pat00008
<화학식 4>
Figure pat00009
상기 화학식 2 내지 화학식 4에서,
A, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 상기 화학식 1의 R 정의와 동일하고, 다만, 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키며,
l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시킨다.
상기 화학식 2 내지 화학식 3으로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 파라-페닐렌기 연결을 통해 가시광영역의 흡수파장을 최소화하며, 동시에 굴절률 개선에 효과적이다.
상기 화학식 3 내지 화학식4로 표시되는 본 발명의 캡핑층용 화합물은 아릴아민의 질소에 직접 결합되는 4환 이상의 축합된 헤테로고리를 2개 이상 가짐으로써, 더욱 고굴절률을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식5>
Figure pat00010
<화학식6>
Figure pat00011
상기 화학식 5 및 화학식 6에서,
X, B환, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키고,
H는 수소를 의미한다.
상기 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시되는 캡핑층용 화합물은 4환 이상의 축합된 헤테로고리 코어의 선형적 결합위치로 박막배열이 우수하여 고굴절률을 가질 수 있으며, 자외선 영역의 흡수파장 강도를 크게 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 캡핑층용 화합물의 구체적 예시 화합물로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 캡핑층용 화합물을 들 수 있다.
<화학식7>
Figure pat00012
<화학식8>
Figure pat00013
상기 화학식 7 및 화학식 8에서,
X, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키고,
H는 수소를 의미한다.
상기 화학식 7 및 화학식 8로 표시되는 캡핑층용 화합물은 4환 이상의 축합된 헤테로고리 코어의 벌키특성을 최소화하여, 굴절률 개선과 동시에 증착온도를 낮출 수 있어, 화합물의 열적 안정성이 우수하고 안정한 박막형성에 유리하다.
한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 8 중 어느 하나 이상의 화학식에서, X는 각각 독립적으로 NR일 수 있다. 이를 통해 고굴절률을 유지하며, 동시에 분자량을 줄여 증착온도를 낮추는데 효과적일 수 있다.
더 구체적으로, 상기 R 은 페닐기일 수 있다. 이를 통해 벌키 특성을 최소화할 수 있어 더욱 고굴절률을 가질 수 있음과 동시에 높은 Tg를 가져 안정한 박막 형성에 유리하다.
한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 8 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 2환 이하의 축합아릴기 또는 2환 이하의 축합헤테로아릴기일 수 있다. 2환 이하의 축합아릴기는 가시광선 흡수가 최소화되어 색순도 및 소자의 효율을 우수하게 할 수 있으며, 2환 이하의 축합헤테로아릴기는 더 높은 굴절률을 가질 수 있어 소자의 효율 개선에 매우 효과적이다.
구체적으로, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 다이벤조퓨란기, 다이벤조티오펜기, 벤조카바졸, 벤조옥사졸기 및 벤조씨아졸기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 벌키특성이 최소화된 축합고리기를 가짐으로써 분자간 박막배열이 우수하여 고굴절률을 가질 수 있으며, 동시에 자외선 영역의 흡수강도를 증대할 수 있다.
더 구체적으로는 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸기, 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 벤조카바졸, 벤조옥사졸기 및 벤조씨아졸기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이를 통해 고굴절률을 가지며, 청색영역의 흡수를 최소화할 수 있고, 동시에 증착온도를 낮출 수 있어, 열적 안정성이 우수해지고 안정한 박막을 형성하는 데 유리할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 8 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 파라-페닐렌 또는 파라-비페닐렌일 수 있다. 이와 같이 Ar1 및 Ar2가 직접결합이 아닌 파라-페닐렌 또는 파라-비페닐렌에 의해 질소에 결합될 경우, 가시광 영역의 흡수를 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 굴절률 및 자외선 영역의 흡수 강도를 동시에 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 8 중 어느 하나 이상의 화학식에서, 상기 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 중 하나 이상은 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-21 중에서 선택될 수 있다.
Figure pat00014
Figure pat00015
상기 화학 구조식 A-1 내지 A-21에서,
q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, R5는 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 메톡시기, 메틸설파닐기, 트리메틸실릴기, 또는 불소이며, *은 상기 화학식 1의 N에 결합되는 결합위치이다.
상기와 같이 본 발명의 캡핑층용 화합물은 화학 구조식 A-1 내지 A-21 중 어느 하나 이상의 구조를 가짐으로써, 고굴절, 분자간 박막배열의 안정성, 자외선 영역의 흡수강도 증대, 청색영역의 흡수 최소화를 우수하게 구현할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 8 중 어느 하나 이상의 화학식으로 표시되는 캡핑층용 화합물은 20nm ~100nm 두께 범위에서 굴절률을 측정하였을 때, 450nm파장에서의 굴절률이 2.30 이상, 구체적으로 2.35 이상의 높은 굴절률을 가질 수 있으며, 380nm 파장에서의 자외선 흡수강도가 0.7 이상, 구체적으로 0.8 이상일 수 있다.
한편, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 캡핑층용 화합물일 수 있다. 하기의 화합물들은 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00016
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Figure pat00052
상기 본 발명의 캡핑층용 화합물의 일 실시예는 아미노화 반응에 의해 합성될 수 있으며, 개략적인 합성 반응식은 아래와 같다.
Figure pat00053
본 발명은 또 다른 일 실시예로서, 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 캡핑층은 전술한 캡핑층용 화합물을 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
다음, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층, 및 캡핑층을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극의 외측에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 전극 또는 제2 전극의 양측면 중 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 유기물층이 인접한 측을 내측이라고 하고, 유기물층과 인접하지 않은 측을 외측이라 한다. 즉, 제1 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제1 전극이 개재되고, 제2 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제2 전극이 개재된다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극의 내측에 1층 이상의 다양한 유기물층이 개재될 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 캡핑층이 형성될 수 있다. 즉, 캡핑층은 제1 전극의 외측과 제2 전극의 외측에 모두 형성되거나, 제1 전극의 외측 또는 제2 전극의 외측에만 형성될 수 있다.
이때, 상기 캡핑층은 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 포함할 수 있으며, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 단독으로 포함하거나, 2종 이상 포함하거나 또는 공지의 화합물을 함께 포함할 수 있다.
상기 캡핑층의 두께는 100 내지 2000 Å 값을 가질 수 있다.
또한, 상기 캡핑층은 450nm 파장에서의 굴절률이 2.30 이상, 구체적으로 2.35 이상의 높은 굴절률을 가질 수 있으며, 380nm 파장에서의 자외선 흡수강도가 0.7 이상, 구체적으로 0.8 이상일 수 있다.
한편, 상기 유기물층으로는 일반적으로 발광부를 구성하는 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 포함될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(애노드, anode)과 제2 전극(캐소드, cathode)의 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 발광부를 구성하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다.
도 1과 같이, 유기 발광 소자는 아래에서부터 기판(100), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
여기서, 상기 기판(100)은 유기 발광 소자에서 일반적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 정공주입전극으로 사용된다. 제1 전극(1000)은 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 사용하여 제조되며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 정공주입층(200)은 상기 제1 전극(1000)의 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층(200)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층(200)의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 정공주입층(200)의 표면에는 전하발생층을 필요에 따라 추가로 증착할 수 있다. 전하발생층 물질로는 통상의 물질을 사용할 수 있으며, HATCN을 예로 들 수 있다.
또한, 상기 정공수송층(300)은 정공주입층(200)의 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층(300)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 정공수송층(300)은 공지의 화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 도 1에 도시되어 있지 않지만, 정공수송층(300)의 상부에 발광보조층을 추가로 형성할 수 있다.
이와 더불어, 상기 발광층(400)은 정공수송층(300) 또는 발광보조층의 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층(400)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.
여기서, 발광층 재료에 인광 도펀트를 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(500)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 발광층(400)의 상부에 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법을 통해 적층시킬 수 있다. 사용할 수 있는 정공억제재료는 특별히 제한되지는 않으며, 공지의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광층(400)은 1층 이상 또는 2층 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 전자수송층(500)은 발광층(400)의 상부에 형성되며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(500)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
나아가, 상기 전자주입층(600)은 상기 전자수송층(500)의 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 제2 전극(2000)은 전자주입전극으로 사용되며, 상기 전자주입층(600)의 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(2000)의 재료로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은, 마그네슘 등의 물질이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자는 앞서 설명한 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)을 포함하는 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기 발광 소자가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 추가로 포함하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 20 내지 150 ㎚일 수 있다.
상기 캡핑층(3000)은 도 1과 같이 상기 제1 전극(1000)의 양측면 중 정공주입층(200)이 형성되지 않은 외측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(2000)의 양측면 중 전자주입층(600)이 형성되지 않은 외측면에도 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 캡핑층(3000)은 증착공정으로 형성될 수 있으며, 캡핑층(3000)의 두께는 100 내지 2,000 Å 이며, 더욱 구체적으로는 300 내지 1,000Å 일 수 있다. 이와 같은 두께 조절을 통해 캡핑층(3000)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 1에 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡핑층(3000)과 제1 전극(1000)의 사이 또는 캡핑층(3000)과 제2 전극(2000)의 사이에 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있다. 또는, 캡핑층(3000)의 상부(외측 표면)에도 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 화합물의 합성예 및 유기 발광 소자 실시예를 통하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 하기 합성예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 예시에 한정되는 것은 아니다.
합성예 1: 화합물 14의 합성
Figure pat00054
둥근바닥플라스크에 3-bromo-5-phenyl-5H-benzo[b]carbazole 3.0g, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 3.4g, t-BuONa 1.2g, Pd2(dba)3 0.3g, (t-Bu)3P 0.3ml를 톨루엔 110ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC(Methylene chloride)로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 화합물 14를 4.0g (수율 70%) 얻었다.
m/z: 712.29 (100.0%), 713.29 (58.8%), 714.29 (17.2%), 715.30 (3.2%)
합성예 2: 화합물 16의 합성
Figure pat00055
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 4'-(naphthalen-2-yl)-N-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 사용하여 화합물 16을 합성하였다. (수율67%)
m/z: 788.32 (100.0%), 789.32 (65.6%), 790.33 (21.0%), 791.33 (4.4%)
합성예 3: 화합물 56의 합성
Figure pat00056
둥근바닥플라스크에 3-bromo-5-phenyl-5H-benzo[b]carbazole 2.0g, 4-(naphthalen-2-yl)aniline 0.6g, t-BuONa 0.8g, Pd2(dba)3 0.2g, (t-Bu)3P 0.1ml를 톨루엔 100ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC(Methylene chloride)로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 화합물 56 2.8g (수율 65%)을 얻었다.
m/z: 801.31 (100.0%), 802.32 (65.3%), 803.32 (21.0%), 804.32 (4.6%), 802.31 (1.1%)
합성예 4: 화합물 98의 합성
Figure pat00057
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, 3-bromo-5-phenyl-5H-benzo[b]carbazole 대신 9-bromo-7-phenyl-7H-benzo[c]carbazole을 사용하여 화합물 98을 합성하였다. (수율63%)
m/z: 712.29 (100.0%), 713.29 (58.8%), 714.29 (17.2%), 715.30 (3.2%)
합성예 5: 화합물 146의 합성
Figure pat00058
합성예 1과 같은 방법으로 3-bromo-5-phenyl-5H-benzo[b]carbazole 대신 9-bromo-11-phenyl-11H-benzo[a]carbazole을 사용하여 화합물 146을 합성하였다. (수율60%)
m/z: 712.29 (100.0%), 713.29 (58.8%), 714.29 (17.2%), 715.30 (3.2%)
합성예 6: 화합물 10의 합성
Figure pat00059
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 N-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)naphthalen-2-amine을 사용하여 화합물 10을 합성하였다. (수율60%)
m/z: 636.2565 (100.0%), 637.2599 (51.9%), 638.2633 (13.2%), 639.2666 (2.2%)
합성예 7: 화합물 34의 합성
Figure pat00060
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 34를 합성하였다. (수율63%)
m/z: 714.2783 (100.0%), 715.2817 (56.2%), 716.2851 (15.5%), 717.2884 (2.8%), 715.2754 (1.5%)
합성예 8: 화합물 40의 합성
Figure pat00061
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzo[b]thiophen-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 40을 합성하였다. (수율66%)
m/z: 724.2007 (100.0%), 725.2040 (54.1%), 726.2074 (14.3%), 726.1965 (9.0%), 727.1998 (4.9%), 727.2108 (2.5%), 725.2001 (1.6%), 728.2032 (1.3%)
합성예 9: 화합물 42의 합성
Figure pat00062
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 42를 합성하였다. (수율62%)
m/z: 694.2369 (100.0%), 695.2402 (51.9%), 696.2436 (13.2%), 697.2469 (2.2%), 695.2339 (1.5%)
합성예 10: 화합물 47의 합성
Figure pat00063
합성예 1과 같은 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(imidazo[1,2-a]pyridin-2-yl)phenyl)amine을 사용하여 화합물 47을 합성하였다. (수율61%)
m/z: 692.2688 (100.0%), 693.2722 (51.9%), 694.2756 (13.2%), 693.2659 (2.2%), 695.2789 (2.2%), 694.2692 (1.2%)
유기 발광 소자의 제조
도 1은 일반적인 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명은 예시로서, 도 1에 나타낸 유기 발광 소자의 구조를 갖되 정공주입층(200)과 정공수송층(300) 사이에 전하발생층(미도시) 및 전자수송층(500)과 음극(2000) 사이에 전자주입층(미도시)을 추가적으로 도입하였다. 구체적으로, 제조된 유기 발광 소자는 아래로부터 양극(정공주입전극(1000)) / 정공주입층(200) / 전하발생층(미도시) / 정공수송층(300) / 발광층(400) / 전자수송층(500) / 전자주입층(600) / 음극(전자주입전극(2000)) / 캡핑층(3000) 순으로 적층되어 있다.
유기 발광 소자 제작 시, 기판(10)은 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
정공주입전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 양극으로 사용된다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(grapheme)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
정공주입층(200), 전하발생층, 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600)에는 하기 표 1에 정리된 물질들을 사용하였다.
또한, 전자주입층(600) 위에 전자 주입을 위한 음극(2000)을 형성하였다. 음극으로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은 등의 물질이 있다.
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
실시예 1
은(Ag)을 포함하는 반사층이 형성된 인듐틴옥사이드(ITO) 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이후 ITO 기판 상부에 정공주입층으로서 HI01 600Å 및 전하발생층으로 HATCN 50 Å 를 각각 제막하고, 정공수송층으로 HT01 500 Å 를 제막한 후, 호스트 BH01에 도판트 BD01를 3 중량%로 도핑하여 발광층을 250 Å 두께로 제막하였다. 그런 다음, ET01 및 Liq (1:1, wt./wt.)의 혼합물로 전자수송층을 300 Å 의 두께로 제막하고, LiF를 10 Å 로 증착하여 전자주입층을 형성한 후 MgAg을 15 nm으로 증착하여 음극을 형성하였다. 상기 음극 상에 캡핑층으로 합성예 1에서 제조된 화합물을 600 Å 두께로 증착시켰다. 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예 6
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제작하되, 각각 합성예 2 내지 합성예 6에서 제조된 화합물을 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1 내지 비교예 4
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제작하되, 하기 표 2에 표시된 비교화합물 1 내지 비교화합물 4를 각각 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
< 실험예 1> 유기 발광 소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 1 내지 실시예 6 및 비교예 1 내지 비교예 4의 유기발광소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
Op. V mA/cm2 Cd/A CIEx CIEy LT97
실시예1 3.45 10 7.67 0.143 0.044 171
실시예2 3.45 10 7.75 0.144 0.043 177
실시예3 3.45 10 7.81 0.144 0.043 186
실시예4 3.46 10 7.40 0.142 0.046 153
실시예5 3.46 10 7.52 0.142 0.046 160
실시예6 3.46 10 7.36 0.142 0.047 150
비교예1 3.47 10 6.73 0.138 0.053 92
비교예2 3.48 10 6.05 0.136 0.068 66
비교예3 3.47 10 6.80 0.138 0.053 100
비교예4 3.46 10 7.01 0.139 0.051 120
표 3의 결과에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 실시예들은, 비교예 1과 비교시 벤조카바졸이 하나의 아민과 직접결합하여 벌키 특성을 최소화하고, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지하여 고색순도를 가지며, 비교예 2와 비교시 벤조카바졸 코어가 선형으로 축합되어 있어 분극률을 높여 굴절률 개선에 효과적이며, 비교예 3과 비교시 벤조카바졸 코어와 아릴아민의 아민이 선형으로 결합하고 있어 분자간 박막배열이 우수하므로 굴절률이 더욱 개선되고 안정한 박막을 형성할 수 있으며, 작은 분자량으로도 고 굴절률을 가지므로 고색순도, 고효율, 장수명 유기발광 소자 구현이 가능하다. 또한, 본 발명의 실시예들은 비교예 4와 비교하여, 벤조카바졸 코어에 아민을 직접 연결함으로써 더욱 높은 굴절률을 가지면서 동시에 자외선 영역의 흡수파장을 증가시키므로 유기 발광 소자의 효율 및 수명개선에 더욱 효과적이다.
< 실험예 2> 굴절률의 평가
화합물 14, 화합물 16 및 화합물 56과 비교화합물 1 내지 비교화합물 4를 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 450 nm 파장에서의 굴절률을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 4에 정리된 바와 같다.
@450nm 비교화합물1 비교화합물 2 비교화합물 3 비교화합물 4 화합물14 화합물16 화합물56
굴절률, n 2.05 1.88 2.07 2.15 2.35 2.39 2.41
상기 표 4에 기재된 바와 같이, 화합물 14, 화합물 16 및 화합물 56은 2.30 이상, 구체적으로 2.35이상의 높은 굴절률을 나타냄을 확인할 수 있다.
< 실험예 3> 자외선 영역에서의 흡수 강도 평가
자외선 영역에서 화합물 14, 화합물 16 및 화합물 56과 비교화합물 1 및 비교화합물 4를 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 340 nm ~ 460 nm의 파장범위 내의 흡수 강도를 측정하고 그 결과를 도 2에 도시하였다. 자외선 흡수영역 380 nm 파장 기준에서 화합물 14, 화합물 16 및 화합물 56의 흡수 강도는 0.7 이상, 보다 구체적으로는 0.8 이상으로 비교화합물 4보다 40% 이상, 구체적으로 60% 이상 흡수 강도의 상승을 확인할 수 있다.
100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극
2000: 제2 전극
3000: 캡핑층

Claims (16)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식1>
    Figure pat00075

    (상기 화학식 1에서,
    A는 하기 화학식1-1 또는 화학식1-2이고,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이다):
    <화학식1-1>
    Figure pat00076

    <화학식1-2>
    Figure pat00077

    (상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
    X는 NR, BR, PR, P(=O)R, P(=S)R, S(=O)=O, 또는 S=O=S이고,
    B환은 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴렌기이고,
    R, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 하이드록시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C0~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, 인접한 복수의 R끼리, R1끼리, R2끼리 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,
    g는 0 내지 4의 정수이고, h는 0 내지 3의 정수이다.).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식2>
    Figure pat00078


    <화학식 3>
    Figure pat00079


    <화학식 4>
    Figure pat00080

    (상기 화학식 2 내지 화학식 4에서,
    A, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 상기 화학식 1의 R 정의와 동일하고, 다만, 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키며,
    l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시킨다).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식5>
    Figure pat00081

    <화학식6>
    Figure pat00082


    (상기 화학식 5 및 화학식 6에서,
    X, B환, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
    l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키고,
    H는 수소를 의미한다).
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 캡핑층용 화합물:

    <화학식7>
    Figure pat00083

    <화학식8>
    Figure pat00084


    (상기 화학식 7 및 화학식 8에서,
    X, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하며,
    l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이되, 상기 화학식 1의 L1 및 L2의 탄소수 정의를 만족시키고,
    H는 수소를 의미한다).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X는 각각 독립적으로 NR인 캡핑층용 화합물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 R은 페닐기인 캡핑층용 화합물.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 2환 이하의 축합아릴기 또는 2환 이하의 축합헤테로아릴기인 캡핑층용 화합물.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 다이벤조퓨란기, 다이벤조티오펜기, 벤조카바졸, 벤조옥사졸기 및 벤조씨아졸기로 이루어진 군에서 선택되는 캡핑층용 화합물.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸기, 퀴놀린기, 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 벤조카바졸, 벤조옥사졸기 및 벤조씨아졸기로 이루어진 군에서 선택되는 캡핑층용 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 파라-페닐렌 또는 파라-비페닐렌인 캡핑층용 화합물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2 중 하나 이상은 하기 화학 구조식 A-1 내지 A-21 중에서 선택되는 캡핑층용 화합물:
    Figure pat00085

    Figure pat00086

    (상기 화학 구조식 A-1 내지 A-21에서,
    q는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, R5는 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 메톡시기, 메틸설파닐기, 트리메틸실릴기, 또는 불소이며, *은 상기 화학식 1의 N에 결합되는 결합위치이다).
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 캡핑층용 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 캡핑층용 화합물:


    Figure pat00087

    Figure pat00088

    Figure pat00089

    Figure pat00090

    Figure pat00091

    Figure pat00092

    Figure pat00093

    Figure pat00094

    Figure pat00095

    Figure pat00096

    Figure pat00097

    Figure pat00098

    Figure pat00099

    Figure pat00100

    Figure pat00101

    Figure pat00102

    Figure pat00103

    Figure pat00104

    Figure pat00105

    Figure pat00106

    Figure pat00107

    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113

    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116

    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123

  13. 제1항의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 제1전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 더 포함하며,
    상기 캡핑층은 상기 제1전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되는 유기 발광 소자.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 캡핑층의 두께는 100 내지 2000 Å인 유기 발광 소자.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 캡핑층용 화합물은 450nm에서 굴절률이 2.30 이상인 유기 발광 소자.
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