KR20220035857A - 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 183
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 15
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 4
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 4
- 125000004618 benzofuryl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 45
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 8
- -1 renyl Chemical group 0.000 description 8
- CNLVYZSUMYQALH-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC=CC=2)O1 CNLVYZSUMYQALH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- XASOHFCUIQARJT-UHFFFAOYSA-N 8-methoxy-6-[7-(2-morpholin-4-ylethoxy)imidazo[1,2-a]pyridin-3-yl]-2-(2,2,2-trifluoroethyl)-3,4-dihydroisoquinolin-1-one Chemical compound C(N1C(=O)C2=C(OC)C=C(C=3N4C(=NC=3)C=C(C=C4)OCCN3CCOCC3)C=C2CC1)C(F)(F)F XASOHFCUIQARJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNKYZLVAYQLGIE-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-2-yl-n-(4-naphthalen-2-ylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=CC=C(C=C3)NC=3C=CC(=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 YNKYZLVAYQLGIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XDCVPWPJOJXNNV-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC=CC=2)S1 XDCVPWPJOJXNNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UDDATXIGLCWITG-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-2-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 UDDATXIGLCWITG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical group C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXQKFCLNHBQPDU-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-benzoxazol-2-yl)-N-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]aniline Chemical compound N(c1ccc(cc1)-c1nc2ccccc2o1)c1ccc(cc1)-c1nc2ccccc2o1 UXQKFCLNHBQPDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKHQTERYZLGPGV-UHFFFAOYSA-N 4-(1-benzothiophen-2-yl)-n-[4-(1-benzothiophen-2-yl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=C(C=C3)NC=3C=CC(=CC=3)C=3SC4=CC=CC=C4C=3)=CC2=C1 MKHQTERYZLGPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGKIQYHQVXKBOH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-bromophenyl)-2-phenyl-1,3-oxazole Chemical compound BrC1=CC=C(C=C1)C=1N=C(OC=1)C1=CC=CC=C1 KGKIQYHQVXKBOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGBQIUIUFJKOKW-UHFFFAOYSA-N 4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC=CC=2)O1 ZGBQIUIUFJKOKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMYVEXGSBPBJHS-UHFFFAOYSA-N 5-(4-bromophenyl)-3-phenyl-1,2,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NO1 CMYVEXGSBPBJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical group C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 125000004644 alkyl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001977 isobenzofuranyl group Chemical group C=1(OC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N isothiocyanate group Chemical group [N-]=C=S ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000004934 phenanthridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC=C3C=CC=CC3=C12)* 0.000 description 1
- 125000004625 phenanthrolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12)* 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical group O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M thiocyanate group Chemical group [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- H01L51/0061—
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- H01L51/007—
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- H01L51/0073—
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- H01L51/5253—
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다:
<화학식 1>
<화학식 1>
Description
본 발명은 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
또한, 상기 발광 재료는 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기 상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기 상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성한다.
이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 유기 발광 소자의 효율은 통상적으로 내부발광효율과 외부발광효율로 나눌 수 있다. 내부발광효율은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등과 같이 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련 있으며, 이론적으로 형광의 경우 25%, 인광의 경우 100%로 알려져 있다.
한편, 외부발광효율은 유기층에서 생성된 광이 유기 발광 소자 외부로 추출되는 효율을 나타내며, 통상적으로 내부발광효율의 약 20% 정도로 외부로 추출되는 것으로 알려져 있다. 이 광추출을 높이기 위한 방법으로 외부로 나가는 빛이 전반사되어 손실되는 것을 방지하기 위해 1.7이상의 굴절률을 갖는 다양한 유기화합물들을 캡핑층으로 적용해 왔으며, 유기 발광 소자의 성능 개선을 위해 외부발광효율을 높이는 고굴절률 및 박막 안정성을 가지는 유기화합물을 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
이에, 본 발명의 목적은 가시광 영역을 흡수할 수 없는 넓은 밴드갭 확보 및 고 굴절률 유지와 동시에 자외선 영역의 흡수파장 증대로 고색순도, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 분자의 분극율을 높여, 분자간 박막배열을 향상시킴으로써 굴절률이 개선되고 외부 공기 및/또는 수분으로부터 안정성이 개선되며, 높은 유리전이온도(Tg)와 및 분해온도(Td)로 분자간 재결정화를 방지하면서 소자의 구동 시 발생하는 열로부터 박막을 안정적으로 유지하여 외부양자 효율 및 수명개선이 보다 향상된 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.
상기의 과제 및 추가적 과제에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 일실시예로서, 하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물을 제공한다:
<화학식 1>
상기 화학식 1에서,
X1 내지 X5는 각각 독립적으로 O, S, C, CR, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR', 또는 GeRR'이되, 이 중 2개 이상이 각각 O, S, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR', 또는 GeRR'이고;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며;
R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C3~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이고, R과 R'은 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이다.
또한, 본 발명은 일실시예로서,
상술된 캡핑층용 화합물을 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 특정 5원환을 포함하는 아민기를 모핵으로 포함하는 화합물로서, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지하므로 높은 색순도를 나타낼 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 특정 5원환과 아민기에 결합된 아릴기 또는 헤테로아릴기 등의 치환기 확장을 통해 고굴절률을 유지함과 동시에 자외선 영역의 흡수파장을 증대시킬 수 있으므로 유기 발광 소자의 외부양자효율이 증가하고, 자외선에 대한 안정성이 향상되는 효과가 뛰어나다.
특히, 벌키 특성이 최소화된 5원환을 포함하고, 아민기에 추가로 결합된 아릴기 또는 헤테로아릴기 등의 치환기 확장으로 분자간 박막 배열이 우수하므로, 굴절률 개선 효과를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 외부 공기 및/또는 수분으로부터의 안정성이 현저히 개선되며, 높은 유리전이온도(Tg)와 분해온도(Td)를 가지므로 분자간 재결정화를 방지하는 한편 소자의 구동 시 발생하는 열로부터 안정적으로 박막을 유지할 수 있다.
상기의 효과 및 추가적 효과에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 보여주는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물 88 및 142와 비교화합물1(Ref. 1) 및 비교화합물 2(Ref.2)에 대한 340 nm ~ 460 nm 범위 내에서의 흡수 강도를 측정한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물 88 및 142와 비교화합물1(Ref. 1) 및 비교화합물 2(Ref.2)에 대한 340 nm ~ 460 nm 범위 내에서의 흡수 강도를 측정한 그래프이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 용어 "아릴"은 C5-50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미할 수 있으며, "헤테로아릴"은 1 개 이상의 헤테로 원소를 포함하는 C2-50의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조퓨란 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리 등으로부터 형성되는 헤테로고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.
또한, 화학식에서 Arx(여기서 x는 정수임)는 특별히 정의되지 않는 경우, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미하며, L x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기를 의미하며, R x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 용어 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 니트릴기, 니트로기, 니트로소기, 술파모일기, 이소티오시아네이트기, 티오시아네이트기, 카르복시기, 또는 C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알킬술피닐기, C1~C30의 알킬술포닐기, C1~C30의 알킬술파닐기, C1∼C12 의 플루오로알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C1~C12의 N-알킬아미노기, C2~C20의 N,N-디알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, C1∼C6의 N-알킬술파모일기, C2∼C12의 N,N-디알킬술파모일기, C3~C30의 실릴기, C3~C20의 시클로알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C50의 아릴기 및 C2~C50의 헤테로아릴기 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것을 의미할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다:
<화학식 1>
상기 화학식 1에서,
X1 내지 X5는 각각 독립적으로 O, S, C, CR, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR', 또는 GeRR'이되, 이 중 2개 이상이 각각 O, S, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR', 또는 GeRR'이고;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며;
R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C3~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이고, R과 R'은 서로 결합하여 환을 형성하거나 환을 형성하지 않을 수 있으며,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이다.
구체적으로 상기 화학식1에서, X1 내지 X5 중 어느 하나 이상은 C 또는 N일 수 있으며, 이 경우, 상기 C 또는 N은 연결기 (L)와 결합할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물은 2개 이상의 헤테로원자를 포함하거나 또는 1개의 헤테로원자와 CRR'을 포함하는, 특정 5원환이 결합된 아민기를 모핵 구조로 포함하는 화합물로서, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지하므로 높은 색순도를 나타낼 수 있다. 또한, 고굴절률을 유지함과 동시에 자외선 영역의 흡수파장을 증대시킬 수 있으므로, 유기 발광 소자의 외부 양자 효율이 증가하고, 자외선에 대한 안정성이 향상되는 효과가 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표현될 수 있다:
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
X1 내지 X5, Ar2, L, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고(단, L1과 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수 및 L2와 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
상기 X1끼리, X2끼리, X3끼리, X4끼리 또는 X5끼리는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표현되는 캡핑층용 화합물은 Ar1 및 Ar2 중 하나 이상이 특정 5원환인 경우로서, 이 경우, 적은 분자량으로도 높은 굴절률을 부여할 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 2로 표현되는 캡핑층용 화합물은 특정 5원환을 2개 이상 포함하는 구조로서, 2개의 특정 5원환과 함께, 특정 5원환과 상이한 구조의 Ar2를 분자 내에 포함하여 보다 높은 굴절률을 구현하는데 용이한 이점이 있다.
아울러, 상기 화학식 3으로 표현되는 캡핑층용 화합물은 특정 5원환을 3개 이상 포함하는 구조로서, 특정 5원환 3개가 아민기를 중심으로 방사형으로 치환된 구조를 가짐으로써 자외선 영역에서의 광 흡수 강도를 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표현될 수 있다:
<화학식 4>
상기 화학식 4에서,
X1 내지 X5, Ar1, Ar2, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
R"는 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기이고,
m은 0 내지 4의 정수이며,
l은 1 내지 5의 정수이고, 구체적으로 1 또는 2이며, 보다 구체적으로는 1일 수 있다.
상기 화학식 4로 표현되는 캡핑층용 화합물은 화학식 1과 비교하여 특정 5원환과 아민기를 연결하는 연결기 (L)가 치환 또는 비치환된 페닐렌기를 하나 이상 포함하는 화합물로서, 굴절률 개선에 효과적이다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 5 내지 화학식 7중 어느 하나로 표현될 수 있다:
<화학식 5>
<화학식 6>
<화학식 7>
상기 화학식 5 내지 화학식 7에서,
X1 내지 X5, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고(단, L1과 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수 및 L2와 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이며;
R"는 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C6의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C20의 아릴기이고,
l은 1 내지 3의 정수이다.
상기 X1끼리, X2끼리, X3끼리, X4끼리 또는 X5끼리는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 5 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물은 아민기를 중심으로 특정 5원환을 1개 이상 포함하고, 아민기와 특정 5원환 사이의 연결기 즉, 화학식 1의 연결기 (L)가 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 구조를 가짐으로써, 굴절률을 향상시킬 수 있고, 동시에 자외선 영역의 흡수 파장 강도를 증대시킬 수 있으므로 외부 자외선 노출 시 안정성이 개선될 수 있다.
구체적으로 상기 화학식 5로 표현되는 캡핑층용 화합물은 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 연결기에 의해 아민기에 결합된 특정 5원환을 1개 포함하는 구조이고, 화학식 6은 화학식 5에서 Ar1이 특정 5원환으로 치환되어 특정 5원환을 2개 포함하는 구조이며, 화학식 7은 화학식 5에서 Ar1 및 Ar2가 특정 5원환으로 치환되어 특정 5원환을 3개 포함하는 구조이다. 화학식 6 또는 화학식 7과 같이, Ar1 및/또는 Ar2가 특정 5원환으로 치환된 경우, 적은 분자량으로도 높은 굴절률을 구현할 수 있는 이점이 있다.
보다 더 구체적으로, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나로 표현될 수 있다:
<화학식 5-1>
<화학식 6-1>
<화학식 7-1>
상기 화학식 5-1 내지 화학식 7-1에 있어서,
X1 내지 X5는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고(단, 화학식 6-1 및 화학식 7-1에서 추가된 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이며;
R"는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C6의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C20의 아릴기이고,
l은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
상기 X1끼리, X2끼리, X3끼리, X4끼리 또는 X5끼리는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물은 아민기를 중심으로 특정 5원환을 1개 이상 포함하고, 아민기를 중심으로 특정 5원환, Ar1 및 Ar2가 모두 치환 또는 비치환된 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 연결기에 의해 결합되는 구조를 가짐으로써, 더욱 고굴절률을 가지며, 가시광 영역의 흡수를 최소화하는 효과를 갖는다.
구체적으로, 상기 화학식 5-1로 표현되는 캡핑층용 화합물은 특정 5원환, Ar1 및 Ar2가 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 연결기에 의해 각각 아민에 결합된 구조이고, 화학식 6-1은 특정 5원환 2개 및 Ar2가 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 연결기에 의해 각각 아민에 결합된 구조이며, 화학식 7-1은 특정 5원환 3개가 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 하나 이상 포함하는 연결기에 의해 각각 아민에 결합된 구조이다. 상기 화학식 6-1 또는 화학식 7-1과 같이, Ar1 및/또는 Ar2가 특정 5원환으로 치환된 경우, 적은 분자량으로도 높은 굴절률을 구현할 수 있는 이점이 있다.
한편, 상기 화학식 1 내지 화학식 7과 화학식 5-1 내지 7-1 중 어느 하나에 있어서,
특정 5원환인 는 하기 구조 A-1 내지 A-32로 표현되는 구조 중 어느 하나일 수 있으며, 구체적으로는 A-1 내지 A-11 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 고굴절률을 유지하면서, 증착 온도를 개선하는데 효과적일 수 있다:
상기 구조 A-1 내지 A-32에 있어서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기이며,
*은 결합되는 위치이다.
구체적으로, 상기 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있으며, 이 경우, 특정 5원환의 벌키 특성을 최소화할 수 있으므로, 캡핑층용 화합물의 굴절률을 개선하는 효과를 보다 증대시킬 수 있다.
하나의 예로서, A-1 내지 A-11에서, 상기 R1은 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다. 특히 이 경우 굴절률을 더욱 높이고, 자외선 영역에서의 흡수강도 개선에 더욱 효과적이다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7과 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나에 있어서, 라는 특정 5원환 구조를 가져 화합물의 벌키 특성이 최소화될 수 있으며, 특정 5원환 내에 최소 2개 이상의 헤테로원자를 포함하거나, 또는 최소 1개의 헤테로원자와 1개의 CRR'을 포함하여, 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지하므로, 높은 색순도를 나타낼 수 있다. 구체적으로, 는 2개 이상의 헤테로원자, 보다 구체적으로는 1개 또는 2개 이상의 N을 함유함으로써, 화합물의 분극율을 보다 증가시켜 굴절률을 향상시킬 수 있고, 동시에 자외선 영역의 광을 흡수하는 강도를 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 6과 화학식 5-1 내지 화학식 6-1 중 어느 하나에 있어서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 피리딜기, 벤조퓨릴기, 벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 퀴놀리닐기, 다이벤조퓨릴기, 다이벤조티오페닐기 또는 벤조옥사졸릴기일 수 있다.
구체적으로, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸기, 벤조퓨릴기, 벤조티오페닐기, 또는 벤조옥사졸릴기일 수 있다.
상기 Ar1 및 Ar2가 상기와 같은 구조를 가질 경우, 치환기 벌키 특성이 최소화될 수 있으므로, 분자간 박막 배열이 우수하고, 고굴절률을 구현할 수 있으며, 자외선 영역의 흡수를 증대시킬 수 있다.
아울러, 상기 화학식 1 내지 화학식 7과 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나에 있어서, L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로는 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 포함하는 구조를 포함할 수 있다.
L, L1 및 L2가 상기와 같은 구조를 가질 경우 모핵인 아민기와 인접한 연결기의 벌키 특성이 최소화되어 화합물의 굴절률을 개선하는데 효과적인 이점이 있다.
하나의 예로서, 상기 화학식 1 내지 화학식 7과 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나에 있어서, *-L1-Ar1 및 *-L2-Ar2는 각각 독립적으로 하기 구조 B-1 내지 B-30으로 표현되는 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다:
상기 구조 B-1 내지 B-30에 있어서,
X6 및 X7은 각각 독립적으로 CH 또는 N이되, 이들 중 하나 이상은 N이고,
X8 내지 X11은 각각 독립적으로 CH, CR4, CR4R5, N, NR4, O 또는 S이되, 이들 중 하나 이상은 O, S 또는 N이며,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 설파이드기, 또는 치환 또는 비치환된 C1~C10의 아릴기이다.
구체적으로 *-L1-Ar1 및 *-L2-Ar2 중 하나 이상은 B-5, B-17, B-18, B-19, B-21, B-22, B-25 또는 B-26일 수 있으며, 이러한 치환기를 가질 경우, 가시광선 영역의 흡수를 최소화하고, 적은 분자량으로 고굴절률을 유지할 수 있는 효과가 있다. 하나의 예로서, *-L1-Ar1 및 *-L2-Ar2 중 하나 이상은 B-5및 B-6과 같이 나프틸기를 포함할 수 있다.
아래의 화합물들은 본 발명에 따른 화합물의 구체적인 예들이다. 하기의 예들은 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
.
상기 본 발명의 캡핑층용 화합물의 일 실시예는 아미노화 반응에 의해 합성될 수 있으며, 개략적인 합성 반응식은 아래와 같다.
본 발명은 다른 실시예에서, 전술된 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 캡핑층에 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
이하에서, 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 포함하여 구성될 수 있으며, 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극의 외측에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 전극 또는 제2 전극의 양측면 중 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 유기물층이 인접한 측을 내측이라고 하고, 유기물층과 인접하지 않은 측을 외측이라 한다. 즉, 제1 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제1 전극이 개재되고, 제2 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제2 전극이 개재된다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극의 내측에 1층 이상의 다양한 유기물층이 개재될 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 캡핑층이 형성될 수 있다. 즉, 캡핑층은 제1 전극의 외측과 제2 전극의 외측에 모두 형성되거나, 제1 전극의 외측 또는 제2 전극의 외측에만 형성될 수 있다.
이때, 상기 캡핑층은 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 포함할 수 있으며, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 단독으로 포함하거나, 2종 이상 포함하거나 또는 공지의 화합물을 함께 포함할 수 있다.
나아가, 상기 캡핑층은 450nm에서의 굴절률이 2.20 이상, 구체적으로 2.25 이상, 더욱 구체적으로 2.30 이상일 수 있으며, 380nm에서의 자외선 흡수강도가 0.7 이상, 구체적으로 0.8 이상 또는 0.9 이상일 수 있다.
한편, 상기 유기물층으로는 일반적으로 발광부를 구성하는 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 포함될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.
보다 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(애노드, anode)과 제2 전극(캐소드, cathode)의 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 발광부를 구성하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다.
도 1과 같이, 유기 발광 소자는 아래에서부터 기판(100), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
여기서, 상기 기판(100)은 유기 발광 소자에서 일반적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 정공주입전극으로 사용된다. 제1 전극(1000)은 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 사용하여 제조되며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 정공주입층(200)은 상기 제1 전극(1000)의 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층(200)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층(200)의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 정공주입층(200)의 표면에는 전하발생층을 필요에 따라 추가로 증착할 수 있다. 전하발생층 물질로는 통상의 물질을 사용할 수 있으며, HATCN을 예로 들 수 있다.
또한, 상기 정공수송층(300)은 정공주입층(200)의 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층(300)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 정공수송층(300)은 공지의 화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 도 1에 도시되어 있지 않지만, 정공수송층(300)의 상부에 발광보조층을 추가로 형성할 수 있다.
이와 더불어, 상기 발광층(400)은 정공수송층(300) 또는 발광보조층의 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층(400)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.
여기서, 발광층 재료에 인광 도펀트를 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(500)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 발광층(400)의 상부에 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법을 통해 적층시킬 수 있다. 사용할 수 있는 정공억제재료는 특별히 제한되지는 않으며, 공지의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광층(400)은 1층 이상 또는 2층 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 전자수송층(500)은 발광층(400)의 상부에 형성되며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(500)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
나아가, 상기 전자주입층(600)은 상기 전자수송층(500)의 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 제2 전극(2000)은 전자주입전극으로 사용되며, 상기 전자주입층(600)의 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(2000)의 재료로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은, 마그네슘 등의 물질이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자는 앞서 설명한 캡핑층(3000), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)을 포함하는 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기 발광 소자가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 추가로 포함하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 20 내지 150 ㎚일 수 있다.
상기 캡핑층(3000)은 도 1과 같이 상기 제1 전극(1000)의 양측면 중 정공주입층(200)이 형성되지 않은 외측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(2000)의 양측면 중 전자주입층(600)이 형성되지 않은 외측면에도 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 캡핑층(3000)은 증착공정으로 형성될 수 있으며, 캡핑층(3000)의 두께는 100 내지 2,000 Å 이며, 더욱 구체적으로는 300 내지 1,000Å 일 수 있다. 이와 같은 두께 조절을 통해 캡핑층(3000)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 1에 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡핑층(3000)과 제1 전극(1000)의 사이 또는 캡핑층(3000)과 제2 전극(2000)의 사이에 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있다. 또는, 캡핑층(3000)의 상부(외측 표면)에도 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 화합물의 합성예 및 유기 발광 소자 제조예를 통하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 하기 합성예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<
합성예
1> 화합물 10의 합성
둥근 바닥 플라스크에 톨루엔 120ml을 주입하고, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 3.0g, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 4.6g, t-BuONa 1.5g, Pd2(dba)3 0.4g, (t-Bu)3P 0.5ml를 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응 진행 정도를 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 메틸렌 클로라이드(MC)로 추출하고 감압 여과한 후 컬럼 정제 및 재결정하여 화합물 10, 4.0g (수율 63%)을 얻었다.
m/z: 641.25 (100.0%), 642.25 (50.1%), 643.25 (12.9%), 644.26 (2.0%), 642.24 (1.1%)
<
합성예
2> 화합물 88의 합성
둥근 바닥 플라스크에 톨루엔 120ml을 주입하고, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 3.0g, 4-(naphthalen-2-yl)aniline 2.2g, t-BuONa 1.5g, Pd2(dba)3 0.4g, (t-Bu)3P 0.4ml를 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응 진행 정도를 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 메틸렌 클로라이드(MC)로 추출하고 감압 여과한 후 컬럼 정제 및 재결정하여 화합물 88, 4.0g (수율 61%)을 얻었다.
m/z: 659.23 (100.0%), 660.24 (48.0%), 661.24 (11.7%), 662.24 (2.1%), 660.23 (1.8%)
<
합성예
3> 화합물 90의 합성
합성예 2와 동일한 방법으로 수행하되, 4-(naphthalen-2-yl)aniline 대신 4'-(naphthalen-2-yl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 이용하여 화합물 90 (수율64%)을 합성하였다.
m/z: 735.26 (100.0%), 736.27 (54.5%), 737.27 (15.0%), 738.27 (3.0%), 736.26 (1.8%), 737.26 (1.0%)
<
합성예
4> 화합물 142의 합성
합성예 2와 동일한 방법으로 수행하되, 4-(naphthalen-2-yl)aniline 대신 4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)aniline을 이용하여 화합물 142 (수율66%)를 합성하였다.
m/z: 677.22 (100.0%), 678.22 (45.9%), 679.22 (11.9%), 678.21 (2.6%), 680.23 (1.8%)
<
합성예
5> 화합물 145의 합성
합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 대신 5-(4-bromophenyl)-3-phenyl-1,2,4-oxadiazole을 이용하여 화합물 145 (수율61%)을 합성하였다.
m/z: 641.25 (100.0%), 642.25 (50.1%), 643.25 (12.9%), 644.26 (2.0%), 642.24 (1.1%)
<
합성예
6> 화합물 157의 합성
합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 대신 4-(4-bromophenyl)-2-phenyloxazole을 이용하여 화합물 157 (수율60%)를 합성하였다.
m/z: 640.25 (100.0%), 641.25 (51.6%), 642.26 (13.1%), 643.26 (2.3%)
<
합성예
7> 화합물 198의 합성
합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 대신 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazole을 이용하여 화합물 198 (수율65%)을 합성하였다.
m/z: 657.22 (100.0%), 658.23 (50.1%), 659.23 (12.7%), 659.22 (5.1%), 660.22 (2.3%), 660.23 (2.2%), 658.22 (1.9%)
<
합성예
8> 화합물 202의 합성
합성예 2와 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 대신 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazole을 이용하여 화합물 202 (수율62%)를 합성하였다.
m/z: 691.19 (100.0%), 692.19 (49.5%), 693.19 (12.7%), 693.18 (9.1%), 694.19 (4.7%), 692.18 (1.8%), 694.20 (1.7%), 695.19 (1.1%)
<
합성예
9> 화합물 79의 합성
합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 bis(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)amine을 이용하여 화합물 79(수율60%)를 합성하였다.
m/z: 623.1957 (100.0%), 624.1991 (43.3%), 625.2024 (9.1%), 624.1928 (1.8%), 626.2058 (1.3%)
<
합성예
10> 화합물 514의 합성
합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole 및 bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine 대신 2-(4-bromophenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazole 및 bis(4-(benzo[b]thiophen-2-yl)phenyl)amine을 이용하여 화합물 514 (수율66%)를 합성하였다.
m/z: 669.1367 (100.0%), 670.1401 (45.4%), 671.1325 (13.6%), 671.1434 (10.1%), 672.1359 (6.2%), 670.1361 (2.4%), 672.1468 (1.5%), 673.1392 (1.4%), 670.1337 (1.1%), 671.1395 (1.1%)
유기 발광 소자의 제조
도 1은 일반적인 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명은 예시로서, 도 1에 나타낸 유기 발광 소자의 구조를 갖되 정공주입층(200)과 정공수송층(300) 사이에 전하발생층(미도시) 및 전자수송층(500)과 음극(2000) 사이에 전자주입층(미도시)을 추가적으로 도입하였다. 구체적으로, 제조된 유기 발광 소자는 아래로부터 양극(정공주입전극(1000)) / 정공주입층(200) / 전하발생층(미도시) / 정공수송층(300) / 발광층(400) / 전자수송층(500) / 전자주입층(600) / 음극(전자주입전극(2000)) / 캡핑층(3000) 순으로 적층되어 있다.
유기 발광 소자 제작시 기판(10)은 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.
정공주입전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 양극으로 사용된다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(grapheme)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
정공주입층(200), 전하발생층, 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600)에는 하기 표 1에 정리된 물질들을 사용하였다.
또한, 전자주입층(600) 위에 전자 주입을 위한 음극(2000)을 형성하였다. 음극으로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은 등의 물질이 있다.
| HI01 | HATCN | HT01 |
| BH01 | BD01 | ET01 |
| Liq | ||
<
실시예
1>
은(Ag)을 포함하는 반사층이 형성된 인듐틴옥사이드(ITO) 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층으로 HI01 600Å, 전하발생층으로 HATCN 50 Å, 정공수송층으로 HT01 500 Å를 제막하고, 발광층으로 호스트 BH01에 도판트 BD01을 3중량%로 도핑하여 250 Å 제막하였다. 그런 다음, 전자수송층으로 ET01 및 Liq(1:1, wt./wt.)의 혼합물을 300 Å 제막하고, LiF를 10 Å로 증착하여 전자주입층을 형성한 후 MgAg을 15 nm으로 증착하여 음극을 형성하고, 상기 음극 상에 캡핑층으로 합성예 1에서 제조된 화합물을 500 Å 두께로 증착시켰다. 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실시예
2> 내지 <
실시예
6>
상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 각각 합성예 2 내지 합성예 6에서 제조된 화합물을 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
비교예
1> 내지 <
비교예
3>
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 하기 표 2에 표시된 비교화합물 1(Ref. 1) 내지 비교화합물 3(Ref. 3)을 각각 사용하여 캡핑층을 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.
| 비교화합물 1(Ref.1) | 비교화합물 2(Ref. 2) |
| 비교화합물 3(Ref. 3) | |
<
실험예
1> 유기 발광 소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 1~6과 비교예 1~3의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건 하에서 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
| Op. V | mA/cm2 | Cd/A | CIEx | CIEy | LT97 | |
| 실시예 1 | 3.45 | 10 | 7.55 | 0.139 | 0.045 | 155 |
| 실시예 2 | 3.45 | 10 | 7.60 | 0.140 | 0.044 | 163 |
| 실시예 3 | 3.44 | 10 | 7.66 | 0.140 | 0.043 | 170 |
| 실시예 4 | 3.45 | 10 | 7.63 | 0.140 | 0.044 | 165 |
| 실시예 5 | 3.45 | 10 | 7.64 | 0.140 | 0.045 | 162 |
| 실시예 6 | 3.46 | 10 | 7.45 | 0.140 | 0.045 | 147 |
| 비교예 1 | 3.47 | 10 | 6.48 | 0.131 | 0.057 | 105 |
| 비교예 2 | 3.46 | 10 | 6.60 | 0.130 | 0.053 | 113 |
| 비교예 3 | 3.46 | 10 | 6.92 | 0.130 | 0.050 | 115 |
본 발명의 실시예들을 대조해보면, 실시예의 유기 발광 소자들은 낮은 구동전압을 구현하는 한편 발광 효율과 수명이 현저히 개선된 것을 볼 수 있다.
구체적으로, 표 3를 참고하면, 본 발명에 따른 실시예의 유기 발광 소자들은 아민기에 특정 5원환을 하나 이상 포함하여 벌키 특성을 최소화된 화합물로 캡핑층을 형성하여 높은 박막 배열을 구현할 수 있으므로 비교예 1의 유기 발광 소자와 비교하여 굴절률과 넓은 자외선 영역의 흡수파장을 증가시킬 수 있으며 이를 통해 소자의 효율과 수명을 개선시키는 효과가 우수함을 알 수 있다.
또한, 실시예의 유기 발광 소자들은 옥사졸, 옥사디아졸과 같은 특정 헤테로５원환을 포함하여 분자의 분극율과 유리전이온도(Tg)가 높은 화합물로 캡핑층을 형성한 구성을 갖는다. 이에 따라, 캡핑층의 굴절률을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 안정적으로 박막을 형성할 수 있으므로, 비교예 2 및 3의 유기 발광 소자와 비교하여 보다 색순도가 우수하고, 소자의 효율과 수명이 현저히 증가됨을 알 수 있다.
<
실험예
2> 굴절률 평가
본 발명에 따른 합성예 1(화합물 10), 합성예 2(화합물 88) 및 합성예 4(화합물 142) 와 상기 표 2의 비교화합물1(Ref.1) 내지 비교화합물3(Ref.3)의 화합물을 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 450 nm의 굴절률을 측정하였다. 그 결과는 아래 표 4에 정리된 바와 같다.
| @450nm | 비교화합물1(Ref.1) | 비교화합물2(Ref.2) | 비교화합물3(Ref.3) | 화합물 10 | 화합물 88 | 화합물 142 |
| 굴절률, n | 1.98 | 2.04 | 2.14 | 2.27 | 2.29 | 2.30 |
상기 표 4에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 450 nm 파장에서의 굴절률이 2.2 이상, 보다 구체적으로 2.25이상의 높은 굴절률을 나타냄을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 고굴절률을 나타내므로, 캡핑층에 적용하는 경우 외부 양자 효율 및 수명 등이 현저히 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
<
실험예
3>
캡핑층용
화합물의 자외선 흡수 강도 평가
합성예 2 및 합성예 4와 비교화합물1(Ref.1) 및 비교화합물2(Ref.2)의 화합물을 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 340 nm ~ 460 nm의 범위 내의 흡수 강도를 측정하였으며, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
그 결과, 도 2에 나타낸 바와 같이, 합성예 2 및 4의 화합물은 자외선 흡수영역 380 nm 기준에서 흡수강도가 0.8 이상, 보다 구체적으로는 0.9 이상으로, 비교화합물 1(Ref.1) 및 비교화합물 2(Ref.2)보다 흡수 강도 60% 이상, 보다 구체적으로 80% 이상의 상승을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 자외선 영역의 흡수 파장 증대 효과를 나타내므로, 캡핑층에 적용하는 경우 고색순도, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극(애노드)
2000: 제2 전극(캐소드)
3000: 캡핑층
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극(애노드)
2000: 제2 전극(캐소드)
3000: 캡핑층
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물:
<화학식 1>
(상기 화학식 1에서,
X1 내지 X5는 각각 독립적으로 O, S, C, CR, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR' 또는 GeRR'이되, 이 중 2개 이상이 각각 O, S, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR' 또는 GeRR'이고;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며;
R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C3~C30의 실릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이고, R과 R'은 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이다).
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표현되는 캡핑층용 화합물:
<화학식 2>
<화학식 3>
(상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
X1 내지 X5, Ar2, L, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다(단, L1과 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수 및 L2와 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시킨다)).
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표현되는 캡핑층용 화합물:
<화학식 4>
(상기 화학식 4에서,
X1 내지 X5, Ar1, Ar2, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
R"는 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기이고,
m은 0 내지 4의 정수이며,
l은 1 내지 5의 정수이다).
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물:
<화학식 5>
<화학식 6>
<화학식 7>
(상기 화학식 5 내지 7에서,
X1 내지 X5, L1 및 L2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고(단, L1과 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수 및 L2와 결합하는 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이며;
R"는 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C6의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C20의 아릴기이고,
l은 1 내지 3의 정수이다).
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 7-1 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물:
<화학식 5-1>
<화학식 6-1>
<화학식 7-1>
(상기 화학식 5-1 내지 화학식 7-1에 있어서,
X1 내지 X5는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고(단, 화학식 6-1 및 화학식 7-1에서 추가된 X1 내지 X5의 탄소수는 각각 Ar1 및 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이며;
R"는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1~C6의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C20의 아릴기이고,
l은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다).
- 제1항에 있어서,
는 하기 구조 A-1 내지 A-32로 표현되는 구조 중 어느 하나를 포함하는 캡핑층용 화합물:
(상기 구조 A-1 내지 A-32에 있어서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기이며,
*은 결합되는 위치이다).
- 제6항에 있어서,
는 상기 구조 A-1 내지 A-11로 표현되는 구조 중 어느 하나를 포함하는 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 피리딜기, 벤조퓨릴기, 벤조티오페닐기, 카바졸릴기, 퀴놀리닐기, 다이벤조퓨릴기, 다이벤조티오페닐기 또는 벤조옥사졸릴기인 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,
L, L1 및 L2는 각각 독립적으로 파라-페닐렌기 (1,4-페닐렌기)를 포함하는 캡핑층용 화합물.
- 제1항에 있어서,
*-L1-Ar1 및 *-L2-Ar2는 각각 독립적으로 하기 구조 B-1 내지 B-30으로 표현되는 구조 중 어느 하나를 포함하는 캡핑층용 화합물:
(상기 구조 B-1 내지 B-30에 있어서,
X6 및 X7은 각각 독립적으로 CH 또는 N이되, 이들 중 하나 이상은 N이고,
X8 내지 X11은 각각 독립적으로 CR4, CR4R5, N, NR4, O 또는 S이되, 이들 중 1개 이상은 O, S 또는 N이며,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C10의 설파이드기, 또는 치환 또는 비치환된 C1~C10의 아릴기이다).
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식으로 표현되는 화합물 중 어느 하나인 캡핑층용 화합물:
.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 구비하는 유기 발광 소자.
- 제12항에 있어서,
상기 유기 발광 소자는,
제1전극;
제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 캡핑층은 제1전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되는 유기 발광 소자.
- 제12항에 있어서,
상기 캡핑층은 450nm에서의 굴절률이 2.20 이상인 유기 발광 소자.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200117576 | 2020-09-14 | ||
| KR20200117576 | 2020-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220035857A true KR20220035857A (ko) | 2022-03-22 |
Family
ID=80632024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210122298A KR20220035857A (ko) | 2020-09-14 | 2021-09-14 | 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20220035857A (ko) |
| CN (1) | CN116157399A (ko) |
| WO (1) | WO2022055321A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191256A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040098238A (ko) | 2003-05-14 | 2004-11-20 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 산소발생장치용 필터조립체 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107721806A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-02-23 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种有机电致发光材料及其有机发光器件 |
| WO2019117137A1 (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR102046983B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2019-11-20 | (주)피엔에이치테크 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| CN109111411B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-06-14 | 湖北尚赛光电材料有限公司 | 一种光取出层材料及其应用 |
-
2021
- 2021-09-13 WO PCT/KR2021/012435 patent/WO2022055321A1/ko active Application Filing
- 2021-09-13 CN CN202180053995.6A patent/CN116157399A/zh active Pending
- 2021-09-14 KR KR1020210122298A patent/KR20220035857A/ko unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040098238A (ko) | 2003-05-14 | 2004-11-20 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 산소발생장치용 필터조립체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116157399A (zh) | 2023-05-23 |
| WO2022055321A1 (ko) | 2022-03-17 |
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