KR102539402B1 - 이물 검사 기판, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 168
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 150
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 203
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
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- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
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- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/49—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
- G01N21/53—Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
이물 검사 기판은, 검사 기판과, 조사기와, 수광기(受光器)를 구비한다. 상기 검사 기판에는, 처리액이 통과하는 통과부가 관통 형성된다. 상기 조사기는, 상기 처리액에 대해 검사광을 조사한다. 상기 수광기는, 상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광, 또는 상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 감쇠되는 투과광을 수광한다. 상기 수광기는, 수광한 상기 산란광 또는 상기 투과광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자를 포함한다. 상기 조사기와 상기 수광기가, 상기 검사 기판에 설치된다.
Description
본 개시는 이물 검사 기판, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에 기재된 도포 모듈은, 기판을 하방으로부터 수평으로 유지하는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면에 약액을 토출하는 노즐과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판으로부터 털어내지는 약액을 회수하는 컵을 구비한다. 컵의 측방에는, 이물 검출 유닛이 설치된다. 이물 검출 유닛은, 레이저광 조사부와, 수광부(受光部)와, 유로 어레이를 구비한다. 레이저광 조사부와 수광부는, 유로 어레이를 전후로부터 사이에 두고 서로 대향하도록 설치된다. 레이저광 조사부는, 유로 어레이의 복수의 유로에서 선택되는 하나의 유로에 조사한다. 수광부는, 유로를 투과한 광을 수광한다.
특허문헌 2에 기재된 2종류의 지그 기판은, 반송 로봇의 오토 티칭에 이용된다. 한쪽의 지그 기판은, 피검출측 지그 기판이다. 피검출측 지그 기판은, 원반형의 지그 본체와, 그 지그 본체의 중심으로부터 수직으로 기립한 원기둥 형상의 피검출부를 구비한다. 다른쪽의 지그 기판은, 센서측 지그 기판이다. 센서측 지그 기판은, 피검출부를 받아들이기 위한 원형의 구멍이 중앙에 형성된 원반형의 지그 본체와, 구멍의 가장자리에 대향 배치된 발광부와 수광부를 구비한다. 센서측 기판은 제1 기판 유지부에 유지되고, 피검출측 기판은 제2 기판 유지부에 유지되며, 발광부와 수광부가 피검출부를 검출하여, 제1 기판 유지부와 제2 기판 유지부의 위치 관계가 검출된다.
본 개시의 일 양태는, 기판에 공급되기 직전의 처리액 중의 이물을 계측하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따른 이물 검사 기판은, 검사 기판과, 조사기와, 수광기를 구비한다. 상기 검사 기판에는, 처리액이 통과하는 통과부가 관통 형성된다. 상기 조사기는, 상기 처리액에 대해 검사광을 조사한다. 상기 수광기는, 상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광, 또는 상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 감쇠되는 투과광을 수광한다. 상기 수광기는, 수광한 상기 산란광 또는 상기 투과광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자를 포함한다. 상기 조사기와 상기 수광기가, 상기 검사 기판에 설치된다.
본 개시의 일 양태에 의하면, 기판에 공급되기 직전의 처리액 중의 이물을 계측할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 일 실시형태에 따른 액처리 모듈을 도시한 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 일 실시형태에 따른 이물 검사 기판을 도시한 사시도이다.
도 6의 (A)는 도 5의 이물 검사 기판의 평면도, 도 6의 (B)는 도 6의 (A)의 B-B선을 따른 단면도이다.
도 7은 검사광을 조사하는 노즐의 전환의 일례를 도시한 수평 단면도이다.
도 8의 (A)는 위치 맞춤 전의 조사기와 노즐의 일례를 도시한 사시도, 도 8의 (B)는 위치 맞춤 후의 조사기와 노즐의 일례를 도시한 사시도이다.
도 9의 (A)는 접속 전의 전기 배선의 일례를 도시한 사시도, 도 9의 (B)는 접속 후의 전기 배선의 일례를 도시한 사시도, 도 9의 (C)는 접속 후의 전기 배선의 일례를 도시한 단면도이다.
도 10의 (A)는 위치 결정 전의 위치 결정부의 일례를 도시한 단면도, 도 10의 (B)는 위치 결정 후의 위치 결정부의 일례를 도시한 단면도이다.
도 11은 도 4의 S101 전 또는 S106 후에 행해지는 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 12는 도 11에 이어지는 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 13의 (A)는 도 11의 S204의 일례를 도시한 사시도, 도 13의 (B)는 도 11의 S205의 일례를 도시한 사시도, 도 13의 (C)는 S206의 일례를 도시한 사시도이다.
도 14의 (A)는 도 11의 S208의 일례를 도시한 사시도, 도 14의 (B)는 도 12의 S211의 일례를 도시한 사시도, 도 14의 (C)는 도 12의 S212의 일례를 도시한 사시도이다.
도 15는 분배 모듈과 검사 유닛의 일례를 도시한 도면이다.
도 16은 표시 장치에 표시하는 화상의 일례를 도시한 도면이다.
도 17은 도 6의 (A)에 도시된 이물 검사 기판의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 일 실시형태에 따른 액처리 모듈을 도시한 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 일 실시형태에 따른 이물 검사 기판을 도시한 사시도이다.
도 6의 (A)는 도 5의 이물 검사 기판의 평면도, 도 6의 (B)는 도 6의 (A)의 B-B선을 따른 단면도이다.
도 7은 검사광을 조사하는 노즐의 전환의 일례를 도시한 수평 단면도이다.
도 8의 (A)는 위치 맞춤 전의 조사기와 노즐의 일례를 도시한 사시도, 도 8의 (B)는 위치 맞춤 후의 조사기와 노즐의 일례를 도시한 사시도이다.
도 9의 (A)는 접속 전의 전기 배선의 일례를 도시한 사시도, 도 9의 (B)는 접속 후의 전기 배선의 일례를 도시한 사시도, 도 9의 (C)는 접속 후의 전기 배선의 일례를 도시한 단면도이다.
도 10의 (A)는 위치 결정 전의 위치 결정부의 일례를 도시한 단면도, 도 10의 (B)는 위치 결정 후의 위치 결정부의 일례를 도시한 단면도이다.
도 11은 도 4의 S101 전 또는 S106 후에 행해지는 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 12는 도 11에 이어지는 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 13의 (A)는 도 11의 S204의 일례를 도시한 사시도, 도 13의 (B)는 도 11의 S205의 일례를 도시한 사시도, 도 13의 (C)는 S206의 일례를 도시한 사시도이다.
도 14의 (A)는 도 11의 S208의 일례를 도시한 사시도, 도 14의 (B)는 도 12의 S211의 일례를 도시한 사시도, 도 14의 (C)는 도 12의 S212의 일례를 도시한 사시도이다.
도 15는 분배 모듈과 검사 유닛의 일례를 도시한 도면이다.
도 16은 표시 장치에 표시하는 화상의 일례를 도시한 도면이다.
도 17은 도 6의 (A)에 도시된 이물 검사 기판의 변형예를 도시한 평면도이다.
이하, 본 개시의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일하거나 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략하는 경우가 있다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해 설명한다. 도 1 및 도 2에서, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향은 서로 수직인 방향이고, X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향, Z축 방향은 연직 방향이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은, X축 방향으로 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 배치대(21)와, 반송부(22)와, 전달부(23)를 구비한다. 배치대(21)는, 복수의 캐리어(C)가 배치되는 것이다. 복수의 캐리어(C)는, 각각, 수평인 기판(W)을 연직 방향으로 간격을 두고 복수 매 수용한다.
반송부(22)는, 배치대(21)에 인접하여 설치된다. 반송부(22)의 내부에는, 반송 장치(4)가 배치된다. 반송 장치(4)는, 반송부(22)의 내부에서 기판(W)을 반송하고, 반송부(22) 옆에 배치되는 복수의 장치 사이에서 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(4)는, 기판(W)을 유지하는 반송 아암(41)을 포함한다. 반송 아암(41)은, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양방향) 및 연직 방향으로의 이동, 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 반송 아암(41)의 수는, 하나여도 좋고, 복수여도 좋다. 하나의 반송 아암(41)이 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 다른 반송 아암(41)이 캐리어(C)에 기판(W)을 수용한다.
전달부(23)는, 반송부(22)에 인접하여 설치된다. 전달부(23)는, 기판(W)을 일시적으로 수용하는 트랜지션 장치(23a)를 갖는다. 또한, 전달부(23)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 이물 검사 기판(8) 및 더미 기판(9)을 격납하는 격납고(23b)를 갖는다. 이물 검사 기판(8)과 더미 기판(9)은, 본 실시형태에서는 동일한 격납고(23b)에 격납되지만, 각기 다른 격납고(23b)에 격납되어도 좋다. 트랜지션 장치(23a) 및 격납고(23b)의 배치 및 수는, 특별히 한정되지 않는다.
처리 스테이션(3)은, 반송 블록(31)과, 처리 블록(32)을 구비한다. 반송 블록(31)은, 전달부(23)에 인접하여 설치된다. 반송 블록(31)은, 직육면체형이다. 반송 블록(31)의 내부에는, 반송 장치(5)가 배치된다. 반송 장치(5)는, 반송 블록(31) 옆에 배치되는 복수의 장치 사이에서 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(5)는, 기판(W)을 유지하는 반송 아암(51)을 포함한다. 반송 아암(51)은, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양방향) 및 연직 방향으로의 이동, 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 반송 아암(51)의 수는, 하나여도 좋고, 복수여도 좋다. 후자의 경우, 예컨대 후술하는 액처리 모듈(6)에서 처리되기 전과 후에서, 상이한 반송 아암(51)이 이용된다.
처리 블록(32)은, 반송 블록(31)에 인접하여 설치된다. 처리 블록(32)은, 복수 설치되어도 좋다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 처리 블록(32)이 반송 블록(31)의 Y축 방향 양측에 대칭 배치된다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 처리 블록(32)이 연직 방향으로 쌓여진다. 단, 처리 블록(32)의 배치 및 수는 특별히 한정되지 않는다.
처리 블록(32)은, 액처리 모듈(6)을 포함한다. 액처리 모듈(6)은, 기판(W)에 대해 처리액을 공급하여, 기판(W)을 처리한다. 처리 블록(32)은, 액처리 모듈(6)을 복수 포함해도 좋다. 복수의 액처리 모듈(6)은, X축 방향으로 일렬로 배열되고, 반송 블록(31)의 1변에 인접된다.
기판 처리 장치(1)는, 제어 장치(7)를 구비한다. 제어 장치(7)는, 예컨대 컴퓨터이고, CPU(Central Processing Unit)(71)와, 메모리 등의 기억 매체(72)를 구비한다. 기억 매체(72)에는, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어 장치(7)는, 기억 매체(72)에 기억된 프로그램을 CPU(71)에 실행시킴으로써, 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.
먼저, 도 3을 참조하여, 실시형태에 따른 액처리 모듈(6)에 대해 설명한다. 액처리 모듈(6)은, 기판(W)에 대해 처리액을 공급하여, 기판(W)을 처리한다. 기판(W)은, 예컨대 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판, 또는 유리 기판을 포함한다. 반도체 기판 또는 유리 기판 등의 표면에는, 예컨대 도전막 또는 절연막이 형성된다. 복수의 막이 형성되어도 좋다. 기판(W)은, 그 표면에, 전자 회로 등의 디바이스를 포함해도 좋고, 도시하지 않은 요철 패턴을 포함해도 좋다.
액처리 모듈(6)은, 기판(W)을 내부에 수용하는 처리 용기(61)와, 기판(W)을 유지하는 유지부(62)와, 유지부(62)를 회전시키는 회전부(63)를 갖는다. 또한, 액처리 모듈(6)은, 유지부(62)에 유지되어 있는 기판(W)에 대해 처리액을 공급하는 액 공급부(64)와, 기판(W)으로부터 털어내지는 처리액(L)을 회수하는 컵(68)을 갖는다.
처리 용기(61)는, 도시하지 않은 게이트와, 게이트를 개폐하는 도시하지 않은 게이트 밸브를 갖는다. 기판(W)은, 게이트를 통해 처리 용기(61)의 내부에 반입되어, 처리 용기(61)의 내부에서 처리되고, 그 후, 게이트를 통해 처리 용기(61)의 외부로 반출된다.
유지부(62)는, 예컨대 기판(W)을 수평으로 유지한다. 유지부(62)는, 기판(W)의 디바이스가 형성되는 면을 위로 향하게 하여, 기판(W)의 상면의 중심이 회전축(63a)의 회전 중심선과 일치하도록, 기판(W)을 수평으로 유지한다. 유지부(62)는, 본 실시형태에서는 메커니컬 척이지만, 진공 척 또는 정전 척 등이어도 좋다. 유지부(62)는, 회전 가능한 스핀 척이면 된다.
회전부(63)는, 예컨대, 연직인 회전축(63a)과, 회전축(63a)을 회전시키는 회전 모터(63b)를 포함한다. 회전 모터(63b)의 회전 구동력은, 타이밍 벨트 또는 기어 등의 회전 전달 기구를 통해, 회전축(63a)에 전달되어도 좋다. 회전축(63a)이 회전되면, 유지부(62)도 회전된다.
액 공급부(64)는, 유지부(62)에 유지되어 있는 기판(W)에 대해 처리액을 공급한다. 액 공급부(64)는, 예컨대, 처리액을 토출하는 노즐(65)과, 노즐(65)을 기판(W)의 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구(66)와, 노즐(65)에 대해 처리액을 공급하는 공급 라인(67)을 갖는다.
노즐(65)은, 예컨대, 회전하는 기판(W)의 상면의 중심에 처리액을 공급한다. 처리액은, 원심력에 의해 기판(W)의 상면의 중심으로부터 둘레 가장자리를 향해 젖어 퍼진다. 처리액으로서, 예컨대, 약액과, 린스액과, 건조액이 이 순서로 기판(W)에 대해 공급된다. 또한, 복수 종류의 약액이 기판(W)에 대해 공급되어도 좋고, 하나의 약액의 공급과 다른 약액의 공급 사이에도 린스액이 공급되어도 좋다. 복수 종류의 처리액은, 동일한 노즐(65)로부터 토출되어도 좋고, 상이한 노즐(65)로부터 토출되어도 좋다.
약액은, 산성, 알칼리성, 및 중성의 어느 것이어도 좋다. 산성의 약액은, 예컨대, DHF(희불산) 등이다. 알칼리성의 약액은, 예컨대, SC1(과산화수소와 수산화암모늄을 포함하는 수용액) 등이다. 중성의 약액은, 예컨대 오존수 등의 기능수여도 좋다. 린스액은, 예컨대 DIW(탈이온수)이다. 건조액은, 예컨대 IPA(이소프로필알코올) 등의 유기 용제이다.
이동 기구(66)는, 예컨대, 노즐(65)을 유지하는 선회 헤드(66a)와, 선회 헤드(66a)가 선단에 설치되는 선회 아암(66b)과, 선회 아암(66b)을 선회시키는 선회 기구(66c)(도 7 참조)를 갖는다. 선회 기구(66c)는, 선회 아암(66b)을 승강시키는 승강 기구를 겸해도 좋다.
또한, 이동 기구(66)는, 선회 아암(66b)과 선회 기구(66c) 대신에, 가이드 레일과 직동(直動) 기구를 가져도 좋다. 가이드 레일은 수평으로 배치되고, 직동 기구가 가이드 레일을 따라 노즐(65)을 이동시킨다.
공급 라인(67)은, 노즐(65)에 대해 처리액을 공급한다. 처리액의 종류마다, 공급 라인(67)이 설치된다. 공급 라인(67)의 도중에는, 예컨대, 처리액의 유로를 개폐하는 개폐 밸브(V)와, 처리액의 유량을 제어하는 유량 제어기(F)와, 처리액의 유로를 계측하는 유량계(M)가 설치된다.
컵(68)은, 유지부(62)에 유지되어 있는 기판(W)의 둘레 가장자리를 둘러싸고, 기판(W)의 둘레 가장자리로부터 비산하는 처리액을 받는다. 컵(68)은, 본 실시형태에서는 회전축(63a)과 함께 회전하지 않으나, 회전축(63a)과 함께 회전해도 좋다. 컵(68)은, 수평인 바닥벽(68a)과, 바닥벽(68a)의 둘레 가장자리 전체로부터 상방으로 연장되는 통형의 측벽(68b)과, 측벽(68b)의 상단으로부터 측벽(68b)의 직경 방향 내측을 향해 비스듬히 상방으로 연장되는 경사벽(68c)을 포함한다. 바닥벽(68a)에는, 컵(68)의 내부에 모인 처리액을 배출하는 배액관(排液管; 68d)과, 컵(68)의 내부에 모인 기체를 배출하는 배기관(68e)이 설치된다.
다음으로, 도 4를 참조하여, 실시형태에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 4에 도시된 각 단계 S101∼S106은, 제어 장치(7)에 의한 제어하에서 실시된다. S101∼S106으로 이루어지는 일련의 처리는, 기판(W)을 바꿔, 반복해서 행해진다.
먼저, 반송 장치(4)가, 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 트랜지션 장치(23a)에 반송한다. 계속해서, 반송 장치(5)가, 트랜지션 장치(23a)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 액처리 모듈(6)에 반입한다(S101).
다음으로, 액 공급부(64)가, 기판(W)에 대해 약액을 공급한다(S102). 약액은, 회전하는 기판(W)의 상면의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 상면의 직경 방향 전체로 확산되어, 액막을 형성한다. 약액은, 기판(W)의 하면에도 공급되어도 좋다.
다음으로, 액 공급부(64)가, 기판(W)에 대해 린스액을 공급한다(S103). 린스액은, 회전하는 기판(W)의 상면의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 상면의 직경 방향 전체로 확산되어, 액막을 형성한다. 약액의 액막이 린스액의 액막으로 치환된다. 린스액은, 기판(W)의 하면에도 공급되어도 좋다.
다음으로, 액 공급부(64)가, 기판(W)에 대해 건조액을 공급한다(S104). 건조액은, 회전하는 기판(W)의 상면의 중심에 공급되고, 원심력에 의해 상면의 직경 방향 전체로 확산되어, 액막을 형성한다. 린스액의 액막이 건조액의 액막으로 치환된다.
다음으로, 회전부(63)가, 유지부(62)와 함께 기판(W)을 회전시켜, 기판(W)을 건조시킨다(S105). 기판(W)에 대해 처리액은 공급되지 않고, 기판(W)에 남는 건조액이 털어내져, 기판(W)이 건조된다.
다음으로, 유지부(62)가 기판(W)의 유지를 해제하고, 계속해서 반송 장치(5)가 유지부(62)로부터 기판(W)을 수취하며, 수취한 기판(W)을 액처리 모듈(6)의 외부로 반출한다(S106). 그 후, 이번 처리가 종료된다.
또한, 기판 처리 방법은, 도 4에 도시된 방법에는 한정되지 않는다. 예컨대, 복수 종류의 약액이 기판(W)에 대해 공급되어도 좋고, 하나의 약액의 공급과 다른 약액의 공급 사이에도 린스액이 공급되어도 좋다. 또한, 건조액의 공급은 생략되어도 좋다.
상기한 바와 같이, 기판(W)에 대해 처리액이 공급된다. 처리액에는, 공급 라인(67) 등의 배관의 열화에 기인하는 파티클과, 배관의 도중에 설치되는 각종 기기[예컨대 개폐 밸브(V) 또는 유량 제어기(F)]의 동작에 기인하는 파티클이 혼입되는 경우가 있다. 또한, 처리액 중에, 기포가 발생하는 경우도 있다. 파티클 및 기포 등의 이물은, 기판(W)에 부착되면, 기판(W)의 품질을 저하시켜 버린다. 그래서, 본 실시형태에서는, 도 4에 도시된 S101 전, 또는 S106 후에, 처리액 중의 이물을 계측한다.
다음으로, 도 5 및 도 6을 참조하여, 실시형태에 따른 이물 검사 기판(8)에 대해 설명한다. 이물 검사 기판(8)은, 검사 기판(81)과, 조사기(82)와, 수광기(83)를 구비한다. 검사 기판(81)에는, 처리액(L)이 통과하는 통과부(81a)가 관통 형성된다. 조사기(82)는, 처리액(L)에 대해 검사광을 조사한다. 수광기(83)는, 처리액(L) 중의 이물이 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광을 수광한다. 수광기(83)는, 수광한 산란광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자(83a)를 포함한다. 조사기(82)와 수광기(83)가, 검사 기판(81)에 설치된다. 수광기(83)가 산란광을 수광하는 경우, 조사기(82)의 광축[검사광의 중심선(CA)]과 수광기(83)의 광축은 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)에서 비스듬히 또는 수직(도 6에서는 비스듬히)으로 교차하도록 배치된다.
본 실시형태에 의하면, 조사기(82)와 수광기(83)가 검사 기판(81)에 설치되어 있고, 검사 기판(81)에는 처리액(L)이 통과하는 통과부(81a)가 관통 형성된다. 그 때문에, 도 5에 도시된 바와 같이, 노즐(65)의 근방에서 처리액(L) 중의 이물을 계측할 수 있다. 처리액(L) 중의 이물은, 배관을 통과하는 과정에서 증가할 수 있다. 배관의 하류단인 노즐(65)의 근방에서 처리액(L) 중의 이물을 계측하면, 기판(W)에 공급되기 직전의 처리액(L) 중의 이물을 계측할 수 있고, 기판(W)의 품질을 정확히 관리할 수 있다.
검사 기판(81)은, 원반형이며, 기판(W)과 동일한 직경을 갖는다. 그 때문에, 검사 기판(81)과 기판(W)을 동일한 반송 장치(5)로 반송할 수 있다. 검사 기판(81)의 중심에는, 원형의 통과부(81a)가 관통 형성된다. 노즐(65)로부터 토출된 처리액(L)은, 통과부(81a)를 통과한다. 통과부(81a)의 형상은, 원형에는 한정되지 않고, 예컨대 슬릿형 등이어도 좋고, 구체적으로는 도 17에 도시된 바와 같이 검사 기판(81)의 둘레 가장자리로부터 중심까지 직경 방향으로 연장되는 U자형이어도 좋다. 통과부(81a)는 구멍이어도 절결이어도 좋고, 통과부(81a)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 검사 기판(81)은, 처리액(L)에 대한 내에칭성을 갖는다. 검사 기판(81)의 재질은, 예컨대 수지 또는 세라믹스 등이다.
조사기(82)는, 처리액(L)에 대해 검사광을 조사한다. 검사광의 파장은, 특별히 한정되지 않는다. 조사기(82)는, 예컨대 레이저 발진기를 포함한다. 처리액(L)이 통과하는 통과부(81a)를 기준으로 하여, 조사기(82)와는 반대측에는, 검사광을 흡수하는 흡수판(84)이 설치된다.
수광기(83)는, 처리액(L) 중의 이물이 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광을 수광한다. 수광기(83)는, 수광한 산란광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자(83a)를 포함한다. 임계값 이상의 강도의 전기 신호가 발생한 횟수가, 이물의 수를 나타낸다. 또한, 전기 신호의 강도가, 이물의 입경을 나타낸다.
수광기(83)는, 산란광을 처리액(L)으로부터 광전 변환 소자(83a)를 향해 집속하는 렌즈(83b)를 더 포함해도 좋다. 렌즈(83b)는, 본 실시형태에서는 수광기(83)에 포함되지만, 노즐(65)에 설치되어도 좋다. 후자의 경우, 전자의 경우에 비해 처리액(L) 근처에 렌즈(83b)를 배치할 수 있다. 후자의 경우, 노즐(65)마다 렌즈(83b)가 설치되고, 렌즈(83b)는 노즐(65)과 함께 이동한다. 한편, 전자의 경우, 후자의 경우에 비해, 렌즈(83b)의 수를 저감할 수 있다.
검사광은 처리액(L)의 흐름의 측면에 입사되고, 산란광은 처리액(L)의 흐름의 측면으로부터 출사된다. 노즐(65)의 내부에서는, 노즐(65) 바로 아래에 비해, 처리액(L)의 흐름이 정돈되어, 흐름의 측면이 흐트러지지 않는다.
그래서, 이물의 계측 정밀도를 향상시키기 위해서, 조사기(82)는 노즐(65)을 통해 처리액(L)에 검사광을 조사하고, 수광기(83)는 노즐(65)을 통해 처리액(L)으로부터 산란광을 수광한다. 노즐(65)은, 검사광과 산란광의 양방을 투과시키기 위해서, 예컨대 석영 또는 수지 등으로 형성된다.
또한, 수광기(83)는, 본 실시형태에서는 산란광을 수광하지만, 투과광을 수광해도 좋다. 투과광은, 처리액(L) 중의 이물이 검사광을 통과함으로써 감쇠된다. 수광기(83)는, 수광한 투과광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자(83a)를 포함한다. 전기 신호의 임계값 이상의 감쇠가 발생한 횟수가, 이물의 수를 나타낸다. 또한, 전기 신호의 감쇠량이, 이물의 입경을 나타낸다. 수광기(83)가 투과광을 수광하는 경우, 조사기(82)의 광축[검사광의 중심선(CA)]과 수광기(83)의 광축은 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)을 통과하는 동일 직선상에 배치된다. 수광기(83)는 흡수판(84)의 위치에 설치된다.
수광기(83)가 산란광을 수광하는 경우, 수광기(83)가 투과광을 수광하는 경우보다, 입경이 작은 이물도 계측할 수 있다. 한편, 수광기(83)가 투과광을 수광하는 경우, 수광기(83)가 산란광을 수광하는 경우와는 달리, 수광기(83)가 흡수판(84)의 위치에 설치되기 때문에, 흡수판(84)이 불필요하다.
다음으로, 도 7을 참조하여, 노즐(65)의 전환의 일례에 대해 설명한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 노즐(65)은 복수(예컨대 3개) 설치되어도 좋다. 복수의 노즐(65)은, 예컨대 하나의 선회 헤드(66a)에 고정되고, 선회 아암(66b)의 선회축(66d)을 중심으로 하는 원주상에 간격을 두고 배열된다.
선회 기구(66c)가 선회축(66d)을 중심으로 선회 아암(66b)을 선회시키면, 복수의 노즐(65)이 순서대로 검사광의 중심선(CA)과 교차하여, 검사광을 조사하는 노즐(65)이 전환된다. 노즐(65)의 전환을 원활히 행하기 위해서, 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 노즐(65)은 검사 기판(81)의 통과부(81a)에는 삽입되지 않고, 검사 기판(81)은 노즐(65)보다 하방에 배치된다.
다음으로, 도 8을 참조하여, 검사광의 중심선(CA)과, 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)의 위치 맞춤의 일례에 대해 설명한다. 이물 검사 기판(8)은, 검사광의 중심선(CA)에 대한, 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)의 상대 위치를 검출하는 위치 검출기(85)(도 5 참조)를 더 구비해도 좋다. 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)은, 노즐(65)의 중심선이다.
위치 검출기(85)는, 예컨대 조사기(82)에 부착된다. 위치 검출기(85)는, 예컨대 카메라이고, 도 8에 도시된 바와 같이 검사광의 중심선(CA)과, 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)을 촬상한다. 검사광의 중심선(CA)은 수평이고, 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)은 연직이다. 2개의 중심선(CA, CB)이 직교하도록, 노즐(65)의 위치가 제어된다.
본 실시형태에 의하면, 위치 검출기(85)에 의해 검사광의 중심선(CA)에 대한 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)의 상대 위치를 검출하여, 2개의 중심선(CA, CB)을 위치 맞춤할 수 있다. 위치 맞춤에 의해, 단위 시간당 검사광을 통과하는 처리액(L)의 양을 일정하게 할 수 있고, 처리액(L) 중의 이물을 정량적으로 감시할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하여, 전기 배선의 일례에 대해 설명한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 이물 검사 기판(8)은, 수광기(83)에서 생성되는 전기 신호를 외부로 보내는, 및/또는 조사기(82)에서 소비되는 전력을 외부로부터 수취하는 전달부(86)를 더 구비한다.
전달부(86)가 수광기(83)에서 생성되는 전기 신호를 외부로 보냄으로써, 전기 신호를 해석하여 이물을 계측하기 위한 연산 처리를 외부의 컴퓨터[예컨대 제어 장치(7)]에서 실시할 수 있다. 연산 처리를 행하는 CPU, 및 연산 결과 등을 기억하는 기억 매체 등을 검사 기판(81)에 탑재하지 않아도 되어, 이물 검사 기판(8)을 경량화할 수 있다. 또한, 전달부(86)는, 위치 검출기(85)에서 생성되는 전기 신호도 외부로 보낸다.
또한, 전달부(86)가 조사기(82)에서 소비되는 전력을 외부로부터 수취함으로써, 충전지를 검사 기판(81)에 탑재하지 않아도 되어, 이물 검사 기판(8)을 경량화할 수 있다. 또한, 전달부(86)는, 위치 검출기(85)에서 소비되는 전력도 외부로부터 수취한다. 또한, 전달부(86)는, 조사기(82)를 제어하는 전기 신호도 외부로부터 수취한다. 또한, 전달부(86)는, 위치 검출기(85)를 제어하는 전기 신호도 외부로부터 수취한다.
전달부(86)에 의해 이물 검사 기판(8)과 외부 사이에서 전기 신호 및/또는 전력을 전달함으로써, 검사 기판(81)에 탑재되는 부품의 수를 저감할 수 있고, 이물 검사 기판(8)을 경량화할 수 있다. 그 결과, 이물 검사 기판(8)과 기판(W)의 중량차를 작게 할 수 있고, 이물 검사 기판(8)과 기판(W)의 양방을 동일한 반송 장치(5)에 의해 반송할 수 있다.
전달부(86)는, 반송 장치(5)의 단자(56a)에 접촉하는 단자(86a)를 포함한다. 유선으로, 전기 신호 및/또는 전력을 전달할 수 있다. 반송 장치(5)가 이물 검사 기판(8)을 픽업할 때에, 반송 장치(5)의 단자(56a)와 전달부(86)의 단자(86a)가 접촉하도록, 전달부(86)는 검사 기판(81)의 둘레 가장자리로부터 돌출되어 있다.
마찬가지로, 반송 장치(5)의 단자(56a)를 포함하는 전달부(56)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 반송 아암(51)으로부터 돌출되어 있다. 반송 아암(51)은, 주(主) 아암(51a)과, 주 아암(51a)의 선단으로부터 두 갈래 형상으로 형성되는 한 쌍의 부(副) 아암(51b)을 갖는다. 주 아암(51a)의 선단에, 전달부(56)가 설치된다.
또한, 이물 검사 기판(8)의 전달부(86)는, 본 실시형태에서는 유선으로 전기 신호 및/또는 전력을 전달하지만, 무선으로 전기 신호 및/또는 전력을 전달해도 좋다. 단, 유선의 경우, 무선의 경우에 비해, 대전력의 전달이 가능하다.
도 9에 도시된 바와 같이, 이물 검사 기판(8)은, 반송 장치(5)의 전자석(57)에 흡착되는 흡착부(87)를 더 구비해도 좋다. 흡착부(87)는, 예컨대 철 등의 자성 재료로 형성된다. 흡착부(87)는, 예컨대, 전달부(86)를 사이에 두고 한 쌍 설치된다. 한 쌍의 흡착부(87)에 대향하도록, 한 쌍의 전자석(57)이 설치된다.
전자석(57)에의 전력 공급을 실시하면, 흡착력이 발생한다. 그 흡착력에 의해, 반송 장치(5)의 단자(56a)와 전달부(86)의 단자(86a)의 의도하지 않은 분리를 억제할 수 있고, 전기 신호 및/또는 전력의 전달 불량을 억제할 수 있다.
한편, 전자석(57)에의 전력 공급을 정지하면, 흡착력이 소멸되어, 반송 장치(5)에 대해 이물 검사 기판(8)을 용이하게 탈리(脫離)할 수 있다.
또한, 충전지, CPU 및 기억 매체는, 본 실시형태에서는 이물 검사 기판(8)에 포함되지 않으나, 포함되어도 좋다. 이물 검사 기판(8)의 기억 매체에 기억된 데이터는, 통합하여, 예컨대 격납고(23b)에 전달되어도 좋다. 즉, 격납고(23b)가, 반송 아암(51) 대신에, 이물 검사 기판(8)의 단자(86a)에 접촉하는 단자를 가져도 좋다.
다음으로, 도 10을 참조하여, 반송 장치(5)와 이물 검사 기판(8)의 위치 결정의 일례에 대해 설명한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 이물 검사 기판(8)은, 반송 장치(5)에 대해 위치 결정되는 위치 결정부(88)를 더 구비해도 좋다. 위치 결정부(88)에 의해, 반송 장치(5)의 단자(56a)와 전달부(86)의 단자(86a)의 어긋남을 억제할 수 있다.
위치 결정부(88)는 예컨대 오목부이며, 그 오목부(88)와 반송 장치(5)의 볼록부(58)가 감합(嵌合)됨으로써, 위치 결정이 이루어진다. 오목부(88)는, 예컨대 전달부(86)의 하면에 형성된다. 또한, 오목부(88)는, 본 실시형태에서는 전달부(86)의 하면에 형성되지만, 흡착부(87)의 하면에 형성되어도 좋다.
오목부(88)는, 오목부(88)와 볼록부(58)의 어긋남을 교정하는 테이퍼면(88a)을 가져도 좋다. 마찬가지로, 볼록부(58)는, 볼록부(58)와 오목부(88)의 어긋남을 교정하는 테이퍼면(58a)을 가져도 좋다. 또한, 2개의 테이퍼면(88a, 58a) 중, 어느 한쪽만이 형성되어도 좋다.
또한, 오목부와 볼록부의 배치는 반대여도 좋고, 위치 결정부(88)가 볼록부이며, 그 볼록부와 반송 장치(5)의 오목부가 감합됨으로써, 위치 결정이 이루어져도 좋다. 오목부와 볼록부는, 예컨대 복수씩 형성된다.
다음으로, 도 11 내지 도 14를 참조하여, 도 4의 S101 전 또는 S106 후에 행해지는 처리의 일례에 대해 설명한다. 도 11 내지 도 12에 도시된 각 단계 S201∼S215는, 제어 장치(7)에 의한 제어하에서 실시된다. S201∼S215로 이루어지는 일련의 처리는, 정기적으로 실시되어도 좋고, 요구에 따라 실시되어도 좋다.
먼저, 반송 장치(5)가, 격납고(23b)로부터 이물 검사 기판(8)을 픽업한다(S201). 그 결과, 반송 장치(5)의 단자(56a)와 전달부(86)의 단자(86a)가 접촉한다. 또한, 반송 장치(5)의 볼록부(58)와, 이물 검사 기판(8)의 오목부(88)가 감합된다. 또한, 반송 장치(5)의 전자석(57)에 대해 전력이 공급되고, 전자석(57)에 이물 검사 기판(8)의 흡착부(87)가 흡착된다.
다음으로, 제어 장치(7)가, 반송 장치(5)의 단자(56a)와 전달부(86)의 단자(86a)의 접속을 확인한다(S202). 예컨대, 제어 장치(7)는, 회신을 요구하는 전기 신호를 반송 장치(5)로부터 이물 검사 기판(8)에 보낸다. 제어 장치(7)는, 반송 장치(5)에 의해 이물 검사 기판(8)으로부터 회신의 전기 신호를 수신함으로써, 접속을 확인한다.
다음으로, 반송 장치(5)가, 격납고(23b)로부터 더미 기판(9)을 픽업한다(S203). 더미 기판(9)은, 처리액(L)에 대한 내에칭성을 갖는다. 더미 기판(9)의 재질은, 예컨대 수지 또는 세라믹스 등이다. 또한, S201∼S202와, S203은 순서가 반대여도 좋고, S203이 S201∼S202보다 먼저 실시되어도 좋다.
다음으로, 도 13의 (A)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(5)가, 이물 검사 기판(8)과 더미 기판(9)을 반송한다(S204). 반송 장치(5)는, 제1 반송 아암(51A)과, 제2 반송 아암(51B)과, 이동 기구(52)를 포함한다.
제1 반송 아암(51A)은, 이물 검사 기판(8)을 유지한다. 제2 반송 아암(51B)은, 더미 기판(9)을 유지한다. 이동 기구(52)는, 제1 반송 아암(51A)과 제2 반송 아암(51B)을 독립적으로 이동시킨다. 제1 반송 아암(51A)은, 제2 반송 아암(51B)보다 상방에 배치된다. 더미 기판(9)의 상방에, 이물 검사 기판(8)을 유지할 수 있다.
다음으로, 도 13의 (B)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(5)가, 더미 기판(9)을 액처리 모듈(6)에 반입한다(S205). 액처리 모듈(6)의 유지부(62)(도 3 참조)가, 더미 기판(9)을 하방으로부터 수평으로 유지한다.
다음으로, 도 13의 (C)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(5)가, 이물 검사 기판(8)을 액처리 모듈(6)에 반입한다(S206). 이물 검사 기판(8)은, 액처리 모듈(6)의 유지부(62)(도 3 참조)보다 상방에 배치되고, 더미 기판(9)보다 상방에 배치된다.
다음으로, 제어 장치(7)가, 위치 검출기(85)에 의해 검사광의 중심선(CA)에 대한, 처리액(L)의 흐름의 중심선(CB)의 상대 위치를 검출하여, 2개의 중심선(CA, CB)의 위치 맞춤을 행한다(S207). 예컨대, 2개의 중심선(CA, CB)이 직교하도록, 노즐(65)의 위치가 제어된다.
다음으로, 제어 장치(7)가, 액처리 모듈(6)의 액 공급부(64)와 이물 검사 기판(8)을 제어하여, 처리액(L) 중의 이물을 검사한다(S208).
예컨대, 도 14의 (A)에 도시된 바와 같이, 조사기(82)는, 검사광을 처리액(L)에 조사한다. 한편, 수광기(83)는, 처리액(L) 중의 이물이 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광을 수광한다. 수광기(83)는, 수광한 산란광을 전기 신호로 변환한다. 제어 장치(7)는, 수광기(83)에서 생성된 전기 신호를 해석하여, 이물을 계측한다. 임계값 이상의 강도의 전기 신호가 발생한 횟수가, 이물의 수를 나타낸다. 또한, 전기 신호의 강도가, 이물의 입경을 나타낸다.
또한, 상기한 바와 같이, 수광기(83)는, 처리액(L) 중의 이물이 검사광을 통과함으로써 감쇠되는 투과광을 수광해도 좋다. 수광기(83)는, 수광한 투과광을 전기 신호로 변환한다. 제어 장치(7)는, 수광기(83)에서 생성된 전기 신호를 해석하여, 이물을 계측한다. 전기 신호의 임계값 이상의 감쇠가 발생한 횟수가, 이물의 수를 나타낸다. 또한, 전기 신호의 감쇠량이, 이물의 입경을 나타낸다.
제어 장치(7)는, 반송 장치(5)에 의해 검사 기판(81)을 액처리 모듈(6)의 유지부(62)보다 상방에 수평으로 유지한다. 검사 기판(81) 위에는, 조사기(82)와 수광기(83)가 설치되어 있다. 조사기(82)는 노즐(65)을 통해 처리액(L)에 검사광을 조사하고, 수광기(83)는 노즐(65)을 통해 처리액(L)으로부터 산란광을 수광한다.
제어 장치(7)는, 반송 장치(5)에 의해 검사 기판(81)을 더미 기판(9)보다 상방에 수평으로 유지하여, 유지부(62)와 함께 더미 기판(9)을 회전시킨다. 처리액(L)은, 검사 기판(81)의 통과부(81a)를 통과하여, 회전하는 더미 기판(9)의 상면 중심에 공급되고, 원심력에 의해 더미 기판(9)의 상면의 중심으로부터 둘레 가장자리를 향해 젖어 퍼지며, 둘레 가장자리로부터 털어내져, 컵(68)에 회수된다. 회전하는 더미 기판(9)에 의해, 처리액(L)을 컵(68)에 회수할 수 있고, 처리액(L)의 비산을 억제할 수 있다.
다음으로, 제어 장치(7)는, 미검사의 처리액(L)이 있는지의 여부를 체크한다(S209). 검사 대상인 처리액(L)의 수 및 종류는, 미리 기억 매체(72)에 기억되어, 적절히 참조된다. 검사 대상인 처리액(L)은, 예컨대 약액이다. 검사 대상인 처리액(L)의 수 및 종류는, 기판 처리 장치(1)의 사용자에 의해 적절히 변경 가능하다.
미검사의 처리액(L)이 있는 경우(S209, 예), 제어 장치(7)는, S207 이후의 처리를 재차 실시한다. 검사 대상인 모든 처리액(L)의 검사가 실시될 때까지, S207∼S209가 반복해서 실시된다.
한편, 미검사의 처리액(L)이 없는 경우(S209, 아니오), 제어 장치(7)는, 반송 장치(5)에 의해 이물 검사 기판(8)을 액처리 모듈(6)로부터 반출한다(S210). 이물 검사 기판(8)은, 액처리 모듈(6)의 유지부(62) 바로 위로부터 퇴피된다.
다음으로, 도 14의 (B)에 도시된 바와 같이, 액 공급부(64)가, 유지부(62)(도 3 참조)와 함께 회전하는 더미 기판(9)에 대해 노즐(65)로부터 린스액을 공급하여, 더미 기판(9)을 세정한다(S211). 더미 기판(9)에 부착된 약액을 씻어낼 수 있다.
다음으로, 도 14의 (C)에 도시된 바와 같이, 회전부(63)가, 유지부(62)(도 3 참조)와 함께 더미 기판(9)을 회전시켜, 더미 기판(9)을 건조시킨다(S212). 더미 기판(9)에 대해 처리액은 공급되지 않고, 더미 기판(9)에 남는 린스액이 털어내진다.
다음으로, 반송 장치(5)가, 더미 기판(9)을 액처리 모듈(6)로부터 반출한다(S213).
다음으로, 제어 장치(7)는, 미검사의 액처리 모듈(6)이 있는지의 여부를 체크한다(S214). 검사 대상인 액처리 모듈(6)의 수 및 장소는, 미리 기억 매체(72)에 기억되어, 적절히 참조된다. 또한, 검사 대상인 액처리 모듈(6)의 수 및 장소는, 기판 처리 장치(1)의 사용자에 의해 적절히 변경 가능하다.
미검사의 액처리 모듈(6)이 있는 경우(S214, 예), 제어 장치(7)는, S204 이후의 처리를 재차 실시한다. 검사 대상인 모든 액처리 모듈(6)의 검사가 실시될 때까지, S204∼S214가 반복해서 실시된다.
한편, 미검사의 액처리 모듈(6)이 없는 경우(S214, 아니오), 반송 장치(5)가 이물 검사 기판(8)과 더미 기판(9)을 격납고(23b)에 반송하여, 격납한다(S215). 그 후, 이번 처리가 종료된다.
본 실시형태에 의하면, 제어 장치(7)는, 반송 장치(5)에 의해 이물 검사 기판(8)을 복수의 액처리 모듈(6)에 순서대로 반송하고, 복수의 액처리 모듈(6)의 각각에서 검사광의 조사와 전기 신호의 생성을 실시하며, 전기 신호를 해석함으로써 이물을 계측한다. 하나의 이물 검사 기판(8)을 복수의 액처리 모듈(6)에 순서대로 반송하기 때문에, 하나의 이물 검사 기판(8)으로 복수의 액처리 모듈(6)을 검사할 수 있다. 또한, 복수의 액처리 모듈(6) 간의, 처리 품질의 차를 검지할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 복수의 액처리 모듈(6)의 각각은, 복수의 처리액(L)을 기판(W)에 대해 순서대로 공급한다. 복수의 처리액(L)은, 상이한 화학 조성을 갖고, 상이한 공급 라인(67)을 지나, 기판(W)에 공급된다. 그래서, 제어 장치(7)는, 복수의 액처리 모듈(6)의 각각에서 처리액(L)마다 검사광의 조사와 전기 신호의 생성을 실시한다. 하나의 이물 검사 기판(8)으로 복수의 처리액(L)을 검사할 수 있다.
다음으로, 도 15를 참조하여, 분배 모듈(11)과 검사 유닛(12)의 일례에 대해 설명한다. 도 15에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 복수의 처리액(L)을 복수의 액처리 모듈(6)에 분배하는 분배 모듈(11)과, 분배 모듈(11)에서 처리액(L)마다 처리액(L) 중의 이물을 검사하는 검사 유닛(12)을 더 구비한다. 처리액(L)의 공급원을 검사 유닛(12)으로 검사하고, 처리액(L)의 공급처를 이물 검사 기판(8)으로 검사하면, 이물이 혼입되는 장소를 특정할 수 있다.
다음으로, 도 16을 참조하여, 표시 장치에 표시되는 화상의 일례에 대해 설명한다. 도 16에 도시된 바와 같이, 제어 장치(7)는, 처리액(L)마다, 처리액(L)의 이물을 검사하는 검사 장소와, 이물의 검사 결과를 표시 장치에 표시한다. 검사 장소는, 예컨대, 분배 모듈(11)과, 액처리 모듈(6)을 포함한다. 이물의 검사 결과는, 예컨대, 이물의 입경과, 이물의 수를 포함한다. 제어 장치(7)는, 이물의 검사를 실시한 날짜도 표시 장치에 표시해도 좋다. 기판 처리 장치(1)의 사용자는, 표시 장치의 화상을 보면, 이물이 혼입되는 장소를 특정할 수 있다. 기판 처리 장치(1)의 사용자 대신에, 제어 장치(7)가 이물이 혼입되는 장소를 특정해도 좋다.
제어 장치(7)는, 이물의 검사 결과에 기초하여, 액처리 모듈(6) 또는 분배 모듈(11)의 동작을 정지시켜도 좋다. 또한, 제어 장치(7)는, 이물의 검사 결과에 기초하여, 표시 장치 또는 음향 장치 등의 통지 장치를 작동시켜, 화상 또는 소리로 알람을 통지해도 좋다.
이상, 본 개시에 따른 이물 검사 기판, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태 등에 대해 설명하였으나, 본 개시는 상기 실시형태 등에 한정되지 않는다. 특허청구의 범위에 기재된 범주 내에서, 각종의 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제, 및 조합이 가능하다. 이들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
본 출원은 2020년 6월 17일에 일본국 특허청에 출원한 일본국 특허 출원 제2020-104751호에 기초한 우선권을 주장하는 것이며, 일본국 특허 출원 제2020-104751호의 모든 내용을 본 출원에 원용한다.
8: 이물 검사 기판 81: 검사 기판
81a: 통과부 82: 조사기
83: 수광기 83a: 광전 변환 소자
81a: 통과부 82: 조사기
83: 수광기 83a: 광전 변환 소자
Claims (16)
- 처리액이 통과하는 통과부가 관통 형성된 검사 기판과,
상기 처리액에 대해 검사광을 조사하는 조사기와,
상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 발생하는 산란광, 또는 상기 처리액 중의 이물이 상기 검사광을 통과함으로써 감쇠되는 투과광을 수광(受光)하는 수광기
를 구비하고,
상기 수광기는, 수광한 상기 산란광 또는 상기 투과광을 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자를 포함하며,
상기 조사기와 상기 수광기는 상기 검사 기판에 설치되는 것인 이물 검사 기판. - 제1항에 있어서,
상기 검사광의 중심선에 대한, 상기 처리액의 흐름의 중심선의 상대 위치를 검출하는 위치 검출기
를 더 구비하는 이물 검사 기판. - 제1항에 있어서,
상기 수광기에서 생성되는 상기 전기 신호를 외부로 보내거나, 상기 조사기에서 소비되는 전력을 외부로부터 수취하거나, 또는 상기 수광기에서 생성되는 상기 전기 신호를 외부로 보내고 상기 조사기에서 소비되는 전력을 외부로부터 수취하는 전달부
를 더 구비하는 이물 검사 기판. - 제3항에 있어서, 상기 전달부는, 외부의 반송 장치의 단자에 접촉하는 단자를 포함하는 것인 이물 검사 기판.
- 제4항에 있어서,
상기 반송 장치의 전자석에 흡착되는 흡착부
를 구비하는 이물 검사 기판. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 반송 장치에 대해 위치 결정되는 위치 결정부
를 구비하는 이물 검사 기판. - 제1항에 기재된 이물 검사 기판과,
기판에 대해 상기 처리액을 공급하는 복수의 액처리 모듈과,
복수의 상기 액처리 모듈에 상기 기판을 반송하는 반송 장치와,
상기 이물 검사 기판과 상기 액처리 모듈과 상기 반송 장치를 제어하는 제어 장치
를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 반송 장치에 의해 상기 이물 검사 기판을 복수의 상기 액처리 모듈에 순서대로 반송하고, 복수의 상기 액처리 모듈 각각에서 상기 검사광의 조사와 상기 전기 신호의 생성을 실시하며, 상기 전기 신호를 해석함으로써 상기 이물을 계측하는 것인 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서, 복수의 상기 액처리 모듈 각각은, 복수의 처리액을 상기 기판에 대해 순서대로 공급하고,
상기 제어 장치는, 복수의 상기 액처리 모듈 각각에서 처리액마다 상기 검사광의 조사와 상기 전기 신호의 생성을 실시하는 것인 기판 처리 장치. - 제8항에 있어서,
복수의 처리액을 복수의 상기 액처리 모듈에 분배하는 분배 모듈과,
상기 분배 모듈에서 처리액마다 상기 처리액 중의 상기 이물을 검사하는 검사 유닛
을 더 구비하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서, 상기 제어 장치는, 처리액마다, 상기 처리액의 상기 이물을 검사하는 검사 장소와 상기 이물의 검사 결과를 표시 장치에 표시하는 것인 기판 처리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 액처리 모듈은, 상기 기판을 수평으로 유지하는 스핀 척과, 이 스핀 척으로 유지되어 있는 상기 기판에 대해 상방으로부터 상기 처리액을 토출하는 노즐을 포함하고,
상기 제어 장치는, 상기 검사광의 조사와 상기 전기 신호의 생성을 실시할 때에, 상기 반송 장치에 의해 상기 검사 기판을 상기 스핀 척보다 상방에 수평으로 유지하는 것인 기판 처리 장치. - 제11항에 있어서, 상기 조사기는, 상기 노즐을 통해 상기 처리액에 상기 검사광을 조사하고,
상기 수광기는, 상기 노즐을 통해 상기 처리액으로부터 상기 산란광 또는 상기 투과광을 수광하는 것인 기판 처리 장치. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 스핀 척에 수평으로 유지되는 더미 기판
을 더 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 검사광의 조사와 상기 전기 신호의 생성을 실시할 때에, 상기 반송 장치에 의해 상기 검사 기판을 상기 더미 기판보다 상방에 수평으로 유지하며, 상기 스핀 척과 함께 상기 더미 기판을 회전시키는 것인 기판 처리 장치. - 제13항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 검사광의 조사와 상기 전기 신호의 생성을 실시한 후, 상기 스핀 척과 함께 회전하는 상기 더미 기판에 대해 상기 노즐로부터 린스액을 공급하는 것인 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 반송 장치는,
상기 이물 검사 기판을 유지하는 제1 반송 아암과,
상기 더미 기판을 유지하는 제2 반송 아암과,
상기 제1 반송 아암과 상기 제2 반송 아암을 독립적으로 이동시키는 이동 기구
를 포함하고,
상기 제1 반송 아암은 상기 제2 반송 아암의 상방에 배치되는 것인 기판 처리 장치. - 기판에 대해 처리액을 공급하여, 상기 기판을 처리하는 것과,
제1항에 기재된 이물 검사 기판의 상기 조사기에 의해, 상기 처리액에 대해 상기 검사광을 조사하는 것과,
상기 산란광 또는 상기 투과광을 상기 수광기에 의해 수광하고, 상기 광전 변환 소자에 의해 전기 신호로 변환하는 것과,
상기 전기 신호를 해석하여, 상기 이물을 계측하는 것
을 포함하는 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2020-104751 | 2020-06-17 | ||
| JP2020104751 | 2020-06-17 | ||
| PCT/JP2021/021565 WO2021256314A1 (ja) | 2020-06-17 | 2021-06-07 | 異物検査基板、基板処理装置、及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220142546A KR20220142546A (ko) | 2022-10-21 |
| KR102539402B1 true KR102539402B1 (ko) | 2023-06-01 |
Family
ID=79267913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227035458A KR102539402B1 (ko) | 2020-06-17 | 2021-06-07 | 이물 검사 기판, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7221451B2 (ko) |
| KR (1) | KR102539402B1 (ko) |
| CN (1) | CN115702338A (ko) |
| WO (1) | WO2021256314A1 (ko) |
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- 2021-06-07 JP JP2022531687A patent/JP7221451B2/ja active Active
- 2021-06-07 WO PCT/JP2021/021565 patent/WO2021256314A1/ja active Application Filing
- 2021-06-07 KR KR1020227035458A patent/KR102539402B1/ko active IP Right Grant
- 2021-06-07 CN CN202180041508.4A patent/CN115702338A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010066241A (ja) | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Olympus Corp | 基板検査装置、及び、基板検査方法 |
| WO2017126360A1 (ja) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置及び異物検出方法 |
| JP2018121075A (ja) | 2018-04-06 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2021256314A1 (ko) | 2021-12-23 |
| CN115702338A (zh) | 2023-02-14 |
| WO2021256314A1 (ja) | 2021-12-23 |
| KR20220142546A (ko) | 2022-10-21 |
| JP7221451B2 (ja) | 2023-02-13 |
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