KR102535289B1 - 강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법 - Google Patents

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타카후미 노리타케
이사오 시모다
타카시 야마우치
히로히데 우에하라
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제이에프이 스틸 가부시키가이샤
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Abstract

슬래그의 염기도를 저감시킬 수 있고, 생산 효율의 저하를 억제할 수 있는, 강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법을 제공한다. 전로(1)에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서, 전로(1)에서, 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 용선을 용강으로 하는 정련 처리 공정과, 정련 처리 공정의 후, 용강이 수용된 전로(1)의 로체(2)에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 상방으로부터 첨가하는 첨가 공정과, 첨가 공정의 후, 로체(2)를 경동시켜 로체(2)로부터 용강을 배출하는 출강 공정을 구비한다.

Description

강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법
본 발명은, 강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법에 관한 것이다.
제철소의 제강 공정에서는, 전로에서, 용선에 산소 가스 등의 산소원을 더함으로써, 용강을 제조하는 산화 정련 처리(탈탄 처리)가 행해진다. 이 산화 정련 처리에서는, 첨가되는 부원료나 용선 중의 불순물 성분 등의 산화 반응에 의해, 슬래그가 발생한다. 이 슬래그는, 회수된 후, 여러 가지의 용도의 원재료로서 재이용된다.
전로에서 발생한 슬래그의 용도의 하나로서는, 노반재(路盤材)가 있다. 슬래그를 노반재로서 이용하는 경우, 수침 팽창률이, JIS 등의 기준으로 정해진 품질 기준을 충족할 필요가 있고, 예를 들면, JIS의 기준에서는 1.5% 이하로 할 필요가 있다. 슬래그의 수침 팽창률을 저감시키기 위해서는, 슬래그 중의 유리(遊離) 석회량을 줄일 필요가 있어, 슬래그의 염기도(슬래그의 CaO 함유량에 대한 SiO2 함유량의 비((%CaO)/(%SiO2)))를 저감시키는 것이 중요해진다.
그러나, 전로에서의 산화 정련 처리에 있어서는, 슬래그의 염기도가 낮아지면, 처리 중에 발생하는 CO 가스 등에 의해 슬래그가 팽창하는 포밍이 일어나기 쉬워지고, 탈인 효율도 낮아진다. 이 때문에, 산화 정련 처리에 있어서의 슬래그의 염기도의 저하는, 조업 트러블의 원인이 되어, 생산 효율을 저하시키게 된다. 또한, 전로에서의 산화 정련 처리에서는 일반적으로, 산화 정련 처리 후의 용철의 목표 성분이나 목표 온도, 정련 반응의 효율과 같은 취련 조건에 따라서 결정되는 목표 슬래그 조성에 따른 양만큼, 산화 정련 처리의 초기에 규석이나 석회와 같은 부원료를 각각 투입한다. 그러나, 탈인 반응의 촉진 등의 관점에서, 산화 정련 처리 중의 슬래그의 염기도를 낮게 하는 것은 곤란했다.
이러한 문제에 대하여, 예를 들면 특허문헌 1에는, 제강 슬래그에 SiO2, Al2O3, FeO, Fe2O3, P2O5의 1종 이상을 함유하는 물질(이하, 「개질제」라고도 함)을 첨가한 것을 첨가한 후, 용융 온도 이상의 온도에서 10분 이하 열처리함으로써, 슬래그를 개질하는 방법이 개시되어 있다.
일본특허 제4571818호 공보
그런데, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 전로에서 슬래그의 개질을 행하는 경우, 전로에 슬래그만이 수용된 상태로 개질제를 첨가, 또는 비어 있는 전로에 개질제를 넣어 둔 후에 슬래그를 첨가하게 된다. 이 때문에, 특허문헌 1의 기재의 방법에서는, 산화 정련 처리를 행하는 일련의 조업 프로세스와는 별도로, 개질에 수반하는 처리를 마련할 필요가 있는 점에서, 생산 효율이 저하하는 것이 문제였다.
그래서, 본 발명은, 상기의 과제에 착안하여 이루어진 것으로서, 슬래그의 염기도를 저감시킬 수 있고, 생산 효율의 저하를 억제할 수 있는, 강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서, 상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과, 상기 정련 처리 공정의 후, 상기 전로의 로체(爐體)에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과, 상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동(傾動)시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하는, 강의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조할 때에 발생하는 슬래그의 염기도를 저감하는, 슬래그의 염기도 저감 방법으로서, 상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과, 상기 정련 처리 공정의 후, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과, 상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하는, 슬래그의 염기도 저감 방법이 제공된다.
삭제
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 슬래그의 염기도를 저감시킬 수 있고, 생산 효율의 저하를 억제할 수 있는, 강의 제조 방법 및 슬래그의 염기도 저감 방법이 제공된다.
도 1은 전로의 설비 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 실시예 및 비교예에 있어서의 계산 염기도와 실제 염기도의 관계를 나타내는 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하의 상세한 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하도록, 본 발명의 실시 형태를 예시하여 많은 특정의 세부에 대해서 설명한다. 그러나, 이러한 특정의 세부의 설명이 없어도 1개 이상의 실시 형태를 실시할 수 있는 것은 분명하다. 또한, 도면은, 간결하게 하기 위해, 주지의 구조 및 장치가 약도로 나타나 있다.
<강의 제조 방법>
도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 강의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 상저취형의 전로(1)를 이용하여, 용철(6)을 산화 정련 처리함으로써, 용선으로부터 용강을 제조한다. 전로(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 로체(2)와, 복수의 저취 송풍구(3)와, 상취 랜스(4)와, 슈트(5)를 구비한다.
로체(2)는, 내측에 내화물이 시공된 정련 용기이다. 로체(2)는, 도 1에 나타내는 상태에 있어서 상부에 로구(21)라고 불리는 개구부를 갖는다. 또한, 로체(2)는, 측면에 형성된 한 쌍의 트러니언축(22)을 중심으로 하여 경동 가능하게 구성된다.
복수의 저취 송풍구(3)는, 로체(2)의 저부에 형성되는 이중관의 송풍구이다. 복수의 저취 송풍구(3)는, 내측의 관으로부터 적어도 산소 가스, 외측의 관으로부터 탄화수소 가스를, 로체(2)의 내부에 각각 취입하도록 구성된다.
상취 랜스(4)는, 로체(2)의 상방으로부터 로구(21)를 통해서 로체(2)의 내부에 삽입 가능하게 구성되는 랜스이다. 상취 랜스(4)는, 하측의 선단에 형성된 랜스 구멍으로부터 적어도 산소 가스를 분사 가능하게 구성된다.
슈트(5)는, 로체(2)의 상방에 형성되는 장치이다. 슈트(5)는, 선단이 로구(21)를 향하여 배치된다. 슈트(5)는, 도시하지 않는 호퍼로부터 잘라내어진 정련제나 조재제(造滓劑) 등의 부원료를 반송하여, 로체(2)의 내부에 투입한다.
본 실시 형태에 따른 강의 제조 방법에서는, 고로로부터 출선된 용선을, 로체(2)에 수용하고, 산화 정련 처리함으로써, 용강을 제조한다. 또한, 이하에서는, 용선 및 용강을 총칭하여 용철(6)이라고도 한다. 산화 정련 처리되는 용선은, 미리, 탈규 처리나 탈인 처리, 탈황 처리와 같은 용선 예비 처리가, 다른 정련 설비에서 실시되어도 좋다.
본 실시 형태에서는, 우선, 로체(2)에 용선인 용철(6)을 장입한 후, 복수의 저취 송풍구(3)로부터 산소 가스와 탄화수소 가스를 용철(6)에 취입하고, 상취 랜스(4)로부터 산소 가스를 용철(6)에 분사함으로써, 산화 정련 처리를 하는 정련 처리 공정이 행해진다. 산화 정련 처리는, 용선에 산소원을 더하여, 용선 중의 탄소나 인과 같은 불순물 성분을 산화 제거하는 처리이다. 본 실시 형태에서는, 산화 정련 처리에 의해, 적어도 용철(6) 중의 탄소가 제거되는 탈탄 반응과 용철(6) 중의 인이 제거되는 탈인 반응이 진행된다. 또한, 이하에서는, 복수의 저취 송풍구(3)로부터의 산소 가스의 취입 및, 상취 랜스(4)로부터의 산소 가스의 분사에 의한, 산소 가스(산소원)의 용철(6)로의 첨가를 취련이라고도 한다.
정련 처리 공정에서는, 탈탄 반응이 진행됨으로써, 용철(6) 중의 탄소가 산화 제거되어, 탄소 농도가 낮은 용강이 제조된다. 또한, 정련 처리 공정에서는, 탈인 반응을 촉진시키기 위해, 조재제 등의 부원료가 로체(2)의 내부에 투입된다. 이 때, 성분 조성이 상이한 복수종의 조재제가, 목표로 하는 슬래그 조성에 따른 양만큼 각각 첨가된다. 조재제 등의 부원료는, 산화 정련 처리 전의 용철(6)의 성분이나 온도, 산화 정련 처리 후의 용철(6)의 목표 성분이나 목표 온도, 정련 반응의 효율과 같은 여러 가지의 취련 조건에 따라서 미리 결정되는 것으로서, 결정된 투입량이 산화 정련 처리의 초기에 투입된다. 또한, 슬래그의 조성에 있어서, SiO2 농도(mass%)에 대한 CaO 농도(mass%)의 비((%CaO)/(%SiO2))를 염기도라고 한다. 또한, 투입되는 부원료나 용철(6)의 성분, 산소원의 투입 예정량 등의 매스 밸런스에 의해, 산화 정련 처리 전에 미리 계산되는, 산화 정련 처리 후의 슬래그의 추정 염기도를 계산 염기도라고도 한다. 일반적인 강종을 용제하는 경우, 상저취형의 전로(1)에서는, 통상, 계산 염기도는 4.0 이상이 된다. 정련 처리 공정에서는, 부원료의 투입, 그리고 취련 처리가 행해지고, 용철(6)의 성분 및 온도가 목표의 것이 됨으로써, 산화 정련 처리가 종료된다.
정련 처리 공정의 후, 로체(2)에 수용된 용강인 용철(6)에, 슈트(5)를 통하여, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는, 첨가 공정을 행한다.
첨가 공정의 조업 순서는 특별히 규정하지 않지만, 이하의 조업 순서를 취하면 실리카 함유 물질의 융해가 촉진되기 때문에 바람직하다.
전로(1)가 상취 랜스를 갖는 전로인 상취형 또는 상저취형의 전로의 경우, 정련 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 산소 가스를 분사시키면서 상취 랜스를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 용강으로의 실리카 함유 물질의 첨가를 개시해도 좋다. 이 경우, 작업자(오퍼레이터)는 필요한 정련 조작이 종료되면, 조작반을 조작하여 정련 종료 지령을 보낸다. 그리고, 이 지령을 보낸 직후에 실리카 함유 물질의 필요량을 벙커로부터 호퍼로 잘라내어, 호퍼의 게이트를 여는 조작을 행한다. 이 조작이 행해지면, 상취 랜스가 대기 위치로의 상승을 개시한 후, 실리카 함유 물질이 슈트를 통하여 로 내의 용강욕면 상에 첨가되게 된다. 상취 랜스는 노즐 막힘을 피하기 위해, 산화 정련 처리 시에 비해 유량은 낮기는 하지만, 상승 중에도 산소의 분사가 계속된다. 이 때, 분사되는 산소 가스에 의해 용강이 교반된다(교반 효과). 또한, 분사되는 산소 가스에 의해 용강이 산화되고, FeO가 생성됨으로써 슬래그의 재화(滓化)가 촉진된다(재화 효과). 이 때문에, 산소 가스에 의한 교반 효과와 재화 효과에 의해, 실리카 함유 물질의 융해가 촉진된다. 또한, 첨가의 타이밍 및 로 경동(출강) 개시를 보다 앞당기기 위해, 첨가 예정량의 실리카 함유 물질을, 정련 처리 공정의 말기에 벙커로부터 잘라내어, 첨가 가능한 상태로 호퍼에 저류해 두고, 정련 종료 지령을 보낸 직후에 호퍼의 게이트를 여는 조작을 행해도 좋다.
또한, 전로가 저취 송풍구를 갖는 전로인 상저취형 또는 저취형의 전로의 경우, 정련 처리 공정의 후, 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 용강에 실리카 함유 물질을 첨가해도 좋다. 이 경우, 오퍼레이터가 조작반을 조작하여 정련 종료 지령을 보낸 직후에, 실리카 함유 물질의 필요량을 벙커로부터 호퍼로 잘라내어, 호퍼의 게이트를 여는 조작을 행한다. 정련 종료 지령을 보내면, 산소 가스나 불활성 가스, 산소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 등의 저취가 가능한 상저취형 또는 저취형의 전로에서는, 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건이, 정련 처리 공정에 있어서의 조건으로부터, 후술하는 출강 공정에 있어서 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환된다. 구체적으로는, 로체를 경동시켜 출강시킬 때의 취입 조건에서는, 저취 가스의 종류가 불활성 가스로 전환되고, 저취 가스의 유량이 출강 중에 저취 송풍구의 폐색이 일어나지 않는 정도로 낮은 유량으로 설정된다. 실리카 함유 물질은, 저취 가스의 취입 조건이 로체를 경동시킬 때의 것으로 전환된 직후에서, 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에 호퍼로부터 슈트(5)를 통하여 로 내의 용강욕면 상에 첨가되게 된다. 또한, 실리카 함유 물질이 첨가되는 동안은, 로체는 직립한 상태가 되는 것이 바람직하다. 이러한 조업 순서로 하면, 저취 가스에 의한 용강의 교반 효과로 실리카 함유 물질의 융해가 촉진된다. 또한, 첨가의 타이밍 및 로체의 경동(출강)을 개시하는 타이밍을 보다 앞당기기 위해, 첨가 예정량의 실리카 함유 물질을, 정련 처리 공정의 말기에 벙커로부터 잘라내어 첨가 가능한 상태로 호퍼에 저류해 두고, 정련 종료 지령을 보낸 직후에 호퍼의 게이트를 여는 조작만을 행해도 좋다.
실리카 함유 물질은, SiO2를 포함하는 것이면 무엇이든 좋지만, 성분의 대부분이 SiO2인 것이 바람직하고, SiO2 함유량이 보다 많은 것이 바람직하다. 예를 들면, 실리카 함유 물질로서는, SiO2가 주로 포함되는 규석을 이용할 수 있다. 또한, 실리카 함유 물질로서, 정련 처리 공정에서 이용되는 조재제 중, 주로 SiO2를 함유하는 것을 이용하는 것이, 호퍼 등의 저류 설비의 제약의 관점에서 바람직하다. 또한, 규석은 조재제로서 일반적으로 이용되는 것인 점에서, 이 관점에서도 규석을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 일 예로서, 실리카 함유 물질로서 규석을 이용하는 경우에 있어서, 규석의 입경을 5㎜ 이상 40㎜ 이하로 한다. 실리카 함유 물질의 입경은, 보다 작은 쪽이, 융해하기 쉬워진다. 그러나, 실리카 함유 물질의 입경은, 지나치게 작으면 비산에 의한 투입 수율의 저하를 초래할 가능성이 있다. 또한, 미분상(狀)의 실리카 함유 물질을 기송(氣送)하여 사용하는 경우에는, 저류 설비나 반송 설비의 제약으로부터 연속하여 처리하는 경우에 충분한 투입량을 확보할 수 없을 가능성이 있다. 한편, 실리카 함유 물질의 입경이 큰 경우, 입경이 작은 경우에 있어서의 상기의 문제는 발생하지 않기는 하지만, 투입된 실리카 함유 물질이 충분히 융해하지 않을 가능성이 있다. 이 때문에, 실리카 함유 물질의 입경은, 5㎜ 이상 40㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
첨가 공정에서는, 슬래그(7)의 정련 처리 공정 후의 계산 염기도와, 슬래그의 수침 팽창률로부터 설정되는 목표 염기도에 따라서, 실리카 함유 물질의 투입량이 결정된다. 구체적으로는, 슬래그(7)의 정련 처리 공정 후의 계산 염기도와 추정되는 슬래그량으로부터, 슬래그(7)가 목표 염기도가 되기 위해 필요한 SiO2량이 구해지고, 이 SiO2량분의 실리카 함유 물질의 양이 투입량이 된다. 슬래그의 수침 팽창률은, 슬래그 중의 F.CaO(Free-CaO)의 함유량에 의해 정해지는 값이고, 슬래그의 염기도가 높아질수록 커진다. 노반재에 이용되는 슬래그의 경우, JIS에서는 수침 팽창률이 1.5% 이하가 되도록 정해져 있고, 본 실시 형태에서는 그것보다도 엄격한 기준으로서 슬래그의 수침 팽창률을 0.5% 이하로 하는 것을 목표로 한다. 0.5% 이하의 수침 팽창률을 만족하기 위해서는, 본 실시 형태와 같이 상저취형의 전로의 경우, 목표 염기도를 3.8 미만으로 하는 것이 바람직하고, 3.6 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 목표 염기도, 즉 실리카 함유 물질을 첨가한 후의 슬래그의 계산 염기도를 3.8 미만, 바람직하게는 3.6 이하로 함으로써, 슬래그 중의 F.CaO의 함유량을 충분히 저감할 수 있고, 수침 팽창률≤0.5%의 기준을 만족할 수 있다. 또한, 첨가 공정에 있어서, 목표 염기도는, 3.0 이상으로 하는 것이 바람직하다. 목표 염기도, 즉 실리카 함유 물질을 첨가한 후의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.0 미만이 되는 경우, 슬래그의 인 분배비가 저하하고, 슬래그 중의 인이 용강으로 되돌아옴으로써 용강의 인 농도가 증가하는 복인이 발생할 가능성이 있다. 이 때문에, 인 농도의 상한이 엄격한 강종에 있어서는 문제가 되는 경우가 있다.
또한, 첨가 공정에서는, 정련 공정 후의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.8 이상인지 아닌지를 판단하고, 정련 공정 후의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.8 이상인 경우에만 실리카 함유 물질을 첨가하도록 해도 좋다. 이 경우, 정련 공정 후의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.8 미만인 경우에는, 실리카 함유 물질의 첨가는 행해지지 않고, 후술하는 출강 공정이 행해지게 된다.
첨가 공정에서 첨가된 실리카 함유 물질은, 슈트(5)로부터 고온의 로체(2)의 내부에 투입됨으로써, 용철(6)의 상방으로 부상하고 있는 슬래그(7)로 첨가된다. 그리고, 투입된 실리카 함유 물질은, 고온의 용철(6)이나 슬래그(7)에 의해 융해되고, 용융된 슬래그(7)의 일부가 된다.
첨가 공정의 후, 로체(2)를 경동시켜 로체(2)로부터 용철(6)을 배출하는 출강 공정을 행한다. 출강 공정에서는, 한 쌍의 트러니언축(22)을 중심으로 하여 로체(2)를 경동시켜, 로체(2)의 측벽부에 형성된 출탕 구멍(도시하지 않음)으로부터 용철(6)을 배출한다. 배출된 용철(6)은, 로체(2)의 하방에 배치된 레이들(도시하지 않음)로 수용되어, 다음 공정으로 보내진다. 출강 공정에서는, 로체(2)가 경동에 의해, 로체(2)의 내부에서 용철(6)이나 슬래그(7)가 유동함으로써, 첨가 공정에서 투입된 실리카 함유 물질의 용융이 더욱 촉진된다.
출강 공정의 후, 로체(2)에는 슬래그(7)가 남은 상태가 된다. 그리고, 로체(2)에 남은 슬래그(7)는, 로체(2)가 출강 공정과는 반대측으로 경동됨으로써, 로구(21)로부터 하방으로 배출된다. 배출된 슬래그(7)는, 로체(2)의 하방에 배치된 슬래그 레이들로 회수되고, 그 후, 에이징 처리나 자선(磁選) 처리 등의 적절한 처리를 거쳐 재이용된다.
출강 공정을 거쳐, 레이들(도시하지 않음)로 수용된 용철(6)은, 제조해야 할 강종의 목표 성분 조성에 따라서 적절히 2차 정련이 실시된 후, 연속 주조기 등의 주조 설비로 주조되어, 주편이 된다. 얻어진 주편은, 치수 형상이나 특성 등이 출하 제품의 규격을 만족하도록 압연이나 열처리가 실시되어 제품의 강이 된다.
<변형예>
이상에서, 특정의 실시 형태를 참조하여 본 발명을 설명했지만, 이들 설명에 의해 발명을 한정하는 것을 의도하는 것은 아니다. 본 발명의 설명을 참조함으로써, 통상의 기술자에게는, 개시된 실시 형태와 함께 여러 가지의 변형예를 포함하는 본 발명의 다른 실시 형태도 분명하다. 따라서, 청구의 범위에 기재된 발명의 실시 형태에는, 본 명세서에 기재한 이들 변형예를 단독 또는 조합하여 포함하는 실시 형태도 망라한다고 이해해야 할 것이다.
예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 전로(1)는 상저취형의 전로라고 했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전로(1)는, 산소 가스를 상취 랜스(4)만으로부터 분사하는 상취형의 전로나, 산소 가스를 저취 송풍구(3)로부터만 분사하는 저취형의 전로라도 좋다. 또한, 전로(1)가 상저취형의 전로인 경우, 상기 실시 형태와 같이 산소 가스를 저취 가능한 전로 외에, 불활성 가스만의 저취가 가능한 전로라도 좋다. 또한, 전로(1)는, 상취 랜스(4)에 산소 가스와는 다른 랜스 구멍이 형성되고, 이 랜스 구멍으로부터 반송 가스와 함께 석회 등의 부원료를 용철(6)에 분사(투사) 가능한 것이라도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 목표 염기도를 3.8 미만, 보다 바람직하게는 3.6 이하로 하는 것이 좋다고 했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 또한, 첨가 공정에서는 정련 공정 후의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.8 이상인지 아닌지의 판단 결과로부터, 첨가 공정에 있어서 실리카 함유 물질의 첨가를 행하는지 아닌지를 판단해도 좋다고 했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 상기의 목표 염기도 및 문턱값은, 산소 가스를 적어도 복수의 저취 송풍구로부터 취입하는 취련 형태의 전로형 정련인 상저취형 또는 저취형의 전로에 있어서, 0.5% 이하의 수침 팽창률을 달성하는 데에 적합한 것이다. 즉, 목표로 하는 수침 팽창률이나, 전로의 취련 형태의 차이에 따라서, 상기의 목표 염기도나 문턱값을 변경할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 산소원으로서 산소 가스를 첨가함으로써 산화 정련 처리를 행한다고 했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 산소원으로서, 산소 가스 외에 산화철 등의 고체 산소원이 추가로 이용되어도 좋다.
<실시 형태의 효과>
(1) 본 발명의 일 실시 형태에 따른 강의 제조 방법은, 전로(1)에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서, 전로(1)에서, 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 용선을 용강으로 하는 정련 처리 공정과, 정련 처리 공정의 후, 용강이 수용된 전로(1)의 로체(2)에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 상방으로부터 첨가하는 첨가 공정과, 첨가 공정의 후, 로체(2)를 경동시켜 로체(2)로부터 용강을 배출하는 출강 공정을 구비한다.
상기 (1)의 구성에 의하면, 용철(6)인 고온의 용강이 로체(2)의 내부에 수용된 상태로, 실리카 함유 물질이 첨가되기 때문에, 실리카 함유 물질이 융해되기 쉬워진다. 또한, 출강 공정에 있어서, 로체(2)의 경동에 의해, 용철(6)이나 슬래그(7)가 로체(2)의 내부에서 유동함으로써, 실리카 함유 물질의 융해가 보다 촉진된다. 이 때문에, 첨가한 실리카 함유 물질을 충분히 융해시킬 수 있고, 슬래그(7)의 염기도를 정밀도 좋게 저감시킬 수 있다. 또한, 상기 (1)의 구성에서는, 실리카 함유 물질이 녹기 쉬워지기 때문에, 보다 큰 입경의 실리카 함유 물질을 이용할 수 있다. 이에 따라, 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 제조 비용도 저감할 수 있다.
또한, 상기 (1)의 구성에서는, 정련 처리 공정에 있어서는, 슬래그(7)의 염기도를 낮게 할 필요가 없다. 정련 처리 공정에 있어서 슬래그(7)의 염기도가 낮아지면, 슬래그(7)의 포밍이 발생할 가능성이 있다. 포밍에 의해 로체(2)로부터 슬래그(7)가 분출하면, 수율 저하나 로 아래의 슬래그 레이들선(slag pot railway line)의 함몰 등을 일으켜, 안정적인 조업을 행할 수 없게 된다. 이에 대하여, 상기 (1)의 구성에서는, 슬래그(7)의 포밍의 발생 빈도가 억제되어, 안정적인 조업을 행할 수 있다. 또한, 정련 처리 공정에 있어서 슬래그(7)의 염기도가 낮아지면, 슬래그(7)의 인 분배비가 낮아지기 때문에, 탈인을 충분히 할 수 없거나, 슬래그(7)의 양을 증가시키기 위해 CaO를 포함하는 조재제의 투입량이 증가하거나 하는 경우가 있다. 이에 대하여, 상기 (1)의 구성에서는, 슬래그(7)의 염기도가 저하하는 기간은, 첨가 공정에서 출강 공정까지의 짧은 사이가 되고, 인 분배비의 저하에 수반하는 복인의 양도 매우 근소한 것이 된다. 이 점에서, 인 분배비의 저하에 의한 영향을 최소한으로 억제할 수 있어, 제조 비용을 보다 저감할 수 있다. 또한, 복인의 양이 매우 근소한 등, 용철(6)의 성분 조성으로의 영향은 무시할 수 있을 만큼 작기 때문에, 제품 특성 등은 종래대로의 강이 된다.
(2) 상기 (1)의 구성에 있어서, 전로(1)는, 로체(2)의 저부에 형성된 저취 송풍구(3)를 갖고, 정련 처리 공정에서는, 산소원에 포함되는 산소 가스로서, 적어도 저취 송풍구(3)로부터 산소 가스를 용선에 취입함으로써, 산화 정련 처리를 실시한다.
상기 (2)의 구성에 의하면, 취련 형태의 차이로부터 상취형의 전로에 비해, 슬래그의 염기도를 낮게 하는 것이 어려운 저취형이나 상저취형의 전로에 있어서도, 슬래그의 염기도를 저감할 수 있는 점에서, 슬래그의 재이용을 촉진할 수 있다.
(3) 상기 (1) 또는 (2)의 구성에 있어서, 전로(1)는, 상취 랜스(4)를 갖고, 첨가 공정에서는, 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 산소 가스를 분사시키면서 상취 랜스(4)를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 용강으로의 실리카 함유 물질의 첨가를 개시한다.
상기 (3)의 구성에 의하면, 분사되는 산소 가스에 의한 교반 효과와 재화 효과에 의해, 실리카 함유 물질의 융해가 촉진된다.
(4) 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나의 구성에 있어서, 전로(1)는, 로체(2)의 저부에 형성된 저취 송풍구(3)를 갖고, 첨가 공정에서는, 정련 처리 공정의 후, 저취 송풍구(3)로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 로체(2)를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 로체(2)의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 용강에 실리카 함유 물질을 첨가한다.
상기 (4)의 구성에 의하면, 첨가 공정에 있어서도 저취 가스로부터 취입되는 저취 가스에 의해, 용강이 교반되어, 실리카 함유 물질의 융해가 촉진된다.
(5) 상기 (1)∼(4) 중 어느 하나의 구성에 있어서, 첨가 공정에서는, 정련 처리 공정 후의 로체(2) 내의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 실리카 함유 물질의 투입량을 결정한다.
상기 (5)의 구성에 의하면, 상기 (2)의 구성의 전로(1)에 있어서, 슬래그(7)의 수침 팽창률을 0.5% 이하로 할 수 있다.
(6) 상기 (1)∼(5) 중 어느 하나의 구성에 있어서, 첨가 공정에서는, 로체(2) 내의 슬래그(7)의 계산 염기도가 3.0 이상이 되도록, 실리카 함유 물질의 투입량을 결정한다.
상기 (6)의 구성에 의하면, 복인의 양을 충분히 억제할 수 있어, 제조 비용을 보다 저감할 수 있다.
(7) 본 발명의 일 실시 형태에 따른 슬래그의 염기도 저감 방법은, 전로(1)에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조할 때에 발생하는 슬래그(7)의 염기도를 저감하는, 슬래그(7)의 염기도 저감 방법으로서, 전로(1)에서, 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 용선을 용강으로 하는 정련 처리 공정과, 정련 처리 공정의 후, 전로(1)의 로체(2)에 수용된 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과, 첨가 공정의 후, 로체(2)를 경동시켜 로체로부터 용강을 배출하는 출강 공정을 구비한다.
상기 (7)의 구성에 의하면, 상기 (1)과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(8) 상기 (7)의 구성에 있어서, 전로(1)는, 상취 랜스(4)를 갖고, 첨가 공정에서는, 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 산소 가스를 분사시키면서 상취 랜스(4)를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 용강으로의 실리카 함유 물질의 첨가를 개시한다.
상기 (8)의 구성에 의하면, 상기 (3)의 구성과 동일한 효과가 얻어진다.
(9) 상기 (7) 또는 (8)의 구성에 있어서, 전로(1)는, 로체(2)의 저부에 형성된 저취 송풍구(3)를 갖고, 첨가 공정에서는, 정련 처리 공정의 후, 저취 송풍구(3)로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 로체(2)를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 로체(2)의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 용강에 실리카 함유 물질을 첨가한다.
상기 (9)의 구성에 의하면, 상기 (4)의 구성과 동일한 효과가 얻어진다.
실시예
본 발명자들이 행한 실시예에 대해서 설명한다. 실시예에서는, 상기 실시 형태와 동일한 강의 제조 방법을 이용하여, 전로(1)에서 용철(6)의 정련 처리를 행하여, 슬래그의 염기도를 저감시켰다. 구체적으로는, 실시예에서는, 정련 처리 공정에서, 상저취형의 전로(1)에서 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조했다. 정련 처리 공정에서는, 계산 염기도를 4 이상으로 한 조건으로, 용철(6)의 산화 정련 처리를 행했다. 이어서, 첨가 공정에서는, 목표 염기도를 3.6(실시예 1) 또는 3.2(실시예 2)로 하고, 실리카 함유 물질로서 규석을 첨가했다. 또한, 출강 공정에서는, 용철(6)을 로체(2)로부터 배출할 때에, 로체(2) 내의 슬래그(7)를 채취하여, CaO 농도 및 SiO2 농도를 측정함으로써 염기도(「실제 염기도」라고도 함)를 측정했다.
또한, 실시예에서는, 비교로서, 정련 공정의 후에, 첨가 공정을 행하지 않고 출강 공정을 행하는 종래의 방법으로의 강의 제조를 행했다(비교예). 비교예에 있어서도, 실시예와 마찬가지로, 출강 공정에 있어서 슬래그(7)를 채취하여, 실제 염기도를 측정했다. 또한, 비교예에서는, 계산 염기도가 상이한 복수의 조건(비교예 1∼4)에 있어서, 실제 염기도의 측정을 행하여, 계산 염기도와 실제 염기도의 관계를 조사했다.
도 2에, 실시예 및 비교예에 있어서의, 계산 염기도와 실제 염기도의 관계를 나타낸다. 도 2에 나타내는 비교예의 플롯에 있어서, 비교예 1은 계산 염기도가 3.49 이하(N(샘플수)=42), 비교예 2는 계산 염기도가 3.50 이상 3.99 이하(N=182), 비교예 3은 계산 염기도가 4.00 이상 4.49 이하(N=467), 비교예 4는 계산 염기도가 4.50 이상(N=722)이 되는 조건을 각각 나타낸다. 또한, 도 2에 있어서, 플롯은 복수 데이터의 평균값을 나타내고, 종횡으로 연장되는 바는 표준 편차(σ)를 나타낸다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 비교예 1∼4에 나타내는 종래의 슬래그의 염기도는, 계산 염기도에 대하여, 실제 염기도가 상관을 나타내는 것인 것을 확인할 수 있었다. 여기에서, 계산 염기도는, 산화 정련 처리에 있어서의, 용선의 성분이나 각종 부원료의 투입량, 산소 가스를 포함하는 산소원의 양 등의 미리 예상되는 취련 조건에서의, 매스 밸런스로부터 계산되는 것이다. 이 때문에, 실제의 반응 효율 등의 요인으로부터, 계산 염기도에 대하여 실제 염기도의 쪽이 일정분만큼 낮아지는 경향이 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 목표 염기도를 3.6으로 한 실시예 1(N=423) 및, 목표 염기도를 3.2로 한 실시예 2(N=36)에서는, 목표 염기도에 대하여 실제 염기도가 충분히 낮아지는 것을 확인할 수 있고, 첨가한 실리카 함유 물질이 슬래그 중에서 용해하고 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예에서는, 상기의 실시예 1과 동일하게 처리한 슬래그(7)에 대해서, 로체(2)로부터 배출되어 회수된 후에, 염기도의 분석 및 수침 팽창률을 측정했다. 염기도는, 슬래그(7)의 분석용 시료에 대하여 형광 X선 분석을 행하여, CaO 농도(mass%) 및 SiO2 농도(mass%)를 정량하고, 이들의 비로부터 구했다. 수침 팽창률의 측정은, 일본 공업 규격 JISA5015 부속서 B에 준거하여 실시했다. 그 결과, 슬래그의 염기도는 2.7이고, 수침 팽창률이 0.5% 이하가 되는 것을 확인할 수 있었다. 이에 대하여, 비교예와 동일한 방법으로 처리된, 계산 염기도가 4.0 이상인 슬래그에 대해서도 회수 후에 염기도의 분석 및 수침 팽창률을 측정했다. 이 때, 분석과 측정은 전술의 실시예와 동일한 방법으로 실시했다. 그 결과, 슬래그의 염기도는 3.5이고, 수침 팽창률이 1.5% 이상이 되어, 목표로 하는 품질을 만족할 수 없는 것을 확인할 수 있었다.
1 : 전로
2 : 로체
21 : 로구
22 : 트러니언축
3 : 저취 송풍구
4 : 상취 랜스
5 : 슈트
6 : 용철
7 : 슬래그

Claims (9)

  1. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체(爐體) 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동(傾動)시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상취 랜스를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 산소 가스로서, 적어도 상기 상취 랜스로부터 산소 가스를 상기 용선에 분사함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는, 상기 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 상기 산소 가스를 분사시키면서 상기 상취 랜스를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 상기 용강으로의 상기 실리카 함유 물질의 첨가를 개시하는, 강의 제조 방법.
  2. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상기 로체의 저부에 형성된 저취 송풍구를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 상기 산소 가스로서, 적어도 상기 저취 송풍구로부터 산소 가스를 상기 용선에 취입함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는, 상기 정련 처리 공정의 후, 상기 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 상기 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 상기 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 상기 용강에 상기 실리카 함유 물질을 첨가하며,
    상기 정련 처리 공정에서 발생하는 슬래그의 계산 염기도를 4 이상으로 하는, 강의 제조 방법.
  3. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조하는 강의 제조 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상취 랜스와, 상기 로체의 저부에 형성된 저취 송풍구를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 산소 가스로서, 상기 상취 랜스로부터 산소 가스를 상기 용선에 분사하고, 또한, 상기 저취 송풍구로부터 산소 가스를 상기 용선에 취입함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는,
    상기 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 상기 산소 가스를 분사시키면서 상기 상취 랜스를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 상기 용강으로의 상기 실리카 함유 물질의 첨가를 개시하거나,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 상기 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 상기 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 상기 용강에 상기 실리카 함유 물질을 첨가하는, 강의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 첨가 공정에서는, 상기 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.0 이상이 되도록, 상기 실리카 함유 물질의 투입량을 결정하는, 강의 제조 방법.
  5. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조할 때에 발생하는 슬래그의 염기도를 저감시키는, 슬래그의 염기도 저감 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상취 랜스를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 산소 가스로서, 적어도 상기 상취 랜스로부터 산소 가스를 상기 용선에 분사함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는, 상기 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 상기 산소 가스를 분사시키면서 상기 상취 랜스를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 상기 용강으로의 상기 실리카 함유 물질의 첨가를 개시하는, 슬래그의 염기도 저감 방법.
  6. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조할 때에 발생하는 슬래그의 염기도를 저감시키는, 슬래그의 염기도 저감 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상기 로체의 저부에 형성된 저취 송풍구를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 상기 산소 가스로서, 적어도 상기 저취 송풍구로부터 산소 가스를 상기 용선에 취입함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는, 상기 정련 처리 공정의 후, 상기 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 상기 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 상기 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 상기 용강에 상기 실리카 함유 물질을 첨가하며,
    상기 정련 처리 공정에서 발생하는 슬래그의 계산 염기도를 4 이상으로 하는, 슬래그의 염기도 저감 방법.
  7. 전로에서, 용선에 산화 정련 처리를 실시함으로써 용강을 제조할 때에 발생하는 슬래그의 염기도를 저감시키는, 슬래그의 염기도 저감 방법으로서,
    상기 전로에서, 상기 용선에 적어도 산소 가스를 포함하는 산소원을 더하여, 산화 정련 처리를 실시함으로써, 상기 용선을 상기 용강으로 하는 정련 처리 공정과,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 정련 처리 공정 후의 로체 내의 슬래그의 계산 염기도가 3.8 이상이 되는 경우에, 상기 슬래그의 계산 염기도가 3.6 이하가 되도록, 상기 전로의 로체에 수용된 상기 용강에, 적어도 SiO2를 포함하는 실리카 함유 물질을 첨가하는 첨가 공정과,
    상기 첨가 공정의 후, 상기 로체를 경동시켜 상기 로체로부터 상기 용강을 배출하는 출강 공정을 구비하며,
    상기 전로는, 상취 랜스와, 상기 로체의 저부에 형성된 저취 송풍구를 갖고,
    상기 정련 처리 공정에서는, 상기 산소원에 포함되는 산소 가스로서, 상기 상취 랜스로부터 산소 가스를 상기 용선에 분사하고, 또한, 상기 저취 송풍구로부터 산소 가스를 상기 용선에 취입함으로써, 상기 산화 정련 처리를 실시하고,
    상기 첨가 공정에서는,
    상기 정련 처리 공정의 후, 노즐 막힘 방지를 위해 상기 산소 가스를 분사시키면서 상기 상취 랜스를 대기 위치까지 상승시키는 기간 중에, 상기 용강으로의 상기 실리카 함유 물질의 첨가를 개시하거나,
    상기 정련 처리 공정의 후, 상기 저취 송풍구로부터 취입되는 저취 가스의 취입 조건을, 상기 로체를 경동시킬 때의 조건으로 전환하고 나서, 상기 로체의 경동을 개시할 때까지의 기간 중에, 상기 용강에 상기 실리카 함유 물질을 첨가하는, 슬래그의 염기도 저감 방법.
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